JP2018083730A - 黒色膜形成用混合粉末及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の黒色膜形成用混合粉末は、窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)とを含み、窒化ジルコニウム粉末(A)と前記窒化チタン粉末又は前記酸窒化チタン粉末(B)の含有割合は、質量比(A:B)で(90:10)〜(25:75)の範囲、好ましくは(80:20〜40:60)の範囲にある。窒化ジルコニウム粉末(A)の割合が90を超えて、窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)の割合が10未満であると、この混合粉末から黒色膜を形成したときに、黒色膜の波長1000nmにおける遮光性が劣るようになる。また窒化ジルコニウム粉末(A)の割合が25未満であって、窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)の割合が75を超えると、この混合粉末から黒色膜を形成したときに、黒色膜の波長400nmにおける光の透過性が劣り、高解像度のパターニング膜が得られなくなる。
粉末(A)を作製するために用いられる二酸化ジルコニウム粉末としては、例えば、単斜晶系二酸化ジルコニウム、立方晶系二酸化ジルコニウム、イットリウム安定化二酸化ジルコニウム等の二酸化ジルコニウムの粉末がいずれも使用可能であるが、窒化ジルコニウム粉末の生成率が高くなる観点から、単斜晶系二酸化ジルコニウム粉末が好ましい。この二酸化ジルコニウム粉末は、比表面積の測定値から球形換算した平均一次粒径で500nm以下であることが、BET法により測定される比表面積が20〜90m2/gの窒化ジルコニウム粉末(A)を得るために好ましく、粉末の取扱い易さから、平均一次粒径10nm以上500nm以下であることが更に好ましい。
粉末(A)を作製するために用いられる金属マグネシウム粉末は、粒径が小さすぎると、反応が急激に進行して操作上危険性が高くなるので、粒径が篩のメッシュパスで100〜1000μmの粒状のものが好ましく、特に200〜500μmの粒状のものが好ましい。ただし、金属マグネシウムは、すべて上記粒径範囲内になくても、その80質量%以上、特に90質量%以上が上記範囲内にあればよい。
粉末(A)を作製するために用いられる窒化マグネシウム粉末は、焼成時に窒化ジルコニウム表面又は窒化チタン表面をコーティングして、金属マグネシウムの還元力を緩和して、窒化ジルコニウム粉末又は窒化チタン粉末の焼結及び粒成長を防止する。窒化マグネシウム粉末は、比表面積の測定値から球形換算した平均一次粒径で1000nm以下であることが好ましく、粉末の取扱い易さから、平均一次粒径10nm以上500nm以下であることが好ましい。なお、窒化マグネシウムのみではなく、酸化マグネシウムも窒化ジルコニウムの焼結予防に有効であるため、窒化マグネシウムに一部酸化マグネシウムを混合して使用することも可能である。
粉末(B)を作製するために用いられる二酸化チタン粉末としては、例えば、正方晶(アナターゼ型、ルチル型)系二酸化チタン、斜方晶(ブルッカイト型)系二酸化チタン等の二酸化チタンの粉末がいずれも使用可能であるが、窒化チタン粉末の生成率が高くなる観点から、正方晶系二酸化チタン粉末が好ましい。この二酸化チタン粉末は、比表面積の測定値から球形換算した平均一次粒径で70nm以下であることが、BET法により測定される比表面積が10〜90m2/gの窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)を得るために好ましく、粉末の取扱い易さから、平均一次粒径10nm以上60nm以下であることが更に好ましい。
本実施形態の黒色膜形成用混合粉末の製造方法は、窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)とを各別に作製しておき、両粉末を前述した質量比で均一に混合して、窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)の混合粉末を製造する方法である。
この方法では、窒化ジルコニウム粉末(A)は、二酸化ジルコニウム(ZrO2 )、金属マグネシウム(金属Mg)及び窒化マグネシウム(Mg3N2)の各粉末を出発原料として用い、特定の雰囲気下、特定の温度と時間で焼成することにより作製される。
二酸化ジルコニウム粉末に対する金属マグネシウム粉末の添加量の多寡は、後述する雰囲気ガス中のアンモニアガス及び水素ガスの量とともに二酸化ジルコニウムの還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少なすぎると、還元不足で目的とする窒化ジルコニウム粉末が得られにくくなり、多すぎると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。金属マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、金属マグネシウムが二酸化ジルコニウムの2.0〜6.0倍モルの割合になるように、金属マグネシウム粉末を二酸化ジルコニウム粉末に添加して混合する。2.0倍モル未満では、二酸化ジルコニウムの還元力が不足し、6.0倍モルを超えると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。好ましくは3.0〜5.0倍モルである。
窒化マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、窒化マグネシウムが二酸化ジルコニウムの0.3〜3.0倍モルの割合になるように、二酸化ジルコニウムに添加して混合する。0.3倍モル未満では窒化ジルコニウム粉末の焼結防止にならず、3.0倍モルを超えると、焼成後の酸洗浄時に要する酸性溶液の使用量が増加する不具合がある。好ましくは0.4〜2.0倍モルである。
