JP2589184B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2589184B2 JP2589184B2 JP1208146A JP20814689A JP2589184B2 JP 2589184 B2 JP2589184 B2 JP 2589184B2 JP 1208146 A JP1208146 A JP 1208146A JP 20814689 A JP20814689 A JP 20814689A JP 2589184 B2 JP2589184 B2 JP 2589184B2
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術 一般に、リードフレームに半導体素子を固着し樹脂モ
ールドする技術は、例えば特公昭55−24694号公報が詳
しい。
ールドする技術は、例えば特公昭55−24694号公報が詳
しい。
これは、リードフレームの打抜き面を下部金型と対面
させ、フレームの反りを防止するものである。
させ、フレームの反りを防止するものである。
しかし現在は、打抜き技術が進歩し打抜き面の角部の
丸みを極力抑えることが可能となり、打抜き面とこの打
抜き面と対向する面とが実質的に同じ面積となってい
る。しかも対向する面の周辺に生じる抜きバリを平坦に
できない理由と相俟って、第4図の如く、打抜き面を上
にして半導体装置(1)を製造している。
丸みを極力抑えることが可能となり、打抜き面とこの打
抜き面と対向する面とが実質的に同じ面積となってい
る。しかも対向する面の周辺に生じる抜きバリを平坦に
できない理由と相俟って、第4図の如く、打抜き面を上
にして半導体装置(1)を製造している。
第4図を参照しながら半導体装置(1)の構成を説明
すると、先ずリードフレーム(2)があり、このリード
フレーム(2)の打抜き面は上にしてある。図からも判
る通り、打抜き面の角部(3)は丸みを生じ、この打抜
き面と反対の面の周辺には抜きバリ(4)が形成されて
いる。(5)はダフであり、(6)はリード、(7)は
金属細線である。
すると、先ずリードフレーム(2)があり、このリード
フレーム(2)の打抜き面は上にしてある。図からも判
る通り、打抜き面の角部(3)は丸みを生じ、この打抜
き面と反対の面の周辺には抜きバリ(4)が形成されて
いる。(5)はダフであり、(6)はリード、(7)は
金属細線である。
(ハ)発明が解決しようとする課題 前述の半導体装置(1)を樹脂モールドする時の概略
図を第5図に示す。現在は益々リード(6)の数が増
え、リード(6)下面のトータル面積が増大しているの
で、矢印の如く樹脂注入口が下金型にあると、抜きバリ
(4)が流入抵抗となって樹脂の流動性を低下させてい
た。
図を第5図に示す。現在は益々リード(6)の数が増
え、リード(6)下面のトータル面積が増大しているの
で、矢印の如く樹脂注入口が下金型にあると、抜きバリ
(4)が流入抵抗となって樹脂の流動性を低下させてい
た。
またタイバー部の樹脂バリ(8)を、タイバーカット
時に第6図の如くパンチ(9で除去するが、樹脂がリー
ド部(6)の抜きダレ部(角部の丸み)に強固に接着し
ているため、このタイバーカット工程で完全に除去でき
ず、第6図で示した黒い部分(10)が残ってしまう問題
を有していた。そのためウォータジェット等で樹脂バリ
を完全に取り除く工程が必要となっていた。
時に第6図の如くパンチ(9で除去するが、樹脂がリー
ド部(6)の抜きダレ部(角部の丸み)に強固に接着し
ているため、このタイバーカット工程で完全に除去でき
ず、第6図で示した黒い部分(10)が残ってしまう問題
を有していた。そのためウォータジェット等で樹脂バリ
を完全に取り除く工程が必要となっていた。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は前述の課題に鑑みて成され、前記樹脂バリ
(29)をリード(24)の打抜き方向と逆の方向からパン
チ(30)を挿入して除去し、更にはリードフレームの打
抜き面を下にして、打抜き面の方より樹脂を流入するこ
とで解決するものである。
(29)をリード(24)の打抜き方向と逆の方向からパン
チ(30)を挿入して除去し、更にはリードフレームの打
抜き面を下にして、打抜き面の方より樹脂を流入するこ
とで解決するものである。
(ホ)作用 第2図の如く、打抜き面を下にして形成してあるの
で、前記抜きダレ部(27)が下に形成される。従って樹
脂注入口が下金型にあっても、第3図の矢印の如く抵抗
なく流入させることができる。
で、前記抜きダレ部(27)が下に形成される。従って樹
脂注入口が下金型にあっても、第3図の矢印の如く抵抗
なく流入させることができる。
また第1図の如く、抜きバリ(28)の生じている面か
らパンチ(30)で打抜く際、樹脂バリ(29)はリード
(24)の縦側面のみにしか付着していないので、このパ
ンチを使って良好に樹脂バリ(29)を除去できる。
らパンチ(30)で打抜く際、樹脂バリ(29)はリード
