JP2007311439A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面へ吐出ノズルから洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板の周縁部での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板に再付着することを防止できる方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗをスピンチャック１０によって水平姿勢に保持し回転モータ１４によって鉛直軸回りに回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、純水吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させ、基板の表面へ純水等の洗浄液を供給しつつ基板を乾燥処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、例えばシリコン基板上にフォトレジストを塗布し、露光機を使用して基板上のレジスト膜に回路パターンを焼き付け、露光後のレジスト膜を現像液で現像する、といった各工程を行うことにより、基板上のレジスト膜に回路パターンを形成している。このうち現像処理においては、例えばスリットノズルにより、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給し、その後に、基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させながらストレートノズルの吐出口から基板の中心へ純水等の洗浄液（リンス液）を吐出する。基板の中心に供給された洗浄液は、遠心力により基板の周縁方向へ拡散して基板全体に行き渡り、基板表面のレジスト膜上から現像液を洗い流す。この洗浄処理（リンス処理）が終了すると、ノズルから基板上への洗浄液の供給を停止し、その後に、基板の回転数をさらに増大させて、基板表面のレジスト膜上の洗浄液を遠心力によって振り切ることにより、基板を乾燥（スピン乾燥）させている。

ところが、上記したように基板をスピン乾燥させると、基板上において洗浄液の液滴が斑に残留する、といったことが起こる。これは、現像処理後の基板においてはレジスト膜の表面に親水性部分と疎水性部分とが混在していることにより、基板上において洗浄液の保持力にばらつきを生じてしまうためである。このように基板の表面に形成されたレジストパターン上に斑に残留した洗浄液の液滴は、現像欠陥を生じる要因となることが分かっている。

上記した問題点を解決するために、基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、その吐出ノズルの吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査する、といった方法（スキャンリンス法）が提案されている。この方法によると、基板の中心から周縁に至るまで洗浄液の液膜が形成され保持された状態のままで乾燥が進行するため、親水性部分と疎水性部分とが混在するレジスト膜表面であっても、基板上に洗浄液の液滴が残留しにくくなる。また、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査する際に、エアー噴出ノズルからガスを噴出させながら、エアー噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させる、といった方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許第３６９４６４１号公報（第７−９頁、図３、図４および図６−図８）

上記したスキャンリンスでは、従来のスピン乾燥に比べて現像欠陥を大幅に低減させることができるものの、現像欠陥の発生を無くすことはできない。すなわち、スキャンリンスでは、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査するが、基板の周縁部では、乱流の影響を受けたり周縁部ほど周速度が大きくなることなどから、吐出ノズルから基板上へ吐出された洗浄液の跳ねを生じやすい。このため、液跳ねによる液滴が、基板の中心部から周辺部に向かって移動している吐出ノズルより中心部側の表面に飛散して付着し、この液滴によって現像欠陥が発生する、といった問題点がある。

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面へ吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周縁部まで走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板の周縁部での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板に再付着することを防止して、現像欠陥等の発生を無くすことができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させることを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に基板の回転速度を少なくとも１回変更することを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って基板の回転速度を漸次低下させることを特徴とする。

請求項４に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させるように前記基板回転手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。

請求項５に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量を低減させることを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出流量を少なくとも１回変更することを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項５に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出流量を漸次低減させることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量を低減させるように前記洗浄液供給手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。

請求項９に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧を低下させることを特徴とする。

請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出圧を少なくとも１回変更することを特徴とする。

請求項１１に係る発明は、請求項９に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出圧を漸次低下させることを特徴とする。

請求項１２に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧を低下させるように前記洗浄液供給手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。

請求項１に係る発明の基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が走査されて基板の周縁付近まで移動したときには、吐出ノズルの吐出口が基板の中心付近に位置するときに比べて基板の回転速度が低下しているので、基板周縁部の乾燥に及ぼす乱流の影響は低下し、また、基板の周縁部の周速度も基板の中心部に比べて大きくはならない。このため、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられ、液跳ねによる液滴が吐出ノズルより中心部側の基板表面に飛散して付着することが防止されるので、現像欠陥等の発生を無くすことができる。