窒化ジルコニウム粉末を生成させるための金属マグネシウムによる還元反応時の温度は、650〜900℃、好ましくは700〜800℃である。650℃は金属マグネシウムの溶融温度であり、温度がそれより低いと、二酸化ジルコニウムの還元反応が十分に生じない。また、温度を900℃より高くしても、その効果は増加せず、熱エネルギーの無駄になるとともに粒子の焼結が進行し好ましくない。また還元反応時間は30〜90分が好ましく、30〜60分が更に好ましい。
金属マグネシウム粉末による還元反応時の雰囲気ガスは、窒素ガス単体であるか、又は窒素ガスと水素ガスの混合ガスであるか、又は窒素ガスとアンモニアガスの混合ガスである。上記還元反応は上記混合ガスの気流中で行われる。混合ガス中の窒素ガスは、金属マグネシウムや還元生成物と酸素との接触を防ぎ、それらの酸化を防ぐとともに、窒素をジルコニウムと反応させ、窒化ジルコニウムを生成させる役割を有する。混合ガス中の水素ガス又はアンモニアガスは、金属マグネシウムとともに、二酸化ジルコニウムを還元させる役割を有する。水素ガスは、上記混合ガス中、0〜40体積%含むことが好ましく、10〜30体積%含むことが更に好ましい。またアンモニアガスは、上記混合ガス中、0〜50体積%含むことが好ましく、0〜40体積%含むことが更に好ましい。この還元力のある雰囲気ガスを使用することにより、最終的に低次酸化ジルコニウム及び低次酸窒化ジルコニウムを含まない窒化ジルコニウム粉末を作製することができる。一方、この範囲より水素ガスの割合、或いはアンモニアガスの割合が高いと還元は進むものの窒素源が少なくなるため、低次酸化ジルコニウム又は低次酸窒化ジルコニウムが生成してしまい、望ましくない。また、水素ガスの割合よりもアンモニアガスの割合が高いのは、ガスの窒化能力が水素よりアンモニアのほうが高いからと考えられる。
二酸化ジルコニウム粉末と、金属マグネシウムと、窒化マグネシウム粉末との混合物を上記混合ガスの雰囲気下で焼成することにより得られた反応物は、反応容器から取り出し、最終的には室温まで冷却した後、塩酸水溶液などの酸溶液で洗浄して、金属マグネシウムの酸化によって生じた酸化マグネシウムや生成物の焼結防止のため反応当初から含まれていた窒化マグネシウムを除去する。この酸洗浄に関しては、pH0.5以上、特にpH1.0以上、温度は90℃以下で行うのが好ましい。これは酸性が強すぎたり、温度が高すぎるとジルコニウムまでが溶出してしまうおそれがあるためである。そして、その酸洗浄後、アンモニア水などでpHを5〜6に調整した後、濾過又は遠心分離により固形分を分離し、その固形分を乾燥した後、粉砕して窒化ジルコニウム粉末(A)を得る。
本実施形態の窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)を作製する方法の一例として、金属マグネシウム粉末を還元剤として用いて、二酸化チタン粉末をこの金属マグネシウム粉末により還元して粉末(B)を作製する方法を説明する。
二酸化チタン粉末に対する金属マグネシウム粉末の添加量の多寡は、後述する雰囲気ガス中のアンモニアガス及び水素ガスの量とともに二酸化チタンの還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少なすぎると、還元不足で目的とする窒化チタン又は酸窒化チタン粉末が得られにくくなり、多すぎると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。金属マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、金属マグネシウムが二酸化チタンの2.0〜6.0倍モルの割合になるように、金属マグネシウム粉末を二酸化チタン粉末に添加して混合する。2.0倍モル未満では、二酸化チタンの還元力が不足し、6.0倍モルを超えると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。好ましくは2.5〜5.0倍モルである。
窒化マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、窒化マグネシウムが二酸化チタンの0.2〜3.0倍モルの割合になるように、二酸化チタンに添加して混合する。0.2倍モル未満では窒化チタン又は酸窒化チタン粉末の焼結防止にならず、3.0倍モルを超えると、焼成後の酸洗浄時に要する酸性溶液の使用量が増加する不具合がある。好ましくは0.3〜2.5倍モルである。
窒化チタン又は酸窒化チタン粉末を生成させるための金属マグネシウムによる還元反応時の温度及び反応時間は、粉末(A)を作製するときと同じである。またこの還元反応を行う際の反応容器は、粉末(A)を作製するときの反応容器と同じである。
粉末(B)を作製するときの金属マグネシウム粉末による還元反応時の雰囲気ガスは、粉末(A)を作製するときの雰囲気ガスと同じである。この還元反応は上記混合ガスの気流中で行われる。混合ガス中の窒素ガスは、金属マグネシウムや還元生成物と酸素との接触を防ぎ、それらの酸化を防ぐとともに、窒素をチタンと反応させ、窒化チタン又は酸窒化チタンを生成させる役割を有する。混合ガス中の水素ガス又はアンモニアガスは、金属マグネシウムとともに、二酸化チタンを還元させる役割を有する。水素ガス及びアンモニアガスの混合ガス中に含まれる割合は、粉末(A)を作製するときと同じである。
二酸化チタン粉末と、金属マグネシウムと、窒化マグネシウム粉末との混合物を上記混合ガスの雰囲気下で焼成することにより得られた反応物の処理は、粉末(A)を作製するときの反応物の処理と同じである。即ち、酸洗浄後、アンモニア水などでpHを5〜6に調整した後、濾過又は遠心分離により固形分を分離し、その固形分を乾燥した後、粉砕して窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)を作製する。
