JP2650458B2 - 投写型陰極線管 - Google Patents
投写型陰極線管Info
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、蛍光面上に映された映像をこの蛍光面に
対向配置された投与レンズを介して前方の映像スクリー
ンに拡大投影する投写型陰極線管に関するものである。
対向配置された投与レンズを介して前方の映像スクリー
ンに拡大投影する投写型陰極線管に関するものである。
本出願人による米国特許第4642695号では投写型テレ
ビ・セットにおける各単色の投写型陰極線管からの発光
を投写レンズユニットに取り込む際の集光率の悪さを改
善する為の方法が開示されている。
ビ・セットにおける各単色の投写型陰極線管からの発光
を投写レンズユニットに取り込む際の集光率の悪さを改
善する為の方法が開示されている。
通常の陰極線管においては、蛍光面から発せられる光
は所謂完全拡散光に近い状態であるが、投写型テレビ・
セットにおいては蛍光面から発せられる光の内、発散角
約±30゜以内のもののみが投写レンズユニットへ取り込
まれて有効に利用され、その他は不要光となる。この不
要光は投写レンズユニットの鏡筒等で反射されて迷光と
なり投写された映像のコントラストを低下させる等、単
に不要光のみではなく色々な弊害をも生じる。上記発明
によれば蛍光面のある発光点より発せられる全光束の30
％以上を発散角±30゜の円錐体内部へ集約化することに
より投写型テレビ・セットのスクリーン上での映像の明
るさ向上に大きな効果があるとしている。又本出願人に
よる日本出願である特開昭60−257043号公報には、その
具体例として投写型陰極線管のフェース・パネルと蛍光
面との間に高屈折材料と低屈折材料の交互の複数層から
なる光学多重干渉膜を備えた投写型陰極線管が開示され
ており、その構成例として高屈折材料として五酸化タン
タル（Ta2O5）が、また低屈折材料としては二酸化硅素
（SiO2）が用いられた６層から成る光学多重干渉膜が述
べられている。
は所謂完全拡散光に近い状態であるが、投写型テレビ・
セットにおいては蛍光面から発せられる光の内、発散角
約±30゜以内のもののみが投写レンズユニットへ取り込
まれて有効に利用され、その他は不要光となる。この不
要光は投写レンズユニットの鏡筒等で反射されて迷光と
なり投写された映像のコントラストを低下させる等、単
に不要光のみではなく色々な弊害をも生じる。上記発明
によれば蛍光面のある発光点より発せられる全光束の30
％以上を発散角±30゜の円錐体内部へ集約化することに
より投写型テレビ・セットのスクリーン上での映像の明
るさ向上に大きな効果があるとしている。又本出願人に
よる日本出願である特開昭60−257043号公報には、その
具体例として投写型陰極線管のフェース・パネルと蛍光
面との間に高屈折材料と低屈折材料の交互の複数層から
なる光学多重干渉膜を備えた投写型陰極線管が開示され
ており、その構成例として高屈折材料として五酸化タン
タル（Ta2O5）が、また低屈折材料としては二酸化硅素
（SiO2）が用いられた６層から成る光学多重干渉膜が述
べられている。
従来の光学多重干渉膜をフェース・パネル内面上に設
けた投写型陰極線管においては、動作時間とともに投写
型陰極線管からの発光出力が低下する度合いが、光学多
重干渉膜を有しない投写型陰極線管よりも大きいと言う
問題があった。第２図は緑色（Ｇ）発光の投写型陰極線
管を高圧（加速電圧）32KV,蛍光面電流密度６μＡ・cm
-2で連続的に動作させた時の動作時間に対する光出力の
変化を示すものである。（投写型陰極線管のフェース・
パネルの外面はいずれの場合も冷却液で冷却が行われて
いる。）図中曲線（Ｉ）は従来の光学多重干渉膜の無い
場合の投写型陰極線管の光出力の劣化カーブを示すもの
であり7000時間で初期の光出力の74％に迄光出力が低下
する事を示している。この原因としては蛍光体の発光効
率そのものが低下する事及びフェースパネル内表面の着
色現象（ブラウニング）の２つがあげられ、現在のとこ
ろその寄与率は約半々と考えられている。
けた投写型陰極線管においては、動作時間とともに投写
型陰極線管からの発光出力が低下する度合いが、光学多
重干渉膜を有しない投写型陰極線管よりも大きいと言う
問題があった。第２図は緑色（Ｇ）発光の投写型陰極線
管を高圧（加速電圧）32KV,蛍光面電流密度６μＡ・cm
-2で連続的に動作させた時の動作時間に対する光出力の
変化を示すものである。（投写型陰極線管のフェース・
パネルの外面はいずれの場合も冷却液で冷却が行われて
いる。）図中曲線（Ｉ）は従来の光学多重干渉膜の無い
場合の投写型陰極線管の光出力の劣化カーブを示すもの
であり7000時間で初期の光出力の74％に迄光出力が低下
する事を示している。この原因としては蛍光体の発光効
