JP2016089091A - 電子デバイス封止用シート、及び、電子デバイスパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物がシランカップリング剤として用いられており、無機充填剤を69〜86体積%の範囲内で含有し、最低粘度が、10〜1000000Pa・sの範囲内である電子デバイス封止用シート。
【選択図】なし
Description
メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物がシランカップリング剤として用いられており、
無機充填剤を69〜86体積%の範囲内で含有し、
最低粘度が、10〜1000000Pa・sの範囲内であることを特徴とする。
また、無機充填剤を69〜86体積%の範囲内で含有するため、熱膨張係数を電子デバイスに近づけることができる。その結果、パッケージの反りを抑制することができる。さらに、無機充填剤を69〜86体積%の範囲内で含有するため、吸水率を低くすることができる。また、最低粘度が、10〜1000000Pa・sの範囲内であり、粘度上昇が抑制されている。その結果、当該電子デバイス封止用シートを用いて製造される電子デバイスパッケージの信頼性を向上させることができる。
前記の電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
被着体上に配置された1又は複数の電子デバイスを覆うように前記電子デバイス封止用シートを積層する積層工程と、
前記電子デバイス封止用シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程と
を含む。
(1)シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、及び、
(2)メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物をシランカップリング剤として封止用シート11中に含有する場合、を含む。
また、前記無機充填剤としては、平均粒子径の異なる2種以上の無機充填剤を用いてもよい。平均粒径の異なる2種以上の無機充填剤を用いる場合、前記の「無機充填剤の平均粒径は20μm以下」とは、無機充填剤全体の平均粒径が20μm以下のことをいう。
粒度分布において2つのピークを有する無機充填剤を用いると、無機充填剤を高密度で充填することができる。その結果、無機充填剤の含有量をより多くすることが可能となる。
前記2つのピークは、特に限定されないが、粒径の大きい側のピークが、3〜30μmの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが0.1〜1μmの範囲内にあることが好ましい。前記2つのピークが前記数値範囲内にあると、無機充填剤の含有量をさらに多くすることが可能となる。
上記粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
(a)封止用シート11をるつぼに入れ、大気雰囲気下、700℃で2時間強熱して灰化させる。
(b)得られた灰分を純水中に分散させて10分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置(ベックマンコールター社製、「LS 13 320」;湿式法)を用いて粒度分布(体積基準)を求める。
なお、封止用シート11の組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、封止用シート11の粘度を低下させることができるが、シランカップリング剤の量が多いとアウトガス発生量も増加する。そのため、無機充填剤を予め表面処理したとしても、封止用シート11の作成時に発生するアウトガスにより、封止用シート11の性能が低下することとなる。一方、シランカップリング剤の量が少ないと粘度を好適に低下させることができない。そこで、無機充填剤100重量部に対して0.5〜2重量部のシランカップリング剤により無機充填剤を予め表面処理すれば、好適に粘度を低下させることができるとともに、アウトガスによる性能低下を抑制することができる。
また、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる2種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、平均粒径の小さい方の無機充填剤と大きい方の無機充填剤との両方を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことがより好ましい。この場合、粘度の上昇をさらに抑制することが可能となる。
封止用シート11は、適当な溶剤に封止用シート11を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスを支持体11a上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜30分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上にワニスを塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて封止用シート11を形成してもよい。その後、支持体11a上に封止用シート11をセパレータと共に貼り合わせる。封止用シート11が、特に、熱可塑性樹脂(アクリル樹脂)、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含む場合、これらすべてを溶剤に溶解させた上で、塗布、乾燥させる。溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
以下では、封止用シート11でSAWチップを中空封止する場合について説明する。
図2A〜図2Cはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る中空パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す図である。中空封止方法としては特に限定されず、従来公知の方法で封止できる。例えば、被着体上の電子デバイスを覆うように未硬化の封止用シート11を基板上に中空構造を維持しながら積層(載置)し、次いで封止用シート11を硬化させて封止する方法などが挙げられる。被着体としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等が挙げられる。本実施形態では、プリント配線基板12上に搭載されたSAWチップ13を封止用シート11により中空封止して中空パッケージを作製する。なお、SAWチップ13とは、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタを有するチップである。
SAWチップ搭載基板準備工程では、複数のSAWチップ13(SAWフィルタ13)が搭載されたプリント配線基板12を準備する(図2A参照)。SAWチップ13は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。SAWチップ13のプリント配線基板12への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。SAWチップ13とプリント配線基板12とはバンプなどの突起電極13aを介して電気的に接続されている。また、SAWチップ13とプリント配線基板12との間は、SAWフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部14を維持するようになっている。SAWチップ13とプリント配線基板12との間の距離(中空部の幅)は適宜設定でき、一般的には10〜100μm程度である。
積層工程では、SAWチップ13を覆うようにプリント配線基板12へ封止用シート11を積層し、SAWチップ13を封止用シート11で樹脂封止する(図2B参照)。封止用シート11は、SAWチップ13及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
