JP2022114193A - タッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】データ線からのノイズが画素電極に到達することを防止し、かつ、タッチセンサ線と共通電極との寄生容量を小さくしながら、表示パネルの光透過率を向上させることが可能なタッチセンサ機能付き表示パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示パネル１は、データ線１２よりも上層に形成された共通電極１３と、共通電極１３を覆う第１絶縁層１１ｄと、タッチセンサ線１４と、タッチセンサ線１４を覆う第２絶縁層１１ｅと、第２絶縁層１１ｅの上層に形成された画素電極１６と、を備える。第１絶縁層１１ｄには、共通電極１３と画素電極１６との間に開口６３が形成されている。開口６３には第２絶縁層１１ｅが配置されており、第２絶縁層１１ｅには、開口６３の上方の部分６３ａに下方に窪む凹部７０が形成されている。画素電極１６の少なくとも一部は、凹部７０内に配置されている。【選択図】図４

Description

本開示は、タッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法に関する。

従来、フルインセル型のタッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法が知られている。このようなタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法は、例えば、特許文献１に開示されている。

上記特許文献１のタッチセンサ機能付き表示パネルでは、液晶層側から順に、画素電極、第１の絶縁膜、センサ電極線、第２の絶縁膜、共通電極、第３の絶縁膜、及び、データ信号線が形成されている。そして、画素電極には、複数のスリットが設けられており、表示パネルは、上層の画素電極と下層の共通電極との間で横電界を生じさせることにより液晶を駆動させるように構成されている。これにより、共通電極よりも下層に配置されたデータ信号線からのノイズは、共通電極によって電界遮蔽され、データ信号線からのノイズが画素電極に到達するのが防止される。

また、上記特許文献１の表示パネルでは、センサ電極線と共通電極とは、第２絶縁膜に形成されたスルーホールを介して接続されている。これにより、センサ電極線と共通電極との距離を確保することができるので、センサ電極線と共通電極との寄生容量を小さくすることができる。また、第１の絶縁膜は、画素電極とセンサ電極線とを絶縁するために、センサ電極線を覆うように形成されている。このため、画素電極と共通電極との間には、少なくとも第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が配置される。

国際公開第２０１６／１３６２７１号

上記特許文献１に記載のタッチセンサ機能付き表示パネルでは、データ信号線（データ線）からのノイズが画素電極に到達することを防止すること、及び、センサ電極線と共通電極との寄生容量を小さくすることが可能である一方、画素電極と共通電極との間には、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が配置される。このため、画素電極と共通電極との距離が大きくなり、液晶に対する強い電界効果が得られず、表示パネル（液晶層）の光透過率が低下するという問題点がある。

そこで、本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、データ線からのノイズが画素電極に到達することを防止し、かつ、センサ電極線（タッチセンサ線）と共通電極との寄生容量を小さくしながら、表示パネルの光透過率を向上させることが可能なタッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の第１の態様に係るタッチセンサ機能付き表示パネルは、データ線と、前記データ線よりも上層に形成された共通電極と、前記共通電極の少なくとも一部を覆う第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上層及び前記第１絶縁層に設けられた第１開口に形成されたタッチセンサ線であって、当該第１開口を介して、前記共通電極に接続されているタッチセンサ線と、前記タッチセンサ線の少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上層に形成された画素電極と、を備え、前記第１絶縁層には、前記共通電極と前記画素電極との間に第２開口が形成されており、前記第２開口の内部には、前記第２絶縁層が配置されており、前記第２絶縁層には、前記第２開口の上方の部分に下方に窪む凹部が形成されており、前記画素電極の少なくとも一部は、前記第２絶縁層の前記凹部内に配置されている。

第２の態様に係るタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法は、基板上に、データ線を形成する工程と、前記データ線よりも上層に、共通電極を形成する工程と、前記共通電極の少なくとも一部を覆うように、第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に、第１開口及び第２開口を形成する工程と、前記第１開口を介して、前記タッチセンサ線と前記共通電極とを接続させるように、前記第１絶縁層の上層及び前記第１絶縁層に設けられた前記第１開口に、タッチセンサ線を形成する工程と、前記タッチセンサ線の少なくとも一部を覆うように第２絶縁層を形成するとともに、前記第２開口の上方の部分に凹部が形成されるように、前記第２開口に当該第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の上層に画素電極を形成する工程であって、前記第２絶縁層の前記凹部に前記画素電極の少なくとも一部が配置されるように、画素電極を形成する工程と、をさらに備える。

上記構成によれば、データ線からのノイズが画素電極に到達することを防止し、かつ、タッチセンサ線と共通電極との寄生容量を小さくしながら、表示パネルの光透過率を向上させることが可能になる。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２は、表示パネルの一部の平面図である。 図３は、第１実施形態による第１絶縁層の平面図である。 図４は、図２の１０００－１０００線に沿った断面図である。 図５は、アクティブマトリクス基板の模式的な平面図である。 図６は、薄膜トランジスタとゲート線及びデータ線との接続関係を説明するための回路図である。 図７は、共通電極とタッチセンサ線との接続を説明するための模式的な平面図である。 図８は、図７の領域Ａ１の拡大図である。 図９は、タッチセンサ電極と共通電極とが接続されていない位置における表示パネルの断面図である。 図１０は、第１実施形態による表示パネルの製造工程を示すフロー図である。 図１１は、第１実施形態の変形例による表示パネルの構成を示す図である。 図１２は、第２実施形態による表示装置の表示パネルの構成の一部を示す平面図である。 図１３は、第２実施形態による第１絶縁層の平面図である。 図１４は、図１２の１１００－１１００線に沿った断面図である。 図１５は、第２実施形態の変形例による表示パネルの構成を示す図である。

以下、図面を参照し、本開示の実施形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

［第１実施形態］
第１実施形態による表示装置１００の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る表示装置１００の構成を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１００は、タッチセンサ機能付き表示パネル１（以下、「表示パネル１」という）と、コントローラ２とを備える。

表示パネル１は、映像または画像を表示する機能、及び、指示体からのタッチ及びタッチ位置を検出する機能を有する。また、表示パネル１は、フルインセル型のタッチパネルである。コントローラ２は、表示パネル１から取得したタッチ位置に基づいて、表示装置１００における各制御処理を実行する。

