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JP2007256666A - 基板処理方法及びそれに用いる薬液 - Google Patents

基板処理方法及びそれに用いる薬液 Download PDF

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JP2007256666A JP2006081467A JP2006081467A JP2007256666A JP 2007256666 A JP2007256666 A JP 2007256666A JP 2006081467 A JP2006081467 A JP 2006081467A JP 2006081467 A JP2006081467 A JP 2006081467A JP 2007256666 A JP2007256666 A JP 2007256666A
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film pattern
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substrate processing
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Abstract

【課題】溶解リフロー処理によりその面積が拡大した有機膜パターンを収縮することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、溶解変形した変形有機膜パターンを第三の除去処理（ステップＪ３）とをこの順に行う。第三の除去処理の少なくとも一部を有機膜パターンに対する第二の薬液処理（ステップＳ５）により行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板、液晶基板その他の基板を処理する方法及び同方法に用いる薬液に関する。
更に、本発明は、全ての液晶表示装置（ＬＣＤ）、（すなわち、縦電界型液晶表示装置、横電界型液晶表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置）、ＥＬ表示装置、フィールドエミッション表示装置その他の表示装置、または、その他の半導体装置の製造方法及びそれに用いる薬液にも関する。
従来、半導体ウェハ、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）基板あるいはその他の基板に有機膜パターンを形成した後、当該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜すなわち基板をパターン加工（下地膜加工）することにより、配線回路等を形成する技術がある。なお、下地膜加工の後で、有機膜パターンは剥離処理により除去される。
また、例えば、特許文献１、２及び３に示されるように、上記下地膜加工の後に有機膜パターンを変形させ、この変形後の有機膜パターンをマスクとして、再度、下地膜加工を施し、その後に、有機膜パターンを除去する技術もある。
より具体的には、特許文献１、２及び３に記載の有機膜パターンの加工処理を行う基板処理方法においては、有機膜パターンを変形させるための処理（以下、「溶解変形処理」、又は、この処理は具体的には基板をガス雰囲気に暴露することにより行うので「ガス雰囲気処理」とも呼ぶ）を主な処理として行い、その後、変形後の有機膜パターンをマスクとして、再度、下地膜加工を施し、その後に、有機膜パターンが除去される。
すなわち、特許文献１、２及び３の技術においては、主な処理として、溶解変形処理（具体的には、ガス雰囲気処理）を行う。
更には、それらの処理を安定化させるために、事前に基板温度を適正な処理温度に調整する温度調整処理（主に冷却）や、溶解変形処理後の有機膜パターンのベーキングのために、加熱処理（この加熱処理は、温度調整処理における温度調節範囲を拡大することによって実現する場合もある）を追加するのが一般的である。
そのような従来技術における工程図を図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
図１１（ａ）に示す第一の従来の基板処理方法においては、温度調整処理（ステップＳ１０２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ１０３）、加熱処理（ステップＳ１０４）及び温度調整処理（ステップＳ１０２）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１１（ｂ）に示す第二の従来の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、温度調整処理（ステップＳ１０２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ１０３）、加熱処理（ステップＳ１０４）及び温度調整処理（ステップＳ１０２）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１１（ｃ）に示す第三の従来の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、第二の除去処理（ステップＪ２）、温度調整処理（ステップＳ１０２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ１０３）、加熱処理（ステップＳ１０４）及び温度調整処理（ステップＳ１０２）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
ここで、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示す第一の除去処理（ステップＪ１）及び第二の除去処理（ステップＪ２）は、第一の薬液処理（ステップＳ１）、アッシング処理（Ｓ７）、第二の薬液処理（ステップＳ５）の各処理またはこれらを組み合わせた処理である（これらの処理について、図２、３を参照して、後述する。
この第一の除去処理または第二の除去処理は、変質層又は堆積層のみを選択的に除去する場合、または、変質層又は堆積層を除去し、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させる場合に用いられている。
また、温度調整処理（ステップＳ１０２）は省略することも可能である。
図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す従来の方法におけるガス雰囲気処理（ステップＳ１０３）は有機膜パターンを溶解変形させる溶解変形処理としての機能を有している。
このガス雰囲気処理においては、アルコール類（Ｒ−ＯＨ）、アルコキシアルコール類、エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）、エステル類、ケトン類、グリコール類、アルキレングリコール類、グリコールエーテル類などの有機溶剤の溶液（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）を気化させたガス（具体的には、加熱蒸発、不活性ガスバブリングなど）を用いて、有機膜パターンをその雰囲気に晒すことにより、有機薬液または有機溶剤が有機膜パターンの内部に浸透する。この結果、有機膜パターンが溶解し、有機膜パターンの液化または流動化（以下、「薬液溶解リフロー」と呼ぶ）による変形が生じる。
この溶解変形処理によれば、通常、５乃至２０μｍ（１００μｍ以上も可能）に及ぶ変形を起こさせることが可能である。
しかしながら、レジストが大きく変形するため、ある程度精度の良い有機膜パターンが要求される場合には、この大きな変形を精度良く制御する必要がある。
特開２００２−３３４８３０号公報 特開２００５−１５９２９２号公報 特開２００５−１５９３４２号公報
溶解変形処理（具体的にはガス雰囲気処理）によれば、前述したように、５乃至２０μｍ（１００μｍ以上も可能）にも及ぶ有機膜パターンの変形を起こさせることが可能であるが、レジストが大きく変形するため、ある程度精度の良いパターンが要求される場合には、この大きな変形を精度良く制御する必要がある。
更に、この有機膜パターンをフォトリソグラフィ工程の削減に利用する場合には、チャネル部のソース・ドレイン形成マスク用の有機膜パターン（ここでは、レジストパターン）のうち、特に、チャネル部近傍のソース・ドレインの２つに分離したレジストパターン部分を連結させたレジストパターンに変形させる処理方法として、溶解変形処理が用いられている。
しかしながら、レジストパターンの連結を確実にするためには、薬液溶解リフローを大きくさせた方が良いが、薬液溶解リフローを大きくすると、チャネル部以外の配線部などのソース・ドレイン用レジストパターンも大きく溶解変形リフローしてしまっていた。
このため、レジスト膜厚を２段階に形成する、更に、溶解変形処理前に２段階のレジストパターンのうち薄い方を除去するなどの方法をとる必要があった。
ただし、この場合も、溶解変形処理は面積が拡大する一方向のみの制御であるために、必要以上に面積が拡大しないように、処理時間を正確に制御し、変形を精度良く制御する必要があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、溶解リフロー処理により、面積が拡大した有機膜パターンを収縮させることを可能にする基板処理方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明に係る基板処理方法においては、従来の基板処理方法と同様に、溶解変形処理（具体的にはガス雰囲気処理）を行うが、その後に、必要以上に溶解変形リフローで面積拡大した有機膜パターン（例えば、レジストパターン）の一部であり、少なくとも不必要な薬液溶解リフロー部分を除去してしまう処理を行う。
具体的には、薬液溶解リフロー部分の除去処理方法として、アッシング、薬液処理（現像機能有り又は剥離機能有りの薬液を用いる）またはそれらを組み合わせた処理を行うことにより、上記の目的を達成する。
詳細に説明すると、本発明に係る基板処理方法は、基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法であって、前記有機膜パターン加工処理においては、前記有機膜パターンを溶解させ変形有機膜パターンを形成させる溶解変形処理と、前記変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する処理を行うことを特徴としている。
但し、事前に前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行う場合と行わない場合（不必要）があり、変質層又は堆積層の除去の必要性の有無は状況により選択される。
すなわち、本発明においては、基板上に形成された有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行った後に、その後処理として、不必要な変形有機膜パターン部分又は必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分などを、各種除去処理（特許請求の範囲において「第三の除去処理」として示されている処理）により、その部分の少なくとも一部を除去する。
これにより、従来の技術では、溶解変形リフローの面積拡大方向の制御（例として、溶解変形リフロー処理時間の制御）という１つのみの制御手法から、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小という逆方向の２つ目の制御手法を得ることができ、有機膜パターンを大きな変形をより精度良く制御することが可能になる。
また、従来技術においては、フォトリソグラフィ工程削減に利用する場合には、チャネル部のソース・ドレイン形成マスク用の有機膜パターン（ここでは、レジストパターン）のうち、特に、チャネル部近傍のソース・ドレインの２つに分離したレジストパターン部分を連結させたレジストパターンに変形させる処理方法として溶解変形処理を用いている。
しかしながら、溶解変形処理による薬液溶解リフローが小さい場合には、短所としては、レジスト連結が不確実であること、長所としては、必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分の発生が少ないことがあり、溶解変形処理による薬液溶解リフローが大きい場合には、長所としては、レジスト連結が確実であること、短所としては、必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分の発生が多いことがあった。
これに対して、本発明に係る基板処理方法によれば、このフォトリソグラフィ工程削減に利用する場合にも、溶解変形処理による薬液溶解リフローを充分大きくした後、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小により、必要面積に拡大した変形有機膜パターンとすることで、両方の長所のみを得ることができる。
また、溶解変形処理は、例えば、基板上に形成された有機膜パターンに薬液（主に有機溶剤）を浸透させ、変形（主に、溶解リフロー変形）させることにより行う。
溶解変形処理は、より具体的には、例えば、薬液（主に有機溶剤）を（Ｎ２バブリング等により）ガス化し、その雰囲気に基板を暴露させるガス雰囲気処理により行う。
溶解変形処理は、具体的には、例えば、有機膜パターンの面積を拡大させたり、隣設された有機膜パターンを相互に一体化させたり、有機膜パターンを平坦化させたり、基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように有機膜パターンを変形させたりする目的で行われる。
ここで、基板上に形成された当初の有機膜パターンについて述べると、この有機膜パターンは例として、印刷法又はフォトリソグラフィ法のいずれかにより形成されている。
更に、前記有機膜は光感光性有機膜であることが好ましく、ポジ型光感光性有機膜又はネガ型光感光性有機膜のいずれでも可能である。また、前記ポジ型光感光性有機膜は、例として、ノボラック樹脂を主成分となることが好ましいが、それ以外の樹脂でも構成可能である。
ここでは、前記光感光性有機膜は、感光させることによりアルカリ可溶性となる膜である場合を主に想定している。
ここで、有機膜パターンとしては、（１）前記有機膜パターンの加工処理をする以前に、該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜をパターン加工したものである場合、（２）該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜をパターン加工したものであり、前記有機膜パターンの加工処理により再加工された再加工有機膜パターンをマスクとして、下地膜を再度パターン加工する場合、（３）前記有機膜パターン加工処理の以前に、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理、ドライエッチング処理の少なくともいずれかが行われた有機膜パターンである場合、などが有り得る。
ここで、前記変質層は、
（１）前記有機膜パターンの表面が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したもの、
（２）前記有機膜パターンの表面がウェットエッチング液処理により変質したもの、
（３）前記有機膜パターンの表面がドライエッチング又はアッシング処理により変質したもの、または、
（４）前記有機膜パターンの表面がドライエッチングによるデポジションに伴い変質したもの、がある。
また、前記堆積層は、前記有機膜パターンの表面上にドライエッチングにより形成されたものが、例として、想定される。
本発明に係る第一の基板処理方法は、溶解変形処理（すなわち、この場合は、有機溶液を気化させその気化ガスの雰囲気に晒す暴露ガス雰囲気処理を用いる）と、第三の除去処理を行うことを特徴としている。
すなわち、第一の基板処理方法の有機膜パターン加工処理においては、前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（以下、「ガス雰囲気処理」とも呼ぶ）と、第三の除去処理とをこの順に行う。
更には、それらの処理を安定化させるために、事前に基板温度を適正な処理温度に調整する温度調整処理（主に冷却）や、溶解変形処理後の有機膜パターンのベーキングのために、加熱処理（この加熱処理は、温度調整処理での温度調節範囲を拡大することによって実現することもできる）を追加することが好ましい。
図１（ａ）はそのような本発明の第一の基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ａ）に示すように、第一の基板処理方法においては、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ａ）において破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は省略することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）とは、その処理ユニットの温度調整の設定を変更することにより、代用して実施することも可能である。
このようにこの本発明の第一の基板処理方法においては、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）が必須であり、それ以外の処理は、状況に応じて省略することが可能である。
本発明の第二の基板処理方法は、第一の除去処理と、溶解変形処理（すなわち、この場合は、有機溶液を気化させ、その気化ガスの雰囲気に晒す暴露ガス雰囲気処理を用いる）と、第三の除去処理と、を行うことを特徴としている。
すなわち、第一の基板処理方法の有機膜パターン加工処理においては、第一の除去処理と、前記有機膜パターンを溶解させ、変形させる溶解変形処理（以下、ガス雰囲気処理とも呼ぶ）と、第三の除去処理と、をこの順に行う。
更には、それらの処理を安定化させるために、ガス雰囲気処理の事前に基板温度を適正な処理温度に調整する温度調整処理（主に冷却）や、溶解変形処理後の有機膜パターンのベーキングのために、加熱処理（この加熱処理は、温度調整処理での温度調節範囲を拡大することによって実現することもできる）を追加することが好ましい。
図１（ｂ）はそのような本発明の第二の基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ｂ）に示すように、第二の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ｂ）において破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は省略することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）は、その処理ユニットの温度調整の設定を変更することにより、代用して実施することも可能である。
以上のように、この本発明の第二の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）が必須の処理であり、それ以外の処理は、状況に応じて、省略することが可能である。
本発明の第三の基板処理方法は、第一の除去処理と、第二の除去処理と、溶解変形処理（すなわち、この場合は、有機溶液を気化させ、その気化ガスの雰囲気に晒す暴露ガス雰囲気処理を用いる）と、第三の除去処理と、を行うことを特徴としている。
すなわち、第三の基板処理方法の有機膜パターン加工処理においては、第一の除去処理と、第二の除去処理と、前記有機膜パターンを溶解させ、変形させる溶解変形処理（以下、ガス雰囲気処理とも呼ぶ）と、第三の除去処理と、をこの順に行う。
更には、それらの処理を安定化させるために、ガス雰囲気処理の事前に基板温度を適正な処理温度に調整する温度調整処理（主に冷却）や、溶解変形処理後の有機膜パターンのベーキングのために、加熱処理（この加熱処理は、温度調整処理での温度調節範囲を拡大することによって実現することもできる）を追加することが好ましい。
図１（ｃ）はそのような本発明の第三の基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ｃ）に示すように、第三の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、第二の除去処理（ステップＪ２）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ｃ）において、破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は省略することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）は、その処理ユニットの温度調整により、代用して実施することも可能である。
このように、本発明の第三の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、第二の除去処理（ステップＪ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）が必須の処理であり、それ以外の処理は、状況に応じて、省略することが可能である。
ここで、前述の第一の除去処理について説明する。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、第一の除去処理の具体的な処理例を示すフローチャートある。
第一の除去処理の第一の例としては、図２（ａ）に示すように、第一の薬品処理（ステップＳ１）を挙げることができる。
第一の除去処理の第二の例としては、図２（ｂ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）を挙げることができる。
第一の除去処理の第三の例としては、図２（ｃ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）と第一の薬品処理（ステップＳ１）とをこの順に処理する例を挙げることができる。
次に、前述の第二の除去処理について説明する。
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、第二の除去処理の具体的な処理例を示すフローチャートある。
第二の除去処理の第一の例としては、図３（ａ）に示すように、第二の薬品処理（ステップＳ５）を挙げることができる。
第二の除去処理の第二の例としては、図３（ｂ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）を挙げることができる。
第二の除去処理の第三の例としては、図３（ｃ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）と第二の薬品処理（ステップＳ５）とをこの順に処理する例を挙げることができる。
