JP6933463B2 - 樹脂シート - Google Patents

Description

本発明は、樹脂シートに関する。

従来、電子デバイスと基板との間が中空構造となっている中空型電子デバイスを樹脂封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する際に、封止樹脂としてシート状のものが用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。

上記パッケージの製造方法としては、被着体上に配置された１又は複数の電子デバイス上にシート状の封止樹脂を配置し、次に、電子デバイスとシート状の封止樹脂とを近づける方向に加圧して電子デバイスをシート状の封止樹脂に埋め込み、その後、シート状の封止樹脂を熱硬化させる方法が挙げられる。

上述の方法を採用した場合、電子デバイスと被着体との間の中空部に封止樹脂の一部が入り込む。しかしながら、その入り込み量のバラツキが、パッケージごとに大きいといった問題があった。

特許文献２には、Ａ層とＢ層との２層構成の封止用エポキシ樹脂組成物シートが開示されている。特許文献２では、中空型デバイス上に、Ａ層を下に、Ｂ層を上になるようにして覆うように載せて封止すると記載されている。

特開２００６−１９７１４号公報 特開２０１１−２１９７２６号公報

しかしながら、特許文献２のＡ層は、半硬化状態のエポキシ樹脂を用いており、硬化前は比較的低分子であるエポキシ樹脂は硬化反応中に流動してしまうため、安定した中空封止性を確保できない。

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子デバイスと被着体との間の中空部に入り込む樹脂の量がパッケージごとにばらつくことを抑制することが可能な樹脂シートを提供することにある。

以上のような目的を達成するために、本発明者は、まず、中空部に入り込む樹脂の量がパッケージごとにばらつく理由について鋭意研究を行った。その結果、上述の方法を採用した場合、電子デバイスを封止樹脂に埋め込んだ後、熱硬化時に、まず、封止樹脂の一部が熱により低粘度となる等して中空部に流動して入り込み、その後、熱硬化に伴って樹脂が高粘度となり、樹脂の入り込みが止まることとなっていることを突き止めた。そして、熱硬化時の樹脂の流動量は、パッケージごとに大きく異なり、コントロールし難いことを突き止めた。

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る樹脂シートは、
最外層と最内層とを有し、
前記最外層は、無機充填剤と熱可塑性樹脂とを含み、
前記無機充填剤の含有量は、前記最外層全体に対して８５重量％以上であり、
前記熱可塑性樹脂の含有量は、前記最外層の樹脂成分全体に対して１５重量％以下であり、
前記最内層は、重量平均分子量８０万以上の官能基含有熱可塑性樹脂を含み、
前記官能基含有熱可塑性樹脂の含有量は、前記最内層の樹脂成分全体に対して９０重量％以上であることを特徴とする。

前記樹脂シートは、電子デバイス上に、前記最内層が接するように積層した後、前記電子デバイスを埋め込んで使用する。
前記構成によれば、前記最内層は、官能基含有熱可塑性樹脂を前記最内層の樹脂成分全体に対して９０重量％以上の割合で含んでいる。熱可塑性樹脂成分が多いため、電子デバイスの埋め込み時に、電子デバイスと被着体との間の中空部に樹脂を入り込ませることができる。
また、前記官能基含有熱可塑性樹脂は、官能基を有しているため、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間に架橋する。また、前記官能基含有熱可塑性樹脂は、重量平均分子量８０万以上であるため、加熱しても流動しにくい。従って、電子デバイスと被着体との間の中空部における樹脂の進入量（移動量）を少なくすることができる。
ここで、最内層は、安定した中空封止性を実現するために、官能基含有アクリル樹脂を前記最内層の樹脂成分全体に対して９０重量％以上の割合で含んでいるため、硬化後の弾性率は低い。そのため、ダイシング時にダイシングテープに貼り付けると、ダイシング後にダイシングテープから剥離しにくくなってしまう。また、アクリル樹脂は、その粘弾性により成型時はチップに追従しやすいが、流動しないため、チップとチップとの間の凹みが大きくなり、チップを個片化した際の形状として、端部が凹んだ形状になってしまう。
そこで、本発明では、最外層を設けている。最外層は、前記最外層全体に対して８５重量％以上の割合で無機充填剤を含む。さらに、最外層は、熱可塑性樹脂の含有量を、最外層の樹脂成分全体に対して１５重量％以下とし、流動性の高いエポキシ樹脂成分を多く含ませている。その結果、硬化後の弾性率が高くなり、ダイシングテープとの剥離性が良くなる。また、最外層は、硬化までに流動性が高いため樹脂が流動する。その結果、天面の凹み、すなわち、チップとチップとの間の凹みを抑制することができる。

