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JP2019114484A - 表示素子、及び電子機器 - Google Patents

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昌章 関根
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卓 坂入
朋和 大地
Tomokazu Daichi
朋和 大地
朋芳 市川
Tomoyoshi Ichikawa
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Abstract

【課題】画素の輝度を向上させることができるようにする。
【解決手段】複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、前記画素は、サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している表示素子が提供されることで、画素の輝度を向上させることができる。本技術は、例えば、有機EL表示素子等の自発光型の表示素子に適用することができる。
【選択図】図５

Description

本技術は、表示素子、及び電子機器に関し、特に、画素の輝度を向上させることができるようにした表示素子、及び電子機器に関する。
近年、電圧を印加すると素子自体が発光する発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス（有機EL）と呼ばれる現象を応用した有機発光ダイオード（OLED：Organic Light Emitting Diode）を用いた有機EL表示素子等の自発光型の表示素子の開発が進められている。
有機EL表示素子においては、光の取り出し効率が悪いと、有機EL素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力などの点で損失を生じる要因となるため、効率良く光を取り出すための技術が求められている。
光の取り出し効率の向上を図るための技術としては、例えば、特許文献１に開示されている技術が知られている。特許文献１には、部材間の屈折率の差を利用して、部材表面において伝播した光の一部を反射させるアノードリフレクタ構造に関する技術が開示されている。
特開2013-191533号公報
ところで、有機EL表示素子においては、画素ごとに輝度を向上させるために、特定の画素のサイズを大きくして、発光面積を増大させる方法をとることが可能であるが、そのような方法を採用した場合には、画素ピッチが変わってしまうため、高精細化が困難となる。そのため、より適切に、画素の輝度を向上させるための技術が求められている。
本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、画素の輝度を向上させることができるようにするものである。
本技術の一側面の表示素子は、複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している表示素子である。
本技術の一側面の表示素子においては、複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域が設けられ、前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さが調整される。
本技術の一側面の電子機器は、複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している表示素子を備える電子機器である。
本技術の一側面の電子機器においては、複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域が設けられ、前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さが調整された表示素子が搭載される。
なお、本技術の一側面の表示素子又は電子機器は、独立した装置であってもよいし、１つの装置を構成している内部ブロックであってもよい。
本技術の一側面によれば、画素の輝度を向上させることができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用した表示素子の一実施の形態の構成の例を示すブロック図である。 画素駆動回路の構成の例を示す回路図である。 表示領域の構成の例を示す平面図である。 従来の画素の構造の一部を示す要部断面図である。 第１の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。 第２の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。 第３の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。 リフレクタによる光の反射を説明する概念図である。 リフレクタの斜面までの距離と全反射するリフレクタの高さとの関係を示す図である。 リフレクタによる光の反射を説明する概念図である。 リフレクタ角度を変化させた場合の全反射条件を満たすリフレクタの高さの変化をまとめた表である。 所定の全反射条件を満たすリフレクタの構造の例を示す図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する図である。 本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する図である。 本技術を適用した表示素子が適用される電子機器として、一眼レフカメラの外観の例を示す図である。 本技術を適用した表示素子が適用される電子機器として、ヘッドマウントディスプレイの外観の例を示す図である。
以下、図面を参照しながら本技術の実施の形態について説明する。なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．本技術の実施の形態
２．変形例
３．電子機器の例
＜１．本技術の実施の形態＞
（表示素子の構成例）
図１は、本技術を適用した表示素子の一実施の形態の構成の例を示すブロック図である。
図１において、表示素子１は、例えば、有機発光ダイオード（OLED）を用いた有機EL表示素子等の自発光型の表示素子（表示装置）である。
図１に示すように、表示素子１には、例えば、ガラス、シリコンウェハ、又は樹脂などよりなる基板１１上に、複数の画素（サブ画素１００Ｒ，１００Ｗ，１００Ｇ，１００Ｂ）が、２次元状に配置されてなる表示領域２３が形成される。また、この表示領域２３の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路２１及び走査線駆動回路２２が形成される。
表示領域２３内には、画素駆動回路３３が形成されている。図２は、画素駆動回路３３の構成の例を示している。