図２は、表示パネル１の一部を模式的に示した平面図である。また、図３は、表示パネル１の第１絶縁層１１ｄの構成を示す平面図である。また、図４は、図２の１０００－１０００線に沿った断面図である。図４に示すように、表示パネル１は、アクティブマトリクス基板１０と、対向基板２０と、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とに挟持された液晶層３０とを有する。対向基板２０の表面（以下、タッチ面）側からユーザが画像を視認する。また、表示パネル１は、タッチ面において、例えば、指等（指示体）によるタッチ操作を受け付ける。

図４に示すように、対向基板２０には、タッチ面側から順に、ガラス基板２１、ブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３、透光性固着層２４、及び、配向膜２５が配置されている。ブラックマトリクス２２には、開口２２ａが設けられており、当該開口２２ａは、液晶層３０側からの光をタッチ面側に透過させる光透過部として機能する。

（アクティブマトリクス基板の構成）
図４に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、液晶層３０とは反対側から順に、ガラス基板１０ａ、ゲート線１８（図５参照）、ゲート絶縁層１１ａ、データ線１２及びドレイン電極１７、データ線絶縁層１１ｂ、有機絶縁層１１ｃ、共通電極１３、第１絶縁層１１ｄ、タッチセンサ線１４及び接続電極１５、第２絶縁層１１ｅ、画素電極１６、及び、配向膜１９が設けられている。なお、以下の説明において、「上」とは、図４のＺ方向を意味するものとし、アクティブマトリクス基板１０において、液晶層３０側を意味するものとする。また「下」とは、図４のＺ方向と反対側を意味するものとし、アクティブマトリクス基板１０において、ガラス基板１０ａ側を意味するものとする。

画素電極１６と共通電極１３との間に電界を生じさせることにより、液晶層３０に含まれる液晶分子が駆動する。画素電極１６には、複数のスリット１６ａが設けられおり、液晶分子は横電界駆動方式により駆動する。共通電極１３は、複数の画素電極１６に共通して設けられている。また、共通電極１３は、画素電極１６の対向電極として機能するのみならず、共通電極１３は、タッチセンサ線１４（下部電極層１４ａ）に接続されており、タッチセンサ電極としても機能する。なお、画素電極１６に設けられるスリット１６ａは、一つの画素電極１６に対して必ずしも複数設けられていなくてもよく、少なくとも１つのスリット１６ａが設けられていればよい。

図５は、アクティブマトリクス基板１０の構成を模式的に示す平面図である。アクティブマトリクス基板１０には、ゲートドライバ４１及びソースドライバ４２が設けられている。複数のゲート線１８と複数のデータ線１２とは、平面視において、互いに交差しており格子状に形成されている。また、図２に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、複数のゲート線１８と複数のデータ線１２とに接続された薄膜トランジスタ５０が設けられている。

図６は、薄膜トランジスタ５０とゲート線１８及びデータ線１２との接続を説明するための模式的な回路図である。図６に示すように、薄膜トランジスタ５０のゲート電極が、ゲート線１８に接続されており、薄膜トランジスタ５０のソース電極がデータ線１２に接続されている。また、薄膜トランジスタ５０のドレイン電極１７は、画素電極１６に接続されている。

図５に示すように、複数のゲート線１８は、複数の画素電極１６に接続された薄膜トランジスタ５０の各々とゲートドライバ４１とを接続する。また、複数のデータ線１２は、複数の画素電極１６に接続された薄膜トランジスタ５０の各々とソースドライバ４２とを接続する。また、ゲートドライバ４１及びソースドライバ４２は、それぞれ、複数の画素電極１６が配置される表示領域Ｅ１よりも外側の額縁領域に配置される。ゲートドライバ４１及びソースドライバ４２は、例えば、集積回路から構成される。ゲートドライバ４１は、複数のゲート線１８の各々に順次、ゲート信号（走査信号）を供給する。具体的には、ゲートドライバ４１は、コントローラ２からの水平同期信号に基づいて、複数のゲート線１８に順次電圧を印加する（走査する）。ソースドライバ４２は、複数のデータ線１２の各々に、データ信号（ソース信号）を供給する。

図７は、図５とは異なる層におけるアクティブマトリクス基板１０の構成を模式的に示す平面図である。アクティブマトリクス基板１０は、タッチ検出ドライバ４３を含む。タッチ検出ドライバ４３は、例えば、集積回路から構成される。タッチ検出ドライバ４３と各共通電極１３とは、それぞれ、タッチセンサ線１４を介して接続されている。タッチ検出ドライバ４３は、各共通電極１３に駆動信号を送信するとともに、各共通電極１３からの信号を受信する。そして、タッチ検出ドライバ４３は、受信した信号に基づいて指示体（例えば、指）によるタッチ位置を検出する。

図８は、図７における領域Ａ１の拡大図である。図８に示すように、タッチセンサ線１４は、共通電極１３と複数の箇所（開口６４）において接続されている。また、共通電極１３よりも上層で、平面視においてタッチセンサ線１４と異なる位置にダミー配線１４ｃが設けられている。ダミー配線１４ｃは、タッチセンサ線１４と平行に延びており、タッチ検出ドライバ４３とは直接接続されていない。なお、「ダミー配線１４ｃは、タッチ検出ドライバ４３とは直接接続されていない」状態には、例えば、ダミー配線１４ｃが、共通電極１３とタッチセンサ線１４とを介して、タッチ検出ドライバ４３と電気的に接続されている状態が含まれる。また、タッチセンサ線１４は、複数の共通電極１３に亘って配置されている一方、ダミー配線１４ｃは、単一の共通電極１３上に配置されている。ダミー配線１４ｃ及びタッチセンサ線１４となる複数の線は、同一の製造工程にて形成される。そして、複数の線のうちのタッチセンサ線１４として機能させる線以外の線が、複数の共通電極１３の境界で切断されることにより、ダミー配線１４ｃが形成される。これにより、共通電極１３及び当該共通電極１３に接続された複数のダミー配線１４ｃは、他の共通電極１３のダミー配線１４ｃから電気的に独立させることができる。

