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JP2010054369A - コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造コストが低減されたコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体10と、プローブ本体10よりも高硬度の金属材料からなり、プローブ本体10の端面42,42aに隣接して厚み方向に積層形成されたプローブ先端部5とを備える。プローブ本体10が、片持ち梁構造を有するビーム部3と、ビーム部3の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部4とを有し、プローブ先端部5は、コンタクト部4の先端部を含む端面に形成されている。このように、コンタクト部4の先端部の一部に高硬度の導電性材料からなるプローブ先端部5を厚み方向に積層形成することにより、プローブ先端部5に用いる導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブ1の製造コストを低減できる。
【選択図】 図3

Description

本発明は、コンタクトプローブ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、製造工程数を少なくできながら、コンタクトプローブのコンタクト部における検査対象物と接触する部分に使用する導電性材料の低減化が図れるコンタクトプローブ及びその製造方法に関する。
検査対象物の電極と導通されるコンタクト部を有するコンタクトプローブにおいて、上記コンタクト部の先端部に、このコンタクト部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料で形成したチップ状の部材を埋め込んでコンタクトプローブを構成したものが提案されている(例えば、特許文献1)。このチップ状部材は、フォトリソグラフィ技術と電気めっき技術を用いて、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれている。この特許文献1に開示されているコンタクトプローブは、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれた上記チップ状部材を検査対象物に接触させることにより、摩耗を抑制するようになっている。
しかしながら、上記チップ状部材は、上記コンタクト部の先端部に埋め込まれていることから、検査対象物と接触する部分が少ない割に体積が大きくなってしまう。コンタクト部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料で形成される上記チップ状部材は、通常、コンタクト部を形成している材料よりも高価な材料を用いて形成される。従って、体積の大きいチップ状部材を用いると、製造コストが高くなってしまう。
そこで、製造コストを低減するために、本出願人は、検査対象物と接触する部分に用いる高硬度の材料をできるだけ少なくできるコンタクトプローブを提案した(特願2007‐155833)。このコンタクトプローブは、フォトリソグラフィ技術と電気めっき技術を用いて、2つの外層及びこれらの外層間に挟まれた少なくとも1つの内層を含む3層以上の導電層が積層されることにより形成される。しかも、その内層は、上記2つの外層の各端面(検査対象物の電極と対向する面)から突出した突出部を有する芯部と、この芯部の突出部の一部を覆うように形成される薄膜の金属層からなるプローブ先端部とを有するように形成されている。このプローブ先端部は、上記突出部における検査対象物と接触する角部を覆うように、即ち、上記突出部の先端の端面と上記芯部の下側の主面とを覆うように、断面L字状に形成されている。さらに、このプローブ先端部は、上記芯部を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料を用いて形成されている。
そして、上記芯部と上記プローブ先端部とは、一方の上記外層と対向する面において、上記芯部と上記プローブ先端部とが同一平面となるように、このプローブ先端部を上記芯部に埋め込んだ状態となるように形成している。このように構成することにより、このプローブ先端部は、その一部(根元側)が一方の外層と芯部で挟まれた状態になる。このようなプローブ先端部を有するコンタクトプローブを形成することにより、プローブ先端部を形成する材料をできるだけ少なくできる。
特開2006−337080号公報
しかしながら、本出願人が提案した上記コンタクトプローブは、上記プローブ先端部の一部を上記芯部と上記外層とで挟む構造としているため、所定パターンをもつ少なくとも4つの金属層を積層して形成しなければならない。その結果、パターニングプロセスが多くなり、製造コストが高くなるという問題がある。しかも、各金属層を形成した後、プローブ基板に接合するためのバンプ部をコンタクトプローブのベース部に形成する場合には、さらに、パターニングプロセスが多くなる。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、コンタクトプローブにおける検査対象物と接触するプローブ先端部に用いる高硬度の導電性材料の使用量を低減できながら、製造工程数を少なくして製造コストの低廉化が図れるコンタクトプローブおよびその製造方法を提供することを目的とする。
第1の本発明によるコンタクトプローブは、厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体と、上記プローブ本体よりも高硬度の金属材料からなり、上記プローブ本体の端面に隣接して上記厚み方向に積層形成されたプローブ先端部とを備え、上記プローブ本体が、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有し、上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面に形成するように構成される。