図２に示すように、画素駆動回路３３は、駆動トランジスタTr1及び書き込みトランジスタTr2と、その間のキャパシタ（保持容量）Csと、第１の電源ライン（Vcc）及び第２の電源ライン（GND）の間において、駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機発光素子１０１（１０１Ｒ，１０１Ｗ，１０１Ｇ，１０１Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。
画素駆動回路３３において、列方向には、信号線３１が複数配置され、行方向には、走査線３２が複数配置されている。各信号線３１と各走査線３２との交差点が、有機発光素子１０１Ｒ，１０１Ｗ，１０１Ｇ，１０１Ｂのいずれか１つを含むサブ画素１００Ｒ，１００Ｗ，１００Ｇ，１００Ｂに対応している。
各信号線３１は、信号線駆動回路２１に接続され、この信号線駆動回路２１から信号線３１を介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線３２は、走査線駆動回路２２と接続され、この走査線駆動回路２２から走査線３２を介して、書き込みトランジスタTr2のゲート電極に、走査信号が順次供給されるようになっている。
図３は、表示領域２３の平面構成の例を示している。図３において、表示領域２３には、赤色（Ｒ）の光を発生するサブ画素１００Ｒと、白色（Ｗ）の光を発生するサブ画素１００Ｗと、緑色（Ｇ）の光を発生するサブ画素１００Ｇと、青色（Ｂ）の光を発生するサブ画素１００Ｂとが、順に全体として２次元状に形成されている。
なお、隣り合うサブ画素１００Ｒ，１００Ｗ，１００Ｇ，１００Ｂ（サブピクセル）の組み合わせが、１つの画素（ピクセル）１０を構成している。すなわち、表示領域２３は、複数の画素１０が２次元状（行列状）に配列され、各画素１０は、赤色（Ｒ）、白色（Ｗ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の４つのサブ画素１００から構成される。換言すれば、表示領域２３においては、２次元状に配置される各画素１０は、WRGB画素とされる。
（画素の構造）
ところで、有機EL表示素子において、画素を構成する各サブ画素の輝度を向上させるためには、サブ画素のサイズを変えることで、対応することが可能となる。しかしながら、画素のうちの特定のサブ画素のサイズを大きくして、発光面積を増大させる方法をとった場合には、画素ピッチが変わってしまうため、高精細化が困難となる。
具体的には、図４に示すように、４つのサブ画素９００から構成される画素９０において、サブ画素９００Ｗの輝度を向上させるために、４つのサブ画素９００のうち、サブ画素９００Ｗにおける発光部の発光面積を増大させた構造を想定する。
この構造においては、サブ画素９００Ｗのみ、発光面積が増大しているため、サブ画素９００Ｗの画素ピッチが、他のサブ画素９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂの画素ピッチと異なることになる。そして、このように、サブ画素９００ごとに画素ピッチが変わってしまうと、高精細化が困難となるのは先に述べた通りである。
そこで、本技術では、画素１０を構成するサブ画素１００ごとに、発光部に対する光反射部（リフレクタ）の高さを調整することで、画素ピッチを変えずに、サブ画素１００ごとの輝度を調整することができるようにする。以下、本技術を適用した画素の構造として、第１の実施の形態乃至第３の実施の形態の画素１０の構造を順に説明する。
（画素の構造の第１の例）
図５は、第１の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。以下、この要部断面図を参照しながら、第１の実施の形態の画素１０の構造を説明する。
図５において、第１の実施の形態の画素１０は、赤色（Ｒ）を発光するサブ画素１００Ｒ、白色（Ｗ）を発光するサブ画素１００Ｗ、緑色（Ｇ）を発光するサブ画素１００Ｇ、及び青色（Ｂ）を発光するサブ画素１００Ｂの４つのサブ画素から構成される。
なお、サブ画素１００Ｒは、有機発光素子１０１Ｒを含む。同様に、サブ画素１００Ｗ，１００Ｇ，１００Ｂは、有機発光素子１０１Ｗ，１０１Ｇ，１０１Ｂをそれぞれ含んでいる。
有機発光素子１０１Ｒは、発光層を有する有機層と、電極から構成される発光部である。有機発光素子１０１Ｒにおいて、有機層は、アノード電極とカソード電極とに挟まれる構造からなるが、図５には、アノード電極１２１Ｒのみを図示している。なお、アノード電極１２１Ｒが露出した開口部は、発光部を規定するものとなる。
ここで、有機層は、有機発光材料からなる発光層を有しているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造や、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造などから構成することができる。例えば、この有機発光素子１０１Ｒは、白色に発光する構造を採用するのが望ましい。
また、サブ画素１００Ｒにおいては、有機発光素子１０１Ｒに対して、透過光が赤色（Ｒ）の領域となるカラーフィルタ１３１Ｒが設けられており、これらの組み合わせによって、サブ画素１００Ｒは、赤色（Ｒ）の光を発生する。
有機発光素子１０１Ｗは、有機発光素子１０１Ｒと同様に、有機層と電極（アノード電極１２１Ｗを含む）から構成される発光部である。有機発光素子１０１Ｗに対しては、カラーフィルタは設けられておらず、サブ画素１００Ｗは、白色（Ｗ）の光を発生する。
有機発光素子１０１Ｇは、有機発光素子１０１Ｒと同様に、有機層と電極（アノード電極１２１Ｇを含む）から構成される発光部である。有機発光素子１０１Ｇに対しては、透過光が緑色（Ｇ）の領域となるカラーフィルタ１３１Ｇが設けられており、これらの組み合わせによって、サブ画素１００Ｇは、緑色（Ｇ）の光を発生する。
有機発光素子１０１Ｂは、有機発光素子１０１Ｒと同様に、有機層と電極（アノード電極１２１Ｂを含む）から構成される発光部である。有機発光素子１０１Ｂに対しては、透過光が青色（Ｂ）の領域となるカラーフィルタ１３１Ｂが設けられており、これらの組み合わせによって、サブ画素１００Ｂは、青色（Ｂ）の光を発生する。
また、第１の実施の形態の画素１０は、光の取り出し効率を向上させるために、リフレクタ（光反射部）が設けられている。
ここで、リフレクタは、第１基板上に、有機発光素子からの光を表示面側に反射する第１部材と、第１基板に対向配置された第２基板と光反射構造との間を充填するとともに、第１部材の屈折率とは異なる屈折率を有する第２部材とから構成され、第１部材の表面において第２部材を伝播した光を反射させることによって、光取り出し効率を向上させることができる。
図５に示すように、第１の実施の形態の画素１０おいては、光反射層（リフレクタ構造）として構成される第１部材１１１の表面に、リフレクタ１１２が形成されている。なお、第１部材１１１は、例えば、SiO2等の材料を用いて構成することができる。
なお、ここでは、図示を省略しているが、第１の実施の形態の画素１０においては、各有機発光素子１０１からの光を伝播して外部に射出する第２部材（例えば、後述の図１７の第２部材１５１）が形成されており、その第２部材の間を充填するように、第１部材１１１が形成されている。すなわち、第１部材１１１と第２部材（例えば、後述の図１７の第２部材１５１）によって、光反射層（リフレクタ構造）が形成されている。