そして、ダミー配線１４ｃは、例えば、共通電極１３のＩＴＯよりも抵抗値が小さいＣｕ（銅）により構成されている。そして、ダミー配線１４ｃと共通電極１３とは、開口６４を介して接続されている。この結果、ダミー配線１４ｃ及び共通電極１３を１つのセグメントとして見た場合に、ダミー配線１４ｃが設けられていない場合に比べて当該セグメントの抵抗値を小さくすることが可能となる。また、図８に示すように、複数のダミー配線１４ｃは、共通電極１３上で、タッチセンサ線１４と並んで、等間隔で平行に配置されている。これによると、平面視における各共通電極１３の形状の差異を低減することができる。詳細には、いずれの共通電極１３においても、同様に、タッチセンサ線１４と複数のダミー配線１４ｃとが並列して配置されているので、タッチセンサ線１４とダミー配線１４ｃとの間の光透過部分の形状、及び複数のダミー配線１４ｃ同士の間の光透過部分の形状が、互いに等しくなる。この結果、各ライン毎（ＲＧＢ画素）の光学的差異（透過率変化）を無くすことができ、色度ズレを防止することができる。この効果は、特に平面斜め方向から共通電極１３を見た場合に顕著となる。

（アクティブマトリクス基板における各層の構成）
図４に示すように、ゲート絶縁層１１ａは、ガラス基板１０ａの上層に形成されている。ゲート絶縁層１１ａは、ゲート線１８（図５参照）を覆うように形成されている。ゲート絶縁層１１ａは、無機絶縁膜からなり、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）または酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる。また、ゲート線１８は、金属膜からなる。

データ線１２及びドレイン電極１７は、ゲート絶縁層１１ａの上に形成されており、金属膜からなる。

データ線絶縁層１１ｂは、データ線１２及びドレイン電極１７を覆うように形成されている。データ線絶縁層１１ｂは、無機絶縁膜からなり、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）または酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる。データ線絶縁層１１ｂには、ドレイン電極１７の上方において、タッチセンサ線１４と同一の層に形成された接続電極１５の一部が配置される開口６１ａが設けられている。開口６１ａは、平面視で、ブラックマトリクス２２の開口２２ａとはオーバラップしない位置に形成されている。

有機絶縁層１１ｃは、データ線絶縁層１１ｂの上に形成されている。また、有機絶縁層１１ｃの膜厚は、１μｍ以上４μｍ以下が望ましい。ここで、有機絶縁層１１ｃの膜厚が厚い程、絶縁性能が向上し、かつデータ線１２と共通電極１３と間の寄生容量を小さくでき、タッチパネルとしての感度を向上させることが可能である。この点から、有機絶縁層１１ｃの膜厚は、１μｍ以上が望ましい。但し、厚くするデメリットとして、パターン加工が難しくなるため、有機絶縁層１１ｃの膜厚は、４μｍ以下が望ましい。また、有機絶縁層１１ｃには、ドレイン電極１７の上方において、第１絶縁層１１ｄの一部が配置される開口６２が設けられている。

共通電極１３は、有機絶縁層１１ｃの上に形成されている。共通電極１３は、例えば、透明導電膜（例えば、ＩＴＯ：Indium-tin-oxide）からなる。共通電極１３は、データ線１２よりも上層で、かつ、画素電極１６よりも下層に形成されている。また、共通電極１３には、第１絶縁層１１ｄが配置される開口１３ａが設けられている。開口１３ａは、図２に示すように、平面視で、開口６１ａ及び６１ｂと、開口６２と、開口６５とオーバラップする位置に形成されている。

図４に示すように、第１絶縁層１１ｄは、共通電極１３の少なくとも一部を覆うとともに、開口１３ａ内及び開口６２に形成されている。第１絶縁層１１ｄは、無機絶縁膜からなり、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）または酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる。図９は、図４と平面視で異なる位置におけるアクティブマトリクス基板１０の断面図である。図９に示すように、第１絶縁層１１ｄは、共通電極１３と当該共通電極１３に接続されないタッチセンサ線１４との絶縁を行う機能を有する。また、第１絶縁層１１ｄの膜厚は、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が望ましい。ここで、第１絶縁層１１ｄの膜厚が厚い程、絶縁性能が向上し、かつ共通電極１３と当該共通電極１３に接続されないタッチセンサ線１４と間の寄生容量を小さくでき、タッチパネルとしての感度を向上させることが可能である。この点から、第１絶縁層１１ｄの膜厚は、１５０ｎｍ以上が望ましい。但し、厚くするデメリットとして、パターン加工が難しくなるため、第１絶縁層１１ｄの膜厚は、５００ｎｍ以下が望ましい。また、第１実施形態では、第１絶縁層１１ｄには、共通電極１３と画素電極１６との間に、第２絶縁層１１ｅが配置された開口６３が形成されている。

また、第１絶縁層１１ｄには、ドレイン電極１７の上方に開口６１ｂが形成されている。開口６１ｂは、データ線絶縁層１１ｂの開口６１ａと上下方向に連続している。また、図４に示すように、第１絶縁層１１ｄには、共通電極１３の上方において、当該共通電極１３に接続されるタッチセンサ線１４の一部が配置される開口６４が形成されている。また、図３に示すように、開口６１ｂと、開口６３と、開口６４とは、平面視において、互いに別個に離れて形成されている。また、図４に示すように、開口６３は、平面視において、共通電極１３が配置されていない部分には設けられていない。これにより、共通電極１３が配置されていない部分において、データ線１２と画素電極１６との距離が小さくなり、データ線１２と画素電極１６との寄生容量が大きくなるのを防止することができる。

図４に示すように、タッチセンサ線１４は、第１絶縁層１１ｄの一部の上層と、第１絶縁層１１ｄの開口６４とに形成されている。そして、タッチセンサ線１４は、開口６４を介して、共通電極１３に接続されている。また、タッチセンサ線１４は、平面視において、複数の共通電極１３のうちの一つの共通電極１３（図７参照）に接続されており、他の共通電極１３には接続されていない。

ここで、表示パネル１の厚み方向（Ｚ方向）に直交する方向で、かつ、タッチセンサ線１４が延びる方向（Ｙ方向）と直交する方向である幅方向（Ｘ方向）において、タッチセンサ線１４の長さ（幅）Ｗ１は、第１絶縁層１１ｄの長さ（幅）Ｗ２以下である。図４の例では、幅Ｗ１は、幅Ｗ２よりも小さく、第１絶縁層１１ｄのうちのタッチセンサ線１４から開口６３までの長さ（幅）Ｗ３は、例えば、幅Ｗ１の９分の４の寸法よりも大きい。この構成によれば、第１絶縁層１１ｄ上にタッチセンサ線１４を形成する際に、第１絶縁層１１ｄの幅Ｗ２が大きい分、タッチセンサ線１４のずれを吸収することができる。すなわち、タッチセンサ線１４を容易にアライメントすることができる。また、第１実施形態では、開口６３のＸ方向の幅Ｗ４は、画素電極１６の第１部分１６ｂの幅Ｗ５よりも大きい。