前記構成において、前記官能基含有熱可塑性樹脂は、グリシジル基含有アクリル樹脂であることが好ましい。

前記官能基含有熱可塑性樹脂が、グリシジル基含有アクリル樹脂であると、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間の樹脂のチップ下への流動をより少なくすることができる。

前記構成において、前記最内層は、硬化性成分としてのフェノール樹脂を含み、
前記フェノール樹脂の含有量は、前記官能基含有熱可塑性樹脂に対する当量比０．８〜２．０の範囲内であることが好ましい。

前記最内層に含まれる前記フェノール樹脂の含有量が、前記官能基含有熱可塑性樹脂に対する当量比０．８〜２．０の範囲内であると、好適に前記官能基含有熱可塑性樹脂の官能基と反応する。その結果、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間の樹脂のチップ下への流動をさらに少なくすることができる。

前記構成において、樹脂シート全体の硬化前のガラス転移温度Ｔｇを測定したときに、０℃以下に少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇが存在することが好ましい。

０℃以下に少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇが存在すれば、アクリル樹脂が含有されているといえる。アクリル樹脂が含有されていれば、電子デバイスの埋め込み時に、電子デバイスと被着体との間の中空部により好適に樹脂を入り込ませることができる。

前記構成において、前記最内層は、無機充填剤を含まない、又は、無機充填剤を前記最内層全体に対して５０重量％以下で含むことが好ましい。

前記最内層の無機充填剤の含有量が、前記最内層全体に対して５０重量％以下であると、チップへの追従性が良く、安定した中空封止性を担保することができる。５０重量％以上であると、成型温度や圧力を上げても、チップに追従せずにチップとチップとの間への樹脂の進入が足りず、ダイシング時にパッケージの側面が空いてしまったりする不良が発生するおそれがある。

本実施形態に係る樹脂シートの断面模式図である。 本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 進入量Ｘ２を説明するための断面部分拡大図である。 （ａ）は、天面凹凸評価を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。 天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。 天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。 天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。 （ａ）は、プレス時侵入量評価を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 プレス時侵入量評価を説明するための断面模式図である。 プレス時侵入量評価を説明するための断面模式図である。 プレス時侵入量評価を説明するための断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（樹脂シート）
図１は、本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）の断面模式図である。図１に示すように、電子デバイス封止用樹脂シート１１（以下、「樹脂シート１１」ともいう）は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどのセパレータ１０上に積層された状態で提供される。なお、セパレータ１０には樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。

なお、本実施形態では、樹脂シートの一方の面にのみセパレータが積層された場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、樹脂シートの両面にセパレータが積層されていてもよい。この場合、使用する直前に一方のセパレータを剥離して、使用することができる。また、本発明において樹脂シートは、セパレータに積層されず、樹脂シートの単体で提供されてもよい。また、本発明の趣旨に反しない範囲において、樹脂シート上に他の層が積層されていてもよい。

樹脂シート１１は、最外層１１ａと、最外層１１ａ上に積層された最内層１１ｂとを有する。

なお、本実施形態では、樹脂シートが最外層と最内層との２層構成である場合について説明するが、本発明は、この例に限定されない。本発明の樹脂シートは、一方の面に最外層が露出しており、他方の面に最内層が露出していればよく、最外層と最内層との間に他の層が存在していてもよい。

（最外層）
最外層１１ａは、無機充填剤と熱可塑性樹脂とを含む。
前記無機充填剤の含有量は、最外層１１ａ全体に対して８５重量％以上であり、好ましくは、８７重量％以上であり、より好ましくは、８９重量％以上である。また、前記無機充填剤の含有量は、多い方が好ましいが、シート成形性の観点から、例えば、９３重量％以下、９０重量％以下である。
前記熱可塑性樹脂の含有量は、最外層１１ａの樹脂成分全体に対して１５重量％以下であり、好ましくは、１２重量％以下であり、より好ましくは、８重量％以下である。