このように、本発明のコンタクトプローブは、厚み方向に導電性材料を積層して形成された上記プローブ本体に対して、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して上記プローブ先端部を厚み方向に積層して形成される。その結果、上記プローブ本体を従来のように三層で構成することなく、上記プローブ本体を一層で構成することができるので、上記プローブ先端部を形成するための導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も少なくでき、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
第2の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における何れか一方の主面を覆う金属層で形成するよう構成される。このような構成により、上記プローブ先端部が薄膜の金属層で形成されても、上記コンタクト部の端面と一方の主面とを覆うように上記プローブ先端部が形成されるので、このプローブ先端部の強度を強くできる。
第3の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有するプローブ本体と、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して形成されたプローブ先端部とを備えるコンタクトプローブの製造方法である。その製造工程は、基板上に、厚み方向に導電性材料を積層して上記プローブ本体を形成するプローブ本体層形成ステップと、基板上に上記プローブ本体よりも高硬度の導電性材料を厚み方向に積層して上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における厚み方向上部側の主面を覆う上記プローブ先端部を形成するプローブ先端部層形成ステップと、基板上に、上記プローブ本体を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料を厚み方向に積層して、上記プローブ本体の上記プローブ基板に接する接合部の端面に隣接させてバンプ部を形成するバンプ層形成ステップとを備えるようにしている。
このような製造工程により、上記プローブ本体、上記プローブ先端部、上記バンプ部をそれぞれ1つのパターンで形成できるので、従来のような3層構造のプローブ本体を有するコンタクトプローブを形成する場合よりも、パターン数を大幅に減らして製造工程数を低減できる。しかも、プローブ先端部を形成するために用いる導電性材料の使用量も減らすことができる。その結果、プローブ先端部に用いる導電性材料の使用量を抑えながら、製造工程数も少なくできるので、従来に比べてコンタクトプローブの製造コストを低減できる。
第4の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記構成に加え、上記プローブ本体、上記プローブ先端部層、上記バンプ層のうち、少なくとも一層は表面研磨して平坦面を形成するステップを含むように構成される。このようにコンタクトプローブを製造することにより、表面研磨によりプローブの厚みを制御する際も、少数の層でコンタクトプローブが形成されるので、厚み制御が容易となる。
本発明によるコンタクトプローブによれば、プローブ先端部に用いる高硬度の導電性材料の使用量を低減できながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブの製造コストを低減することができる。
実施の形態1.
[プローブ装置]
図1は、本発明の実施の形態によるプローブカード110を含むプローブ装置100の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置100内部の様子が示されている。このプローブ装置100は、プローブカード110と、検査対象物102が載置される可動ステージ103と、可動ステージ103を昇降させる駆動装置104と、可動ステージ103及び駆動装置104が収容される筐体105により構成される。
検査対象物102は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路(図示せず)が形成されている。可動ステージ103は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置104の駆動により、検査対象物102を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体105は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード110が取り付けられる。また、可動ステージ103は、この開口部の下方に配置される。
[プローブカード]
図2(a)及び(b)は、図1のプローブ装置100におけるプローブカード110の構成例を示した図であり、図中の(a)は、検査対象物102側(図1の下方側)から見た平面図であり、図中の(b)は、側面図である。
プローブカード110は、筐体105の開口部に取り付けられるメイン基板106と、メイン基板106に保持される矩形状のプローブ基板107と、プローブ基板107上に固着された複数のコンタクトプローブ1とを備える。
メイン基板106は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子161を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板106として用いられる。このメイン基板106は、その周辺部が筐体105の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
