JP2017062941A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隣接発光素子への光の侵入が生じ難い構成、構造を有する発光素子を備えた表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１光反射層３６Ｒを備えた第１発光素子１０Ｒ、第２光反射層３６Ｇを備えた第２発光素子１０Ｇ及び第３光反射層３６Ｂを備えた第３発光素子１０Ｂから構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成り、各発光素子は、第１電極５１、有機層５３及び第２電極５２を備えており、各発光素子の境界領域には、内部には遮光層４４が形成された溝部４２1，４２2，４２3が設けられており、第１溝部４２1の底部４３1及び第３溝部４２3の底部４３3は、第１光反射層３６Ｂの頂面よりも高い所に位置し、第２溝部４２2の底部４３2は、第２光反射層３６Ｇの頂面よりも高い所に位置する。【選択図】 図１

Description

本開示は、表示装置及びその製造方法に関する。

近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であり、消費電力が低いという特性を有しており、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けての開発、商品化が鋭意進められている。

有機ＥＬ表示装置では、例えば、１つの画素を、赤色発光層を有し、赤色を発光する発光素子から構成された副画素、緑色発光層を有し、緑色を発光する発光素子から構成された副画素、及び、青色発光層を有し、青色を発光する発光素子から構成された副画素の３つの副画素（発光素子）から構成することで、高コントラスト、且つ、高い色再現性を実現することが可能である。一方、高解像度化のためには画素ピッチの縮小が求められるが、画素ピッチが微細化するにつれて１つの画素をこのような３つの副画素から構成することが困難となる。

そこで、全画素に亙り白色発光層を形成し、カラーフィルタを用いて白色光を着色する方法、即ち、白色発光層を有する発光素子（『白色発光素子』と呼ぶ）と赤色カラーフィルタとの組合せによる赤色副画素（『赤色発光素子』と呼ぶ）、白色発光素子と緑色カラーフィルタとの組合せによる緑色副画素（『緑色発光素子』と呼ぶ）、白色発光素子と青色カラーフィルタとの組合せによる青色副画素（『青色発光素子』と呼ぶ）の３種類の副画素（発光素子）から１つの画素を構成する技術の開発が進められている。白色発光層は、全白色発光素子に亙り、連続した層として形成されている。赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を副画素毎に形成する必要がないので、画素ピッチの微細化が可能となる。各白色発光素子において、白色発光層は第１電極と第２電極との間に形成されており、第１電極は各発光素子において独立に形成されている一方、第２電極は各発光素子において共通化されている。

このような構成を有する画素における光の取り出し効率を改善する技術として、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるキャビティ構造を最適化することによって、各発光素子から出射される光を増幅する技術がある。具体的には、例えば、特開２００９−０９１２２３号公報に開示されたように、透明電極から成る第１電極の下方に光反射層を形成し、半光透過材料から成る第２電極と光反射層とによって共振器構造を構成する。そして、発光層で発光した光を光反射層と第２電極との間で共振させて、その一部を第２電極から出射させる。

特開２００９−０９１２２３号公報

ところで、発光層で発光した光は、全方位に伝播する。従って、図８の模式的な一部断面図に示すように、或る発光素子に隣接した発光素子（便宜上、『隣接発光素子』と呼ぶ）に、或る発光素子から出射した光（図８において、太い実線で示す）が侵入する場合がある。あるいは又、表示装置の内部で多重反射が生じ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する場合もある。尚、図８における符号に関しては、図１を参照のこと。その結果、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまう虞がある。

従って、本開示の目的は、隣接発光素子への光の侵入が生じ難い構成、構造を有する発光素子を備えた表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
各発光素子は、
最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えている表示装置の製造方法であって、
（Ａ）最下層・層間絶縁層、パターニングされた第１層間絶縁層、及び、パターニングされた第２層間絶縁層を形成し、その後、
（Ｂ）全面に光反射層を形成した後、光反射層をパターニングすることで、第１発光素子を形成すべき最下層・層間絶縁層の領域上に第１光反射層を形成し、第２発光素子を形成すべき第１層間絶縁層の領域上に第２光反射層を形成し、第３発光素子を形成すべき第２層間絶縁層の領域上に第３光反射層を形成し、次いで、
（Ｃ）第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成した後、
（Ｄ）全面に最上層・層間絶縁層を形成し、次いで、最上層・層間絶縁層に平坦化処理を施すことで、第１凹部、第２凹部及び第３凹部の上方の最上層・層間絶縁層の部分に、第１溝部、第２溝部及び第３溝部を形成し、その後、
（Ｅ）第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部に遮光層を形成する、
各工程から成る。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
各発光素子は、
最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えており、
最上層・層間絶縁層は、最下層・層間絶縁層、第１光反射層、第２光反射層及び第３光反射層を覆っており、
第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第１溝部が形成されており、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第２溝部が形成されており、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第３溝部が形成されており、
第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部には遮光層が形成されており、
第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する。

