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CN114507073A - 氮化锆粉末及其制备方法 - Google Patents

氮化锆粉末及其制备方法 Download PDF

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CN114507073A
CN114507073A CN202011277829.8A CN202011277829A CN114507073A CN 114507073 A CN114507073 A CN 114507073A CN 202011277829 A CN202011277829 A CN 202011277829A CN 114507073 A CN114507073 A CN 114507073A
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CN
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zirconium nitride
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nitride powder
dispersion
black
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CN202011277829.8A
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影山谦介
小西隆史
相场直幸
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Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co Ltd
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Abstract

本发明的课题是在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。本发明的氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上，并且在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下。另外，可将上述氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体或环氧单体中来制备单体分散体。此外，可将上述氮化锆粉末作为黑色颜料分散在分散媒质中并且混合树脂来制备黑色组合物。

Description

氮化锆粉末及其制备方法
技术领域
本发明涉及适合用作具有高紫外线透射率和高黑色度、并且具有高绝缘性的黑色颜料的氮化锆粉末及其制备方法。
背景技术
以往，公开了一种氮化锆粉末，所述氮化锆粉末通过BET法测定的比表面积为20m2/g~90m2/g，在X射线衍射图中具有氮化锆的峰，而不具有二氧化锆的峰和低价氧化锆的峰(例如参照专利文献1 (权利要求1、段落[0016]))。该氮化锆粉末在该粉末浓度为50ppm的分散液透射光谱中，370nm的光透射率X至少为18%，550nm的光透射率Y为12%以下，550nm的光透射率Y与370nm的光透射率X之比(X/Y)为2.5以上。
这样构成的氮化锆粉末由于比表面积为20m2/g以上，所以在制成抗蚀剂的情况下有抑制沉降的效果，另外由于为90m2/g以下，所以有具有充分的遮光性的效果。另外，由于在X射线衍射图中具有氮化锆的峰，而不具有二氧化锆的峰、低价氧化锆的峰和低价氧氮化锆的峰，所以具有在粉末浓度为50ppm的分散液透射光谱中370nm的光透射率X至少为18%，550nm的光透射率Y为12%以下的特征，另外具有X/Y为2.5以上的特征。由于X/Y为2.5以上，所以有更多地透射紫外线的特点。因此，在作为黑色颜料形成黑色图案化膜时可形成高分辨率的图案化膜，而且所形成的图案化膜具有高遮光性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-222559号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
就上述专利文献1所示的氮化锆粉末而言，若将氮化锆粗粉末分散在分散媒质中，并使用珠磨机(介质：氧化锆)等提高分散性，则虽然可得到高绝缘性，但若将该氮化锆粉末直接捏合到高粘度的树脂糊料中，则氮化锆粗粉末残留，分散性不足。因此，在将氮化锆粉末用作黑色颜料时，在黑色涂料的着色力降低的同时，有电阻值因氮化锆粗粉末的残留而降低的不良情况。另外，若将上述氮化锆粗粉末用干式粉碎机等强制粉碎，则粉末直径变小，并且引起粉末表面的氧化反应，因此，虽然绝缘性提高，但有黑色涂料的黑色度降低的问题。
本发明的第1目的在于，提供在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性的氮化锆粉末及其制备方法。本发明的第2目的在于，提供通过低温湿式介质粉碎或通过利用发热量少的喷射磨机的粉碎，制备可维持高黑色度的氮化锆粉末的方法。本发明的第3目的在于，提供通过在惰性气体气氛中进行焙烧，制备可提高黑色膜的绝缘性的氮化锆粉末的方法。
解决课题的手段
本发明的第1观点为氮化锆粉末，所述氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上，并且在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下。
本发明的第2观点为氮化锆粉末的制备方法，所述制备方法包括：通过热剂法或等离子体合成法生成氮化锆粗粉末的工序；通过将该氮化锆粗粉末在10℃以下的分散媒质温度下进行低温湿式介质粉碎或在0.3MPa以上的气压下进行喷射磨机粉碎，制作氮化锆前体粉末的工序，所述氮化锆前体粉末在用水或碳原子数在3~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下；和通过将该粉碎的氮化锆前体粉末在惰性气体气氛中进行焙烧，制备氮化锆粉末的工序，所述氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上。