各別に作製された窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)とを例えば、ヘンシェルミキサーを用いて、上述した質量比で秤量した後に、均一に混合して、黒色膜形成用混合粉末を製造する。
得られた混合粉末を黒色顔料として用いた、ブラックマトリックスに代表されるパターニング膜の形成方法について述べる。先ず、上記混合粉末を感光性樹脂に分散して黒色感光性組成物に調製する。次いでこの黒色感光性組成物を基板上に塗布した後、プリベークを行って溶剤を蒸発させて、フォトレジスト膜を形成する。次にこのフォトレジスト膜にフォトマスクを介して所定のパターン形状に露光したのち、アルカリ現像液を用いて現像して、フォトレジスト膜の未露光部を溶解除去し、その後好ましくはポストベークを行うことにより、所定の黒色パターニング膜が形成される。
OD値=−log10(I/I0) (1)
先ず、窒化ジルコニウム粉末(A)の作製例No.A−1〜No.A−13を説明する。作製例No.A−1〜No.A−6は、第2の観点の製造条件を満たす例であり、作製例No.A−7〜No.A−13は、第2の観点の製造条件を満たさない例である。
BET法により測定される比表面積から算出される平均一次粒径が50nmの単斜晶系二酸化ジルコニウム粉末7.4gに、平均一次粒径が150μmの金属マグネシウム粉末7.3gと平均一次粒径が200nmの窒化マグネシウム粉末3.0gを添加し、石英製ガラス管に黒鉛のボートを内装した反応装置により均一に混合した。このとき金属マグネシウムの添加量は二酸化ジルコニウムの5.0倍モル、窒化マグネシウムの添加量は二酸化ジルコニウムの0.5倍モルであった。この混合物を窒素ガスの雰囲気下、700℃の温度で60分間焼成して焼成物を得た。この焼成物を、1リットルの水に分散し、10%塩酸を徐々に添加して、pHを1以上で、温度を100℃以下に保ちながら洗浄した後、25%アンモニア水にてpH7〜8に調整し、濾過した。その濾過固形分を水中に400g/リットルに再分散し、もう一度、前記と同様に酸洗浄、アンモニア水でのpH調整をした後、濾過した。このように酸洗浄−アンモニア水によるpH調整を2回繰り返した後、濾過物をイオン交換水に固形分換算で500g/リットルで分散させ、60℃での加熱攪拌とpH7への調整をした後、吸引濾過装置で濾過し、更に等量のイオン交換水で洗浄し、設定温度;120℃の熱風乾燥機にて乾燥することにより、窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
金属マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの2.0倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
窒化マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの0.3倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
窒化マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの3.0倍モルに変更し、かつ焼成温度を650℃に変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
焼成温度を650℃に変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
焼成温度を900℃に変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
作製例No.A−1に示された方法に準じて、特許文献2の実施例1に示される方法で、微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体を得た。即ち、平均一次粒径が19nmの二酸化ジルコニウム粉末7.2gと、平均一次粒径が20nmの微粒子酸化マグネシウム3.3gを混合粉砕して混合粉体Aを得た。この混合粉体0.5gに平均一次粒径が150μmの金属マグネシウム粉末2.1gを加えて混合し混合粉体Bを得た。このとき金属マグネシウムと酸化マグネシウムの添加量はそれぞれ二酸化ジルコニウムの1.4倍モル及び1.4倍モルであった。この混合粉体Bを窒素ガスの雰囲気下、700℃の温度で60分間焼成した。以下、作製例No.A−1と同様にして、微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体(A)を作製した。
平均一次粒径が40nmの二酸化ジルコニウム粉末7.2gに、平均一次粒径が150μmの金属マグネシウム粉末7.1gと平均一次粒径が200nmの窒化マグネシウム粉末2.9gを添加し、作製例No.A−1と同様に均一に混合した。このとき金属マグネシウムと窒化マグネシウムの添加量はそれぞれ二酸化ジルコニウムの5.0倍モル及び、0.5倍モルであった。雰囲気ガスである反応ガスを窒素ガス100体積%にし、また焼成温度を1000℃、焼成時間を60分にした。それ以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
金属マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの1.5倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
金属マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの6.5倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
