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JP2007529861A - 非コヒーレントな半導体光源を有する高輝度照明装置 - Google Patents

非コヒーレントな半導体光源を有する高輝度照明装置 Download PDF

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JP2007529861A JP2007503482A JP2007503482A JP2007529861A JP 2007529861 A JP2007529861 A JP 2007529861A JP 2007503482 A JP2007503482 A JP 2007503482A JP 2007503482 A JP2007503482 A JP 2007503482A JP 2007529861 A JP2007529861 A JP 2007529861A
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Abstract

照明光源は、総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面(212)全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された、少なくとも一つの受光表面(222)、および第1の表面積Sを有する光抽出領域(224)を有する光循環装置(220)と;S<Sの前記光抽出領域において、前記光抽出装置からの前記光を抽出する光抽出装置(230)と;を有する。このように、より小さな領域全体での光の分布によって、光の見かけの輝度が向上する。発光ダイオード(LED)を有する実施例について示した。

Description

本発明は、表示装置用の光源の分野に属し、特に、非コヒーレントな半導体光源をベースとする照明装置に関する。
発光ダイオード(LED)のような半導体装置をベースとする照明装置は、多くの好ましい特性を有する。このため、液晶オンシリコン(LCOS)画像装置等の小型表示装置をベースとする投射型ディスプレイに使用することができるように、そのような照明装置を適合させることが望まれている。例えば、超高圧(UHP)アークランプ等のような既存の投写型ディスプレイ光源に比べて、LED系の照明装置は、優れた寿命特性を有し、好ましくない紫外線もしくは赤外線を全くまたは僅かしか含まない、より自然な色を形成することができ、適度な電圧レベルのDC出力で作動する。また、LED系照明装置は、強度変調が可能で、これにより、この装置を連続フレームカラー照明方式に適合させることができる。さらに、分割式カラーLED光源の使用により、小型のカラー管理構造体を形成することが可能となる。
しかしながら、投写型表示システムの照明システムには、高輝度レベルに対する強い要望がある。残念ながら、既存のLED系照明装置の輝度レベルは、従来のUHPアークランプの輝度レベルに比べて実質的に低い。従って例えば、投射型表示システムに既存のLED系照明装置が使用された場合、許容可能な輝度を有する画像を提供することができる被照射スクリーンのサイズは、限定されてしまう。LED光源、LED光源の熱シンク等の製作に使用される基本材料の改良の開発等が、鋭意継続して進められてはいるものの、これらの開発では、限られた結果しか得られていない。
従って、高い輝度レベルを有し、非コヒーレントな半導体光源を使用した照明装置を提供することが望まれている。また、投写型表示システムでの使用に適した、改良された照明装置を提供することが望まれている。本発明は、1または2以上の前述の問題に対応することを目的とする。
本発明のある態様では、照明装置は、総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;該非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光する入射開口、および前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を出力する光抽出開口を有する反射キャビティと;を有し、前記反射キャビティの前記光抽出開口の表面積Sは、前記表面積Sよりも小さいことを特徴とする。
本発明の別の態様では、照明装置は、総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;該非コヒーレントな半導体光源上に直接設置され、前記非コヒーレントな半導体光源を被覆する反射層であって、内部に前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を出力するための開口を有する反射層と;を有し、前記反射層の前記開口の表面積Sは、Sよりも小さいことを特徴とする。
本発明のさらに別の態様では、照明装置は、総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された、少なくとも一つの受光表面、および第2の表面積Sを有する光抽出領域を有する光循環装置と;前記光抽出領域において、前記光抽出装置からの前記光を抽出する手段と;を有し、SはSよりも小さいことを特徴とする。
