JP2008096318A - 振動センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】感度の温度特性の優れた振動センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ベース部とベース部から延びる複数のアーム部とを有する音叉型振動子（１０）と、音叉型振動子（１０）を実装する実装部（２０）と、括れ部（４８）を有し、音叉型振動子（１０）を実装部（２０）に実装させる支持部（４０）と、を具備する振動センサおよびその製造方法である。本発明によれば、支持部に設けられた括れ部が音叉型振動子と実装部との熱膨張係数の差に起因した応力を緩和する。よって、感度の温度特性の優れた振動センサおよびその製造方法を提供することができる。
【選択図】図６

Description

本発明は振動センサおよびその製造方法に関し、特に音叉型振動子を有する振動センサおよびその製造方法に関する。

音叉型振動子を有する加速度センサや角速度センサ等の振動センサは、音叉型振動子の振動を検知することにより、加速度や角速度を検知するセンサである。例えば、角速度センサは、カーナビゲーションシステムやデジタルカメラの手振れ防止等に用いられている。特許文献１には水晶からなる音叉型振動子を基板やパッケージ等の実装部に１つの支持部で実装する場合が開示されている。支持部としては例えばバンプを用いることが開示されている。
特開２００５−４９３０６号公報

振動センサを高感度化するためには、音叉型振動子を実装部に実装する際の実装方法が重要である。特許文献１においては、はんだ、導電性接着剤またはバンプを用い一箇所で音叉型振動子を実装している。しかしながら、このような実装方法では、振動センサの感度の温度特性を改善することが難しいことがわかった。本発明は、上記課題に鑑み、感度の温度特性の優れた振動センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ベース部と該ベース部から延びる複数のアーム部とを有する音叉型振動子と、前記音叉型振動子を実装する実装部と、括れ部を有し、前記音叉型振動子を前記実装部に実装させる支持部と、を具備することを特徴とする振動センサである。本発明によれば、支持部に設けられた括れ部が音叉型振動子と実装部との熱膨張係数の差に起因した応力を緩和する。よって、感度の温度特性の優れた振動センサを提供することができる。

上記構成において、前記支持部は積層された複数のバンプである構成とすることができる。この構成によれば、簡単に括れ部を有する支持部を形成することができる。

前記複数のバンプは積層された径の異なるバンプである構成とすることができる。この構成によれば、バンプを積層する際に大きいバンプ上に小さいバンプを積層することができる。よって、積層したバンプを安定に形成することができる。

上記構成において、複数の前記支持部を有する構成とすることができる。この構成によれば、ノードが上下方向に振動し難い。よって、高感度な音叉型振動子を実現することができる。

上記構成において、前記支持部は前記音叉型振動子と前記実装部とを電気的に接続する構成とすることができる。この構成によれば、音叉型振動子と実装部とを接続するボンディングワイヤの本数を削減することができる。

上記構成において、前記支持部は前記音叉型振動子のノードを支持部が設けられる面に投影したノード線上に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、面垂直振動モードのツイスト振動を妨げることなく、かつノードの上下運動を抑制することができる。

上記構成において、前記複数の支持部は前記音叉型振動子のノードを支持部が設けられる面に投影したノード線に対し略対称に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、音叉型振動子の振動の対称性を確保することができる。

上記構成において、前記音叉型振動子と前記実装部との間に設けられた樹脂部を具備する構成とすることができる。この構成によれば、樹脂部が音叉型振動子の実装部への実装を補強することができる。

上記構成において、前記支持部の高さは、前記樹脂部が含有するフィラーの径より大きい構成とすることができる。この構成によれば、フィラーが音叉型振動子と実装部とを固定してしまい、音叉型振動子の振動を妨げることを抑制することができる。

本発明は、ベース部と該ベース部から延びる複数のアーム部とを有する音叉型振動子の前記ベース部および実装部の少なくとも一方にバンプを形成する工程と、前記バンプが複数積層するように前記音叉型振動子を前記実装部に実装する工程と、を有することを特徴とする振動センサの製造方法である。本発明によれば、簡単に括れ部を有する支持部を形成することができる。

