JPH02259728A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置の構造に関し、とくに液晶表示装
置の基板上に実装した半導体集積回路へ電源および制御
信号を供給するための共通電極の構造に関する。

〔従来の技術〕

液晶表示装置を構成するガラス基板の周辺部を拡張し、
この拡張した領域に複数の半導体集積回路を搭載した従
来例として、例えば特開昭６２−４４７８７号公報に記
載のものがある。この公報に記載された液晶表示装置の
構造を第２図に示す。

透明導電膜上に直接ニッケル、銅などを被覆した共通電
極１６と、出力電極６４とを基板１２上に設ける。半導
体集積回路１４は、第１の導線３０と第２の導線３２と
を形成した絶縁性の可撓性フィルム基板２８上に固定す
る。この第１の導線３０および第２の導線３２と、半導
体集積回路１４とは、ボンディングワイヤ６６により接
続する。可撓性フィルム基板２８と基板１２との接続は
、ハンダ接続により、共通電極１６および出力電極６４
と、第１の導線６０および第２の導線６２とを接続する
ことによって、半導体集積回路１４を実装した可撓性フ
ィルム基板２８を基板１２上に固定する。

共通電極１６によって第１の導線３０を介して半導体集
積回路１４に電源および制御信号が入力され、この半導
体集積回路１４は画像を表示するための出力信号を第２
の導線３２を介して出力電極６４に出力する。

〔発明が解決しようとする課題〕

第２図を用いて説明した従来技術においては、共通電極
１６と半導体集積回路１４との接続が、二層配線やジャ
ンパー線を用いることなく行なうことができる利点があ
る。しかしながら可撓性フィルム基板２８上に半導体集
積回路１４を接続し、この可撓性フィルム基板２８を基
板１２に実装しているため、液晶表示装置の小型化に対
する対応は充分でない。そのうえボンディングワイヤ３
６により半導体集積回路１４と可撓性フィルム基板２８
とを接続し、さらにハンダにより可撓性フィルム基板２
８と基板１２とを接続している。このため実装コストが
高くなるという問題点がある。

本発明の目的は、液晶表示装置の小型化に対応可能で、
さらに実装コストが低い液晶表示装置の構造を提供する
ことＫある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため本発明の共通電極は、透明導電
膜と、この透明導電膜上に設けかつ接続穴を備える層間
絶縁膜を介して設ける上層金属との積層構造により構成
する。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を第１図を用いて説明する。

第１図（ａ）は本発明における液晶表示装置の構成を示
す平面図、第１図Ｔｂ）は第１図（ａ）におけるＡ−Ａ
断面を示す断面図である。なお第１図は複数の半導体集
積回路を基板に実装する液晶表示装置のうち、１つの半
導体集積回路実装領域を示す。

共通電極１６は、透明導電膜１８と、層間絶縁膜２０の
接続穴２２を介して設ける上層配線２４とから構成する
。絶縁性を有する層間絶縁膜２０を介瞥て積層した透明
導電膜１８と上層配線２４とが上下で重なった領域は、
透明導電膜１８と上層配線２４とは、同一平面パターン
で構成する。

この共通電極１６から半導体集積回路１４へ、の電源お
よび制御信号の供給は、上層配線２４により行なう。こ
の上層配線２４と隣接する共通電極１６下層の透明導電
膜１８との交差領域は、絶縁性を有する層間絶縁膜２０
が両者の間に形成されているため、透明導電膜１８と上
層配線２４との短絡は発生しない。

半導体集積回路１４に形成した突起電極２６と、共通電
極１６および出力電極６４との接続領域は、透明導電膜
１８１層で構成する。

電源および制御信号は共通電極１６から上層の上層配線
２４を介して半導体集積回路１４に入力し、この半導体
集積回路１４は画像を表示するための信号を出力電極３
４に出力する。

次に以上の構造を形成するための製造方法を、第１図を
用いて説明する。

まず基板１２上の全面に透明導電膜１８として、酸化イ
ンジウＡ　（Ｉｎ２Ｏ５）と酸化スズ（Ｓｎ０２）との
固溶体いわゆるＩＴＯを、真空蒸着法あるいはスパッタ
リング法により膜厚２００ｎｍ程度形成する。その後フ
ォトエツチングにより透明導電膜１８をエツチングし、
透明導電膜１８からなる、一部は第１図（ａ）の破線で
示す、共通電極１６下層膜を形成する。この透明導電膜
１８の形成工程は、液晶表示装置の画素電極形成と同時
に行なう。透明導電膜１８としては上記のＩＴＯ以外に
も、酸化スズに酸化アンチモンを添加したもの、あるい
は酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加したものなど可視
域で透過率が高く、導電性の良い材料であれば適用でき
る。