最外層１１ａは、最外層１１ａ全体に対して８５重量％以上の割合で無機充填剤を含んでいる。従って、硬化後にある程度の硬さを有するため、電子デバイスのダイシングテープからの剥離性が良くなる。
また、最外層１１ａは、埋め込み時の天面の凹凸を抑制することができる。これは、最外層の熱可塑性樹脂の含有量が、樹脂成分全体に対して１５重量％以下であるため、エポキシ樹脂とフェノール成分の低分子量成分の影響で、天面形状を平滑にするほど十分に流動が可能なためである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、可とう性が得やすく、エポキシ樹脂との分散性が良好であるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

前記アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が５万以上のものが好ましく、１０万〜２００万のものがより好ましく、３０万〜１６０万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、最外層１１ａの粘度と可とう性をより高くすることができる。重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
より具体的に、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。重量平均分子量（Ｍｗ）は東ソー製ＧＰＣ：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣを用いて以下測定条件で測定した値を採用する。
（測定条件）
カラム：ＧＭＨ_ＸＬ相当×３本
流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
試料濃度：０．１重量％ＴＨＦ溶液
注入量：１５０μｌ

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂と反応して、最外層１１ａの粘度や弾性率を高くできる観点から、カルボキシル基含有モノマー、グリシジル基（エポキシ基）含有モノマー、ヒドロキシル基含有モノマーうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。

前記無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜１５μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜１０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
また、前記無機充填剤としては、平均粒子径の異なる２種以上の無機充填剤を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の無機充填剤を用いる場合、前記の「無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下」とは、無機充填剤全体の平均粒径が２０μｍ以下のことをいう。

前記無機充填剤の形状は特に限定されず、球状（楕円体状を含む。）、多面体状、多角柱状、扁平形状、不定形状等の任意の形状であってもよいが、球状が好ましい。

最外層１１ａに含有される前記無機充填剤は、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有していることが好ましい。このような無機充填剤は、例えば、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合することにより得ることができる。粒度分布において２つのピークを有する無機充填剤を用いると、無機充填剤を高密度で充填することができる。その結果、無機充填剤の含有量をより多くすることが可能となる。
前記２つのピークは、特に限定されないが、粒径の大きい側のピークが、３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあることが好ましい。前記２つのピークが前記数値範囲内にあると、無機充填剤の含有量をさらに多くすることが可能となる。
上記粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
（ａ）最外層１１ａをるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。
（ｂ）得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて粒度分布（体積基準）を求める。
なお、最外層１１ａの組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。

最外層１１ａにおいて、前記無機充填剤は、シランカップリング剤で予め表面処理されていることが好ましい。

前記シランカップリング剤としては、メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有しており、無機充填剤の表面処理をすることが可能なものであれば特に限定されない。前記シランカップリング剤の具体例としては、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリエトキシシランを挙げることができる。なかでも、反応性とコストの観点から、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

最外層１１ａが、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、前記無機充填剤は、無機充填剤１００重量部に対して０．５〜２重量部のシランカップリング剤により予め表面処理されていることが好ましい。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、最外層１１ａの粘度が大きくなりすぎるのを抑制することができる。

最外層１１ａが、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め予め表面処理された無機充填剤を含有する場合であり、且つ、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、少なくとも、平均粒径の小さい方の無機充填剤を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことが好ましい。平均粒径の小さい方の無機充填剤の方が、比表面積は大きいため、粘度の上昇をより抑制することが可能となる。
また、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、平均粒径の小さい方の無機充填剤と大きい方の無機充填剤との両方を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことがより好ましい。この場合、粘度の上昇をさらに抑制することが可能となる。

最外層１１ａは、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、成型性および信頼性の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などがより好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高く安価であるという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

最外層１１ａ中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量の下限は、２重量％以上が好ましく３重量％以上がより好ましい。５．０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。一方、上記合計含有量の上限は、２５重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。２５重量％以下であると、樹脂シートの吸湿性を低減させることができる。

最外層１１ａは、硬化促進剤を含むことが好ましい。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されない。例えば、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン等を挙げることができる。

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。

最外層１１ａは、必要に応じ、難燃剤成分を含んでもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。

最外層１１ａは、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。

最外層１１ａ中の顔料の含有量は、０．１〜２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化後の樹脂シートの強度を確保することができる。

なお、最外層１１ａ形成用の樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

最外層１１ａの厚さは特に限定されないが、例えば、１００〜２００μｍである。上記範囲内であると、１００〜２５０μｍのチップ厚みに対して天面形状として平滑性良く、成型することが可能である。