ここで、図５に示すように、第１の実施の形態の画素１０においては、サブ画素１００Ｒ，サブ画素１００Ｗ，サブ画素１００Ｇ，及びサブ画素１００Ｂの４つのサブ画素ごとに、リフレクタ１１２の高さ（第１部材１１１の斜面の高さ）が異なっている。
ただし、第１部材１１１においては、アノード電極１２１が露出した開口部の側壁が、所定の傾斜角（リフレクタ角度）で傾斜しており、この斜面（表面）が、リフレクタ１１２を形成している。以下、この積層方向の斜面の高さを、リフレクタ１１２の「斜面高さ」ともいう。
すなわち、第１の実施の形態の画素１０において、各サブ画素１００におけるリフレクタ１１２の斜面高さを比較した場合に、例えば、下記の式（１）に示すような関係とすることができる。
リフレクタ１１２Ｗの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｇの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｒの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｂの斜面高さ ・・・（１）
ただし、式（１）において、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さは、サブ画素１００Ｗにおける第１部材１１１の斜面の高さに相当する。同様に、リフレクタ１１２Ｇ，１１２Ｒ，１１２Ｂの斜面高さは、サブ画素１００Ｇ，１００Ｒ，１００Ｂにおける第１部材１１１の斜面の高さに相当する。
このように、第１の実施の形態の画素１０では、４つのサブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さを異なるようにして、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけることで、特定のサブ画素１００の輝度を上げるようにしている。特に、サブ画素１００Ｗのリフレクタ１１２Ｗの斜面高さを高くすることで、有機発光素子１０１Ｗ（アノード電極１２１Ｗ）からの光が全反射する領域が増加するため、サブ画素１００Ｗの輝度が向上し、結果として、画素１０全体の輝度を向上させることができる。
また、第１の実施の形態の画素１０では、各サブ画素１００における発光面積やピッチ配列を変えずに、光を反射する領域、すなわち、リフレクタ１１２の斜面高さを変えることで、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけているため、高精細化を容易に行うことができる。
以上、第１の実施の形態の画素１０では、サブ画素１００ごとに、発光部としての有機発光素子１０１（アノード電極１２１）に対するリフレクタ１１２の斜面高さを調整して、リフレクタ１１２Ｒと、リフレクタ１１２Ｗと、リフレクタ１１２Ｇと、リフレクタ１１２Ｂの斜面高さがそれぞれ異なるようにしている。これにより、第１の実施の形態の画素１０においては、光反射層によって光の取り出し効率を向上させるだけでなく、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけて、特定のサブ画素１００の輝度を向上させることが可能となる。
なお、図５においては、上述した式（１）に示したように、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さが最も高く、リフレクタ１１２Ｇ，リフレクタ１１２Ｒ，リフレクタ１１２Ｂの順に、その斜面高さが低くなっていく場合を例示したが、この式（１）に示した関係は一例であって、リフレクタ１１２Ｒ，１１２Ｗ，１１２Ｇ，１１２Ｂの斜面高さがそれぞれ異なっていればよく、その斜面高さの順序は任意である。
例えば、画素１０において、サブ画素１００ごとに寿命が異なる場合に、サブ画素１００の輝度を向上させることで、印加電流密度を下げることができるため、各サブ画素１００の寿命劣化を同一にする方向での調整を行うことができる。このような調整を行う場合に、例えば、下記の式（１）’に示すような関係を満たすように、サブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さを調整することができる。
リフレクタ１１２Ｂの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｗの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｇの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｒの斜面高さ ・・・（１）’
また、図５においては、画素１０を構成するサブ画素１００が、図中の左側から右側に向かって、サブ画素１００Ｒ，１００Ｗ，１００Ｇ，１００Ｂの順に並んでいるが、これらのサブ画素１００の並び順は任意である。さらに、図５に示したように、リフレクタ１１２の斜面高さは、サブ画素１００Ｗのリフレクタ１１２Ｗのように均一な高さとなる場合だけでなく、均一な高さとならない場合も想定されるが、このような場合には、例えば、サブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さの平均値等を調整すればよい。
（画素の構造の第２の例）
図６は、第２の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。以下、この要部断面図を参照しながら、第２の実施の形態の画素１０の構造を説明する。
図６に示すように、第２の実施の形態の画素１０においては、サブ画素１００Ｒ，サブ画素１００Ｗ，サブ画素１００Ｇ，及びサブ画素１００Ｂの４つのサブ画素１００のうち、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さが異なっている。
すなわち、第２の実施の形態の画素１０（図６）は、上述した第１の実施の形態の画素１０（図５）と比べて、４つのサブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さを変えるのではなく、４つのサブ画素１００のうち、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さを変えるようにしている。
具体的には、図６においては、サブ画素１００Ｗだけ、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さを変えて、他のサブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのリフレクタ１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの斜面高さよりも、高くなるようにしている。
すなわち、第２の実施の形態の画素１０において、各サブ画素１００におけるリフレクタ１１２の斜面高さを比較した場合に、例えば、以下の式（２）に示すような関係とすることができる。
