JP2010239066A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、ＡｌＮ層の成長に使用した成長装置を用いて、ＡｌＮ層上に構成元素としてＧａを含む窒化物半導体からなるＧａＮ層を形成する第２工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第１工程と第２工程とを別の装置を用いて実施してもよい。
【選択図】図６

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＳｉ基板上にＧａを含む窒化物半導体層を、気相成長法により形成する半導体装置の製造方法に関する。

Ｇａを構成元素とする窒化物半導体層（ＧａＮ系半導体層）を用いたＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体装置は、高周波用素子として注目されている。こうした半導体装置では、基板としてＳｉＣ（炭化珪素）やサファイアが多く用いられるが、これらの基板は高価であるため、Ｓｉ基板上に半導体装置を作成する技術が求められている。ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｙｔａｘｙ：分子線エピタキシー法）は、高真空中の成長であり、Ｎ原料の取り扱いが困難である。これに対し、ＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）は、減圧又は常圧下の成長であり、ＮＨ_３やＮＨ_２をＮ原料として容易に使用できることから、広くＧａＮ系半導体の成長に用いられている。特許文献１には、Ｓｉ基板上にＡｌＮ（窒化アルミニウム）等からなるバッファ層を設け、バッファ層の上に半導体層（チャネル層）を、ＭＯＣＶＤ法により形成する技術が開示されている。

特表２００４−５２４２５０号公報

しかし、Ｓｉ基板上にＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）といった気相成長法でＧａＮ系半導体を成長する場合、ＭＢＥ法で成長する場合やＧａＡｓ系半導体を成長する場合と違い、９００℃以上という高い成長温度を用いる。このため、Ｓｉ基板にＧａが拡散しやすく、基板内にＧａを含んだ導電層が形成される場合がある。導電層が形成されると、寄生容量が大きくなり、高周波信号の損失が大きくなり、半導体装置の特性悪化の原因となる恐れがある。

本発明は、上記課題に鑑み、導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、Ｇａを含む半導体層の成長に用いた成長装置をクリーニングするクリーニング工程と、Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる第１層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、前記第１層上に前記第１層の成長に使用した成長装置を用いて、Ｇａを含む窒化物半導体からなる第２層を形成する第２工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明は、Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる第１層を形成する第１工程と、前記第１層の成長に使用した成長装置とは別の成長装置を用いて、前記第１層上にＧａを含む窒化物半導体からなる第２層を形成する第２工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

上記構成において、前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記第１層上に構成元素としてＧａを含まない第３層を形成する第３工程を有し、前記第２工程は前記第３工程と連続して行われ、前記第２層は前記第３層上に形成される構成とすることができる。この構成によれば、基板と第１層との熱膨張係数の差に起因する基板の反り及びクラックを抑制することができる。

上記構成において、前記第３層は前記第１層と同一の構成元素からなる構成とすることができる。この構成によれば、基板と第１層との熱膨張係数の差に起因する基板の反り及びクラックを抑制することができる。

上記構成において、前記第１層はＡｌＮからなる構成とすることができる。

上記構成において、前記第２層はＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮのいずれかからなる構成とすることができる。この構成によれば、第１層成長時にＧａが取り込まれ、基板上に導電層が形成されることが抑制される。

上記構成において、前記第１工程、前記第２工程、及び前記第３工程において用いられる前記成長装置は、ＨＶＰＥ装置、ＭＯＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置のいずれかである構成とすることができる。

上記構成において、前記第１工程に用いられる前記成長装置はＭＯＣＶＤ装置であり、Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａ含有量が２ｐｐｍ以下である構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置の利得向上の効果を得ることができる。

上記構成において、前記第１工程に用いられる前記成長装置はＭＢＥ装置であり、Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａ含有量が４０ｐｐｍ以下である構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置の利得向上の効果を得ることができる。

上記構成において、前記第１層の膜厚は２００ｎｍ以下である構成とすることができる。この構成によれば、第１層のクラックの発生を抑制でき、かつバッファ層としての機能も得ることができる。

上記構成において、前記第３層の膜厚は１５０ｎｍ以上である構成とすることができる。第３層がバッファ層として機能することができる。

本発明によれば、導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。 図２は実験に用いたサンプルを示す断面図である。 図３はサンプルＡについて行ったＳＩＭＳ分析の結果を示す図である。 図４はサンプルＢについて行ったＳＩＭＳ分析の結果を示す図である。 図５は実施例１に係る半導体装置を例示する断面図である。 図６は実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。 図７は実施例２に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。 図８は実施例３に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。 図９は実施例３に係る半導体装置を例示する断面図である。 図１０は実施例３に係るＳＩＭＳ分析の結果を示す図である。 図１１は半導体装置の利得評価結果を示す図である。