（最内層）
最内層１１ｂは、官能基含有熱可塑性樹脂を含む。
前記官能基含有熱可塑性樹脂の含有量は、最内層１１ｂの樹脂成分全体に対して９０重量％以上であり、好ましくは、９３重量％以上であり、より好ましくは、９５重量％以上である。
前記官能基含有熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、８０万以上であり、好ましくは１００万以上であり、より好ましくは、１２０万以上である。
なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。詳細な測定方法は上述した通りである。

樹脂シート１１は、電子デバイス上に、最内層１１ｂが接するように積層した後、前記電子デバイスを埋め込んで使用する。
最内層１１ｂは、官能基含有熱可塑性樹脂を最内層１１ｂの樹脂成分全体に対して９０重量％以上の割合で含んでいる。熱可塑性樹脂成分が多いため、電子デバイスの埋め込み時に、電子デバイスと被着体との間の中空部に樹脂を入り込ませることができる。
また、前記官能基含有熱可塑性樹脂は、官能基を有しているため、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間に架橋する。また、前記官能基含有熱可塑性樹脂は、重量平均分子量８０万以上であるため、加熱しても流動しにくい。従って、電子デバイスと被着体との間の中空部における樹脂の進入量（移動量）を少なくすることができる。

前記官能基含有熱可塑性樹脂としては、官能基含有アクリル樹脂等が挙げられる。

前記官能基含有アクリル樹脂としては、官能基として、グリシジル基、アミノ基のいずれか、又は、複数を有するアクリル樹脂が挙げられる。前記官能基含有アクリル樹脂の具体例としては、最外層１１ａの項で説明したアクリル樹脂のうち、前記官能基を有するものが挙げられる。なかでも、グリシジル基含有アクリル樹脂が好ましい。グリシジル基含有アクリル樹脂であると、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間の樹脂の移動量をより少なくすることができる。

最内層１１ｂは、硬化性成分としてのフェノール樹脂を含むことが好ましい。
前記フェノール樹脂の含有量は、前記官能基含有熱可塑性樹脂に対する当量比０．８〜２．０の範囲内であることが好ましく、０．９〜１．５の範囲内であることがより好ましく、１．０〜１．２の範囲内であることがさらに好ましい。
最内層１１ｂに含まれる前記フェノール樹脂の含有量が、前記官能基含有熱可塑性樹脂に対する当量比０．８〜２．０の範囲内であると、好適に前記官能基含有熱可塑性樹脂の官能基と反応する。その結果、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間の樹脂の移動量をさらに少なくすることができる。

前記フェノール樹脂としては、最外層１１ａの項で説明したものが挙げられる。

最内層１１ｂは、エポキシ樹脂を含まないことが好ましい。

最内層１１ｂは、無機充填剤を含まないか、含むとしても最内層１１ｂに対して、５０重量％以下の範囲内で含むことが好ましい。前記無機充填剤としては、最外層１１ａの項で説明したものが挙げられる。

最内層１１ｂは、硬化促進剤を含むことが好ましい。前記硬化促進剤としては、最外層１１ａの項で説明したものが挙げられる。

最内層１１ｂは、顔料を含むことが好ましい。前記顔料としては、最外層１１ａの項で説明したものが挙げられる。

なお、最内層１１ｂ形成用の樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。

最内層１１ｂの厚さは特に限定されないが、例えば５０〜１００μｍである。上記範囲内であると、最外層の流動を最内層で食い止めることができる。

樹脂シート１１全体の厚さは特に限定されないが、例えば、１５０μｍ〜１０００μｍである。上記範囲内であると、チップ厚み１００〜７００μｍのものを安定して成型可能である。

樹脂シート１１は、樹脂シート１１全体の硬化前のガラス転移温度Ｔｇを測定したときに、０℃以下に少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇが存在することが好ましい。０℃以下に少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇが存在すれば、アクリル樹脂が含有されているといえる。アクリル樹脂が含有されていれば、電子デバイスの埋め込み時に、電子デバイスと被着体との間の中空部により好適に樹脂を入り込ませることができる。ガラス転移温度Ｔｇの測定方法は、実施例記載の方法による。