次に、前述の第三の除去処理について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第三の除去処理の具体的な処理例を示すフローチャートある。
第三の除去処理の第一の例としては、図４（ａ）に示すように、第二の薬品処理（ステップＳ５）を挙げることができる。
第三の除去処理の第二の例としては、図４（ｂ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）を挙げることができる。
第三の除去処理の第三の例としては、図４（ｃ）に示すように、第一の薬品処理（ステップＳ１）と第二の薬品処理（ステップＳ５）とをこの順に処理する例を挙げることができる。
第三の除去処理の第四の例としては、図４（ｄ）に示すように、アッシング処理（ステップＳ７）と第二の薬品処理（ステップＳ５）とをこの順に処理する例を挙げることができる。
第一の除去処理、第二の除去処理または第三の除去処理の目的としては、次に掲げるものがある。
（１）前記変質層又は前記堆積層のみを選択的に除去する。
（２）前記変質層又は前記堆積層を除去し、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させる。
（３）変質していない有機膜パターンの一部を除去する。
（４）溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層、又は、溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を選択的に除去する。
（５）溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層、又は、溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層のみを選択的に除去し、変形有機膜パターンを露出及び残存させる。
（６）溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層、又は、溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を少なくとも除去し、更に、前記変形有機膜パターンの一部を除去する。
（７）溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層、又は、溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を選択的に除去し、更に、前記変形有機膜パターンの一部を除去する。
ここで、前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて基板上の各種膜をエッチングする処理である。
ここで、有機膜パターンの変質化の程度や特性は、ウェットエッチング処理における使用薬液の種類、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、有機膜パターン上における堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などに応じて大きく異なるため、変質層の除去のし易さにも違いが生じる。よって、本発明の第一乃至第七の基板処理方法における除去処理の種類は、有機膜パターンの程度や性質に合わせて、適宜に選択する必要がある。
ここで、第一の除去処理、第二の除去処理または第三の除去処理において用いるアッシング処理は、変質層又は堆積層の中でも特に表層部のみを除去することに適用し、残りの変質層又は堆積層は、ウェット処理である第一の薬液処理又は第二の薬液処理により行うことが好ましい。
このような処理方法、すなわち、図２（ｃ）、図３（ｃ）、図４（ｄ）の場合、除去処理の全てをアッシング処理により行う図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）と比較して、有機膜パターンへのアッシング処理時間を短縮することができるだけでなく、アッシング処理による基板全体、有機膜へのダメージの追加を抑制することができ、より強固な変質層又は堆積層をも除去することができる、という有利な点がある。
ここで、第一の加熱処理、第二の加熱処理または第三の加熱処理は、次のいずれかの目的のために行われる。
（１）前記有機膜パターン加工処理以前の処理工程において、前記有機膜パターンの内部又は下部に染み込んだ水分、酸またはアルカリ溶液を除去する。
（２）前記有機膜パターンと下地膜または基板との密着力が低下している場合に、前記密着力を回復させる。
更に、前記有機膜パターンの形成時の加熱処理、第一の加熱処理、第二の加熱処理または第三の加熱処理の処理条件の例としては、次のものを挙げることができる。
（１）前記第一の加熱処理は、前記第二の加熱処理よりも低い温度で行う。
（２）前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記一の加熱処理までは、前記第二の加熱処理よりも低い温度で行う。
（３）前記第二の加熱処理は前記第三の加熱処理よりも低い温度で行う。
（４）前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記二の加熱処理までは、前記第三の加熱処理よりも低い温度で行う。
（５）前記第一の加熱処理は前記第三の加熱処理よりも低い温度で行う。
（６）前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記一の加熱処理までは、前記第三の加熱処理よりも低い温度で行う。
（７）前記有機膜の架橋反応を引き起こす温度以下の温度で加熱処理を行う。
（８）加熱処理における温度は５０乃至１５０℃の温度とする。
（９）加熱処理における温度は１００乃至１３０℃の温度とする。
（１０）加熱処理時間は６０乃至３００秒間である。
それぞれの追加目的として、（１）から（６）は、その加熱処理以後に、有機膜パターンに対して、有機膜パターンの現像機能（例：有機膜パターンが感光性有機膜の場合）を利用した除去処理を行うためである。（７）から（９）は、有機膜の現像機能を維持させておく目的としての標準例の温度であると同時に、有機膜パターンの剥離性を良好に維持するための温度例でもある。更に、（１０）は、枚葉処理（基板１枚ずつの処理）を想定した場合の量産時の処理能力を考慮して使用可能な処理時間の具体例を示したものである。
ここで、前記溶解変形処理の具体例としては、次に挙げるものがある。
（１）前記有機膜パターンの面積を拡大させる処理。
（２）隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理。
（３）前記有機膜パターンを平坦化させる処理。
（４）基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように前記有機膜パターンを変形させる処理。
（５）前記有機膜パターンに有機溶液を接触させることによる溶解リフローによる変形処理。
ここで、前記有機溶液としては、以下に示す有機溶剤のうち少なくとも一つを含む溶液を使用する。
有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）：アルコール類（Ｒ−ＯＨ）、エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）、エステル類、ケトン類、グリコールエーテル類など。
また、その有機溶液を前記有機膜パターンに接触させる方法（前記溶解リフローによる変形をおこさせる）は、（１）前記有機溶液の蒸気中にさらす方法か、（２）前記有機溶液の液中に浸漬する方法のいずれをも選択することができる。なお、（１）の有機溶液の蒸気は、有機溶液を加熱するか、不活性ガス（例えば、Ｎ２、Ａｒガス）でバブリングすることにより気化させ、発生したガスをそのまま、あるいは、ボンベ等で供給する。
これにより、チャンバー内を前記有機溶液のガス雰囲気にし、そのチャンバー内に基板を置くことにより、有機膜パターンを有機溶液に接触させることができる。
また、前記有機膜パターンが光感光性有機膜からなるものである場合に、処理（特に有機膜の感光性や、薬液の現像機能を利用した処理）を安定的に行うために、以下の状況を達成することも、この処理を行う場合の重要な条件となる場合がある。
（１）基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保つ。
（２）基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン露光処理または基板裏面露光処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保つ。
これは、前述のように有機膜パターンに対して露光処理、前記基板裏面露光処理または現像処理を行うので、このような状態に保っておくことにより、初期の露光処理または基板裏面露光処理や、追加的に実施する露光処理の効果を維持して、現像処理の目的を充分に達成させるためである。
追加に実施する露光処理としては、前記第一の薬品処理又は前記第二の薬品処理の少なくともいずれかの処理前又は直前に、前記有機膜パターンに対する露光処理を行う場合がある。
但し、基板の裏面側から露光する基板裏面露光処理を行う場合も有り、それは、前記溶解変形処理と前記第三の除去処理間若しくは前記溶解変形処理と前記第二の薬液処理間の少なくともいずれかの時点で行う。この基板裏面露光処理は、前記溶解変形処理により、溶解リフローで面積拡大した有機膜パターン（例として、レジストパターン）の一部であり、少なくとも不必要な薬液溶解リフロー部分を効果的に選択的に除去することを可能とするものである。
これは、例えば、ドレイン配線上の有機膜パターンを溶解リフローさせ、溶解変形有機膜パターンとするときに、ゲート、ドレイン配線よりはみ出させたくない場合に、基板の裏面側から露光することにより、例えば、ゲート、ドレイン配線に隠れた溶解変形有機膜パターン部分Ａは露光されないが、ゲート、ドレイン配線で隠れない（ゲート、ドレイン配線部よりはみ出た）溶解変形有機膜パターン部分Ｂは感光されるという違いが起こり、その違いを利用して、現像処理で除去すると言うものである。
すなわち、以後に行う前記第三の除去処理としての前記第二の薬液処理において、少なくとも現像機能をもつ薬液を用いることにより、この選択的な除去である現像処理を行うことができる。
これは、当初有機膜パターンをハーフトーンマスクで露光しておくこと、あるいは、途中で前記露光処理などと合わせて行うことにより、より効果的に不必要な薬液溶解リフロー部分を除去することができる。
また、例えば、ドレイン配線用の有機膜パターン（通常マスクで露光またはハーフトーンマスクで露光）に、この前記裏面露光処理以外は、感光させずに維持して、前記裏面露光処理を行い、以後に行う前記第三の除去処理の前記第二の薬液処理により、少なくとも現像機能をもつ薬液を用いて現像処理を行う場合に、この前記第二の薬液処理（現像機能をもつ薬液による現像処理）の時間を最適に調整することにより、溶解リフロー後も、ドレイン配線部のみに溶解変形有機膜パターンを残存させることができる。この場合の処理時間（現像処理時間）は、溶解リフローを充分除去する最短時間にすると良い。
この前記露光処理または前記基板裏面露光処理は、例として、（ａ）フォトマスクを利用する方法、（ｂ）フォトマスクを利用しない方法、または、（ｃ）微細（１ｍｍ以下）パターンでないフォトマスクを利用する方法に分けられる。
更に露光方法としては、（１）通常露光、（２）前記有機膜パターンのうち、基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対してのみ行う処理、（３）前記所望範囲に対して一括して露光を行う処理、（４）前記所望範囲内において露光スポットを走査させる処理、（５）前記所望範囲は少なくとも基板面積の１／１０以上の範囲である場合の処理、（６）紫外線、蛍光及び自然光のうちの少なくとも何れかで露光する処理、などのうちいずれか又は組み合わせて実施することができる。
感光性のある有機膜パターンに対して、（ａ）の露光処理の場合は、現像機能のある薬液を用いた処理により、新たなパターンを形成させる目的で行う。（ｂ）のの露光処理の場合は、現像処理以前に有機膜パターンが受けた感光量に基板間や基板内でのバラツキがある場合にも、各基板あるいは基板の全面における感光量を全て十分な状態とすることができるため、そのバラツキを実質的に解消することができ、その後の現像処理による効果を均一化することができる。
ここで、前記第一の薬品処理又は前記第二の薬品処理は次のいずれかの処理として構成することができる。
（１）前記有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理。
（２）少なくとも有機膜パターンの現像機能をもつ薬液を用いる現像処理。
（３）前記有機膜パターンに対する少なくとも２回目以降の現像処理。
（４）有機膜パターンの現像機能を持たず、有機膜パターンを溶解除去する機能を持つ薬液を用いた薬液処理。
（５）前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する薬液処理。
更に、現像処理に使用する薬液としては、次に掲げる薬液のいずれか一つまたは二つ以上を用いることができる。
（１）剥離液の濃度を薄めることにより得られる薬液。
（２）有機、無機いずれかのアルカリ水溶液。
（３）ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を主成分とするアルカリ水溶液。
（４）ＮａＯＨ又はＣａＯＨの少なくともいずれかを含むアルカリ水溶液。
（５）少なくとも酸性の薬品を含有している薬液。
（６）少なくとも有機溶剤を含有している薬液。
（７）少なくともアルカリ性の薬品。
（８）（５）に挙げた前記有機溶剤として、少なくともアミン系の材料を含有している薬品。
（９）少なくとも有機溶剤とアミン系の材料とを含有している薬品。
（１０）（７）に挙げた前記アルカリ性の薬品は、少なくともアミン系の材料と水とを含有している薬品。
（１１）少なくともアルカリ性の薬品とアミン系の材料とを含有している薬品。
（１２）（８）から（１１）までの前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなる薬品。
（１３）（８）から（１２）までの前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０１重量％以上３０重量％以下である薬品。
（１４）（８）から（１２）までの前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０５重量％以上１０重量％以下である薬品。
（１５）（８）から（１２）までの前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０５重量％以上５．０重量％以下である薬品。
（１６）防食剤が添加されている薬品。
（１７）（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の少なくとも両方を含有する水溶液。
（１８）（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の両方のみを含有する水溶液。
（１９）（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の各々の成分が、以下に示す成分のうち各々少なくとも一つを含む成分であり、かつ、（Ａ）及び（Ｂ）成分を共に含む薬液。
（Ａ）剥離機能液成分
（ａ）溶剤系成分
（ｂ）アミン系の成分＋水成分
（ｃ）求核剤成分
（ｄ）還元剤成分
（ｅ）フッ化アンモニウム成分
（Ｂ）現像機能液成分
（ａ）有機アルカリ成分
（ｂ）無機アルカリ成分
（２０）（Ａ）前記アミン系の材料と（Ｂ）現像機能液成分とを含む水溶液。
（２１）前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％である薬品。
（２２）前記薬液の（Ｂ）現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％である薬品。
（２３）前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であり、かつ、前記薬液の（Ｂ）現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％である薬品。
（２４）前記アミン系の材料の含有量が０．２乃至３０％であり、かつ、前記現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％である薬品。
ここで、基板上に形成された当初の有機膜パターンは少なくとも２段階以上の膜厚に形成される場合もある。この基板上に形成された当初の有機膜パターンは、次のいずれかを目標として処理を施すことになる。
（１）前記有機膜パターン加工処理における前記第一の除去処理、前記第二の除去処理又は前記第三の除去処理の少なくともいずれかの処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くする。
（２）前記有機膜パターン加工処理における前記第一の除去処理、前記第二の除去処理又は前記第三の除去処理の少なくともいずれかの処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去する。
ここで、有機膜のパターン加工処理の前後、あるいは、途中に下地膜加工処理を行う場合もある。この下地膜をパターン加工する下地膜加工処理は、例えば、次の時点（工程）において行われる。
（１）少なくとも前記溶解変形処理による変形前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する工程。
（２）前記溶解変形処理、前記第一の除去処理あるいは前記第一の加熱処理以前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する工程。
（３）前記第三の除去処理、前記第二の加熱処理または前記第三の加熱処理以後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する工程。
（４）前記有機膜パターン加工処理前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する工程。
（５）前記有機膜パターン加工処理後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する工程。
（１）から（５）までの工程を１回又は複数回実施し、下地膜をパターン加工する場合がある。
下地膜をパターン加工する目的としては、次のものがある。
（１）前記下地膜加工処理により、前記下地膜をテーパー状又は階段状に加工する。
（２）前記下地膜は複数層に成膜された膜であり、前記下地膜加工処理により、該複数層の膜のうちの何れかを相互に異なるパターン形状に加工する。
以上、本発明について、これまでは、半導体基板、液晶基板その他の基板処理方法として説明したが、本発明には、基板を有する装置の製造方法、表示装置の製造方法、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、ＥＬ表示装置の製造方法、フィールドエミッション表示装置の製造方法、プラズマ表示装置の製造方法も含まれる。
本発明の対象として基板について説明したが、本発明は、これに限らず、全ての液晶表示装置（ＬＣＤ）、すなわち、縦電界型液晶表示装置、横電界型液晶表示装置置、反射型液晶表示装置、透過型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、ＥＬ表示装置その他の表示装置、あるいは、その他の半導体装置の製造方法にも適用することが可能である。
本発明に係る基板処理方法は、基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、前記有機膜パターン加工処理においては、前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理とをこの順に行うことを基本的な特徴とする。
本発明は、この他に、各種の加熱処理や、各種の除去処理（前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理、前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する除去処理）を追加する場合がある。
本発明では、溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理を行うので、溶解変形処理により、大きく広がった（パターン面積が拡大した）変形有機膜パターンを再度小さく（パターン面積を縮小）することができる。これにより、変形有機膜パターンを目標のパターンまたは大きさにする制御性を向上させることができる。
従来技術においても、前記溶解変形処理（具体的にはガス雰囲気処理）は行われるが、前述したように、この場合、通常５乃至２０μｍ（１００μｍ以上も可能）にも及ぶ変形を起こさせることが可能である。しかしながら、レジストの大きな変形故に、ある程度精度の良いパターンが要求される場合、この大きな変形を精度良く制御する必要がある。
更に、この有機膜パターンをフォトリソグラフィ工程削減に利用する場合には、チャネル部のソース・ドレイン形成マスク用の有機膜パターン（ここでは、レジストパターン）のうち、特にチャネル部近傍のソース・ドレインの２つに分離したレジストパターン部分を連結させたレジストパターンに変形させる処理方法として溶解変形処理を用いている。
しかしながら、レジストパターンの連結を確実にするためには、薬液溶解リフローを大きくさせた方が良いが、この場合、チャネル部以外の配線部などのソース・ドレイン用レジストパターンも大きく溶解変形リフローする結果となっていた。
このため、レジスト膜厚を２段階に形成する、更に、溶解変形処理前に２段階のレジストパターンのうち薄い方を除去するなどの方法をとる必要があった。
但し、この場合も、溶解変形処理においては、面積が拡大する一方向のみの制御であるために、必要以上に面積が拡大しないように処理時間を正確に制御し、変形を精度良く制御する必要があった。
これに対して、本発明の場合には、前記溶解変形処理（具体的にはガス雰囲気処理）を行うが、その後に、必要以上に溶解変形リフローで面積拡大した有機膜パターン（例として、レジストパターン）の一部であり、少なくとも不必要な薬液溶解リフロー部分を除去する処理を行う。
薬液溶解リフロー部分の具体的な除去処理方法としては、アッシング手法又は薬液処理（現像機能有り又は剥離機能有りの薬液を用いる）、あるいは、それらの組合せ処理などがある
より、詳細に説明すると、本発明は、基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、前記有機膜パターン加工処理においては、前記有機膜パターンを溶解させ変形有機膜パターンを形成させる溶解変形処理と、前記変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する処理と、を行うことを特徴としている。
