JP2555987B2 - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- wiring
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカラー液晶表示装置等に
おいて用いられるアクティブマトリクス基板に関し、特
に、駆動用集積回路装置と接続するための端子構造に関
するものである。
おいて用いられるアクティブマトリクス基板に関し、特
に、駆動用集積回路装置と接続するための端子構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、低消費電力、省スペー
スの特徴をもつことから、ＯＡ機器、車載機器、計測器
等広い分野で採用されている。中でも、アクティブマト
リクス方式のものは、フルカラー表示が可能で高コント
ラスト、高精細化を実現できる表示手段として注目され
ている。アクティブマトリクス型液晶表示装置において
は、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と駆動用Ｌ
ＳＩとの接続が必要となる。その接続方式としては各種
のものが提案されているが、一般的には、液晶パネル上
の端子を異方性導電フィルム（anisotropic conductive
film;ＡＣＦ）を介してテープキャリアパッケージ（ta
pe-carrier package；ＴＣＰ）に接続し、これにより配
線基板、パネル間を接続する方式を採る。この場合、ア
クティブマトリクス基板の端子部においては、端子とな
る金属配線層を化学的に安定な透明導電膜によって被覆
することが行われている。
スの特徴をもつことから、ＯＡ機器、車載機器、計測器
等広い分野で採用されている。中でも、アクティブマト
リクス方式のものは、フルカラー表示が可能で高コント
ラスト、高精細化を実現できる表示手段として注目され
ている。アクティブマトリクス型液晶表示装置において
は、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と駆動用Ｌ
ＳＩとの接続が必要となる。その接続方式としては各種
のものが提案されているが、一般的には、液晶パネル上
の端子を異方性導電フィルム（anisotropic conductive
film;ＡＣＦ）を介してテープキャリアパッケージ（ta
pe-carrier package；ＴＣＰ）に接続し、これにより配
線基板、パネル間を接続する方式を採る。この場合、ア
クティブマトリクス基板の端子部においては、端子とな
る金属配線層を化学的に安定な透明導電膜によって被覆
することが行われている。
【０００３】図７（ａ）は、この種従来のアクティブマ
トリクス基板１００の端子部の状態を示す平面図であ
り、図７（ｂ）は、そのＤ−Ｄ線の断面図である。同図
において、１はガラス基板、２は、Ｃｒ等からなる下層
金属配線、３は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との
複合膜からなる層間絶縁膜、６は、上層金属配線を下層
金属配線２に接続するために層間絶縁膜３に開孔された
コンタクトホール、７は、Ｃｒ等からなる上層金属配
線、８は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からなる透明導
電膜、９は、シリコン窒化膜からなる保護絶縁膜であ
る。図７から明らかなように、端子部での上層金属配線
７は完全に透明導電膜８により被覆されている。なお、
図では１つの端子が示されているに過ぎないが、実際に
は図７（ａ）の上下方向に数１００の端子が配置されて
いる。
トリクス基板１００の端子部の状態を示す平面図であ
り、図７（ｂ）は、そのＤ−Ｄ線の断面図である。同図
において、１はガラス基板、２は、Ｃｒ等からなる下層
金属配線、３は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との
複合膜からなる層間絶縁膜、６は、上層金属配線を下層
金属配線２に接続するために層間絶縁膜３に開孔された
コンタクトホール、７は、Ｃｒ等からなる上層金属配
線、８は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からなる透明導
電膜、９は、シリコン窒化膜からなる保護絶縁膜であ