率そのものが低下する事及びフェースパネル内表面の着
色現象（ブラウニング）の２つがあげられ、現在のとこ
ろその寄与率は約半々と考えられている。
蛍光体の発光効率の低下は電子線衝撃のエネルギー及
びその時発生する熱やＸ線により蛍光体の発光機構その
ものが徐々に破壊されていく事により生じると考えられ
ている。又着色現象（ブラウニング）には電子線ブラウ
ニングとＸ線ブラウニングの２つがある。電子線ブラウ
ニングは蛍光体層の間隙を通りぬけた電子線がフェース
・パネルの内表面へ直接衝突する際のエネルギーにより
フェース・パネルを構成するナトリウム（Na）やＫ（カ
リウム）等のアルカリ金属イオンが還元されて金属化す
る事により生じる。又Ｘ線ブラウニングは一種のソーラ
リゼーションであり蛍光体層やガラス表面に高速度で電
子が衝突する事により生じたＸ線のエネルギーによりフ
ェース・パネル表面のガラス中の格子欠陥に着色中心が
生じる事により起こる。これら電子線ブラウニング及び
Ｘ線ブラウニング共フェース・パネルのガラス表面が茶
色に着色し第３図に示す如く着色前の分光透過率分布
（ａ）に比べて着色後の分光透過率分布（ｂ）は可視光
の短波長領域ほど透過率の大きな低下を示す。
びその時発生する熱やＸ線により蛍光体の発光機構その
ものが徐々に破壊されていく事により生じると考えられ
ている。又着色現象（ブラウニング）には電子線ブラウ
ニングとＸ線ブラウニングの２つがある。電子線ブラウ
ニングは蛍光体層の間隙を通りぬけた電子線がフェース
・パネルの内表面へ直接衝突する際のエネルギーにより
フェース・パネルを構成するナトリウム（Na）やＫ（カ
リウム）等のアルカリ金属イオンが還元されて金属化す
る事により生じる。又Ｘ線ブラウニングは一種のソーラ
リゼーションであり蛍光体層やガラス表面に高速度で電
子が衝突する事により生じたＸ線のエネルギーによりフ
ェース・パネル表面のガラス中の格子欠陥に着色中心が
生じる事により起こる。これら電子線ブラウニング及び
Ｘ線ブラウニング共フェース・パネルのガラス表面が茶
色に着色し第３図に示す如く着色前の分光透過率分布
（ａ）に比べて着色後の分光透過率分布（ｂ）は可視光
の短波長領域ほど透過率の大きな低下を示す。
第２図の曲線（II）は第４図の投写型陰極線管のフェ
ース・パネル及び蛍光面の断面図で示す様にフェース・
パネル（１）の内面上に高屈折材料として酸化チタン
（TiO2），低屈折材料として二酸化硅素（SiO2）の交互
の合計５層の光学薄膜層からなる光学多重干渉膜（２）
を設けその上に蛍光体層（３）とメタルバック層（４）
を設けた従来の光学多重干渉膜付の投写型陰極線管の光
出力の劣化カーブを示すものであり、7000時間で初期の
光出力の63％に迄低下してしまっている。これは従来の
光学多重干渉膜の無い場合の投写型陰極線管〔曲線
（Ｉ）〕よりも大巾に悪化している。この劣化の原因を
分析した結果従来のフェース・パネル（１）のガラス表
面のブラウニングに加えて光学多重干渉膜（２）のブラ
ウニングが生じている事が判明した。この光学多重干渉
膜（２）のブラウニングは特に高屈折材料である酸化チ
タン（TiO2）層で生じており、これは蛍光体層（３）の
間隙を通りぬけた高いエネルギーの電子線が酸化チタン
（TiO2）層に突入する際にそのエネルギーによりTiO2が
還元されてTiO2-Xになる事が原因で生じている事が判明
した。高屈折材料としては通常、金属の酸化物が使用さ
れる事が多いが、光学的に使用可能な種々の金属の酸化
物について検討した結果材料により程度の差は有るもの
のどの材料を使用しても同様なブラウニングを生じる事
が確認された。
ース・パネル及び蛍光面の断面図で示す様にフェース・
パネル（１）の内面上に高屈折材料として酸化チタン
（TiO2），低屈折材料として二酸化硅素（SiO2）の交互
の合計５層の光学薄膜層からなる光学多重干渉膜（２）
を設けその上に蛍光体層（３）とメタルバック層（４）
を設けた従来の光学多重干渉膜付の投写型陰極線管の光
出力の劣化カーブを示すものであり、7000時間で初期の
光出力の63％に迄低下してしまっている。これは従来の
光学多重干渉膜の無い場合の投写型陰極線管〔曲線
（Ｉ）〕よりも大巾に悪化している。この劣化の原因を
分析した結果従来のフェース・パネル（１）のガラス表
面のブラウニングに加えて光学多重干渉膜（２）のブラ
ウニングが生じている事が判明した。この光学多重干渉
膜（２）のブラウニングは特に高屈折材料である酸化チ
タン（TiO2）層で生じており、これは蛍光体層（３）の
間隙を通りぬけた高いエネルギーの電子線が酸化チタン
（TiO2）層に突入する際にそのエネルギーによりTiO2が
還元されてTiO2-Xになる事が原因で生じている事が判明
した。高屈折材料としては通常、金属の酸化物が使用さ
れる事が多いが、光学的に使用可能な種々の金属の酸化
物について検討した結果材料により程度の差は有るもの