本发明的第3观点为单体分散体，所述单体分散体是将根据第1观点所述的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体(acrylic monomer)或环氧单体中而得到的。
本发明的第4观点为黑色组合物，所述黑色组合物是将根据第1观点所述的氮化锆粉末作为黑色颜料分散在分散媒质中并且混合树脂而得到的。
本发明的第5观点为黑色膜的制作方法，所述制作方法包括：将根据第3观点所述的单体分散体涂布在基板上而形成涂膜的工序，和使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜的工序。
本发明的第6观点为黑色膜的制作方法，所述制作方法包括：将根据第4观点所述的黑色组合物涂布在基板上而形成涂膜的工序，和使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜的工序。
发明的效果
由于本发明的第1观点的氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上，所以制作厚度为10μm~100μm左右的黑色厚膜时的绝缘性可提高。另外，由于氮化锆粉末在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下，所以可得到不存在氮化锆粗粉末的良好的分散体或分散液。由此，由使用了上述氮化锆粉末的分散体或分散液制作的黑色膜在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。
在本发明的第2观点的氮化锆粉末的制备方法中，若将氮化锆粗粉末在10℃以下的分散媒质温度下进行低温湿式介质粉碎，则发热量少，因此不会进行氮化锆的表面氧化，可维持高黑色度。另外，若将氮化锆粗粉末在0.3MPa以上的气压下进行喷射磨机粉碎，则氮化锆粗粉末不残留，可提高黑色膜的绝缘性。此外，通过将上述粉碎的氮化锆前体粉末在惰性气体气氛中进行焙烧，可提高黑色膜的绝缘性。
由于本发明的第3观点的单体分散体是将本发明的第1观点的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体或环氧单体中而得到的，所以即使这些单体的粘度较高，也可保持氮化锆粉末相对于上述单体的分散性良好。由此，使用单体分散体而得到的黑色膜在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。
由于本发明的第4观点的黑色组合物是将本发明的第1观点的氮化锆粉末作为黑色颜料分散在分散媒质中并且混合树脂而得到的，所以氮化锆粉末均匀地分散在分散媒质中。由此，使用黑色组合物而得到的黑色膜在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。
在本发明的第5观点的黑色膜的制作方法中，由于在将上述单体分散体涂布在基板上而形成涂膜后，使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜，所以黑色膜在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。
在本发明的第6观点的黑色膜的制作方法中，由于在将上述黑色组合物涂布在基板上而形成涂膜后，使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜，所以黑色膜在可得到高绝缘性和高黑色度的同时，具有高绝缘性。
具体实施方式
接下来，对实施本发明的方式进行说明。本实施方式的氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上，优选为108Ω·cm以上，并且在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下，优选为8μm以下。在这里，将上述体电阻率限定为107Ω·cm以上的原因在于，若低于107Ω·cm，则使用氮化锆粉末制作厚度为1μm~100μm左右的黑色厚膜时的绝缘性会降低。另外，将上述粒度分布D90限定为10μm以下的原因在于，若超过10μm，则氮化锆粗粉末残留，得不到良好的分散体和黑色膜。
上述体电阻率例如使用三菱化学公司制的低电阻率计Loresta-GP (型号：UV-3101PC)，通过四端子四探针法测定。该四端子四探针法是指，在试样(压坯)的表面上将4根针状电极隔开规定的间隔放置在一条直线上，在外侧的2根针状电极间流过一定的电流，测定在内侧的2根针状电极间产生的电位差，由此求得体电阻率的方法。
另外，氮化锆粉末为一次粒子凝聚而成的二次粒子的状态，是通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布。在这里，基于激光衍射散射法的体积基准的粒度分布的测定如下进行。首先，将0.1g的氮化锆粉末(二次粒子)投入到20g的离子交换水中，照射5分钟的25kHz的超声波，使氮化锆粉末分散在离子交换水中。接着，将得到的氮化锆粉末的分散液适量滴加到激光衍射散射式粒度分布测定装置(堀场制作所制商品名：LA-300)的观察池中，依据该装置的程序测定粒度分布。通过该激光衍射散射法测定的粒度分布为氮化锆粉末的一次粒子凝聚而成的二次粒子的粒度分布。需说明的是，代替离子交换水，也可使用碳原子数在2~5的范围内的醇。作为碳原子数为2的醇，可列举出乙醇；作为碳原子数为3的醇，可列举出1-丙醇、2-丙醇等；作为碳原子数为4的醇，可列举出1-丁醇、2-丁醇等；作为碳原子数为5的醇，可列举出1-戊醇、2-戊醇等。需说明的是，若碳原子数为1以下，则有挥发性高从而测定值不稳定的不良情况；若碳原子数为6以上，则有亲和性不足从而测定值不稳定的不良情况。
对这样构成的氮化锆粉末的制备方法进行说明。首先，通过热剂法或等离子体合成法生成氮化锆粗粉末。在本说明书中，热剂法(thermit method)指在金属镁的存在下使氧化锆粉末与N2气(氮气)反应而还原的方法。在该实施方式中，作为氧化锆粉末，使用二氧化锆(ZrO2)粉末或被覆有二氧化硅的二氧化锆(ZrO2)粉末。另外，在金属镁粉末中添加氮化镁(Mg3N2)粉末。将这些粉末作为起始原料，在特定的气氛下，以特定的温度和时间进行焙烧，由此生成通过BET法测定的比表面积为20m2/g~90m2/g的氮化锆粗粉末。
[二氧化锆粉末]
作为二氧化锆粉末，例如单斜晶系二氧化锆、立方晶系二氧化锆、钇稳定化二氧化锆等二氧化锆的粉末均可使用，从氮化锆粉末的生成率升高的观点出发，优选单斜晶系二氧化锆粉末。另外，为了得到通过BET法测定的比表面积为20m2/g~90m2/g的氮化锆粗粉末，以由比表面积的测定值进行球形换算而得的平均一次粒径计，二氧化锆粉末或被覆有二氧化硅的二氧化锆粉末的各自平均一次粒径和氧化镁粉末的平均一次粒径优选为500nm以下，且从粉末的易处理性出发，以平均一次粒径计，优选为500nm以下且10nm以上。