実施例の前に、まず比較例について説明する。図１は比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。

図１に示すように、Ｓｉからなる基板２上に例えばＡｌＮからなる、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層４が形成されている。ＡｌＮ層４上には、構成元素としてＧａを含む窒化物半導体層であるＡｌＧａＮ層６が形成されている。ＡｌＧａＮ層６上には、ＧａＮ層８が設けられている。ＧａＮ層８上にはＡｌＧａＮ層１０、ＡｌＧａＮ層１０上にはＧａＮ層１２が各々設けられている。ＧａＮ層１２上にはソース電極１４、ドレイン電極１６、及びゲート電極１８が設けられている。ソース電極１４及びドレイン電極は、例えばＧａＮ層１２に近いほうから順にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属からなる。ゲート電極１８は、例えばＧａＮ層１２に近いほうから順にＷＳｉ／Ｔｉ／Ａｕ等の金属からなる。

ＡｌＮ層４及びＡｌＧａＮ層６はバッファ層、ＧａＮ層８はチャネル層、ＡｌＧａＮ層１０は供給層、ＧａＮ層１２はキャップ層として、各々機能する。このように、図１に例示した半導体装置はＨＥＭＴである。本構造では、ＡｌＮ層４はＧａの拡散に対するバッファ層として機能し、ＧａＮ系半導体層のＧａがＳｉからなる基板２内に拡散することを抑制する。

しかしながら、比較例に係る半導体装置では、バッファ層が設けられているにも関わらず、基板２に導電層３が形成されている。このため、リークパスが形成され、また寄生容量が大きくなることがある。この場合、高周波信号の損失が増大し、半導体装置の特性が悪化することがある。次に、導電層３が形成された原因について説明する。

比較例に係る半導体装置の製造工程においては、ＡｌＮ層４の形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とは連続して行われる。従って、複数のウェハーに繰り返してＭＯＣＶＤ成長工程を実施する場合、一度ＭＯＣＶＤ装置に導入されたウェハーは、ＡｌＮ層４とＧａＮ系半導体層とが形成された後、ＭＯＣＶＤ装置から取り出される。その後、別のウェハーがＭＯＣＶＤ装置に導入される。ここで、別のウェハーにＡｌＮ層を形成する際、ＭＯＣＶＤ装置内にＧａを含む不純物が残留していることがある。この場合、ＡｌＮの成長時にＧａが取り込まれ、基板に拡散することがある。これにより、Ｇａを含んだ導電層３が形成されるものと考えられる。

ＭＯＣＶＤ装置内のＧａを含む不純物の残留は、ＡｌＮ層４の形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とを別個に行われる工程とし、ＡｌＮ層４の形成工程を繰り返した後に、ＧａＮ系半導体層の形成工程を行うことで抑制されると考えられる。

次に、本発明の発明者が行った実験について説明する。図２は、実験に用いたサンプルを示す断面図である。

図２に示すように、Ｓｉからなる基板２上に、厚さＴ１が３００ｎｍのＡｌＮ層４が設けられている。ＡｌＮ層４はＭＯＣＶＤ法により成長したものである。ＡｌＮ層４の原料は、Ａｌに対するＧａ含有量が０．１ｐｐｍ以下であるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）と、純度が９９．９９９９％以上であるＮＨ_３とを用いる。ＴＭＡ供給量は１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、成長温度は１０５０℃、ＮＨ_３の流量は０．５ｍｏｌ／ｍｉｎ、成長圧力は２００ｔｏｒｒである。

この実験では二種類のサンプルを用いている。ＡｌＮ層の形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とを連続的に行ったものをサンプルＡとする。ＡｌＮ層４の形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とを別個に行い、両工程の間にＭＯＣＶＤ装置のクリーニングを行ったものをサンプルＢとする。次に、実験の内容及び結果について説明する。

実験は、各サンプルを対象にＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析を行ったものである。図３は比較例についてのＳＩＭＳ分析の結果を示す図であり、図４は実施例１についてのＳＩＭＳ分析の結果である。それぞれの図において、横軸は表面からの深さ、左の縦軸はＧａ濃度、右の縦軸はＳｉ及びＡｌの二次イオン強度を示している。