［樹脂シートの製造方法］
樹脂シート１１は、最外層１１ａと最内層１１ｂとを別々に作製し、これらを貼り合わせることによって得られる。

＜最外層の作製方法＞
最外層１１ａは、適当な溶剤に最外層１１ａを形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスをセパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜３０分間の範囲内で行われる。前記溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
また、最外層１１ａは、混練押出により製造してもよい。混練押出により製造する方法としては、例えば、最外層１１ａを形成するための各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を可塑加工してシート状に形成する方法などが挙げられる。
具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、樹脂シートを形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、最外層１１ａを形成することができる。

＜最内層の作製方法＞
最内層１１ｂは、最外層１１ａと同様の方法により形成することができる。

また、樹脂シート１１の他の製造方法としては、セパレータ上に最外層１１ａを形成するためのワニスを塗布、乾燥させて最外層１１ａを得た後、最外層１１ａ上に最内層１１ｂを形成するためのワニスを塗布、乾燥させてもよい。

［中空型電子デバイスパッケージの製造方法］
本発明の樹脂シートは、中空封止用の電子デバイス封止用樹脂シートとして好適に使用できる。
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
前記樹脂シートを準備する工程と、
前記樹脂シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に、前記最内層が接するように配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記樹脂シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記樹脂シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
を少なくとも含む。

前記被着体としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板等が挙げられる。本実施形態では、プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する。なお、ＳＡＷチップ１３とは、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである。すなわち、本実施形態では、本発明の電子デバイスが、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである場合について説明する。

図２〜図６は、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。

（積層体を準備する工程）
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、まず、複数のＳＡＷチップ１３（ＳＡＷフィルタ１３）がプリント配線基板１２上に搭載された積層体１５を準備する（図２参照）。ＳＡＷチップ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷチップ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプ１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２との間の距離（中空部の幅）は適宜設定でき、一般的には１０〜１００μｍ程度である。

（樹脂シートを準備する工程）
また、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、樹脂シート１１（図１参照）を準備する。

（樹脂シートを配置する工程）
次に、図３に示すように、下側加熱板２２上に、積層体１５を、ＳＡＷチップ１３が固定された面を上にして配置するとともに、ＳＡＷチップ１３面上に樹脂シート１１を配置する。このとき、ＳＡＷチップ１３の面と樹脂シート１１の最内層１１ｂとが接するように配置する。この工程においては、下側加熱板２２上にまず積層体１５を配置し、その後、積層体１５上に樹脂シート１１を配置してもよく、積層体１５上に樹脂シート１１を先に積層し、その後、積層体１５と樹脂シート１１とが積層された積層物を下側加熱板２２上に配置してもよい。

（電子デバイスを樹脂シートに埋め込む工程）
次に、図４に示すように、下側加熱板２２と上側加熱板２４とにより熱プレスして、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む。下側加熱板２２、及び、上側加熱板２４は、平板プレスが備えるものであってよい。樹脂シート１１は、ＳＡＷチップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。

この埋め込む工程は、樹脂シート１１を構成する樹脂の、ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間の中空部１４への進入量Ｘ２（図７参照）が０μｍ以上２０μｍ以下となるように行うことが好ましい。図７は、進入量Ｘ２を説明するための断面部分拡大図である。前記進入量Ｘ２は、好ましくは０μｍ以上１５μｍ以下である。前記進入量Ｘ２を０μｍ以上２０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の粘度を調整したり、熱プレス条件を調整することにより達成することができる。より具体的には、例えば、圧力、及び、温度を高めに設定する方法が挙げられる。
なお、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止する場合、「進入量Ｘ２が０μｍ以上２０μｍ以下となる」とは、すべてのＳＡＷフィルタ１３について、「進入量Ｘ２が０μｍ以上２０μｍ以下となる」ことを意味する。

具体的に、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む際の熱プレス条件としては、樹脂シート１１の粘度等に応じて異なるが、温度が、好ましくは２０〜１５０℃、より好ましくは４０〜１００℃であり、圧力が、例えば、０．０１〜２０ＭＰａ、好ましくは０．０５〜５ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。熱プレス条件を上記数値範囲内とすることにより、進入量Ｘ２を上記数値範囲内とし易くなる。
熱プレス時の温度が高すぎると、熱プレス中に反応が開始し、侵入量がばらつく可能性があり、作業性の観点からも、低温（例えば、１００℃以下）等が求められている。また、圧力も、チップへの破損を防止する観点より、低圧が好ましい。