[被覆有二氧化硅的二氧化锆粉末]
被覆有二氧化硅的二氧化锆粉末是将二氧化锆粉末和硅酸酯溶胶凝胶液混合而制备浆料，将该浆料干燥并粉碎而得到的。关于二氧化锆与硅酸酯溶胶凝胶液的混合比例，以质量比计，优选二氧化锆:硅酸酯溶胶凝胶液的二氧化硅量为(90.0~99.5):(10.0~0.5)。若二氧化硅量低于下限值，则二氧化锆表面的二氧化硅被覆率过低；若二氧化硅量超过上限值，则在使用得到的氮化锆粉末形成图案化膜时有遮光性不足的不良情况。
为了将二氧化锆均匀地混合到溶胶凝胶液中，优选将二氧化锆粉末加入到水、醇等分散液中并混合后，将该混合液添加混合到硅酸酯溶胶凝胶液中。硅酸酯溶胶凝胶液优选将硅酸甲酯、硅酸乙酯等硅酸酯溶解在水、醇等溶剂中而得到的液体。关于二氧化锆与溶胶凝胶液的混合比例，可按照使得到的浆料的固体成分浓度以固体成分计为10质量%~50质量%的方式来确定。将得到的浆料在大气中或真空气氛下在60℃~350℃的温度下干燥1分钟~360分钟，得到被覆有二氧化硅的二氧化锆粉末。
通过在起始原料中使用被覆有二氧化硅的二氧化锆粉末，在焙烧时可抑制晶粒生长，可得到通过BET法测定的比表面积为20m2/g~90m2/g的更微细的氮化锆粉末。此时，氮化锆粉末以10.0质量%以下、优选9.0质量%以下的比例含有氧化硅和/或氮化硅。若超过10.0质量%，则在使用得到的氮化锆粉末形成图案化膜时有遮光性不足的不良情况。
[金属镁粉末]
若金属镁粉末的粒径过小，则反应急剧进行，从而操作上的危险性升高，因此金属镁粉末优选粒径以通过筛的筛目(mesh pass)计为100μm~1000μm的粒状的粉末，特别优选200μm~500μm的粒状的粉末。但是，金属镁即使不全部在上述粒径范围内，只要其80质量%以上、特别是90质量%以上在上述范围内也可。
金属镁粉末相对于二氧化锆粉末的添加量的多寡与后述气氛气体中的氨气和氢气的量一起对二氧化锆的还原力产生影响。若金属镁的量过少，则还原不足，从而难以得到目标氮化锆粉末；若过多，则反应温度因过剩的金属镁而急剧上升，从而有引起粉末的晶粒生长的可能，并且变得不经济。金属镁粉末根据其粒径的大小，以使金属镁为二氧化锆的2.0倍摩尔~6.0倍摩尔的比例的方式，将金属镁粉末添加到二氧化锆粉末中并混合。若低于2.0倍摩尔，则二氧化锆的还原反应不充分，若超过6.0倍摩尔，则反应温度因过剩的金属镁而急剧上升，从而有引起粉末的晶粒生长的可能，并且变得不经济。
[氮化镁粉末]
氮化镁粉末在焙烧时被覆氮化锆表面，从而缓和金属镁的还原力，以防止氮化锆粉末的烧结和晶粒生长。氮化镁粉末根据其粒径的大小，以使氮化镁为二氧化锆的0.3倍摩尔~3.0倍摩尔的比例的方式，添加到二氧化锆中并混合。若低于0.3倍摩尔，则无法防止氮化锆粉末的烧结；若超过3.0倍摩尔，则有在焙烧后的酸清洗时所需要的酸性溶液的使用量增加的不良情况。优选为0.4倍摩尔~2.0倍摩尔。关于氮化镁粉末，以由比表面积的测定值进行球形换算而得的平均一次粒径计，优选为1000nm以下；从粉末的易处理性出发，以平均一次粒径计，优选为10nm以上且500nm以下。需说明的是，不只是氮化镁，氧化镁也对预防氮化锆的烧结有效，因此也可在氮化镁中混合一部分氧化镁来使用。
[利用金属镁粉末的还原反应]
用于生成氮化锆粗粉末的利用金属镁的还原反应时的温度为650℃~900℃，优选为700℃~800℃。650℃是金属镁的熔化温度，若温度比该温度低，则二氧化锆的还原反应不会充分发生。另外，即使温度高于900℃，其效果也不会增加，在导致热能浪费的同时会进行粉末的烧结，从而不优选。另外，还原反应时间优选30分钟~90分钟，进一步优选30分钟~60分钟。
进行上述还原反应时的反应容器优选具有盖子的容器，以使反应时原料和产物不会飞散。其原因在于，若金属镁开始熔化，则还原反应急剧进行，温度随之上升，容器内部的气体膨胀，由此，容器内部的物质有飞散到外部的可能。
[利用金属镁粉末的还原反应时的气氛气体]
气氛气体为氮气单质、或氮气与氢气的混合气体、或氮气与氨气的混合气体。上述还原反应在上述混合气体的气流中进行。混合气体中的氮气具有防止金属镁或还原产物与氧的接触、从而防止它们氧化，同时使氮与锆反应而生成氮化锆的作用。混合气体中的氢气或氨气具有与金属镁一起还原二氧化锆的作用。在上述混合气体中优选含有0体积%~40体积%氢气，进一步优选含有10体积%~30体积%氢气。另外，在上述混合气体中优选含有0体积%~50体积%氨气，进一步优选含有0体积%~40体积%氨气。通过使用该具有还原力的气氛气体，最终可制备不含有低价氧化锆和低价氧氮化锆的氮化锆粉末。另一方面，若氢气的比例或氮气的比例比该范围高，则虽然进行还原，但氮源变少，因此会生成低价氧化锆或低价氧氮化锆，从而不优选。另外，认为氨气的比例比氢气的比例高是因为氨的气体氮化能力比氢高。
另一方面，利用等离子体合成法生成氮化锆粗粉末的方法是将金属锆粉末引入到等离子体纳米粒子制备装置中，在N2气气氛中得到氮化锆纳米粒子的方法。关于通过该方法合成的氮化锆，可得到20m2/g~90m2/g的通过BET法测定的比表面积的氮化锆，但有作为原料的金属锆的燃烧性高的危险和成本升高的缺点。需说明的是，由于通过等离子体合成法生成的纳米粒子会因冷却过程、产品取出过程中的急剧的表面氧化、附着、凝聚等而粗大化，从而成为粗粉末，因此通过等离子体合成法生成的氮化锆也作为氮化锆粗粉末。
接着，通过将该氮化锆粗粉末在10℃以下的分散媒质温度下进行低温湿式介质粉碎或在0.3MPa以上的气压下进行喷射磨机粉碎，制作氮化锆前体粉末，所述氮化锆前体粉末在用水或碳原子数在3~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下。需说明的是，该氮化锆前体粉末的通过BET法测定的比表面积为22m2/g~120m2/g。
上述低温湿式介质粉碎法是指，将氮化锆粗粉末分散在离子交换水或碳原子数为2~5的醇等分散媒质中，在保持分散媒质温度为10℃以下的状态下，使用平均粒径为50μm~500μm的氧化锆、氧化铝、玻璃、聚氨酯树脂等介质的珠磨机粉碎法。在这里，保持分散媒质温度为10℃以下的原因在于，若超过10℃，则会进行氮化锆前体粉末的粉碎，后述黑色膜的OD值会降低。需说明的是，为了保持分散媒质温度为10℃以下，可使用液态氮作为分散媒质，或使用干冰珠作为介质。另外，若用上述低温湿式介质粉碎法粉碎氮化锆粗粉末，则发热量少，因此不会进行氮化锆的表面氧化，而可维持高黑色度。
