JP2012023351A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 第１の光電変換層を含む第１のセルと、
前記第１のセルと接する面を有する、第２の光電変換層を含む第２のセルと、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する面とは反対側の前記第１のセルの面の側に設けられた、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する面とは反対側の前記第２のセルの面の側に設けられた、第３の電極と、を有し、
前記第２の光電変換層は、前記第１の光電変換層に含まれる第１の材料よりもバンドギャップが大きい第２の材料を含み、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する接触部は、ｐｎ接合が形成されており、
前記第１のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第２のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第１のセルは、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２のセルは、前記第３の電極と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。 - 第１の光電変換層を含む第１のセルと、
第２の光電変換層を含む第２のセルと、
前記第１のセル及び前記第２のセルの間に設けられた、開口を有する絶縁層と、
前記第１のセルを挟んで前記開口を有する絶縁層と対向する前記第１のセルの面の側に設けられた、第１の電極及び第２の電極と、
前記第２のセルを挟んで前記開口を有する絶縁層と対向する前記第２のセルの面の側に設けられた、第３の電極と、を有し、
前記第２の光電変換層は、前記第１の光電変換層に含まれる第１の材料よりもバンドギャップが大きい第２の材料を含み、
前記第１のセルは、前記開口を介して前記第２のセルと接する領域を有し、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する接触部は、ｐｎ接合が形成されており、
前記第１のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第２のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第１のセルは、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２のセルは、前記第３の電極と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の材料は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンであり、
前記第２の材料は、アモルファスシリコンであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のセル及び前記第３の電極の間に設けられた透明導電膜を有することを特徴とする光電変換装置。
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