本開示の表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｅ）において第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部に遮光層を形成するので、また、本開示の表示装置にあっては、第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部には遮光層が形成されているので、隣接発光素子への光の侵入が生じ難い表示装置を製造することができる。しかも、工程（Ｄ）において、全面に最上層・層間絶縁層を形成し、次いで、最上層・層間絶縁層に平坦化処理を施すことで、第１溝部、第２溝部及び第３溝部を所謂セルフ・アライン方式で形成することができる。それ故、発光素子の微細化に対応することができる。また、本開示の表示装置においては、溝部の底部の最も低い部分と光反射層の頂面の高さとの関係が規定されているので、溝部と光反射層が接触することを確実に防止することができる。溝部と光反射層とが接触すると、発光素子に容量変化が生じる結果、発光色や輝度にバラツキが生じる虞がある。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃは、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、図２Ｃに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、図３Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である。 図６は、図５Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である。 図７は、実施例２の表示装置の模式的な一部断面図である。 図８は、従来の表示装置の問題点を説明するための表示装置の模式的な一部断面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及びその製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の表示装置及びその製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の変形）
５．その他

〈本開示の表示装置及びその製造方法、全般に関する説明〉
以下の説明において、第１層間絶縁層、第２層間絶縁層及び最上層・層間絶縁層の積層構造を、便宜上、『層間絶縁層・積層構造体』と呼ぶ場合がある。

本開示の表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｃ）において、
第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分及び第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分、第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成する形態とすることができる。

上記の好ましい形態を含む本開示の表示装置の製造方法にあっては、
第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する形態とすることができる。

上記の好ましい形態を含む本開示の表示装置の製造方法、あるいは、本開示の表示装置にあっては、
第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第１発光素子に近い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第２発光素子に近い所に位置する形態とすることができる。

上記の各種好ましい形態を含む本開示の表示装置あるいは本開示の表示装置の製造方法によって得られた表示装置（以下、これらを総称して、『本開示の表示装置等』と呼ぶ場合がある）において、遮光層を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ₂等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。

本開示の表示装置等において、溝部は、発光素子を取り囲むように形成されている形態とすることができる。溝部は、所謂セルフ・アライン方式にて形成される。溝部は遮光層で完全に充填されていなくともよい。即ち、遮光層は、少なくとも、溝部の側面及び底部を覆っていればよい。遮光層は、第１電極に接していてもよい。あるいは又、遮光層は接地されていてもよい。第１発光素子を構成する第１光反射層は、第１発光素子を構成する第１電極に電気的に接続されていてもよいし、第２発光素子を構成する第２光反射層は、第２発光素子を構成する第１電極に電気的に接続されていてもよいし、第３発光素子を構成する第３光反射層は、第３発光素子を構成する第１電極に電気的に接続されていてもよい。あるいは又、各光反射層は接地されていてもよい。

絶縁膜は、第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上、及び、第１電極の縁部に形成されている構成とすることができる。即ち、最上層・層間絶縁層及び第１電極上に絶縁膜を形成し、第１電極上の絶縁膜に開口部を設け、開口部の底部に第１電極を露出させる構造とすることができる。有機層は、開口部の底部に露出した第１電極の上から絶縁膜上に亙り形成されている。あるいは又、第１電極と第１電極との間に露出した最上層・層間絶縁層の上に絶縁膜を形成してもよい。有機層は、第１電極の上から絶縁膜の上に亙り形成されている。絶縁膜を構成する材料と、最上層・層間絶縁層を構成する材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

本開示の表示装置等は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から成る構成とすることができるし、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る構成とすることができる。そして、最下層・層間絶縁層、層間絶縁層・積層構造体、有機層及び第２電極は、複数の発光素子において共通化されている形態とすることができる。

本開示における発光素子において、発光層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態とすることができ、この場合、有機層から出射される光は白色である形態とすることができる。具体的には、発光層は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色発光層、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色発光層、及び、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色発光層の３層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。そして、このような白色を発光する白色発光素子が赤色カラーフィルタを備えることで赤色発光素子が構成され、白色発光素子が緑色カラーフィルタを備えることで緑色発光素子が構成され、白色発光素子が青色カラーフィルタを備えることで青色発光素子が構成される。そして、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子によって１画素が構成される。場合によっては、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子及び白色を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。尚、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態にあっては、実際には、異なる色を発光する発光層が混合し、明確に各層に分離されていない場合がある。

カラーフィルタは、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。カラーフィルタとカラーフィルタとの間にはブラックマトリクス層を形成してもよい。ブラックマトリクス層は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド樹脂から成る）、又は、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものを挙げることができる。

最下層・層間絶縁層の下方には、限定するものではないが、シリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）が備えられており、シリコン半導体基板に形成されたトランジスタと第１電極とは、最下層・層間絶縁層及び層間絶縁層・積層構造体に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている形態とすることができる。あるいは又、最下層・層間絶縁層の下方には、各種基板に設けられたＴＦＴが備えられていてもよい。このように、第１電極は、前述したとおり、層間絶縁層・積層構造体上に設けられている。そして、最下層・層間絶縁層は、第１基板に形成された発光素子駆動部を覆っている。発光素子駆動部は、１又は複数のトランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴやＴＦＴ）から構成されており、トランジスタと第１電極とは、前述したとおり、最下層・層間絶縁層及び層間絶縁層・積層構造体に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。発光素子駆動部は、周知の回路構成とすることができる。

本開示の表示装置等は、別の表現をすれば、第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板とによって挟まれた画像表示部を備えており、画像表示部には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子が、複数、２次元マトリクス状に配列されている。ここで、第１基板側に発光素子が形成されている。