る。図７から明らかなように、端子部での上層金属配線
７は完全に透明導電膜８により被覆されている。なお、
図では１つの端子が示されているに過ぎないが、実際に
は図７（ａ）の上下方向に数１００の端子が配置されて
いる。
【０００４】図８（ａ）は、図７に示した従来例の端子
部にテープキャリアパッケージの端子部を接続した状態
を示す断面図である。同図に示されるように、端子部上
に異方性導電フィルム１０を介してテープキャリアパッ
ケージの可撓性配線基板３１の銅箔配線３１ｂが接続さ
れている。なお、端子部の異方性導電フィルム１０に覆
われない導体部分はテープキャリアパッケージ接続後の
チェック用端子として用いられる。
部にテープキャリアパッケージの端子部を接続した状態
を示す断面図である。同図に示されるように、端子部上
に異方性導電フィルム１０を介してテープキャリアパッ
ケージの可撓性配線基板３１の銅箔配線３１ｂが接続さ
れている。なお、端子部の異方性導電フィルム１０に覆
われない導体部分はテープキャリアパッケージ接続後の
チェック用端子として用いられる。
【０００５】金属配線を被覆する透明導電膜は、酸化物
であるためそれ自身は化学的に安定である。しかし、防
湿機能はあまりよくない上に透明性を確保する都合上厚
膜に形成することができないため、金属配線に対する保
護機能はそれほど高くない。例えば、図８（ｂ）に示す
ように、透明導電膜にピンホールのような欠陥部１１が
存在していた場合、これにより金属配線が外気にさらさ
れ配線に腐食部１２が形成されることになる。また、欠
陥部がなくても高温・高湿の雰囲気中では金属配線は透
明導電膜を透過する湿気のためにやはり腐食される。腐
食が進行すると最後には配線が断線することになる。
であるためそれ自身は化学的に安定である。しかし、防
湿機能はあまりよくない上に透明性を確保する都合上厚
膜に形成することができないため、金属配線に対する保
護機能はそれほど高くない。例えば、図８（ｂ）に示す
ように、透明導電膜にピンホールのような欠陥部１１が
存在していた場合、これにより金属配線が外気にさらさ
れ配線に腐食部１２が形成されることになる。また、欠
陥部がなくても高温・高湿の雰囲気中では金属配線は透
明導電膜を透過する湿気のためにやはり腐食される。腐
食が進行すると最後には配線が断線することになる。
【０００６】この点に対処する手段として、図８（ｃ）
に示すように、この端子部の露出部分をシリコーン樹脂
１３によって被覆し、これにより外部要因から遮断する
ことが行われてきた。また、特開平４−３２８２１号公
報には、端子部全体を異方性導電フィルムに相当するヒ
ートシールコネクタによって完全に覆ってしまうことが
提案されている。
に示すように、この端子部の露出部分をシリコーン樹脂
１３によって被覆し、これにより外部要因から遮断する
ことが行われてきた。また、特開平４−３２８２１号公
報には、端子部全体を異方性導電フィルムに相当するヒ
ートシールコネクタによって完全に覆ってしまうことが
提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した図８（ｃ）に
示した従来例では、シリコーン樹脂を塗布する工程が必
要となるため、コストアップの原因となっていた。ま
た、特開平４−３２８２１号公報にて提案された方法
は、テープキャリアパッケージ接続後の端子部を使用し
てのチェックが不可能になるという不都合がある。した
がって、本発明の解決すべき課題は、工数を増加させる
ことなくまた工程中におけるチェック機能を阻害するこ
となく、金属配線の腐食を防止しうるようにすることで
ある。
示した従来例では、シリコーン樹脂を塗布する工程が必
要となるため、コストアップの原因となっていた。ま
た、特開平４−３２８２１号公報にて提案された方法
は、テープキャリアパッケージ接続後の端子部を使用し
てのチェックが不可能になるという不都合がある。した
がって、本発明の解決すべき課題は、工数を増加させる
ことなくまた工程中におけるチェック機能を阻害するこ
となく、金属配線の腐食を防止しうるようにすることで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、下層金属配線、上層金属配線およ
び透明導電膜を有し、基板中央部にスイッチング素子が
マトリクス状に配置された表示部が設けられ、基板周辺