另外，气压为0.3MPa以上的喷射磨机粉碎是指，将从喷嘴喷射的0.3MPa以上的高压的空气、氮等惰性气体或蒸气以超高速射流的形式与粉末碰撞，通过粉末彼此的冲击而使之粉碎至数μm水平的微粉末的装置，喷射的空气或蒸气达到音速左右。作为喷射磨机的特征，可列举出：因喷射的气体绝热膨胀而降低温度，因此可在低温下粉碎；从而即使是本发明中的氮化锆这样的还原性物质，氧化也可得到抑制。在这里，将上述气压限定为0.3MPa以上的原因在于，若低于0.3MPa，则氮化锆粗粉末会残留。需说明的是，若用上述喷射磨机粉碎法粉碎氮化锆粗粉末，则氮化锆粗粉末不会残留，可提高黑色膜的绝缘性。
此外，通过将该粉碎的氮化锆前体粉末在惰性气体气氛中进行焙烧，制备在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上的氮化锆粉末。作为惰性气体，可列举出N2气、氦气、氩气等。上述焙烧温度优选在250℃~550℃的范围内，焙烧时间优选在1小时~5小时的范围内。在这里，将优选的焙烧温度限定在250℃~550℃的范围内的原因在于，若低于250℃，则电阻值的上升不充分，而若超过550℃，则会进行粉末彼此的熔合，粗粉末会增加。另外，将优选的焙烧时间限定在1小时~5小时的范围内的原因在于，若低于1小时，则电阻值的上升不充分，而即使超过5小时，效果也不会改变，从而不经济。需说明的是，通过将氮化锆前体粉末在惰性气体气氛中焙烧，可提高黑色膜的绝缘性。通过在惰性气体气氛中进行焙烧而提高黑色膜的绝缘性的详细机制不明确，但推测是氮化锆的粗粉末消失从而粉末的均匀性变好，接触点减少，或在黑色膜的表面形成极薄的绝缘层所导致的。
将上述氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体或环氧单体中来制备单体分散体。该单体分散体可用于分散含有无机粉末的树脂组合物、树脂成型体等用途。另外，上述单体分散体还可含有金属氧化物粉末，还可含有增塑剂。作为增塑剂，无特殊限定，例如可列举出磷酸三丁酯、磷酸2-乙基己酯等磷酸酯系增塑剂，邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二丁酯等邻苯二甲酸酯系增塑剂，油酸丁酯、甘油单油酸酯等脂族一元酸酯系增塑剂，己二酸二丁酯、癸二酸二-2-乙基己酯等脂族二元酸酯系增塑剂，二甘醇二苯甲酸酯、三甘醇二-2-乙基丁酸酯等二元醇酯系增塑剂，乙酰基蓖麻油酸甲酯、乙酰基柠檬酸三丁酯等含氧酸酯系增塑剂等以往公知的增塑剂。此外，在单体分散体中还可添加其它的单体。作为其它的单体，无特殊限定，例如可列举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系单体，苯乙烯、乙烯基甲苯、二乙烯基苯等苯乙烯系单体，氯乙烯、乙酸乙烯酯等乙酰基系单体，氨基甲酸酯丙烯酸酯等氨基甲酸酯系单体，上述各种多元醇类等以往公知的单体。需说明的是，考虑氮化锆粉末的分散性，单体分散体的粘度优选设定在10Pa·s~1000mPa·s（10mPa·s~1000mPa·s）的范围内。向单体中的分散也可与向溶剂中的分散同样地使用利用粉碎介质的研磨方式。另外，虽然不是必需成分，但为了进一步提高分散性，也可使用高分子分散剂。高分子分散剂的分子量为数千~数万是有效的，另外，作为吸附在颜料上的官能团，可列举出仲胺、叔胺、羧酸、磷酸、磷酸酯等，特别是叔胺、羧酸是有效的。代替高分子分散剂，添加少量的硅烷偶联剂对提高分散性也是有效的。另一方面，也可在实施行星搅拌后，通过数次三辊而得到分散液。另一方面，制备将氮化锆粉末作为黑色颜料分散在分散媒质中并且混合树脂而得到的黑色组合物。作为该上述分散媒质，可列举出丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、甲乙酮(MEK)、乙酸丁酯(BA)等。另外，作为上述树脂，可列举出丙烯酸类树脂、环氧树脂等。对于溶剂系分散，与单体分散同样地添加高分子分散剂是有效的，且与单体分散同样，分子量为数千至数万是有效的，作为官能团，叔胺、羧酸是有效的。
接着，对使用上述单体分散体来制作黑色膜的方法进行说明。首先，在单体分散体中加入光聚合引发剂后，将该单体分散体涂布在基板上而形成涂膜。接着，使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜。作为上述基板，例如可列举出玻璃、硅树脂、聚碳酸酯、聚酯、芳族聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰亚胺等。另外，对于上述基板，也可根据需要预先实施利用硅烷偶联剂等的化学品处理、等离子体处理、离子镀、溅射、气相反应法、真空蒸镀等适宜的前处理。在将单体分散体涂布在基板上时，可采用旋转涂布、流延涂布、辊涂等适宜的涂布法。
为了使上述涂膜热固化，优选在大气中在80℃~250℃的温度下保持5分钟~60分钟。在这里，将涂膜的热固化温度限定在80℃~250℃的范围内的原因在于，若低于80℃，则涂膜未充分固化，而若超过250℃，则基板会软化。另外，将涂膜的热固化时间限定在5分钟~60分钟的范围内的原因在于，若低于5分钟，则涂膜未充分固化，而若超过60分钟，则需要超出必要的时间从而不经济。另一方面，为了使上述涂膜紫外线固化，预先在单体分散体中添加Irgacure 184 (BASF公司制)、Irgacure 250 (BASF公司制)、Irgacure 270 (BASF公司制)、Irgacure 369 (BASF公司制)、Irgacure 500 (BASF公司制)、Irgacure 907 (BASF公司制)、ADEKA OPTOMER N-1919 (ADEKA公司制)等通过紫外线裂解的光聚合引发剂。然后，将添加有该光聚合引发剂的单体分散体涂布在基板上后，进行预烘焙而使溶剂蒸发，从而形成光致抗蚀剂膜。接着，在该光致抗蚀剂膜上经由光掩模曝光成规定的图案形状后，使用碱显影液进行显影，并溶解除去光致抗蚀剂膜的未曝光部，然后优选进行后烘焙，由此形成规定的黑色膜。
固化后的黑色膜的膜厚优选在0.1μm~100μm的范围内。特别适合于制作膜厚为10μm~100μm的厚的黑色膜。另外，黑色膜的OD(光密度，Optical Density)值是作为表示使用氮化锆粉末的黑色膜的遮光性(透射率的衰减)的指标的光学密度。具体而言，OD值是用对数表示光通过黑色膜时被吸收的程度的值，用以下式(1)定义。在式(1)中，I为透射光量，I0为入射光量。
OD值=-log10(I/I0) …………(1)