そして、本開示の表示装置等は、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。上面発光型表示装置にあっては、第１基板と対向する第２基板の面側にカラーフィルタ及びブラックマトリクス層を形成すればよい。あるいは又、第２基板と対向する第１基板の面側にカラーフィルタを形成してもよい。即ち、第１の基板にＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ）を形成してもよい。本開示の表示装置等において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている場合、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、ストライプ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子（表示素子）が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。

第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板以外にも、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型表示装置にあっては、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。

第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、酸化インジウム、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム−ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ−ＧａＺｎＯ₄）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ₂Ｏ₄構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。第１電極の厚さとして、０．０１μｍ乃至０．１μｍを例示することができる。

一方、第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。前述したとおり、第２電極はパターニングせず、所謂共通電極とすることが好ましい。

光反射層、第１光反射層、第２光反射層、第３光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ−ＮｄやＡｌ−Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｓｍ−Ｃｕ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。

有機層は有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、前述したとおり、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。場合によっては、有機層の一部（具体的には、例えば、正孔注入層）の少なくとも一部分が、絶縁膜の端部において不連続な状態となっていてもよい。

第２電極の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯ、ＩＧＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。保護膜と第２基板とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合されている。樹脂層（封止樹脂層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

表示装置の光を出射する最外面（第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材を配してもよい。

本開示の表示装置等において、最下層・層間絶縁層、層間絶縁層・積層構造体あるいは絶縁膜を構成する絶縁材料として、ＳｉＯ₂、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ−ＳｉＯ₂）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯ_X系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯ_x）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化バナジウム（ＶＯ_x）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε₀）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層や絶縁膜は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル−ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。

有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第１電極の下方に設けられた光反射層とその上に位置する層間絶縁層との界面によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離をＬ₁、光学距離をＯＬ₁、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離をＬ₂、光学距離をＯＬ₂とし、ｍ₁及びｍ₂を整数としたとき、以下の式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）及び式（１−４）を満たしている。

０．７｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝ （１−１）
０．７｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝ （１−２）
Ｌ₁＜Ｌ₂ （１−３）
ｍ₁＜ｍ₂ （１−４）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生し た光の内の所望の波長）
Φ₁：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ₁≦０
Φ₂：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
但し、−２π＜Φ₂≦０
である。

ここで、最も光取出し効率を高くし得るｍ₁＝０，ｍ₂＝１である形態とすることができる。

尚、発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ₁とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ₂とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎ_aveとしたとき、
ＯＬ₁＝Ｌ₁×ｎ_ave
ＯＬ₂＝Ｌ₂×ｎ_ave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎ_aveとは、有機層及び層間絶縁層を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層及び層間絶縁層の厚さで除したものである。

光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ₁，Φ₂は、光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 参照）。尚、有機層や層間絶縁層等の屈折率もエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。

このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色発光素子が赤色カラーフィルタを備えることで構成された赤色発光素子は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。また、白色発光素子が緑色カラーフィルタを備えることで構成された緑色発光素子は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。更には、白色発光素子が青色カラーフィルタを備えることで構成された青色発光素子は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１−２）、式（１−２）、式（１−３）、式（１−４）に基づき、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるＯＬ₁，ＯＬ₂等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開２０１２−２１６４９５の段落番号［００４１］には、発光層（有機層）を共振部とした共振器構造を有する有機ＥＬ素子が開示されており、発光点から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることがより好ましいと記載されている。

有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。

表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。頭部装着型ディスプレイは、例えば、
（イ）観察者の頭部に装着されるフレーム、及び、
（ロ）フレームに取り付けられた画像表示装置、
を備えており、
画像表示装置は、
（Ａ）本開示の表示装置、及び、
（Ｂ）本開示の表示装置から出射された光が入射され、出射される光学装置、
を備えており、
光学装置は、
（Ｂ−１）本開示の表示装置から入射された光が内部を全反射により伝播した後、観察者に向けて出射される導光板、
（Ｂ−２）導光板に入射された光が導光板の内部で全反射されるように、導光板に入射された光を偏向させる第１偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、及び、
（Ｂ−３）導光板の内部を全反射により伝播した光を導光板から出射させるために、導光板の内部を全反射により伝播した光を複数回に亙り偏向させる第２偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、
から成る。

実施例１は、本開示の表示装置及びその製造方法に関する。図１に本開示の表示装置の模式的な一部断面図を示す。実施例１の表示装置は、具体的には、有機ＥＬ表示装置から成り、実施例１の発光素子は、具体的には、有機ＥＬ素子から成る。

実施例１の表示装置、あるいは、実施例１の表示装置の製造方法における表示装置は、
第１発光素子１０Ｒ、第２発光素子１０Ｇ及び第３発光素子１０Ｂから構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素は、最下層・層間絶縁層３０、最下層・層間絶縁層３０上に形成された第１層間絶縁層３１、第１層間絶縁層３１上に形成された第２層間絶縁層３２、及び、最上層・層間絶縁層３３を有しており、
各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、
最上層・層間絶縁層３３上に形成された第１電極５１、
少なくとも第１電極５１が形成されていない最上層・層間絶縁層３３の領域の上に形成された絶縁膜６０、
第１電極５１上から絶縁膜６０上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層５３、並びに、
有機層５３上に形成された第２電極５２、
を備えており、
第１発光素子１０Ｒは、最下層・層間絶縁層３０上に形成された第１光反射層３６Ｒを備えており、
第２発光素子１０Ｇは、第１層間絶縁層３１上に形成された第２光反射層３６Ｇを備えており、
第３発光素子１０Ｂは、第２層間絶縁層３２上に形成された第３光反射層３６Ｂを備えている。