リフレクタ１１２Ｗの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｒの斜面高さ ＝ リフレクタ１１２Ｇの斜面高さ ＝ リフレクタ１１２Ｂの斜面高さ ・・・（２）
ただし、式（２）において、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さは、サブ画素１００Ｗにおける第１部材１１１の斜面の高さに相当する。同様に、リフレクタ１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの斜面高さは、サブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにおける第１部材１１１の斜面の高さに相当する。
このように、第２の実施の形態の画素１０では、４つのサブ画素１００のうち、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さを異なるようにして、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけることで、特定のサブ画素１００の輝度を上げることができる。例えば、サブ画素１００Ｗのリフレクタ１１２Ｗのみ、その斜面高さを高くすることで、有機発光素子１０１Ｗ（アノード電極１２１Ｗ）からの光が全反射する領域が増加するため、サブ画素１００Ｗの輝度が向上し、結果として、画素１０全体の輝度を向上させることができる。
また、第２の実施の形態の画素１０においても、各サブ画素１００の発光面積やピッチ配列を変えずに、リフレクタ１１２の斜面高さを変えることで、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけているため、高精細化を容易に行うことができる。
以上、第２の実施の形態の画素１０では、サブ画素１００ごとに、発光部としての有機発光素子１０１（アノード電極１２１）に対するリフレクタ１１２の斜面高さを調整して、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２のみ、その斜面高さを、他のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さと異なるようにしている。これにより、第２の実施の形態の画素１０においては、光反射層によって光の取り出し効率を向上させるだけでなく、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけて、特定のサブ画素１００の輝度を向上させることが可能となる。
なお、図６においては、上述した式（２）に示したように、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さが最も高く、その他のリフレクタ１１２Ｇ，リフレクタ１１２Ｒ，リフレクタ１１２Ｂの斜面高さは同一の高さとなる場合を例示したが、この式（２）に示した関係は一例であって、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さが、他のサブ画素１００の斜面高さと異なっていればよく、どのリフレクタ１１２の斜面高さを変えるかは任意である。
ここで、画素１０において、サブ画素１００ごとに寿命が異なる場合に、サブ画素１００ごとに輝度を変化させることで、各サブ画素１００の寿命劣化を同一にする方向での調整を行うことができるのは、先に述べた通りであるが、例えば、下記の式（２）’に示すような関係を満たすように、特定のサブ画素１００Ｇのリフレクタ１１２Ｇの斜面高さを調整することができる。
リフレクタ１１２Ｂの斜面高さ ＞ リフレクタ１１２Ｗの斜面高さ ＝ リフレクタ１１２Ｇの斜面高さ ＝ リフレクタ１１２Ｒの斜面高さ ・・・（２）’
さらに、ここでは、特定のサブ画素１００として、１つのサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さを変える場合を例示したが、例えば、サブ画素１００Ｗ，１００Ｂのリフレクタ１１２Ｗ，１１２Ｂの斜面高さを変えるなど、特定のサブ画素１００の対象が、２以上のサブ画素１００であってもよい。
（画素の構造の第３の例）
図７は、第３の実施の形態の画素の構造の一部を示す要部断面図である。以下、この要部断面図を参照しながら、第３の実施の形態の画素１０の構造を説明する。
図７に示すように、第３の実施の形態の画素１０においては、サブ画素１００Ｒ，サブ画素１００Ｗ，サブ画素１００Ｇ，及びサブ画素１００Ｂの４つのサブ画素１００のうち、特定のサブ画素１００に含まれる有機発光素子１０１のアノード電極１２１の位置が調整されている。
すなわち、第３の実施の形態の画素１０（図７）は、上述した第１の実施の形態の画素１０（図５）及び第２の実施の形態の画素１０（図６）と比べて、サブ画素１００において、リフレクタ１１２の斜面高さ（積層方向の高さ）を調整するのではなく、有機発光素子１０１のアノード電極１２１の位置（積層方向の位置）を調整している。
このように、有機発光素子１０１（アノード電極１２１）側の位置を調整することでも、サブ画素１００ごとに、発光部としての有機発光素子１０１（のアノード電極１２１）に対するリフレクタ１１２の斜面高さを調整することができる。その結果として、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さを、他のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さと異なるようにすることができる。
具体的には、図７においては、サブ画素１００Ｗだけ、有機発光素子１０１Ｗのアノード電極１２１Ｗの位置が、積層方向に深くなるように形成することで、サブ画素１００Ｗのリフレクタ１１２Ｗの斜面高さが、他のサブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂのリフレクタ１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂの斜面高さよりも、高くなるようにしている。
すなわち、第３の実施の形態において、各サブ画素１００におけるリフレクタ１１２の斜面高さを比較した場合には、例えば、上述した式（２）と同様の関係が得られる。
このように、第３の実施の形態の画素１０では、４つのサブ画素１００のうち、特定のサブ画素１００の有機発光素子１０１のアノード電極１２１の位置を調整して、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さを異なるようにすることで、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけることが可能となり、結果として、特定のサブ画素１００の輝度を上げることができる。
例えば、サブ画素１００Ｗの有機発光素子１０１Ｗのアノード電極１２１Ｗの位置を調整して、サブ画素１００Ｗのリフレクタ１１２Ｗのみ、その斜面高さを高くすることで、サブ画素１００Ｗの輝度が向上し、結果として、画素１０全体の輝度を向上させることができる。