部に上層金属配線または下層金属配線が透明導電膜によ
って被覆された端子構造を持つ端子部が設けられている
アクティブマトリクス基板において、前記端子部におけ
る前記透明導電膜によって被覆された配線は、無機保護
被膜または該端子部に接続される接続部材によって保護
されない部分が除去されていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス基板、が提供される。
め、本発明によれば、下層金属配線、上層金属配線およ
び透明導電膜を有し、基板中央部にスイッチング素子が
マトリクス状に配置された表示部が設けられ、基板周辺
部に上層金属配線または下層金属配線が透明導電膜によ
って被覆された端子構造を持つ端子部が設けられている
アクティブマトリクス基板において、前記端子部におけ
る前記透明導電膜によって被覆された配線は、無機保護
被膜または該端子部に接続される接続部材によって保護
されない部分が除去されていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス基板、が提供される。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、端子部における透明導電膜
下の金属配線は、透明導電膜の外に無機保護膜または接
続部材（異方性導電フィルムやヒートシールコネクタ）
によって保護される。そのため、仮に透明導電膜に欠陥
があってもあるいは高温・高湿雰囲気下で使用されるこ
とがあっても金属配線が外気の影響を受けることはなく
なり腐食は防止される。
下の金属配線は、透明導電膜の外に無機保護膜または接
続部材（異方性導電フィルムやヒートシールコネクタ）
によって保護される。そのため、仮に透明導電膜に欠陥
があってもあるいは高温・高湿雰囲気下で使用されるこ
とがあっても金属配線が外気の影響を受けることはなく
なり腐食は防止される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は、本発明の第１の実施例
における端子部の平面図であり、図１（ｂ）は、そのＡ
−Ａ線の断面図である。また、図２は、本実施例におけ
る画素部分（薄膜トランジスタ部分）での断面図である
（この部分の構成は従来例の場合と変わらない）。本実
施例の構成は、その製造方法の説明によって明らかにな
るので、以下に図１および図２を参照して本実施例のア
クティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は、本発明の第１の実施例
における端子部の平面図であり、図１（ｂ）は、そのＡ
−Ａ線の断面図である。また、図２は、本実施例におけ
る画素部分（薄膜トランジスタ部分）での断面図である
（この部分の構成は従来例の場合と変わらない）。本実
施例の構成は、その製造方法の説明によって明らかにな
るので、以下に図１および図２を参照して本実施例のア
クティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
【００１１】ガラス基板１上にスパッタ法によりＣｒを
２０００Åの膜厚に堆積し、これをパターニングして下
層金属配線２を形成する。この金属配線２は、薄膜トラ
ンジスタ部ではゲート電極２ａとなる。また、この下層
金属配線２は、後に形成される上層金属配線の端子部へ
の引き出し線としても用いられるので、このパターニン
グ時にこの部分の配線も同時に形成される。
２０００Åの膜厚に堆積し、これをパターニングして下
層金属配線２を形成する。この金属配線２は、薄膜トラ
ンジスタ部ではゲート電極２ａとなる。また、この下層
金属配線２は、後に形成される上層金属配線の端子部へ
の引き出し線としても用いられるので、このパターニン
グ時にこの部分の配線も同時に形成される。
【００１２】次に、プラズマＣＶＤ法により、層間絶縁
膜３となる、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との複合
膜を合計膜厚５０００Åに堆積し、引き続き同一ＣＶＤ
装置内においてアモルファスシリコンを堆積して、ノン
ドープアモルファスＳｉ膜４とｎ+ 型アモルファスＳｉ
膜５とをそれぞれ２０００Å、２００Åの膜厚に成長さ
せる。次に、アモルファスＳｉ膜４、５を薄膜トランジ
スタ形成部に島状に残るようにパターニングする。この