そして、実施例１の表示装置にあっては、
最上層・層間絶縁層３３は、最下層・層間絶縁層３０、第１光反射層３６Ｒ、第２光反射層３６Ｇ及び第３光反射層３６Ｂを覆っており、
第１発光素子１０Ｒと第２発光素子１０Ｇとの境界領域に位置する最上層・層間絶縁層３３の部分には第１溝部４２₁が形成されており、
第２発光素子１０Ｇと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する最上層・層間絶縁層３３の部分には第２溝部４２₂が形成されており、
第１発光素子１０Ｒと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する最上層・層間絶縁層３３の部分には第３溝部４２₃が形成されている。そして、
第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃の内部には遮光層４４が形成されており、
第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分及び第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分は、第１光反射層３６Ｒの頂面よりも高い所に位置し、
第２溝部４２₂の底部４３₂の最も低い部分は、第２光反射層３６Ｇの頂面よりも高い所に位置する。

云い換えれば、第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分及び第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分は、第１光反射層３６Ｒの頂面よりも、最上層・層間絶縁層３３の頂面側に位置し、第２溝部４２₂の底部４３₂の最も低い部分は、第２光反射層３６Ｇの頂面よりも、最上層・層間絶縁層３３の頂面側に位置する。尚、第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分、第２溝部４２₂の底部４３₂の最も低い部分、第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分とは、最下層・層間絶縁層３０に最も近い部分を指す。

また、第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分及び第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分は、第３発光素子１０Ｂよりも第１発光素子１０Ｒに近い所に位置し、第２溝部４２₂の底部４３₂の最も低い部分は、第３発光素子１０Ｂよりも第２発光素子１０Ｇに近い所に位置する。

尚、第１層間絶縁層３１、第２層間絶縁層３２及び最上層・層間絶縁層３３を総称して、層間絶縁層・積層構造体３４と呼ぶ。最下層・層間絶縁層３０、層間絶縁層・積層構造体３４、有機層５３及び第２電極５２は、複数の発光素子において共通化されている。絶縁膜６０は第１電極５１の縁部上まで延在している。

実施例１の表示装置は、別の表現をすれば、第１基板１１、第２基板１２、及び、第１基板１１と第２基板１２とによって挟まれた画像表示部１３を備えており、画像表示部１３には、実施例１の発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが、複数、２次元マトリクス状に配列されている。ここで、第１基板１１側に発光素子が形成されている。そして、実施例１の表示装置は、第２基板１２から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。上面発光型表示装置にあっては、第１基板１１と対向する第２基板１２の面側にカラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B及びブラックマトリクス層ＢＭが形成されている。１つの発光素子によって１つの副画素が構成されている。

１つの画素は、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂの３つの発光素子から構成されている。第２基板１２は、カラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bを備えている。有機ＥＬ素子は白色光を発光し、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、白色光を発光する白色発光素子とカラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bとの組合せから構成されている。即ち、発光層は、全体として白色を発光する。また、カラーフィルタとカラーフィルタとの間に、ブラックマトリクス層ＢＭを備えている。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の３倍である。

第１電極５１はアノード電極として機能し、第２電極５２はカソード電極として機能する。第１電極５１は、厚さ０．０１μｍ乃至０．１μｍのＩＴＯといった透明導電材料から成り、第２電極５２は、厚さ４ｎｍ乃至２０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。第１電極５１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極５２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。有機層５３もパターニングされていない。第１光反射層３６Ｒ、第２光反射層３６Ｇ、第３光反射層３６Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）−銅（Ｃｕ）／チタン（Ｔｉ）の積層構造から成る。更には、第１基板１１はシリコン半導体基板から成り、第２基板１２はガラス基板から成る。

また、遮光層４４はタングステン（Ｗ）から成り、最下層・層間絶縁層３０はＳｉＯ₂から成り、第１層間絶縁層３１はＳｉＮから成り、第２層間絶縁層３２はＳｉＯ₂から成り、最上層・層間絶縁層３３はＳｉＯ₂から成り、絶縁膜６０はＳｉＯＮから成るが、これらの材料に限定するものではない。

実施例１において、有機層５３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron InjectionLayer）の積層構造を有する。発光層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されており、有機層５３から出射される光は白色である。具体的には、発光層は、赤色を発光する赤色発光層、緑色を発光する緑色発光層、及び、青色を発光する青色発光層の３層が積層された構造を有する。発光層を、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることもできるし、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができる。赤色を表示すべき赤色発光素子１０Ｒには赤色カラーフィルタＣＦ_Rが備えられており、緑色を表示すべき緑色発光素子１０Ｇには緑色カラーフィルタＣＦ_Gが備えられており、青色を表示すべき青色発光素子１０Ｂには青色カラーフィルタＣＦ_Bが備えられている。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂは、カラーフィルタ、光反射層の位置を除き、同じ構成、構造を有する。カラーフィルタＣＦとカラーフィルタＣＦとの間にはブラックマトリクス層ＢＭが形成されている。そして、カラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクス層ＢＭは、第１基板１１と対向する第２基板１２の面側に形成されている。これによって、発光層とカラーフィルタＣＦとの間の距離を短くすることができ、発光層から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができる。