図３において、Ａｌ濃度が高い領域（深さ０〜０．１７μｍ付近）はＡｌＮ層４である。また、Ｓｉ濃度がほぼ一定の領域（深さ０．１７μｍより深い領域）は基板２である。図３に示すように、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度は１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。これは成長装置内における残留ＧａがＡｌＮ層４の成長時に取り込まれ、拡散したものと考えられる。基板２中におけるＧａ濃度は、基板２とＡｌＮ層４との界面付近で１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、ＡｌＮ層４から離れるに従って緩やかに減少するプロファイルを持っていた。この領域は導電層３（図１参照）として機能する領域である。

一方、図４においては、Ａｌ濃度が高い領域（深さ０〜０．１４μｍ付近）はＡｌＮ層４である。また、Ｓｉ濃度がほぼ一定の領域（深さ０．１４μｍより深い領域）は基板２である。図４に示すように、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度は９×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度に抑えられていた。そして、基板２とＡｌＮ層４との界面付近でＧａ濃度は急激に減少し、基板２中のＧａ濃度は非常に低く抑えられていた。このことから、サンプルＢでは導電層３（図１参照）の形成が抑制されていることが分かった。なお、図４において、ＡｌＮ層４中にＧａが検出されたのは、分離されずにＡｌ減量中に残留したＧａの混入によるものと考えられる。

以上のように、Ｇａが除去された清浄な成長装置を用いて、基板２上にＡｌＮ層４を形成することは、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度を下げる効果をもたらし、その結果、導電層３の形成が抑制された。

次に、図面を用いて、本発明の実施例について説明する。

まず、実施例１に係る半導体装置の構成について説明する。図５は実施例１に係る半導体装置を例示する断面図である。なお、図１に例示した構成と同様の構成については説明を省略する。

図５に示すように、Ｓｉからなる基板２上に例えばＡｌＮからなる、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層４が形成されている。ＡｌＮ層４上には、構成元素としてＧａを含む窒化物半導体層であるＡｌＧａＮ層６が形成されている。また、基板２内にＧａを含む導電層３（図１参照）が形成されていない。

次に、実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６は実施例１に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。

図６に示すように、最初にＭＯＣＶＤ装置内のクリーニングを行う（ステップＳ１０）。具体的には、クリーニングの前の工程でＧａが付着した反応管などをエッチング等の方法で清浄化を行うこと、また装置の部材の交換、さらにＮ_２又はＯ_２を流しながら例えば１１５０℃に加熱してベーキングを行うことで、ＭＯＣＶＤ装置の治具、チャンバー、アクセプター等に付着したＧａ等の３属元素を含んだ不純物が極力除去された状態を実現する。なお、ベーキングの際の温度は、ＡｌＮ層４やＧａＮ系半導体層の成長温度よりも高い温度とすることが好ましい。

ステップＳ１０の後、クリーニングされたＭＯＣＶＤ装置にＳｉからなるウェハーを導入し、ウェハー上に例えばＴ１が３００ｎｍであるＡｌＮ層４を形成する。このときのＴＭＡ供給量は、例えば１０μｍｏｌ／ｍｉｎとする。言い換えれば、基板２上に構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層４（第１層）を形成する（第１工程、図５のステップＳ１１）。これにより、図２に示したものと同様の状態が形成される。

ステップＳ１１の後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置から取り出す（ステップＳ１２）。つまり図２に示したような、基板２上にＡｌＮ層４が形成されたものをＭＯＣＶＤ装置から取り出す（ステップＳ１２）。例えば、基板２及びＡｌＮ層４を大気中に暴露する。

ステップＳ１２の後、所定の数のウェハーにＡｌＮ層４が形成されたか判断する（ステップＳ１３）。Ｎｏの場合、ステップＳ１１に戻る。すなわち、基板２上にＡｌＮ層４を形成する工程を、複数回繰り返す。

ステップＳ１３においてＹｅｓの場合、ステップＳ１４に進む。ここで、前処理としてのＭＯＣＶＤ装置のクリーニングを行う（ステップＳ１４）。クリーニングの方法はステップＳ１０と同じである。