本願において、「非コヒーレントな半導体光源」という用語は、光を放射する1または2以上の非コヒーレントな半導体装置(例えば、発光ダイオード;有機発光ダイオード等)の配置を意味し、例えば、大面積LEDチップ、LED配列または1もしくは2以上の延伸直線LEDを意味する。
図1には、照明装置の第1の実施例100を示す。
図1の照明装置100は、非コヒーレントな半導体光源110と、入射開口122および光抽出開口124を有する反射キャビティ120とを有する。
非コヒーレントな半導体光源110は、単一の延伸されたもしくは大表面積の発光ダイオード(LED)チップ、またはより小型のLEDの配列を有する。非コヒーレントな半導体光源110は、総光放射表面積Sを有する光放射表面112全体に光を放射する。半導体装置では、非コヒーレントな半導体光源110は、電子的に容易に制御され(例えば、オンオフの切り替え、強度変調等)、照明装置100の光出力を所望の通り制御することができる。
一方、反射キャビティ120は、光循環装置である。反射キャビティ120の上表面125および側壁127の内部は、非コヒーレントな半導体光源110によって放射される光の波長では、高反射性である。例えば、反射キャビティ120の内表面は、高反射性ミラーコーティング129によってコーティング施工されても良い。このコーティングは、金属コーティングであっても、多層誘電体コーティングであっても良く、高反射性は、全内部反射によって得られても良い。あるいは、反射キャビティ120の構造の構成に使用される材料それ自体が、高反射性材料であっても良い。また、反射キャビティ120は、入射開口122が非コヒーレントな半導体光源110の光放射表面112を覆うようにして設置される。
特に、反射キャビティ120の光抽出開口124の表面積Sは、非コヒーレントな半導体光源110の光放射表面112の表面積Sよりも実質的に小さい。
照明装置100は、以下のように作動する。非コヒーレントな半導体光源110によって、光放射表面112で放射された光は、入射開口122を通って反射キャビティ120に入射する。最初に光の一部は、反射キャビティ120の光抽出開口124に到達することにより、反射キャビティ120から放出される。非コヒーレントな半導体光源110によって放射された残りの光は、反射性内表面によって、キャビティ内に閉じ込められる。光は、光抽出開口124に到達して反射キャビティ120から放射されるまで、反射キャビティ120内で衝突を繰り返す。このように、反射キャビティ120の光抽出開口124を通過した光は、非コヒーレントな半導体光源110の通常の放射領域から、光抽出開口124に直接到達した光による寄与と、非コヒーレントな半導体光源110の光放射表面112の残りの部分からの寄与とを含む。従って、小さな領域全体に光が分布されることにより、光の見かけの輝度が増大する。
あるいは、いかなるキャビティ構造も使用せずに、非コヒーレントな半導体光源110の光放射表面112に、高反射性ミラーコーティング129を直接設置することも可能である。高反射性ミラーコーティング129には、光抽出開口124用の開口が設けられ、この開口は、非コヒーレントな半導体光源110の光放射表面112の小さな領域の上部に設置される。高反射性ミラーコーティング129によって被覆されていない光放射表面112の小さな領域には、流体またはゲル等の屈折率整合材料が設置されることが好ましい。また通常、LED材料は、高屈折性であり、特に、空気クラッドとともに使用される場合、高角度での全内部反射を支援する。従って、別の代替配置では、非コヒーレントな半導体光源110は、大表面積LEDチップを有し、このチップの光放射表面112は、流体またはゲル等の屈折率整合材料が提供される光放射表面112の小さな領域を除き、空気とのクラッドである。
照明装置100によって形成される光ビームの所望の形状に整合するように、光抽出開口124の形状が任意に選定できることは、有意である。例えば、照明装置100が、ワイドスクリーン投写型表示システム用の矩形状小型表示装置(例えば、LCOS画像装置)の照射に使用される場合、光抽出開口124のアスペクト比は、16:9に設定される。
図2には、照明装置の第2の実施例を示す。
図2の照明装置200は、非コヒーレントな半導体光源210と、光ガイド220と、光抽出装置230とを有する。
非コヒーレントな半導体光源210には、光放射表面212が配置され、この光放射表面212は、光ガイド220の受光表面222に隣接して設置され、光ガイド220は、非コヒーレントな半導体光源210からの光を受光するように適合されている。光抽出装置230は、抽出表面積Sを有する光ガイド220の光抽出領域224を介して、光ガイド220に光学的に結合されるように配置されている。
非コヒーレントな半導体光源210は、各々が1または2以上の配列に構成された多くのLEDを有しても良く、あるいはより少ない数の大表面積LED、または延伸された直線LEDを有しても良い。LED系照明装置200において、非コヒーレントな半導体光源210は、2もしくは3以上の大表面積LEDまたはLED配列に物理的に分割されていることが好ましく、各LEDは、光ガイド220の対応する受光表面222に隣接して設置された異なる光放射表面212を有する。非コヒーレントな半導体光源210の光放射表面212の総光放射表面積はSである。