正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。

ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲ^m（ｍ＝１〜６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ¹〜Ｘ⁶は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。

正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。

正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〈ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〉又はα−ナフチルフェニルジアミン〈αＮＰＤ〉から成る。

発光層は、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、上述したとおり、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層されて成る。

赤色発光層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが５ｎｍ程度の赤色発光層は、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル〈ＤＰＶＢｉ〉に、２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン〈ＢＳＮ〉を３０質量％混合したものから成る。

緑色発光層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが１０ｎｍ程度の緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、クマリン６を５質量％混合したものから成る。

青色発光層では、電界が加わることにより、第１電極５１から注入された正孔の一部と、第２電極５２から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル〈ＤＰＡＶＢｉ〉を２．５質量％混合したものから成る。

厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム〈Ａｌｑ３〉から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等から成る。

第２電極５２の上方には、有機層５３への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜１４（具体的には、例えばＳｉＮやＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯから成る）が設けられている。また、保護膜１４と第２基板１２とは、例えばエポキシ系接着剤から成る樹脂層（封止樹脂層）１５を介して接合されている。

そして、最下層・層間絶縁層３０、層間絶縁層・積層構造体３４、有機層５３及び第２電極５２は、複数の発光素子において共通化されている。即ち、最下層・層間絶縁層３０、層間絶縁層・積層構造体３４、有機層５３及び第２電極５２は、パターニングされておらず、所謂ベタ膜の状態にある。このように、発光素子毎に発光層を塗り分けて形成する（パターニング形成する）のではなく、全発光素子において共通の発光層をベタ成膜することで、例えば画角が数インチ以下で、画素ピッチが数十マイクロメートル以下である、小型、且つ、高解像度の表示装置にも対応可能となる。

発光素子は、有機層５３を共振部とした共振器構造を有している。尚、発光面から反射面迄の距離（具体的には、発光面から光反射層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び第２電極５２迄の距離）を適切に調整するために、有機層５３の厚さは、８×１０^-8ｍ以上、５×１０^-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０^-7ｍ以上、３．５×１０^-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２から出射する。また、緑色発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２から出射する。更には、青色発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極５２から出射する。

実施例１において、最下層・層間絶縁層３０の下には、シリコン半導体基板（第１基板１１）に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）２０が備えられている。そして、第１電極５１とシリコン半導体基板（第１基板１１）に形成されたトランジスタ２０とは、最下層・層間絶縁層３０及び層間絶縁層・積層構造体３４に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている。尚、コンタクトホールは図示していない。ここで、ＭＯＳＦＥＴから成るトランジスタ２０は、ゲート電極２１、ゲート絶縁層２２、チャネル形成領域２３、ソース／ドレイン領域２４から構成されており、各トランジスタ２０の間には素子分離領域２５が形成され、これによって、トランジスタ２０は相互に分離されている。

以下、最下層・層間絶縁層等の模式的な一部端面図である図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ、図５Ｂ、図６を参照して、実施例１の表示装置の製造方法を説明する。

［工程−１００］
先ず、シリコン半導体基板（第１基板１１）に発光素子駆動部を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。

［工程−１１０］
次いで、最下層・層間絶縁層３０、パターニングされた第１層間絶縁層３１、及び、パターニングされた第２層間絶縁層３２を形成する。具体的には、ＣＶＤ法に基づき全面に最下層・層間絶縁層３０を形成した後、最下層・層間絶縁層３０上に、ＣＶＤ法に基づき第１層間絶縁層３１及び第２層間絶縁層３２を、順次、形成する。そして、周知のＲＩＥ法に基づき、第２層間絶縁層３２をパターニングし、更に、第１層間絶縁層３１をパターニングする。こうして、図２Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−１２０］
その後、スパッタリング法に基づき全面に光反射層３５を形成した後（図２Ｂ参照）、フォトリソグラフィ技術に基づきレジスト層３７を形成する。こうして、図２Ｃに示す構造を得ることができる。

そして、周知のＲＩＥ法に基づき光反射層３５をパターニングする。こうして、第１発光素子１０Ｒを形成すべき最下層・層間絶縁層３０の領域上に第１光反射層３６Ｒを形成し、第２発光素子１０Ｇを形成すべき第１層間絶縁層３１の領域上に第２光反射層３６Ｇを形成し、第３発光素子１０Ｂを形成すべき第２層間絶縁層３２の領域上に第３光反射層３６Ｂを形成することができる（図３Ａ参照）。

［工程−１３０］
その後、第１発光素子１０Ｒと第２発光素子１０Ｇとの境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層３１の部分（実施例１にあっては、具体的には、第１発光素子１０Ｒと第２発光素子１０Ｇとの境界領域に位置する最下層・層間絶縁層３０の部分及び第１層間絶縁層３１の部分）をエッチングして第１凹部４１₁を形成する。併せて、第２発光素子１０Ｇと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する少なくとも第２層間絶縁層３２の部分（実施例１にあっては、具体的には、第２発光素子１０Ｇと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する第１層間絶縁層３１の部分及び第２層間絶縁層３２の部分）をエッチングして第２凹部４１₂を形成する。併せて、第１発光素子１０Ｒと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層３１の部分及び第２層間絶縁層３２の部分（実施例１にあっては、具体的には、第１発光素子１０Ｒと第３発光素子１０Ｂとの境界領域に位置する最下層・層間絶縁層３０の部分、第１層間絶縁層３１の部分及び第２層間絶縁層３２の部分）をエッチングして第３凹部４１₃を形成する。以上の工程に関しては、図３Ｂ及び図４Ａを参照のこと。そして、レジスト層３７を除去する。こうして、図４Ｂに示す構造を得ることができる。