島状に残されたアモルファスＳｉ膜下の層間絶縁膜３は
ゲート絶縁膜として機能する。続いて、層間絶縁膜３を
パターニングして、下層金属配線２と上層金属配線との
接続個所にコンタクトホール６を形成する。
膜３となる、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との複合
膜を合計膜厚５０００Åに堆積し、引き続き同一ＣＶＤ
装置内においてアモルファスシリコンを堆積して、ノン
ドープアモルファスＳｉ膜４とｎ+ 型アモルファスＳｉ
膜５とをそれぞれ２０００Å、２００Åの膜厚に成長さ
せる。次に、アモルファスＳｉ膜４、５を薄膜トランジ
スタ形成部に島状に残るようにパターニングする。この
島状に残されたアモルファスＳｉ膜下の層間絶縁膜３は
ゲート絶縁膜として機能する。続いて、層間絶縁膜３を
パターニングして、下層金属配線２と上層金属配線との
接続個所にコンタクトホール６を形成する。
【００１３】次に、Ｃｒをスパッタ法により２０００Å
の膜厚に堆積し、これをパターニングしてコンタクトホ
ール６において下層金属配線２と接続される上層金属配
線７を形成する。この上層金属配線７は、端子部におい
て下層金属配線を覆うように島状に形成されるが、その
一部は本発明に従って除去されている。この上層金属配
線７は、薄膜トランジスタ部においてドレイン電極７ｂ
およびソース電極７ｃとなり、また、トランジスタ部以
外の表示部においてデータ信号配線７ａとなる。
の膜厚に堆積し、これをパターニングしてコンタクトホ
ール６において下層金属配線２と接続される上層金属配
線７を形成する。この上層金属配線７は、端子部におい
て下層金属配線を覆うように島状に形成されるが、その
一部は本発明に従って除去されている。この上層金属配
線７は、薄膜トランジスタ部においてドレイン電極７ｂ
およびソース電極７ｃとなり、また、トランジスタ部以
外の表示部においてデータ信号配線７ａとなる。
【００１４】次に、透明導電膜８としてスパッタ法によ
りＩＴＯを４００Åの膜厚に成膜し、これを端子部では
上層金属配線７上を覆うように、また、表示部ではソー
ス電極に接続された画素電極８ａとなるようにパターニ
ングする。最後に、プラズマＣＶＤ法により膜厚約２０
００Åのシリコン窒化膜を堆積して保護絶縁膜９を形成
し、フォトリソグラフィ法を適用して端子部および画素
電極８ａ上に開口を形成して、本実施例のアクティブマ
トリクス基板１００の製作が完了する。
りＩＴＯを４００Åの膜厚に成膜し、これを端子部では
上層金属配線７上を覆うように、また、表示部ではソー
ス電極に接続された画素電極８ａとなるようにパターニ
ングする。最後に、プラズマＣＶＤ法により膜厚約２０
００Åのシリコン窒化膜を堆積して保護絶縁膜９を形成
し、フォトリソグラフィ法を適用して端子部および画素
電極８ａ上に開口を形成して、本実施例のアクティブマ
トリクス基板１００の製作が完了する。
【００１５】次に、図３を参照してその後の液晶表示装
置の組み立て工程について説明する。上記のように作製
されたアクティブマトリクス基板１００は、カラーフィ
ルタ基板２００と狭い間隙を隔てて接着される。その間
隙内には液晶が注入され封止されて液晶パネルが完成す
る。次に、この液晶パネルにテープキャリアパッケージ
３００が異方性導電フィルム１０を用いて接続される。
置の組み立て工程について説明する。上記のように作製
されたアクティブマトリクス基板１００は、カラーフィ
ルタ基板２００と狭い間隙を隔てて接着される。その間
隙内には液晶が注入され封止されて液晶パネルが完成す
る。次に、この液晶パネルにテープキャリアパッケージ
３００が異方性導電フィルム１０を用いて接続される。
【００１６】テープキャリアパッケージ３００は、可撓
性フィルム３１ａ上に銅箔配線３１ｂを形成してなる可
撓性配線基板３１に駆動用ＬＳＩ３２を搭載し、ＬＳＩ
をポッティング樹脂３３により被覆したものである。こ
のテープキャリアパッケージ３００をアクティブマトリ
クス基板１００に接続するには、まず異方性導電フィル
ム１０をアクティブマトリクス基板１００上の端子部上
に接着（仮接着）する。この異方性導電フィルム１０
は、熱硬化性樹脂内に導電性粒子を分散せしめたもので
ある。この仮接着された異方性導電フィルム１０上にテ
ープキャリアパッケージ３００の可撓性配線基板３１を
配置し、加熱・加圧して銅箔配線３１ｂを液晶パネルの
