JP2016134441A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板と型の位置合わせに有利なインプリント装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板上に形成されたマークと型に形成されたマークを検出する複数の検出器と、インプリント装置を制御する制御部と、を有し、複数の検出器は、第１検出器と第２検出器を含み、制御部は、型の第１領域と第２領域とがインプリント材に順次接触するように、インプリント材と型とを接触させ、第１検出器に第１領域に形成された型の第１マークと基板の第１マークを検出させ、検出結果に基づき第１の位置合わせを行い、第１検出器に型の第１マークと基板の第１マークを検出させた後、第１検出器を移動させている間に、第２検出器に第１領域の後にインプリント材に接触する型の第２領域に形成された第２マークと基板の第２マークを検出させることを特徴とする。【選択図】 図５

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法に関する。

インプリント技術は、型に形成されたパターンを基板上に供給されたインプリント材に転写する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体を製造する技術のひとつとして提案されている。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材（例えば光硬化樹脂）とパターンが形成された型とを接触させ、接触させた状態でインプリント材を硬化させる。硬化したインプリント材と型との間隔を広げて、インプリント材から型を離すことで基板上のインプリント材にパターンを形成（転写）することができる。

このようなインプリント装置では、型と基板の位置合わせとして、いわゆるダイバイダイ方式を用いることができる。ダイバイダイ方式は、型に形成されたマークと基板に形成されたマークをパターンが形成される領域（ショット領域）毎に検出し、型と基板の相対位置やショット領域の形状差を計測して補正するものである。位置合わせに用いられるマークは、インプリント装置に備えられた検出器（スコープ）によって検出される。

この検出器は、インプリント装置内で移動して、複数のマークを検出することができる。特許文献１には、型を基板に対して凸状に変形させてインプリント材に接触させるインプリント装置が記載されている。特許文献１のインプリント装置には、複数の検出器がインプリント装置内を移動することで、型とインプリント材とが接触した領域に形成されたマークを順番に検出する検出器が提案されている。このように検出器は、型に形成されたマークと基板に形成されたマークを、型と樹脂との接触に応じて順番に検出することができる。

ダイバイダイ方式により基板と型の位置合わせを行う場合、検出器により検出されるマークの基板（型）面内の間隔は大きい方が良い。特に、基板と型との回転成分のずれ（回転ずれ）を計測する際には、互いに離れたマークを検出した結果を用いることが有効である。そのため、ダイバイダイ方式では、最終的にショット領域の周辺に形成された複数のマークを、複数の検出器により検出した結果を用いて位置合わせを行う。

特開２０１３−２１９３３１号公報

しかしながら、従来のインプリント装置は、型を凸状に変形させてインプリント材と接触させるため、ショット領域の周辺に形成されたマークの検出は、接触工程の後半となってしまう。検出器を移動させて複数のマークを検出する場合、他の移動させない検出器は、移動により複数のマークを検出する検出器の移動が完了するのを待ってからマークを検出する。現在、このようなマークを検出する工程や位置合わせ工程に要する時間をさらに低減させ、より生産性を向上させた有利な装置にしたいという要望がある。

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、基板と型の位置合わせに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

本発明のインプリント装置は、基板上のインプリント材と型を接触させ、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板上に形成されたマークと型に形成されたマークを検出する複数の検出器と、インプリント装置を制御する制御部と、を有し、複数の検出器は、第１検出器と第２検出器を含み、制御部は、型の第１領域と第２領域とがインプリント材に順次接触するように、インプリント材と型とを接触させ、第１検出器に第１領域に形成された型の第１マークと基板の第１マークを検出させ、型の第１マークと基板の第１マークの検出結果に基づき基板と型とを第１の位置合わせを行い、第１検出器に型の第１マークと基板の第１マークを検出させた後、第１検出器を移動させている間に、第２検出器に第１領域の後にインプリント材に接触する型の第２領域に形成された第２マークと基板の第２マークを検出させることを特徴とする。

本発明によれば、基板と型の位置合わせに有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の実施形態のインプリント装置を示した図である。 本発明の実施形態の位置合わせに用いるマークを示した図である。 本発明の実施形態の検出器の配置を示した図である。 本発明の実施形態のインプリント時の型形状を示した図である。 本発明の実施形態のフローチャートを示した図である。 本発明の実施形態の検出器の駆動の様子を示した図である。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