［工程−１４０］
次に、プラズマＣＶＤ法に基づき、全面に最上層・層間絶縁層３３を形成した後（図５Ａ参照）、ＣＭＰ法に基づき、最上層・層間絶縁層３３に平坦化処理を施す。こうして、図５Ｂに示すように、第１凹部４１₁、第２凹部４１₂及び第３凹部４１₃の上方の最上層・層間絶縁層３３の部分に、第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃を形成する。これらの溝部４２₁，４２₂，４２₃はセルフ・アライン方式で形成される。

［工程−１５０］
その後、第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃の内部に遮光層４４を形成する。具体的には、タングステンＣＶＤ法に基づき全面にタングステン層を形成し、ＣＭＰ法に基づき最上層・層間絶縁層３３上のタングステン層を除去する。こうして、図６に示す構造を得ることができる。

第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分及び第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分は、第１光反射層３６Ｒの頂面よりも高い所に位置し、第２溝部４２₂の底部４３₃の最も低い部分は、第２光反射層３６Ｇの頂面よりも高い所に位置している。また、第１溝部４２₁の底部４３₁の最も低い部分及び第３溝部４２₃の底部４３₃の最も低い部分は、第３発光素子１０Ｂよりも第１発光素子１０Ｒに近い所に位置しており、第２溝部４２₂の底部４３₂の最も低い部分は、第３発光素子１０Ｂよりも第２発光素子１０Ｇに近い所に位置している。

［工程−１６０］
次に、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域の上方に位置する最下層・層間絶縁層３０及び層間絶縁層・積層構造体３４の部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成する。その後、接続孔を含む最上層・層間絶縁層３３の上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、最上層・層間絶縁層３３の上に第１電極５１を形成することができる。第１電極５１は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に第１電極５１とトランジスタ２０とを電気的に接続する図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を形成することができる。尚、第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃の内部に遮光層４４を形成すると同時に、コンタクトホールを形成してもよい。

［工程−１７０］
次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁膜６０を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１電極５１上の絶縁膜６０の一部に開口部６１を形成する。開口部６１の底部に第１電極５１が露出している。

［工程−１８０］
その後、第１電極５１及び絶縁膜６０の上に、有機層５３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、有機層５３の全面に第２電極５２を形成する。このようにして、第１電極５１上に、有機層５３及び第２電極５２を、例えば、真空雰囲気において連続して成膜することができる。その後、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法によって、全面に保護膜１４を形成する。最後に、樹脂層（封止樹脂層）１５を介して保護膜１４と第２電極５２とを貼り合わせる。尚、第２基板１２には、予めカラーフィルタＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B、及び、ブラックマトリクス層ＢＭを形成しておく。そして、カラーフィルタＣＦが形成された面を貼り合わせ面とする。こうして、図１に示した有機ＥＬ表示装置を得ることができる。

以上のとおり、実施例１の表示装置の製造方法にあっては、［工程−１５０］において第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃の内部に遮光層４４を形成するので、また、実施例１の表示装置にあっては、第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃の内部には遮光層４４が形成されているので、隣接発光素子への光の侵入が生じ難い表示装置を製造することができる。即ち、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を上げるため各画素に対してカラーフィルタを配置しているが、カラーフィルタの薄膜化若しくはカラーフィルタの省略が可能となり、カラーフィルタで吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。

しかも、［工程−１４０］において、全面に最上層・層間絶縁層３３を形成し、次いで、最上層・層間絶縁層３３に平坦化処理を施すことで第１溝部４２₁、第２溝部４２₂及び第３溝部４２₃を所謂セルフ・アライン方式で形成することができるので、発光素子の微細化に対応することができる。更には、溝部の底部４３₁，４３₂，４３₃の最も低い部分と光反射層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの頂面の高さ関係が規定されているので、溝部４２₁，４２₂，４２₃と光反射層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが接触することを確実に防止することができ、発光色にバラツキが生じるといった問題の発生を回避することができる。

実施例２は実施例１の変形である。模式的な一部断面図を図７に示すように、ＳｉＯＮ若しくはＳｉＯ₂、あるいは又、ポリイミド樹脂から成る絶縁膜６２は、第１電極５１が形成されていない最上層・層間絶縁層３３の領域の上に形成されている。有機層５３は、全体として平坦な第１電極５１及び絶縁膜６２の上に形成されており、有機層５３も平坦である。このように、全体として平坦な第１電極５１及び絶縁膜６２の上に有機層５３を形成することで、絶縁膜の開口部端部における異常発光といった問題が発生することを防止することができる。

実施例２の表示装置は、例えば、実施例１の［工程−１７０］と同様の工程において、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁膜６２を形成した後、平坦化処理を行うことで、第１電極５１が形成されていない最上層・層間絶縁層３３の領域の上に絶縁膜６２を残せばよい。以上の点を除き、実施例２の発光素子、表示装置は、実施例１の発光素子、表示装置と同様の構成、構造とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例３も、実施例１の変形である。