また、樹脂シート１１のＳＡＷチップ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０〜２０Ｔｏｒｒ、好ましくは、５〜１０Ｔｏｒｒであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５〜６００秒であり、好ましくは、１０〜３００秒である。

（セパレータ剥離工程）
次に、本実施形態のように、片面にセパレータが付いた状態のままで樹脂シート１１を使用している場合には、セパレータ１１ａを剥離する（図５参照）。

（熱硬化させて封止体を得る工程）
次に、樹脂シート１１を熱硬化させて封止体２５を得る。
この封止体を得る工程は、封止体２５を得る工程の後の状態における、中空部１４への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が３０μｍ以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値は、好ましくは２５μｍ以下である。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の硬化前の粘度を調整したり、加熱時の硬化速度が早くなるように樹脂シート１１の構成材料を調整することにより達成することができる。具体的には、例えば、上記硬化促進剤を選択することにより達成することができる。

具体的に、熱硬化処理の条件として、樹脂シート１１の粘度や構成材料等に応じて異なるが、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
熱硬化処理の条件を上記数値範囲内とすることにより、埋め込む工程後から熱硬化工程後までの間の樹脂の流動距離、すなわち、進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とし易い。

電子デバイスとしてのＳＡＷフィルタ１３を１つのみ封止した場合は、封止体２５を１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。また、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合は、ＳＡＷフィルタごとに分割することにより、それぞれ１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。すなわち、本実施形態のように、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合、さらに、下記の構成を行ってもよい。

（ダイシング工程）
熱硬化工程の後、封止体２５のダイシングを行ってもよい（図６参照）。これにより、ＳＡＷチップ１３単位での中空パッケージ１８（中空型電子デバイスパッケージ）を得ることができる。ダイシングは、封止体２５の最外層１１ａ側にダイシングテープを貼り付けた上で行う。最外層１１ａにダイシングテープを貼り付けるため、ダイシング後に中空パッケージ１８をダイシングテープから容易に剥離できる。

（基板実装工程）
必要に応じて、中空パッケージ１８に対してバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。中空パッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

上述した実施形態では、本発明の中空型電子デバイスが、可動部を有する半導体チップであるＳＡＷチップ１３である場合について説明した。しかしながら、本発明の中空型電子デバイスは、被着体と電子デバイスとの間に中空部を有するものであれば、この例に限定されない。例えば、可動部として圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）を有する半導体チップであってもよい。
また、上述の本実施形態では、樹脂シートを用いて、電子デバイスを平行平板プレスで埋め込む場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、真空状態の真空チェンバー内において、離型フィルムで、電子デバイスと樹脂シートとの積層物を密閉した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。具体的には、特開２０１３−５２４２４号公報に記載されている方法により、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

実施例で使用した樹脂シートの成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．、軟化点８０℃）
フェノール樹脂：群栄化学製のＬＶＲ８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点６０℃）
熱可塑性樹脂Ａ：根上工業社製のＨＭＥ−２００６Ｍ（カルボキシル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−３５℃）
熱可塑性樹脂Ｂ：根上工業社製のＮＤＨＢ−１０１（グリシジル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約１００万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−３１℃）
熱可塑性樹脂Ｃ：根上工業社製のＮＤ−７７Ｌ（グリシジル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約１１０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−１０℃）
熱可塑性樹脂Ｄ：根上工業社製のＮＤ−７８Ｌ（グリシジル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約１１０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−１５℃）
熱可塑性樹脂Ｅ：根上工業社製のＮＤＦ−００１（グリシジル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約５０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：４℃）
熱可塑性樹脂Ｆ：根上工業社製のＮＤＦ−００２（グリシジル基含有のアクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量：約１０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：４℃）
無機充填剤Ａ：電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（平均粒径５μｍ、表面処理ナシ）
無機充填剤Ｂ：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（平均粒径０．５μｍ）を３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ−５０３）で表面処理したもの。無機充填剤Ｂの１００重量部に対して１重量部のシランカップリング剤で表面処理。
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）

［実施例、及び、比較例に係る樹脂シートの作成］
表１に記載の配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、濃度８５重量％のワニスを得た。このワニスを、シリコーン離型処理したセパレータ上に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これにより、厚さ５５μｍのシートを得た。このシートを上層３層、下層１層それぞれ積層させて厚さ２２０μｍの樹脂シートを作製した。
なお、下記評価においては、樹脂シートの厚みは、下記評価で用いたチップ厚みとバンプ高さとの合計以上の厚みで実施することが好ましい。これは、シート厚が薄すぎると、侵入量が減り、安定的な評価を行うことができないためである。従って、本実施例では、下記評価での「チップ厚みとバンプ高さとの合計」である２２０μｍとした。