(24)の縦側面のみにしか付着していないので、このパ
ンチを使って良好に樹脂バリ(29)を除去できる。
(ヘ)実施例 以下に本発明の実施例を詳述する。
先ず説明の都合上第2図に示した半導体装置(21)の
構成について述べてゆく。
構成について述べてゆく。
半導体素子(22)がリードフレームの一部であるタブ
(23)に固着されており、半導体素子(22)とリードフ
レームの一部である複数本のリード(24)との間を金属
細線(25)で電気的に接続されている。更には半導体素
子(22)、タブ(23)、金属細線(25)およびリード
(24)の一部が樹脂(26)によってモールドされてお
り、このリード(24)は下方に所定形状に折り曲げられ
ている。
(23)に固着されており、半導体素子(22)とリードフ
レームの一部である複数本のリード(24)との間を金属
細線(25)で電気的に接続されている。更には半導体素
子(22)、タブ(23)、金属細線(25)およびリード
(24)の一部が樹脂(26)によってモールドされてお
り、このリード(24)は下方に所定形状に折り曲げられ
ている。
次にこの半導体装置(21)の製造方法について説明し
てゆく。
てゆく。
先ずリードフレームを打抜き形成するために、例えば
銅を主成分とした金属基板が用意される。この金属基板
はプレスによって一連のリードフレームが形成される。
従って図にも示されるように、下面に抜きダレ部(27)
が生じ、上面には抜きバリ(28)が生じる。またリード
(24)の一端は金属細線(25)の接合領域として平坦化
されている。
銅を主成分とした金属基板が用意される。この金属基板
はプレスによって一連のリードフレームが形成される。
従って図にも示されるように、下面に抜きダレ部(27)
が生じ、上面には抜きバリ(28)が生じる。またリード
(24)の一端は金属細線(25)の接合領域として平坦化
されている。
次にこのリードフレームの一部であるタブ(23)に半
導体素子(22)が固着され、金属細線(25)にて前記リ
ード(24)の接合領域とこの半導体素子(22)のボンデ
ィングパッド部が電気的に接合される。
導体素子(22)が固着され、金属細線(25)にて前記リ
ード(24)の接合領域とこの半導体素子(22)のボンデ
ィングパッド部が電気的に接合される。
続いて第3図の如く金型にこのリードフレームを組込
み、図の如く樹脂を注入する。リードフレームの下面は
前述した如く抜きダレ(27)が生じ丸みが生じているた
め、矢印の如くスムーズに流れる。その結果、第5図の
樹脂の流動性とは異なり大幅に改善される。従って樹脂
厚2mm前後の薄いものでも、リードフレームは上下せず
良好な位置に固定できる。
み、図の如く樹脂を注入する。リードフレームの下面は
前述した如く抜きダレ(27)が生じ丸みが生じているた
め、矢印の如くスムーズに流れる。その結果、第5図の
樹脂の流動性とは異なり大幅に改善される。従って樹脂
厚2mm前後の薄いものでも、リードフレームは上下せず
良好な位置に固定できる。
更に第1図の如く、リード(24)間に固着された樹脂
バリ(29)を取り除く工程がある。この時は同時にタイ
バーカットも実施される。点でハッチングした領域が樹
脂バリ(29)であり、図からも判る通り、リードの側面
にしか付いていない領域を先にパンチ(30)で押してゆ
くので、固着力の強い抜きダレ部(27)の樹脂バリは樹
脂バリ(29)と一体となって除去されてゆく。従って樹
脂バリを完全に取除くことができる。
バリ(29)を取り除く工程がある。この時は同時にタイ
バーカットも実施される。点でハッチングした領域が樹
脂バリ(29)であり、図からも判る通り、リードの側面
にしか付いていない領域を先にパンチ(30)で押してゆ
くので、固着力の強い抜きダレ部(27)の樹脂バリは樹
脂バリ(29)と一体となって除去されてゆく。従って樹
脂バリを完全に取除くことができる。
最後に第2図で示したように、リード(24)を折り曲
げる工程がある。樹脂バリ(29)が完全に除去できるの
で、折り曲げ治具(31)と樹脂(26)の間に樹脂バリ
(29)が入り込まず良好な寸法で折り曲げられる。
げる工程がある。樹脂バリ(29)が完全に除去できるの
で、折り曲げ治具(31)と樹脂(26)の間に樹脂バリ
(29)が入り込まず良好な寸法で折り曲げられる。
(ト)発明の効果 以上の説明からも明らかな如く、抜きダレを下面にす
るため樹脂の流動性が向上し、リードフレームに与える
樹脂注入時の抵抗を低下させることができる。従って樹
脂厚の薄いものでも良好にリードフレームを固定でき、
不良を防止できる。
るため樹脂の流動性が向上し、リードフレームに与える
樹脂注入時の抵抗を低下させることができる。従って樹
脂厚の薄いものでも良好にリードフレームを固定でき、
不良を防止できる。
またリード間に発生する樹脂バリは、打抜き面とは反
対の面から打抜き除去されるので、完全に除去できる。
従って折り曲げ寸法を精度良く加工できる。しかも別に
ウォータージェット等で樹脂バリを除去する工程が省