窒化マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの0.2倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
窒化マグネシウムの添加量を二酸化ジルコニウムの3.5倍モルに変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製した。
焼成温度を600℃に変更した以外、作製例No.A−1と同一の原料を用いて、作製例No.A−1と同様にして窒化ジルコニウム粉末(A)を作製し得た。
次に、窒化チタン又は酸窒化チタン粉末(B)の作製例No.B−1〜No.B−4を説明する。
BET法により測定される比表面積から算出される平均一次粒径が30nmの二酸化チタン粉末7.2gに、平均一次粒径が150μmの金属マグネシウム粉末11gと平均一次粒径が200nmの窒化マグネシウム粉末4.6gを添加し、石英製ガラス管に黒鉛のボートを内装した反応装置により均一に混合した。このとき金属マグネシウムの添加量は二酸化チタンの5.0倍モル、窒化マグネシウムの添加量は二酸化チタンの0.5倍モルであった。この混合物を窒素ガスの雰囲気下、700℃の温度で60分間焼成して焼成物を得た。この焼成物を、1リットルの水に分散し、10%塩酸を徐々に添加して、pHを1以上で、温度を100℃以下に保ちながら洗浄した後、25%アンモニア水にてpH7〜8に調整し、濾過した。その濾過固形分を水中に400g/リットルに再分散し、もう一度、前記と同様に酸洗浄、アンモニア水でのpH調整をした後、濾過した。このように酸洗浄−アンモニア水によるpH調整を2回繰り返した後、濾過物をイオン交換水に固形分換算で500g/リットルで分散させ、60℃での加熱攪拌とpH7への調整をした後、吸引濾過装置で濾過し、更に等量のイオン交換水で洗浄し、設定温度;120℃の熱風乾燥機にて乾燥することにより、窒化チタン粉末(B−1)を作製した。
BET法により測定される比表面積から算出される平均一次粒径が30nmの二酸化チタン粉末7.2gをアンモニアガスにより900℃で還元反応を行い、黒色の酸窒化チタン粉末を得た。
熱プラズマ法により作製された窒化チタン粉末(日清エンジニアリング社製)を準備した。
熱プラズマ法により作製された窒化チタン粉末(中国Hefei Kei'er Nano Teck社製)を準備した。
実施例1〜15、比較例3〜11で得られた粉末(A)と粉末(B)の混合粉末、比較例1で得られた粉末(B)のみの粉末、比較例2で得られた粉末(A)のみの粉末をそれぞれ試料として、以下に詳述する方法で、(1) X線回折プロファイル、(2) 粉末濃度50ppmの分散液における分光曲線、(3) 400nmの光透過率X、550nmの光透過率Y及び1000nmの光透過率Z及び(4)X/YとZ/Yを測定又は算出した。それぞれの測定結果又は算出結果を表2に示す。表2において、「TiN・TiNO」は窒化チタン又は酸窒化チタンを意味する。
実施例1〜15、比較例1〜11で得られた試料を光透過率の測定に用いた分散液にアクリル樹脂を、質量比で黒色顔料:樹脂=6:4となる割合で添加し混合して黒色感光性組成物を調製した。この組成物をガラス基板上に焼成後の膜厚が1μmになるようにスピンコートし、250℃の温度で60分間焼成して被膜を形成した。この被膜の紫外線(中心波長370nm)及び可視光(中心波長650nm)のOD値を前述した式(1)に基づき、マクベス社製の品名D200の濃度計(densitometer)を用いて、測定した。その結果を表2に示す。表2において、紫外線の透過性を示す尺度として、紫外線(UV)の370nmのOD値が2.0以下を「優」とし、2.0を超え2.5以下を「良」とし、2.5を超える場合を「不良」とした。また可視光の遮光性を示す尺度として、可視光の650nmのOD値が4.5を超える場合を「優」とし、3.8以上4.5以下を「良」とし、3.8未満を「不良」とした。
粉末(A)を作製するために用いられる金属マグネシウム粉末は、粒径が小さ過ぎると、反応が急激に進行して操作上危険性が高くなるので、粒径が篩のメッシュパスで100〜1000μmの粒状のものが好ましく、特に200〜500μmの粒状のものが好ましい。ただし、金属マグネシウムは、すべて上記粒径範囲内になくても、その80質量%以上、特に90質量%以上が上記範囲内にあればよい。
二酸化ジルコニウム粉末に対する金属マグネシウム粉末の添加量の多寡は、後述する雰囲気ガス中のアンモニアガス及び水素ガスの量とともに二酸化ジルコニウムの還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少な過ぎると、還元不足で目的とする窒化ジルコニウム粉末が得られにくくなり、多過ぎると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。金属マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、金属マグネシウムが二酸化ジルコニウムの2.0〜6.0倍モルの割合になるように、金属マグネシウム粉末を二酸化ジルコニウム粉末に添加して混合する。2.0倍モル未満では、二酸化ジルコニウムの還元力が不足し、6.0倍モルを超えると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。好ましくは3.0〜5.0倍モルである。
二酸化ジルコニウム粉末と、金属マグネシウムと、窒化マグネシウム粉末との混合物を上記混合ガスの雰囲気下で焼成することにより得られた反応物は、反応容器から取り出し、最終的には室温まで冷却した後、塩酸水溶液などの酸溶液で洗浄して、金属マグネシウムの酸化によって生じた酸化マグネシウムや生成物の焼結防止のため反応当初から含まれていた窒化マグネシウムを除去する。この酸洗浄に関しては、pH0.5以上、特にpH1.0以上、温度は90℃以下で行うのが好ましい。これは酸性が強過ぎたり、温度が高過ぎるとジルコニウムまでが溶出してしまうおそれがあるためである。そして、その酸洗浄後、アンモニア水などでpHを5〜6に調整した後、濾過又は遠心分離により固形分を分離し、その固形分を乾燥した後、粉砕して窒化ジルコニウム粉末(A)を得る。