上記構成にいて、前記バンプを形成する工程は、後に形成されたバンプの径が前に形成されたバンプの径より小さくなるように複数のバンプを積層する工程である構成とすることができる。この構成によれば、バンプを容易に積層することができる。

本発明によれば、感度の温度特性の優れた振動センサおよびその製造方法を提供することができる。

以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。

実施例１は、２つの音叉型振動子をパッケージ上に実装した角速度センサの例である。図１は実施例１に係る角速度センサの斜視図であり、図２は音叉型振動子１０の斜視図である。図１を参照に、２本のアーム部を有する音叉型振動子１０ａおよび１０ｂがキャビティタイプのパッケージ３０のそれぞれ実装部２０ａおよび２０ｂに固着され実装されている。実装部２０ａおよび２０ｂにはボンディングパッド２２ａおよび２２ｂが設けられている。音叉型振動子１０ａおよび１０ｂの電極並びに音叉型振動子１０ａおよび１０ｂとパッド２２ａおよび２２ｂとを接続するボンディングワイヤは図示していない。音叉型振動子１０ａおよび１０ｂは互いに直交しており、それぞれ各長手方向（アーム部の方向）を検知軸１および検知軸２とし、検知軸１および検知軸２を中心とした角速度を検知する。パッケージ３０には例えば基板に電子部品が実装された制御回路５２が実装されている。制御回路５２は、音叉型振動子１０ａおよび１０ｂを制御する回路であり、音叉型振動子１０ａおよび１０ｂに駆動信号を供給し、音叉型振動子１０ａおよび１０ｂより検出信号が入力する。パッケージ３０にはキャップ（図示せず）により蓋がされる。

図２を参照に、音叉型振動子１０はベース部１３とベース部１３から延びる２本（複数）のアーム部１１および１２を有する。音叉型振動子１０は例えばＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム）またはＬｉＴａＯ_３（タンタル酸リチウム）等の圧電性材料より形成されている。例えばＬｉＮｂＯ_３またはＬｉＴａＯ_３を用いる場合は、１３０°から１４０°Ｙ板を用いることにより、高ｋ２３電気機械結合係数を得ることができる。音叉型振動子１０の表面にはＡｕ(金）、Ａｌ（アルミニウム）またはＣｕ（銅）等の金属膜を用いた電極パターン（不図示）が形成されている。

図３（ａ）は音叉型振動子１０の表側の電極パターンの例を示し、図３（ｂ）は裏側の電極パターンの例を示す。アーム部１１には検出電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃが設けられている。検出電極１１ａと１１ｂとは電極１１ｄで接続されている。検出電極１１ａには引き出し電極１１ｆが設けられている。電極１１ｃは、引き出し電極１１ｅに接続されている。同様に、アーム部１２には、検出電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃが設けられている。検出電極１２ａと１２ｂとは電極１２ｄで接続されている。検出電極１２ａには引き出し電極１２ｆが設けられている。検出電極１２ｃは、引き出し電極１２ｅに接続されている。音叉型振動子１０の表面には駆動電極１４ａが設けられ、引き出し電極１４ｂに接続されている。同様に、裏面には駆動電極１５ａが設けられ、引き出し電極１５ｂに接続されている。

図４（ａ）および図４（ｂ）は音叉型振動子１０の駆動モードと検出モードを説明するための図である。図４（ａ）を参照に、音叉型振動子１０の駆動電極（図３（ａ）および図３（ｂ）参照）に駆動信号を印加することによりアーム部１１および１２が互いに開閉するような振動モードを発生させる。この振動はアーム部１１および１２方向の面に平行な振動であり、これを面内振動モードという。また、面内振動モードの振動方向の面を面内振動面という。ここで検知軸に対し角速度が加わると、コリオリ力により図４（ｂ）のようなアーム部１１および１２が前後に振動する振動モードが現れる。この振動はアーム部１１および１２方向の面に垂直なツイスト振動であり、これを面垂直振動モードという。検出電極（図３（ａ）および図３（ｂ）参照）がこの振動モードを検出することにより検知軸を中心とした角速度を検知することができる。駆動に用いる振動モードを駆動モード、検知に用いる振動モードを検出モードという。各振動モードにおいて、振動しない領域をノードという。図３（ａ）においては、音叉型振動子１０の対称面がノードＡとなる。図３（ｂ）においては、音叉型振動子１０の中心軸がノードＢとなる。