非コヒーレントな半導体光源210は、光ガイド220に平行光を提供することが好ましい。
光ガイド220は、光循環装置である。光ガイド220は、屈折率がN>1の、ローパスの固体透明材料で構成されることが好ましい。必要であれば、光ガイド220は、中空であっても良い。全内部反射(TIR)に寄与しない光ガイド220の外表面に、高反射性材料229が設置されても良い。高反射性材料229は、スペクトラロン(Spectralon)、テフロン(登録商標)、または別の好適な材料であっても良い。
光抽出装置230は、光平行化構造体であることが好ましく、例えば化合物放物線コリメータ(CPC)、または光ガイド220からの光を抽出するプリズム型光学部品である。光抽出装置230は、光ガイド220の固体透明材料に屈折率が整合された材料で製作されることが好ましい。
特に、光ガイド220の光抽出領域224の表面積Sは、非コヒーレントな半導体光源210の光放射表面212の総表面積Sよりも実質的に小さい。
照明装置200は、以下のように作動する。非コヒーレントな半導体光源210によって、光放射表面212で放射された光は、1または2以上の対応する受光表面222から光ガイド220に入射する。最初に光の一部は、光ガイド220で結合され、光抽出領域224を通過し、光抽出装置230で平行光ビームとなる。非コヒーレントな半導体光源210によって放射された残りの光は、TIRによって、およびTIRに寄与しない光ガイド220の表面に設置された反射性材料229によって、光ガイド220内に閉じ込められる。光は、最終的に光ガイド220で結合され、光抽出領域224を通り、光抽出装置230で平行光ビームになるまで、光ガイド220内で衝突を繰り返す。このように、光抽出装置230を通過して放射される光は、非コヒーレントな半導体光源210の光放射表面212の全領域からの寄与を含む。従って、光が平行化し、より小さな領域の全体にわたって分布することにより、光の見かけの輝度が向上する。
図1の実施例と同様に、光抽出装置224は、照明装置200によって生成される光ビームの所望の形状に整合するように、任意に選定することができる。例えば、照明装置200が、ワイドスクリーン投写型表示システム用の矩形状小型表示装置(例えば、LCOS画像装置)の照射に使用される場合、光抽出開口224のアスペクト比は、16:9に設定することができる。
照明装置が、ワイドスクリーン投写型表示システム用の矩形状小型表示装置(例えば、LCOS画像装置)の照射に使用されるようなある用途では、偏向された(すなわち直線偏向された)光ビームを形成することが好ましく、あるいは必要となる場合がある。図3には、偏向光ビームを形成し、出力することが可能な照明装置の第3の実施例300を示す。
照明装置300は、照明装置200と同様であるが、以下の点が異なっている。まず、光ガイド220の全内部反射(TIR)に寄与しない外表面には、高反射性材料229の代わりに、拡散反射体329が設置される。第2に、光ガイド220と光抽出装置230の間には、反射偏光器340が設置される。反射偏光器340は、ワイヤグリッド偏光器、コレステリック偏光器、または高異方性材料の層を有しても良く、この材料は、ある偏向(例えば、TIRを介した偏向)を有する光を反射し、これと直交する偏向を有する光を透過する。
前述のように、光ガイド220は、光循環装置であり、光ガイド220の光抽出領域224の表面積Sは、非コヒーレントな半導体光源210の光放射表面212の総表面積Sよりも実質的に小さい。
また照明装置300は、照明装置200と同様に作動するが、以下の点が異なっている。
非コヒーレントな半導体光源210からの光は、最初は、偏向されていないと予想される。光ガイド220の光抽出領域224に到達した光は、反射偏光器340に向かって進行する。所望の偏光を有する光の部分は、反射偏光器340を通過し、光抽出装置230内で平行偏光ビームとして結合される。所望の偏光を有さない残りの光は、反射偏光器340によって逆向きに反射され、光ガイド220の方に向かう。一方、拡散反射体339は、光ガイド220の方に向かって逆向きに反射された光の偏向を変化させるように作動し、その結果、光は、適正な偏向を有する成分を有するようになり、反射偏光器340を通過することが可能となる。従って、照射装置300では、非コヒーレントな半導体光源からの光は、その光が適正な偏向を有した状態で光抽出領域224に到達して反射偏光器340を通過し、光抽出装置230に入射するまで、ローパス光ガイド220内で循環する。
このように、光が平行化され、小さな領域全体にわたって分布することにより、光の見かけの輝度が向上する。またこの光は、所望の通り適正に偏向され、元来の不適正な偏向の光の部分が除去されることはない。
別の配置では、拡散反射体339は、鏡面反射体339に置換され、この鏡面反射体は、光ガイド220の全内部反射(TIR)に寄与しない外表面に設置され、各鏡面反射体339と反射偏光器の間の光路には、1/4波長膜345が設置される。ここで、1/4波長膜の軸は、反射偏光器340の透過方向に対して約45゜の傾斜を有する。1/4波長膜345は、光ガイド220と反射偏光器340の間、または各鏡面反射体339とこれに対応する光ガイド220の側壁の間に設けられても良い。