のどの材料を使用しても同様なブラウニングを生じる事
が確認された。
この発明は上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、光学多重干渉膜を設けた投写型陰極線
管のフェース・パネル（１）のガラス表面及び光学多重
干渉膜（２）のブラウニングをおさえて、光出力の経時
的な劣化の少ない投写型陰極線管を得ることを目的とす
る。
れたものであり、光学多重干渉膜を設けた投写型陰極線
管のフェース・パネル（１）のガラス表面及び光学多重
干渉膜（２）のブラウニングをおさえて、光出力の経時
的な劣化の少ない投写型陰極線管を得ることを目的とす
る。
この発明に係る投写型陰極線管は、フェース・パネル
内面上に設けられた蛍光体層等からなる蛍光面と、この
蛍光面とフェース・パネルとの間に設けられた高屈折材
料と低屈折材料の交互の光学薄膜層からなる光学多重干
渉膜とを具備する投写型陰極線管において、光学多重干
渉膜の蛍光面側の最外層表面を膜厚1.0μｍ以上の金属
を除く元素の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれか
１つから成る光学的に透明な保護膜で被覆したものであ
る。
内面上に設けられた蛍光体層等からなる蛍光面と、この
蛍光面とフェース・パネルとの間に設けられた高屈折材
料と低屈折材料の交互の光学薄膜層からなる光学多重干
渉膜とを具備する投写型陰極線管において、光学多重干
渉膜の蛍光面側の最外層表面を膜厚1.0μｍ以上の金属
を除く元素の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれか
１つから成る光学的に透明な保護膜で被覆したものであ
る。
この発明における投写型陰極線管では光学多重干渉膜
の最外層表面に電子線衝撃から光学多重干渉膜をまもる
為の膜厚が1.0μｍ以上の光学的に透明で且つ安定な金
属を除く元素の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれ
か１つから成る保護膜が形成されているので蛍光体層の
間隙を通りぬけた高いエネルギーの電子線もこの保護膜
中でそのエネルギーの多くを失う。したがって光学多重
干渉膜及びフェース・パネルのガラス表面のブラウニン
グを軽減する事が可能となる。
の最外層表面に電子線衝撃から光学多重干渉膜をまもる
為の膜厚が1.0μｍ以上の光学的に透明で且つ安定な金
属を除く元素の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれ
か１つから成る保護膜が形成されているので蛍光体層の
間隙を通りぬけた高いエネルギーの電子線もこの保護膜
中でそのエネルギーの多くを失う。したがって光学多重
干渉膜及びフェース・パネルのガラス表面のブラウニン
グを軽減する事が可能となる。
〔発明の実施例〕 以下本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明の一実施例における光学多重干渉膜を備えた投写型陰
極線管のフェース・パネル及び蛍光面の断面図である。
明の一実施例における光学多重干渉膜を備えた投写型陰
極線管のフェース・パネル及び蛍光面の断面図である。
フェース・パネル（１）の内面上には従来と同様に高
屈折材料として酸化チタン（TiO2），低屈折材料として
二酸化硅素（SiO2）の交互の合計５層の光学薄膜層から
なる光学多重干渉膜（２）が設けられている。本発明の
場合この光学多重干渉膜（２）の最外層表面を光学的に
透明な保護膜（５）で覆っており、この上に従来と同様
に蛍光体層（３）とメタルバック層（４）とが設けられ
ている。この保護膜（５）は蛍光体層（３）の間隙を通
りぬけた高いエネルギーの電子線のエネルギーを出来る
だけ多く吸収すると共に蛍光体層（３）からの発光を出
来るだけロスなく透過する必要がある。又この保護膜
（５）はその下に設けられている光学多重干渉膜（２）
に対して光学的に透明である必要があり皮膜の屈折率及
び膜厚等に制限を受ける場合もある。又当然のことなが
ら電子線衝撃に対しては安定である事が要求される。こ
の保護膜（５）として二酸化硅素（SiO2）の5.0μｍの
膜を用いた光学多重干渉膜付投写型陰極線管を試作して
従来と同様に高圧（加速電圧）32KV,蛍光面電流密度６
μＡ・cm-2で連続的に動作させた時の動作時間に対する
光出力の変化を第２図（III）に示す。この場合保護膜
（５）の電子線エネルギーに対する吸収効果により、光
学多重干渉膜（２）及びフェース・パネル（１）のガラ
ス表面のブラウニング現象が抑制されて、光出力の劣化
カーブも7000時間で初期の光出力の81％であり、従来の
光学多重干渉膜なしの場合（初期の光出力の74％）より
もむしろ良い結果を示す。この保護膜（５）の材料とし
てはSiO2以外にも金属を除く元素の酸化物，弗化物，硫
