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JP2010283339A5 - 光電変換装置 - Google Patents

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  1. 透光性を有する第１の基板と、
    前記第１の基板上の、透光性を有する絶縁層と、
    前記絶縁層上の、単結晶半導体層と、
    前記単結晶半導体層の表層に、帯状に複数設けられた一導電型を有する第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層と交互に、かつ重ならないように帯状に複数設けられた前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層と、
    前記第１不純物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２不純物半導体層と電気的に接続された第２電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
  2. 透光性を有する第１の基板と、
    前記第１の基板上の、透光性を有する絶縁層と、
    前記絶縁層上の、単結晶半導体層と、
    前記単結晶半導体層の表面上に、帯状に複数設けられた一導電型を有する第１不純物半導体層と、
    前記第１不純物半導体層と交互に、かつ重ならないように、帯状に複数設けられた前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層と、
    前記第１不純物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２不純物半導体層と電気的に接続された第２電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記第１電極は、保護膜が有する第１開口を介して、前記第１不純物半導体層と電気的に接続され、
    前記第２電極は、前記保護膜が有する第２開口を介して、前記第２不純物半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
  4. 請求項３において、
    前記第１開口の幅は、前記第１不純物半導体層の幅より小さく、
    前記第２開口の幅は、前記第２不純物半導体層の幅より小さいことを特徴とする光電変換装置。
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