図4には、偏向光ビームを形成し、出力することが可能な照明装置の、第4の実施例400の上面図を示す。
照明装置400は、照明装置200と同様に、光ガイド220の4つの側壁の各々に沿って設置された、大面積LEDチップまたはLED配列を有する。高反射性材料239は、LEDが配置されていない側壁のいかなる領域をも被覆する。照明装置200とは異なり、照明装置400では、光ガイド220が、光抽出装置450を有する一つの表面上に設置されており、光抽出装置450は、光抽出および平行化光学素子を有する。
照明装置400の動作は、照明装置200の場合と同様である。
図4には、十分に大きな光ガイドを使用した場合、および十分に大きな光放射表面積を有する一つのLEDまたはLED配列を光ガイドに結合した場合、照明装置等の実現可能な最高輝度が、極めて高くなり得ることが示されている。最終的な光出力輝度は、非コヒーレントな半導体光源の光放射表面の総表面積Sの、光抽出装置が結合された光ガイドの抽出領域の表面積Sに対する比に比例する。従って、非コヒーレントな半導体光源から結合された光の割合(すなわち、結合効率)もまた、統合出力輝度を定めるため、この割合を最大化する必要がある。
図5には、照明装置の第5の実施例500を示す。
照明装置500は、照明装置200と同様であるが、以下の点が異なっている。
照明装置500では、非コヒーレントな半導体光源210が結合された光ガイド220の受光表面222(側壁)に平行な面での断面において、寸法が変化している。すなわち、ある領域では他の領域に比べて、光ガイド220の断面が「より厚く」なっている。特に、光ガイド220の光抽出領域224近傍の部分の断面は、光ガイド220の他の領域に比べて小さくなっている。光抽出領域224近傍の断面が抑制されていることにより、単一光路での光抽出の機会が高まり、逆反射された光線による反射損失が最小限に抑制される。従って、光ガイド220の光結合効率が向上する。
照明装置が、投写型表示システム用の矩形状小型表示装置(例えば、LCOS画像装置)の照射に使用されるようなある用途では、異なる色の光ビームを形成することが好ましくあるいは必要な場合がある。図6には、異なる色の光を出力することが可能な照明装置の第6の実施例600を示す。
照明装置600は、2つの異なるスペクトル色(例えば、赤色および青色)を有する光を放射する、2つの異なる非コヒーレントな半導体光源210を有する。ただし、3以上の色を有する、3以上の非コヒーレントな半導体光源210を使用したり、赤色および青色以外の色を有する非コヒーレントな半導体光源210を使用したりすることも可能であることは、当然である。
図2を参照して説明した前述の部品に加えて、照明装置600は、2つのダイクロイックフィルタ660を有し、各フィルタは、対応する非コヒーレントな半導体光源210の光放射表面212と、光ガイド220の対応する受光表面222との間に設置される。各ダイクロイックフィルタ660は、隣接する非コヒーレントな半導体光源210からの発光色に一致する、第1の色を有する光を透過し、光ガイド220に結合された他の非コヒーレントな半導体光源210によって形成された、他の光波長を有する光を反射する。各非コヒーレントな半導体光源210は、(例えば、オンオフの切り替え、強度変調等により)個々に電子的に制御され、光抽出装置230での平行光ビームのフルカラー制御が可能になる。
以上のように実施例を示したが、本発明の概念および範囲に属したままで、多くの変更が可能である。例えば、明細書、図面および特許請求の範囲の記載を精査した後には、そのような変更は、当業者にとって明らかである。従って本発明は、添付の特許請求の範囲の概念および範囲以外のものには、限定されない。
本発明の1または2以上の態様による照明装置の第1の実施例を示す図である。 本発明の1または2以上の態様による照明装置の第2の実施例を示す図である。 本発明の1または2以上の態様による照明装置の第3の実施例を示す図である。 本発明の1または2以上の態様による照明装置の第4の実施例を示す図である。 本発明の1または2以上の態様による照明装置の第5の実施例を示す図である。 本発明の1または2以上の態様による照明装置の第6の実施例を示す図である。

Claims (20)

  1. 総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;
    該非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された入射開口、および前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を出力するように適合された光抽出開口を有する反射キャビティと;
    を有する照明装置であって、
    前記反射キャビティの前記光抽出開口の表面積Sは、前記表面積Sよりも小さいことを特徴とする照明装置。
  2. 前記非コヒーレントな半導体光源は、単一の延伸されたLEDで構成されることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
  3. 前記非コヒーレントな半導体光源は、LEDの配列を有することを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