また、タッチセンサ線１４は、データ線１２と平行に形成されており、データ線１２の幅Ｗ６は、タッチセンサ線１４の幅Ｗ１以下である。図４の例では、幅Ｗ６は、幅Ｗ１よりも小さい。この構成によれば、データ線１２の幅Ｗ６が小さいので、タッチセンサ線１４とデータ線１２との間で、多重反射が生じにくくなる。この結果、不要な光透過が減少するので、表示パネル１のコントラストを向上させ、色ムラの発生を抑制することができる。

また、タッチセンサ線１４は、例えば、下部電極層１４ａと上部電極層１４ｂとを含む。下部電極層１４ａと上部電極層１４ｂとは、積層されている。下部電極層１４ａは、開口６４に配置されている。下部電極層１４ａは、上部電極層１４ｂよりも低い光反射率を有する。例えば、下部電極層１４ａは、チタン（Ｔｉ）を含む。上部電極層１４ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。この構成によれば、下部電極層１４ａにおける光反射を小さくすることができるので、表示パネル１の下方から入射される光（バックライト）がデータ線１２とタッチセンサ線１４との間での多重反射するのを抑止することができる。この結果、表示パネル１を上方斜めから見た際の不要な色付き（混色）を防止することが可能となる。これにより、混色防止に必要なブラックマトリクス２２の寸法を小さくすることが可能になり、表示品位を低下することなく、表示パネル１の光透過率をさらに向上させることができる。

接続電極１５は、ドレイン電極１７と画素電極１６とを電気的に接続させる機能を有する。接続電極１５は、第１絶縁層１１ｄの一部の上層と、第１絶縁層１１ｄに設けられた開口６１ｂ及びデータ線絶縁層１１ｂの開口６１ａに形成されている。そして、接続電極１５は、開口６１ａ及び６１ｂを介して、ドレイン電極１７に接続されている。また、接続電極１５は、例えば、下部電極層１５ａと上部電極層１５ｂとを含む。下部電極層１５ａと上部電極層１５ｂとは、積層されている。下部電極層１５ａは、タッチセンサ線１４の下部電極層１４ａと同一の層に形成されており、同一の材料からなる。上部電極層１５ｂは、タッチセンサ線１４の上部電極層１４ｂと同一の層に形成されており、同一の材料からなる。

第２絶縁層１１ｅは、タッチセンサ線１４の少なくとも一部及び接続電極１５の少なくとも一部を覆うように形成されている。第２絶縁層１１ｅは、無機絶縁膜からなり、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）または酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる。また、第２絶縁層１１ｅの膜厚は、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が望ましい。ここで、第２絶縁層１１ｅの膜厚が厚い程、画素電極１６とタッチセンサ線１４との間の絶縁性能を向上させることが可能である。この点から、第２絶縁層１１ｅの膜厚は、１５０ｎｍ以上が望ましい。但し、厚くするデメリットとして、パターン加工が難しくなるため、第２絶縁層１１ｅの膜厚は、５００ｎｍ以下が望ましい。また、第１絶縁層１１ｄ及び第２絶縁層１１ｅの膜厚は、それぞれ独立して調整可能であるため、タッチパネル性能とパネル透過率設計を両立させることが容易となる。そして、第１絶縁層１１ｄ及び第２絶縁層１１ｅを形成するためには、特殊なプロセスを使用する必要がないので、表示パネル１の歩留まりを向上させることができる。

また、第２絶縁層１１ｅの一部は、第１絶縁層１１ｄの開口６３に形成され、共通電極１３と接触している。そして、第２絶縁層１１ｅには、開口６３の上方の部分６３ａに下方に窪む凹部７０が形成されている。これにより、凹部７０の底面から共通電極１３の上面までの距離Ｄ１は、第２絶縁層１１ｅの部分６３ａとは異なる部分６３ｂにおける第２絶縁層１１ｅの上面から共通電極１３の上面までの距離Ｄ２よりも小さい。また、第２絶縁層１１ｅには、接続電極１５の上方に、画素電極１６の第２部分１６ｃが配置される開口６５が形成されている。

画素電極１６は、第２絶縁層１１ｅの上層に形成されている。これにより、データ線１２と画素電極１６との間に共通電極１３が配置されるので、データ線１２からのノイズは、共通電極１３によって遮蔽される。この結果、データ線１２からのノイズが画素電極１６に到達することを防止することができる。そして、画素電極１６にノイズが到達するのを防止することができるので、画素電極１６の面積を大きくすることが可能となる。これにより、表示パネル１の光透過率を向上させることができる。また、タッチセンサ線１４と共通電極１３との間に第１絶縁層１１ｄが配置されるため、タッチセンサ線１４と共通電極１３との間の寄生容量を小さくすることができる。また、画素電極１６は、例えば、透明導電膜（例えば、ＩＴＯ）からなる。

また、画素電極１６の少なくとも一部（第１部分１６ｂ）は、第２絶縁層１１ｅの凹部７０に配置されている。これにより、画素電極１６の第１部分１６ｂと共通電極１３との距離は、上記の距離Ｄ２よりも小さいＤ１となる。さらに、画素電極１６に設けられた複数のスリット１６ａの全てが第２絶縁層１１ｅの凹部７０に配置されている。この構成によれば、画素電極１６の第１部分１６ｂと共通電極１３との距離Ｄ１が小さい分、画素電極１６の第１部分１６ｂと共通電極１３との間でスリット１６ａを介して生じる電界効果を強くすることが可能となる。この結果、表示パネル１の光透過率を向上させることができる。なお、画素電極１６に設けられた複数のスリット１６ａは、全ての領域が第２絶縁層１１ｅの凹部７０に配置されていることがより好ましいが、表示に実質的に寄与しない領域、例えば、スリット１６ａとブラックマトリクス２２とが平面視で重なる領域においては、必ずしもスリット１６ａが第２絶縁層１１ｅの凹部７０に配置されていなくても良い。