ステップＳ１４の後、ステップＳ１１及びＳ１２の工程を経たウェハーを、ステップＳ１１で使用したＭＯＣＶＤ装置に導入し、ＡｌＮ層４上にＧａＮ系半導体層（第２層）を形成する（第２工程、ステップＳ１５）。すなわち、構成元素としてＧａを含むＡｌＧａＮ層６、ＧａＮ層８、ＡｌＧａＮ層１０及びＧａＮ層１２を形成する。このとき、ＡｌＮ層４と接触するようにＧａＮ系半導体層は形成される。なお、各層の成長条件は次の通りである。

ＡｌＧａＮ層６の原料は、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）及びＴＭＡであり、ＴＭＧ供給量及びＴＭＡ供給量は、ともに１０μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＡｌＧａＮ層６の厚さは、例えば３００ｎｍである。ＧａＮ層８の原料はＴＭＧであり、ＴＭＧ供給量は１２０μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＧａＮ層８の厚さは、例えば１０００ｎｍである。ＡｌＧａＮ層１０の原料はＴＭＧ及びＴＭＡであり、ＴＭＧ供給量及びＴＭＡ供給量は、それぞれ２５μｍｏｌ／ｍｉｎ及び５μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＡｌＧａＮ層１０の厚さは、例えば２０ｎｍである。ＧａＮ層１２の原料はＴＭＧであり、ＴＭＧ供給量は２５μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＧａＮ層１２の厚さは、例えば５ｎｍである。なお、ＡｌＮ層４の成長には、上記したものと同様に、Ａｌに対するＧａ含有量が０．１ｐｐｍ以下であるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）と純度が９９．９９９９％以上であるＮＨ_３とを用いる。ＡｌＮ層４の厚さは１５０ｎｍである。

ステップＳ１５の後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置から取り出す（ステップＳ１６）。ステップＳ１６の後、所定の数のウェハーにＧａＮ系半導体層が形成されたか判断する（ステップＳ１７）。Ｎｏの場合、ステップＳ１５に戻る。すなわち、ＡｌＮ層４上にＧａＮ系半導体層を形成する工程を、複数回繰り返す。

ステップＳ１７の後、ＧａＮ層１２上にソース電極１４、ドレイン電極１６、及びゲート電極１８を形成する（ステップＳ１８）。以上の工程により実施例１に係る半導体装置が完成する。

実施例１によれば、図６に示すように、ＡｌＮ層４の形成工程（ステップＳ１１）とＧａＮ系半導体層の形成工程（ステップＳ１５）とを別個に行われる工程とし、ＡｌＮ層４の形成工程を複数回繰り返した後、ＧａＮ系半導体層の形成工程を実施する。このため、ＡｌＮ層４形成工程前にＭＯＣＶＤ装置内にＧａを含む不純物が残留することが抑制される。従って、ＡｌＮ層４成長時にＧａが取り込まれることが抑制される。よって、図１に示すような基板２上に導電層３が形成されることが抑制される。

また、Ｇａのみならず、他の３属元素の取り込みも抑制できる。これにより、高抵抗の基板として用いられている、Ｓｉからなる基板２の抵抗を高く維持できる。よって、半導体装置の特性の悪化が抑制される。

なお、ＧａＮ系半導体とは、ＧａやＮを含む半導体である。ＧａＮ系半導体の例としてＧａＮやＡｌＧａＮを例に説明したが、他にＩｎＧａＮやＩｎＡｌＧａＮ等、他のＧａＮ系半導体を用いる場合でも、本発明は適用可能である。また、第１層として、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の、ＡｌＮ以外の窒化物半導体層を用いてもよい。窒化物半導体とは、窒素（Ｎ）を含む半導体である。

ＡｌＮ層４の厚さＴ１は３００ｎｍとしたが、これに限定されない。Ｔ１を例えば２００ｎｍとすることで、後述するクラックの発生を抑制でき、かつバッファ層としての機能も得ることができる。

次に実施例２について説明する。図７は実施例２に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。

図７に示すように、まずステップＳ１０において、ＭＯＣＶＤ装置内をクリーニングする。このクリーニングは、図６におけるステップＳ１０とは異なり、通常の成長前クリーニングでよい。次に、ステップＳ１１に示すように、ＡｌＮ層４を成長し、ステップＳ１２において、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置から取り出す。ステップＳ１３では、ウェハーの処理枚数が所定枚数に達するまで、ステップＳ１１〜Ｓ１２を繰り返す。ステップＳ１２〜Ｓ１３は、図６に示したものと同様である。