プローブ基板107は、メイン基板106の下方に配置され、メイン基板106に支持される。さらに、プローブ基板107は、連結部材108に電気的に接続され、この連結部材108をメイン基板106のコネクタ162に接続するようになっている。このプローブ基板107は、メイン基板106よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物102がシリコンウエハからなる場合には、シリコンやセラミックなどの低熱膨張率基板でプローブ基板107を構成することが好ましい。このように、プローブ基板107を低熱膨張率基板で構成することにより、プローブ基板107及び検査対象物102の熱膨張率を一致させることができる。
連結部材108は、メイン基板106及びプローブ基板107を連結し、導電線としてメイン基板106及びプローブ基板107を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板(FPC)が連結部材108として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板107の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ162を介してメイン基板106に連結されている。
本実施形態では、プローブ基板107には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドに対応するコンタクトプローブ1が接合されることにより、プローブ基板107上に多数のコンタクトプローブ1が形成される。プローブ基板107は、上記したように、連結部材108を介してテスター装置に接続されたメイン基板106に導通しており、当該メイン基板106とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置104によって可動ステージ103を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ1を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ1を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われるようになっている。
[コンタクトプローブ]
コンタクトプローブ1は、検査対象物102上に形成された微細な電極パッド121に対し、弾性的に当接させるプローブ(探針)である。各コンタクトプローブ1は、プローブ基板107における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ1は、プローブ基板107の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ103に配置された検査対象物102と対向するようになっている。
図3は、本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブ1の一例を示した図であり、(a)はコンタクトプローブ1の斜視図、(b)は(a)におけるコンタクト部4の側面図、(c)は(a)におけるコンタクト部4の正面図を示している。
このコンタクトプローブ1は、プローブ基板107上の電極パッドに接合されるベース部2、このベース部2を固定端として片持ち梁構造を構成するビーム部3、そして、このビーム部3の自由端付近で、検査対象物102に向かって突出するコンタクト部4からなるプローブ本体10と、このコンタクト部4の先端部の一部を覆うプローブ先端部5とから構成される。プローブ本体10は板状に形成され、厚み方向に導電性材料を積層して形成されている。このプローブ先端部5は、厚み方向に積層して形成された金属層で構成され、検査対象物である半導体ウエハの電極パッド121に接触させる。
プローブ本体10のベース部2は、シリコン(Si)やセラミックなどで形成されたプローブ基板107上の電極パッドに接合される接合部21を備える。さらに、この接合部21におけるプローブ基板107と対向する側面に隣接させてバンプ部6が形成されている。このバンプ部6は、プローブ本体10を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料、例えば、はんだで形成されている。
プローブ本体10のコンタクト部4は、図3(a)に示すように、片持ち梁構造のビーム部3の自由端から、半導体ウエハに向かって突出する軸状に構成されている。さらに、このコンタクト部4は、図3の(b),(c)及び図4の(a),(b)のコンタクト部4の斜視図に示すように、その軸部の断面形状が、一対の主面41と一対の側面(端面)42を有する矩形状に形成されている。そして、このコンタクト部4の先端部は、各主面41を平面としたままで、各側面42を先端部付近からテーパーにして先細り状になるように構成されている。さらに側面42は、テーパーの先端で屈曲されて平坦な先端面42aを有するように連続して形成されている。
プローブ本体10を構成するベース部2、ビーム部3及びコンタクト部4は、同一の導電性材料で形成されている。この導電性材料は、ヤング率が100GPa以上の弾性の高い金属で形成されていることが好ましい。この例では、プローブ本体10は、ニッケルコバルト(Ni−Co)で形成している。ただし、プローブ本体10は、ニッケルコバルトに限らず、パラジウムコバルト(Pd−Co)などのコバルト(Co)を含む他の合金で形成されたものであってもよいし、パラジウムニッケル(Pd−Ni)などのニッケル系合金、タングステン(W)、ニッケルタングステン(Ni−W)、金(Au)などの他の導電性材料で形成されたものであってもよい。
プローブ先端部5は、図3の(b),(c)及び図4の(a),(b)に示すように、コンタクト部4の先端部における一方の主面41と、先端面42aを含む側面42とを覆うように形成された金属層によって構成されている。即ち、プローブ先端部5は、コンタクト部4の先端部における他方の主面41を除く4つの面を覆った状態になっている。具体的には、プローブ先端部5は、コンタクト部4の一方の主面41を覆う第1被覆部51、コンタクト部4の一方のテーパーの側面42の一部を覆う第2被覆部52、コンタクト部4の他方のテーパーの側面42の一部を覆う第3被覆部53、そして、コンタクト部4の先端面42aを覆う第4被覆部54で構成されている。
