JP5792523B2

JP5792523B2 - 光電変換装置の作製方法

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Publication number: JP5792523B2
Application number: JP2011132813A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; 舜平山崎; 荒井　康行; 康行荒井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2010-06-18
Filing date: 2011-06-15
Publication date: 2015-10-14
Anticipated expiration: 2031-06-15
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Description

本発明は光電変換装置に係り、開示される発明の一形態には裏面コンタクト型の素子構造が含まれている。

光電変換装置の一つとして、光電変換層に単結晶や多結晶のシリコン基板を用いた太陽電池が開発されている。このような太陽電池では、シリコン基板の表面には、表面反射を低減するために凹凸構造が形成されている。この凹凸構造は、シリコン基板をＮａＯＨなどのアルカリ溶液でエッチングして形成される。アルカリ溶液は、シリコンの結晶面方位に対してエッチング速度が異なるため、例えば（１００）面のシリコン基板を用いれば、ピラミッド型の凹凸構造が形成される。そして、このような凹凸構造を備えた裏面コンタクト型の太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。

しかし、アルカリ溶液を用いてエッチングを行うことは、シリコン基板を汚染するため適切ではない。また、アルカリ溶液の濃度や温度などによってエッチング特性が大幅に異なるため、凹凸構造を再現性良く作り込むのは困難である。そのため、アルカリ溶液を用いたエッチングと、レーザ加工技術とを組み合わせた方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。

しかし、特許文献３の方法を用いても、例えば光電変換層として薄膜を用いた場合などは、エッチングで凹凸構造を作り込むことは困難である。

特開２００２−１６４５５６号公報特開２００６−０８０４５０号公報特開２００３−２５８２８５号公報

上記のような凹凸構造を形成するために、光電変換層自体をエッチングする方法は、凹凸構造の制御性に問題があり、太陽電池の特性にも影響を与えるので好ましくない。また、エッチングのためにアルカリ溶液や、多量の洗浄水が必要となり、汚染にも注意を払う必要があるため、生産性の観点からも好ましくない。

そこで、本発明の一形態は、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供することを課題とする。

受光面となる半導体表面をウィスカー（ナノワイヤーともいう）群で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させる作用を奏する。

本発明の一態様は、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた結晶性半導体でなるウィスカー群と、半導体基板の裏面に設けられたｎ^＋領域及びｐ^＋領域と、ｎ^＋領域に電気的に接続された第１の電極と、ｐ^＋領域に電気的に接続された第２の電極と、を有する光電変換装置である。

また、本発明の他の一態様は、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた結晶性半導体でなるウィスカー群と、半導体基板の裏面に設けられたｎ^＋領域及びｐ^＋領域と、ｎ^＋領域に電気的に接続する第１の電極と、ｐ^＋領域に電気的に接続する第２の電極と、ウィスカー群の上に設けられた絶縁膜と、を有する光電変換装置である。

なお、ウィスカーとは、半導体基板の表面において、半導体材料が柱状又は針状の突起を有するように結晶成長したものである。

また、ｎ^＋領域とは、ｎ型を付与する不純物元素が高濃度に含有されたｎ型の不純物領域（ｎ型領域ともいう）であり、ｐ^＋領域とは、ｐ型を付与する不純物元素が高濃度に含有されたｐ型の不純物領域（ｐ型領域ともいう）である。なお、高濃度とは、各領域のキャリア密度が、半導体基板のキャリア密度より大きい場合を指す。

上記のように、ウィスカー状に成長させた半導体層は、反射防止層としての機能を奏する。それにより、受光面での反射損失を低減させ、変換効率を向上させることができる。

また、受光面における凹凸構造を、従来のようなアルカリ溶液のエッチングによらず、気相成長させた特殊な半導体被膜で形成することにより、半導体基板の汚染を防止し、生産性を向上させることができる。

光電変換装置の構造を示す図。光電変換装置の作製方法を示す図。光電変換装置の作製方法を示す図。光電変換装置の構造を示す図。ウィスカーの構造を示す図。ウィスカーの反射率を示す図。光電変換装置の構造を示す図。