此外，为了确保高遮光性，上述黑色膜的OD值优选为2.0以上，且为了确保高绝缘性，黑色膜的体电阻率优选为1×1013Ω·cm以上。
对使用上述黑色组合物来制作黑色膜的方法进行说明。首先，将黑色组合物涂布在基板上以形成涂膜。接着，使该涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜。由于使用该黑色组合物的黑色膜的制作方法与使用上述单体分散体的黑色膜的制作方法大致相同，所以省略重复的说明。
实施例
接下来，将本发明的实施例与比较例一起详细地说明。
<实施例1>
首先，通过热剂法制作氮化锆粗粉末。具体而言，在7.4g的由通过BET法测定的比表面积计算的平均一次粒径为50nm的单斜晶系二氧化锆粉末中，添加7.3g的平均一次粒径为150μm的金属镁粉末和3.0g的平均一次粒径为200nm的氮化镁粉末，利用在石英制玻璃管中内装有石墨舟的反应装置均匀地混合。此时，金属镁的添加量为二氧化锆的5.0倍摩尔，氮化镁的添加量为二氧化锆的0.5倍摩尔。将该混合物在氮气气氛下在700℃的温度下焙烧60分钟而得到焙烧物。将该焙烧物分散在1升的水中，缓慢地添加10%盐酸，在pH为1以上、温度保持在100℃以下的同时进行清洗，然后用25%氨水调整至pH7~pH8，过滤。将该过滤固体成分在水中再分散成400g/升，再次与上述相同地进行酸清洗，用氨水进行pH调整后，过滤。这样将酸清洗-利用氨水的pH调整重复2次后，将过滤物以固体成分换算为500g/升地分散在离子交换水中，在60℃下加热搅拌并调整为pH7后，用抽滤装置过滤，进而用等量的离子交换水清洗，用设定温度：120℃的热风干燥机进行干燥，由此得到氮化锆粗粉末。
接着，将20g的上述氮化锆粗粉末分散在5升的异丙醇中，进行60分钟的低温湿式介质粉碎(介质：氧化铝)，得到氮化锆前体粉末。此时的异丙醇(分散媒质)的温度为5℃以下。进而使上述氮化锆前体粉末干燥后，在N2气气氛中在350℃的温度下保持4小时来进行焙烧，得到氮化锆粉末。将该氮化锆粉末作为实施例1。
<实施例2~12和比较例1~10>
关于实施例2~12和比较例1~10的氮化锆粉末，用表1所示的方法分别生成氮化锆粗粉末，分别粉碎，进而分别焙烧。需说明的是，除了表1所示的生成方法、粉碎方法和焙烧方法以外，与实施例1相同地制作氮化锆粉末。需说明的是，在表1的氮化锆粗粉末的生成方法的栏中，“TM”为热剂法，“PZ”为等离子体法。另外，在表1的氮化锆粗粉末的粉碎方法的栏中，“BM”为珠磨机法，“JM”为喷射磨机法。此外，在表1的氮化锆前体粉末的焙烧时间/气体的栏中，“N2”为氮气，“He”为氦气，“Ar”为氩气。
<比较试验1>
对于实施例1~12和比较例1~10的氮化锆粉末，分别测定在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率，和在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90。将这些结果示出于表1中。
<比较试验2>
对于40g的实施例1~11和比较例1~9的氮化锆粉末，如表1所示，分散在200毫升的丙烯酸类单体或环氧单体中而制备单体分散体。另一方面，对于40g的实施例12和比较例10的氮化锆粉末，如表1所示，添加胺系分散剂，在200毫升的丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)溶剂中进行分散处理而制备黑色颜料分散液后，在这些黑色颜料分散液中以按质量比计黑色颜料:树脂=3:7的比例添加并混合丙烯酸类树脂，从而制备黑色组合物。然后，在上述单体分散体或黑色组合物中添加4g的Irgacure 500 (光聚合引发剂：BASF公司制)。接着，将上述单体分散体或黑色组合物以使焙烧后的膜厚为表1所示的厚度的方式旋涂在玻璃基板上，然后进行预烘焙而使溶剂蒸发，从而形成光致抗蚀剂膜。进而在该光致抗蚀剂膜上经由光掩模曝光成规定的图案形状后，使用碱显影液进行显影，并溶解除去光致抗蚀剂膜的未曝光部，然后，进行后烘焙，由此分别形成黑色膜。对于这些黑色膜，基于前述式(1)，使用Macbeth公司制的商品名D200的光密度计(densitometer)分别测定紫外线(中心波长为370nm)和可见光(中心波长为560nm)的OD值，并且也分别测定黑色膜的体电阻率(Ω·cm)。将这些结果示出于表1中。
[表1]
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由表1可知，比较例1和10的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，但未将该氮化锆粉碎，而在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率分别为1×105Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90分别为30μm，比适当的范围(10μm以下)大。另外，使比较例1的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为1.0，比适当的范围(2.0以上)小，体电阻率为1×106Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小，涂膜不均匀。此外，使比较例10的氮化锆粉末分散在丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中而制作的黑色膜的OD值为1.9，比适当的范围(2.0以上)小，体电阻率为6×1012Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
比较例3的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃以下的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)，但未对氮化锆前体粉末进行焙烧而得到的氮化锆粉末，虽然在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为9μm，在适当的范围(10μm以下)内，但在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为1×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小。另外，虽然使比较例3的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.1，在适当的范围(2.0以上)内，但体电阻率为5×1011Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