但し、事前に前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理を行う場合と行わない場合（不必要）があり、変質層又は堆積層の除去処理の実施の有無は状況に応じて選択される。
すなわち、本発明においては、基板上に形成された有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行った後に、その後処理として、不必要な変形有機膜パターン部分又は必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分の少なくとも一部を各種方法の除去処理（ここでは、第三の除去処理）により除去する。これにより、従来の技術では、溶解変形リフローの面積拡大方向の制御（例として、溶解変形リフロー処理時間の制御）という１つのみの制御手法であったのに対して、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小という逆方向の２つ目の制御手法を得ることができ、大きな変形をより精度良く制御することが可能になった。
また、従来の技術をフォトリソグラフィ工程削減に利用する場合には、チャネル部のソース・ドレイン形成マスク用の有機膜パターン（ここでは、レジストパターン）のうち、特に、チャネル部近傍のソース・ドレインの２つに分離したレジストパターン部分を連結させたレジストパターンに変形させる処理方法として溶解変形処理を用いている。
しかしながら、溶解変形処理による薬液溶解リフローが小さい場合には、短所としては、レジスト連結が不確実であること、長所としては、必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分の発生が少ないことがあり、溶解変形処理による薬液溶解リフローが大きい場合には、長所としては、レジスト連結が確実であること、短所としては、必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分の発生が多いことがあった。
これに対して、本発明に係る基板処理方法によれば、フォトリソグラフィ工程削減に利用する場合にも、溶解変形処理による薬液溶解リフローを充分大きくした後、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小を行い、必要面積に拡大した変形有機膜パターンとすることにより、両方の長所のみを得ることができる。
本発明を適用する対象としては、基板について説明したが、本発明は、これに限らず、全ての液晶表示装置（ＬＣＤ）、すなわち、縦電界型液晶表示装置、横電界型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、透過型液晶表示装置の他に、ＥＬ表示装置、その他の表示装置、あるいは、その他の半導体装置の製造方法にも適用することが可能である。
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
本発明の実施形態に係る基板処理方法は、例えば、図５に示される基板処理装置１００又は図６に示される基板処理装置２００を用いて行うことができる。
これらの基板処理装置１００、２００は、基板に対して各種処理（後述）を施すための処理ユニット（後述）を必要に応じて選択的に備えることが可能となっている。
これらの基板処理装置１００、２００に備えられる処理ユニットの候補は、例えば、図７に示すように、簡易露光処理ユニット１７、加熱処理ユニット１８、温度調整処理ユニット１９、現像処理ユニット２０、薬液処理ユニット２１、ガス雰囲気処理ユニット２２及びアッシング処理ユニット２３の７種類である。
図７に示す処理ユニットのうち、露光処理ユニット１７は基板上に形成された有機膜パターンに対し露光処理を施すためのユニットであり、露光処理は、例として、（ａ）フォトマスクを利用する方法、（ｂ）フォトマスクを利用しない方法、または、（ｃ）微細（１ｍｍ以下）パターンでないフォトマスクを利用する方法に分けられる。
更に、露光方法として、（１）通常露光、（２）前記有機膜パターンのうち、基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対してのみ行う処理、（３）前記所望範囲に対して一括して露光を行う処理、（４）前記所望範囲内において露光スポットを走査させる処理、（５）前記所望範囲は少なくとも基板面積の１／１０以上の範囲である処理、（６）紫外線、蛍光及び自然光のうちの少なくとも何れかで露光する処理のうちのいずれか、又は、これらの処理を組み合わせた露光処理を行うユニットである。
感光性のある有機膜パターンに対して、（ａ）の露光処理を行う場合には、現像機能のある薬液を用いた処理により、新たなパターンを形成させる目的で行う。（ｂ）の露光処理の場合には、現像処理以前に有機膜パターンが受けた感光量に基板間や基板内でのバラツキがある場合にも、各基板あるいは基板の全面における感光量を全て十分な状態とすることができるため、そのバラツキを実質的に解消することができ、その後の現像処理による効果を均一化することができる。
加熱処理ユニット１８は、基板に対して加熱処理（ベーキング）を施すためのものであり、その加熱温度は、例えば、８０℃乃至１８０℃または１００℃乃至１５０℃の範囲で調節することが可能となっている。
加熱処理ユニット１８は、例えば、基板を略水平状態に保持するステージと、このステージが内部に配されたチャンバーと、を備える。
温度調整処理ユニット１９は、基板の温度制御を行うためのものであり、その調温範囲は、例えば、１０℃乃至５０℃または１０℃乃至８０℃となっている。
温度調整処理ユニット１９は、例えば、基板を略水平状態に保持するステージと、このステージが内部に配されたチャンバーと、を備える。
但し、加熱処理ユニット１８及び温度調整処理ユニット１９は調温範囲が広く、高温から低温（例えば、１０乃至１８０℃）までを制御可能である場合には、それぞれの処理を温度制御の設定を変更することにより、それぞれ代用することができる。
薬液処理ユニット２１は基板に対して薬液処理を行うためのものである。
この薬液処理ユニット２１は、例えば、図８に示すように、薬液を蓄える薬液タンク３０１と、内部に基板５００が配されるチャンバー３０２と、を備えている。
チャンバー３０２は、薬液タンク３０１より圧送される薬液を基板５００上に供給するための可動ノズル３０３と、基板５００を略水平状態で保持するステージ３０４と、該チャンバー３０２内より廃液及び排気を排出するための排出口３０５と、を備えている。
このような薬液処理ユニット２１においては、薬液タンク３０１内に窒素ガスを圧送することにより、該薬液タンク３０１内の薬液を可動ノズル３０３を介して基板５００上に供給することができる。なお、可動ノズル３０３は、例えば、水平方向に可動となっている。また、ステージ３０４は、例えば、その板状の本体部より起立する複数のピンを介して基板５００を下面側から点支持するように構成されている。
あるいは、薬液処理ユニット２１は、薬液を蒸気化して基板上に供給可能なドライ式のものとすることができる。
なお、薬液処理ユニット２１において用いる薬液（薬液タンク３０１内に蓄えられる薬液）は、例えば、酸、有機溶剤、アルカリのうちの少なくとも何れか１つを含むものである。
現像処理ユニット２０は、基板に対して現像処理（又は再現像処理）を行うためのものである。
例えば、薬液処理ユニット２１の薬液タンク３０１内に蓄える薬液を現像液とし、それ以外は薬液処理ユニット２１と同様に構成することもできる。
ガス雰囲気処理ユニット２２は、基板に各種ガスを暴露させるガス雰囲気処理を行うことにより、基板上の有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うためのユニットである。
ガス雰囲気処理ユニット２２は、例えば、図９及び図１０に示すように、バブリングによりガス（処理ガス）を生成するためのバブリング容器４０１と、内部に基板５００が配されるチャンバー４０２と、を備えている。
チャンバー４０２は、バブリング容器４０１からの処理ガスを該チャンバー４０２内に導入するためのガス導入口４０３と、該チャンバー４０２内よりガスを排気するための排気孔４０４と、基板５００を略水平状態で保持するステージ４０５と、チャンバー４０２内並びにバブリング容器４０１を所望の温度に制御するための温度制御機構（図示略）と、を備えている。
なお、より具体的には、ガス雰囲気処理ユニット２２は、例えば、互いに平面位置が異なる複数のガス導入口４０３と、ガス導入口４０３からのガスを拡散させてステージ４０５上の基板５００側に供給するため多数の孔部が全面に分散配置されたガス吹出板４０６と、を備える構造（図９）であっても良いし、あるいは、１つのガス導入口４０３と、ガス導入口４０３からのガスを回転により攪拌する攪拌部材４０７と、を備える構造（図１０）であっても良い。
このようなガス雰囲気処理ユニット２２においては、液体原料（例えば、有機溶剤）を蓄えたバブリング容器４０１内に窒素ガスを導入してバブリングを行い、バブリングにより生成したガス（処理ガス）をガス導入口４０３よりチャンバー内４０２に導入して、基板５００上に供給する（基板５００にガスを暴露させる）ことができる。
アッシング処理ユニット２３は、プラズマ放電処理（酸素、又は、酸素及びフッ素の雰囲気中で行う）、紫外線光などの波長の短い光エネルギーを用いた処理、及び、その光エネルギーあるいは熱を用いたオゾン処理のうちの何れか、あるいはその他の処理により、基板上の有機膜パターンのエッチングを行うユニットである。
また、図５に示すように、基板処理装置１００は、基板（例えば、ＬＣＤ基板あるいは半導体ウェハ）を収納するためのカセットＬ１が載置されるカセットステーション１と、カセットＬ１と同様のカセットＬ２が載置されるカセットステーション２と、各種処理ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６、Ｕ７、Ｕ８及びＵ９が配置される処理ユニット配置区域３、４、５、６、７、８、９、１０及び１１と、各カセットステーション１、２及び各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９の相互間での基板搬送を行う基板搬送ロボット（基板搬送機構）１２と、この基板搬送ロボット１２による基板搬送と各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９で実行される処理とを各種の基板処理方法に応じて適宜に制御する制御機構２４と、を備えている。
カセットＬ１、Ｌ２のうち、例えば、カセットＬ１は、基板処理装置１００による処理前の基板の収納に用いられ、カセットＬ２は、基板処理装置１００による処理完了後の基板の収納に用いられる。
また、各種処理ユニット配置区域３乃至１１に設置される各種処理ユニットＵ１乃至Ｕ９としては、図７に示す７種類の処理ユニットのうちの何れか１つずつを、用途プロセスに応じて、選択可能となっている。
なお、用途プロセスにおいて必要とされる処理の種類あるいは処理能力に応じて、選択される処理ユニットの数量も適宜に調節可能である。
従って、処理ユニット配置区域３乃至１１には、何れの処理ユニット１７乃至２３も選択・設置されない区域が含まれていても良い。
また、制御機構２４は、各種用途プロセスに応じたプログラムを選択的に実行することにより、基板搬送ロボット１２及び各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９の動作制御を行う。
すなわち、制御機構２４は、各種用途プロセスに応じた処理順序のデータに基づいて基板搬送ロボット１２による基板搬送順序を制御し、各カセットステーション１、２及び各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９からの基板取り出しや、それらへの基板収納、載置等を所定の順序通りに行わせる。
また、制御機構２４は、各種用途プロセスに応じた処理条件データに基づいて各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９による処理の実行制御を行う。
なお、図５に示す基板処理装置１００は、該基板処理装置１００が備える各処理ユニットによる処理順序を用途に応じて変更可能に構成されている。
他方、図６に示す基板処理装置２００は、該基板処理装置２００が備える各処理ユニットによる処理順序が固定的となっている。
図６に示すように、基板処理装置２００は、カセットＬ１が載置されるカセットステーション１３と、カセットＬ２が載置されるカセットステーション１６と、各種処理ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６及びＵ７が配置される各種処理ユニット配置区域３、４、５、６、７、８及び９と、カセットステーション１３のカセットＬ１から処理ユニット配置区域３の処理ユニットＵ１へ基板を搬送する基板搬送ロボット１４と、処理ユニット配置区域９の処理ユニットＵ７からカセットステーション１６のカセットＬ２へ基板を搬送するための基板搬送ロボット１５と、これら基板搬送ロボット１４，１５による基板搬送と各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９間での基板搬送と各処理ユニットＵ１乃至Ｕ９で実行される処理とを各種の基板処理方法に応じて適宜に制御する制御機構２４と、を備えている。
基板処理装置２００では、各処理ユニットによる処理順序が固定的であり、上流側の処理ユニットから順に（図６の矢印Ａ方向に）連続処理するように構成されている。
基板処理装置２００も、各種処理ユニット配置区域３乃至９に設置される各種処理ユニットＵ１乃至Ｕ７として、図７に示す７種類の処理ユニットのうちの何れか１つずつを、用途プロセスに応じて、選択可能となっている。
また、用途プロセスにおいて必要とされる処理の種類あるいは処理能力に応じて、選択される処理ユニットの数量も適宜に調節可能であり、処理ユニット配置区域３乃至９には、何れの処理ユニット１７乃至２３も選択・設置されない区域が含まれていても良い。
このように、本発明の実施形態に係る基板処理方法の実施に好適な基板処理装置１００、２００は、基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を施すために、基板搬送機構（基板搬送ロボット）とカセット設置部（カセットステーション）の他に、上記７種類の処理ユニットのうちの適宜に選択された処理ユニットを一体的に備えて構成されている。
なお、基板処理装置１００、２００に設置する処理ユニットの数量をそれぞれ９個、７個とした例を図５、図６に示しているが、それらの数量は、用途プロセスの種類や処理能力、コストの観点により適宜に増減させることが可能である。
また、例えば、カセットＬ１及びＬ２の２つのカセットを用いる例を説明したが、必要な処理能力、コストの観点により、カセットの数量は適宜に増減させることができる。
また、基板処理装置１００、２００に備えられる処理ユニットとしては、上記の７種類の処理ユニットの他にも、例えば、微細パターン露光を伴う露光処理ユニット、エッチング（ドライ又はウェット）処理ユニット、レジスト塗布ユニット、および密着強化処理（密着強化剤処理等）ユニット、表面洗浄（ドライ洗浄：ＵＶ光、プラズマ使用等、ウェット洗浄：洗浄液使用等）処理ユニット等を追加することも可能であり、この追加により、更に全体的な処理を効率的に行うことも可能である。
エッチング処理ユニットを備える場合、例えば、有機膜パターンをマスクとして下地膜（例えば、基板表面）のパターン加工（下地膜加工処理）を行うことができる。
ここで、エッチング処理ユニットは、薬液処理ユニット２１において用いる薬液として、下地膜のパターン加工が可能な薬液（すなわち、酸を含むエッチング液またはアルカリを含むエッチング液）を用いることにより、薬液処理ユニット２１で代用することが可能である。
また、処理の均一化の目的のために、基板処理装置は同一の処理ユニットを複数個備えることができ、複数個備えられた同一の処理ユニットにより、それぞれ基板に同一の処理を施すこと、すなわち、同一の処理を流れ作業により複数回繰り返して行うことも可能である。
更に、複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて（例えば、反対向きにして）行うことも可能である。
この場合、基板処理装置は、複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて行う機能を有することが好ましい。このように構成することにより、基板の向きの変更を作業者の手に頼らずに自動的に行うことができる。
あるいは、同一の処理ユニットを１つだけ備える場合には、その一の処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行うことも可能である。
この場合、少なくとも、相互に反対向きの複数方向において、それぞれ基板に対して処理を行うことがより好ましい。これらの場合、基板処理装置は、少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行う機能を有することが好ましい。
あるいは、一の処理ユニットによる処理には、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向（例えば、反対方向）への処理と、が含まれることも好ましい。
この場合、基板処理装置は、少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理として、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、を行う機能を有することが好ましい。
次に、好適な実施形態の例（具体的な基板処理方法の例）について説明する。
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態として、本発明の第一の基板処理方法を以下に説明する。
第１の実施形態に係る基板処理方法は、例えば、（１）有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜（すなわち例えば基板自体）のエッチングを行う場合に、下地膜のエッチング形状をテーパー化（例えば、特許文献１参照）したり、あるいは、エッチング寸法を微細化したり（有機膜パターンの面積拡大あるいはコンタクト孔の微細化の結果としてのエッチング寸法微細化）する目的、（２）有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜のエッチングを行う場合に、少なくとも溶解変形処理前に、下地膜の１回目のエッチングを行い、少なくとも第三の除去処理後の有機膜パターンをマスクとして下地膜の１回目のエッチングをすることにより、下地膜のエッチング形状を２段階形状化したり、下地膜が２層以上の場合に、形状が相互に大きく異なる２種類（異なる層）以上のパターンに形成したり、分離パターンと結合パターン（例えば、特許文献１の図２及び図３参照；隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理を含む）を形成したりする目的、（３）有機膜パターンが絶縁性の場合に、該有機膜パターンを回路パターンの絶縁膜となるように変形させる（基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように有機膜パターンを変形させる）目的などに用いられる。
すなわち、第１の実施形態に係る基板処理方法は、上記（１）乃至（３）の目的の各々において、有機膜パターンを加工する工程に関する。
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ａ）に示すように、第一の基板処理方法においては、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ａ）において破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は、省略することも、追加することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）は、その処理ユニットの温度調整により代用して実施することも可能である。
すなわち、この第一の基板処理方法の変形例としては以下のものがある。
（変形例１）
（１）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（２）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例２）
（１）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（２）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（３）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例３）
（１）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（２）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（３）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（４）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例４）
（１）前記有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理（ステップＳ９）
（２）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（３）前記溶解変形した変形有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（４）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（５）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
更に、前記溶解変形処理（ステップＳ３）の直前に、基板の処理温度を安定させる温度調整処理を追加して行うことも可能である。
このようにこの本発明の第一の基板処理方法においては、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）の実施が必須であり、それ以外の処理は、状況に応じて省略することができる。
ガス雰囲気処理（ステップＳ３）においては、ガス雰囲気処理ユニット２２を用いて基板に対して各種ガス（例えば、有機溶剤を原料として生成する）を暴露することにより、基板上の有機膜パターンを溶解させ変形させる、溶解変形処理を行う。