二酸化チタン粉末に対する金属マグネシウム粉末の添加量の多寡は、後述する雰囲気ガス中のアンモニアガス及び水素ガスの量とともに二酸化チタンの還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少な過ぎると、還元不足で目的とする窒化チタン又は酸窒化チタン粉末が得られにくくなり、多過ぎると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。金属マグネシウム粉末は、その粒径の大きさによって、金属マグネシウムが二酸化チタンの2.0〜6.0倍モルの割合になるように、金属マグネシウム粉末を二酸化チタン粉末に添加して混合する。2.0倍モル未満では、二酸化チタンの還元力が不足し、6.0倍モルを超えると、過剰な金属マグネシウムにより反応温度が急激に上昇し、粉末の粒成長を引き起こす恐れがあるとともに不経済となる。好ましくは2.5〜5.0倍モルである。
実施例1〜15、比較例1〜11で得られた試料を光透過率の測定に用いた分散液にアクリル樹脂を、質量比で黒色顔料:樹脂=6:4となる割合で添加し混合して黒色感光性組成物を調製した。この組成物をガラス基板上に焼成後の膜厚が1μmになるようにスピンコートし、250℃の温度で60分間焼成して被膜を形成した。この被膜の紫外線(中心波長370nm)及び可視光(中心波長650nm)のOD値を前述した式(1)に基づき、マクベス社製の品名D200の濃度計(densitometer)を用いて測定した。その結果を表2に示す。表2において、紫外線の透過性を示す尺度として、紫外線(UV)の370nmのOD値が2.0以下を「優」とし、2.0を超え2.5以下を「良」とし、2.5を超える場合を「不良」とした。また可視光の遮光性を示す尺度として、可視光の650nmのOD値が4.5を超える場合を「優」とし、3.8以上4.5以下を「良」とし、3.8未満を「不良」とした。
Claims (4)
- 窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)とを含み、前記窒化ジルコニウム粉末(A)と前記窒化チタン粉末又は前記酸窒化チタン粉末(B)の含有割合は、質量比(A:B)で(90:10)〜(25:75)の範囲にあり、
前記窒化ジルコニウム粉末がX線回折プロファイルにおいて、窒化ジルコニウムのピークを有する一方、二酸化ジルコニウムのピーク、低次酸化ジルコニウムのピーク及び低次酸窒化ジルコニウムのピークを有さず、
前記混合粉末を分散液に濃度50ppmで分散した分散液スペクトルにおいて、波長400nmの光透過率をX、波長550nmの光透過率をY、波長1000nmの光透過率をZとするとき、X>10%、Y<10%、Z<16%であって、かつX/Yが1.25以上で、Z/Yが2.0以下であることを特徴とする黒色膜形成用混合粉末。 - 二酸化ジルコニウム粉末と、金属マグネシウム粉末と、窒化マグネシウム粉末とを、金属マグネシウムが二酸化ジルコニウムの2.0〜6.0倍モルの割合になるように、かつ窒化マグネシウムが二酸化ジルコニウムの0.3〜3.0倍モルの割合になるように混合して第1混合物を得た後、前記第1混合物を窒素ガス雰囲気下、650〜900℃の温度で焼成することにより、前記二酸化ジルコニウム粉末を還元して、二酸化ジルコニウム、低次酸化ジルコニウム及び低次酸窒化ジルコニウムを含有しない窒化ジルコニウム粉末(A)を作製し、
前記作製した窒化ジルコニウム粉末(A)と窒化チタン粉末又は酸窒化チタン粉末(B)とを、質量比(A:B)で(90:10)〜(25:75)の範囲に混合することを特徴とする黒色膜形成用混合粉末の製造方法。 - 請求項1記載の黒色膜形成用混合粉末又は請求項2記載された方法により製造された黒色膜形成用混合粉末を黒色顔料として含む黒色感光性組成物。
- 請求項3記載の黒色感光性組成物を用いて黒色パターニング膜を形成する方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020180036A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 黒色材料及びその製造方法、黒色感光性組成物及びその製造方法、並びに黒色パターニング膜及びその形成方法 |
JPWO2019124100A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2020-12-03 | 日清エンジニアリング株式会社 | 複合粒子および複合粒子の製造方法 |
JPWO2021024928A1 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | ||
CN114507073A (zh) * | 2020-11-16 | 2022-05-17 | 三菱综合材料电子化成株式会社 | 氮化锆粉末及其制备方法 |
WO2023210489A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 東レ株式会社 | 黒色樹脂組成物、ブラックマトリックス基板および表示装置 |
WO2024122478A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン組成物、及びその硬化物 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019059359A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2020-09-03 | 東レ株式会社 | 着色樹脂組成物、着色膜、カラーフィルターおよび液晶表示装置 |