（天面凹凸評価）
図８（ａ）は、天面凹凸評価を説明するための断面模式図であり、図８（ｂ）は、その平面図である。図９〜図１１は、天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。図１２は、天面凹凸評価を説明するための平面模式図である。

＜ステップＡ１＞
まず、下記仕様の４つのダミーチップ１１３を準備した（図８（ａ）、図８（ｂ）参照）。
［ダミーチップの仕様］
チップサイズ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍ
チップ中空Ｇａｐ：２０μｍ（つまり、バンプ高さ２０μｍ）
材質：シリコンウエハチップ：感光性樹脂バンプ
なお、近年、電子デバイスの薄型化が進んでおり、チップや半導体パッケージの薄型化が求められている。そのため、チップ表面に形成されるバンプ高さが１０〜５０μｍ程度が求められている。ここで、バンプは、シリコンウエハを所定厚みまで研削した後にウエハ表面に形成しているため、ウエハ厚みがあまり薄すぎるとバンプを有効に形成できなくなる。そこで、本実施例では、バンプを安定的に形成できるウエハ厚みの限界を考慮し、チップ厚さとして約２００μｍを採用して評価した。また、評価のバラツキを抑えるためには、バンプ高さは低い方がよい。この観点より、バンプ高さを２０μｍとして評価した。

＜ステップＢ１＞
基板１１２（サイズ：縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ、１．３ｍｍ、材質：ガラス）上に、隣り合うチップとの距離Ｗが、３００μｍとなるように、準備したダミーチップ１１３を並べた（図８（ａ）、図８（ｂ）参照）。

＜ステップＣ１＞
上記実施例、比較例にて作成した厚さ２２０μｍの樹脂シートを縦２５ｍｍ、横２５ｍｍに切り出してサンプル１１１とした（図９参照）。

＜ステップＤ１＞
サンプル１１１を、ダミーチップ１１３上に配置した（図１０参照）。

＜ステップＥ１＞
セパレータ１１０が貼付した状態で、７５℃６０秒、圧力３００ｋＰａで、真空プレスでラミネートした（図１１参照）。ラミネートは、下側加熱板１２２と上側加熱板１２４とにより熱プレスして行った。その後、１５０℃で１時間加熱した。その後、セパレータ１１１０を剥離した。なお、本実施例では、硬化促進剤として、四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）を用いており、この製品「２ＰＨＺ−ＰＷ」は、反応開始温度が１４５℃付近であるため、加熱条件を１５０℃で１時間とした。

＜ステップＦ１＞
平面視でサンプル１１１の中心Ｙ（（図１２参照）の部分の厚みを、接触式表面粗さ計で測定した。チップの中央を基準として、チップチップ間の凹み量が３０μｍ以上の場合を×、３０μｍ未満の場合を○として評価した。結果を表１に示す。

（プレス時侵入量評価）
図１３（ａ）は、プレス時侵入量評価を説明するための断面模式図であり、図１３（ｂ）は、その平面図である。図１４〜図１６は、天面凹凸評価を説明するための断面模式図である。

＜ステップＡ２＞
まず、下記仕様の２５個のダミーチップ２１３が樹脂バンプ２１３ａを介してガラス基板２１２（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板２１５を準備した（図１３（ａ）、図１３（ｂ）参照）。ガラス基板２１２とダミーチップ２１３の間のギャップ幅は、５０μｍであった。
隣り合うチップ同士の距離Ｗ２は、３００μｍである。
［ダミーチップの仕様］
チップサイズ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍ
バンプ材質：樹脂バンプ（樹脂の材質：アクリル樹脂）
バンプ高さ：２０μｍ
バンプ数：１００バンプ
バンプの配置位置：縦１０個×横１０個、２００μｍピッチ
具体的には、ダミーチップ２１３を、下記ボンディング条件で、ガラス基板２１２に実装することにより、ダミーチップ実装基板２１５を準備した。
＜ボンディング条件＞
装置：パナソニック電工（株）製
ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１秒、超音波出力２Ｗ