  4. 前記光抽出開口は、矩形状であり、アスペクト比が16:9であることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
  5. 総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;
    該非コヒーレントな半導体光源上に直接設置され、前記非コヒーレントな半導体光源を被覆する反射層であって、内部に前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を出力するための開口を有する反射層と;
    を有する照明装置であって、
    前記反射層の前記開口の表面積Sは、前記表面積Sよりも小さいことを特徴とする照明装置。
  6. さらに、前記反射層で被覆されていない第1の表面の領域に設置された、屈折率整合材料を有することを特徴とする請求項5に記載の照明装置。
  7. 前記開口は、矩形状であり、アスペクト比が16:9であることを特徴とする請求項5に記載の照明装置。
  8. 総光放射表面積Sを有する少なくとも一つの光放射表面全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と;
    前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された、少なくとも一つの受光表面、および表面積Sを有する光抽出領域を有する光循環装置と;
    前記光抽出領域において、前記光抽出装置からの前記光を抽出する光抽出手段と;
    を有する照明装置であって、
    はSよりも小さいことを特徴とする照明装置。
  9. 前記光循環装置は、固体光ガイドを有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  10. さらに前記光循環装置は、前記光ガイドの全内部反射に寄与しない表面に設置された反射性材料を有することを特徴とする請求項9に記載の照明装置。
  11. 前記光循環装置は、中空のキャビティを有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  12. 前記光抽出手段は、光平行化構造を有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  13. 前記光抽出手段は、化合物放物線コリメータを有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  14. 前記光抽出手段は、プリズム型の(prismatic)光学部品を有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  15. さらに、前記光抽出領域と前記光抽出手段の間の光路に設置された反射偏光器を有し、
    前記光循環装置は、該光循環装置の側壁に設置された少なくとも一つの拡散反射体を有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  16. 前記光循環装置は、該光循環装置の側壁に設置された少なくとも一つの鏡面反射体を有し、当該照明装置は、さらに、
    前記光抽出領域と前記光抽出手段の間の光路に設置された反射偏光器と、
    前記鏡面反射体と前記反射偏光器の間の光路に設置された1/4波長膜と、
    を有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  17. 前記光循環装置は、少なくとも2つの受光表面を有し、前記非コヒーレントな半導体光源は、少なくとも2つの発光部品を有し、各発光部品は、対応する前記受光表面に隣接して、該対応する前記受光表面と対峙するように設置されることを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  18. 前記光循環装置は、前記光抽出領域の近傍での厚さが前記受光表面に比べて小さくなっている断面を有することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  19. さらに、少なくとも第2の光放射表面全体に光を放射するように適合された、第2の非コヒーレントな半導体光源を有し、
    前記光循環装置は、前記第2の非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された、少なくとも第2の受光表面を有し、
    前記2つの非コヒーレントな半導体光源の各々は、異なるスペクトル色を有する光を放射することを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
  20. 前記非コヒーレントな半導体光源は、単一の延伸されたLEDで構成されることを特徴とする請求項8に記載の照明装置。
JP2007503482A 2004-03-16 2005-03-14 非コヒーレントな半導体光源を有する高輝度照明装置 Pending JP2007529861A (ja)

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