開示される発明の実施の形態について図面を用いて以下に説明する。但し、開示される発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

以下に説明する実施の形態において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層や領域等の厚さ幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性のために誇張して示される場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、光電変換装置の構造の一例を説明する。

図１は、光電変換装置の構造の一例である。

光電変換装置は、半導体基板１０２を有し、該半導体基板１０２の表面（受光面ともいう）側から受光を行うものである。そして、本発明の一態様は、半導体基板１０２の表面に、入射光１５０の反射を低減するための凹凸構造を有していることを特徴とする。以下に、具体的な構造を説明する。

半導体基板１０２の表面には、凹凸構造として、ウィスカー群１１４が形成されている。そして、ウィスカー群１１４を有することで、受光面における入射光１５０の表面反射を低減することができる。以下に、ウィスカー群１１４の詳細を説明する。

図１（Ｂ）は、ウィスカー群１１４の拡大図である。

図１（Ｂ）に示すように、ウィスカー群１１４は、半導体基板１０２を覆う結晶性半導体領域１１４ａと、結晶性半導体領域１１４ａ上に形成されたウィスカー状の結晶性半導体領域１１４ｂとを有する。ウィスカーとは、半導体材料（例えばシリコン）が、柱状又は針状の突起１１４ｃを有するように結晶成長したものを指す。そして、ウィスカー群１１４は、柱状又は針状の突起１１４ｃを複数有している。

ここで、結晶性半導体領域１１４ａと結晶性半導体領域１１４ｂとの界面は、明確ではない。このため、突起１１４ｃの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ半導体基板１０２の表面と平行な平面を、結晶性半導体領域１１４ａと結晶性半導体領域１１４ｂとの界面とする。

突起１１４ｃの具体的な形状としては、円柱状若しくは角柱状等の柱状、又は円錐状若しくは角錐状の針状などが挙げられる。また、突起１１４ｃは、頂部が湾曲していてもよい。そして、突起１１４ｃの径は、５０ｎｍ以上１０μｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以上３μｍ以下である。また、突起１１４ｃの軸における長さｈは、０．５μｍ以上１０００μｍ以下、好ましくは１．０μｍ以上１００μｍ以下である。

なお、突起１１４ｃの軸における長さｈは、突起１１４ｃの頂点（または上面の中心）を通る軸における、該頂点（または該上面の中心）と結晶性半導体領域１１４ａとの距離である。

また、ウィスカー群１１４の厚さは、結晶性半導体領域１１４ａの厚さと、結晶性半導体領域１１４ｂの厚さの和である。ここで、結晶性半導体領域１１４ｂの厚さは、突起１１４ｃの頂点から結晶性半導体領域１１４ａまでの垂線の長さ（すなわち、高さ）を指す。

また、突起１１４ｃの径とは、結晶性半導体領域１１４ａと結晶性半導体領域１１４ｂとの界面における、突起１１４ｃの輪切り断面形状の長軸の長さをさす。

なお、突起１１４ｃが結晶性半導体領域１１４ａから伸張する方向を長手方向といい、長手方向に沿った断面形状を長手断面形状という。また、長手方向が法線方向となる面を輪切り断面形状という。

図１（Ｂ）では、突起１１４ｃの長手方向は一方向、例えば結晶性半導体領域１１４ａの表面に対する法線方向に伸張している。なお、突起１１４ｃの長手方向は、結晶性半導体領域１１４ａの表面に対して法線方向と、略一致していればよく、その場合、方向の差は代表的には５度以内であることが好ましい。このように、突起１１４ｃの長手方向が略一致しているため、図１（Ｂ）では、突起１１４ｃの長手断面形状のみを示している。