端子部に接続する。このとき異方性導電フィルム１０の
樹脂は流動化して端子部の表面を密着して被覆するよう
になる。テープキャリアパッケージ３００の他方の接続
部はリジッドな配線基板（図示なし）に接続される。
性フィルム３１ａ上に銅箔配線３１ｂを形成してなる可
撓性配線基板３１に駆動用ＬＳＩ３２を搭載し、ＬＳＩ
をポッティング樹脂３３により被覆したものである。こ
のテープキャリアパッケージ３００をアクティブマトリ
クス基板１００に接続するには、まず異方性導電フィル
ム１０をアクティブマトリクス基板１００上の端子部上
に接着（仮接着）する。この異方性導電フィルム１０
は、熱硬化性樹脂内に導電性粒子を分散せしめたもので
ある。この仮接着された異方性導電フィルム１０上にテ
ープキャリアパッケージ３００の可撓性配線基板３１を
配置し、加熱・加圧して銅箔配線３１ｂを液晶パネルの
端子部に接続する。このとき異方性導電フィルム１０の
樹脂は流動化して端子部の表面を密着して被覆するよう
になる。テープキャリアパッケージ３００の他方の接続
部はリジッドな配線基板（図示なし）に接続される。
【００１７】この実施例のアクティブマトリクス基板１
００上の端子部へテープキャリアパッケージを接続した
状態の断面図を図４に示す。同図に示されるように、端
子部の、保護絶縁膜９または異方性導電フィルム１０に
よって被覆されない部分の上層金属配線７は除去されて
いる。換言すれば、端子部において、上層金属配線７
は、透明導電膜８と保護絶縁膜９との２層膜によって、
または透明導電膜８と異方性導電フィルム１０との２層
膜によって保護されることになる。したがって、透明導
電膜８に欠陥があってもあるいは高湿雰囲気中で使用さ
れることがあっても上層金属配線７が外気に触れること
はなくなり、腐食から保護されることになる。
００上の端子部へテープキャリアパッケージを接続した
状態の断面図を図４に示す。同図に示されるように、端
子部の、保護絶縁膜９または異方性導電フィルム１０に
よって被覆されない部分の上層金属配線７は除去されて
いる。換言すれば、端子部において、上層金属配線７
は、透明導電膜８と保護絶縁膜９との２層膜によって、
または透明導電膜８と異方性導電フィルム１０との２層
膜によって保護されることになる。したがって、透明導
電膜８に欠陥があってもあるいは高湿雰囲気中で使用さ
れることがあっても上層金属配線７が外気に触れること
はなくなり、腐食から保護されることになる。
【００１８】［第２の実施例］図５（ａ）は、本発明の
第２の実施例の端子部の状態を示す平面図であり、図５
（ｂ）は、その端子部にテープキャリアパッケージを接
続したときの状態を示す、図５（ａ）のＢ−Ｂ線での断
面図である。同図において、図１に示した第１の実施例
の部分と同等の部分には同一の参照番号が付せられてい
るので重複する説明は省略するが、本実施例において
は、上層金属配線７は、異方性導電フィルム１０が圧接
される部分にのみ存在し、端子が表出する部分は透明導
電膜８のみとなっている。この第２の実施例によれば、
端子部の表示部寄りの金属配線は保護絶縁膜９、透明導
電膜８および層間絶縁膜３によって保護されることにな
るので、先の実施例の場合よりも耐蝕性が向上してい
る。
第２の実施例の端子部の状態を示す平面図であり、図５
（ｂ）は、その端子部にテープキャリアパッケージを接
続したときの状態を示す、図５（ａ）のＢ−Ｂ線での断
面図である。同図において、図１に示した第１の実施例
の部分と同等の部分には同一の参照番号が付せられてい
るので重複する説明は省略するが、本実施例において
は、上層金属配線７は、異方性導電フィルム１０が圧接
される部分にのみ存在し、端子が表出する部分は透明導
電膜８のみとなっている。この第２の実施例によれば、
端子部の表示部寄りの金属配線は保護絶縁膜９、透明導
電膜８および層間絶縁膜３によって保護されることにな
るので、先の実施例の場合よりも耐蝕性が向上してい
る。
【００１９】［第３の実施例］図６（ａ）は、本発明の
第３の実施例の端子部の状態を示す平面図であり、図６
（ｂ）はそのＣ−Ｃ線の断面図である。同図において
も、図１に示した第１の実施例の部分と同等の部分には
同一の参照番号が付せられている。先の第１、第２の実
施例においては、上層金属配線７の上層に透明導電膜を
形成する場合の例であったが、アクティブマトリクス基
板を作製するに際して、透明導電膜の上層に上層金属配
