JP2549372B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に
導電性基体と感光層との間に特定の化合物を主成分とす
る共晶錯体層を設けたことを特徴とする電子写真用感光
体に関するものである。

従来技術 電子写真複写機に使用される感光体は、最近安価、生
産性、無公害性を利点とする有機系の感光材料を用いた
ものが使用され始めている。

有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾー
ル（PVK）に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF（2,4,7
トリニトロフルオレノン）に代表される電荷移動錯体
型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散
型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合せて用いる機
能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型
の感光体が注目されている。

この様な機能分離型感光体を、カールソンプロセスに
適用した場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い（暗減
衰が大きい）上、繰返し使用による、これら特性の劣化
が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、または反転現
像の場合地汚れを生ずるという欠点を有している。

一般に高感度感光体は、前露光疲労によって帯電性が
低下する。この前露光疲労は主に電荷発生材料が吸収す
る光によって起こることから、光吸収によって発生した
電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間が
長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労による
帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸収
によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作を
しても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中和
される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇し
ない。従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅れ
ることになり、見かけ上の帯電々位は低くなる。

上述の欠点に対して例えば、特開昭47−6341、48−35
44および48−12034号には硝酸セルロース系樹脂中間層
が、特開昭48−47344、52−25638、58−30757、58−639
45、58−95351、58−98739および60−66258号にはナイ
ロン系樹脂中間層が、特開昭48−26141には酢酸ビニル
系樹脂中間層が、特開昭59−69332および52−10138号に
はマレイン酸系樹脂中間層が、そして特開昭58−105155
号にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示
されている。

また中間層の電気抵抗を制御するべく種々の導電性添
加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている。例
えば、特開昭51−65942号にはカーボンまたはカルコゲ
ン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特開昭52−
82238号には四級アンモニウム塩を添加してイソシアネ
ート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が、特開昭55−11
80451号には抵抗調節剤を添加した樹脂中間層が、特開
昭58−58556にはアルミニウムまたはスズの酸化物を分
散した樹脂中間層が、特開昭58−93062号には有機金属
化合物を添加した樹脂中間層が、特開昭58−93063、60
−97363および60−111255号には導電性粒子を分散した
樹脂中間層が、さらに特開昭59−84257、59−93453およ
び60−32054号にはTiO₂とSnO₂粉体とを分散した樹脂中
間層が開示されている。

さらにまた電気抵抗のかわりに電荷の移動性を制御し
ようという考え方から、マイナス電荷移動性の物質とし
ての電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提
案されている。例えば、特開昭53−89433号には多環芳
香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電体中間層
が、また特開昭54−4134、59−160147および59−170846
号には電子受容性有機物を含有する樹脂中間層が開示さ
れている。

しかしながら、繰返し使用による帯電性の低下、とり
わけ帯電電位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、よりいっそうの改善が望まれていた。

目的 本発明を目的は感光体の帯電性を改良することにあ
り、詳しくは、繰返し使用後の帯電電位の立上りの遅れ
のない感光体を提供することである。

構成 本発明者らは、導電性基体上に感光層を設けて成る電
子写真感光体において、導電性基体と感光層の間に、ピ
リリウム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式
（Ｉ）で示される化合物を主成分とする共晶錯体層を設
けることによって、繰返し使用後の帯電電位の立上りの
遅れのない電子写真感光体が得られることを見い出し本
発明に至った。

（式中、R¹,R²,R³およびR⁴は水素原子、置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を
表わし、Ar¹は置換又は無置換のアリール基を、Ar²は置
換又は無置換のアリーレン基を表わし、Ar¹とR¹は共同
で環を形成してもよく、ｎは０又は１の整数である） 以下、添付図面に従って本発明を具体的に説明する。

第１図ａおよびｂは本発明の電子写真感光体の構成例
を示す断面図であり、導電性基体11上に共晶錯体層13を
設け、更にその上に、感光層15を設けたものである。感
光層15は単層の場合と、電荷発生層21および電荷輸送層
22より成る積層のものとがある。