すなわち、ガス雰囲気処理は、例えば、有機溶剤のガス雰囲気中で行う。
以下、本発明の具体例においては、溶解変形処理は以下の有機溶剤を用いたガス雰囲気処理として行われるため、溶解変形処理とガス雰囲気処理とを同一の処理、または、同一の効果のある処理として扱うものとする。
ここで、ガス雰囲気処理に用いて好適な有機溶剤を、上位概念としての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶剤とに分けて、以下に示す。
なお、Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示すものとする。
（上位概念としての有機溶剤）
・アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
・アルコキシアルコール類
・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・グリコールエーテル類
（下位概念の有機溶剤）
・ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３（ＣＨ２）ＸＯＨ
・イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
・エトキシエタノール
・メトキシアルコール
・長鎖アルキルエステル
・モノエタノールアミン（ＭＥＡ）
・モノエチルアミン
・ジエチルアミン
・トリエチルアミン
・モノイソピルアミン
・ジイソピルアミン
・トリイソピルアミン
・モノブチルアミン
・ジブチルアミン
・トリブチルアミン
・ヒドロキシルアミン
・ジエチルエヒドロキシルアミン
・無水ジエチルエヒドロキシルアミン
・ピリジン
・ピコリン
・アセトン
・アセチルアセトン
・ジオキサン
・酢酸エチル
・酢酸ブチル
・トルエン
・メチルエチルケトン（ＭＥＫ）
・ジエチルケトン
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
・メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）
・ブチルカルビトール
・ｎ−ブチルアセテート（ｎＢＡ）
・ガンマーブチロラクトン
・エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）
・乳酸エチル
・ピルビン酸エチル
・２−ヘプタノン（ＭＡＫ）
・３−メトキシブチルアセテート
・エチレングリコール
・プロピレングリコール
・ブチレングリコール
・エチレングリコールモノエチルエーテル
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル
・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノメチルエーテル
・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・ポリエチレングリコール
・ポリプロレングリコール
・ポリブチレングリコール
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
・プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰ）
・プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
・エチル−３−エトキシプロピオネート（ＦＥＰ）
・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル
・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
・３−メトキシプロピオン酸メチル
・３−エトキシプロピオン酸エチル
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
なお、有機溶剤を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行うのは、有機膜パターンが有機溶剤の浸透により溶解する場合である。
例えば、有機膜パターンが水溶性、酸溶解性またはアルカリ溶解性である場合には、水溶液、酸溶液あるいはアルカリ溶液を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行うことができる。
第二の加熱処理（ステップＳ４）においては、所定の加熱温度（例えば、８０℃乃至１８０℃）に保たれた加熱処理ユニット１８のステージ上に基板を載置して所定時間（例えば、３分乃至５分）保持する。この加熱処理を行うことにより、ガス雰囲気処理において暴露したガスを有機パターン内部により深く浸透させることができるとともに、溶解変形をより確実に進行させることができる。これは、加熱による従来のいわゆる加熱リフローを追加して引き起こさせることでもある。
この加熱リフローは、前記有機膜パターン中に有機溶剤が多量に浸透している状態の方が起こり易く、この第二の加熱処理（ステップＳ４）において行うことは、加熱による加熱リフローのみを引き起こさせる場合に比べて、効果的でもある。
更に、この第二の加熱処理（ステップＳ４）は、次の第三の除去処理（ステップＪ３）を行う前の有機膜パターンの状態を安定化させることに役立つ。
特に、この第三の除去処理（ステップＪ３）が、現像液か、少なくとも現像機能のある薬液を用いた第二薬液処理を少なくとも行う処理である場合には、有機膜パターンの現像処理前のプリベークと同様の機能が発揮され、現像速度を調整することができる。
すなわち、第三の除去処理において、特に、現像液か、少なくとも現像機能のある薬液を用いた第二の薬液処理の場合には、この加熱温度とともに、現像速度が遅くなり、その傾向に基づき、処理時間を適当に調整することにより、有機膜パターンの一部除去（特に、この場合は、現像機能による有機膜パターンの一部除去）の量、程度の目標を制御し易くなる効果がある。
但し、有機膜（特にレジスト膜）の樹脂が架橋反応をおこし、現像速度が急激に低下もしくは現像できなくなる温度以下で行うようにする必要がある。
具体的な温度の例として、有機膜パターンがポジ型光感光性有機膜からなり、主にノボラック樹脂により構成されている場合には、５０乃至１５０℃の温度、最適には、１００乃至１３０℃の温度で行うと、現像速度が緩やかで、有機膜パターンの除去速度、除去量、除去程度を調整することが容易になる。
ここで注意する点として、前記有機膜パターン形成以後であって第二の加熱処理（ステップＳ４）以前に有機膜パターンに行われた加熱処理温度がこの第二の加熱処理（ステップＳ４）における温度より高いと、この第二の加熱処理（ステップＳ４）における温度の調整効果はほぼ無意味になるので、この第二の加熱処理（ステップＳ４）以前の加熱処理は第二の加熱処理（ステップＳ４）における温度以下の温度において実施することが必要である。
次の第三の除去処理（ステップＪ３）は、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）において溶解変形処理させた有機膜パターンのうち、必要以上に溶解変形リフローで面積拡大した有機膜パターン（例えば、レジストパターン）の一部分、すなわち、不必要な薬液溶解リフロー部分を除去する処理である。
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第三の除去処理の具体的な処理方法の例における工程を示すフローチャートである。
第三の除去処理の具体的な処理方法例１としては、図４（ａ）に示すように、第二の薬液処理（現像機能有り又は剥離機能有りの薬液を用いる）のみを実施する。
第三の除去処理の具体的な処理方法例２としては、図４（ｂ）に示すように、アッシング処理のみを実施する。
第三の除去処理の具体的な処理方法例３としては、図４（ｃ）に示すように、第一の薬液処理（後述する有機膜パターンの表面の変質層、堆積層を少なくとも除去する薬液を用いる）と第二の薬液処理とをこの順に実施する。
第三の除去処理の具体的な処理方法例４としては、図４（ｄ）に示すように、アッシング処理と第二の薬液処理とをこの順に実施する。
ここで、前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて基板上の各種膜をエッチングする処理である。
第三の除去処理は、前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を除去する目的を兼ねている場合もある。
この第三の除去処理の具体的な処理方法例１、３、４における前記第一の薬品処理又は前記第二の薬品処理は具体的には以下のような処理である。
（１）前記有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理。
（２）少なくとも有機膜パターンの現像機能をもつ薬液を用いる現像処理。
（３）前記有機膜パターンに対する少なくとも２回目以降の現像処理。
（４）有機膜パターンの現像機能を持たず、有機膜パターンを溶解除去する機能をもつ薬液を用いた薬液処理。
（５）前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する薬液処理。
また、前記第一の薬品処理又は前記第二の薬品処理において使用する薬品としては、例えば、次に掲げるものがある。
（１）剥離液の濃度を薄めることにより得られる薬液。
（２）有機、無機いずれかのアルカリ水溶液。
（３）ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を主成分とするアルカリ水溶液。
（４）ＮａＯＨ又はＣａＯＨの少なくともいずれかを含むアルカリ水溶液。
（５）少なくとも酸性の薬品を含有している薬液。
（６）少なくとも有機溶剤を含有している薬液。
（７）少なくともアルカリ性の薬品。
（８）前記有機溶剤として、少なくともアミン系の材料を含有している薬品。
（９）少なくとも有機溶剤とアミン系の材料とを含有している薬品。
（１０）前記アルカリ水溶液は、少なくともアミン系の材料と水とを含有している薬品。
（１１）少なくともアルカリ性の薬品とアミン系の材料とを含有している薬品。
（１２）前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなる薬品。
（１３）前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が０．０１重量％以上１０重量％以下である薬品。
（１４）前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上５重量％以下である薬品。
（１５）前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が０．０５重量％以上２．０重量％以下である薬品。
（１６）防食剤が添加されている薬品。
上記の薬品または薬液は単独で、または、組み合わせて用いることができる。
但し、前記第一の薬品処理の特徴が、前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する薬液処理であり、前記第二の薬品処理の特徴が、（１）前記有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理、（２）少なくとも有機膜パターンの現像機能をもつ薬液を用いる現像処理、（３）前記有機膜パターンに対する少なくとも２回目以降の現像処理、または（４）有機膜パターンの現像機能を持たず、有機膜パターンを溶解除去する機能をもつ薬液を用いた薬液処理である場合、各薬品処理の特徴、機能を分担して使用することが、本発明における主な利用方法である。
但し、両方の特徴、機能を兼ねたり、両方でその特徴、機能を引き出す場合もあるので、第一の薬品処理または第二の薬品処理の単独処理には限定されない。
具体的な薬品としては、前記第一の薬品処理に用いる薬品は主に（５）から（１５）までの薬品であり、前記第二の薬品処理に用いる薬品は主に（１）から（４）までの薬品である。
但し、両方の特徴、機能を兼ねたり、両方でその特徴、機能を引き出す場合もあるので、その薬品の使用分類に限らない。
第三の加熱処理（ステップＳ８）においては、所定の加熱温度（例えば、８０℃乃至１８０℃）に保たれた加熱処理ユニット１８のステージ上に基板を載置して所定時間（例えば、３分乃至５分）保持する。この加熱処理を行うことにより、第三の除去処理において、有機膜パターンに加えた各種処理（薬液、アッシング）のダメージを回復させるか、現像後のポストベークと同様の有機膜パターンを安定化させる効果がある。
なお、このような第１の実施形態に用いられる基板処理装置は、例えば、各種処理ユニットＵ１乃至Ｕ９又はＵ１乃至Ｕ７として、少なくとも薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８を備える基板処理装置１００又は２００である。
基板処理装置１００の場合には、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８の配置は任意である。
但し、露光処理ユニット１７、アッシング処理ユニット２３、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９及び加熱処理ユニット１８を追加することも可能であり、処理能力に応じて複数個を設置する場合もある。
他方、基板処理装置２００の場合には、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２、加熱処理ユニット１８、温度調整処理ユニット１９、薬液処理ユニット２１及び加熱処理ユニット１８が、この順に、図６の矢印Ａ方向において配置されている必要がある。
但し、露光処理ユニット１７、アッシング処理ユニット２３、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９及び加熱処理ユニット１８を追加することも可能である。
なお、基板処理装置２００において各処理ユニットを処理順に配置する必要があるのは、以下に説明する各基板処理方法においても同様である。
以上のような第１の実施形態によれば、第三の除去処理（ステップＪ３）を行うことにより、必要以上に溶解変形リフローで面積拡大した有機膜パターン（例えば、レジストパターン）の一部分、すなわち、不必要な薬液溶解リフロー部分を除去することができ、最終的な有機膜パターンを目的とするパターン形状に精度良く形成することができる。
すなわち、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）における溶解変形処理では、通常、５乃至２０μｍ（１００μｍ以上も可能）にも及ぶ変形を起こさせることが可能である。しかしながら、レジストの大きな変形故に、ある程度精度の良いパターンが要求される場合、この大きな変形を精度良く制御する必要があった。
また、この有機膜パターンをフォトリソグラフィ工程削減に利用する場合には、チャネル部のソース・ドレイン形成マスク用の有機膜パターン（ここでは、レジストパターン）のうち、特に、チャネル部近傍のソース・ドレインの２つに分離したレジストパターン部分を連結させたレジストパターンに変形させる処理方法として、溶解変形処理を用いていた。
しかしながら、レジストパターンの連結を確実にするためには、薬液溶解リフローを大きくさせた方が良いが、チャネル部以外の配線部などのソース・ドレイン用レジストパターンも大きく溶解変形リフローしてしまっていた。この場合も、溶解変形処理では、面積が拡大する一方向のみの制御であるために、必要以上に面積が拡大しないように処理時間を正確に制御し、変形を精度良く制御する必要があった。
そこで、その逆方向（面積が縮小する方向）の制御技術として用いるのが第三の除去処理（ステップＪ３）である。
この第三の除去処理においては、基板上に形成された有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行った後に、不必要な変形有機膜パターン部分又は必要以上に面積が拡大した変形有機膜パターン部分を、各種方法（第三の除去処理の具体的方法）により、その少なくとも一部を除去する。
これにより、従来の技術においては、溶解変形リフローの面積拡大方向の制御（例として、溶解変形リフロー処理時間の制御）という１つのみの制御手法しかなかったことから、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小という逆方向の２つ目の制御手法を得ることができる。このため、大きな変形をより精度良く制御することが可能になった。
この第三の除去処理を行うことにより、このフォトリソグラフィ工程削減に利用する場合にも、溶解変形処理による薬液溶解リフローを充分大きくした後、溶解変形リフロー後の変形有機膜パターンの除去又は面積縮小により、必要面積に拡大した変形有機膜パターンとし、両方の長所のみを得ることができる。
第三の除去処理において、ウェット処理である第二の薬液処理とドライ処理方法であるアッシング処理とをそれぞれ単独で又は組み合わせて行うことも可能である。
ドライ処理方法であるアッシング処理は大きく２種類に分けられる。
（Ａ１）１つ目は、プラズマ処理以外（紫外線光などの波長の短い光エネルギーや熱を用いたオゾン処理など）の処理である。
プラズマ処理以外のアッシング処理は、対象物（ここでは、有機膜や下地膜等）へのダメージは小さいが、その処理速度は遅い。よって、プラズマ処理以外のアッシング処理は、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）に用いられる程度であり、有機膜表面の一部変質層の除去や、ドライ剥離のような高速な処理を必要とされる場合には、ほとんど用いられることがない。ただし、プラズマ処理以外のアッシング処理であっても、唯一、非常に高温な熱と共にオゾンガス処理するという手法がそのような高速な処理として用いられる場合があるが、その場合には、有機膜が熱硬化し、ウェット剥離できない程の大きな変質化、ダメージを残す問題があるため、これもあまり一般化していない。
（Ａ２）２つ目は、プラズマ処理である。
プラズマ処理は、放電方法に応じて、更に２つの方法に分類される。
（Ａ２−１）第一は、高圧、低パワー、等方性のプラズマ処理である。
（Ａ２−２）第二は、低圧、高パワー、異方性のプラズマ処理の場合である。
これらのプラズマ処理は、どちらも、（Ａ１）の「プラズマ処理以外のアッシング処理」よりも処理速度は速い。
また、（Ａ２−１）の処理よりも（Ａ２−２）の処理の方が処理速度が速い。
このように、プラズマ処理はいずれも処理速度が速いため、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）は短時間の処理で行うことができるとともに、有機膜表面の一部変質層の除去やドライ剥離のような高速な処理にも適用される。
しかしながら、プラズマ処理は、いずれも対象物へのダメージは（Ａ１）の場合よりも大きい。
特に、有機膜表面の一部変質層の除去の目的において従来用いられるドライ処理としては（Ａ１）の処理（プラズマ処理以外の処理）は不充分である。
また、（Ａ２）のプラズマ処理のうち、（Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理によれば、当初の一部変質層は充分に除去することができるが、大きなダメージが残り、有機膜の新たな変質層が大きく形成されることとなるため、この目的に用いることは無意味である。
従って、（Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理が、この目的の場合には最も一般的に用いられる。
しかしながら、特に特許文献１に記載の有機膜パターンの加工処理を行う基板処理方法においては、有機膜パターンに薬液（主に有機溶剤）を浸透させ変形させる処理（溶解変形処理）を均一化する目的で、その溶解変形処理前に有機膜パターン上の一部変質層を除去する場合には、（Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理はあるいは（Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理のいずれを用いても、当初の有機膜の一部変質層の完全な除去と、そのプラズマ処理による新たなダメージに起因して有機膜に微小な変質層が形成され残存してしまうこととを完全に防止することは困難である。
さらに、このようにプラズマ処理により新たに形成され残存する有機膜の微小な変質層でさえも、溶解変形処理の均一性を阻害しているという問題点を本発明者は見出した。
すなわち、特許文献１の技術では、有機膜パターンにプラズマ処理によるダメージと微小な変質層が残る結果として、溶解変形処理の均一性が不十分となるため、該溶解変形処理後に行われる下地膜加工で不良が発生してしまう可能性があった。
このように、従来（特許文献１）の場合にはアッシング処理により行っていた有機膜パターン表面の変質層又は堆積層の除去は、本発明においては、薬液処理すなわちウェット処理により行われる。このため、有機膜パターンあるいは基板に与えるダメージを極力抑制することができる。従って、その後の溶解変形処理や下地膜のエッチングにおいて、不良発生を低減することが可能となる。
第三の除去処理（ステップＪ３）を、前記各種処理方法例１から４から選択する場合には、上記のこと、更に、後述する図１２から図１５の概念を考慮して、選択する。
なお、第二の加熱処理（ステップＳ４）は省略することも可能である。この加熱処理を省略する場合、加熱処理ユニット１８は不要となる。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）における加熱温度が温度調整処理ユニット１９により調温可能な温度範囲であれば、第二の加熱処理（ステップＳ４）は温度調整処理ユニット１９を用いて行うことも可能である。
以下、図２乃至図４の各図において、第二の加熱処理（ステップＳ４）と同様に括弧書きとなっているステップは同様に省略可能であることを意味する。従って、括弧書きとなっているステップに対応する処理ユニットも省略可能であることは、以下に説明する各基板処理方法においても同様である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）の後は、常温付近への温度調整処理（冷却）を行うことが好ましい。
なお、基板処理装置１００においては、同一の処理を複数回行うような基板処理方法（例えば、加熱処理（ステップＳ４）を２回行うような基板処理方法）の場合にも、その処理用の処理ユニットは１つで良いが、基板処理装置２００の場合には、同一の処理を複数回行うには、その回数分の個数の同一処理ユニットが必要である。すなわち、基板処理装置２００の場合、例えば、加熱処理（ステップＳ４）を２回行うには、加熱処理ユニット２２が２つ必要である。このことは、以下に説明する各基板処理方法においても同様である。
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態として、本発明の第二の基板処理方法を以下に説明する。