請求項２に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に基板の回転速度が低速に切り替えられることにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項３に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って基板の回転速度が漸次低下することにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項４に係る発明の基板処理装置においては、制御手段により基板回転手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度が低下させられる。したがって、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

請求項５に係る発明の基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が走査されて基板の周縁付近まで移動したときには、吐出ノズルの吐出口が基板の中心付近に位置するときに比べて、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量が低減している。このため、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられ、液跳ねによる液滴が吐出ノズルより中心部側の基板表面に飛散して付着することが防止されるので、現像欠陥等の発生を無くすことができる。

請求項６に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出流量が小流量に切り替えられることにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項７に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出流量が漸次低減することにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項８に係る発明の基板処理装置においては、制御手段により洗浄液供給手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量が低減させられる。したがって、請求項８に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項５に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

請求項９に係る発明に基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が走査されて基板の周縁付近まで移動したときには、吐出ノズルの吐出口が基板の中心付近に位置するときに比べて、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧が低下している。このため、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられ、液跳ねによる液滴が吐出ノズルより中心部側の基板表面に飛散して付着することが防止されるので、現像欠陥等の発生を無くすことができる。

請求項１０に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出圧が低圧に切り替えられることにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項１１に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出圧が漸次低下することにより、基板の周縁部における洗浄液の液跳ねが抑えられる。

請求項１２に係る発明に基板処理装置においては、制御手段により洗浄液供給手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧が低下させられる。したがって、請求項１２に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項９に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。

以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示し、図１は、基板処理装置の概略断面図であり、図２は、その概略平面図である。

この基板処理装置は、表面に露光後のレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に洗浄処理（リンス処理）するものであり、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１０、上端部にスピンチャック１０が固着され鉛直方向に支持された回転支軸１２、および、回転支軸１２に回転軸が連結されスピンチャック１０および回転支軸１２を鉛直軸回りに回転させる回転モータ１４を備えている。スピンチャック１０の周囲には、スピンチャック１０上の基板Ｗを取り囲むようにカップ１６が配設されている。カップ１６は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されており、カップ１６の底部には排液管１８が連通接続されている。また、図１および図２には図示を省略しているが、基板Ｗ上に現像液を供給する機構、例えば、下端面にスリット状吐出口が形設された現像液吐出ノズルを有し、そのスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、現像液吐出ノズルを、そのスリット状吐出口と直交する水平方向へ直線的に移動させて、基板Ｗ上に現像液を供給し液盛りする現像液供給機構、あるいは、ストレートノズルからなる現像液吐出ノズルを有し、その現像液吐出ノズルを、先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置と待機位置との間で往復移動するように支持し、現像液吐出ノズルの先端吐出口から現像液を基板Ｗの中心部上へ吐出する現像液供給機構が設けられている。

また、カップ１６の側方側近傍には、先端の吐出口から洗浄液（リンス液）、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル２０が配設されている。純水吐出ノズル２０は、純水供給管２２を通して純水供給源に流路接続されており、純水供給管２２にポンプ２４、フィルタ２６および開閉制御弁２８が介挿されている。純水吐出ノズル２０は、水平面内で回動可能にノズル保持部３０に保持されており、図示しない回転駆動機構によって水平面内で回動させられる。そして、純水吐出ノズル２０は、先端の吐出口から基板Ｗの表面へ純水を吐出させつつ、図２中に矢印ａで示すように吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査され、また、二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と実線で示すように吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。