第２図は、本発明の別の構成例であり導電性基体と共
晶錯体層との間に下引層12を設けたものである。

第３図ａおよびｂは本発明の別の構成例であり共晶錯
体層と感光層との間には目止め層14を設けたものであ
る。

導電性基体11としては、体積抵抗10¹⁰Ωcm以下の導電
性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロ
ム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着又はスパッ
タリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチ
ック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、ア
ルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板およびそ
れらをD.I.,I.I.,押出し、引抜き等の工法で素管化後、
切削、超仕上げ、研磨等で表面処理した管等を使用する
ことができる。

共晶錯体層13は、共晶錯体と、一般式（Ｉ）で示され
る導電性物質の主成分として形成されている。ここでの
共晶錯体はピリリウム系染料と、電気絶縁性重合体とか
らつくられるものである。

ピリリウム系染料には、ピリリウム塩、チアピリリウ
ム塩及びセレナピリリウム塩の３種があり、下記一般式
を有している。

上式においてR^a,R^b,R^c,R^d及びR^eは夫々、 （ａ）水素原子 （ｂ）アルキル基、代表的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソ
アミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシルなどの
C₁〜C₁₅のアルキル基 （ｃ）メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ア
ミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシなどのアルコキシ基 （ｄ）フエニル、４−ジフェニル、４−エチルフェニ
ル、４−プロピルフェニルなどのアルキルフェニル類;4
−エトキシフェニル、４−メトキシフェニル、４−アミ
ロキシフェニル、２−ヘキソキシフェニル、２−メトキ
シフェニル、3,4−ジメトキシフェニルなどのアルコキ
シフェニル類;2−ヒドロキシエトキシフェニル、３−ヒ
ドロキシエトキシフェニルなどのβ−ヒドロキシアルコ
キシフェニル類;4−ヒドロキシフェニル、2,4−ジクロ
ロフェニル、3,4−ジブロモフェニル、４−クロロフェ
ニル、3,4−ジクロロフェニルなどのハロフェニル類；
アジドフェニル、ニトロフェニル、４−ジエチルアミノ
フェニル、４−ジメチルアミノフェニルなどのアミノフ
ェニル類；ナフチル、スチリル、メトキシスチリル、ジ
エトキシスチリル、ジメチルアミノスチリル、１−ブチ
ル−４−ｐ−ジメチルアミノフェニル−1,3−ブタジェ
ニル、β−エチル−４−ジメチルアミノスチリル等のビ
ニル置換アリール基のような置換アリール基を含めたア
リール基 を表わし、Ｘは硫黄、酸素又はセレン原子であり、また
Z^-はパークロレート、フルオロボレート、沃化物、塩化
物、臭化物、硫酸塩、過沃化物、ｐ−トルエンスルホネ
ート、ヘキサフルオロホスフェートなどの陰イオン官能
基である。

更にR^a,R^b,R^c,R^d及びR^eは共同してピリリウム核に融
合したアリール環を完成するに必要な原子であってもよ
い。

このようなピリリウム系染料の代表例を下記に示す。

特に有用なピリリウム染料は下記一般式を有するもの
である。

式中R₁及びR₂はC₁〜C₆のアルキル基及びC₁〜C₆のアル
コキシ基から選ばれた少なくとも１つの置換基を有する
置換フェニル基のようなアリール基であり、R₃はアルキ
ル部分がC₁〜C₆のアルキルアミノ置換フェニル基で、ジ
アルキルアミノ置換及びハロアルキルアミノ置換フェニ
ル基でもよい。Ｘは酸素又は硫黄原子、Ｚは前述の通り
である。