図５は、音叉型振動子１０を裏面よりみた図である。ベース部１３のノード線Ｒ１はノードＡとノードＢの共通のノード（すなわちノードＢ）を、面Ｓ１（後述するように支持部が設けられる面）に投影した線である。

図６（ａ）は、実装部２０の上視図、図６（ｂ）は音叉型振動子１０を実装した実装部２０の上視図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）を参照に、実装部２０は、例えば、セラミックからなり、音叉型振動子１０からのボンディングワイヤ３４を接続するボンディングパッド２２を有するワイヤパッド部２８、音叉型振動子１０を支持する振動子支持部２７および本体部２６からなる。振動子支持部２７には、支持部４０である金バンプを用い音叉型振動子１０を接続するパッド２５が設けられている。パッド２５は音叉型振動子１０の真下から外側にかけて延在し、パッド２５間にはパッド２５が形成されていないため凹部２４となっている。パッド２２および２５は、例えば金メッキ法を用い形成される。

図６（ｂ）を参照に、引き出し電極１１ｅ，１１ｆ、１２ｅ、１２ｆ、１４ｂおよび１５ｂとボンディングパッド２２とがボンディングワイヤ３４で接続されている。ボンディングパッド２２は制御回路５２と接続されている。なお、引き出し電極１４ｂ、１５ｂのパターンは図３（ａ）および図３（ｂ）とは一部異なっている。図６（ｃ）を参照に、ワイヤパッド部２８の上面は、音叉型振動子１０からのボンディングを容易に行うため、音叉型振動子１０と略同じ高さを有している。振動子支持部２７の上面に対し、本体部２６の上面は低く形成されている。パッド２５上には例えば金バンプである支持部４０を用い音叉型振動子１０がフリップチップ実装されている。支持部４０を覆うように、支持部４０による実装を補強するための樹脂部３６が設けられている。樹脂部３６は例えばシリコン樹脂やエポキシ樹脂からなる接着剤である。図７は支持部４０の数を３個とした場合の音叉型振動子１０の裏面の図である。ノード線Ｒ１上に支持部４０を３個設けている。

図８（ａ）から図９（ｂ）の模式図を用い、実施例１に係る角速度センサの音叉型振動子１０を実装部２０に実装する方法の一例を説明する。図８（ａ）を参照に、ＬｉＮｂＯ_３からなる音叉型振動子１０のベース部の電極パッド１４にＡｕスタッドバンプ４１を形成する。バンプ４１は径が約１００μｍであり、高さが約６０μｍである。図８（ｂ）を参照に、バンプ４１上にＡｕスタッドバンプ４２を形成する。バンプ４２はバンプ４１より径が小さく、約８０μｍである。これにより、バンプが積層し括れ部４８を有する支持部４０が形成される。図８（ｃ）を参照に、メッキ法により形成されたＡｕパッド２５を有しセラミックからなる実装部２０をフリップチップボンダのステージ（不図示）上に載せる。図８（ｄ）を参照に、図８（ｄ）を参照に、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とするフィラー３８を含有する熱硬化エポキシ樹脂からなる樹脂材３７を実装部２０上に塗布する。

図９（ａ）を参照に、音叉型振動子１０をフリップチップボンダのツール（不図示）で吸着し、支持部４０を実装部２０のパッド２５に位置合わせする。図９（ｂ）を参照に、フリップチップ接合する。熱硬化樹脂を硬化させ樹脂部３６を形成する。

図１０を参照に、比較例１として、直径が約１００μｍ、高さが約６０μｍのＡｕスタッドバンプが１段からなる支持部４０ａを有する角速度センサを作製した。その他の構成は実施例１の図９（ｂ）と同じである。