また、第３の実施の形態の画素１０においても、各サブ画素１００の発光面積やピッチ配列を変えずに、有機発光素子１０１のアノード電極１２１の位置を調整することで、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけているため、高精細化を容易に行うことができる。
以上、第３の実施の形態の画素１０では、特定のサブ画素１００のアノード電極１２１側の位置を調整することで、サブ画素１００ごとに、発光部としての有機発光素子１０１のアノード電極１２１に対するリフレクタ１１２の斜面高さを調整して、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２のみ、その斜面高さを、他のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さと異なるようにしている。これにより、第３の実施の形態の画素１０においては、光反射層によって光の取り出し効率を向上させるだけでなく、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけて、特定のサブ画素１００の輝度を向上させることが可能となる。
なお、図７においては、上述した式（２）と同様の関係となるように、リフレクタ１１２Ｗの斜面高さが最も高く、その他のリフレクタ１１２Ｇ，リフレクタ１１２Ｒ，リフレクタ１１２Ｂの斜面高さは同一の高さとなる場合を例示したが、この関係は一例であって、特定のサブ画素１００のリフレクタ１１２の斜面高さが、他のサブ画素１００の斜面高さと異なっていればよく、どのサブ画素１００のアノード電極１２１側の位置を調整するかは任意である。
また、ここでは、特定のサブ画素１００として、１つのサブ画素１００のアノード電極１２１側の位置を調整する場合を提示したが、例えば、サブ画素１００Ｗ，１００Ｂのアノード電極１２１Ｗ，１２１Ｂ側の位置を調整するなど、特定のサブ画素１００の対象が、２以上のサブ画素１００であってもよい。さらに、画素１０において、サブ画素１００ごとに、アノード電極１２１側の位置を調整するようにして、例えば、上述した式（１）の関係を満たすようにしてもよい。
（リフレクタの構造の詳細）
次に、図８乃至図１２を参照して、リフレクタ１１２の構造の詳細について説明する。
図８は、リフレクタ１１２による光の反射を説明する概念図である。
図８に示すように、サブ画素１００において、リフレクタ１１２に対する有機発光素子１０１（のアノード電極１２１）からの光は、全方位となるが、リフレクタ１１２では、所定の全反射の角度以上で入射してきた光は反射されるが、それ以下の角度で侵入してきた光は透過することになる。
例えば、図８において、有機発光素子１０１のアノード電極１２１からの光線Ｌ１乃至Ｌ４のうち、光線Ｌ２，Ｌ３は、リフレクタ１１２によって全反射される一方で、光線Ｌ４は、リフレクタ１１２を透過している。
ここで、図９には、リフレクタ１１２の斜面までの距離L（単位：nm）と、全反射するリフレクタ１１２の高さ（斜面高さ）H（単位：nm）との関係を示している。
例えば、リフレクタ１１２の間の開口部（アノード電極１２１が露出している部分）の幅が、2000nmとなる場合には、リフレクタ１１２の斜面までの距離Lは、最大で、2000nmとなる。この場合において、全反射条件を満たす高さHは、図９に示したLとHの関係から、略1600nmとなる。
すなわち、リフレクタ１１２において、反射領域は、高さH = 1600nm以上となり、この高さ（斜面高さ）Hを高くするほど、全反射領域が増加するため、サブ画素１００の輝度を向上させることができる。換言すれば、高さ（斜面高さ）Hの増加に対して、反射面積の増加分で、輝度が向上すると言える。
ここで、全反射条件を満たす高さ（斜面高さ）Hは、例えば、次のような計算によって求めることができる。
すなわち、図１０に示すように、リフレクタ１１２に入射する光の入射角（反射角）をθとしたとき、αは、下記の式（３）によって、計算することができる。
α = tan-1 (H / (L + t)) ・・・（３）
ここで、リフレクタ角度（傾斜角）をβとすれば、三角形の外角の定理によって、下記の式（４）の関係が得られる。
(90 - θ) + α = β ・・・（４）
したがって、上述の式（３）及び式（４）から、下記の式（５）の関係を導くことができる。
θ = 90 + α - β = 90 + tan-1 (H / (L + t)) - β
tan-1 (H / (L + t)) = θ + β - 90
tan(θ + β - 90) = H / (L + t) ・・・（５）
また、tanβ = H/t の関係から、t = H/tanβが得られるので、上述の式（５）に基づき、下記の式（６）の関係を導くことができる。
H = (L + t) × tan(θ + β - 90) = (L + (H/tanβ)) × tan(θ + β - 90) ・・・（６）
そして、θ > θmax（臨界角）で全反射するので、下記の式（７）の関係を満たす高さHを求めることができる。
H ≧ L × tan(θmax + β - 90) / (1 - (tan(θmax + β - 90) / tanβ)) ・・・（７）
このようにして、全反射条件を満たす高さ（斜面高さ）Hが求められる。
ここで、図１０に示すように、リフレクタ１１２（例えば、SiO）の屈折率nA、すなわち、第１部材１１１の表面の屈折率nAを1.4とし、リフレクタ１１２との界面における有機層（例えば、後述の図１７の層１４１）の有機EL材料の屈折率nBを1.8とした場合を想定する。この場合において、全反射となるθmax（臨界角）は、下記の式（８）の関係を有する。
sinθmax = sinθmax / sin90°= nA / nB ・・・（８）
そして、式（８）を計算することで、下記の式（９）の計算結果が得られる。
θmax = sin-1(nA / nB) = sin-1(1.4 / 1.8) = sin-1(0.882) = 51.3° ・・・（９）
このようにして、θmax = 51.3°が得られるので、例えば、L = 1000nmで、β = 71°の場合を想定すれば、上述の式（７）に基づき、下記の式（１０）を解くことで、H = 808nm を求めることができる。
H = L × tan(θmax + β - 90) / (1 - (tan(θmax + β - 90) / tanβ))
= 1000 × tan(51.3°+ 71°- 90°) / (1 - (tan(51.3°+ 71°- 90°) / tan71°))
= 808.07
また、本技術の発明者は、リフレクタ角度βを変化させた場合の全反射条件を満たす高さ（斜面高さ）Hの変化を、詳細なるシミュレーションによって求めることで、最適なリフレクタ角度βと、リフレクタ１１２の間の開口部の幅（開口部分の大きさ）の分析を行った。このシミュレーションの結果を、図１１に示している。
図１１の表は、リフレクタ角度βの値（単位：度）と、リフレクタ１１２の斜面までの距離Lの値（単位：nm）を、それぞれ変化させたときの全反射条件を満たす高さ（斜面高さ）Hの値（単位：nm）を示している。