画素電極１６の第２部分１６ｃは、接続電極１５を介して、薄膜トランジスタ５０のドレイン電極１７に接続されている。また、第２部分１６ｃの一部は、第２絶縁層１１ｅの開口６５に配置されており、接続電極１５の上部電極層１５ｂに接触している。この構成によれば、ドレイン電極１７と画素電極１６とを接続するための接続電極１５を、タッチセンサ線１４を形成する工程（後述するステップＳ１１及びＳ１２）に併せて形成することができる。この結果、薄膜トランジスタ５０と画素電極１６とを接続するための工程数を削減することができる。

（タッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法）
次に、図１０を参照して、第１実施形態による表示パネル１の製造方法について説明する。図１０は、表示パネル１の各製造工程のフローチャートを示している。

ステップＳ１において、ガラス基板１０ａ上に、ゲート線１８が形成される。ステップＳ２において、ゲート線１８を覆うように、ゲート絶縁層１１ａが形成される。

ステップＳ３において、ゲート絶縁層１１ａの上層に、半導体層５１が形成される、そして、ステップＳ４において、半導体層５１の上層に、データ線１２及びドレイン電極１７が形成される。ステップＳ５において、データ線１２及びドレイン電極１７を覆うように、データ線絶縁層１１ｂが形成される。

ステップＳ６において、データ線絶縁層１１ｂの上に有機絶縁層１１ｃが形成される。ステップＳ７において、有機絶縁層１１ｃのドレイン電極１７の上方の部分に、開口６２が形成される。

ステップＳ８において、有機絶縁層１１ｃの上に共通電極１３が形成される。ステップＳ９において、共通電極１３の少なくとも一部を覆うとともに、開口６２を満たすように第１絶縁層１１ｄが形成される。

そして、第１実施形態では、ステップＳ１０において、第１絶縁層１１ｄのうちの共通電極１３と画素電極１６との間の部分に、開口６３が形成される。また、このステップＳ１０において、データ線絶縁層１１ｂのうちのドレイン電極１７の上方の部分に開口６１ａが、第１絶縁層１１ｄのうちのドレイン電極１７の上方の部分に開口６１ｂが、形成される。また、このステップＳ１０において、第１絶縁層１１ｄには、共通電極１３の上方において開口６４が形成される。

ステップＳ１１において、第１絶縁層１１ｄの一部の上層と、第１絶縁層１１ｄの開口６４とにタッチセンサ線１４の下部電極層１４ａが形成される。このステップＳ１１において、第１絶縁層１１ｄの一部の上層と、データ線絶縁層１１ｂの開口６１ａと、第１絶縁層１１ｄの開口６１ｂとに、接続電極１５の下部電極層１５ａが形成される。

ステップＳ１２において、下部電極層１４ａの上に、タッチセンサ線１４の上部電極層１４ｂが形成される。これにより、開口６４を介して、タッチセンサ線１４と共通電極１３とを接続させるタッチセンサ線１４が形成される。また、このステップＳ１２において、下部電極層１５ａの上に、接続電極１５の上部電極層１５ｂが形成される。これにより、開口６１ａ及び６１ｂを介して、ドレイン電極１７と画素電極１６とを接続させる接続電極１５が形成される。

ステップＳ１３において、タッチセンサ線１４の少なくとも一部及び接続電極１５の少なくとも一部を覆うように、第２絶縁層１１ｅが形成される。また、このステップＳ１３において、第２絶縁層１１ｅの一部が、第１絶縁層１１ｄの開口６３に形成され、第２絶縁層１１ｅの当該一部は、共通電極１３と接触する。そして、第２絶縁層１１ｅが第１絶縁層１１ｄの開口６３に形成されることにより、開口６３の上方の部分６３ａには、下方に窪む凹部７０が形成される。

ステップＳ１４において、第２絶縁層１１ｅに、接続電極１５の上方に開口６５が形成される。ステップＳ１５において、第２絶縁層１１ｅの上層に画素電極１６が形成される。このステップＳ１５において、画素電極１６の少なくとも一部（第１部分１６ｂ）が、第２絶縁層１１ｅの凹部７０に配置される。また、このステップＳ１５において、第２絶縁層１１ｅの上層でかつ接続電極１５の上方に画素電極１６の第２部分１６ｃが形成される。第２部分１６ｃの一部は、第２絶縁層１１ｅの開口６５に配置される。これにより、アクティブマトリクス基板１０が製造される。その後、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０と液晶層３０とが組み合わせられることにより、表示パネル１が完成される。

上記の製造方法によれば、データ線１２からのノイズが画素電極１６に到達することを防止することができるとともに、タッチセンサ線１４と共通電極１３との間の寄生容量を小さくすることができる。そして、画素電極１６の少なくとも一部が、凹部７０に形成されるので、凹部７０に配置された画素電極１６と共通電極１３との距離Ｄ１を小さくすることができ、強い電界効果を生じさせることが可能となる。この結果、表示パネル１の光透過率を向上させることができる。

（第１実施形態の変形例）
次に、図１１を参照して、第１実施形態による表示パネル１の変形例であるタッチセンサ機能付き表示パネル２０１の構成及び製造方法について説明する。上記第１実施形態では、第１絶縁層１１ｄに設けられた開口６１ｂ、６３、及び６４は、平面視において、別個に形成されていたが、本変形例の表示パネル２０１の第１絶縁層２１１ｄでは、図１１に示すように、一体的な開口２６０が形成されている。すなわち、上記第１実施形態の製造方法におけるステップＳ１０において、１つの開口２６０が形成される。この構成及び製造方法によれば、第１絶縁層２１１ｄに形成される開口の数が削減されるので、表示パネル２０１の構成を簡素化させることができる。

［第２実施形態］
次に、図１２～図１４を参照して、第２実施形態のタッチセンサ機能付き表示パネル３０１（以下、「表示パネル３０１」という）を有する表示装置３００の構成について説明する。第２実施形態の表示装置３００では、画素電極１６のうち、接続電極１５との接続部分である第２部分１６ｃを除いた部分の幅方向（Ｘ方向）の全体が凹部７０内に配置されていた第１実施形態の構成と異なり、画素電極３１６の第１部分３１６ｂが凹部３７０内に配置されている一方、画素電極３１６の第３部分３１６ａが凹部３７０の外部でかつ平面視で凹部３７０とタッチセンサ線１４との間の位置に配置されている。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ符号を用いる場合、第１実施形態と同様の構成を示しており、特に説明がない限り先行する説明を参照する。