け、工程を短かくすることができる。
対の面から打抜き除去されるので、完全に除去できる。
従って折り曲げ寸法を精度良く加工できる。しかも別に
ウォータージェット等で樹脂バリを除去する工程が省
け、工程を短かくすることができる。
第1図は本発明の樹脂バリ除去の工程を説明する断面
図、第2図は本発明で達成できる半導体装置の断面図、
第3図は本発明の樹脂モールド工程を説明する断面図、
第4図は従来の半導体装置の断面図、第5図は従来の樹
脂モールド工程を説明する断面図、第6図は従来の樹脂
バリ除去の工程を説明する図である。
図、第2図は本発明で達成できる半導体装置の断面図、
第3図は本発明の樹脂モールド工程を説明する断面図、
第4図は従来の半導体装置の断面図、第5図は従来の樹
脂モールド工程を説明する断面図、第6図は従来の樹脂
バリ除去の工程を説明する図である。
Claims (2)
- 【請求項1】金属板を打ち抜いて半導体素子固定用のタ
ブ部と複数本のリードとを有するリードフレームを形成
する工程と、 前記リードフレームは打ち抜き面に抜きダレを、反対面
に抜きバリを有し、 前記リードフレームの打ち抜き面と反対の面に半導体素
子を固着する工程と、 前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリードと
を金属細線にて電気的に接続する工程と、 前記リードフレームをモールド金型に設置し、前記リー
ドフレームの打ち抜き面側から樹脂を注入し、前記リー
ドフレームの隙間から前記リードフレームの打ち抜け面
とは反対の面へ樹脂を回り込ませるようにして樹脂モー
ルドする工程と、を具備することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項2】金属板を打ち抜いて半導体素子固定用のタ
ブ部と複数本のリードとを有するリードフレームを形成
する工程と、 前記リードフレームは打ち抜き面に抜きダレを、反対面
に抜きバリを有し、 前記リードフレームの打ち抜き面と反対の面に半導体素
子を固着する工程と、 前記半導体素子の電極と前記リードフレームのリードと
を金属細線にて電気的に接続する工程と、 前記リードフレームをモールド金型に設置し、前記リー
ドフレームの打ち抜き面側から樹脂を注入し、前記リー
ドフレームの隙間から前記リードフレームの打ち抜け面
とは反対の面へ樹脂を回り込ませるようにして樹脂モー
ルドする工程と、 前記樹脂モールドによって前記リード間に生じた樹脂バ
リを、前記リードフレームの打ち抜き面と逆の方向から
パンチを挿入して除去する工程と、 前記リードをカットし、所定形状に折り曲げる工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1208146A JP2589184B2 (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1208146A JP2589184B2 (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0371647A JPH0371647A (ja) | 1991-03-27 |
JP2589184B2 true JP2589184B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=16551399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1208146A Expired - Lifetime JP2589184B2 (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2589184B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100552353B1 (ko) * | 1992-03-27 | 2006-06-20 | 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 | 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55157235A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
JPH0230152A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP1208146A patent/JP2589184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0371647A (ja) | 1991-03-27 |
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Legal Events
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