ただし、図１１の表においては、β = 60°,65°,68°,70°,71°,73°,74°,75°,80°とし、L = 10nm, 100nm, 500nm, 1000nm, 1500nm, 2000nm, 2500nm, 3000nmとしたときに、上述の式（７）を計算することで得られる高さHの値を示している。
そして、このシミュレーションの結果から、発光部としての有機発光素子１０１が発光する部分（アノード電極１２１が露出している部分）の幅、すなわち、開口部分の大きさは、3000nm以下が望ましく、その場合のリフレクタ角度βは、60°〜 80°が望ましいことが見いだされた。このような全反射条件を満たす構造の例を、図１２に示している。図１２においては、β = 71°,L = 2000nmとしたときに、H =1616nmとなっている。
（製造工程の第１の例）
次に、図１３乃至図１７を参照して、本技術の実施の形態の画素の製造工程の第１の例の流れを説明する。
なお、製造工程の第１の例では、説明の便宜上、画素１０を構成する任意のサブ画素１００として、サブ画素１００Ｒ，１００Ｇの製造工程の流れについて説明する。
ここでは、まず、図１３のＡに示すように、ドライ加工工程が行われる。このドライ加工工程によって、第１部材１１１Ａ上に、アノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇが形成される。なお、第１部材１１１Ａの材料としては、例えば、SiO2等を用いることができる。また、アノード電極１２１の材料としては、例えば、AlCu等を用いることができる。
次に、図１３のＢに示すように、CVD成膜工程が行われる。このCVD成膜工程によって、第１部材１１１Ａ上に形成されたアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇに対し、第１部材１１１Ｂが成膜される。なお、第１部材１１１Ｂの材料としては、例えば、P-SiO等を用いることができる。
次に、図１３のＣに示すように、レジスト塗布工程が行われる。このレジスト塗布工程によって、第１部材１１１Ｂ上に、フォトレジスト２１１が塗布される。
続いて、図１４のＤに示すように、露光工程が行われる。この露光工程によって、フォトマスク２２１を用い、フォトレジスト２１１の表面をパターン状に露光することで、露光された部分（露光部分２１２）と、露光されていない部分（露光部分２１２を除いた部分）からなるパターンが形成される。
次に、図１４のＥに示すように、現像工程が行われる。この現像工程によって、フォトレジスト２１１の露光部分２１２が除去される。
次に、図１４のＦに示すように、エッチング工程が行われる。このエッチング工程によって、フォトレジスト２１１によりマスクされた部分を除いた部分がエッチングされ、第１部材１１１Ｂの一部が加工される。
続いて、図１５のＧに示すように、レジスト塗布工程が行われる。このレジスト塗布工程によって、第１部材１１１Ｂの加工部分上にも、フォトレジスト２１１が塗布される。
次に、図１５のＨに示すように、露光工程が行われる。この露光工程によって、フォトマスク２３１を用い、フォトレジスト２１１の表面をパターン状に露光することで、露光された部分（露光部分２１３，２１４）と、露光されていない部分（露光部分２１３，２１４を除いた部分）からなるパターンが形成される。
次に、図１５のＩに示すように、現像工程が行われる。この現像工程によって、フォトレジスト２１１の露光部分２１３，２１４が除去される。
続いて、図１６のＪに示すように、エッチング工程が行われる。このエッチング工程によって、フォトレジスト２１１によりマスクされた部分を除いた部分がエッチングされ、第１部材１１１Ｂの一部が加工される。この加工によって、サブ画素１００ごとに高さが異なるリフレクタが形成され、第１部材１１１Ａ上のアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇが露出する。
次に、図１６のＫに示すように、レジスト剥離工程が行われる。このレジスト剥離工程によって、フォトレジスト２１１が剥離される。
次に、図１６のＬに示すように、蒸着工程とCVD成膜工程が行われる。この蒸着工程によって、第１部材１１１Ａ上に形成されたアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇと、第１部材１１１Ｂの表面に、有機層及びカソード電極層からなる層１４１と、保護膜１４２が成膜される。なお、有機層は、アノード電極とカソード電極層との間で発光する。例えば、この有機層は、白色に発光する構造が望ましい。なお、保護膜１４２の材料としては、例えば、絶縁性材料又は導電性材料などを用いることができる。
続いて、図１７のＭに示すように、平坦化工程が行われる。この平坦化工程によって、第２部材１５１が埋め込まれ、平坦化される。なお、この第２部材１５１の材料としては、例えば、アクリル系樹脂やポリミイド系樹脂、シリコン系樹脂等の樹脂などを用いることができる。
このように、有機層及びカソード電極層からなる層１４１と、保護膜１４２を形成したのち、さらに、第２部材１５１を形成することで、第１部材１１１（１１１Ｂ）と、第２部材１５１とからなる光反射層（リフレクタ構造）が形成される。
次に、図１７のＮに示すように、カラーフィルタ形成工程が行われる。このカラーフィルタ形成工程によって、平坦化された第２部材１５１上に、カラーフィルタ１３１Ｒ，１３１Ｇが形成される。
以上のようにして製造される画素１０においては、サブ画素１００ごとに、第１部材１１１の斜面の傾斜によるリフレクタの斜面高さが異なっているため、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけて、特定のサブ画素１００の輝度を向上させることが可能となる。
以上、製造工程の第１の例を説明した。
（製造工程の第２の例）
次に、図１８乃至図２２を参照して、本技術の実施の形態の画素の製造工程の第２の例の流れを説明する。
なお、製造工程の第２の例では、説明の便宜上、画素１０を構成する任意のサブ画素１００として、サブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｗ，１００Ｂの製造工程の流れについて説明する。
ここでは、まず、図１８のＡに示すように、ドライ加工工程が行われる。このドライ加工工程によって、第１部材１１１Ａ上に、アノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｗ，１２１Ｂが形成される。なお、第１部材１１１Ａの材料としては、例えば、SiO2等を用いることができる。また、アノード電極１２１の材料としては、例えば、AlCu等を用いることができる。
次に、図１８のＢに示すように、CVD成膜工程が行われる。このCVD成膜工程によって、第１部材１１１Ａ上に形成されたアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｗ，１２１Ｂに対し、第１部材１１１Ｂが成膜される。なお、第１部材１１１Ｂの材料としては、例えば、P-SiO等を用いることができる。
次に、図１８のＣに示すように、レジスト塗布工程が行われる。このレジスト塗布工程によって、第１部材１１１Ｂ上に、フォトレジスト３１１が塗布される。