化物等種々のものが考えられる。又この保護膜（５）の
必要膜厚はその材料の特性によって変わる。物質に対す
る電子線の侵入深さｄは物質の密度をρ，電子線の加速
電圧をＶとするとよく知られているテリルの式 ｄ＝2.5×10-12ρ-1V2（cm） で表わされる。
屈折材料として酸化チタン（TiO2），低屈折材料として
二酸化硅素（SiO2）の交互の合計５層の光学薄膜層から
なる光学多重干渉膜（２）が設けられている。本発明の
場合この光学多重干渉膜（２）の最外層表面を光学的に
透明な保護膜（５）で覆っており、この上に従来と同様
に蛍光体層（３）とメタルバック層（４）とが設けられ
ている。この保護膜（５）は蛍光体層（３）の間隙を通
りぬけた高いエネルギーの電子線のエネルギーを出来る
だけ多く吸収すると共に蛍光体層（３）からの発光を出
来るだけロスなく透過する必要がある。又この保護膜
（５）はその下に設けられている光学多重干渉膜（２）
に対して光学的に透明である必要があり皮膜の屈折率及
び膜厚等に制限を受ける場合もある。又当然のことなが
ら電子線衝撃に対しては安定である事が要求される。こ
の保護膜（５）として二酸化硅素（SiO2）の5.0μｍの
膜を用いた光学多重干渉膜付投写型陰極線管を試作して
従来と同様に高圧（加速電圧）32KV,蛍光面電流密度６
μＡ・cm-2で連続的に動作させた時の動作時間に対する
光出力の変化を第２図（III）に示す。この場合保護膜
（５）の電子線エネルギーに対する吸収効果により、光
学多重干渉膜（２）及びフェース・パネル（１）のガラ
ス表面のブラウニング現象が抑制されて、光出力の劣化
カーブも7000時間で初期の光出力の81％であり、従来の
光学多重干渉膜なしの場合（初期の光出力の74％）より
もむしろ良い結果を示す。この保護膜（５）の材料とし
てはSiO2以外にも金属を除く元素の酸化物，弗化物，硫
化物等種々のものが考えられる。又この保護膜（５）の
必要膜厚はその材料の特性によって変わる。物質に対す
る電子線の侵入深さｄは物質の密度をρ，電子線の加速
電圧をＶとするとよく知られているテリルの式 ｄ＝2.5×10-12ρ-1V2（cm） で表わされる。
二酸化硅素（SiO2）の場合高圧（加速電圧）32KVで電
子線の侵入深さｄは約10μｍであるが、電子線のエネル
ギーは侵入深さと共に急速に失われるので10μｍの膜厚
までは不要であり1.0μｍ以上有ればブラウニング低減
に対する効果が認められ5.0μｍの膜厚ではほぼ十分な
効果を得る事が出来た。また二酸化硅素（SiO2）以外の
他の金属を除く元素の酸化物、弗化物、硫化物について
もほぼ同様の結果を得る事が出来た。
子線の侵入深さｄは約10μｍであるが、電子線のエネル
ギーは侵入深さと共に急速に失われるので10μｍの膜厚
までは不要であり1.0μｍ以上有ればブラウニング低減
に対する効果が認められ5.0μｍの膜厚ではほぼ十分な
効果を得る事が出来た。また二酸化硅素（SiO2）以外の
他の金属を除く元素の酸化物、弗化物、硫化物について
もほぼ同様の結果を得る事が出来た。
以上のように、この発明によれば光学多重干渉膜を儲
けた投写型陰極線管の光学多重干渉膜の最外層表面を電
子線衝撃に対して安定で光学的に透明な金属を除く元素
の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれか１つから成
る保護膜で被うので電子線のエネルギーはこの膜中で失
われ光学多重干渉膜及びフェース・パネルのガラス表面
のブラウニングが軽減され、光出力の経時的な劣化の少
ない、高品質な投写型陰極線管を得ることが出来る。
けた投写型陰極線管の光学多重干渉膜の最外層表面を電
子線衝撃に対して安定で光学的に透明な金属を除く元素
の酸化物、弗化物あるいは硫化物のいずれか１つから成
る保護膜で被うので電子線のエネルギーはこの膜中で失
われ光学多重干渉膜及びフェース・パネルのガラス表面
のブラウニングが軽減され、光出力の経時的な劣化の少
ない、高品質な投写型陰極線管を得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例における光学多重干渉膜を備
えた投写型陰極線管の断面図、第２図は投写型陰極線管
の光出力の経時的な劣化を示す図、第３図はフェース・
パネルのガラス表面のブラウニングによる分光透過率の
変化を示す図、第４図は従来の光学多重干渉膜を備えた
投写型陰極線管の断面図である。図中1.はフェース・パ
ネル、２．は光学多重干渉膜、3.は蛍光体層、4.はメタ
ルバック層、5.は保護膜である。なお、図中、同一符号
は同一、又は相当部分を示す。
えた投写型陰極線管の断面図、第２図は投写型陰極線管
の光出力の経時的な劣化を示す図、第３図はフェース・
パネルのガラス表面のブラウニングによる分光透過率の
変化を示す図、第４図は従来の光学多重干渉膜を備えた