（実施形態）
（インプリント装置について）
図１を用いて、本発明の実施形態のインプリント装置ＩＭＰについて説明する。図１に示すように、インプリント装置ＩＭＰには、基板２を保持する基板ステージ１、型３を保持する型保持部４（インプリントヘッド）、位置合わせに用いるマークを検出する検出器５（スコープ）、及びインプリント材を硬化させる光を照射する光源８を備える。位置合わせに用いるマークとしては、基板２のショット領域毎に構成された基板側マーク６と型３に形成された型側マーク７を含む。ショット領域は、型３に形成されたパターン９（パターン領域）が基板２上に転写される領域を示す。さらに、インプリント装置ＩＭＰには、インプリント動作を制御する制御部ＣＮＴを備える。また、インプリント装置ＩＭＰは、基板２上にインプリント材を塗布（供給）する塗布機構を備えていても良い。

インプリント技術は、このようなインプリント装置ＩＭＰを用いて基板２上にパターンを形成する技術である。インプリント装置ＩＭＰは、電子線描画装置等を用いて微細なパターンが形成された型を原版として、シリコン基板やガラスプレート等の基板２上に微細なパターンを形成する装置である。この微細なパターンは、基板上にインプリント材を供給し、そのインプリント材と型とを接触させ、接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって形成される。

インプリント技術としては、熱サイクル法及び光硬化法がある。熱サイクル法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。光硬化法では、紫外線硬化樹脂を使用し、樹脂と基板を接触させた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大及び温度変化による寸法精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しないため、現時点においては、光硬化法がナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。

基板ステージ１には、基板２を保持するための基板チャックが含まれる。基板チャックは、例えば真空吸着によって基板２を保持することができる。また、基板ステージ１には駆動機構が含まれ、基板２をＸＹ面に沿って移動させることができる。合わせてＺ方向に駆動することができるようにしても良い。

型保持部４は、型３を保持するための型チャックが含まれる。型チャックは例えば真空吸着によって型３を保持することができる。また、型保持部４には駆動機構が含まれ、型３を基板２に近づける方向（Ｚ方向）に移動させることができる。合わせてＸＹ面に沿って駆動することができるようにしても良い。さらに、型保持部４は型３の形状を変化させるための変形機構を備えていても良い。変形機構により型３を基板２に対して凸状に変形させたり、基板２のショット領域に合わせるようにパターン９が形成された領域（パターン領域）を変形させたりすることができる。

検出器５は、基板側マーク６と型側マーク７とを検出し、検出結果を用いて基板２のショット領域と型３のパターン形成領域の相対位置並びに形状差の計測を行う。本実施形態では、検出器５は、型保持部４に保持されている。また、基板側マーク６と型側マーク７を検出後、光源８から照射される光を避けるため、検出器５は傾けて型保持部４に保持されている。なお、光源８から光が照射される時、検出器５が光の当たらない位置に移動（退避）することができれば、検出器５を傾ける必要はない。もしくは、合成ミラーなどで露光光の光路と検出器の光路が干渉しないように配置してもよい。また、基板側マーク６と型側マーク７を光学系（リレー光学系）で結像させることができれば、検出器５を型保持部４に保持させる必要は無く、型３から離れた場所に検出器５を配置しても良い。

検出器５は、図２（ａ）に示す基板側マーク６と図２（ｂ）に示す型側マーク７を重ねることで生じるモアレ模様を検出する。検出器５は、図２（ｃ）や図２（ｄ）に示すモアレ模様を検出し、検出結果から基板２と型３の相対位置を計測する。

この検出器５を用いて基板２のショット領域と型３のパターン形成領域の相対位置を計測するが、インプリント装置は、基板２の周辺部（エッジショット）で、型３のパターン９の一部が転写される場合がある。ショット領域には、複数のチップが形成されていることがあり、エッジショットにインプリントを行うことで、一部のチップのパターンを形成することができる。この場合は、チップ周辺に基板側マーク６や型側マーク７を配置し、検出器５を移動させてチップ周辺のマークを検出することで、基板２と型３の相対位置を計測することが可能である。