続いて、図１９のＤに示すように、露光工程が行われる。この露光工程によって、フォトマスク３２１を用い、フォトレジスト３１１の表面をパターン状に露光することで、露光された部分（露光部分３１２）と、露光されていない部分（露光部分３１２を除いた部分）からなるパターンが形成される。
次に、図１９のＥに示すように、現像工程が行われる。この現像工程によって、フォトレジスト３１１の露光部分３１２が除去される。
次に、図１９のＦに示すように、エッチング工程が行われる。このエッチング工程によって、フォトレジスト３１１によりマスクされた部分を除いた部分がエッチングされ、第１部材１１１Ｂの一部が加工される。
続いて、図２０のＧに示すように、レジスト塗布工程が行われる。このレジスト塗布工程によって、第１部材１１１Ｂの加工部分上にも、フォトレジスト３１１が塗布される。
次に、図２０のＨに示すように、露光工程が行われる。この露光工程によって、フォトマスク３３１を用い、フォトレジスト３１１の表面をパターン状に露光することで、露光された部分（露光部分３１３，３１４，３１５，３１６）と、露光されていない部分（露光部分３１３，３１４，３１５，３１６を除いた部分）からなるパターンが形成される。
次に、図２０のＩに示すように、現像工程が行われる。この現像工程によって、フォトレジスト３１１の露光部分３１３，３１４，３１５，３１６が除去される。
続いて、図２１のＪに示すように、エッチング工程が行われる。このエッチング工程によって、フォトレジスト３１１によりマスクされた部分を除いた部分がエッチングされ、第１部材１１１Ｂの一部が加工される。この加工によって、サブ画素１００ごとに高さが異なるリフレクタが形成され、第１部材１１１Ａ上のアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｗ，１２１Ｂが露出する。
次に、図２１のＫに示すように、レジスト剥離工程が行われる。このレジスト剥離工程によって、フォトレジスト３１１が剥離される。
次に、図２１のＬに示すように、蒸着工程とCVD成膜工程が行われる。この蒸着工程によって、第１部材１１１Ａ上に形成されたアノード電極１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｗ，１２１Ｂと、第１部材１１１Ｂの表面に、有機層及びカソード電極層からなる層１４１と、保護膜１４２が成膜される。なお、有機層は、アノード電極とカソード電極層との間で発光する。例えば、この有機層は、白色に発光する構造が望ましい。なお、この保護膜１４２の材料としては、例えば、絶縁性材料又は導電性材料などを用いることができる。
続いて、図２２のＭに示すように、平坦化工程が行われる。この平坦化工程によって、第２部材１５１が埋め込まれ、平坦化される。なお、この第２部材としては、例えば、アクリル系樹脂やポリミイド系樹脂、シリコン系樹脂等の樹脂などを用いることができる。
このように、有機層及びカソード電極層からなる層１４１と、保護膜１４２を形成したのち、さらに、第２部材１５１を形成することで、第１部材１１１（１１１Ｂ）と、第２部材１５１とからなる光反射層（リフレクタ構造）が形成される。
次に、図２２のＮに示すように、カラーフィルタ形成工程が行われる。このカラーフィルタ形成工程によって、平坦化された第２部材１５１上に、カラーフィルタ１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂが形成される。
以上のようにして製造される画素１０においては、サブ画素１００ごとに、第１部材１１１の斜面の傾斜によるリフレクタの斜面高さが異なっているため、サブ画素１００ごとの輝度に差をつけて、特定のサブ画素１００の輝度を向上させることが可能となる。
以上、製造工程の第２の例を説明した。
＜２．変形例＞
上述した実施の形態では、画素１０が、WRGB画素、すなわち、４つのサブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ，１００Ｗから構成されるとして説明したが、サブ画素１００の構成は、これに限定されるものではない。
例えば、画素１０において、サブ画素１００Ｗを設けずに、３つのサブ画素１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂから構成されるようにしてもよい。また、例えば、白色（Ｗ）のサブ画素１００Ｗに代えて、白色（Ｗ）と同等に視感度の高い他の色のサブ画素１００を用いてもよい。さらに、画素１０において、複数のサブ画素１００の並び順についても、色ごとに任意の順序に並べることができる。
また、上述した第１，第２の実施の形態では、サブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さを調整する一方で、上述した第３の実施の形態では、サブ画素１００ごとに、アノード電極１２１側の位置を調整していたが、それらの調整を同時に行ってもよい。すなわち、画素１０において、サブ画素１００ごとに、リフレクタ１１２の斜面高さと、アノード電極１２１側の位置の両方を調整するようにしてもよい。
なお、上述した実施の形態において説明した各層の材料及び厚み、又は成膜方法及び成膜条件などは、上述の説明に限定されるものではなく、他の材料及び厚み、又は他の成膜方法及び成膜条件としてもよい。また、上述した実施の形態などでは、有機発光素子１０１の構成を具体的に説明したが、全ての層を有する必要はなく、また、他の層をさらに有するようにしてもよい。
また、上述した実施の形態では、アクティブマトリックス型の表示素子（表示装置）の構成について説明したが、本技術は、パッシブマトリックス型の表示素子（表示装置）への適用も可能である。さらにまた、アクティブマトリックス駆動のための画素駆動回路の構成は、上述した実施の形態で説明したものに限らず、必要に応じて容量素子やトランジスタなどを適宜追加してもよい。その場合には、画素駆動回路の変更に応じて、上述の信号線駆動回路２１（図１）や走査線駆動回路２２（図１）のほかに、必要な駆動回路を適宜追加してもよい。
＜３．電子機器の例＞
（一眼レフカメラの例）
図２３は、本技術を適用した表示素子が適用される電子機器（撮像装置）として、一眼レフカメラ（レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ）の外観の例を示している。
この一眼レフカメラは、図２３のＡに示すように、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に、交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に、撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。
また、図２３のＢに示すように、カメラ本体部４１１の背面略中央部には、モニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
このビューファインダ４１５は、上述した本技術を適用した表示素子（表示素子１）により構成されている。
（ヘッドマウントディスプレイの例）