さらに、この基板処理装置は、回転モータ１４のドライバ３２を制御して回転モータ１４の回転数、したがって基板Ｗの回転速度を調節する制御装置３４を備えている。この制御装置３４により、矢印ａで示すように純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査される過程で基板Ｗの回転速度が低下するように回転モータ１４の回転数が制御される。具体的には、図３に実線Ａで示すように、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心から所定距離だけ移動した時点（図示例では基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点）で基板Ｗの回転速度を低下（図示例では１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの範囲の回転数から１０００ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの範囲の回転数に減速）させるように制御される。基板Ｗの回転速度の切り替えのタイミングは、動作プログラムに基づいてマイコンで制御するようにすればよい。あるいは、エンコーダによって純水吐出ノズル２０の位置を検出し、その検出信号により基板Ｗの回転速度を切り替えるようにしてもよいし、タイマーを使用して、純水吐出ノズル２０の走査開始時点から所定時間が経過した時点で基板Ｗの回転速度を切り替えるようにしてもよいし、また、基板Ｗの回転回数が所定回数に達した時点で基板Ｗの回転速度を切り替えるようにしてもよい。なお、基板Ｗの回転速度を変更する回数は、図３に示したように１回に限らず、基板Ｗの回転速度を段階的に低下させるようにしてもよい。あるいは、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動するのに従って基板Ｗの回転速度を漸次低下、例えば直線的に減速させるように制御してもよい。

図１および図２に示した基板処理装置を使用し、基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理した後に、基板Ｗを比較的低速で回転させながら基板Ｗ上へ純水を供給して洗浄処理し、基板Ｗ表面のレジスト膜上から現像液を洗い流して除去し、この後に、基板Ｗを比較的高速で回転させてスピン乾燥（スキャンリンス）処理する。スキャンリンスする際は、基板Ｗを比較的高速、例えば１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を走査する。このとき、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動する過程において、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定位置、例えば基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点で基板Ｗの回転速度を切り替えて、例えば１０００ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの範囲内の回転速度に減速させる。純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に到達すると、純水吐出ノズル２０から基板Ｗ上への純水の供給を停止し、純水吐出ノズル２０を待機位置まで移動させる。そして、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、基板Ｗの回転を停止させる。

上記したような方法でスキャンリンスしたとき（図３に実線Ａで示す）の液跳ねの状態と、従来方法のように基板Ｗの回転速度を変化させないでスキャンリンスときの液跳ねの状態とを比較した結果を図４に示す。図３に破線Ｂで示すように基板Ｗの回転速度を２５００ｒｐｍに保ったままスキャンリンスしたときの基板Ｗの表面状態を図４の（ｂ）に示し、図３に破線Ｃで示すように基板Ｗの回転速度を１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍに保ったままスキャンリンスしたときの基板Ｗの表面状態を図４の（ｃ）に示しているが、基板の回転速度を低下させることにより液跳ねの状態が改善される。この発明に係る方法でスキャンリンスしたときは、図４の（ａ）に示すように、基板の回転速度を１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍに保ったままスキャンリンスしたときに比べて、基板Ｗの周縁部における純水の液跳ねがさらに抑えられ、液跳ねによる液滴が基板Ｗの中央部側表面に飛散して付着することが防止されることが分かった。

次に、図５は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の別の構成例を示す概略断面図である。
この基板処理装置には、純水供給管２２から途中で分岐したバイパス管３６が設けられており、バイパス管３６は再び純水供給管２２に合流するように流路構成されている。純水供給管２２とバイパス管３６との分岐位置には電磁三方弁３８が設けられており、バイパス管３６に、純水吐出ノズル２０へ供給される純水の流量を低減させるための流量調整弁４０が介挿されている。また、この装置は、電磁三方弁３８の切り替え動作を制御する制御装置４２を備えている。

図５に示した基板処理装置を使用してスキャンリンスする際は、基板Ｗを比較的高速の一定速度、例えば１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転速度で回転させ、純水供給管２２を通って純水吐出ノズル２０へ純水を供給し、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を走査する。このとき、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動する過程において、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定位置、例えば基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点で、制御装置４２からの制御信号により電磁三方弁３８を切り替えて、バイパス管３６を介し流量調整弁４０を経て純水吐出ノズル２０へ純水が供給されるようにする。これにより、基板Ｗの周縁付近では、基板Ｗの中心付近に比べて吐出ノズル２０の吐出口から基板Ｗの表面へ吐出される純水の吐出流量が低減する。この結果、基板Ｗの周縁部における純水の液跳ねが抑えられ、液跳ねによる液滴が基板Ｗの中央部側表面に飛散して付着することが防止されることとなる。