＜ステップＢ２＞
上記実施例、比較例にて作成した厚さ２２０μｍの樹脂シートを縦３ｃｍ、横３ｃｍに切り出してサンプル２１１とした（図１４参照）。

＜ステップＣ２＞
サンプル２１１を、ダミーチップ実装基板２１５のダミーチップ２１３上に配置した（図１５参照）。

＜ステップＤ２＞
セパレータ２１０が貼付した状態で、下記埋め込み条件下で、ダミーチップ２１３をサンプル２１１に埋め込んだ（図１６参照）。埋め込みは、下側加熱板２２２と上側加熱板２２４とにより熱プレスして行った。
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：７５℃
加圧力：１５００ｋＰａ
プレス時の真空度：１．６ｋＰａ
プレス時間：１分

＜ステップＥ２＞
大気圧に開放した後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置した。これにより、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得た。得られた封止体サンプルのダミーチップ２１３とガラス基板２１２との間の中空部への、サンプル２１１を構成する樹脂の進入量Ｙ１を測定した。具体的には、ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名「デジタルマイクロスコープ」（２００倍）により、ダミーチップ２１３とガラス基板２１２との間の中空部への樹脂の進入量Ｙ１を測定した。樹脂進入量Ｙ１は、ＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量Ｙ１とした。なお、進入がなく、中空部がＳＡＷチップよりも外側に広がっている場合は、樹脂進入量をマイナスで表した（本実施例、比較例では、マイナスとなるものはなかった）。
進入量Ｙ１の測定は、外側に配置されたダミーチップ２１３−１と、内側に配置されたダミーチップ２１３−２とで行った。
外側に配置されたダミーチップ２１３−１とは、５×５の正方形に配置された各頂点に位置するダミーチップを意味する。外側に配置されたダミーチップ２１３−１の進入量Ｙ１は、４つのチップの平均値とした（表１中、外側進入量と表記）。
内側に配置されたダミーチップ２１３−２とは、５×５の正方形に配置されたチップのうち、上から３番目（下から３番目）、左から３番目（右から３番目）に位置するダミーチップを意味する。内側に配置されたダミーチップ２１３−２の進入量Ｙ１は、当該１つのダミーチップ２１３−２の進入量Ｙ１の測定値を採用した（表１中、内側進入量と表記）。
内側進入量と外側進入量との両方が２０μｍ以下であり、且つ、内側進入量と外側進入量との差が３０μｍ以下である場合を〇と評価した。
内側進入量と外側進入量との少なくとも一方が２０μｍよりも大きい場合、内側進入量と外側進入量との差が３０μｍより大きい場合を×と評価した。

＜シート全体の硬化前のガラス転移温度Ｔｇの測定＞
ガラス転移温度Ｔｇは、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ）を用いて測定される損失正接（ｔａｎδ）の極大値により得た。
動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）：商品名「ＲＳＡＧ２」、ＴＡインスツルメンツ社製
モード：引張モード
昇温速度：１０℃／分
周波数：１Ｈｚ
サンプル厚み：２６０μｍ
チャック間距離：２０ｍｍ
ひずみ：０．１％
測定温度範囲：−５０℃〜１００℃

１１ 電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）
１３ ＳＡＷフィルタ（電子デバイス）
１４ 中空部
１５ 積層体
１８ 中空型電子デバイスパッケージ
２５ 封止体

Claims (4)

1. 最外層と最内層とを有し、
   前記最外層は、無機充填剤と熱可塑性樹脂とを含み、
   前記無機充填剤の含有量は、前記最外層全体に対して８５重量％以上であり、
   前記熱可塑性樹脂の含有量は、前記最外層の樹脂成分全体に対して１５重量％以下であり、
   前記最内層は、重量平均分子量８０万以上の官能基含有熱可塑性樹脂を含み、且つ、無機充填剤を含まず、
   前記官能基含有熱可塑性樹脂の含有量は、前記最内層の樹脂成分全体に対して９０重量％以上であることを特徴とする樹脂シート。
2. 前記官能基含有熱可塑性樹脂は、グリシジル基含有アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂シート。
3. 前記最内層は、硬化性成分としてのフェノール樹脂を含み、
   前記フェノール樹脂の含有量は、前記官能基含有熱可塑性樹脂に対する当量比０．８〜２．０の範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂シート。
4. 樹脂シート全体の硬化前のガラス転移温度Ｔｇを測定したときに、０℃以下に少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇが存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の樹脂シート。

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