第２の実施形態に係る基板処理方法は、第１の実施形態に係る基板処理方法と同様の目的（上記（１）乃至（３）の目的）に用いられる。つまり、第２の実施形態に係る基板処理方法は、上記（１）乃至（３）の目的の各々において、有機膜パターンを加工する工程に関する。
図１（ｂ）は、第２の実施形態に係る基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ｂ）に示すように、第２の実施形態に係る基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ｂ）において破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は、省略することも、追加することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）は、その処理ユニットの温度調整により、代用して実施することも可能である。
すなわち、この第二の基板処理方法の変形例としては、次に挙げるものがある。
（変形例１）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（３）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例２）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（３）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（４）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例３）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（３）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（４）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（５）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例４）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理（ステップＳ９）
（３）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（４）溶解変形した変形有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（５）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（６）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
更に、前記溶解変形処理（ステップＳ３）の直前に、基板の処理温度を安定させる温度調整処理を追加して実施することも可能である。
このように、本発明の第二の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）が必須の処理であり、それ以外の処理は、状況に応じて、省略することが可能である。
第一の除去処理（ステップＪ１）は、有機膜パターンの表面（表層部）の変質層の除去、又は、有機膜パターン表面上の堆積層の少なくとも除去を目的とした第一の薬液処理（酸性溶液、アルカリ性溶液、有機溶剤溶液等）とアッシング処理のそれぞれ単独又はそれらを組み合わせた処理であり、薬液処理ユニット２１及びアッシング処理ユニット２３を用いて行われる。
なお、第一の除去処理（ステップＪ１）により、変質層又は堆積層の除去とともに、有機膜パターンに覆われていない基板表面の濡れ性を改善することもできる。
第一の除去処理（ステップＪ１）においては、前記有機膜パターンのうち、有機膜パターンの表面（表層部）の変質層の除去、又は、有機膜パターン表面上の堆積層の少なくとも除去が行われる。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第一の除去処理の具体例における工程を示すフローチャートである。
第一の除去処理の具体例としては、次の３つがある。
第一の除去処理の具体的な処理方法例１としては、図２（ａ）に示すように、第一の薬液処理（後述する有機膜パターンの表面の変質層、堆積層を少なくとも除去する薬液を用いる）のみを実施する。
第一の除去処理の具体的な処理方法例２としては、図２（ｂ）に示すように、アッシング処理のみを実施する。
第一の除去処理の具体的な処理方法例３としては、図２（ｃ）に示すように、アッシング処理と第一の薬液処理をこの順に実施する。
ここで、前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて基板上の各種膜をエッチングする処理である。
また、第一の薬液処理においては、有機膜パターンの表層部の変質層のみ、又は、有機膜パターン表面上の堆積層のみを選択的に除去できるように、その処理時間を設定したり、使用薬液を選択することが好ましい。
このように変質層又は堆積層を除去する結果として、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させたり、堆積層に覆われていた有機膜パターンを露出及び残存させることが可能である。
ここで、第一の除去処理により除去すべき変質層は、有機膜パターンの表層部が、時間放置劣化、熱酸化、熱硬化、デポジション層（堆積層）の付着、酸系エッチング液の使用（ウェットエッチング液処理）、アッシング処理（Ｏ２アッシングなど）、その他ドライエッチングガスの使用（ドライエッチング処理）を要因として、変質して生成されるものが想定される。
すなわち、これらの要因により、有機膜パターンは物理的または化学的ダメージを受けて変質するのであるが、その変質の程度や特性は、ウェットエッチング処理における使用薬液の種類、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、有機膜パターン上における堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類など、各種の生成要因に応じて大きく異なるため、変質層の除去のし易さにも違いが生じる。
また、第一の除去処理により除去すべき堆積層としては、ドライエッチング処理に伴い堆積した堆積層が想定される。
この堆積層の特性も、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などの生成要因に応じて大きく異なるため、堆積層の除去のし易さにも違いが生じる。
従って、第一の薬液処理の時間の長さや、第一の薬液処理で用いる薬液の種類は、変質層又は堆積層の除去し易さに応じて適宜に設定あるいは選択する必要がある。
第一の薬液処理において用いられる薬液としては、例えば、アルカリ性の薬品を含有した薬液、酸性の薬品を含有した薬液、有機溶剤を含有した薬品、有機溶剤とアミン系の材料とを含有した薬液、アルカリ性の薬品とアミン系の材料とを含有した薬液の何れかが用いられる。
ここで、アルカリ性の薬品は、例えば、アミン系の材料と水とを含有してなるものであり、有機溶剤は、例えば、アミン系の材料を含有してなるものである。
更に、第一の薬液処理において用いられる第一の薬液は、防食剤を含有したものであっても良い。
アミン系の材料の具体例としては、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどが挙げられる。
すなわち、薬液は、アミン系の材料を含有する場合、これらの材料のうちの何れか１種を含有していても良いし、何れか複数種を含有していても良い。
なお、第一の薬液は、アミン系の材料を含有する場合、例えば、アミン系の材料を０．０１から１０Ｗｔ％（０．０１重量％以上１０重量％以下）の範囲で含有する水溶液であることが挙げられる。
温度調整処理（ステップＳ２）は、ガス雰囲気処理（ステップ３）の前に予め温度を安定化させる（事前温度安定化）ために行う。
この温度調整処理（ステップＳ２）による安定化温度は、例えば、１０℃乃至５０℃である。
この温度調整処理は、ガス雰囲気処理の処理温度に保たれた温度調整処理ユニット１９のステージ上に基板を載置し、基板温度が該処理温度に達するまで（例えば、３分乃至５分）行う。
なお、これら第一の薬液処理及び温度調整処理は、それぞれ、後のガス雰囲気処理（ステップＳ３）において有機膜パターンにガスを浸透し易くさせ、該ガス雰囲気処理の効率及び質を向上させる効果を奏する。
その他のガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は、前述の本発明の第１の実施形態において述べた本発明の第一の基板処理方法における処理と同じである。
なお、以上のような第２の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、上記第２の実施形態の第二の基板処理方法で記述した処理方法の順序、回数に合わせて、各処理ステップに対応した図７のユニット１７−２３の中から選択し、配置する。その場合に、処理方法により複数の同一種類のユニットを選択し、配置する場合もある。
このような第２の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、前記第１の実施形態の場合に用いられる基板処理装置の構成に対して、処理方法として、第一の除去処理（ステップＪ１）が増えている分の処理ユニット（ここでは、薬液処理ユニット２１やアッシング処理ユニット２３など）を、その具体的な処理方法例に合わせてユニットを選択、追加し設置する必要がある。その他は、前記第１の実施形態の場合に用いられる基板処理装置と同様である。
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態として、本発明の第三の基板処理方法を以下に説明する。
第３の実施形態に係る基板処理方法は、第１の実施形態に係る基板処理方法と同様の目的（上記（１）乃至（３）の目的）に用いられる。つまり、第３の実施形態に係る基板処理方法は、上記（１）乃至（３）の目的の各々において、有機膜パターンを加工する工程に関する。
図１（ｃ）は、第３の実施形態に係る基板処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図１（ｃ）に示すように、第３の実施形態に係る基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、第二の除去処理（ステップＪ２）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
図１（ｃ）において破線の括弧で囲まれている温度調整処理（ステップＳ２）、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は、省略することも、追加することも可能である。
また、第二の加熱処理（ステップＳ４）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）と温度調整処理（ステップＳ２）とは、その処理ユニットの温度調整により、代用して実施することも可能である。
すなわち、この第三の基板処理方法の変形例としては、次に掲げるものがある。
（変形例１）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理（ステップＪ２）
（３）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（４）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例２）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理（ステップＪ２）
（３）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（４）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（５）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例３）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理（ステップＪ２）
（３）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（４）溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（５）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（６）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
（変形例４）
（１）前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理（ステップＪ１）
（２）前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理（ステップＪ２）
（３）前記有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理（ステップＳ９）
（４）前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うガス雰囲気処理（ステップＳ３）
（５）溶解変形した変形有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理（ステップＳ４）
（６）溶解変形した変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理（ステップＪ３）
（７）前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理（ステップＳ８）
をこの順に行う基板処理方法。
さらに、前記溶解変形処理（ステップＳ３）の直前に、基板の処理温度を安定させる温度調整処理を追加して行うことも可能である。
このように、本発明の第三の基板処理方法においては、第一の除去処理（ステップＪ１）、第二の除去処理（ステップＪ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び第三の除去処理（ステップＪ３）が必須の処理であり、それ以外の処理は、状況に応じて省略することができる。
第一の除去処理（ステップＪ１）は、前述の本発明の第２の実施形態に係る第二の基板処理方法における第一の除去処理（ステップＪ１）と同様である。
第二の除去処理（ステップＪ２）は、第一の除去処理（ステップＪ１）において、有機膜パターンのうち、有機膜パターンの表面（表層部）の変質層の除去、又は、有機膜パターン表面上の堆積層の少なくとも除去を行った後に行う処理であり、残存した有機膜パターンの一部を除去する。この残存した有機膜パターンは、ほぼ変質していない有機膜パターンである。
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第二の除去処理の具体例における工程を示すフローチャートである。
第二の除去処理の具体例としては、以下に掲げるものがある。
第二の除去処理の具体的な処理方法例１としては、図３（ａ）に示すように、第二の薬液処理（現像機能有り又は剥離機能有りの薬液を用いる）のみを実施する。
第二の除去処理の具体的な処理方法例２としては、図３（ｂ）に示すように、アッシング処理のみを実施する。
第二の除去処理の具体的な処理方法例３としては、図３（ｃ）に示すように、アッシング処理と第二の薬液処理とをこの順に実施する。
ここで、前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて基板上の各種膜をエッチングする処理である。
この第二の除去処理においては、前記有機膜パターンの表面（表層部）に形成された変質層又は堆積層を除去する目的を兼ねている場合もある。
第二の薬液処理は、前述の本発明の第１の実施形態に係る第一の基板処理方法において述べた第二の薬品処理と同様である。
温度調整処理（ステップＳ２）は、ガス雰囲気処理（ステップ３）の前に予め温度を安定化させる（事前温度安定化）ために行う。
この温度調整処理による安定化温度は、例えば、１０℃乃至５０℃である。
この温度調整処理は、ガス雰囲気処理の処理温度に保たれた温度調整処理ユニット１９のステージ上に基板を載置し、基板温度が該処理温度に達するまで（例えば、３分乃至５分）行う。
その他のガス雰囲気処理（ステップＳ３）、第二の加熱処理（ステップＳ４）、温度調整処理（ステップＳ２）、第三の除去処理（ステップＪ３）及び第三の加熱処理（ステップＳ８）は、前述の本発明の第１の実施形態に係る第一の基板処理方法において述べたそれらの処理と同様である。
なお、このような第３の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、第三の基板処理方法における処理方法の順序、回数に合わせて、各処理ステップに対応した図７のユニット１７−２３の中から選択し、配置する。その場合に、処理方法により複数の同一種類のユニットを選択し、配置する場合もある。
このような第３の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、前記第１の実施形態の場合に用いられる基板処理装置の構成に対して、処理方法として、第一の除去処理（ステップＪ１）と第二の除去処理（ステップＪ２）が増えている分の処理ユニット（ここでは、薬液処理ユニット２１やアッシング処理ユニット２３など）を、その具体的な処理方法例に合わせてユニットを選択、追加し設置する必要がある。その他は、前記第１の実施形態の場合に用いられる基板処理装置と同様である。
ここで、前記第１、第２及び第３の実施形態において、途中で追加して行う露光処理について説明する。
この露光処理は、通常の微細パターンの露光マスクを用いた露光処理の場合と、基板の所望範囲（全面の場合もある）に含まれる有機膜パターンに対して露光処理を施す処理（つまり、例えば、微細パターン露光などとは異なる露光処理：以下では「簡易露光処理」と呼ぶ。）の場合とがある。
簡易露光処理は、簡易露光処理ユニット１７を用いて行う。簡易露光処理において露光する光は、紫外線光（ＵＶ光）、蛍光、自然光あるいはその他の光である。
この簡易露光処理においては、基板の所望範囲（基板全面又は一部；例えば、基板面積の１／１０以上の範囲）に含まれる有機膜パターンに対する露光を行う。
なお、簡易露光処理における露光は、基板の所望範囲に対する一括した露光であっても良いし、あるいは、基板の所望範囲内において露光スポットを走査させることにより該範囲内を隈無く露光させるのであっても良い。
なお、第１、第２及び第３の実施形態においては、最初に有機膜パターンを形成する際の初期露光の後、現像処理を行うまでの間は、基板を無露光（無感光）状態に保っておくことが好ましい。
このように、基板を無露光状態に保つことにより、現像処理の効果を一定化させたり、簡易露光処理での露光量の均一化を図ったりすることができる。基板を無露光状態に保つためには、工程を管理したり、あるいは、無露光状態に保てるように基板処理装置を構成する。
ここで、簡易露光処理は、例えば、以下の何れかの目的の下に実施される。
第一は、簡易露光処理以前においては無感光状態に保たれた基板上の有機膜パターンに対して露光する場合である。
第二は、簡易露光処理以前にある程度露光され（紫外線光、ＵＶ光、蛍光、自然光により露光され、又は、その光の中で長時間放置され）てしまった場合や露光量が不明な場合（露光が不均一な場合や無管理状態の場合）に、露光量を基板全面で実質的に均一化するために基板全面を充分露光したり、あるいは、基板全面への露光を念のために追加する場合である。
ここで、アッシング処理としては、プラズマ放電処理（酸素、又は、酸素及びフッ素の雰囲気中で行う）、紫外線光などの波長の短い光エネルギーを用いた処理、及び、その光
エネルギーあるいは熱を用いたオゾン処理、といったドライ処理がある。
ここでアッシング処理により除去すべき有機膜パターン表面の変質層としては、時間放置劣化、熱酸化、熱硬化、デポジション層（堆積層）の付着、酸系エッチング液の使用（ウェットエッチング処理）、Ｏ２アッシング、その他ドライエッチングガスの使用（ドライエッチング処理）を要因として生成されるものが想定される。
すなわち、これらの要因により、有機膜パターンは物理的または化学的ダメージを受けて変質するのであるが、その変質の程度や特性は、ウェットエッチング処理における使用薬液の種類、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、有機膜パターン上における堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などに応じて大きく異なるため、変質層の除去のし易さにも違いが生じる。
また、アッシング処理により除去すべき有機膜パターン表面の堆積層としては、ドライエッチング処理によるものが想定される。
この堆積層の特性も、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などに応じて大きく異なるため、堆積層の除去のし易さにも違いが生じる。
ドライ処理方法であるアッシング処理は大きく２種類に分けられる。
（Ａ１）第一は、プラズマ処理以外（紫外線光などの波長の短い光エネルギーや、熱を
用いたオゾン処理など）の処理である。
プラズマ処理以外のアッシング処理は、対象物（ここでは、有機膜や下地膜等）へのダメージは小さいが、処理速度は遅い。よって、プラズマ処理以外のアッシング処理は、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）に用いられる程度であり、有機膜表面の変質層の除去や、ドライ剥離のような高速な処理を必要とされる場合には、ほとんど用いられることがない。
ただし、プラズマ処理以外のアッシング処理であっても、唯一、非常に高温な熱と共にオゾンガス処理するという手法が、そのような高速な処理として用いられる場合がある。しかし、この手法には、有機膜が熱硬化し、ウェット剥離できない程の大きな変質化、ダメージを残す問題があるため、これもあまり一般化していない。
（Ａ２）第二は、プラズマ処理である。
プラズマ処理は、放電方法に応じて、更に２つに分類される。
（Ａ２−１）第一は、高圧、低パワー、等方性のプラズマ処理である。
（Ａ２−２）第二は、低圧、高パワー、異方性のプラズマ処理の場合である。
これらのプラズマ処理は、どちらも、（Ａ１）の「プラズマ処理以外のアッシング処理」よりも処理速度は速い。
また、（Ａ２−１）の処理よりも（Ａ２−２）の処理の方が処理速度が速い。
このように、プラズマ処理はいずれも処理速度が速いため、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）は短時間の処理で行うことができるとともに、有機膜表面の変質層の除去や、ドライ剥離のような高速な処理にも適用される。