図２を用いて、モアレ模様を用いた２つのマーク間の相対位置を計測する方法を説明する。図２（ａ）、図２（ｂ）に示す基板側マーク６や型側マーク７は、互いにピッチの異なる格子マークである。これらの格子マークを重ねると、図２（ｃ）に示すような明暗の縞模様が生じる。この縞模様がモアレ模様である。モアレ模様は、二種類の格子マークの相対位置によって明暗の位置が変化する。例えば、二種類の格子マークの片方を少しだけ右へずらしてやると、図２（ｃ）に示すモアレ模様は、図２（ｄ）に示すようなモアレ模様に変化する。このモアレ模様は、二種類の格子マーク間の実際のずれ量を拡大し大きな明暗縞として発生するため、検出器５の解像力が低くてもモアレ模様を検出することで、精度良く二種類の格子マークの相対位置を計測することができる。インプリント装置ＩＭＰは、格子マークの相対位置を計測することによって格子マークが形成された基板２と型３の相対位置を計測することができる。なお、上述したようにスコープを傾ける場合は、型もしくは基板のマークの非計測方向を格子状にし、光を回折させて照明光を所望の検出器の光路へ導く必要がある。そのため、型もしくは基板のマークをチェッカー状にすることが望ましい。

以上、モアレ模様を用いた基板２と型３の相対位置の計測方法について述べたが、計測方法はこれに限られない。基板２と型３の相対位置を計測することが出来ればよいので、例えば、基板２のマークの像と型３に形成されたマークの像を同一視野内で同時に検出、もしくはそれぞれのマークの像を別視野で検出し、マーク像の位置同士をセンサー基準などで比較することで相対位置を計測しても良い。

図３に基板側マーク６と型側マーク７の位置関係と、基板側マーク６と型側マーク７を検出する検出器５を、基板２（型３）の上方から見た様子を示す。図３に示すショット１０（基板２のショット領域及び型３のパターン９の形成領域）には、６個のチップ１１から構成されており、ショット１０の四隅（周辺領域）に基板側マーク６と型側マーク７を有する。図３のマークの配置例では四隅のそれぞれに、Ｘ方向のマークとＹ方向のマークを有する。図３は基板２と型３を示しているので基板側マーク６と型側マーク７は重なって見える。基板側マーク６（型側マーク７）を黒く塗りつぶしているのは、基板側マーク６と型側マーク７の相対位置の計測が可能な状態にあることを示している。

基板２上のショット領域と型３のパターン９との形状差や回転量を求めるには、検出するマークの基板（型）面内の間隔が大きい方が良い。検出したマークによる形状差や回転量の計測値の精度が良くなるためである。特に、基板２上のショット領域と型３のパターン９との回転ずれを計測する際には、互いに離れたマークを検出した結果を用いることが有効である。本実施形態では、検出器５−１、検出器５−２、検出器５−５、検出器５−６を用いてＸ方向の４点のマークを検出し、検出器５−３、検出器５−４、検出器５−７、検出器５−８を用いてＹ方向の４点のマークを検出する。検出器は、図３に示した検出器の形態に限られず、Ｘ方向とＹ方向のマークを同時に検出できる検出器を用いても良い。また、位置合わせの精度によって検出器の数は変化する。

図３に示す８点のマークを用いて基板２と型３の相対位置の計測をする場合を述べる。例えば、８点のマークの検出結果において、全ての計測位置で相対計測値が基板側マーク６に対して型側マーク７がショット１０の外側に向かってずれている場合、基板２のショット領域と型３のパターン９に倍率差が発生していることを示している。

このように複数個所のマークを検出することでショット領域と型３のパターン９との倍率、台形状や平行四辺形状の変形、ねじれといった相対的な形状の違いを計測することができる。この計測結果を用いて、型３のパターン９を変形させたり、基板２のショット領域を変形させたりする。例えば、型３に対してＸＹ方向へ加圧減圧する機構で是正することができる。また、単純なＸＹ方向のシフトずれや回転成分のずれは、基板２及び型３の少なくとも一方をＸＹ方向へシフトさせることや回転移動することで補正することができる。