線を形成するプロセスが採用される場合がある。この場
合には、端子部は下層金属配線２と透明導電膜８の２層
膜によって構成される。この第３の実施例は、この場合
に対処したものであって端子部の異方性導電フィルム１
０の圧着後に表出される端子部分は透明導電膜のみとな
っている。
第３の実施例の端子部の状態を示す平面図であり、図６
（ｂ）はそのＣ−Ｃ線の断面図である。同図において
も、図１に示した第１の実施例の部分と同等の部分には
同一の参照番号が付せられている。先の第１、第２の実
施例においては、上層金属配線７の上層に透明導電膜を
形成する場合の例であったが、アクティブマトリクス基
板を作製するに際して、透明導電膜の上層に上層金属配
線を形成するプロセスが採用される場合がある。この場
合には、端子部は下層金属配線２と透明導電膜８の２層
膜によって構成される。この第３の実施例は、この場合
に対処したものであって端子部の異方性導電フィルム１
０の圧着後に表出される端子部分は透明導電膜のみとな
っている。
【００２０】［実施例の変更］以上好ましい実施例につ
いて説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるさ
れるものではなく、本願発明の要旨を逸脱しない範囲内
において各種の変更が可能である。例えば、実施例で
は、下層金属配線と上層金属配線をＣｒにより構成して
いたが、これに代えＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の単層また
は複合層を用いてもよい。また、下層金属配線と上層金
属配線との材料は必ずしも一致させなくてもよい。さら
に層間絶縁膜や保護絶縁膜についても実施例以外の材料
により構成することができる。また、端子部において用
いられる接続部材は異方性導電フィルムに限定されるも
のではない。
いて説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるさ
れるものではなく、本願発明の要旨を逸脱しない範囲内
において各種の変更が可能である。例えば、実施例で
は、下層金属配線と上層金属配線をＣｒにより構成して
いたが、これに代えＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の単層また
は複合層を用いてもよい。また、下層金属配線と上層金
属配線との材料は必ずしも一致させなくてもよい。さら
に層間絶縁膜や保護絶縁膜についても実施例以外の材料
により構成することができる。また、端子部において用
いられる接続部材は異方性導電フィルムに限定されるも
のではない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるアク
ティブマトリクス基板は、端子部の金属配線のうち保護
絶縁膜または接続部材によって覆われない部分が除去さ
れているので、端子部において金属配線は２種類の保護
膜で覆われることになり金属配線を腐食から保護するこ
とができる。よって、本発明によれば、工程の追加を伴
うことなく信頼性の向上を図ることができる。そして、
本発明によれば、駆動回路（テープキャリアパッケー
ジ）接続後の端子部でのチェック可能でありまた駆動回
路圧接工程後のでシリコーン樹脂塗布工程を省略するこ
とができるので、液晶表示装置の生産性をたかめコスト
ダウンを図ることができる。
ティブマトリクス基板は、端子部の金属配線のうち保護
絶縁膜または接続部材によって覆われない部分が除去さ
れているので、端子部において金属配線は２種類の保護
膜で覆われることになり金属配線を腐食から保護するこ
とができる。よって、本発明によれば、工程の追加を伴
うことなく信頼性の向上を図ることができる。そして、
本発明によれば、駆動回路（テープキャリアパッケー
ジ）接続後の端子部でのチェック可能でありまた駆動回
路圧接工程後のでシリコーン樹脂塗布工程を省略するこ
とができるので、液晶表示装置の生産性をたかめコスト
ダウンを図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の端子部の平面図と断面
図。
図。
【図２】本発明の第１の実施例の表示部の断面図。
【図３】液晶表示装置の組み立て工程を説明するための
断面図。
断面図。
【図４】本発明の第１の実施例への可撓性配線基板の接