投写型陰極線管の断面図である。図中1.はフェース・パ
ネル、２．は光学多重干渉膜、3.は蛍光体層、4.はメタ
ルバック層、5.は保護膜である。なお、図中、同一符号
は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】フェース・パネル内面上に設けられた蛍光
体層等からなる蛍光面と、この蛍光面とフェース・パネ
ルとの間に設けられた高屈折材料と低屈折材料の交互の
光学薄膜層からなる光学多重干渉膜とを具備する投写型
陰極線管において、 上記光学多重干渉膜の上記蛍光面側の最外層表面を膜厚
1.0μｍ以上の金属を除く元素の酸化物、弗化物あるい
は硫化物のいずれか１つから成る光学的に透明な保護膜
で被覆したことを特徴とする投写型陰極線管。 - 【請求項２】光学多重干渉膜の蛍光面側の最外層表面を
被覆する保護膜の材料として、SiO2（２酸化硅素）を使
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の投
写型陰極線管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086122A JP2650458B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 投写型陰極線管 |
| CA002035365A CA2035365C (en) | 1990-03-29 | 1991-01-31 | Projection cathode ray tube having a multilayer optical interference film |
| US07/650,022 US5107173A (en) | 1990-03-29 | 1991-02-04 | Projection cathode ray tube |
| DE4106640A DE4106640A1 (de) | 1990-03-29 | 1991-02-28 | Projektionskathodenstrahlroehre |
| US07/783,205 US5126626A (en) | 1990-03-29 | 1991-10-28 | Projection cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086122A JP2650458B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 投写型陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283239A JPH03283239A (ja) | 1991-12-13 |
| JP2650458B2 true JP2650458B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=13877900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086122A Expired - Lifetime JP2650458B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 投写型陰極線管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (2) | US5107173A (ja) |
| JP (1) | JP2650458B2 (ja) |
| CA (1) | CA2035365C (ja) |
| DE (1) | DE4106640A1 (ja) |
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| JP3297929B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 陰極線管の蛍光面の形成方法 |
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| US5804919A (en) * | 1994-07-20 | 1998-09-08 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
| US5469018A (en) * | 1993-07-20 | 1995-11-21 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
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| US7709811B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