電気絶縁性重合体としては主鎖（繰返し単位）中に下
記式で示されるアルキリデンジアリーレン部分を有する
ものが特に有用である。

式中R₄及びR₅は夫々、水素原子、トリフルオロメチル
のような置換アルキル基を含むメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルなどのア
ルキル基、ハロゲン、C₁〜C₅のアルキル基のような置換
基を有する置換アリール基を含むフェニル及びナフチル
などのアリール基であり、またR₄とR₅とは共同してシク
ロヘキシルのようなシクロアルカン類及びノルボルニル
のようなポリシクロアルカン類を含む環式炭化水素基を
形成するに必要な炭素原子であってもよい。R₅及びR₇は
水素、C₁〜C₆のアルキル基又はクロル、ブロル、沃素な
どのハロゲンであり、またR₈は 及び よりなる群から選択された２価の基である。

また下記式の繰返し単位からなる疎水性炭酸塩重合体
類（ポリカーボネート）も有用で好ましいものである。

式中、Ｒはハロ置換フェニレン基類及びアルキル置換
フェニレン基類を含むフェニレン基であり、またR₄及び
R₅は前述の通りである。これらの重合体はUSP3,028,365
号、同3,317,466号に開示されている。好ましくは、ビ
スフェノールＡから製造されるような、繰返し単位にア
ルキリデンジアリーレン部分を含有し、ジフェニルカー
ボネートと2,2−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンとの間のエステル交換によって生成した重合体を含
むポリカーボネート類が有用である。このような重合体
はUSP2,999,750号、同3,038,874号、同3,038,880号、同
3,106,544号、同3,106,545号、同3,106,456号等に開示
されている。いずれにしてもフィルム形成性ポリカーボ
ネート樹脂類は広範囲に使用できる。特に約0.5〜1.8の
固有粘度を有するものを使用すると、満足し得る結果が
得られる。

電気絶縁性重合体の具体例は下記の通りである。

また、一般式（Ｉ）で示される化合物の代表例を下記
に示す。

本発明の共晶錯体層13をつくるには、上記のピリリウ
ム系染料、電気絶縁性重合体、および一般式（Ｉ）で示
される化合物を、適当な溶媒例えば、テトラヒドロフラ
ントルエン、1,2−ジクロルエタン、塩化メチレン、ク
ロロホルム、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、
ベンゼンなどに溶解し、これを導電性基体11上に塗布
し、50〜130℃で乾燥して、膜厚0.05〜30μｍ好ましく
は0.2〜５μｍの共晶錯体層を形成すればよい。

塗布は、浸漬塗工法、ビードコート法、スプレーコー
ト法や、ワイヤーブレード、ドクターブレード、エアー
ナイフなどを用いて行なえる。

この塗布乾燥がなされる間に、ピリリウム系染料と電
気絶縁性重合体とで共晶錯体を形成する。

共晶錯体層13における各成分の割合は、ピリリウム系
染料１重量部に対して、電気絶縁性重合体５〜80重量
部、一般式（Ｉ）で示される化合物１〜50重量部が適当
である。電気絶縁性重合体と一般式（Ｉ）の化合物との
重合比は電気絶縁性重合体１重量部に対して一般式
（Ｉ）の化合物0.1〜10重量部が適当である。

また、この層13を形成する際に、シリコーンオイルな
どのレベリング剤を、塗工液に添加してもよい。その使
用量は、電気絶縁性重合体に対して０〜１重量％程度が
適当である。ここで使用されるシリコーンオイルの例と
しては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシ
リコーンオイル、メチルクロロフェニルシリコーンオイ
ル、クロロシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシ
リコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、高級
脂肪酸変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーンオ
イル等がある。