図１１は、図８（ａ）から図９（ｂ）の方法で作製した実施例１および図１０で示した比較例１の温度に対する音叉型振動子１０の検出電極のインピーダンスＺｙを示した図である。４５℃以下においては、実施例１および比較例１のインピーダンスＺｙはほぼ同じである。６５℃以上では、比較例１のインピーダンスＺｙは急激に大きくなるのに対し、実施例１のインピーダンスＺｙはほぼ一定である。９０℃においては、実施例１のインピーダンスＺｙは約３．３ｋΩに対し、比較例１のインピーダンスＺｙは約５ｋΩと非常に大きくなってしまう。

振動センサの感度は共振先鋭度Ｑが大きくなれば大きくなる。Ｑは、
Ｑ＝１／（４πＺＣ（ｆａ−ｆｒ））
で表される。ここで、Ｚは共振周波数でのインピーダンス、Ｃは直列容量、ｆａは反共振周波数、ｆｒは共振周波数である。上式より、Ｚが小さくなればＱが大きくなり高感度となることがわかる。よって、比較例１は高温において検出電極の感度が低くなってしまう。

図４（ａ）を参照に、面内振動モード（実施例１では駆動モード）においては、アーム部１１、１２の振動が主であり、面垂直振動モード（実施例１では検出モード）に比べベース部１３は振動しない。よって、ベース部１３を支持する方法によるインピーダンスの変化は大きくない。一方、面垂直振動モードにおいては、アーム部１１、１２がツイスト振動するため、ベース部１３もツイスト振動する。よって、ベース部１３の支持方法によって、インピーダンスが大きく変化する。

音叉型振動子１０は圧電性材料であり誘電体のためインピーダンスは非常に大きいが共振周波数においては音叉型振動子１０が振動し、インピーダンスが小さくなる。しかしながら、音叉型振動子１０の振動が妨げられるとインピーダンスは大きくなってしまう。比較例１においては、音叉型振動子１０と実装部２０との熱膨張係数の差に起因し、インピーダンスが大きくなったものと考えられる。一方、実施例１においては、支持部４０に設けられたバンプ４１と４２との間の括れ部４８が音叉型振動子１０と実装部２０との熱膨張係数の差に起因した応力を緩和する。このため、インピーダンスの増大を抑制できる。

また、支持部４０を積層された複数のバンプで形成することが好ましい。これにより、積層されたバンプ４１と４２との間に括れ部４８を有する支持部４０を簡単に形成することができる。さらに、比較例１のように１段のバンプで支持部４０を形成した場合に比べ、音叉型振動子１０と実装部４０との間隔を広くすることができる。これにより、樹脂部３６を粘度の高い樹脂やフィラー径の大きな樹脂を用いても気泡等のボイドを抑制し、樹脂を均一に塗布することができる。

また、複数のバンプ４１、４２は径の異なるバンプを有することが好ましい。これにより、バンプを積層する際に大きいバンプ４１上に小さいバンプ４２を積層することができる。よって、積層したバンプを安定に形成することができる。

さらに、支持部４０は音叉型振動子１０と実装部２０とを電気的に接続することができる。これにより、ボンディングワイヤ３４の本数を削減することができる。しかしながら、支持部４０は電気的な接続を目的とせず機械的な接続だけを目的としてもよい。

さらに、音叉型振動子１０と実装部２０との間に樹脂部３６を設けることが好ましい。これにより、音叉型振動子１０の実装部２０への実装を補強することができる。この場合、支持部４０の高さは、樹脂部３６内のフィラー３８の径より大きいことが好ましい。支持部４０がフィラー３８の径より低いと、フィラー３８が音叉型振動子１０と実装部２０とを固定してしまい、音叉型振動子１０の振動を妨げてしまう。また、例えば金属フィラーを用いる場合、音叉型振動子１０と実装部２０との間を接続し、電気的に短絡してしまう。支持部４０の高さがフィラー３８の径の平均値より大きいことにより、これらを抑制することができる。さらに、支持部４０の高さは最大のフィラー３８の径より大きいことが好ましい。

さらに、樹脂部３６の音叉型振動子１０のノードＢに垂直な断面形状が、ノードＢを含み音叉型振動子１０の面内振動面に垂直な面に対し略対称であることが好ましい。これにより、音叉型振動子１０から実装部２０への振動の漏れの増大を抑制しつつ外部からの耐衝撃性を向上させることができる。