次に層間絶縁膜２０として、全面にプラズマ化学気相成
長法により窒化シリコン膜（ＳｉｘＮｙ）を膜厚４００
ｎｍ程度形成する。その後フォトエツチングにより、こ
の層間絶縁膜２０をエツチングして接続穴２２を形成す
る。層間絶縁膜２０としては、窒化シリコン膜以外にも
酸化シリコン膜などの無機絶縁膜、あるいはポリイミド
樹脂などの有機絶縁膜が適用できる。この層間絶縁膜２
０は、液晶を時分割駆動するパッシブマトリクス方式で
は液晶配向を行なうための配向膜で兼用することが可能
で、さらに薄膜トランジスタや非線形素子を各画素に配
置しこれらの能動素子で液晶を駆動するアクティブマト
リクス方式では半導体膜と配線との間に設ける層間膜で
兼用することができる。

次に上層金属２４として、アルミニウムを全面に５００
ｎｍ程度の厚さで真空蒸着法あるいはスパッタリング法
にて形成し、フォトエツチングを行ない共通電極１６の
上層膜としての上層金属２４を形成する。上層金属２４
としては、アルミニウムなどの金属膜以外にも、モリブ
デンなどの高融点金属、もしくはこれらの硅化物で構成
しても良い。この上層金属２４は、アクティブマトリク
ス方式では配線で兼用することができる。

基板１２と半導体集積回路１４との接続は、導電性接着
剤を用いる方法、あるいは突起電極２６を軟質金属で構
成し熱硬化型または紫外線硬化型でかつ硬化後収縮応力
が発生する絶縁性接着剤を用いる方法で行なうことがで
きる。

本発明における共通電極１６は、層間絶縁膜２０を介し
て透明導電膜１８と上層金属２４との２層構造になって
いる。したがって第２図に示す従来例のように可撓性フ
ィルム基板を用いることなく、共通電極１６と半導体集
積回路１４との接続を行なうことが可能となり、液晶表
示装置の小型化および実装コストを低くすることができ
る。

さらに共通電極１６は、層間絶縁膜２０に一定間隔で形
成した複数の接続穴２２を介して透明導電膜１８と上層
金属２４との２層構造になっている。したがって従来例
の透明導電膜上に直接ニッケル、銅などを被覆した構造
と比較して、本発明における共通電極１６は断線が発生
しにくい構造となっている。

なお以上の説明においては、基板１２と半導体集積回路
１４との接続に導電性接着剤あるいは絶縁性接着剤を用
いる例で説明したが、上層金属２４をニッケルや銅など
のハンダ付可能な金属で構成（、突起電極２６をハンダ
で構成し、ハンダを溶融して基板１２と半導体集積回路
１４とを接続しても良い。あるいは上層金属２４をアル
ミニウムや金などのワイヤーポンディング可能な金属で
構成し、基板１２と半導体集積回路１４とをボンディン
グワイヤにより接続しても良い。

さらに透明導電膜１８と上層金属２４とが上下で重なっ
ている領域は、同一平面パターンで構成した例で説明し
たが、この透明導電膜１８と上層金属２４とは、同一平
面パターンで構成しなくても良い。例えば上層金属２４
のパターン幅を透明導電膜１８パタ一ン幅より大きくす
れば、共通電極１６の配線抵抗を低くすることができる
。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明の液晶表示装置の
構成により、液晶表示装置の小型化と実装コストを低く
することとが達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｔ、（ｂ）は本発明における液晶表示装置の
構造を示し、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）　Ａ　−Ａ断面を示す断面図、第２図は従来
例における液晶表示装置の構造を示す斜視図である。 １４・・・・・・半導体集積回路、１６・・・・・・共
通電極、１８・・・・・・透明導電膜、２０・・・・・
・層間絶縁膜、２２・・・・・・接続穴、２４・・・・
・・上層配線。 第１図 １６、共ｉｔ極 ２２、将梵穴 １ム ノ １８、透［１ノー尊１腺

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 複数の画素電極を備えた基板と、該基板上に実装する複
   数の半導体集積回路と、前記基板上に形成し該半導体集
   積回路へ電源および制御信号を供給するための共通電極
   とを備える液晶表示装置において、 該共通電極は、前記基板上に設ける透明導電膜と、該透
   明導電膜上に設けかつ接続穴を備える層間絶縁膜を介し
   て設ける上層金属とからなることを特徴とする液晶表示
   装置。