しかしながら、プラズマ処理は、いずれも対象物へのダメージが（Ａ１）の場合よりも大きい。
特に、有機膜表面の変質層の除去の目的において従来用いられるドライ処理としては、（Ａ１）の処理（プラズマ処理以外の処理）は不充分である。
また、（Ａ２）のプラズマ処理のうち、（Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理によれば、当初の変質層は充分に除去することができるが、大きなダメージが残り有機膜の新たな変質層が大きく形成されることとなる。
従って、（Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理は、有機膜表面の変質層の除去の目的に用いることは無意味である。よって、（Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理がこの目的の場合には最も一般的に用いられる。
しかしながら、特に特許文献１に記載の有機膜パターンの加工処理を行う基板処理方法においては、有機膜パターンに薬液（主に有機溶剤）を浸透させ変形させる処理（溶解変形処理）を均一化する目的で、その溶解変形処理前に有機膜パターン表面の変質層を除去する場合において、（Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理と（Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理のいずれを用いても、有機膜表面の当初の変質層を完全に除去することと、そのプラズマ処理による新たなダメージに起因して有機膜に微小な変質層が形成され残存してしまうこととを完全に防止することは困難である。
さらに、このようにプラズマ処理により新たに形成され残存する有機膜の微小な変質層でさえも、溶解変形処理の均一性を阻害しているという問題点を本発明者は見出した。
すなわち、特許文献１の技術では、有機膜パターンに、プラズマ処理によるダメージと微小な変質層が残る結果として、溶解変形処理の均一性が不十分となるため、該溶解変形処理後に行われる下地膜加工で不良が発生してしまう可能性がある。
特許文献２、３は上記のような問題点を解決するためになされたもので、特許文献１に記載の有機膜パターンの加工処理を改善した基板処理方法であり、有機膜パターンあるいは基板に与えるダメージを抑制することが可能な基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供することを目的としている。
但し、本発明では、この部分の処理については、従属技術としての可能性として、上記のいずれの処理もとり得るものとする。
〔従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の例〕
図１８は、従来の溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の一例の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図と断面図とを示す。
従来の溶解変形リフロー処理を利用したＴＦＴ基板製造工程の削減技術においては、まず、図１８（Ａ）に示すように、以下の各工程が実施される。
まず、ガラス基板上にゲート配線を形成する。
次いで、そのゲート配線を被覆するように層間絶縁膜（例として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜（ＳＩＮｘ）の単層または２層膜）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層、ドレイン配線用メタル膜を積層する。
ここで、オーミックコンタクト層はリン不純物がドープされたｎ型アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層で構成される。
次いで、有機膜（ここでは、例として、レジスト膜）を塗布する。
さらに、露光マスク（この図では、ハーフトーンマスク使用）を用いた露光処理と現像処理により、有機膜（以下「レジスト」と表記）パターンを形成する。ここでは、２段階の膜厚を有するレジストパターンが形成されている。
次いで、図１８（Ｂ）に示すように、前記下地膜をレジストパターンをマスクとして下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）をエッチングする。
このエッチングにより下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）は、ソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線となる。
次いで、図１８（Ｃ）に示すように、第二の除去処理のみか、または、第一の除去処理と第二の除去処理を組み合わせた方法で、少なくとも前記レジストパターンの一部を除去する。
ここでは、２段階の膜厚を有する前記レジストパターンの厚い部分を除去している。
ここでの第一の除去処理及び第二の除去処理においては、前記第３の実施形態、すなわち、本発明の第三の基板処理方法において示した第一の除去処理、第二の除去処理の目的、具体的な処理方法、用いる薬液等と全て同様である。但し、ここでの第二の除去処理は、少なくとも現像機能液を用いた現像処理が主である。
次いで、図１８（Ｄ）に示すように、前記レジストパターンに対して、溶解変形処理（溶解変形リフロー）を行う。
この溶解変形処理は、前述の溶解変形処理と同様であるが、具体的には、前記第１の実施形態、すなわち、本発明の第一の基板処理方法で示したガス雰囲気処理（ステップＳ３）と同様である。
この溶解変形処理により、ソース電極用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを横方向にリフローさせる、ソース用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクと連結させて連結レジストマスクとする。
次いで、図１８（Ｅ）に示すように、前記連結レジストマスクとソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜をエッチング除去して半導体アイランドを形成する。
次いで、図１８（Ｆ）に示すように、前記連結レジストマスクを剥離除去する。
次いで、図１８（Ｇ）に示すように、剥き出しになったソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとして、ソース・ドレイン間のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜のうち少なくともオーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を除去し、少なくとも一部のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を残存させるＣＨ（チャネル）エッチングを行う。
これ以後は省略するが、この後、パッシベーション膜（絶縁膜：通常はプラズマ窒化シリコン膜）を形成し、ソース電極，ドレイン電極上に各々コンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールの底部でソース電極に接続する画素電極、ドレイン電極に接続する端子部電極を形成する。
このようにして、ＴＦＴ基板（これを第一基板とする）を形成し、続いて、前記第１基板の前記半導体アイランド側に前記第１基板と対向する第２基板を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶組成物を充填し、液晶表示装置を製造する。
〔第４の実施形態〕
ここで本発明の第４の実施形態として、従来の溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術に対して、本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第一の例（ハーフトーンマスク露光を用いた場合）を説明する。
図１９は、本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第一の例の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図と断面図とを示す。
本発明の第４の実施の形態としての、溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第一の例（ハーフトーンマスク露光を用いた場合）においては、まず、図１９（Ａ）に示すように、以下の工程が実施される。
まず、ガラス基板上にゲート配線を形成する。
そのゲート配線を被覆するように層間絶縁膜（例として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜（ＳＩＮｘ）の単層または２層膜）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層、ドレイン配線用メタル膜を積層する。
ここで、オーミックコンタクト層はリン不純物がドープされたｎ型アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層で構成される。
有機膜（ここでは、例としてレジスト膜）を塗布する。
露光マスク（この図では、ハーフトーンマスク使用）を用いた露光処理と現像処理により有機膜（以下「レジスト」と表記）パターンを形成する。ここでは、２段階の膜厚を有するレジストパターンが形成されている。
次いで、図１９（Ｂ）に示すように、前記下地膜をレジストパターンをマスクとして下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）をエッチングする。このエッチングにより、下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）は、ソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線となる。
次いで、図１９（Ｃ）に示すように、前記レジストパターンに対して、溶解変形処理（溶解変形リフロー）を行う。
この溶解変形処理は、前述の溶解変形処理と同様であるが、具体的には、前記第１の実施形態、すなわち、本発明の第一の基板処理方法において示したガス雰囲気処理（ステップＳ３）と同様である。
この溶解変形処理により、ソース電極用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを横方向にリフローさせ、ソース用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクと連結させて連結レジストマスクとする。
但し、必要に応じて、この溶解変形処理前に、第一の除去処理を行う場合もある。このときに行う第一の除去処理は、前記第２の実施形態、すなわち、本発明の第二の基板処理方法において示した第一の除去処理と、その目的、具体的な処理方法、用いる薬液等に関して全て同様である。
但し、ここでの第一の除去処理は、少なくともレジストパターン上又はレジストパターンの周囲の変質層又は堆積層を除去することが目的である。薬液の機能も同目的の薬液を用いる処理が主である。
次いで、図１９（Ｄ）に示すように、第二の除去処理のみか、または、第一の除去処理と第二の除去処理とを組み合わせた方法で、少なくとも前記レジストパターンの一部を除去する。
ここでは、２段階の膜厚を有する前記レジストパターンの厚い部分を除去している。
ここでの第一の除去処理及び第二の除去処理は、第３の実施形態、すなわち、本発明の第三の基板処理方法において示した第一の除去処理及び第二の除去処理と、その目的、具体的な処理方法、用いる薬液等に関して、全て同様である。
但し、ここでの第二の除去処理は、少なくとも現像機能液を用いた現像処理が主である。この場合の処理では、主に、溶解変形リフローで面積拡大したレジストパターンの一部分、すなわち、不必要な薬液溶解リフロー部分を除去することができ、最終的な有機膜パターンを目的とするパターン形状に精度良く形成することができる。
次いで、図１９（Ｅ）に示すように、前記連結レジストマスクとソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜をエッチング除去して半導体アイランドを形成する。
次いで、図１９（Ｆ）に示すように、前記連結レジストマスクを剥離除去する。
次いで、図１９（Ｇ）に示すように、剥き出しになったソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとして、ソース・ドレイン間のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜のうち少なくともオーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を除去し、少なくとも一部のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を残存させるＣＨ（チャネル）エッチングを行う。
これ以後は省略するが、この後、パッシベーション膜（絶縁膜：通常はプラズマ窒化シリコン膜）を形成し、ソース電極，ドレイン電極上に各々コンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールの底部でソース電極に接続する画素電極、ドレイン電極に接続する端子部電極を形成する。
このようにして、ＴＦＴ基板（これを第一基板とする）を形成し、続いて、前記第１基板の前記半導体アイランド側に前記第１基板と対向する第２基板を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶組成物を充填し、液晶表示装置を製造する。
なお、ＣＨ（チャネル）エッチングは図１９（Ｂ）のＤ−メタルエッチング後に行うことも可能である。この場合には、図１９（Ｇ）のＣＨ（チャネル）エッチングを省略するか、それまでに汚染されたか、あるいは、変質したＣＨ（チャネル）部の少なくとも一部のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層をわずかにエッチング除去するか、または、表面処理する。
但し、この場合にも、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層の大半は残存させる必要がある。
〔第５の実施形態〕
本発明の第５の実施形態として、従来の溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術に対して、本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第二の例（ハーフトーンマスク露光を用いない、通常の標準マスクの場合）を説明する。
図２０は、本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第二の例の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図と断面図とを示す。
本発明の第５の実施の形態としての、溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第二の例（ハーフトーンマスク露光を用いない、通常の標準マスクの場合）においては、まず、図２０（Ａ）に示す以下の各工程が行われる。
まず、ガラス基板上にゲート配線を形成する。
次いで、そのゲート配線を被覆するように層間絶縁膜（例として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜（ＳＩＮｘ）の単層または２層膜）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層、ドレイン配線用メタル膜を積層する。
ここで、オーミックコンタクト層はリン不純物がドープされたｎ型アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層で構成される。
次いで、有機膜（ここでは、例としてレジスト膜）を塗布する。
露光マスク（この図では、標準マスク使用）を用いた露光処理と現像処理とにより有機膜（以下「レジスト」と表記）パターンを形成する。
次いで、図２０（Ｂ）に示すように、レジストパターンをマスクとして下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）をエッチングする。このエッチングにより下地膜（ここでは、Ｄ−メタル膜）はソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線となる。
次いで、図２０（Ｃ）に示すように、前記レジストパターンに対して、溶解変形処理（溶解変形リフロー）を行う。
この溶解変形処理は、前述の溶解変形処理と同様であるが、具体的には、前記第１の実施形態、すなわち、本発明の第一の基板処理方法で示したガス雰囲気処理（ステップＳ３）と同様である。
この溶解変形処理により、ソース電極用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを横方向にリフローさせ、ソース用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを連結させて連結レジストマスクとする。
但し、必要に応じて、この溶解変形処理前に、第一の除去処理を行う場合もある。このとき行う第一の除去処理は、前記第２の実施形態、すなわち、本発明の第二の基板処理方法において示した第一の除去処理と、その目的、具体的な処理方法、用いる薬液等に関して、全て同様である。
但し、ここでの第一の除去処理は、少なくともレジストパターン上又はレジストパターンの周囲の変質層又は堆積層を除去することが目的である。薬液の機能も同目的の薬液を用いる処理が主である。
次いで、図２０（Ｄ）に示すように、第二の除去処理のみか、または、第一の除去処理と第二の除去処理とを組み合わせた方法で、少なくとも前記レジストパターンの一部を除去する。
ここでは、前記２段階の膜厚を有する前記レジストパターンの厚い部分を除去している。
ここでの第一の除去処理及び第二の除去処理は、前記第３の実施形態、すなわち、本発明の第三の基板処理方法において示した第一の除去処理及び第二の除去処理と、その目的、具体的な処理方法、用いる薬液等に関して、全て同様である。
但し、ここでの第二の除去処理は、少なくとも現像機能液を用いた現像処理が主である。この場合の処理では、主に溶解変形リフローで面積拡大したレジストパターンの一部分、すなわち、不必要な薬液溶解リフロー部分を除去することができ、最終的な有機膜パターンを目的とするパターン形状に精度良く形成することができる。
次いで、図２０（Ｅ）に示すように、前記連結レジストマスクとソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜をエッチング除去して半導体アイランドを形成する。
次いで、図２０（Ｆ）に示すように、前記連結レジストマスクを剥離除去する。
次いで、図２０（Ｇ）に示すように、剥き出しになったソース・ドレイン用電極とソース・ドレイン用配線をマスクとして、ソース・ドレイン間のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、オーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層の半導体膜のうち少なくともオーミックコンタクト（ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を除去し、少なくとも一部のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を残存させるＣＨ（チャネル）エッチングを行う。
これ以後は省略しているが、この後、パッシベーション膜（絶縁膜：通常はプラズマ窒化シリコン膜）を形成し、ソース電極，ドレイン電極上に各々コンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールの底部でソース電極に接続する画素電極、ドレイン電極に接続する端子部電極を形成する。
このようにして、ＴＦＴ基板（これを第一基板とする）を形成し、続いて、前記第１基板の前記半導体アイランド側に前記第１基板と対向する第２基板を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶組成物を充填し、液晶表示装置を製造する。
なお、前記ＣＨ（チャネル）エッチングを図２０（Ｂ）に示したＤ−メタルエッチング後に行うことも可能である。この場合には、ＣＨ（チャネル）エッチングを省略するか、それまでに汚染されたか、または、変質したＣＨ（チャネル）部の少なくとも一部のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層をわずかにエッチング除去するか、または、表面処理する。
但し、この場合にも、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層の大半は残存させる必要がある。
なお、前記第４、５の実施の形態においては、薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極，ドレイン電極およびＤ−メタル膜は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の１層構造、クロムまたはクロム合金の１層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金とクロムまたはクロム合金との２層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金とチタンまたはチタン合金との２層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金と窒化チタンまたは窒化チタン合金との２層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金とモリブデンまたはモリブデン合金との２層構造、クロムまたはクロム合金とモリブデンまたはモリブデン合金との２層構造、クロムまたはクロム合金とアルミニウムまたはアルミニウム合金とクロムまたはクロム合金との３層構造、モリブデンまたはモリブデン合金とアルミニウムまたはアルミニウム合金とモリブデンまたはモリブデン合金との３層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金とモリブデンまたはモリブデン合金とクロムまたはクロム合金との３層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金とモリブデンまたはモリブデン合金とチタンまたはチコン合金との３層構造、アルミニウムまたはアルミニウム合金と窒化チタンまたは窒化チタン合金とチタンまたはチタン合金との三層構造のいずれかから構成されていればよい。