バンプ４１、４２はＡｕ以外に、半田、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。また、スタッドバンプ以外に例えばメッキ法により形成することもできる。

実施例２は、音叉型振動子１０に支持部４０を設ける位置を変えた例である。図１２（ａ）のように、支持部４０は１個でもよい。しかしながら、図１２（ａ）のように、ノード線Ｒ１に形成された１個の支持部４０で音叉型振動子１０を保持する場合、支持部４０を支点にノードＢが上下方向に振動し易くなる。これにより、インピーダンスが高くなる。一方、図７のように、複数の支持部３２で音叉型振動子１０を保持する場合、ノードＢが上下方向に振動し難い。よって、インピーダンスを抑制することができる。

また、図７および図１２（ａ）のように、支持部４０はノード線Ｒ１上に設けられることが好ましい。これにより、面垂直振動モードのツイスト振動を妨げることなく、かつノードＢの上下運動を抑制することができる。支持部４０を複数設けた場合、支持部４０間の距離を短くすることもできるが、ノードＢの上下運動を抑制するためには、支持部４０の間隔は長い方が好ましい。

図１２（ｂ）および図１２（ｃ）は、耐衝撃性の向上のため、ノード線Ｒ１以外に支持部４０を設けた例である。音叉型振動子１０の振動の対称性を確保するためには、図１２（ｂ）および図１２（ｃ）のように、支持部４０はノード線Ｒ１に対し略対称に設けられていることが好ましい。また、ノードＢの上下運動を抑制するためには、複数の支持部４０は少なくともノード線Ｒ１方向の異なる位置に設けられることが好ましい。

実施例３は、支持部４０のバンプの形成方法、個数を変えた例である。図１３（ａ）を参照に、バンプ４１を音叉型振動子１０にバンプ４３を実装部２０に形成する。図１３（ｂ）を参照に、バンプ４１と４３とを結合し支持部４０ｂを形成することもできる。

図１４（ａ）を参照に、バンプ４１上に、バンプ４１と同じ大きさのバンプ４２ａを形成する。図１４（ｂ）を参照に、バンプ４１と４２ａとを結合し支持部４０ｃを形成することもできる。

図１５（ａ）を参照に、バンプ４１および４２ａを積層し音叉型振動子１０に形成する。また、バンプ４３および４４ａを積層し実装部２０に形成する。図１５（ｂ）を参照に、バンプ４２ａと４４ａとを結合し支持部４０ｄを形成することもできる。

図１６（ａ）を参照に、バンプ４１および４２ａを積層し音叉型振動子１０に形成する。また、バンプ４３を実装部２０に形成する。図１６（ｂ）を参照に、バンプ４２ａと４３とを結合し支持部４０ｅを形成することもできる。

図１７（ａ）を参照に、バンプ４１とバンプ４１より小さいバンプ４２とを積層し音叉型振動子１０に形成する。また、バンプ４３とバンプ４３より小さいバンプ４４とを積層し実装部２０に形成する。図１７（ｂ）を参照に、バンプ４２と４４とを結合し支持部４０ｆを形成することもできる。

図８（ｂ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）、１５（ａ）、図１６（ａ）および図１７（ａ）のように、音叉型振動子１０のベース部および実装部２０の少なくとも一方にバンプを形成する。その後、図９（ｂ）、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）のように、バンプが複数積層するように音叉型振動子１０を実装部２０に実装する。このような工程により、簡単に括れ部４８を有する支持部４０を形成することができる。

また。複数のバンプが積層するように複数のバンプを形成する際に、図９（ａ）および図１７（ａ）のように、後に形成されたバンプの径が前に形成されたバンプの径より小さくなるように複数のバンプを積層することが好ましい。これにより、バンプを容易に積層することができる。

積層するバンプの個数は図１５（ｂ）、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）のように３個以上でも良い。つまり、支持部４０に設けられる括れ部４８の個数は複数であっても良い。