さらに共晶錯体層13を設けるに際して、結着剤が必要
により使用されてもよい。

ここでの結着剤材料としてはポリエチレン、ポリスチ
レン、ポリブタジエン、スチレン−ブメジエン共重合
体、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルの重
合体及び共重合体、ポリエステル、ポリアミド、エポキ
シ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アルキッド樹
脂、セルロース系樹脂やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
及びその誘導体（例えばカルバゾール骨格に塩素、臭素
などのハロゲン、メチル基、アミノ基などの置換基を有
するもの）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ピレン−ホルムアルデヒド系重合体及びその誘導体
（例えばピレン骨格に臭素などのハロゲン、ニトロ基な
どの置換基を有するもの）、ポリ−γ−カルバゾリルエ
チル−Ｌ−ダルタメート、スチロール樹脂、塩素化ポリ
エチレン、アセタール樹脂、メラミン樹脂などがあげら
れる。

本発明において第２図に示されるように導電性基体
と、共晶錯体層の間に下引層12を設けることにより、帯
電性、接着性を改良することができる。

下引層12にはSiO,Al₂O₃等の無機材料を蒸着、スパッ
タリング、陽極酸化などの方法で設けたものや、ポリア
ミド樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、水溶性ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リビニルアルコール樹脂などの樹脂層を用いることがで
きる。

また、上記樹脂下引層にZnO,TiO₂,ZnS等の顔料粒子を
分散したものも、下引層として用いることができる。

更に本発明の下引層12として、シランカップリング
剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を
使用することもできる。

下引層12の膜厚は０〜５μｍが適当である。

また、第３図a,bに示される様に共晶錯体層と感光層
との間に目止め層14を設けることもできる。即ち、共晶
錯体層の上に感光層を塗工するに際して感光層塗工液の
溶媒によっては、共晶錯体層を、溶解あるいは膨潤さ
せ、層形成上の障害となる場合がある。この場合、目止
め層を設けることにより、共晶錯体層を溶解、膨潤させ
ることなく、均一な感光層を設けることができる。

ただし、感光層塗工液の溶媒が、共晶錯体層を溶解、
膨潤させない場合、溶媒が速乾性である場合、あるいは
スプレー塗工などの塗布時に含まれる溶媒量が少ない時
などは、目止め層を必ずしも設ける必要はない。

目止め層14には、ポリアミド樹脂、アルコール可溶性
ナイロン樹脂、水溶性ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂など
の樹脂層を用いることができる。

次の感光層15について説明するが、先ず積層感光層に
ついて述べる。

電荷発生層21は、電荷発生物質を主材料とした層で、
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。

バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカ
ーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドなどが用いられる。

電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメント
ブルー25〔カラーインデックス（CI）21180〕、シーア
イピグメントレッド41（CI 21200）、シーアイアシッド
レッド52（CI 45100）、シーアイベーシックレッド３
（CI 45210）、さらに、ポリフィリン骨格を有するフタ
ロシアニン系顔料、カルゾール骨格を有するアゾ顔料
（特開昭53−95033号公報に記載）、ジスチリルベンゼ
ン骨格を有するアゾ顔料（特開昭53−133455号公報に記
載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開
昭53−132547号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭54−21728号公報に記載）、
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭54−12
742号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔
料（特開昭54−22834号公報に記載）、ビススチルベン
骨格を有するアゾ顔料（特開昭54−17733号公報に記
載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭54−2129号公報に記載）、ジスチリルカルバ
ゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭54−17734号公報
に記載）、さらに、シーアイピグメントブルー16（CI 7
4100）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラ
ウン５（CI 73410）、シーアイバットダイ（CI 73030）
等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイオレ
ット社製）、インダンスレンスカーレットＲ（バイエル
社製）等のペリレン系顔料などが挙げられる。

これら電荷発生物質の中でも特にアゾ顔料が好適であ
る。更にアゾ顔料の中でも下記一般式（II）に示される
トリスアゾ顔料、または一般式（III）で示されるジス
アゾ顔料が好ましい。