与之相对的是，实施例1和12的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆用分散媒质温度为5℃以下的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率分别为1×108Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90分别为7μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例1的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.1，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为5×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)。此外，使实施例12的氮化锆粉末分散在丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)中而制作的黑色膜的OD值为2.1，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为5×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
实施例9的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氦气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为8×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为7μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例9的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.2，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为3×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
实施例10的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氩气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为8×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为9μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例10的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.2，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为3×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
另一方面，比较例2的氮化锆粉末，即虽然用等离子体法制作氮化锆粗粉末，但未将该氮化锆粉碎，而在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为3×104Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为14μm，比适当的范围(10μm以下)大。另外，使比较例2的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为1.2，比适当的范围(2.0以上)小，体电阻率为2×106Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
比较例4的氮化锆粉末，即虽然用等离子体法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃以下的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)，但未对氮化锆前体粉末进行焙烧而得到的氮化锆粉末，虽然在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为5μm，在适当的范围(10μm以下)内，但在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为2×104Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小。另外，虽然使比较例4的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，但体电阻率为2×1010Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
与之相对的是，实施例2和4的氮化锆粉末，即用等离子体法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃以下的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率分别为1×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90分别为5μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例2的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为2.2，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为2×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。此外，使实施例4的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.3，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为1×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
另一方面，比较例5的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，但将该氮化锆粗粉末用比适当的分散媒质温度范围(10℃以下)高的分散媒质温度12℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，虽然在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm，在适当的范围(10μm以下)内，但在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为7×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小。另外，虽然使比较例5的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，但体电阻率为4×1012Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
与之相对的是，实施例5的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用在适当的分散媒质温度范围(10℃以下)内的分散媒质温度10℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为8×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例5的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为3×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
另一方面，比较例6的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)，但在氮气气氛中进行在焙烧温度为比适当的范围(250℃~550℃)低的200℃的温度下保持焙烧时间为在适当的范围(1小时~5小时)内的4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，虽然在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为8μm，在适当的范围(10μm以下)内，但在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为1×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小。另外，虽然使比较例6的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，但体电阻率为1×1012Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
比较例7的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)，但在氮气气氛中进行在焙烧温度为在适当的范围(250℃~550℃)内的350℃的温度下保持焙烧温度为比适当的范围(1小时~5小时)短的0.5小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，虽然在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为7μm，在适当的范围(10μm以下)内，但在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为3×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小。另外，虽然使比较例7的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，但体电阻率为2×1012Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
比较例8的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)，但在氮气气氛中进行在焙烧温度为比适当的范围(250℃~550℃)高的600℃的温度下保持焙烧时间为在适当的范围(1小时~5小时)内的1小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为4×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为14μm，比适当的范围(10μm以下)大。另外，使比较例8的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为1.2，比适当的范围(2.0以上)小，体电阻率为1×109Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
与之相对的是，实施例6的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在焙烧温度为在适当的范围(250℃~550℃)内的250℃的温度下保持焙烧时间为在适当的范围(1小时~5小时)内的4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为3×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为8μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例6的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为2×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