封止体形成工程では、封止用シート11を熱硬化処理して封止体15を形成する(図2B参照)。熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。加熱時間が、好ましくは10分以上、より好ましくは30分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは180分以下、より好ましくは120分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.5MPa以上である。一方、上限は好ましくは10MPa以下、より好ましくは5MPa以下である。
続いて、封止体15のダイシングを行ってもよい(図2C参照)。これにより、SAWチップ13単位での中空パッケージ18(電子デバイスパッケージ)を得ることができる。
必要に応じて、中空パッケージ18に対してバンプを形成し、これを別途の基板(図示せず)に実装する基板実装工程を行うことができる。中空パッケージ18の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
エポキシ樹脂:新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/eq.、軟化点80℃)
フェノール樹脂:群栄化学製のLVR8210DL(ノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量104g/eq.、軟化点60℃)
熱可塑性樹脂:根上工業社製のHME−2006M(カルボキシル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量:約60万、ガラス転移温度(Tg):−35℃)
無機充填剤A:電気化学工業社製のFB−5SDC(平均粒径5μm)を3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製の製品名:KBM−503)で表面処理したもの。無機充填剤Aの100重量部に対して1重量部のシランカップリング剤で表面処理。
無機充填剤B:アドマテックス社製のSO−25R(平均粒径0.5μm)を3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製の製品名:KBM−503)で表面処理したもの。無機充填剤Bの100重量部に対して1重量部のシランカップリング剤で表面処理。
無機充填剤C:電気化学工業社製のFB−5SDC(平均粒径5μm、表面処理ナシ)
無機充填剤D:アドマテックス社製のSO−25R(平均粒径0.5μm表面処理ナシ)
シランカップリング剤:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製の製品名:KBM−503)
カーボンブラック:三菱化学社製の#20
硬化促進剤:四国化成工業社製の2PHZ−PW(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)
表1に記載の配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、濃度90重量%のワニスを得た。このワニスを、シリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、110℃で5分間乾燥させた。これにより、厚さ65μmのシートを得た。このシートを4層積層させて厚さ260μmの中空封止用封止用シートを作製した。
実施例及び比較例で作製した封止用シートの50℃での引張貯蔵弾性率Xを、粘弾性測定装置(レオメトリックス社製:形式:RSA−II)を用いて測定した。具体的には、作製した封止用シートを切断してサンプルサイズを長さ30mm×幅5mmとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、−20℃〜100℃の温度域で周波数1Hz、歪み0.01%、昇温速度10℃/minの条件下で測定した。結果を表2に示す。
実施例及び比較例で作製した封止用シートの最低粘度を、レオメーター(HAAKE社製、MARS III)を用いて、パラレルプレート法により測定した。より詳細には、ギャップ1mm、パラレルプレート直径8mm、回転速度5s−1、歪み0.05%、昇温速度10℃/分の条件にて、50℃から130℃の範囲で粘度を測定し、その際の粘度の最低値を最低粘度とした。結果を表2に示す。
なお、表2は、比X/Yも合わせて示した。
粘弾性測定装置(ティー・エイ・インスツルメント社製のRSA−3)に25mmφ(直径25mm)のプレートを2枚装着した。2枚のプレートのうち下側のプレートに実施例及び比較例の封止用シートを両面テープで固定した後、25℃雰囲気下において上側のプレート(プローブ)を下降させることにより100gの荷重で上側のプレートを封止用シートに押し当てた。その後、上側のプレートを上昇させることにより上側のプレートを封止用シートから引き剥がすために必要な荷重を測定した。荷重が5g以上の場合を○、5g未満の場合を×として評価した。結果を表2に示す。
実施例及び比較例の封止用シートの硬化後の反り量を以下のようにして測定した。
100mm×100mmサイズ、厚み0.2mmのアルミナ基板に対し、同サイズ、同厚みの封止用シートを0.5kgf/cm2の圧力で100℃30秒間圧着した。その後、150℃1時間オーブンで硬化後、室温に放冷した際の最大反り量をノギスで計測した。具体的には、封止用シートが上面になるように平坦な台の上に置き、台面から一番遠い部分までの厚さとして測定した。次に、得られた測定厚みからアルミナ基板の厚み:0.2mmと封止用シートの厚み:0.2mmとを差し引いた値を反り量とし、反り量2mm未満の場合を○、2mm以上の場合を×として評価した。結果を表2に示す。
アルミニウム櫛形電極が形成された以下の仕様のSAWチップを下記ボンディング条件にてセラミック基板に実装したSAWチップ実装基板を作製した。SAWチップとセラミック基板との間のギャップ幅は、15μmであった。
チップサイズ:1.2mm角(厚さ150μm)
バンプ材質:Au(高さ15μm)
バンプ数:6バンプ
チップ数:100個(10個×10個)
装置:パナソニック電工(株)製
ボンディング条件:200℃、3N、1sec、超音波出力2W
温度:60℃
加圧力:4MPa
真空度:1.6kPa
プレス時間:1分
11a 支持体
13 SAWチップ
15 封止体
18 中空パッケージ
Claims (5)
- メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物がシランカップリング剤として用いられており、
無機充填剤を69〜86体積%の範囲内で含有し、
最低粘度が、10〜1000000Pa・sの範囲内であることを特徴とする電子デバイス封止用シート。 - 50℃での引張貯蔵弾性率をX、最低粘度をYとしたとき、比X/Yが、15〜100の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス封止用シート。
- 前記無機充填剤は、前記シランカップリング剤で予め表面処理されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子デバイス封止用シート。
- 前記無機充填剤は、前記無機充填剤100重量部に対して0.5〜2重量部の前記シランカップリング剤により予め表面処理されていることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイス封止用シート。
- 請求項1〜4のいずれか1に記載の電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
被着体上に配置された1又は複数の電子デバイスを覆うように前記電子デバイス封止用シートを積層する積層工程と、
前記電子デバイス封止用シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスパッケージの製造方法。
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