図４は、力を加えることで凸状に変形させた型３を示す。この状態で型３を基板２上のインプリント材に接触させる。基板２上のインプリント材と型３とを接触させる工程において、型３に形成されたパターン９の凹部に気泡が残存する恐れがある。図４のインプリント方法は、パターン９の中心付近から基板２に近づきインプリント材と接触する。パターン９の外周に向かってインプリント材との接触、並びにパターン９の凹部へインプリント材が充填される。型３に形成された複数のマークは、パターン９の中央から周辺に向かって、インプリント材と順次接触する。このように、図４に示すように型３を基板２に対して凸状に変形させてインプリント材と型３を接触させることで、パターン９の凹部に気泡の残存を低減することができる。

図４のインプリント方法は、気泡の残存によるパターン転写エラーの低減には効果的である。しかし、図３のようにショット１０の周辺に配置されたマークを検出する場合には、ショット１０の周辺にインプリント材が充填されるまで、マーク検出を行うことができない。このため、インプリント材をパターン９に充填させる工程とマーク検出の工程（位置合わせの工程）が並列で処理することができず、インプリント処理に時間がかかるため、生産性が落ちてしまう。

また、パターン９の全面にインプリント材が接触（または充填）してから型３と基板２の相対位置を変える場合には、駆動に大きな力が必要となる。これは、パターン９の全面がインプリント材と接触した後では型３と基板２の間のインプリント材によって発生するせん断力が大きくなり、駆動に大きな力が必要となる。また、駆動できたとしても型３や基板２が変形してショットの形状にひずみの発生や、位置合わせに時間がかかる可能性がある。

そこで、図５と図６を用いて本実施形態について説明する。

図５は、本実施形態のフローチャートを示している。図５のフローチャートは、インプリント装置ＩＭＰに備えられた制御部ＣＮＴによってインプリント装置内の各機構を制御することによって実施される。図６は、本実施形態の検出器５の駆動の様子を示した模式図である。

図５（ａ）は、型３のパターン９を用いて基板２上のインプリント材にパターンを転写する転写工程を示している。図５（ｂ）は、インプリント装置内を移動する検出器５（第１検出器）を用いて検出された基板側マーク６と型側マーク７に基づく、位置合わせ工程を示している。図５（ｃ）は、インプリント装置内を移動せず（複数のマークを検出しない）検出器５（第２検出器）を用いて検出された基板側マーク６と型側マーク７に基づく、位置合わせ工程を示している。これらの工程は並行して行われる。

図５（ａ）の転写工程、図５（ｂ）の検出器の移動を伴う位置合わせ工程（第１の位置合わせ及び第３の位置合わせ）、図５（ｃ）の検出器の移動を伴わない位置合わせ工程（第２の位置合わせ）の各ステップを詳細に説明する。

５−ａ１で、型３のパターン９とインプリント材が供給された基板２の間隔を狭める。この際、基板ステージ１および型保持部４の少なくとも一方を駆動させれば良い。また、型３は図４のように凸状に変形した状態で、かつ傾けないでインプリント材に近づく。本実施形態の変形例として、型３を平面のまま基板２に対して傾けてインプリント材に接触させる場合や、型３を凸状にして、かつ、型３を傾けてインプリント材に接触させる場合がある。

５−ａ２では、凸状に変形したパターン９の先端がインプリント材に接触する（接液開始）。この時の検出器５の位置を示したものが図６（ａ）である。本実施形態では、型３を凸状にしてインプリント材に接触させるため、ショット１０の中心付近が、型３とインプリント材が接触する位置（接液開始位置）である。そこで、基板上のインプリント材に最初に接触する型３の位置（第１領域）に第１マーク、及び、型の第１マークに対応する基板２の第１マークを設ける。型の第１マークと基板の第１マークを検出器５で検出することで、型３のパターン９にインプリント材が充填する工程と並行して、基板２と型３の位置合わせを行うことができる。ここでは、型３を凸状に変形させているため、基板上のインプリント材と最初に接触するのは、パターン９が形成された領域の中央である。検出器５−２及び検出器５−３（第１検出器）には駆動機構が設けられ、ショット１０の中心付近（第１領域）のマークを検出するために移動することができる。