また別の例として、図１（Ｃ）に示すように、複数の突起の長手方向が不揃いであってもよい。代表的には、長手方向が法線方向と略一致する第１の突起１２４ａと、長手方向が法線方向とは異なる第２の突起１２４ｂとを有してもよい。さらには、第１の突起１２４ａより第２の突起１２４ｂの軸における長さが長くてもよい。このように、複数の突起の長手方向が不揃いであるため、図１（Ｃ）では、突起の長手断面形状と共に、突起の輪切り断面形状（領域１１４ｄ）が混在している。

このようなウィスカー群の光学的特性を、図６を参照して説明する。図６は、チタン箔、及びチタン箔上に多結晶構造をもって形成されるシリコンのウィスカー群を有する試料の正反射率の波長依存性を示すグラフである。

図６において反射率を点線で示す試料１は、直径φ１２ｍｍの円形状に切断された厚さ０．１ｍｍのチタン箔である。また、反射率を実線で示す試料２は、試料１と同様の形状である直径φ１２ｍｍ及び厚さ０．１ｍｍのチタン箔上に、ＬＰＣＶＤ法により、ウィスカー群を有するポリシリコン層を形成したものである。ここでのポリシリコン層は、圧力１３Ｐａ、基板温度６００℃に設定した処理室に、流量３００ｓｃｃｍのシランを導入し、２時間１５分ポリシリコン層を堆積したものである。

正反射率の測定は、分光光度計（日立ハイテク社製「日立分光光度計Ｕ−４１００」により行われている。ここでは、サンプリング間隔を２ｎｍとして、波長が２００ｎｍから１２００ｎｍまでの光を各試料に照射した。また、各試料への光の入射角度を５度として、反射率（５度正反射率）を測定した。横軸を照射光の波長とし、縦軸を反射率とする。

図６から、チタン箔表面にウィスカー群を有するポリシリコン層が形成された試料２は光の反射率が極めて低く、ほとんど光の反射が生じていない。なお、波長８５０ｎｍから８９４ｎｍの範囲では、ＳＮ比が小さいため、反射率がマイナスとなっている。一方、チタン箔である試料１は、正反射率が２％から１５％である。以上のことから、チタン箔表面にウィスカー群を有するポリシリコン層を形成することで、反射率を低減することができることがわかる。

図６の特性から明らかなように、ウィスカー群１１４を有することで、可視光域の表面反射率を、全帯域に渡って１０％以下、好ましくは５％以下とすることが可能となる。

一方、半導体基板１０２の裏面には、ｎ^＋領域１０４及びｐ^＋領域１０６が形成されている。そして、ｎ^＋領域１０４上に電極１１０、及びｐ^＋領域１０６上に電極１１２が形成されている。なお、半導体基板１０２には、ｐ型を用いている。

すなわち、半導体基板１０２の裏面側に、電極１１０、ｎ^＋領域１０４、ｐ型の半導体基板１０２、ｐ^＋領域１０６、及び電極１１２からなる光電変換素子が形成されている。そして、光電変換装置は、当該光電変換素子を１つ又は複数有している。ここでは、ｐ型の半導体基板１０２（ｐ領域ともいう）を活性層とする。

このように、光電変換装置の一態様は、裏面（受光面と反対の面）側でコンタクトを行うものである。いわゆる、裏面コンタクト型の構造を有している。なお、裏面コンタクト型に限定されず、上記のように受光面にウィスカー群を有するものであればよい。

なお、半導体基板１０２の裏面上には絶縁膜１０８が形成されていてもよい。その場合、絶縁膜１０８に形成されたコンタクトホールを介して、ｎ^＋領域１０４と電極１１０とが電気的に接続され、ｐ^＋領域１０６と電極１１２とが電気的に接続される。

半導体基板１０２は、代表的にはシリコンまたはゲルマニウムを用いる。または、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体を用いてもよい。なお、半導体基板１０２は、単結晶半導体基板または多結晶半導体基板を用いることができる。ｐ型の半導体基板は、例えばボロン等のｐ型を付与する不純物元素が含有されている。なお、ｎ型の半導体基板を用いてもよく、例えばリン等のｎ型を付与する不純物元素が含有された基板を用いる。また、半導体基板１０２は、板状もしくは薄膜状のものを用いることができる。

