JP2621186B2 - 転写用バンプの形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は転写用バンプの形成方法に関するものであ
る。

従来の技術 従来例を第４図，第５図とともに説明する。まず第４
図に示すように絶縁基板11上にめっき用の電極として導
電膜12が全面に形成されている。この導電膜12には、Ti
/Ptが用いられている。導電膜12上には、めっき用のマ
スクとして感光性絶縁樹脂13が塗布され、半導体素子の
電極に対向する位置に開口部14が設けらている。この転
写用バンプの形成基板15を用いて、電解めっき法に開口
部14にバンプ16を形成する。次に第５図ａに示すように
フィルムキャリアのインナーリード16と形成されたバン
プ17とを位置合せし、熱圧着によって、インナーリード
16側にバンプ17を転写させる。こうした後、第５図ｂに
示すようにバンプ17つきインナーリード16を半導体素子
18の電極19上に位置合せし、この電極19との接合が行な
われ、半導体素子18の電極19とインナーリード16の電気
的接続が完了する。

発明が解決しようとする問題点 転写用バンプ形成基板上に形成したバンプをリード側
に転写させる上で一番重要なことは、転写しやすいバン
プを形成することであり、それは、基板上に形成された
導電膜とその上に形成されるバンプとの界面の状態で決
定される。そして、バンプを転写しやすいような界面状
態にしてやるには初期のめっき電流密度をコントロール
してやることが重要である。しかし従来においては、め
っき用マスクを形成する際、感光性絶縁樹脂をスピンナ
ー等で塗布するため、ピンホールの発生がおこる。この
ため、このピンホールを通してめっき電流のリークがお
こり、めっき電流密度のコントロールが行えなくなり、
形成したバンプが基板から剥離しにくくなる。またピン
ホールがバンプを形成する開口部付近にあると、めっき
を行なったときに同様にめっきされてしまい、リード側
へ転写する際に、バンプとともに転写されてしまうこと
がある。このため、半導体素子等の電極とバンプ付きリ
ードを接合したとき、電極以外の部分とでショートをお
こしてしまい、半導体素子の破損の原因となる。また、
転写用バンプ形成基板の導体配線材料としては、一度め
っきによって形成したバンプが剥離しやすい。すなわち
Auめっき層との密着性が悪いという点でITOを用いる場
合が多い。しかしながらITO膜は比抵抗が高いため４〜
５インチ程度の基板においても基板内で均一な高さのバ
ンプを得ることができず、５〜10μｍほどのバンプ厚の
差が生じてしまう。このためITOの比抵抗を小さくする
ためにどうしても膜圧を厚くしてやる必要がある。こう
した場合、絶縁基板上に形成された導電膜（ここではIT
O膜）が半導体素子の電極に対応した位置と、それらが
すべて導通するように配線された位置にのみ形成された
構造とすると、絶縁基板とITO膜との段差が大きくなる
ため、めっき用マスクであるフォトレジストでITO膜を
覆う場合、十分に覆うことができず段差部でのフォトレ
ジストのクラック，ピンホールが多発する。このため前
記した理由により、形成したバンプが基板から剥離しに
くくなったり、電極以外部分でショートをおこして半導
体素子の破損の原因になったりする。

問題点を解決するための手段 本発明の転写用バンプの形成方法は、上記の課題を解
決するため、半導体素子の電極に対応した位置に選択的
に導電膜が形成された絶縁性基板に対してレジストを用
いて導電膜上に電解めっき法により転写用バンプを形成
するに際して、導電膜が全て配線により導通されてお
り、かつ、導電膜と絶縁性基板との間に段差が生じない
ように導電膜が絶縁性基板に埋設された構成となってい
る。

作用 本発明は前記した構成により、めっき用マスクのピン
ホールや、絶縁基板とその上に形成された導体配線との
段差によって生じるめっき用マスクのクラック，ピンホ
ールが原因となって生じるめっき電流のリークを抑える
ことができるとともに、ピンホールによる不必要部分へ
のめっきも防ぐことができる。