５−ｂ１では、このように型３と基板２の間隔が狭くなり、基板側マーク６と型側マーク７が同時に検出できるようになった時点でマークを検出し粗計測を開始する。ここで、同時に検出できるとは、例えば、検出器５の焦点深度内に両マークが入り、両マークの相対位置を精度良く計測できる場合を指す。このため、型３とインプリント材が接触していてもしていなくとも良い。検出器５−２及び検出器５−３は、粗計測を開始する前に予め図６（ａ）に示すようにショット１０の中心付近に移動させておくのが望ましい。

５−ｂ２では、５−ｂ１で粗計測した結果を基に、型３と基板２の大まかな相対位置を合わせる（第１の位置合わせ）。基板ステージ１と型保持部４の少なくとも一方を駆動することで型３と基板２の相対位置を合わせる。この際、型３とインプリント材がまだ接していない、もしくは接触面積がまだ小さい。そのため、インプリント材と型３との間のせん断力は小さく、位置合わせを行っても基板２やパターン９に与える歪の影響は小さい。

５−ｂ３では、５−ｂ１で粗計測を終えた検出器５は、より精密な計測をするためにショット１０の外周に形成されたマークの位置へ移動する（スコープ駆動）。検出されるマークの間隔が大きい方が回転成分のずれを算出するのに有利である。そのため、ショット最外周付近に形成されたマークを検出して位置合わせを行うことは一般的である。しかし、マークの配置は、配置制約などが影響するため、必ずしもショット最外周部にマークを配置しなくても良い。

次に５−ａ３では、パターン９にインプリント材が充填する工程が進み、ショット１０の端までインプリント材が広がる（充填工程）。

本実施形態では、５−ａ３の充填工程で検出器５−２及び検出器５−３がパターン９の中心付近に形成されたマークを計測（５−ｂ１）してから、パターン９が形成された領域の最外周付近に形成されたマーク位置（第３領域）へ移動する（５−ｂ３）。さらに、５−ａ３の充填工程で基板２と型３の位置合わせ（５−ｂ２）を行う。

ここで、５−ａ３の充填工程でショット領域の端までインプリント材とパターン９との接触が完了する時と、５−ｂ３のスコープ駆動で検出器５の駆動が完了する時を比べると、インプリント材とパターン９との接触が完了する方が早いことが多い。これは、毛細管力の影響によりショット領域の端までインプリント材がパターン９と接触する時間が短いためである。なお、インプリント材とパターン９は接触しているがパターン９の凹部のすべてにインプリント材の充填が完了していないため、５−ａ４の露光工程まではインプリント材が凹部に充填するための時間を必要とする。

そこで、５−ｂ３のスコープ駆動が完了するまで精密計測の開始を待つと時間のロスになる。そこで、粗計測のためのマークを検出した検出器５（図６の場合は検出器５−２及び検出器５−３）が移動している途中であっても、移動していない検出器５（第２検出器）を用いて精密計測を開始する。具体的には、移動していない検出器５（図６の場合は検出器５−１、５−４、５−５、５−６、５−７、５−８）が基板側マーク６と型側マーク７を検出し、５−ｃ１の精密計測を開始する。移動していない検出器５は、パターン９が形成された領域の最外周付近（第２領域）に形成された型の第２マーク、及び、型の第２マークに対応する基板の第２マークを検出する。そして、５−ｃ２で移動していない検出器５のマークの検出結果を用いて基板２と型３の相対位置や形状差を計測し、計測結果に基づき位置合わせ（第２の位置合わせ）を行う。このように複数の検出器５がインプリント装置に構成されている場合、全ての検出器５でマークを検出するのが最も位置合わせの精度は良い。しかし、多少位置合わせの精度が落ちても移動しない検出器５を用いて精密計測を開始することで生産性を上げることができる。