（式中、A¹は であり、ここでX₁,Ar¹,Ar²,R¹,R²は次の通りである。

X:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしくは
インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環などの
ヘテロ環、またはそれらの置換体、 Ar:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしく
はジベンゾフラン環などのヘテロ環またはそれらの置換
体、 Ar²:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環またはそ
れらの置換体、 R¹:水素、低級アルキル基またはフェニル基あるいはそ
の置換体、 R²:低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基また
はそのエステル） （式中、A²は であり、ここでX,Ar¹,Ar²,Ar³,R¹,R²,R³は次の通りであ
る。

X:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしくは
インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環などの
ヘテロ環、またはそれらの置換体、 Ar¹,Ar³:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、も
しくはジベンゾフラン環などのヘテロ環またはそれらの
置換体、 Ar²:ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環またはそ
れらの置換体、 R¹,R³:水素、低級アルキル基またはフェニル基あるいは
その置換体、 R²:低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基また
はそのエステル） これらトリスアゾ顔料およびジスアゾ顔料の具体例を
例示すれば次の第１表および第２表の通りである。

これらの電荷発生物質は単独で、あるいは２種以上併
用して用いられる。

バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対して
０〜100重量部用いるのが適当であり、好ましくは０〜5
0重量部である。

電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならばバインダー
樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、
ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散
液を適度に希釈して塗布することにより形成できる。塗
布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法な
どを用いて行なうことができる。

電荷発生層の膜厚は、0.01〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは、0.1〜２μｍである。

電荷輸送層22は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。

電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とが
ある。

正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ルおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグ
ルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒ
ド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミ
ン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アント
ラセン、1,1−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニ
ル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾ
リン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン
誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。

電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブ
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ンジメタン、2,4,7−トリニトロ−９−フルオレノン、
2,4,5,7−テトラニトロ−９−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサ
ントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−ｂ〕
チオフェン−４−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチ
オフェン−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が
挙げられる。

これらの電荷輸送物質は、単独又は、２種以上混合し
て用いられる。

バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエスチ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性また
は熱硬化性樹脂が挙げられる。

溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ト
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。

電荷輸送層22の厚さは、５〜50μｍ程度が適当であ
る。

次に感光層15が単層構成の場合について述べる。この
場合も多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能
分離型のものが挙げられる。

即ち、電荷発生物質および電荷輸送物質には先に示し
た化合物を用いることができる。

単層感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質およ
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必
要により、可塑剤やレベリング剤等を添加することもで
きる。

バインダー樹脂としては、先に電荷輸送層22で挙げた
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層21
で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。

単層感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質およびバ
インダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジク
ロルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて、分散
機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコー
ト、ビードコートなどで塗工して形成できる。

単層感光層の膜厚は、５〜50μｍ程度が適当である。

なお、本発明において感光層15の上にさらに絶縁層や
保護層を設けることも可能である。

次に実施例によって、本発明をさらに詳しく説明する
が、本発明は、以下の実施例に限定されるものではな
い。

実施例１ アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の共晶錯体層塗工液をドクター
ブレードで塗布し、乾燥膜厚１μｍの共晶錯体層を形成
した。

４−（４−ジメチルアミノフェニル）−2,6−ジフェニ
ルチアピリリウム パークロレート １重量部 ポリカーボネート （帝人化成（株）製パンライトｋ−1300） 10重量部 化合物No.37の（Ｉ）式の化合物 ９重量部 塩化メチレン 600重量部 この上に、下記組成の電荷発生層塗工液をスプレーコ
ート法で塗布し、乾燥膜厚0.2μｍの電荷発生層を形成
した。

顔料No.1−18のトリスアゾ顔料 ３重量部 ポリビニルブチラール （積水化学工業（株）製エスレックBL−１） １重量部 シクロヘキサノン 300重量部 次に、この電荷発生層上に下記組成の塗工液をスプレ
ーコート法で塗布し、乾燥膜厚18μｍの電荷輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質 90重量部 ポリカーボネート （帝人化成（株）製、パンライトｋ−1300） 100重量部 テトラヒドロフラン 800重量部 実施例２ 実施例１において、共晶錯体層塗工液に用いたNo.37
の（Ｉ）式の化合物の代りに、No.92の（Ｉ）式の化合
物を用いた他はすべて実施例１と同様にして、電子写真
感光体を作成した。