また、ｐ型の半導体基板１０２（ｐ領域）とｎ^＋領域１０４との間にｐ⁻領域を設け、活性層内で不純物濃度が段階的に変化するｎ^＋／ｐ⁻／ｐ／ｐ^＋構造としてもよい（図７（Ａ））。この構造とすることで、ｐ⁻領域に発生する内部電界により少数キャリアの拡散長が伸びるため、短絡電流を増加させることができる。

また、ｐ型の半導体基板１０２（ｐ領域）とｐ^＋領域１０６との間にｐ⁻領域を設け、活性層内で不純物濃度が段階的に変化するｎ^＋／ｐ／ｐ⁻／ｐ^＋構造としてもよい（図７（Ｂ））。この構造とすることで、ｐ領域とｐ^＋領域との間に高抵抗のｐ⁻領域が設けられ、活性層とｐ^＋領域との間のエネルギー差が大きくなるため、開放電圧を増加させることができる。また、ｎ^＋領域とｐ型の半導体基板との間にｎ⁻領域を設けてもよい。

なお、短絡電流は、外部にかかる電圧が０Ｖの時の電流であり、開放電圧は、外部に流れる電流が０Ａの時の電圧である。それぞれ太陽電池の性能を決める特性の一つであり、これらを増加させることで太陽電池の性能を向上させることができる。

また、ｎ^＋領域１０４とは、ｎ型を付与する不純物元素が高濃度に含有されたｎ型の不純物領域（ｎ型領域ともいう）であり、ｐ^＋領域１０６とは、ｐ型を付与する不純物元素が高濃度に含有されたｐ型の不純物領域（ｐ型領域ともいう）である。また、ｎ⁻領域とは、ｎ型を付与する不純物元素が低濃度に含有されたｎ型の不純物領域であり、ｐ⁻領域とは、ｐ型を付与する不純物元素が低濃度に含有されたｐ型の不純物領域である。なお、高濃度とは、各領域のキャリア密度が、半導体基板１０２のキャリア密度より大きい場合を指す。一方低濃度とは、各領域のキャリア密度が、半導体基板１０２のキャリア密度より小さい場合を指す。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、光電変換装置の作製方法の一例を説明する。

半導体基板１０２の表面（受光面となる面）に、金属層１０３を形成する（図２（Ａ））。

ここでは、半導体基板１０２は、ｐ型の単結晶シリコン基板を用いる。ただし、ｎ型を用いてもよい。

金属層１０３は、数ｎｍ程度で極めて薄く形成することが好ましい。そうすることで、半導体基板１０２の表面から入射される光が、金属層１０３により吸収または反射されることを抑制できる。ここでは、膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とする。

また、金属層１０３に含まれる金属材料を、半導体基板１０２の表面に均一に分散して保持させることが好ましい。

金属層１０３は、白金、アルミニウム、銅、チタン、またはシリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、もしくはモリブデンなどの添加されたアルミニウム合金等に代表される金属材料を用い、スパッタリング法等により形成する。なお、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属材料を用いることが好ましい。金属層１０３がシリサイドとなることで、光の反射を低減させることができる。

また、金属層１０３は、上記金属材料を含む溶液を半導体基板１０２の表面に塗布する方法を用いて形成してもよい。この方法を用いることで、溶液中の金属材料の濃度を調整することができるため、金属層１０３を薄くすることができる。また、金属層１０３に含まれる金属材料を均一に分散させることができる。