さらに、検出器５の移動（５−ｂ３）が完了したら、移動した検出器による精密計測を開始（５−ｂ４）する。具体的には、移動した検出器５（図６の場合は検出器５−２及び検出器５−３）が基板側マーク６（基板の第３マーク）と型側マーク７（型の第３マーク）を検出し、精密計測を開始する。そして、５−ｂ５では、全ての検出器を用いて高精度な計測を行う。具体的には、移動した検出器５が検出したマークの検出結果と、移動しない検出器５が検出したマークの検出結果を基に基板２と型３の相対位置や形状差を計測する。そして計測結果を基に基板ステージ１及び型保持部４の少なくとも一方を駆動させることで基板２と型３の位置合わせ（第３の位置合わせ）を行う。移動しない検出器５を用いて、５−ｃ２で位置合わせを行っているため、５−ｂ５の位置合わせで計測される基板２と型３の相対位置のずれ量や形状差の大きさは小さい。そのため、位置合わせに必要な駆動量も小さくすることができ、位置合わせの時間を短くすることができる。

５−ｂ５の位置合わせを行った結果、基板２と型３が所望の精度を満たす相対位置になったら、位置合わせ工程は終了（５−ｂ６）する。位置合わせ工程が終了した後、紫外光を照射してインプリント材を硬化させる（５−ａ４）。本実施形態ではインプリント材として紫外光により硬化する光硬化樹脂を用いる。インプリント材を硬化させるために照射する光の波長は紫外光に限らず、使用するインプリント材の性質に応じて適宜決めればよい。インプリント材を硬化させた後、５−ａ５では基板２と型３の間隔を広げることで硬化したインプリント材から型３を引き離す（離型工程）。硬化したインプリント材から型３を引き離すことで基板２上にインプリント材のパターンを形成することができる。

このように、図５に示したインプリント方法によれば、大まかな位置合わせのための大きな駆動は充填工程の前半に行い、精密な位置合わせのための微小駆動は充填工程の後半に行うことができる。本実施形態は複数の検出器のうち、型３とインプリント材の接触開始時にマークを検出した検出器が検出後移動し、他の検出器が充填工程中に並行してマーク検出を開始することで生産性の低下を抑止することのできる位置合わせ方法である。これにより、剪断力の影響を小さく抑え、基板２や型３のパターン９に加わる力を小さく抑えることができる。また、検出器５を駆動させて複数のマークを計測するため、基板２と型３の位置合わせの精度を向上させることができる。インプリント装置の限られた空間内に配置された検出器５を用いて複数のマークを計測しつつ、アライメントに要する時間を抑えることができるため、インプリント装置の生産性の低下も抑えることができる。

（その他の形態）
本実施形態では、Ｘ方向のマークとＹ方向のマークの検出する検出器をそれぞれ配置した例を示しているがこれにこだわらない。Ｘ方向のマークとＹ方向のマークを同時に検出できる検出器を用いても良い。この場合、図３には８個の検出器を配置しているが、Ｘ方向のマークとＹ方向のマークを同時に検出するのであれば、４個の検出器を配置すれば良い。なお、マークの数は多いほど計測精度が向上するが、検出器の配置可能なスペースとの関係で決定される。

本実施形態では、粗計測のために移動させる検出器を検出器５−２及び検出器５−３を用いて説明したが、移動させる検出器の数を増やして複数のマークを検出しても良い。複数の検出器５を駆動させ、さらに多くのマークを計測することにより大まかな位置合わせの精度が向上し、より剪断力の影響を小さく抑えることができる。図６（ａ）のように検出器５−２及び検出器５−３用いて１か所のＸ方向とＹ方向のマークを検出することによりＸＹ方向のシフト成分を計測することができるが、検出するマークの個所を増やすことで回転成分を計測することができる。この場合も、移動しない検出器を用いて、精密な位置合わせのためのマーク検出を開始することで、アライメントに要する時間を抑えることができる。

本実施形態の型３とインプリント材とを接触させる方法は、型３を基板２側に凸状に変形させてインプリント材と接触させる方法について説明したが、この方法に限られない。例えば、型３を変形せずに基板２に対して型３を傾けてインプリント材と接触させ、ショット領域の１辺から順に型３とインプリント材をさせても良い。特に、基板２の周辺部にパターンを形成する場合、型３のパターン９に対してインプリント材と接触する領域と接触しない領域が含まれるため、型３を傾けてインプリント材と接触させるのが望ましい。このような場合でも、接液開始位置に検出器を移動させてマーク（第１領域に形成されたマーク）を検出し、粗計測を行うことができる。計測結果に基づき基板２と型３を大まかな位置合わせ（第１の位置合わせ）を行うことができる。