なお、上述の実施形態においては、ガラス基板を用いるようにしたが、これに限るものではなく、ガラス以外の絶縁性の基板を用いることも可能である。
なお、上記実施の形態においては、スタガ型のＴＦＴパターンまでの形成方法を説明したが、本発明のパターン形成方法はこれに限らず、前述したＴＦＴパターンの形成方法のうち、画素電極の下部にカラーフィルタ層または平坦化膜とカラーフィルタ層とを形成したカラーフィルタ付きＴＦＴパターンの形成にも適用することができる。
さらに、上記実施の形態においては、液晶表示装置の中の縦電界駆動型液晶表示装置を例に説明したが、これに限るものではなく、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）などの横電界駆動型液晶表示装置にも適用することができる。
なお、前記第４および第５の実施の形態において説明したパターン形成方法はＴＦＴ基板の製造方法として用いることが可能であり、このうちＴＦＴ基板の例として、液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造方法がある。
また、このＴＦＴ基板作製後のＩＴＯ等の画素電極、配向膜等を形成する前に、絶縁膜、カラー（ＲＧＢ：レッド、グリーン、ブルー）フィルタ層とブラックマトリクス層、透明電極を形成したカラーフィルタまたは単色フィルタを形成し、対向基板との間に液晶を挟み込み封止し、さらに、両基板に偏光フィルタを貼ることにより、液晶表示装置を製造することができる。
なお、ここで用いるレジストマスクの部分的膜厚の制御方法としては、（１）露光工程で使用するレチクルのマスクパターンにおいて遮光部と少なくとも２段階以上の透過光量に制御した半遮光部とが形成され、前記遮光部と半遮光部とがレジスト膜に転写され、前記レジストマスクが形成されるようにする方法、（２）露光工程において２種以上のレチクルマスクを使用し、露光量を少なくとも２段階以上に変化させ露光することにより、前記レジストマスクを形成する方法が例として挙げられる。
ここでは、主にハーフトーンマスクを用いて、前記レジストマスクの部分的膜厚を制御する２段階のレジストパターンを形成したが、これは、遮光部と半透光部を有するレチクルとなっている。この例について詳細に説明する。
第１の例においては、レチクル基板上に、例えば、クロム金属で遮光部と半透光部が形成されている。この半透光部は、露光解像限界以下のクロム金属のパターンで構成される。例えば、パターン幅寸法が露光波長以下である矩形のパターンが所定のピッチで配列されている。あるいは、このような矩形のパターンが格子状に形成されている。
この場合には、上記の露光解像限界以下のクロム金属パターンの形成されている領域では、露光照射光の透過量は２０乃至８０％になるように設定される。このようにして、半透光部が形成される。
第２の例においては、レチクル基板上に、例えば、クロム金属で遮光部が所定のパターンに形成される。そして、半透光部となる領域のクロム金属がエッチングされ、薄膜部が形成される。この場合には、上記のクロム金属の薄膜部が形成されている領域で、露光照射光の半分程度が透過するように設定される。このようにして、半透光部が形成されることになる。
第３の例においては、レチクル基板上に、例えば、クロム金属で遮光部が所定のパターンに形成されている。そして、半透光部は、ハーフトーン部で形成される。ここで、ハーフトーン部は、例えば、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイドなどで形成される。このようにして、半透光部が形成される。
次に、上記の実施形態例における第一、第二、又は第三の除去処理において、その処理目的が前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去することである場合の処理方法、種類の選択に関する指針を説明する。
図１２は、除去処理により除去すべき変質層の成因に応じた変質化の程度を示す図である。なお、図１２においては、変質化の程度をウェット剥離の難易を基準としてレベル分けしている。
図１２に示すように、有機膜表面の変質層の変質化の程度は、有機膜のウェットエッチング処理、ドライエッチング処理、更にドライエッチング処理のうちのプラズマ処理における等方性、異方性の差、有機膜上の堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などに応じて大きく異なる。すなわち、これらの各種パラメータに応じて、有機膜表面の変質層の除去のし易さに違いがある。
薬液処理において用いる薬液としては、酸、アルカリ水溶液及び有機溶剤のうちの何れか１つ、又は、それらの混合液を用いる。
更に具体的な例として、アルカリ水溶液又はアミン類の有機溶剤を混合した水溶液であって、少なくとも１種類のアミン類を０．０１乃至１０ｗｔ％（０．０１重量％以上１０重量％以下）の範囲で含有する薬液を用いる。
アミン類の例としては、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどがある。
但し、変質層の変質化の程度が比較的軽い場合、すなわち、時間放置劣化（放置酸化）、酸系エッチング液、等方性Ｏ２アッシングなどの要因により形成された変質層の場合には、アミン類の濃度は、例えば、０．０５乃至５ｗｔ％（０．０５重量％以上５重量％以下）で良い。
図１７（ａ）は、使用する薬液中のアミン類の含有濃度と有機膜の変質の有無に応じた除去レートとの関係を示すグラフである。
図１７（ａ）に示すように、変質層を選択的に除去し、変質していない有機膜は残存させるためには、前記アミン類の有機溶剤を０．０５乃至２．０ｗｔ％（０．０５重量％以上２．０重量％以下）含有するような水溶液を用いて薬液処理を行うと良い。
なお、前記アミン類の中でも、特に、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどが最適である。
また、添加する防食剤の典型例として、Ｄ−グルコース（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６）、キレート剤、酸化防止剤などがあり、それらを添加することも可能である。
ここで、図１７（ｂ）は、使用する薬液中の成分が（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分を共に含む水溶液において、（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の合計混合含有率（％）と有機膜の変質の有無に応じた除去レートとの関係を示すグラフである。
図１７（ｂ）に示す例においては、（Ａ）剥離機能液成分としてアミン系材料の１つであるヒドロキシルアミンを用い、（Ｂ）現像機能液成分として現像液である水酸化テトラアルキルアンモニウムを用いて混合した場合（各混合比率は各ポイントで異なり、３０から７０％の範囲で変動するが、有機膜全体の剥離性は抑制する必要性から混合比率は最適化）を示している。
図１７（ｂ）に示すように、前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分、（Ｂ）現像機能液成分の各々の成分は同様の機能を持つものであれば、同様の効果を発揮することが可能であることから、前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分としては、溶剤系成分、アミン系成分＋水成分、求核剤成分、還元剤成分、フッ化アンモニウム成分を選択することができ、（Ｂ）現像機能液成分としては、有機アルカリ成分、無機アルカリ成分を選択することができる。
すなわち、本発明において用いる薬液の目的を達するためには、次のいずれかであることを必要とする。
（１）（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分とを含む水溶液であること。
（２）（Ａ）アミン系の材料と（Ｂ）現像機能液成分とを含む水溶液であること。
（３）前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であること。
（４）前記薬液の（Ｂ）現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であること。
（５）前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であり、（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であること。
（６）前記アミン系の材料の含有量が０．２乃至３０％であること。
（７）前記現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であること。
（８）前記アミン系の材料の含有量が０．２乃至３０％であり、現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であること。
（９）前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分の各々の成分が以下に示す成分のうち各々少なくとも一つを含む成分であり、かつ、その（Ａ）及び（Ｂ）成分を共に含むことを特徴とする薬液。
（Ａ）剥離機能液成分
（ａ）溶剤系成分
（ｂ）アミン系成分＋水成分
（ｃ）求核剤成分
（ｄ）還元剤成分
（ｅ）フッ化アンモニウム成分
（Ｂ）現像機能液成分
（ａ）有機アルカリ成分
（ｂ）無機アルカリ成分
図１７（ｂ）の場合においても、アミン類の典型例としては、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどがある。
更に、薬液処理においては、上記のように薬液の種類を適宜に選択するほか、その処理時間の長さを適宜の値に設定することにより、変質層又は堆積層のみを選択的に除去し、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させたり、堆積層に覆われていた有機膜パターンを露出及び残存させたりすることができる。
このような薬液処理を行うことにより、その後の溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）において、該溶解変形処理に用いられる有機溶剤が有機膜パターン内に浸透しやすくなるという効果が得られる。
実際には、有機膜パターンの表面の変質層を上記薬液で処理することにより、変質層に亀裂が入るか、または、変質層の一部又は全部が除去される。これにより、溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）において、有機パターン内への有機溶剤の浸透が変質層によって妨げられてしまうことを回避することが可能となる。
ここで重要な点は、有機膜パターンにおいて変質していない部分は除去あるいは剥離せずに残存させることと、変質層のみを選択的に除去するかあるいは該変質層に亀裂を入れることにより有機膜パターンにおいて変質していない部分への有機溶剤の浸透を容易にすることであり、そのような作用を変質層に対して及ぼすことが可能な薬液を使用する必要がある。
また、例えば、図２（ｂ）、図２（ｃ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図４（ｂ）、図４（ｄ）に示すように、アッシング処理は、有機膜の表面の変質層又は堆積層が強固である場合、有機膜の表面の変質層又は堆積層が厚い場合、フッ素と化合した変質層などのより除去し難い変質層である場合に、薬液処理の前に行うことが好ましい。
このようにアッシング処理と薬液処理とを組み合わせて行うことにより、薬液処理のみでは変質層の除去が困難であるか又は除去に時間がかかるなどの問題点を解消することができる。
図１３は変質層に対してＯ２アッシング（等方性プラズマ）処理のみを施した場合の変質層の変化を示す図であり、図１４は変質層に対して薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）のみを施した場合の変質層の変化を示す図であり、図１５は変質層に対しＯ２アッシング（等方性プラズマ）処理と薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）とを順に施した場合の変質層の変化を示す図である。
なお、図１３乃至図１５においても、図１２と同様に、変質化の程度をウェット剥離の難易を基準としてレベル分けしている。
図１３乃至図１５に示すように、何れの場合にも変質層の除去は可能であるが、図１３に示すＯ２アッシング（等方性プラズマ）処理のみの場合と、図１４に示す薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）のみの場合とを比較すると、処理前の変質層の厚さや性質に応じて、変質層の除去程度が異なる。
すなわち、Ｏ２アッシング（等方性プラズマ）処理は、図１３に示すように、比較的、堆積物の有る変質層の除去に効果があるが、ダメージを残存させてしまうため、堆積物の無い変質層に対して行った場合には、薬液処理のみの場合（図１４）よりも変質層の残存の程度が大きい。
これに対して、薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）は、図１４に示すように、堆積物の有る変質層の除去に対しては効果が小さいが、ダメージを残存させないという特徴があるため、堆積物の無い変質層に対して行った場合には、Ｏ２アッシング（等方性プラズマ）処理のみの場合（図１３）よりも変質層の残存の程度が大きい。
そこで、Ｏ２アッシング（等方性プラズマ）処理と薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）とを順に施した場合（図１５）には、図１３の場合と図１４の場合との双方の長所を取り入れた方法であることが分かる。
すなわち、図１５の場合には、堆積物有りの場合にも、堆積物無しの場合にも、共に効果を発揮するとともに、ダメージの残存を抑制した理想的な態様で変質層を除去できることが分かる。
更に、溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）の均一性をより高めるには、有機パターンの下地膜の領域を表面処理し、濡れ性を高めることが好ましい。
下地膜の濡れ性を高める表面処理は、上記の各実施形態において説明したアッシング処理、すなわち、例えば、酸素ガスプラズマ（Ｏ２プラズマ）あるいはＵＶオゾン処理により行うことが挙げられる。
酸素プラズマ処理は、例えば、Ｏ２流量３００ｓｃｃｍ、処理圧力１００Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗのプラズマ中において１２０秒間行う。
他方、ＵＶオゾン処理は、例えば、１００℃乃至２００℃の基板温度範囲において、オゾンガス雰囲気中でＵＶ光を照射することにより行う。
下地膜の濡れ性を高めるその他の表面処理としては各種プラズマ処理がある。
各種プラズマの典型例としては、フッ素系ガスプラズマ（ＳＦ６ガスプラズマ、ＣＦ４ガスプラズマ、ＣＨＦ３ガスプラズマ等）又はフッ素系ガスと酸素ガスとの混合プラズマ（ＳＦ６／Ｏ２プラズマ、ＣＦ４／Ｏ２プラズマ、ＣＨＦ３／Ｏ２プラズマ等を含む）処理が挙げられる。
これらの処理は、有機パターンで覆われていない下地膜表面の濡れ性を改善する。
従って、これらの処理を行うことによって、溶解変形処理（例えばガス雰囲気処理）により変形する有機パターンが下地膜表面をリフローし易くなる。
ところで、上記のように、各種プラズマ処理、酸素プラズマ処理あるいはＵＶオゾン処理等の前処理は、薬液処理と比べてダメージの残存を招き易い。そこで、各種プラズマ処理、酸素プラズマ処理あるいはＵＶオゾン処理等の前処理の後に更に薬液処理による有機膜の表面の変質層を処理又は除去することにより、下地膜の濡れ性を高めると共に有機膜パターンにダメージを残存させず有機パターン表面の変質層を除去できるので、均一な溶解変形処理を行うことができる。
図１６は溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）の前処理としての除去処理の効果を、本発明の場合の除去処理を行った場合と、従来技術の場合の除去処理を行った場合とに分けてそれぞれ示す模式図である。
図１６（ａ）は基板上３１に有機膜パターン３２が形成された状態を示す。
図１６（ｂ）は、有機膜パターン３２をマスクとして、エッチングにより下地膜（例えば、基板３１の上層部３１ａ）をパターン加工した状態を示す。
図１６（ｃ）は図１６（ｂ）における有機膜パターン３２の拡大図である。
図１６（ｃ）に示すように、有機膜パターン３２の表層部には、例えば、先のエッチングに起因して変質層３２ａが形成されている。従って、有機膜パターン３２において、変質していない正常部３２ｂは変質層３２ａに覆われた状態となっている。
図１６（ｄ）は、本発明の場合の除去処理（例えば、薬液処理のみ）を行った状態を示す。
図１６（ｄ）に示すように、除去処理を行うことにより、有機膜パターン３２の表層部の変質層３２ａは除去される。また、有機膜パターン３２におけるダメージの残存は無い。
図１６（ｅ）は、図１６（ｄ）の除去処理に続いて、溶解変形処理を行った状態を示す。
図１６（ｅ）に示すように、溶解変形処理を行うことにより、有機膜パターン３２を均一に変形させることができ、良好な溶解変形処理を行うことができる。
これに対して、図１６（ｆ）は、従来技術の場合の除去処理（アッシング処理のみ）を行った状態を示す。
図１６（ｆ）に示すように、従来技術の除去処理を行った場合には、元々存在していた有機膜パターン３２の表層部の変質層３２ａは除去されるが、有機膜パターン３２におけるダメージの残存が生じる。
図１６（ｇ）は、図１６（ｆ）に示した従来の除去処理（アッシング処理のみ）に続いて、溶解変形処理を行った状態を示す。
図１６（ｇ）に示すように、先の除去処理によるダメージの残存程度に応じて、溶解変形処理による有機膜パターン３２の変形が均一になることもある。
しかしながら、ダメージの残存が大きい場合には、有機膜パターン３２の変形が不均一になったり、あるいは、有機膜パターン３２が溶解しなかったりするので、良好な溶解変形処理を行うことが困難である。
このように、前記第４及び第５の実施の形態において示したパターン形成方法は、例えば、フラットディスプレイパネルの液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、蛍光表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のアクティブ素子、または、集積回路を備えた基板の製造に適用できるものである。
上記の第４及び第５の実施の形態においては、本発明の適用対象として基板について説明したが、本発明は、これに限らず、全ての液晶表示装置（ＬＣＤ）、すなわち、縦電界型液晶表示装置、横電界型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、ＥＬ表示装置、その他の表示装置、あるいは、その他の半導体装置の製造方法にも適用することができる。
本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 （ａ）は本発明の第３の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートであり、（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の第５の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 基板処理装置の他の一例を模式的に示す平面図である。 基板処理装置に備えられる処理ユニットの選択候補を示す図である。 薬液処理ユニット（あるいは現像処理ユニット）の一例を示す断面図である。 ガス雰囲気処理ユニットの一例を示す断面図である。 ガス雰囲気処理ユニットの他の一例を示す断面図である。 従来の基板処理方法を示すフローチャートである。 除去処理により除去すべき変質層の成因に応じた変質化の程度を示す図である。 変質層に対してアッシング処理のみを施した場合の変質層の変化を示す図である。 変質層に対して薬液処理のみを施した場合の変質層の変化を示す図である。 変質層に対してアッシング処理と薬液処理とをこの順に施した場合の変質層の変化を示す図である。 本発明の場合と従来技術の場合との溶解変形処理による有機膜パターンの変形の違いを示す図である。 薬液処理に使用する薬液中のアミン類の含有濃度と有機膜の変質の有無に応じた除去レートとの関係を示すグラフである。 従来の溶解変形リフロー処理を利用した液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の一例の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図と断面図とを示す。 本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第一の例（ハーフトーンマスク露光を用いた場合）の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図及び断面図である。 本発明の溶解変形リフロー処理と溶解変形後の有機膜パターンの一部を除去する処理による液晶表示装置のＴＦＴ基板製造工程の削減技術の第二の例（ハーフトーンマスク露光を用いない通常の標準マスクの場合）の工程フローとその各工程におけるＴＦＴ素子の平面図及び断面図である。
符号の説明
Ｓ１ 第一の薬液処理
Ｓ２ 温度調整処理
Ｓ３ ガス雰囲気処理（溶解変形処理）
Ｓ４ 第二の加熱処理
Ｓ８ 第三の加熱処理
Ｓ９ 第一の加熱処理
Ｓ５ 第二の薬液処理
Ｓ６ 簡易露光処理（露光処理）
Ｓ７ アッシング処理
Ｊ１ 第一の除去処理
Ｊ２ 第二の除去処理
Ｊ３ 第三の除去処理
１００、２００ 基板処理装置
１、２、１３、１６ カセットステーション
Ｌ１、Ｌ２ カセット
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１ 処理ユニット配置区域
１２、１４、１５ 基板搬送ロボット（基板搬送機構）
２４ 制御機構
１７ 簡易露光処理ユニット
１８ 加熱処理ユニット
１９ 温度調整処理ユニット
２０ 現像処理ユニット
２１ 薬液処理ユニット
２２ ガス雰囲気処理ユニット
２３ アッシング処理ユニット
３０１ 薬液タンク
３０２ チャンバー
３０３ 可動ノズル
３０４ ステージ
３０５ 排出口
５００ 基板
４０１ バブリング容器
４０２ チャンバー
４０３ ガス導入口
４０４ 排気孔
４０５ ステージ
４０６ ガス吹出板
４０７ 攪拌部材

Claims (127)