| US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
| US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
| US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US8967811B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-03-03 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
| US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2448801A1 (de) * | 1974-10-12 | 1976-04-22 | Licentia Gmbh | Leuchtschirm fuer elektronenroehre |
| US4609267A (en) * | 1980-12-22 | 1986-09-02 | Seiko Epson Corporation | Synthetic resin lens and antireflection coating |
| JPS58175239A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 投写型陰極線管 |
| DE3222434A1 (de) * | 1982-06-15 | 1983-12-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kathodenstrahlroehre und verfahren zur herstellung eines leuchtschirms fuer eine solche kathodenstrahlroehre |
| JPS60100347A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 投写型陰極線管 |
| JPS60257043A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 陰極線管 |
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| GB2176048B (en) * | 1985-05-29 | 1989-07-05 | Philips Nv | Projection television display tube and projection television device comprising at least one such tube |
| JPH0731990B2 (ja) * | 1986-06-12 | 1995-04-10 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置用アノ−ドガラス |
| GB8629552D0 (en) * | 1986-12-10 | 1987-01-21 | Philips Nv | Television system & display tubes |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2086122A patent/JP2650458B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-31 CA CA002035365A patent/CA2035365C/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-04 US US07/650,022 patent/US5107173A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-28 DE DE4106640A patent/DE4106640A1/de not_active Ceased
- 1991-10-28 US US07/783,205 patent/US5126626A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5126626A (en) | 1992-06-30 |
| CA2035365A1 (en) | 1993-08-24 |
| CA2035365C (en) | 1993-08-24 |
| DE4106640A1 (de) | 1991-10-02 |
| US5107173A (en) | 1992-04-21 |
| JPH03283239A (ja) | 1991-12-13 |
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