次いで、半導体基板１０２の裏面に、ｎ^＋領域１０４及びｐ^＋領域１０６を形成する（図２（Ａ））。

ｎ^＋領域１０４は、ｎ型を付与する不純物元素（リンまたはヒ素等）を、マスクを用いて、ドーピング等によって添加することで形成する。

ｐ^＋領域１０６は、ｐ型を付与する不純物元素（アルミニウムまたはボロン等）を、マスクを用いて、ドーピング法等によって添加することで形成する。

続いて、ｎ^＋領域１０４及びｐ^＋領域１０６が形成された半導体基板１０２の裏面に、絶縁膜１０７を形成する（図２（Ｂ））。

絶縁膜１０７は、酸化珪素膜等であり、半導体基板１０２の保護膜として機能する。絶縁膜１０７を有することで、後にウィスカー群を形成する際、半導体基板１０２を保護することができる。

次に、金属層１０３上に、結晶性半導体からなるウィスカー群１１４を形成する（図２（Ｂ））。以下では、結晶性シリコンをウィスカー状に成長させる例を示す。

ウィスカー群１１４は、低圧化学的気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法ともいう）により形成する。

ＬＰＣＶＤ法は、加熱を行いつつ、シリコンを含む原料ガス（半導体材料）を用いて行う。加熱温度は、５５０℃より高い温度、且つＬＰＣＶＤ装置及び半導体基板１０２が耐えうる温度以下、好ましくは５８０℃以上６５０℃未満とする。また、ＬＣＶＤ装置の反応室の圧力を、原料ガスを流して保持できる圧力の下限以上２００Ｐａ以下とする。シリコンを含む原料ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＦ_４、ＳｉＣｌ_４、Ｓｉ_２Ｃｌ_６等がある。なお、原料ガスに、水素を導入してもよい。

ウィスカー群１１４は、気相成長法で作製することができるので、半導体基板１０２を汚染することがない。そのため、半導体基板１０２にエッチングを施し凹凸構造を形成する方法に比べて優れていると言える。

以上により、実施の形態１で説明したような、ウィスカー群１１４の構造を形成することができる。

ウィスカー群１１４の平面ＳＥＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を図５に示す。図５に示すように、上記工程により得られた結晶性シリコンは、柱状または針状の突起を多数有している。突起の軸における長さは、長いもので１５〜２０μｍ程度である。また、長い突起だけでなく短い突起が複数存在している。突起の軸は、金属層１０３に対して略垂直であるものもあれば、斜め方向であるものもある。なお、図５では、金属層１０３としてチタン膜を用いている。

次に、半導体基板１０２の裏面の絶縁膜１０７を、フッ酸等により除去する。

次いで、ウィスカー群１１４の表面、及び半導体基板１０２の裏面に絶縁膜１０８を形成する（図２（Ｃ））。絶縁膜１０８は、窒化珪素膜等であり、パッシベーション膜として機能する。

その後、半導体基板１０２の裏面に形成された絶縁膜１０８にコンタクトホールを形成し、ｎ^＋領域１０４及びｐ^＋領域１０６を露出させる（図３（Ａ））。

コンタクトホールは、絶縁膜１０８にレーザ光を照射する方法、またはマスクを用いたエッチング等より形成することができる。

そして、コンタクトホールを介して、ｎ^＋領域１０４及びｐ^＋領域１０６のそれぞれに電気的に接続される電極１１０及び電極１１２を、スクリーン印刷法または蒸着法等により形成する（図３（Ｂ））。

なお、電極１１０及び電極１１２の材料は、アルミニウム、銀、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、銅から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いることができる。また、これらの材料を積層して用いてもよい。

以上により、光電変換装置を作製することができる。

なお、金属層１０３を、ゲッタリングにより除去してもよい。ゲッタリングとして、例えば、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において８００℃以上１１５０℃以下の熱処理を行う。具体的には、酸素雰囲気中に３％の塩化水素を添加した雰囲気において、９５０℃の熱処理を行えばよい。ゲッタリングにより、金属層１０３が除去されるため、入射される光の量を増加させることができる。また、金属層１０３を、フッ酸等でエッチングしてもよい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、光電変換装置の作製方法について、実施の形態２と異なる一例を説明する。