また、マークの検出と検出結果に基づく基板２と型３の位置合わせのための駆動は１回だけに限らず、マーク検出と位置合わせ駆動を繰り返し行うことで基板２と型３の相対位置を追い込んでもよい。

（デバイス製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。

１ 基板ステージ
２ 基板
３ 型
４ 型保持部（インプリントヘッド）
５ 検出器（スコープ）
６ 基板側マーク
７ 型側マーク

Claims (14)

1. 基板上のインプリント材と型を接触させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板上に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出する複数の検出器と、
   前記インプリント装置を制御する制御部と、を有し、
   前記複数の検出器は、第１検出器と第２検出器を含み、
   前記制御部は、
   前記型の第１領域と第２領域とが前記インプリント材に順次接触するように、前記インプリント材と前記型とを接触させ、
   前記第１検出器に前記第１領域に形成された型の第１マークと基板の第１マークを検出させ、
   前記型の第１マークと前記基板の第１マークの検出結果に基づき前記基板と前記型とを第１の位置合わせを行い、
   前記第１検出器に前記型の第１マークと前記基板の第１マークを検出させた後、前記第１検出器を移動させている間に、前記第２検出器に前記第１領域の後に前記インプリント材に接触する型の前記第２領域に形成された第２マークと基板の第２マークを検出させることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、
   前記第１検出器に前記型の第１マークと前記基板の第１マークを検出させた後、前記第１の位置合わせを行っている際に、前記第１検出器を移動させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御部は、
   前記型の第２マークと前記基板の第２マークの検出結果から前記基板と前記型の相対位置を求め、該求めた相対位置に基づき前記基板と前記型とを第２の位置合わせを行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記型に形成された複数のマークのうち、前記型の第１マークが、前記基板上のインプリント材と最初に接触することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載のインプリント装置。
5. 前記第１領域は、前記型に形成されたパターン領域の中央であることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載のインプリント装置。
6. 前記第２領域は、前記型に形成されたパターン領域の周辺であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、
   前記第１検出器を移動させた後、前記第１検出器に、前記第１領域及び前記第２領域とは異なる第３領域に形成された型の第３マークと基板の第３マークを検出させることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、
   前記型の第３マークと前記基板の第３マークの検出結果から前記基板と前記型の相対位置を求め、該求めた相対位置に基づき前記基板と前記型とを第３の位置合わせを行うことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
9. 前記制御部は、
   前記第２検出器に検出させた前記型の第２マークと前記基板の第２マークの検出結果、及び、前記第１検出器に検出させた前記型の第３マークと前記基板の第３マークの検出結果に基づいて前記基板と前記型とを第３の位置合わせを行うことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
10. 前記第３領域は、前記型に形成されたパターン領域の周辺であることを特徴とする請求項７乃至請求項９の何れか一項に記載のインプリント装置。
11. 前記第１検出器は複数の検出器を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載のインプリント装置。
12. 前記第２検出器は複数の検出器を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載のインプリント装置。
13. 請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載のインプリント装置を用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンが形成された基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
14. 型の第１領域と第２領域に基板上のインプリント材を順次接触させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    第１検出器が前記第１領域に形成された型の第１マークと基板の第１マークを検出する工程と、
    前記検出する工程によって検出された検出結果に基づき前記基板と前記型とを位置合わせを行う工程と、
    前記第１検出器が前記型の第１マークと前記基板の第１マークを検出した後、前記第１検出器が前記第１領域とは異なる領域に形成された前記型のマークを検出するために移動する工程と、
    前記第１検出器が移動している間に、第２検出器に、前記第１領域の後に前記インプリント材に接触する型の前記第２領域に形成された第２マークと基板の第２マークを検出する工程と、を備えることを特徴とするインプリント方法。

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