（第２実施形態による表示装置の構成）
図１２は、表示装置３００の表示パネル３０１の一部の平面図である。図１３は、表示パネル３０１の第１絶縁層３１１ｄの平面図である。図１３に示すように、表示パネル３０１には、画素電極３１６と第１絶縁層３１１ｄに形成された開口３６３とが設けられている。

図１４は、図１２の１１００線‐１１００線に沿った断面図である。表示パネル３０１の画素電極３１６は、第１部分３１６ｂと第２部分３１６ｃと第３部分３１６ａとを含む。第１部分３１６ｂは、第２絶縁層３１１ｅの凹部３７０内に配置されている。第２部分３１６ｃは、接続電極１５の上方に形成されている。第３部分３１６ａは、凹部３７０とタッチセンサ線１４との間の位置、凹部３７０と接続電極１５との間の位置のそれぞれにおいて、第２絶縁層３１１ｅの上層に形成されている。

ここで、第３部分３１６ａとタッチセンサ線１４との距離Ｄ３は、第３部分３１６ａ（第２絶縁層１１ｅの上面）と共通電極１３との距離Ｄ２よりも小さい。ここで、画素電極３１６が駆動される期間には、タッチセンサ線１４にも共通電極１３に供給される信号（ＣＯＭ信号）が供給されるので、タッチセンサ線１４と共通電極１３とが同電位となり、タッチセンサ線１４は、共通電極１３の一部として機能する。この結果、第３部分３１６ａとタッチセンサ線１４との間に液晶層３０の液晶を駆動させるための電界が生じる。

上記第２実施形態の構成によれば、画素電極３１６が凹部３７０のみに形成する場合に比べて、画素電極３１６の面積をより大きくすることができる。また、画素電極３１６の第３部分３１６ａと、共通電極１３との距離Ｄ２が大きい場合でも、当該第３部分３１６ａとタッチセンサ線１４との間に電界が生じるので、表示パネル３０１（液晶層３０）の光透過率をより向上させることができる。なお、第２実施形態による表示装置３００のその他の構成及び効果は、第１実施形態による表示装置１００の構成及び効果と同様である。

（第２実施形態による表示パネルの製造方法）
第２実施形態による表示パネル３０１の製造方法では、図１０に示す第１実施形態による表示パネル１の製造工程におけるステップＳ１５において、凹部３７０に画素電極３１６の第１部分３１６ｂが形成されることに加えて、平面視において、凹部３７０とタッチセンサ線１４との間の第２絶縁層１１ｅの上層に、画素電極３１６の第３部分３１６ａが形成される。なお、第２実施形態による表示パネル３０１のその他の製造工程は、第１実施形態による表示パネル１の製造工程と同様である。

（第２実施形態の変形例）
次に、図１５を参照して、第２実施形態による表示パネル３０１の変形例であるタッチセンサ機能付き表示パネル４０１の構成及び製造方法について説明する。図１３に示すように、上記第２実施形態では、第１絶縁層３１１ｄに設けられた開口６１ｂと開口３６３とは、平面視において、別個に形成されていたが、本変形例の表示パネル４０１の第１絶縁層４１１ｄでは、図１５に示すように、一体的な開口４６３が形成されている。すなわち、上記第１実施形態の製造方法におけるステップＳ１０において、一体的な開口４６３が形成される。この構成及び製造方法によれば、第１絶縁層４１１ｄに形成される開口の数が削減されるので、表示パネル４０１の構成を簡素化させることができる。

［変形等］
以上、上述した実施形態は本開示を実施するための例示に過ぎない。よって、本開示は上述した実施形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施形態を適宜変形して実施することが可能である。

例えば、上記第１及び第２実施形態では、第１絶縁層及び第２絶縁層を、無機絶縁膜により構成する例を示したが、本開示はこれに限られない。すなわち、第１絶縁層及び第２絶縁層を有機絶縁膜により構成してもよい。また、第１絶縁層及び第２絶縁層を複数の無機絶縁膜を積層して構成してもよく、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）と酸化珪素（ＳｉＯ２）とを積層して構成してもよい。

また、上記第１及び第２実施形態では、データ線、共通電極、タッチセンサ線、第１接続電極、第２接続電極、及び、画素電極の材料の例を示したが、本開示はこれに限られない。データ線、共通電極、タッチセンサ線、第１接続電極、第２接続電極、及び、画素電極は、上記した材料以外の材料を用いて構成してもよい。

また、上記第１及び第２実施形態では、タッチセンサ線を２層により構成する例を示したが、本開示はこれに限られない。すなわち、タッチセンサ線を単一の層により構成してもよいし、３層以上の積層膜として構成してもよい。

また、上記第１及び第２実施形態では、データ線の幅Ｗ６を、タッチセンサ線の幅Ｗ１以下とする例を示したが、本開示はこれに限られない。すなわち、データ線の幅を、タッチセンサ線の幅よりも大きくしてもよい。

また、上述したタッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法は、以下のように説明することができる。

第１の構成に係るタッチセンサ機能付き表示パネルは、データ線と、データ線よりも上層に形成された共通電極と、共通電極の少なくとも一部を覆う第１絶縁層と、第１絶縁層の上層及び第１絶縁層に設けられた第１開口に形成されたタッチセンサ線であって、当該第１開口を介して、共通電極に接続されているタッチセンサ線と、タッチセンサ線の少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、第２絶縁層の上層に形成された画素電極と、を備え、第１絶縁層には、共通電極と画素電極との間に第２開口が形成されており、第２開口の内部には、第２絶縁層が配置されており、第２絶縁層には、第２開口の上方の部分に下方に窪む凹部が形成されており、画素電極の少なくとも一部は、第２絶縁層の凹部内に配置されている（第１の構成）。