ステップＳ１２終了後、ウェハーをステップＳ１１に用いたＭＯＣＶＤ装置とは別のＭＯＣＶＤ装置に導入する（ステップＳ１９）。ステップＳ１９の後は図６に例示した工程と同様に、ステップＳ１５〜Ｓ１８を行う。すなわち、ＧａＮ系半導体層の形成工程は、ＡｌＮ層４の形成工程に用いられたＭＯＣＶＤ装置とは別のＭＯＣＶＤ装置を用いて実施される。

実施例２によれば、ＡｌＮ層４の形成工程（ステップＳ１１）とＧａＮ系半導体層の形成工程（ステップＳ１５）とは別個に行われ、かつ異なるＭＯＣＶＤ装置を用いる工程としている。このため、ＭＯＣＶＤ装置内にＧａを含む不純物が混入することが抑制され、ＡｌＮ層４成長時にＧａが取り込まれることが抑制される。よって、基板２とＡｌＮ層４との界面にＧａを含んだ導電層が形成されることが抑制され、半導体装置の特性の悪化が抑制される。

また、別のＭＯＣＶＤ装置を用いるため、ＡｌＮ層４の形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とを並行して実施できる。従って、半導体装置の製造工程のスピードアップが可能となる。また、ＡｌＮ層４やＧａＮ系半導体層は、ＭＯＣＶＤ法以外の成長方法を用いて成長してもよい。不純物を取り除くためには、ＧａＮ系半導体層の形成工程に用いられるＭＯＣＶＤ装置も、ステップＳ１５の前にクリーニングすることが好ましい。

次に実施例３について説明する。図８は実施例３に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャートである。また、図９（ａ）は後述するステップＳ１１実施後における半導体装置を例示する断面図であり、図９（ｂ）はステップＳ１８実施後における半導体装置を例示する断面図である。

図８に示すように、ステップＳ１０の後、基板２上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層４ａ（第１層）を形成する（ステップＳ１１）。

図９（ａ）に示すように、ステップＳ１１で形成されるＡｌＮ層４ａの厚さＴ２は例えば１５０ｎｍとし、半導体装置完成時のＡｌＮ層の厚さＴ１（図５及び図９（ｂ）参照）の例えば半分とする。

ステップＳ１１の後、ＡｌＮ層４ａを形成したウェハー、つまり図９（ａ）に例示する状態のものをＭＯＣＶＤ装置から取り出す（ステップＳ１２）。例えば、基板２及びＡｌＮ層４ａを大気中に暴露する。次に、ステップＳ１３及びＳ１４を実施する。ステップＳ１０〜Ｓ１４は図６に例示した工程と同じである。

ステップＳ１４の後、ステップＳ１１で形成したＡｌＮ層４ａ上に、例えば厚さＴ３が１５０ｎｍである、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層４ｂ（第３層）を形成する（第３工程、ステップＳ２０）。このとき、ＡｌＮ層４ａと接触するように、ＡｌＮ層４ｂは形成される。

ステップＳ２０の後、ＡｌＮ層４ｂ上にＧａＮ系半導体層を形成する（ステップＳ１５）。ステップＳ１５の後に行われるステップＳ１６〜Ｓ１８は、図６に例示した工程と同様の工程である。図９（ｂ）に示すように、以上の工程により、実施例３に係る半導体装置が完成する。ＡｌＮ層４ａとＡｌＮ層４ｂとは、厚さＴ１が例えば３００ｎｍのＡｌＮ層４を形成する。各層の成長条件は、以下の通りである。

ＡｌＮ層４ａの原料及びＡｌＮ層４ｂの原料はＴＭＡであり、ＴＭＡ供給量は１０μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＡｌＮ層４ａの厚さ及びＡｌＮ層４ｂの厚さは、例えば１５０ｎｍである。ＡｌＧａＮ層６の原料は、ＴＭＧ及びＴＭＡであり、ＴＭＧ供給量及びＴＭＡ供給量は、ともに１０μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＡｌＧａＮ層６の厚さは、例えば３００ｎｍである。ＧａＮ層８の原料はＴＭＧであり、ＴＭＧ供給量は１２０μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＧａＮ層８の厚さは、例えば１０００ｎｍである。ＡｌＧａＮ層１０の原料は、ＴＭＧ及びＴＭＡであり、ＴＭＧ供給量及びＴＭＡ供給量は、それぞれ２５μｍｏｌ／ｍｉｎ及び５μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＡｌＧａＮ層１０の厚さは、例えば２０ｎｍである。ＧａＮ層１２の原料はＴＭＧであり、ＴＭＧ供給量は２５μｍｏｌ／ｍｉｎである。ＧａＮ層１２の厚さは、例えば５ｎｍである。なお、ＡｌＮ層４の成長には、上記したものと同様に、Ａｌに対するＧａ含有量が０．１ｐｐｍ以下であるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）と純度が９９．９９９９％以上であるＮＨ_３を用いた。ＡｌＮ層４の厚さは１５０ｎｍである。