図２４は、本技術を適用した表示素子が適用される電子機器として、ヘッドマウントディスプレイ（HMD：Head Mounted Display）の外観の例を示している。
このヘッドマウントディスプレイは、図２４のＡに示すように、例えば、眼鏡型の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。この表示部５１１は、上述した本技術を適用した表示素子（表示素子１）により構成されている。
例えば、図２４のＡのヘッドマウントディスプレイを頭部に装着したユーザは、表示部５１１に表示される、仮想現実（VR：Virtual Reality）の映像を見ることができる。
なお、図２４のＡでは、使用者の目を完全に覆った非透過型のヘッドマウントディスプレイの例を示したが、図２４のＢに示すように、透過型（例えばビデオ透過等）のヘッドマウントディスプレイの表示部５２１が、上述した本技術を適用した表示素子（表示素子１）により構成されるようにしてもよい。
例えば、図２４のＢのヘッドマウントディスプレイを頭部に装着したユーザは、表示部５２１に表示される拡張現実（AR：Augmented Reality）の映像を見ることができる。
（その他の例）
なお、上述した図２３及び図２４においては、本技術を適用した表示素子が適用される電子機器として、一眼レフカメラとヘッドマウントディスプレイを例示したが、例えば、スマートフォン、テレビ受像機、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯電話機、ゲーム機、ウェアラブル機器などの電子機器に、本技術を適用した表示素子が適用されるようにしてもよい。
また、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
また、本技術は、以下のような構成をとることができる。
（１）
複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、
前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している
表示素子。
（２）
前記サブ画素ごとに、前記光反射部の積層方向の斜面の高さを調整している
前記（１）に記載の表示素子。
（３）
前記サブ画素ごとに、前記光反射部の斜面の高さが異なる
前記（２）に記載の表示素子。
（４）
複数の前記サブ画素のうち、特定のサブ画素のみ、前記光反射部の斜面の高さが異なる
前記（２）に記載の表示素子。
（５）
前記サブ画素ごとに、前記発光部の積層方向の位置を調整している
前記（１）に記載の表示素子。
（６）
前記サブ画素ごとに、前記発光部の位置が異なる
前記（５）に記載の表示素子。
（７）
複数の前記サブ画素のうち、特定のサブ画素のみ、前記発光部の位置が異なる
前記（５）に記載の表示素子。
（８）
前記光反射部の斜面の高さは、前記光反射部の斜面の角度と、前記発光部の発光部分の幅に応じて調整される
前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の表示素子。
（９）
前記画素は、３つの基本色光を発する第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素と、非基本色光を発する第４のサブ画素からなる
前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の表示素子。
（１０）
前記基本色光は、赤色光、緑色光、及び青色光であり、
前記非基本色光は、白色光である
前記（９）に記載の表示素子。
（１１）
前記サブ画素は、前記発光部として自発光する発光素子を有する画素であり、
前記発光素子は、電極と、発光層を有する有機層から構成される
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の表示素子。
（１２）
複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、
前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している
表示素子を備える電子機器。
１ 表示素子， １０ 画素， １１ 基板， ２１ 信号線駆動回路， ２２ 走査線駆動回路， ２３ 表示領域， ３１ 信号線， ３２ 走査線， ３３ 画素駆動回路， １００，１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ，１００Ｗ サブ画素， １０１，１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ，１０１Ｗ 有機発光素子， １１１ 第１部材， １１２，１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ，１１２Ｗ リフレクタ， １２１，１２１Ｒ，１２１Ｇ，１２１Ｂ，１２１Ｗ アノード電極， １３１，１３１Ｒ，１３１Ｇ，１３１Ｂ カラーフィルタ， １４１ 層， １４２ 保護膜， １５１ 第２部材

Claims (12)

  1. 複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、
    前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している
    表示素子。
  2. 前記サブ画素ごとに、前記光反射部の積層方向の斜面の高さを調整している
    請求項１に記載の表示素子。
  3. 前記サブ画素ごとに、前記光反射部の斜面の高さが異なる
    請求項２に記載の表示素子。
  4. 複数の前記サブ画素のうち、特定のサブ画素のみ、前記光反射部の斜面の高さが異なる
    請求項２に記載の表示素子。
  5. 前記サブ画素ごとに、前記発光部の積層方向の位置を調整している
    請求項１に記載の表示素子。
  6. 前記サブ画素ごとに、前記発光部の位置が異なる
    請求項５に記載の表示素子。
  7. 複数の前記サブ画素のうち、特定のサブ画素のみ、前記発光部の位置が異なる
    請求項５に記載の表示素子。
  8. 前記光反射部の斜面の高さは、前記光反射部の斜面の角度と、前記発光部の発光部分の幅に応じて調整される
    請求項１に記載の表示素子。
  9. 前記画素は、３つの基本色光を発する第１のサブ画素、第２のサブ画素、及び第３のサブ画素と、非基本色光を発する第４のサブ画素からなる
    請求項１に記載の表示素子。
  10. 前記基本色光は、赤色光、緑色光、及び青色光であり、
    前記非基本色光は、白色光である
    請求項９に記載の表示素子。
  11. 前記サブ画素は、前記発光部として自発光する発光素子を有する画素であり、
    前記発光素子は、電極と、発光層を有する有機層から構成される
    請求項１に記載の表示素子。
  12. 複数のサブ画素からなる画素を２次元状に配置した表示領域を有し、
    前記画素は、前記サブ画素ごとに、発光部に対する光反射部の高さを調整している
    表示素子を備える電子機器。
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