上記第１の構成によれば、データ線と画素電極との間に共通電極が配置されるので、データ線からのノイズは、共通電極によって遮蔽される。これにより、データ線からのノイズが画素電極に到達することを防止することができる。そして、画素電極にノイズが到達するのを防止することができるので、画素電極の面積を大きくすることが可能となる。この結果、表示パネルの光透過率を向上させることができる。そして、タッチセンサ線と共通電極との間に第１絶縁層が配置されるため、タッチセンサ線と共通電極との間の寄生容量を小さくすることができる。そして、画素電極の少なくとも一部が、第２絶縁層の凹部内に配置されるので、凹部内に配置された画素電極と共通電極との距離を小さくすることができ、強い電界効果を生じさせることが可能となる。この結果、表示パネルの光透過率を向上させることができる。

第１の構成において、画素電極にはスリットが設けられており、スリットは第２絶縁層の凹部内に配置された画素電極に形成されていてもよい。（第２の構成）

上記第２の構成によれば、画素電極にスリットが設けられた表示パネルにおいて、凹部内に配置された画素電極と共通電極との距離を小さくすることができ、画素電極と共通電極との間でスリットを介して生じる電界効果を強くすることが可能となる。この結果、スリット部分で生じる横電界を利用して液晶を駆動する表示パネルの光透過率を向上させることができる。

第１または第２の構成において、タッチセンサ線は、第１タッチセンサ層と、当該第１タッチセンサ層の下層に形成され、第１タッチセンサ層よりも低い光反射率を有する第２タッチセンサ層と、を含むように構成されてもよい（第３の構成）。

上記第３の構成によれば、第２タッチセンサ層における光反射を小さくすることができるので、表示パネルの下方から入射される光（バックライト）がデータ線とタッチセンサ線との間での多重反射するのを抑止することができる。この結果、表示パネルを上方斜めから見た際の不要な色付き（混色）を防止することが可能となる。これにより、混色防止に必要なブラックマトリクスの寸法を小さくすることが可能になり、表示品位を低下することなく、表示パネルの光透過率をさらに向上させることができる。

第１～第３のいずれか１つの構成において、データ線と同一の層に形成されたドレイン電極を、さらに備えてもよく、第１絶縁層には、ドレイン電極の上方に第３開口が形成されてもよく、タッチセンサ線と同一の層において第３開口に形成され、ドレイン電極と画素電極とを接続する接続電極を、さらに備えてもよい（第４の構成）。

上記第４の構成によれば、ドレイン電極を画素電極に接続するための接続電極を、タッチセンサ線を形成する際に併せて形成することができる。この結果、ドレイン電極を画素電極に接続するための工程数を削減することができる。

第４の構成において、第１絶縁層の第１開口と第２開口と第３開口とのうちの少なくとも２つは、平面視において、連続して形成されていてもよい（第５の構成）。

上記第５の構成によれば、第１絶縁層に形成される開口の数が削減されるので、第１絶縁層の構成を簡素化させることができる。

第１～第５の構成のいずれか１つの構成において、タッチセンサ線は、直線状に形成されており、タッチセンサ線の幅方向において、タッチセンサ線の長さは、第１絶縁層の長さ以下に構成されていてもよい（第６の構成）。

上記第６の構成によれば、第１絶縁層上にタッチセンサ線を形成する際に、第１絶縁層の長さ（幅）が大きい分、タッチセンサ線のずれを吸収することができる。すなわち、タッチセンサ線を容易にアライメントすることができる。

第１～第６の構成のいずれか１つの構成において、タッチセンサ線は、直線状に形成されており、データ線は、タッチセンサ線に平行でかつ直線状に形成されていてもよく、データ線の幅方向において、データ線の長さは、タッチセンサ線の長さ以下に構成されていてもよい（第７の構成）。

上記第７の構成によれば、データ線の長さ（幅）が小さいので、タッチセンサ線とデータ線との間で、多重反射が生じにくくなる。この結果、不要な光透過が減少するので、表示パネルの光透過率を向上させることができる。

第１～第７の構成のいずれか１つにおいて、画素電極は、凹部に加えて、平面視において、凹部とタッチセンサ線との間の第２絶縁層の上層に形成されている（第８の構成）。

上記第８の構成によれば、画素電極が凹部のみに形成する場合に比べて、画素電極の面積をより大きくすることができる。ここで、画素電極が駆動される期間には、タッチセンサ線にも共通電極に供給される信号が供給される（タッチセンサ線と共通電極とが同電位となる）ので、タッチセンサ線は、共通電極の一部として機能する。この結果、第２絶縁層の上層に形成されている画素電極と、第２絶縁層よりも上層に形成されたタッチセンサ線との間に電界が生じる。これにより、画素電極のうちの第２絶縁層の上層に形成されている部分と、共通電極との距離が大きい場合でも、当該第２絶縁層の上層に形成されている部分とタッチセンサ線との間に電界が生じるので、表示パネル（液晶層）の光透過率をより向上させることができる。

第９の構成に係るタッチセンサ機能付表示パネルの製造方法は、基板上に、データ線を形成する工程と、データ線よりも上層に、共通電極を形成する工程と、共通電極の少なくとも一部を覆うように、第１絶縁層を形成する工程と、第１絶縁層に、第１開口及び第２開口を形成する工程と、第１開口を介して、タッチセンサ線と共通電極とを接続させるように、第１絶縁層の上層及び第１絶縁層に設けられた第１開口に、タッチセンサ線を形成する工程と、タッチセンサ線の少なくとも一部を覆うように第２絶縁層を形成するとともに、第２開口の上方の部分に凹部が形成されるように、第２開口に当該第２絶縁層を形成する工程と、第２絶縁層の上層に画素電極を形成する工程であって、第２絶縁層の凹部に画素電極の少なくとも一部が配置されるように、画素電極を形成する工程と、をさらに備える（第９の構成）。

上記第９の構成によれば、上記第１の構成と同様に、データ線からのノイズが画素電極に到達することを防止することができるとともに、タッチセンサ線と共通電極との間の寄生容量を小さくすることができる。そして、画素電極の少なくとも一部が、第２絶縁層の凹部に形成されるので、凹部内に配置された画素電極と共通電極との距離を小さくすることができ、強い電界効果を生じさせることが可能となる。この結果、表示パネルの光透過率を向上させることができる。