比較例１ 実施例１において、共晶錯体層を設けないほかは、す
べて実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例３ 実施例１に用いたのと同じ支持体上に下記組成の塗工
液をドクターブレードで塗布し、乾燥膜厚0.1μｍの下
引層を形成した。

水溶性ポリビニルブチラール25％水溶液 （積水化学工業（株）製エスレックW201） 50 重量部 水 150 重量部 メタノール 200 重量部 この上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で塗布
し、乾燥膜厚0.5μｍの共晶錯体層を形成した。

４−（４−ジメチルアミノフェニル） −2,6−ジフェニルチアピリリウム ヘキサフルオロフォスフェート １ 重量部 ポリカーボネート （GE社製レキサン−141） 15 重量部 化合物No.8の（Ｉ）式の化合物 12 重量部 塩化メチレン 450 重量部 1,2−ジクロルエタン 150 重量部 次にこの上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で
塗布し、乾燥膜厚0.2μｍの電荷発生層を形成した。

顔料No.2−20のジスアゾ顔料 ３ 重量部 ポリビニルブチラール （積水化学工業（株）製エスレックBM−Ｓ） 0.5重量部 テトラヒドロフラン 300 重量部 さらに、この上に下記組成の塗工液をスプレーコート
法で塗布し、乾燥膜厚18μｍの電荷輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質 80 重量部 ポリカーボネート （帝人化成（株）パンライトＫ−1300） 100 重量部 テトラヒドロフラン 800 重量部 実施例４ 実施例３において、共晶錯体層塗工液に用いたNo.8の
（Ｉ）式の化合物の代りにNo.16の（Ｉ）式の化合物を
用いた他はすべて実施例３と同様にして、電子写真感光
体を作成した。

比較例２ 実施例３において、共晶錯体層を設けないほかは、す
べて実施例３と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例５ 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に下記組成の塗工液を
浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚２μｍの共晶錯体層を形
成した。

４−（４−ジメチルアミノフェニル）−2,6 −ジフェニルチアピリリウム フルオロボレート 0.5重量部 ポリカーボネート （帝人化成（数）パンライトＬ−1250） ７ 重量部 化合物No.43の（Ｉ）式の化合物 ７ 重量部 塩化メチレン 600 重量部 四塩化炭素 200 重量部 この上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布し、乾
燥膜厚0.3μｍの目止め層を形成した。

アルコール可溶性ナイロン ３ 重量部 （帝国化学（株）製トレジン） メタノール 200 重量部 イソプロピルアルコール 100 重量部 次に、この上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布
し、乾燥膜厚0.3μｍの電荷発生層を形成した。

顔料No.1−20のトリスアゾ顔料 ３ 重量部 シクロヘキサノン 200 重量部 テトラヒドロフラン 100 重量部 さらに、この上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗
布し、乾燥膜厚20μｍの電荷輸送層を形成して、本発明
の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質 90 重量部 ポリカーボネート 100 重量部 （帝人化成（株）製パンライトＣ−1400） 塩化メチレン 800 重量部 実施例６ 実施例５において、共晶錯体層塗工液に用いたNo.43
の（Ｉ）式の化合物の代りにNo.53の（Ｉ）式の化合物
を用いた他はすべて実施例５と同様にして、電子写真感
光体を作成した。

比較例３ 実施例５において、共晶錯体層を設けないほかは、す
べて実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例７ 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に下記組成の下引層塗
工液、共晶錯体層塗工液および目止め層塗工液を順次、
浸漬塗工法で塗布、乾燥して下引層（膜層0.2μｍ）、
共晶錯体層（膜層0.7μｍ）および目止め層（膜層0.2μ
ｍ）を順次形成した。