ところで、或る発光素子における第１電極と隣接発光素子を構成する第２電極との間に、漏れ電流が流れるといった現象が生じる場合がある。そして、このような現象が生じると、本来、発光しないはずの発光素子に発光が生じる一方、発光すべき発光素子における電界強度の低下を招き、その結果、画像に滲みが生じたり、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまう虞がある。このような問題を解決するために、実施例３においては、有機層５３の成膜時、有機層５３の一部（具体的には、例えば、正孔注入層）の少なくとも一部分を、絶縁膜６０の端部において、具体的には、絶縁膜６０に設けられた開口部６１の縁部において、不連続な状態とする。このように、例えば、正孔注入層の少なくとも一部分を不連続な状態とすることで、正孔注入層が高抵抗化され、或る発光素子における第１電極と隣接発光素子を構成する第２電極との間に漏れ電流が流れるといった現象の発生を確実に防止することができる。

正孔注入層の少なくとも一部分を不連続な状態とするためには、絶縁膜６０に設けられた開口部６１の縁部の傾斜状態の最適化、正孔注入層の成膜条件の最適化を図ればよい。あるいは又、例えば、実施例１において説明した表示装置において、絶縁膜６０の上に、開口部６１に突出した端部（庇状の端部）を有する第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の突出端部のところで、正孔注入層の少なくとも一部分を不連続な状態とすればよい。

あるいは又、実施例１の［工程−１６０］を実行した後、一種の犠牲層を全面に形成する。次いで、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、絶縁膜６０を形成し、絶縁膜６０の一部に開口部６１を形成する。開口部６１の底部には犠牲層が露出する。第１電極５１と第１電極５１との間に位置する最上層・層間絶縁層３３の部分に形成された犠牲層は絶縁膜６０によって覆われている。そして、開口部６１の底部に露出した犠牲層の部分を除去する。第１電極５１と、第１電極５１の上方に位置する絶縁膜６０の部分との間には、犠牲層が除去されたことによって隙間が生じる。即ち、第１電極５１の上方に位置する絶縁膜６０の部分は、一種、庇状となる。それ故、この状態で正孔注入層を形成すれば、正孔注入層の少なくとも一部分を不連続な状態とすることができる。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置（有機ＥＬ表示装置）、発光素子（有機ＥＬ素子）の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、専ら、白色発光素子とカラーフィルタの組合せから３つの副画素から１つの画素を構成したが、例えば、白色を出射する発光素子を加えた４つの副画素から１つの画素を構成してもよい。実施例においては、発光素子駆動部をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。

実施例においては、最下層・層間絶縁層、パターニングされた第１層間絶縁層、及び、パターニングされた第２層間絶縁層を形成し、その後、全面に光反射層を形成した後、光反射層をパターニングすることで、第１光反射層、第２光反射層及び第３光反射層を形成し、次いで、第１凹部、第２凹部、第３凹部を形成したが、即ち、本開示の表示装置の製造方法における工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を実行したが、代替的に、例えば、
［工程−Ａ］第１発光素子を形成すべき最下層・層間絶縁層の領域上に第１光反射層を形成し、次いで、
［工程−Ｂ］最下層・層間絶縁層の上に第１層間絶縁層を形成した後、第１層間絶縁層上に第２光反射層を形成し、その後、
［工程−Ｃ］第１層間絶縁層の上に第２層間絶縁層を形成した後、第２層間絶縁層上に第３光反射層を形成し、次いで、
［工程−Ｄ］第２層間絶縁層、第１層間絶縁層及び最下層・層間絶縁層の所望の領域をエッチングによって除去し、
第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分（具体的には、例えば、最下層・層間絶縁層の部分及び第１層間絶縁層の部分）に、第１凹部を形成し、併せて、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第２層間絶縁層の部分（具体的には、例えば、第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分）に、第２凹部を形成し、併せて、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分（具体的には、例えば、最下層・層間絶縁層の部分、第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分）に、第３凹部を形成する、
といった工程を採用してもよい。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置の製造方法》
第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成り、
画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
各発光素子は、
最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えている表示装置の製造方法であって、
（Ａ）最下層・層間絶縁層、パターニングされた第１層間絶縁層、及び、パターニングされた第２層間絶縁層を形成し、その後、
（Ｂ）全面に光反射層を形成した後、光反射層をパターニングすることで、第１発光素子を形成すべき最下層・層間絶縁層の領域上に第１光反射層を形成し、第２発光素子を形成すべき第１層間絶縁層の領域上に第２光反射層を形成し、第３発光素子を形成すべき第２層間絶縁層の領域上に第３光反射層を形成し、次いで、
（Ｃ）第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成した後、
（Ｄ）全面に最上層・層間絶縁層を形成し、次いで、最上層・層間絶縁層に平坦化処理を施すことで、第１凹部、第２凹部及び第３凹部の上方の最上層・層間絶縁層の部分に、第１溝部、第２溝部及び第３溝部を形成し、その後、
（Ｅ）第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部に遮光層を形成する、
各工程から成る表示装置の製造方法。
［Ａ０２］工程（Ｃ）において、
第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分及び第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分、第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成する［Ａ０１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ａ０３］第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ａ０４］第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第１発光素子に近い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第２発光素子に近い所に位置する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ０１］《表示装置》
第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
各発光素子は、
最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
有機層上に形成された第２電極、
を備えており、
第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えており、
最上層・層間絶縁層は、最下層・層間絶縁層、第１光反射層、第２光反射層及び第３光反射層を覆っており、
第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第１溝部が形成されており、
第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第２溝部が形成されており、
第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第３溝部が形成されており、
第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部には遮光層が形成されており、
第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する表示装置。
［Ｂ０２］第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第１発光素子に近い所に位置し、
第２溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第２発光素子に近い所に位置する［Ｂ０１］に記載の表示装置。