实施例7的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在焙烧温度为在适当的范围(250℃~550℃)内的350℃的温度下保持焙烧时间为在适当的范围(1小时~5小时)内的1小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为1×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为7μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例7的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.0，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为1×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
实施例8的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末用分散媒质温度为5℃的珠磨机法进行粉碎(低温湿式介质粉碎)后，在氮气气氛中进行在焙烧温度为在适当的范围(250℃~550℃)内的550℃的温度下保持焙烧时间为在适当的范围(1小时~5小时)内的1小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为1×108Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为8μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例8的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体中而制作的黑色膜的OD值为2.4，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为1×1014Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
另一方面，比较例9的氮化锆粉末，即虽然用热剂法制作氮化锆粗粉末，但将该氮化锆粗粉末在粉碎压力为比适当的范围(0.3MPa以上)内小的0.2MPa的粉碎压力下进行喷射磨机粉碎后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为2×106Ω·cm，比适当的范围(1×107Ω·cm以上)小，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为14μm，比适当的范围(10μm以下)大。另外，使比较例9的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为1.3，比适当的范围(2.0以上)小，体电阻率为1×1011Ω·cm，比适当的范围(1×1013以上)小。
与之相对的是，实施例3的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末在粉碎压力为在适当的范围(0.3MPa以上)内的0.5MPa的粉碎压力下进行喷射磨机粉碎后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为2×108Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为6μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例3的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为2.2，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为2×1014Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
实施例11的氮化锆粉末，即用热剂法制作氮化锆粗粉末，并将该氮化锆粗粉末在粉碎压力为在适当的范围(0.3MPa以上)内的0.3MPa的粉碎压力下进行喷射磨机粉碎后，在氮气气氛中进行在350℃的温度下保持4小时的焙烧而得到的实施例3的氮化锆粉末，在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为2×107Ω·cm，在适当的范围(1×107Ω·cm以上)内，在用水稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm，在适当的范围(10μm以下)内。另外，使实施例11的氮化锆粉末分散在环氧单体中而制作的黑色膜的OD值为2.4，在适当的范围(2.0以上)内，体电阻率为1×1013Ω·cm，在适当的范围(1×1013以上)内。
产业上的可利用性
本发明的氮化锆粉末可用作用于得到具有高绝缘性、高黑色度和高绝缘性的黑色膜的黑色颜料。

Claims (6)

1.氮化锆粉末，所述氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上，并且在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下。
2.氮化锆粉末的制备方法，所述制备方法包括：
通过热剂法或等离子体合成法生成氮化锆粗粉末的工序；
通过将该氮化锆粗粉末在10℃以下的分散媒质温度下进行低温湿式介质粉碎或在0.3MPa以上的气压下进行喷射磨机粉碎，制作氮化锆前体粉末的工序，所述氮化锆前体粉末在用水或碳原子数在2~5的范围内的醇稀释的状态下超声波分散5分钟时的粒度分布D90为10μm以下；和
通过将所述粉碎的氮化锆前体粉末在惰性气体气氛中进行焙烧，制备氮化锆粉末的工序，所述氮化锆粉末在用5MPa的压力压实的压坯的状态下的体电阻率为107Ω·cm以上。
3.单体分散体，所述单体分散体是将根据权利要求1所述的氮化锆粉末分散在丙烯酸类单体或环氧单体中而得到的。
4.黑色组合物，所述黑色组合物是将根据权利要求1所述的氮化锆粉末作为黑色颜料分散在分散媒质中并且混合树脂而得到的。
5.黑色膜的制作方法，所述制作方法包括：
将根据权利要求3所述的单体分散体涂布在基板上而形成涂膜的工序，和
使所述涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜的工序。
6.黑色膜的制作方法，所述制作方法包括：
将根据权利要求4所述的黑色组合物涂布在基板上而形成涂膜的工序，和
使所述涂膜热固化或紫外线固化而制作黑色膜的工序。
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