JP6971834B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2021-11-24 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 黒色遮光膜形成用粉末及びその製造方法 |
JP7141885B2 (ja) * | 2018-08-03 | 2022-09-26 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 表面処理された窒化ジルコニウム粉末及びその表面処理方法 |
KR20220011112A (ko) * | 2019-05-20 | 2022-01-27 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 프리프레그, 지지체가 형성된 레진 시트, 금속박 피복 적층판, 및 프린트 배선판 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11263639A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 熱線遮蔽膜形成用塗布液及び熱線遮蔽膜 |
JP2000143985A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-26 | Toray Ind Inc | 黒色被覆組成物、樹脂ブラックマトリックス、カラ―フィルタ―および液晶表示装置 |
JP2001106525A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Otsuka Chem Co Ltd | 金属窒化物含有粉末の製造方法 |
JP2004142177A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体および平版印刷版原版 |
WO2012133148A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 東レ株式会社 | 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリックス基板およびタッチパネル |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE759202A (fr) * | 1969-11-21 | 1971-04-30 | Du Pont | Articles de joaillerie a base de nitrures |
JPS60186407A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-21 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 窒化ジルコニウム微粉末の製造法 |
JP2513469B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1996-07-03 | 新技術事業団 | 高圧アンモニア法による窒化ジルコニウム微粉末の製造方法 |
GB8809651D0 (en) * | 1988-04-23 | 1988-05-25 | Tioxide Group Plc | Nitrogen compounds |
US5279808A (en) * | 1992-12-17 | 1994-01-18 | United Technologies Corporation | Metal nitride powders |
DE19749082A1 (de) * | 1997-11-06 | 1999-05-12 | Bayer Ag | Nanoskalige anorganische Pigmente enthaltende Ink-Jet-Tinten |
US7491349B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | Black titanium oxynitride |
EP2378597A1 (en) * | 2005-11-21 | 2011-10-19 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
US7776303B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-08-17 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of ultrafine metal carbide particles utilizing polymeric feed materials |
JP4915664B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2012-04-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 高抵抗黒色粉末およびその分散液、塗料、黒色膜 |
JP4931011B2 (ja) | 2007-10-10 | 2012-05-16 | テイカ株式会社 | 微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体およびその製造方法 |
EP2228855B1 (en) * | 2009-03-12 | 2014-02-26 | Belenos Clean Power Holding AG | Open porous electrically conductive nanocomposite material |