実 施 例 以下に本発明の一実施例について説明する。第１図ａ
−ｇとともに半導体素子の電極がチップ周辺部のみにあ
る場合について説明する。まず第１図ａに示すようにガ
ラス基板１上に半導体素子の電極が形成されている領域
よりも小さい領域にのみ、レジスト２を1.5〜3.0μｍ程
度形成する。そして第１図ｂに示すようにレジスト２で
覆われている以外の部分をフッ酸とフッ化アンモニウム
の混合液によって5000〜10000Å程度エッチングする。
そして次に第１図ｃに示すようにリフトオフ法によりガ
ラス基板１をエッチングした深さだけガラス基板全面に
ITO膜３を形成し、その後第１図ｄに示すようにレジス
ト２を除去することによって、ガラス基板１のエッチン
グされた部分にのみ、同じ厚みのITO3を埋め込む。これ
により、ITO膜３とガラス基板１との間には段差が生じ
ない状態となる。このようにして形成されたガラス基板
１の平面図を第１図ｅに示す。そして次に第１図ｆに示
すようにITO膜３上の半導体素子の電極に対応した位置
に開口部４とITO膜３がないガラス基板１の部分に開口
部４′をレジスト５によって形成する。第１図ｇに第１
図ｆの断面図を示す。これにより、半導体素子の電極に
対応した位置に選択的に導電膜が形成されたことにな
る。このようにして形成した転写用バンプ形成基板を用
い、電解めっき法にて、半導体素子の電極に対応した部
分の開口部４にバンプ６を形成する。

また、半導体素子の電極がチップ周辺部にある例とし
て、第１図ａ〜ｄと同様の工程を経て、第２図ａに示す
ような、半導体素子の電極に対応する部分とそれらがす
べて導通であるようパターンにITO膜３を埋めこんだガ
ラス基板１をつくる。そして第２図ｂに示すように、IT
O膜３上の半導体素子の電極に対応した部分以外をすべ
てレジスト３によって覆う。この断面図を第２図ｃに示
す。このようにして形成した基板を用い、電極めっき法
によって、半導体素子の電極に対応した部分にのみバン
プ４を形成する。

次に第３図において、半導体素子の電極がチップ全面
にある場合を説明する。まず第１図ａ〜ｄと同様の工程
を経て、第３図ａに示すような半導体素子の全面に形成
された電極を対応する部分と、それらがすべて導通であ
るようなパターンにITO膜３を埋めこんだガラス板１を
形成する。そして第３図ｂに示したよに、ITO膜３上の
半導体素子の電極に対応した位置に開口部４をレジスト
によって形成する。このときの断面図を第３図ｃに示
す。このようにして形成した基板を用い電解めっき法に
よって、半導体素子の電極に対応した位置の開口部４に
のみバンプ５を形成する。

発明の効果 以上のように、本発明の転写用バンプ形成方法によれ
ば、バンプを形成するのに必要最小限の領域にしか、導
電膜が形成されていないので、たとえめっき用マスクに
ピンホールが存在しても、不要部分にめっきがつくのを
大幅に抑えることが可能である。また転写バンプ方式に
おいては、基板からバンプを剥離させることが最大のポ
イントであるため導電膜にはめっき層との密着性が悪い
ITOを用いる場合が多い。ITOを用いたときには比抵抗が
高いため基板内でのバンプ厚を均一にするため膜厚を厚
くしてやる必要がある。こうしたとき、導電膜を絶縁基
板内に埋設させた構造にしているため、絶縁基板とITO
との段差部でめっき用マスクのクラック，ピンホールが
生じることがなく、不要部分にめっきがつくことを防ぐ
ことが可能となる。このように不要部分へのめっきを防
ぐことは、流した電流がすべてバンプ形成に用いられる
ことになる。このため、めっき時の電流密度をコントロ
ールすることが容易になりバンプ形成用基板から剥離し
やすい。すなわちリード側に転写しやすいバンプを容易
に形成することができる。また不要部分へのめっきを抑
えられることで、リード側にバンプを転写する工程でバ
ンプ以外のめっき物（主にピンホールによるもの）がリ
ード側につくことがないため、半導体素子の電極とバン
プのついたリードとを接合する際に、電極以外の部分で
ショートすることがなくなるため素子の破損を防ぐこと
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例における転写用バンプ
形成基板の製造工程を示す工程図、第４図，第５図は従
来の転写用バンプ形成基板を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……レジスト、３……ITO膜、4,
4′……開口部、５……レジスト。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子の電極に対応した位置に選択的
   に導電膜が形成された絶縁性基板に対してレジストを用
   いて前記導電膜上に電解めっき法により転写用バンプを
   形成する転写用バンプの形成方法であって、前記導電膜
   が全て配線により導通されており、かつ、前記導電膜と
   前記絶縁性基板との間に段差が生じないように前記導電
   膜が前記絶縁性基板に埋設されていることを特徴とする
   転写用バンプの形成方法。