実施例１から実施例３において、音叉型振動子１０として２本のアーム部１１、１２を有する例を説明したがアーム部は複数設けられていれば良い。ノードとして、面内振動モードと面垂直振動モードの共通のノードＢを例に説明したが、各振動モードのノードの少なくとも一方のノードであればよく、共通のノードであることがより好ましい。実装部２０はパッケージ３０の音叉型振動子１０を実装する部分を例に説明した。実装部２０は音叉型振動子１０を実装する機能を有していれば良く、実装基板の音叉型振動子１０を実装する部分、またはパッケージや実装基板とは別の部材であってもよい。支持部４０は主に音叉型振動子１０を保持する機能を有し、樹脂部３６は耐衝撃性を確保する機能を有している。よって、樹脂部３６は支持部４０よりは柔らかい材料であることが好ましい。振動センサとして２つの音叉型振動子１０を有する角速度センサを例に説明したが、音叉型振動子１０の数は２つに限られない。また、角速度センサには限られず加速度センサ等であってもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１は実施例１係る角速度センサの斜視図である。 図２は音叉型振動子の斜視図である。 図３（ａ）および図３（ｂ）は音叉型振動子の表面の電極パターンを示す図である 図４（ａ）および図４（ｂ）は音叉型振動子の振動モードを示す図である。 図５は音叉型振動子のノード線を示す図である。 図６（ａ）は実装部の上視図、図６（ｂ）は音叉型振動子を実装した実装部の上視図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。 図７は音叉型振動子の裏面を示す図である。 図８（ａ）から図８（ｄ）は音叉型振動子の実装方法を示す模式図（その１）である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示す模式図（その２）である。 図１０は比較例１を示す模式図である。 図１１は実施例１および比較例１の音叉型振動子の温度に対するインピーダンスを示した図である。 図１２（ａ）から図１２（ｃ）は音叉型振動子の裏面の例を示す図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示した模式図（その１）である。 図１４（ａ）および図１４（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示した模式図（その２）である。 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示した模式図（その３）である。 図１６（ａ）および図１６（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示した模式図（その４）である。 図１７（ａ）および図１７（ｂ）は音叉型振動子の実装方法を示した模式図（その５）である。

符号の説明

１０、１０ａ、１０ｂ 音叉型振動子
１１、１２ アーム部
１３ ベース部
２０ 実装部
２２ パッド
２５ パッド
２６ 本体部
２７ 振動子支持部
２８ ワイヤパッド部
３０ パッケージ
３４ ボンディングワイヤ
４０ 樹脂部
４１、４２、４３、４４ バンプ
４８ 括れ部
５２ 制御回路

Claims (11)

1. ベース部と該ベース部から延びる複数のアーム部とを有する音叉型振動子と、
   前記音叉型振動子を実装する実装部と、
   括れ部を有し、前記音叉型振動子を前記実装部に実装させる支持部と、を具備することを特徴とする振動センサ。
2. 前記支持部は積層された複数のバンプであることを特徴とする請求項１記載の振動センサ。
3. 前記複数のバンプは積層された径の異なるバンプであることを特徴とする請求項２記載の振動センサ。
4. 複数の前記支持部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の振動センサ。
5. 前記支持部は前記音叉型振動子と前記実装部とを電気的に接続することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の振動センサ。
6. 前記支持部は前記音叉型振動子のノードを支持部が設けられる面に投影したノード線上に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の振動センサ。
7. 前記複数の支持部は前記音叉型振動子のノードを支持部が設けられる面に投影したノード線に対し略対称に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の振動センサ。
8. 前記音叉型振動子と前記実装部との間に設けられた樹脂部を具備することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の振動センサ。
9. 前記支持部の高さは、前記樹脂部が含有するフィラーの径より大きいことを特徴とする請求項８記載の振動センサ。
10. ベース部と該ベース部から延びる複数のアーム部とを有する音叉型振動子の前記ベース部および実装部の少なくとも一方にバンプを形成する工程と、
    前記バンプが複数積層するように前記音叉型振動子を前記実装部に実装する工程と、を有することを特徴とする振動センサの製造方法。
11. 前記バンプを形成する工程は、後に形成されたバンプの径が前に形成されたバンプの径より小さくなるように複数のバンプを積層する工程であることを特徴とする請求項１０記載の振動センサの製造方法。

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