続状態を示す断面図。
続状態を示す断面図。
【図５】本発明の第２の実施例の平面図と第２の実施例
への可撓性配線基板の接続状態を示す断面図。
への可撓性配線基板の接続状態を示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施例の平面図と断面図。
【図７】従来例の平面図と断面図。
【図８】従来例の問題点を説明するための断面図。
１ ガラス基板 ２ 下層金属配線 ２ａ ゲート電極 ３ 層間絶縁膜 ４ ノンドープアモルファスＳｉ膜 ５ ｎ+ 型アモルファスＳｉ膜 ６ コンタクトホール ７ 上層金属配線 ７ａ データ信号配線 ７ｂ ドレイン電極 ７ｃ ソース電極 ８ 透明導電膜 ８ａ 画素電極 ９ 保護絶縁膜 １０ 異方性導電フィルム １１ 欠陥部 １２ 腐食部 １３ シリコーン樹脂 ３１ 可撓性配線基板 ３１ａ 可撓性フィルム ３１ｂ 銅箔配線 ３２ 駆動用ＬＳＩ ３３ ポッティング樹脂 １００ アクティブマトリクス基板 ２００ カラーフィルタ基板 ３００ テープキャリアパッケージ
Claims (3)
- 【請求項１】 下層配線、上層配線および透明導電膜を
有し、基板中央部にスイッチング素子がマトリクス状に
配置された表示部が設けられ、基板周辺部に上層金属配
線または下層金属配線が透明導電膜によって被覆された
端子構造を持つ端子部が設けられているアクティブマト
リクス基板において、 前記端子部における前記透明導電膜によって被覆された
金属配線は、無機保護被膜または該端子部に接続される
接続部材によって保護されない部分が除去されているこ
とを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 【請求項２】 前記表示部における信号配線が下層金属
配線によって前記端子部へ引き出され、前記透明導電膜
によって被覆された上層金属配線が前記下層金属配線上
に形成された層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール
を介して前記下層金属配線に接続されていることを特徴
とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項３】 前記下層金属配線または前記上層金属配
線は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗを主体とする金属材
料の単層または複数の材料層によって構成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基
板。
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| TW084106507A TW397924B (en) | 1994-06-23 | 1995-06-23 | A liquid crystal display apparatus having terminal protected from breaking down |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH086059A JPH086059A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2555987B2 true JP2555987B2 (ja) | 1996-11-20 |
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ID=15771952
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6163337A Expired - Lifetime JP2555987B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | アクティブマトリクス基板 |
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- 1995-06-23 KR KR1019950017017A patent/KR100210625B1/ko not_active IP Right Cessation
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