１０Ｒ・・・第１発光素子（赤色発光素子）、１０Ｇ・・・第２発光素子（緑色発光素子）、１０Ｂ・・・第３発光素子（青色発光素子）、１１・・・第１基板、１２・・・第２基板、１３・・・画像表示部、１４・・・保護膜、１５・・・樹脂層（封止樹脂層）、ＣＦ，ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B・・・カラーフィルタ、ＢＭ・・・ブラックマトリクス層、２０・・・トランジスタ、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、３０・・・最下層・層間絶縁層、３１・・・第１層間絶縁層、３２・・・第２層間絶縁層、３３・・・最上層・層間絶縁層、３４・・・層間絶縁層・積層構造体、３５・・・光反射層、３６Ｒ・・・第１光反射層、３６Ｇ・・・第２光反射層、３６Ｂ・・・第３光反射層、３７・・・レジスト層、４１₁，４１₂，４１₃・・・凹部、４２₁，４２₂，４２₃・・・溝部、４３₁，４３₂，４３₃・・・溝部の底部、４４・・・遮光層、５１・・・第１電極、５２・・・第２電極、５３・・・有機層、６０，６２・・・絶縁膜、６１・・・開口部

Claims (6)

1. 第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成り、
   画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
   各発光素子は、
   最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
   少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
   第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
   有機層上に形成された第２電極、
   を備えており、
   第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
   第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
   第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えている表示装置の製造方法であって、
   （Ａ）最下層・層間絶縁層、パターニングされた第１層間絶縁層、及び、パターニングされた第２層間絶縁層を形成し、その後、
   （Ｂ）全面に光反射層を形成した後、光反射層をパターニングすることで、第１発光素子を形成すべき最下層・層間絶縁層の領域上に第１光反射層を形成し、第２発光素子を形成すべき第１層間絶縁層の領域上に第２光反射層を形成し、第３発光素子を形成すべき第２層間絶縁層の領域上に第３光反射層を形成し、次いで、
   （Ｃ）第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
   第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
   第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する少なくとも第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成した後、
   （Ｄ）全面に最上層・層間絶縁層を形成し、次いで、最上層・層間絶縁層に平坦化処理を施すことで、第１凹部、第２凹部及び第３凹部の上方の最上層・層間絶縁層の部分に、第１溝部、第２溝部及び第３溝部を形成し、その後、
   （Ｅ）第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部に遮光層を形成する、
   各工程から成る表示装置の製造方法。
2. 工程（Ｃ）において、
   第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分及び第１層間絶縁層の部分をエッチングして第１凹部を形成し、併せて、
   第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第２凹部を形成し、併せて、
   第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最下層・層間絶縁層の部分、第１層間絶縁層の部分及び第２層間絶縁層の部分をエッチングして第３凹部を形成する請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
   第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する請求項１に記載の表示装置の製造方法。
4. 第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第１発光素子に近い所に位置し、
   第２溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第２発光素子に近い所に位置する請求項３に記載の表示装置の製造方法。
5. 第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子から構成された画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
   画素は、最下層・層間絶縁層、最下層・層間絶縁層上に形成された第１層間絶縁層、第１層間絶縁層上に形成された第２層間絶縁層、及び、最上層・層間絶縁層を有しており、
   各発光素子は、
   最上層・層間絶縁層上に形成された第１電極、
   少なくとも第１電極が形成されていない最上層・層間絶縁層の領域の上に形成された絶縁膜、
   第１電極上から絶縁膜上に亙り形成され、有機発光材料から成る発光層を有する有機層、並びに、
   有機層上に形成された第２電極、
   を備えており、
   第１発光素子は、最下層・層間絶縁層上に形成された第１光反射層を備えており、
   第２発光素子は、第１層間絶縁層上に形成された第２光反射層を備えており、
   第３発光素子は、第２層間絶縁層上に形成された第３光反射層を備えており、
   最上層・層間絶縁層は、最下層・層間絶縁層、第１光反射層、第２光反射層及び第３光反射層を覆っており、
   第１発光素子と第２発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第１溝部が形成されており、
   第２発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第２溝部が形成されており、
   第１発光素子と第３発光素子との境界領域に位置する最上層・層間絶縁層の部分には第３溝部が形成されており、
   第１溝部、第２溝部及び第３溝部の内部には遮光層が形成されており、
   第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第１光反射層の頂面よりも高い所に位置し、
   第２溝部の底部の最も低い部分は、第２光反射層の頂面よりも高い所に位置する表示装置。
6. 第１溝部の底部の最も低い部分及び第３溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第１発光素子に近い所に位置し、
   第２溝部の底部の最も低い部分は、第３発光素子よりも第２発光素子に近い所に位置する請求項５に記載の表示装置。

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