実施例３によれば、実施例１と同様に、ＡｌＮ層４ａの形成工程（ステップＳ２０）とＧａＮ系半導体層の形成工程（ステップＳ１５）とを別個に行われる工程とし、ＡｌＮ層４ａの形成工程を複数回繰り返した後、ＧａＮ系半導体層の形成工程を実施する。このため、ＭＯＣＶＤ装置内にＧａを含む不純物が残留することが抑制される。従って、基板２とＡｌＮ層４との界面にＧａを含んだ導電層が形成されることが抑制され、半導体装置の特性の悪化が抑制される。

図１０は、実施例３においてＡｌＮ層４ｂの成長が終了した状態におけるＳＩＭＳ分析の結果を示す図である。Ｇａ濃度が高い０〜０．１７μｍ付近の領域はＡｌＮ層４ｂであり、Ｇａ濃度が低下している０．１７〜０．３μｍ付近の領域はＡｌＮ層４ａである。また、Ｓｉ濃度がほぼ一定である０．３μｍより深い領域は基板２である。

図１０に示すように、ＡｌＮ層４ｂのＧａ濃度は１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度であるが、ＡｌＮ層４ａ中は２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度である。そして、基板２とＡｌＮ層４ａとの界面付近では、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度であり、深さ方向にＧａ濃度が急激に低下している。ＡｌＮ層４ｂは、Ｇａを含む層を成長するＭＯＣＶＤ装置にて形成されることから、比較的Ｇａ濃度が高い。しかし、ＡｌＮ層４ａにおいてＧａ濃度は低下している。このことから、ＡｌＮ層４ａは、Ｇａ拡散を抑制する効果を発揮しているものと考えられる。

なお、Ｓｉからなる基板２とＡｌＮ層４とでは熱膨張係数に差がある。ＡｌＮ層４が厚過ぎると、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置から取り出し、基板２とＡｌＮ層４とを大気中に暴露した際に、基板２の反りが発生し、ＡｌＮ層４にクラックが発生することもある。

実施例３によれば、半導体装置完成時のＡｌＮ層４よりも薄いＡｌＮ層４ａを形成した後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置から取り出す（図７のステップＳ１１及びＳ１２）。また、ＡｌＮ層４ｂの形成工程とＧａＮ系半導体層の形成工程とは、連続して実施する工程としている。例えば、ＡｌＮ層４ｂの形成工程の後、基板２及びＡｌＮ層４ｂを大気中に暴露することなくＧａＮ系半導体層の形成工程を行う。従って、ＡｌＮ層４に反りやクラックが発生しにくくなる。

また、ＡｌＮ層４ａを形成した後、ＡｌＮ層４ａ上にＡｌＮ層４ｂが形成される（ステップＳ２０）。従って、バッファ層として機能するために十分な厚さを有したＡｌＮ層４が基板２上に形成される。また、第３層はＡｌＮ層としたが、第１層同様に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の、ＡｌＮ以外の窒化物半導体層を用いてもよい。

ＡｌＮ層４ａの厚さＴ２は例えば１５０ｎｍとしたが、薄い方がクラックの抑制には好ましい。すなわち、Ｔ２を例えば１００ｎｍより薄くすることでよりクラックを抑制でき、Ｔ２を５０ｎｍより薄くするとより好ましい。ＡｌＮ層４ａは薄すぎると成長が困難となるため、Ｔ２は１０ｎｍ以上が好ましい。また、ＡｌＮ層４ｂの厚さＴ３は１５０ｎｍとしたが、ＡｌＮ層４ａの厚さＴ２に応じて適宜変更可能である。ＡｌＮ層４がバッファ層として機能するためには、Ｔ３は１５０ｎｍより厚いことが好ましく、Ｔ３を２００ｎｍより厚くすることで、より十分な厚さのバッファ層を確保することができる。