なお、図５に示した装置構成では、吐出ノズル２０からの純水の吐出流量を１回だけ低減させるが、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動する過程で吐出ノズル２０からの純水の吐出流量を段階的に低減させることができるような装置構成としてもよいし、あるいは、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動するのに従って吐出ノズル２０からの純水の吐出流量を漸次低減させるような装置構成としてもよい。

また、図６は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置のさらに別の構成例を示す概略断面図である。
この基板処理装置には、図５に示した装置と同様に、純水供給管２２から途中で分岐して再び純水供給管２２に合流するバイパス管４４が設けられており、純水供給管２２とバイパス管４４との分岐位置に電磁三方弁４６が設けられている。そして、バイパス管４４には、純水吐出ノズル２０への純水の供給圧を低下させるための減圧弁４８が介挿されている。また、この装置は、電磁三方弁４６の切り替え動作を制御する制御装置５０を備えている。

図６に示した基板処理装置を使用してスキャンリンスする際は、基板Ｗを比較的高速の一定速度、例えば１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転速度で回転させ、純水供給管２２を通って純水吐出ノズル２０へ純水を供給し、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を走査する。このとき、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動する過程において、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定位置、例えば基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点で、制御装置５０からの制御信号により電磁三方弁４６を切り替えて、バイパス管４４を介し減圧弁４８を経て純水吐出ノズル２０へ純水が供給されるようにする。これにより、基板Ｗの周縁付近では、基板Ｗの中心付近に比べて吐出ノズル２０の吐出口から基板Ｗの表面へ吐出される純水の吐出圧が低下する。この結果、図５に示した装置と同様に、基板Ｗの周縁部における純水の液跳ねが抑えられ、液跳ねによる液滴が基板Ｗの中央部側表面に飛散して付着することが防止されることとなる。

なお、図６に示した装置構成では、吐出ノズル２０からの純水の吐出圧を１回だけ低下させるが、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動する過程で吐出ノズル２０からの純水の吐出圧を段階的に低下させることができるような装置構成としてもよいし、あるいは、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで移動するのに従って吐出ノズル２０からの純水の吐出圧を漸次低下させるような装置構成としてもよい。

この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示す概略断面図である。 図１に示した基板処理装置の概略平面図である。 この発明に係る基板処理方法を実施する形態の１例を示し、基板の表面に対する吐出ノズルの各位置における基板の回転速度を示す図である。 この発明に係る基板処理方法でスキャンリンスしたときの液跳ねの状態と、従来の方法でスキャンリンスときの液跳ねの状態とを比較した結果を示す図である。 この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の別の構成例を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置のさらに別の構成例を示す概略断面図である。

符号の説明

１０ スピンチャック
１２ 回転支軸
１４ 回転モータ
１６ カップ
２０ 純水吐出ノズル
２２ 純水供給管
２４ ポンプ
２８ 開閉制御弁
３０ 純水吐出ノズルのノズル保持部
３２ 回転モータのドライバ
３４、４２、５０ 制御装置
３６、４４ バイパス管
３８、４６ 電磁三方弁
４０ 流量調整弁
４８ 減圧弁
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させることを特徴とする基板処理方法。
2. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に基板の回転速度を少なくとも１回変更する請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って基板の回転速度を漸次低下させる請求項１に記載の基板処理方法。
4. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
   前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
   この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
   を備えた基板処理装置において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で基板の回転速度を低下させるように前記基板回転手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量を低減させることを特徴とする基板処理方法。
6. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出流量を少なくとも１回変更する請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出流量を漸次低減させる請求項５に記載の基板処理方法。
8. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
   前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
   この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
   前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
   を備えた基板処理装置において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出流量を低減させるように前記洗浄液供給手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
9. 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、
   前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧を低下させることを特徴とする基板処理方法。
10. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する途中に洗浄液の吐出圧を少なくとも１回変更する請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動するのに従って洗浄液の吐出圧を漸次低下させる請求項９に記載の基板処理方法。
12. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
    この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
    前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
    この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
    を備えた基板処理装置において、
    前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで移動する過程で、前記吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ吐出される洗浄液の吐出圧を低下させるように前記洗浄液供給手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。

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