実施の形態２では、金属層１０３は、半導体基板１０２の表面に膜状に形成している。

これに対し、本実施の形態では、図２（Ａ）で示した金属層１０３の代わりに、半導体基板１０２の表面に、島状の金属層を形成するものである。島状の金属層は、スクリーン印刷または蒸着法等で形成すればよい。

これにより、作製後の光電変換装置は、半導体基板１０２の表面とウィスカー群１１４との間に島状の金属層１１６を有することになる（図４）。金属層１１６が島状であることで、金属層が半導体基板の全面にある場合に比べて、反射等を低減することができる。

その他の工程等は、実施の形態２と同様である。

１０２半導体基板
１０３金属層
１０４ｎ^＋領域
１０６ｐ^＋領域
１０７絶縁膜
１０８絶縁膜
１１０電極
１１２電極
１１４ウィスカー群
１１４ａ結晶性半導体領域
１１４ｂ結晶性半導体領域
１１４ｃ突起
１１４ｄ領域
１１６金属層
１２４ａ突起
１２４ｂ突起
１５０入射光

Claims

半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた結晶性半導体でなるウィスカー群と、
前記半導体基板の裏面に設けられたｎ^＋領域及びｐ^＋領域と、
前記ｎ^＋領域に電気的に接続された第１の電極と、
前記ｐ^＋領域に電気的に接続された第２の電極と、
を有する光電変換装置の作製方法であって、
前記半導体基板の裏面に前記ｎ ^＋領域及び前記ｐ ^＋領域を形成し、
前記ｎ ^＋領域及び前記ｐ ^＋領域を形成した後、前記ｎ ^＋領域、前記ｐ ^＋領域及び前記半導体基板の裏面を第１の絶縁膜で覆い、
前記半導体基板の裏面が前記第１の絶縁膜で覆われた状態で、前記半導体基板の表面に、低圧化学的気相堆積法により、５８０℃以上６５０℃未満の温度で、シリコンを含む原料ガスを用いて、前記ウィスカー群を形成し、
前記ウィスカー群を形成した後、前記第１の絶縁膜を除去し、
前記ｎ ^＋領域に電気的に接続する前記第１の電極と、前記ｐ ^＋領域に電気的に接続する前記第２の電極とを形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた結晶性半導体でなるウィスカー群と、
前記半導体基板の裏面に設けられたｎ^＋領域及びｐ^＋領域と、
前記ｎ^＋領域に電気的に接続する第１の電極と、
前記ｐ^＋領域に電気的に接続する第２の電極と、
前記半導体基板の裏面に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の電極は、前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記ｎ^＋領域に電気的に接続されており、
前記第２の電極は、前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記ｐ^＋領域に電気的に接続されている光電変換装置の作製方法であって、
前記半導体基板の裏面に前記ｎ ^＋領域及び前記ｐ ^＋領域を形成し、
前記ｎ ^＋領域及び前記ｐ ^＋領域を形成した後、前記ｎ ^＋領域、前記ｐ ^＋領域及び前記半導体基板の裏面を第１の絶縁膜で覆い、
前記半導体基板の裏面が前記第１の絶縁膜で覆われた状態で、前記半導体基板の表面に、低圧化学的気相堆積法により、５８０℃以上６５０℃未満の温度で、シリコンを含む原料ガスを用いて、前記ウィスカー群を形成し、
前記ウィスカー群を形成した後、前記第１の絶縁膜を除去し、
前記半導体基板の裏面に、前記ｎ ^＋領域及び前記ｐ ^＋領域を露出させるコンタクトホールを有する第２の絶縁膜を形成し、
前記コンタクトホールを介して、前記ｎ ^＋領域に電気的に接続する前記第１の電極と、前記ｐ ^＋領域に電気的に接続する前記第２の電極とを形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
請求項１又は請求項２において、
前記ｎ^＋領域は、前記半導体基板の裏面にｎ型を付与する不純物元素が添加された領域であり、
前記ｐ^＋領域は、前記半導体基板の裏面にｐ型を付与する不純物元素が添加された領域であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。