実施例３においても、実施例２のようにＡｌＮ層４ａを形成する工程と、ＡｌＮ層４ｂを形成する工程及びＧａＮ系半導体層を形成する工程とは、別のＭＯＣＶＤ装置を用いてもよい。

最後に、図１１に本発明の実施例１に係る半導体装置の利得評価の結果を示す。これは、実施例１におけるクリーニング（図６のステップＳ１０）の程度を変化させ、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度を変えた基板を作成し、その上に半導体層及び電極までを形成した半導体装置の利得結果である（図５参照）。図１１の横軸はＡｌＮ層４中のＧａ濃度を示し、縦軸は比較例（図１参照）の利得を基準とした実施例１の相対利得を示す。

図１１に示すように、比較例においては、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度であった。ＡｌＮ層４中のＧａ濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度のときは、比較例に対して約１ｄＢの利得の向上が確認された。同様に、ＡｌＮ層４中のＧａ濃度が５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度のときは、約２ｄＢの利得の向上が確認された。Ｇａ濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度のときには、約３ｄＢの利得の向上が確認された。以上の結果から、本発明を実施しない状態（比較例）に対して１ｄＢ以上の利得向上の効果を得るためには、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＧａ濃度が実現されていることが好ましい。

なお、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＧａ濃度を実現するためには、ＡｌＮ層４を成長するためのＡｌ原料の純度を考慮する必要がある。ＭＯＣＶＤ法を利用してＡｌＮ層４を形成するためには、例えばＴＭＡのようなＡｌの有機原料中のＡｌに対するＧａは、２ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、ＭＢＥ法を利用してＡｌＮ層４を形成するためには、ＭＢＥ法のソース原料であるＡｌに対するＧａが４０ｐｐｍ以下であることが好ましい。

また、ＡｌＮ層４におけるＧａ濃度を５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度とする場合、ＭＯＣＶＤ法を採用するときには、Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａは０．５ｐｐｍ以下であることが好ましい。ＭＢＥ法を採用するときには、ソース原料であるＡｌに対するＧａが１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。

さらに、ＡｌＮ層４におけるＧａ濃度を１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３程度とする場合には、ＭＯＣＶＤ法を採用するときには、Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａは０．１ｐｐｍ以下であることが好ましい。ＭＢＥ法を採用するときには、ソース原料であるＡｌに対するＧａが２ｐｐｍ以下とすることが好ましい。

実施例において半導体装置はＨＥＭＴであるとしたが、ＨＥＭＴ以外の半導体装置、例えばＦＥＴ等であってもよい。特に高周波デバイスに本発明を適用することで、リークパスや寄生容量に起因する、特性の悪化を抑制することが可能となる。また、各層の成長方法としては、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法の他に、ＨＶＰＥ法を用いてもよい。各方法では、成長装置としてそれぞれＭＯＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置、及びＨＶＰＥ装置を用いる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

基板 ２
導電層 ３
ＡｌＮ層 ４、４ａ、４ｂ
ＡｌＧａＮ層 ６、１０
ＧａＮ層 ８、１２

Claims (11)

1. Ｇａを含む半導体層の成長に用いた成長装置をクリーニングするクリーニング工程と、
   Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる第１層を形成する第１工程と、
   前記第１工程を複数回繰り返した後、前記第１層上に前記第１層の成長に使用した成長装置を用いて、Ｇａを含む窒化物半導体からなる第２層を形成する第２工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒化物半導体からなる第１層を形成する第１工程と、
   前記第１層の成長に使用した成長装置とは別の成長装置を用いて、前記第１層上にＧａを含む窒化物半導体からなる第２層を形成する第２工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、前記第１層上に構成元素としてＧａを含まない第３層を形成する第３工程を有し、
   前記第２工程は前記第３工程と連続して行われ、
   前記第２層は前記第３層上に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第３層は前記第１層と同一の構成元素からなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記第１層はＡｌＮからなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第２層はＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１工程、前記第２工程、及び前記第３工程において用いられる前記成長装置は、ＨＶＰＥ装置、ＭＯＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置のいずれかであることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１工程に用いられる前記成長装置はＭＯＣＶＤ装置であり、
   Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａ含有量が２ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の成長方法。
9. 前記第１工程に用いられる前記成長装置はＭＢＥ装置であり、
   Ａｌの有機原料中のＡｌに対するＧａ含有量が４０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の成長方法。
10. 前記第１層の膜厚は２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の成長方法。
11. 前記第３層の膜厚は１５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の成長方法。

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