TWI483999B (zh) * | 2009-06-15 | 2015-05-11 | Toray Industries | 黑色複合微粒子、黑色樹脂組成物、彩色濾光片基板及液晶顯示裝置 |
TWI516450B (zh) * | 2009-10-19 | 2016-01-11 | 富士軟片股份有限公司 | 鈦黑分散物、感光性樹脂組成物、晶圓級透鏡、遮光膜及其製造方法、以及固態攝像元件 |
JP5747476B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-07-15 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | チタン系黒色粉末とその製造方法および用途 |
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016226586A patent/JP6667422B2/ja active Active
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11263639A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 熱線遮蔽膜形成用塗布液及び熱線遮蔽膜 |
JP2000143985A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-26 | Toray Ind Inc | 黒色被覆組成物、樹脂ブラックマトリックス、カラ―フィルタ―および液晶表示装置 |
JP2001106525A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Otsuka Chem Co Ltd | 金属窒化物含有粉末の製造方法 |
JP2004142177A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体および平版印刷版原版 |
WO2012133148A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 東レ株式会社 | 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリックス基板およびタッチパネル |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CHAU J.L.H. AND KAO C.C.: "Microwave plasma synthesis of TiN and ZrN nanopowders", MATERIALS LETTERS, vol. 61, JPN6017045351, 22 August 2006 (2006-08-22), pages 1583 - 1587, ISSN: 0004152310 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019124100A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2020-12-03 | 日清エンジニアリング株式会社 | 複合粒子および複合粒子の製造方法 |
JP2020180036A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 黒色材料及びその製造方法、黒色感光性組成物及びその製造方法、並びに黒色パターニング膜及びその形成方法 |
WO2021171703A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2021-09-02 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | 黒色材料及びその製造方法、黒色感光性組成物及びその製造方法、並びに黒色パターニング膜及びその形成方法 |
KR20220145830A (ko) * | 2019-04-24 | 2022-10-31 | 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 | 흑색 재료 및 그 제조 방법, 흑색 감광성 조성물 및 그 제조 방법, 그리고 흑색 패터닝막 및 그 형성 방법 |
KR102801142B1 (ko) | 2019-04-24 | 2025-04-25 | 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 | 흑색 재료 및 그 제조 방법, 흑색 감광성 조성물 및 그 제조 방법, 그리고 흑색 패터닝막 및 그 형성 방법 |
JPWO2021024928A1 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | ||
WO2021024928A1 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | 日産化学株式会社 | 樹脂組成物 |
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CN114507073A (zh) * | 2020-11-16 | 2022-05-17 | 三菱综合材料电子化成株式会社 | 氮化锆粉末及其制备方法 |
WO2023210489A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 東レ株式会社 | 黒色樹脂組成物、ブラックマトリックス基板および表示装置 |
WO2024122478A1 (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン組成物、及びその硬化物 |
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