本実施形態では、半導体ウエハの検査時には、コンタクトプローブ1のコンタクト部4と半導体ウエハとが、コンタクト部4の軸方向に相対移動することにより、プローブ先端部5における第4被覆部54の外面全体が、半導体ウエハの電極に当接するようなっている。
さらに、プローブ先端部5は、プローブ本体10を形成する導電性材料よりも高硬度の導電性材料を用いて形成されている。例えば、プローブ先端部5は、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)の各元素のうち少なくとも1種類の元素を含む導電性材料により形成されている。
[コンタクトプローブの製造プロセス]
図5及び図6は、図3に示した本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブ1の製造プロセスの一例を示した工程図である。コンタクトプローブ1は、いわゆるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて作製される。MEMS技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このようなめっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
図5〜図6の各工程図は、図3(a)におけるA−A断面図が示されている。まず、図5(a)に示すように、コンタクトプローブ1を形成する際には、まず、プローブ形成用の基板11上に、プローブ本体10、プローブ先端部5、そしてバンプ部6を形成する導電性材料とは異なる材料、例えば、銅(Cu)などで第1犠牲層12を形成する。
次に、図5(b)に示すように、第1犠牲層12上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第1レジスト層13を形成する。その後、この第1レジスト層13の表面を選択的に露光することにより、第1レジスト層13を部分的に除去する。
このようにして第1レジスト層13が除去された部分には、図5(c)に示すように、電気めっきによりプローブ本体10となる第1金属層14(プローブ本体層)が、この板状プローブ本体10の厚み方向に積層形成される。図5(c)では、右側の第1金属層14によりコンタクト部4が形成され、左側の第1金属層14によりベース部2が形成された状態を示している。本実施形態では、ビーム部3も同時に積層形成されるが、図では省略している。
その後、第1レジスト層13と共に第1金属層14の表面を研磨した後、図5(d)に示すように、第1レジスト層13を完全に除去する。この第1レジスト層13を除去することにより第1犠牲層12と第1金属層14とが露出した状態になる。
そして、図5(e)に示すように、露出した第1犠牲層12と第1金属層14上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第2レジスト層15を形成する。その後、この第2レジスト層15の表面を選択的に露光することにより、第2レジスト層15を部分的に除去する。図5(e)では、コンタクト部4の先端部となる第1金属層14の一部がテーパーの側面42も露出するように第2レジスト層15を部分的に除去している。
そして、第2レジスト層15が除去された部分には、図6(a)に示すように、電気めっきによりプローブ先端部5となる薄膜の第2金属層16(プローブ先端部層)が厚み方向に積層形成される。なお、この第2金属層16は、第1金属層14で形成されるコンタクト部4の主面41とテーパーの側面42と先端面42aを覆っている。
その後、第2レジスト層15と共に第2金属層16の表面を研磨した後、図6(b)に示すように第2レジスト層15を完全に除去する。この第2レジスト層15を除去することにより第1犠牲層12、第1金属層14及び第2金属層16が露出した状態になる。
そして、図6(c)に示すように、露出した第1犠牲層12、第1金属層14及び第2金属層16上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第3レジスト層17を形成する。その後、この第3レジスト層17の表面を選択的に露光することにより、第3レジスト層17を部分的に除去する。図6(c)では、ベース部2におけるプローブ基板との接合部21となる第1金属層14の一部が露出するように第3レジスト層17を部分的に除去している。
そして、第3レジスト層17が除去された部分には、図6(d)に示すように、電気めっきによりバンプ部6となる第3金属層18(バンプ層)が厚み方向に積層形成される。この第3金属層18は、第1金属層14で形成されるベース部2の主面の一部も覆うように形成される。
その後、第3レジスト層17と共に第3金属層18の表面を研磨した後、図6(e)に示すように第3レジスト層17、第1犠牲層12を完全に除去することにより、プローブ本体10にプローブ先端部5とバンプ部とが形成されたコンタクトプローブ1が得られる。
本実施形態では、プローブ本体10のコンタクト部4の先端部に、この先端部を覆う薄膜のプローブ先端部5を形成することができる。さらに、このプローブ先端部5を形成する導電性材料の材質を、プローブ本体10を形成する導電性材料の材質よりも高硬度の導電性材料を使用している。その結果、本実施形態のコンタクトプローブ1は、プローブ先端部5を形成するための導電性材料の使用量を抑えることができながら、製造工程数も低減できるので、コンタクトプローブ1の製造コストを低減することができる。さらに、少数の3つの層でコンタクトプローブ1が形成されるので、表面研磨によるプローブの厚み制御も容易となる。
実施の形態2.