（１）下引層塗工液 ポリビニルアルコール ２重量部 （電気化学工業（株）製デンカポバールＨ−20） 水 200重量部 メタノール 100重量部 （２）共晶錯体層塗工液 ４−（４−ジメチルアミノフェニル）− 2,6−ジフェニル ピリリウム １重量部 ヘキサフルオロフォスフェート ポリカーボネート ８重量部 （GE社製レキサン−141） 化合物No.34の（Ｉ）式の化合物 10重量部 塩化メチレン 650重量部 （３）目止め層塗工液 アルコール可溶性ナイロン ２ 重量部 （東レ（株）製アミランCM−8000） エタノール 250 重量部 次にこの上に、下記組成の塗工液を浸漬塗工法により
塗布し、乾燥膜厚0.3μｍの電荷発生層を形成した。

顔料No.2−７のジスアゾ顔料 ３ 重量部 ポリビニルブチラール 0.5重量部 （積水化学工業（株）製エスレックBM−Ｓ） シクロヘキサノン 200 重量部 テトラヒドロフラン 100 重量部 さらにこの上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法により
塗布し、乾燥膜厚20μｍの電荷輸送層を形成して、本発
明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質 90 重量部 ポリカーボネート 100 重量部 （帝人化成（株）製パンライトＣ−1400） 塩化メチレン 800 重量部 実施例８ 実施例７において、共晶錯体層塗工液に用いたNo.34
の（Ｉ）式の化合物の代りにNo.66の（Ｉ）式の化合物
を用いた他はすべて実施例７と同様にして、電子写真感
光体を作成した。

比較例４ 実施例７において、共晶錯体層を設けないほかは、す
べて実施例７と同様にして電子写真感光体を作成した。

以上の様に作成した電子写真感光体は静電複写紙試験
装置（川口電機製作所製SP−428型）を用いて、次の様
に電子写真特性を評価した。

まず、−5.5kVの放電電圧にてコロナ帯電を15秒間行
ない、次いで暗減衰を行ない表面電位が−800Vになった
ところで10luxのタングステン光を照射した。

この時の帯電開始後２秒の表面電位V₂（Ｖ）、光照射
の際、表面電位が−400Vになるのに必要な露光量Ｅ_1/2
（lux sec）を測定した。

更に、この感光体に色温度2856゜kのタングステン光
を100,000lux sec照射して、光疲労させた後、再び前記
と同様にして帯電電位V₂′（Ｖ）、露光量Ｅ′_1/2（lux
sec）を測定した この様にして測定した評価結果を次表に示す。

効果 本発明によれば、感光体の繰返し使用後の帯電特性の
劣化を防ぐことが可能となる。

すなわち、複写機、プリンター等の画像濃度低下、画
像濃度ムラ、カブリあるいは、反転現像時においては、
地肌汚れのない良好な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図a,b、第２図、及び第３図a,bは本発明の電子写真
感光体のそれぞれの構成例を示す断面図である。 11……導電性基体、15……感光層 12……下引層、21……電荷発生層 13……共晶錯体層、22……電荷輸送層 14……目止め層

フロントページの続き (72)発明者 谷口 淑 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 横山 佳代子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭54−24027（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−144555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−140850（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−80052（ＪＰ，Ａ) 特公 昭46−22518（ＪＰ，Ｂ１)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基体上に感光層を設けて成る電子写
   真感光体において、前記導電性基体と感光層との間に、
   ピリリウム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式
   （Ｉ）、 （式中、R¹,R²,R³およびR⁴は水素原子、置換もしくは無
   置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基を
   表わし、Ar¹は置換又は無置換のアリール基を表わし、A
   r²は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、Ar¹とR¹
   は共同で環を形成してもよく、ｎは０又は１の整数であ
   る） で示される化合物を主成分とする共晶錯体層が設けられ
   ていることを特徴とする電子写真用感光体。