第９の構成において、データ線を形成する工程は、ドレイン電極をさらに形成することを含んでいてもよく、第１絶縁層を形成する工程よりも後で、かつ、タッチセンサ線を形成する工程よりも前に、第１絶縁層のうちのドレイン電極の上方に第３開口を形成する工程を、さらに備えてもよく、タッチセンサ線を形成する工程は、タッチセンサ線と同一の層に、ドレイン電極に接続される接続電極をさらに形成することを含んでもよく、画素電極を形成する工程は、画素電極が接続電極に接続するように、画素電極を形成することを含んでもよい（第１０の構成）。

上記第１０の構成によれば、ドレイン電極を上層の部材に接続するための接続電極を、タッチセンサ線を形成する工程に併せて形成することができる。この結果、ドレイン電極を画素電極に接続するための工程数を削減することができる。

第１０の構成において、第１開口及び第２開口を形成する工程と、第３開口を形成する工程とは、同一の工程において実行されてもよい（第１１の構成）。

上記第１１の構成によれば、工程数を削減することができる。

第９～第１１の構成のいずれか１つにおいて、画素電極を形成する工程は、凹部に加えて、平面視において、凹部とタッチセンサ線との間の第２絶縁層の上層に画素電極を形成する工程であってもよい（第１２の構成）。

上記第１２の構成によれば、画素電極が凹部のみに形成する場合に比べて、画素電極の面積をより大きくすることができる。また、上記第８の構成と同様に、表示パネル（液晶層）の光透過率をより向上させることができる。

１，２０１，３０１，４０１…タッチセンサ機能付き表示パネル、１１ｄ，２１１ｄ，３１１ｄ，４１１ｄ…第１絶縁層、１１ｅ，３１１ｅ…第２絶縁層、１２…データ線、１３…共通電極、１４…タッチセンサ線、１４ａ…下部電極層、１４ｂ…上部電極層、１５…接続電極、１６，３１６…画素電極、１６ａ…スリット、１７…ドレイン電極、３０…液晶層、６１ａ，６１ｂ，６２，６３，６４，６５，２６０，３６３，４６３…開口、７０，３７０…凹部、１００，３００…表示装置

Claims (12)

1. データ線と、
   前記データ線よりも上層に形成された共通電極と、
   前記共通電極の少なくとも一部を覆う第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上層及び前記第１絶縁層に設けられた第１開口に形成されたタッチセンサ線であって、当該第１開口を介して、前記共通電極に接続されているタッチセンサ線と、
   前記タッチセンサ線の少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上層に形成された画素電極と、を備え、
   前記第１絶縁層には、前記共通電極と前記画素電極との間に第２開口が形成されており、
   前記第２開口の内部には、前記第２絶縁層が配置されており、
   前記第２絶縁層には、前記第２開口の上方の部分に下方に窪む凹部が形成されており、
   前記画素電極の少なくとも一部は、前記第２絶縁層の前記凹部内に配置されている、タッチセンサ機能付き表示パネル。
2. 前記画素電極には、スリットが設けられており、
   前記スリットは、前記凹部内に配置された前記画素電極に形成されている、請求項１に記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
3. 前記タッチセンサ線は、第１タッチセンサ層と、当該第１タッチセンサ層の下層に形成され、前記第１タッチセンサ層よりも低い光反射率を有する第２タッチセンサ層と、を含む、請求項１または２に記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
4. 前記データ線と同一の層に形成されたドレイン電極を、さらに備え、
   前記第１絶縁層には、前記ドレイン電極の上方に第３開口が形成されており、
   前記タッチセンサ線と同一の層において前記第３開口に形成され、前記ドレイン電極と前記画素電極とを接続する接続電極を、さらに備える、請求項１～３のいずれか１つに記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
5. 前記第１絶縁層の前記第１開口と前記第２開口と前記第３開口とのうちの少なくとも２つは、平面視において、連続して形成されている、請求項４に記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
6. 前記タッチセンサ線は、直線状に形成されており、
   前記タッチセンサ線の幅方向において、前記タッチセンサ線の長さは、前記第１絶縁層の長さ以下である、請求項１～５のいずれか１つに記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
7. 前記タッチセンサ線は、直線状に形成されており、
   前記データ線は、前記タッチセンサ線に平行でかつ直線状に形成されており、
   前記データ線の幅方向において、前記データ線の長さは、前記タッチセンサ線の長さ以下である、請求項１～６のいずれか１つに記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
8. 前記画素電極は、前記凹部に加えて、平面視において、前記凹部と前記タッチセンサ線との間の前記第２絶縁層の上層に形成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載のタッチセンサ機能付き表示パネル。
9. 基板上に、データ線を形成する工程と、
   前記データ線よりも上層に、共通電極を形成する工程と、
   前記共通電極の少なくとも一部を覆うように、第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層に、第１開口及び第２開口を形成する工程と、
   前記第１開口を介して、前記タッチセンサ線と前記共通電極とを接続させるように、前記第１絶縁層の上層及び前記第１絶縁層に設けられた前記第１開口に、タッチセンサ線を形成する工程と、
   前記タッチセンサ線の少なくとも一部を覆うように第２絶縁層を形成するとともに、前記第２開口の上方の部分に凹部が形成されるように、前記第２開口に当該第２絶縁層を形成する工程と、
   前記第２絶縁層の上層に画素電極を形成する工程であって、前記第２絶縁層の前記凹部内に前記画素電極の少なくとも一部が配置されるように、画素電極を形成する工程と、をさらに備える、タッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法。
10. 前記データ線を形成する工程は、ドレイン電極をさらに形成することを含み、
    前記第１絶縁層を形成する工程よりも後で、かつ、前記タッチセンサ線を形成する工程よりも前に、前記第１絶縁層のうちの前記ドレイン電極の上方に第３開口を形成する工程を、さらに備え、
    前記タッチセンサ線を形成する工程は、前記タッチセンサ線と同一の層に、前記ドレイン電極に接続される接続電極をさらに形成することを含み、
    前記画素電極を形成する工程は、前記画素電極が前記接続電極に接続するように、前記画素電極を形成することを含む、請求項９に記載のタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法。
11. 前記第１開口及び前記第２開口を形成する工程と、前記第３開口を形成する工程とは、同一の工程において実行される、請求項１０に記載のタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法。
12. 前記画素電極を形成する工程は、前記凹部に加えて、平面視において、前記凹部と前記タッチセンサ線との間の前記第２絶縁層の上層に前記画素電極を形成する工程である、請求項９～１１のいずれか１項に記載のタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法。

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