本発明の実施の形態2によるコンタクトプローブ1の一例を図7に示す。図中の番号は、上記実施の形態1に対応するものに対し同一の番号とする。図7(a)は、コンタクトプローブ1の斜視図、(b)は、(a)におけるコンタクト部4の側面図、(c)は、(a)におけるコンタクト部4の正面図を示している。
本発明の実施の形態2の特徴は、プローブ先端部5の形状及びコンタクト部4の先端部の形状であり、その他は、上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。プローブ先端部5は、図7の(b),(c)に示すように、少なくとも先端面42aを含む側面42を覆い、かつ、コンタクト部4の先端部に形成する凹部43内に形成された金属層によって構成されている。
具体的には、コンタクト部4の先端部に、先端面42aに開口部を有し、両方の主面41に貫通するように形成される楔状の凹部43が形成されている。さらに、プローブ先端部5は、少なくともコンタクト部4の一方のテーパーの側面42の一部を覆う第2被覆部52、コンタクト部4の他方のテーパーの側面42の一部を覆う第3被覆部53、コンタクト部4の先端面42aを覆う第4被覆部54及びコンタクト部4の凹部43内に形成される芯部55により構成されている。本実施の形態では、プローブ先端部5は、コンタクト部の主面は被覆しないように形成されている。
本実施の形態では、第2被覆部52、第3被覆部53、第4被覆部54及び芯部55を形成した後、コンタクト部4の一方の主面41である積層方向上面をプローブ先端部5及びバンプ部6と共に一括研磨を行う。このように研磨処理を行うことにより、第2被覆部52、第3被覆部53、第4被覆部54及び芯部55がコンタクト部4の主面41と面一にすることができ、コンタクトプローブ1全体の厚み制御を簡単に行うことができる。このように、プローブ本体10、プローブ先端部5及びバンプ部6の全ての層を形成した後に、表面を一括研磨することにより、コンタクトプローブ1の高精度の厚み制御が可能となる。
なお、本実施の形態では、プローブ先端部5は、上記実施の形態1のように第1被覆部51を形成せず、第2被覆部52、第3被覆部53及び第4被覆部54のみで構成すると、コンタクト部4の側面42,42aとの接合強度が不十分となる可能性があり、検査対象物102とコンタクトする際の機械的強度が不足する可能性がある。
従って、本実施の形態では、図7(b),(c)に示すように、プローブ先端部5は先端面42aからコンタクト部4の内部に埋め込まれる楔状の芯部55を持つ構造として、プローブ先端部5の機械的強度を向上させている。また、同様に、バンプ部6も、ベース部2の中に埋め込まれるように接合部21の隣接するように形成しているので、接合強度を強くすることができる。
上記実施の形態では、基板11上の犠牲層12を溶解することによりコンタクトプローブ1が最終的に剥離する場合の例について説明したが、基板11を犠牲層として使用することもできる。
本発明の実施の形態によるプローブカード110を含むプローブ装置100の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置100内部の様子が示されている。 図1のプローブ装置100におけるプローブカード110の構成例を示した図である。 本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブの一例を示した図であり、(a)は斜視図、(b)はコンタクト部4の側面図、(c)はコンタクト部4の正面図を示している。 図3に示すコンタクトプローブ1のコンタクト部4の斜視図を示した図であり、(a)は一方の主面側から見た斜視図、(b)は他方の主面側から見た斜視図を示している。 本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。 本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図5(e)の続きを示している。 本発明の実施の形態2によるコンタクトプローブの一例を示した図であり、(a)は斜視図、(b)はコンタクト部4の側面図、(c)はコンタクト部4の正面図を示している。
符号の説明
1 コンタクトプローブ
10 プローブ本体
2 ベース部
21 接合部
3 ビーム部
4 コンタクト部
41 主面
42 側面
42a 先端面
43 凹部
5 プローブ先端部
51 第1被覆部
52 第2被覆部
53 第3被覆部
54 第4被覆部
55 芯部
6 バンプ部
11 基板
12 第1犠牲層
13 第1レジスト層
14 第1金属層
15 第2レジスト層
16 第2金属層
17 第3レジスト層
18 第3金属層
100 プローブ装置
102 検査対象物
121 電極パッド
103 可動ステージ
104 駆動装置
105 筐体
106 メイン基板
161 外部端子
162 コネクタ
107 プローブ基板
108 連結部材
110 プローブカード

Claims (4)

  1. 厚み方向に積層形成された導電性材料からなるプローブ本体と、
    上記プローブ本体よりも高硬度の金属材料からなり、上記プローブ本体の端面に隣接して上記厚み方向に積層形成されたプローブ先端部とを備え、
    上記プローブ本体が、片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有し、
    上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面に形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
  2. 上記プローブ先端部は、上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における何れか一方の主面を覆う金属層で形成していることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
  3. 片持ち梁構造を有するビーム部と、当該ビーム部の自由端付近から検査対象物に向かって突出させた先細り形状からなるコンタクト部とを有するプローブ本体と、上記コンタクト部の先端部を含む端面に隣接して形成されたプローブ先端部とを備えるコンタクトプローブの製造方法であって、
    基板上に、厚み方向に導電性材料を積層して上記プローブ本体を形成するプローブ本体層形成ステップと、
    基板上に上記プローブ本体よりも高硬度の導電性材料を厚み方向に積層して上記コンタクト部の先端部を含む端面及び先端部における厚み方向上部側の主面を覆う上記プローブ先端部を形成するプローブ先端部層形成ステップと、
    基板上に、上記プローブ本体を形成する導電性材料よりも融点の低い金属材料を厚み方向に積層して、上記プローブ本体の上記プローブ基板に接する接合部の端面に隣接させてバンプ部を形成するバンプ層形成ステップとを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
  4. 上記プローブ本体、上記プローブ先端部層、上記バンプ層のうち、少なくとも一層は表面研磨して平坦面を形成するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載のコンタクトプローブの製造方法。
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