  1. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  2. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    前記変形有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  3. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  4. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  5. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  6. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  7. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  8. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理と、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  9. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  10. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  11. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    前記変形有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  12. 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、
    前記有機膜パターン加工処理においては、
    前記変形有機膜パターンを加熱する第一の加熱処理と
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する第一の除去処理と、
    前記有機膜パターンの一部を除去する第二の除去処理と、
    前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第二の加熱処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去する第三の除去処理と、
    溶解変形した前記有機膜パターンを加熱する第三の加熱処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  13. 前記溶解変形処理の直前に、前記基板の処理温度を安定させる温度調整処理を追加して行うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  14. 基板上に形成された当初の有機膜パターンは印刷法により形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  15. 基板上に形成された当初の有機膜パターンはフォトリソグラフィ法により形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  16. 基板上に形成された当初の有機膜は光感光性有機膜であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  17. 前記光感光性有機膜はポジ型光感光性有機膜又はネガ型光感光性有機膜であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記ポジ型光感光性有機膜はノボラック樹脂を主成分とするものであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記光感光性有機膜は感光させることによりアルカリ可溶性となるものであることを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  20. 前記第一の除去処理及び前記第二の除去処理の少なくともいずれか一方においては、前記変質層又は前記堆積層のみを選択的に除去することを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  21. 前記第一の除去処理及び前記第二の除去処理の少なくともいずれか一方においては、前記変質層又は前記堆積層を除去し、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  22. 前記第一の除去処理及び前記第二の除去処理の少なくともいずれか一方においては、変質していない有機膜パターンの一部を除去することを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  23. 前記第三の除去処理においては、溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層又は溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を選択的に除去することを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  24. 前記第三の除去処理においては、溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層又は溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層のみを選択的に除去し、溶解変形した前記有機膜パターンを露出及び残存させることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  25. 前記第三の除去処理においては、溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層又は溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を少なくとも除去し、更に、溶解変形した前記有機膜パターンの一部を除去することを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  26. 前記第三の除去処理においては、溶解変形した前記有機膜パターン上の変質層又は堆積層又は溶解変形した前記有機膜パターンの周囲の変質層又は堆積層を選択的に除去し、更に、溶解変形した前記有機膜パターンの一部を除去することを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  27. 前記第一の加熱処理、前記第二の加熱処理及び前記第三の加熱処理の少なくとも一つにより、前記有機膜パターン加工処理以前の処理工程において前記有機膜パターンの内部又は下部に染み込んだ水分、酸またはアルカリ溶液を除去することを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  28. 前記第一の加熱処理、前記第二の加熱処理及び前記第三の加熱処理の少なくとも一つにより、前記有機膜パターンと下地膜または前記基板との密着力が低下している場合に、前記密着力を回復させることを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  29. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理は、前記有機膜パターンの架橋反応を引き起こす温度以下の加熱温度で行うことを特徴とする請求項１乃至２８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  30. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第一の加熱処理までは、前記有機膜パターンの架橋反応を引き起こす温度以下の加熱温度で処理することを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  31. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第二の加熱処理までは、レジスト膜の架橋反応を引き起こす温度以下の加熱温度で処理することを特徴とする請求項１乃至３０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  32. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第三の加熱処理までは、前記有機膜の架橋反応を引き起こす温度以下の加熱温度で処理することを特徴とする請求項１乃至３１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  33. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理、前記第一の加熱処理、第二の加熱処理及び前記第三の加熱処理のいずれも、レジスト膜の架橋反応を引き起こす温度以下の加熱温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  34. 前記加熱処理を５０乃至１５０℃の温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  35. 前記加熱処理を１００乃至１３０℃の温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  36. 前記第一の加熱処理は前記第二の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  37. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第一の加熱処理までは、前記第二の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  38. 前記第二の加熱処理は前記第三の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  39. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第二の加熱処理までは、前記第三の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  40. 前記第一の加熱処理は前記第三の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至３９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  41. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理から前記第一の加熱処理までは、前記第三の加熱処理より低い温度で行うことを特徴とする請求項１乃至４０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  42. 前記有機膜パターンの形成時の加熱処理、前記第一の加熱処理、前記第二の加熱処理及び前記第三の加熱処理を６０乃至３００秒間行うことを特徴とする請求項１乃至４１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  43. 前記変質層は、前記有機膜パターンの表面が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至４２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  44. 前記変質層は、前記有機膜パターンの表面がウェットエッチング液処理により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至４２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  45. 前記変質層は、前記有機膜パターンの表面がドライエッチング又はアッシング処理により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至４２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  46. 前記変質層は、前記有機膜パターンの表面がドライエッチングによるデポジションに伴い変質したものであることを特徴とする請求項１乃至４２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  47. 前記堆積層は前記有機膜パターンの表面上にドライエッチングにより形成されたものであることを特徴とする請求項１又は４２に記載の基板処理方法。
  48. 前記溶解変形処理は前記有機膜パターンの面積を拡大させる処理であることを特徴とする請求項１乃至４７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  49. 前記溶解変形処理は相互に隣設する有機膜パターンを相互に一体化させる処理であることを特徴とする請求項１乃至４７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  50. 前記溶解変形処理は前記有機膜パターンを平坦化させる処理であることを特徴とする請求項１乃至４７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  51. 前記溶解変形処理は、前記基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように前記有機膜パターンを変形させる処理であることを特徴とする請求項１乃至４７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  52. 前記溶解変形処理は前記有機膜パターンに有機溶液を接触させることによる溶解リフローによる変形処理であることを特徴とする請求項１乃至４７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  53. 前記有機溶液は以下に示す有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）のうち少なくとも一つを含む溶液であることを特徴とする請求項５２に記載の基板処理方法。
    ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
    ・アルコキシアルコール類
    ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
    ・エステル類
    ・ケトン類
    ・グリコール類
    ・アルキレングリコール類
    ・グリコールエーテル類
  54. 前記溶解リフローは前記有機溶液の蒸気中にさらすことにより行われることを特徴とする請求項５２叉は５３に記載の基板処理方法。
  55. 前記溶解リフローは前記有機溶液の液中に浸漬することにより行われることを特徴とする請求項５２叉は５３に記載の基板処理方法。
  56. 前記溶解変形処理又は前記溶解リフローは前記有機膜パターンに対して行うガス雰囲気処理であることを特徴とする請求項５２乃至５５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  57. 前記ガス雰囲気処理は前記有機溶液のガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項５６に記載の基板処理方法。
  58. 前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくとも一つの少なくとも一部を前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする請求項１乃至５７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  59. 前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくとも一つの少なくとも一部を前記有機膜パターンに対するアッシング処理により行うことを特徴とする請求項１乃至５８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  60. 前記第三の除去処理を２種類の異なる薬品を用いた２回の薬液処理により行うことを特徴とする請求項１乃至５７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  61. 前記第一の除去処理においては、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第一の薬液処理を行うことを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  62. 前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくとも一つにおいては、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第二の薬液処理を行うことを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  63. 前記第一の除去処理においては、前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第一の薬液処理と、をこの順に行うことを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  64. 前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくとも一つにおいては、前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第二の薬液処理と、を行うことを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  65. 前記第三の除去処理においては、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第一の薬液処理と、前記有機膜パターンに対する薬液を用いた第二の薬液処理と、を行うことを特徴とする請求項１乃至５８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  66. 前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の全てを薬液処理により行うことを特徴とする請求項１乃至５８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  67. 前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて前記基板上の各種膜をエッチングする処理であることを特徴とする請求項５９、６３及び６４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  68. 前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくともいずれかの一つの前において、前記有機膜パターンに対する露光処理を行うことを特徴とする請求項１乃至６７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  69. 前記第一の薬液処理及び前記第二の薬液処理の少なくともいずれか一つの直前において、前記有機膜パターンに対する露光処理を行うことを特徴とする請求項５８乃至６６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  70. 前記溶解変形処理と前記第三の除去処理との間、若しくは、前記溶解変形処理と前記第二の薬液処理との間の少なくともいずれか一つの時点において、前記基板の裏面側から露光する基板裏面露光処理を行うことを特徴とする請求項１乃至６９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  71. 前記露光処理叉は前記基板裏面露光処理は、前記有機膜パターンのうち、前記基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対してのみ行うことを特徴とする請求項６８乃至７０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  72. 前記露光処理叉は前記基板裏面露光処理は、前記基板の所望範囲に対して一括して露光を行う処理、又は、前記所望範囲内において露光スポットを走査させる処理であることを特徴とする請求項６８乃至７０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  73. 前記所望範囲は少なくとも基板面積の１／１０以上の範囲であることを特徴とする請求項７１叉は７２に記載の基板処理方法。
  74. 前記露光処理叉は前記基板裏面露光処理は、紫外線、蛍光及び自然光のうちの少なくとも何れか一つで露光する処理であることを特徴とする請求項５８乃至７３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  75. 前記第一の薬液処理及び前記第二の薬液処理の少なくともいずれか一方は前記有機膜パターンの現像機能を持つ薬液を用いた現像処理であることを特徴とする請求項１乃至７４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  76. 前記第一の薬液処理及び前記第二の薬液処理の少なくともいずれか一方は、前記薬液として、少なくとも前記有機膜パターンの現像機能をもつ薬液を用いる現像処理を含むことを特徴とする請求項１乃至７５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  77. 前記第一の薬液処理及び前記第二の薬液処理の少なくともいずれか一方は、前記有機膜パターンに対する少なくとも２回目以降の現像処理であることを特徴とする請求項１乃至７６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  78. 前記第一の薬液処理及び前記第二の薬液処理の少なくともいずれか一方は、前記有機膜パターンの現像機能を持たず、前記有機膜パターンを溶解除去する機能を持つ薬液を用いた薬液処理により行うことを特徴とする請求項１乃至７７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  79. 前記有機膜パターンの現像機能を持たず、前記有機膜パターンを溶解除去する機能を持つ前記薬液は、剥離液の濃度を薄めることにより得られる薬液であることを特徴とする請求項７８に記載の基板処理方法。
  80. 前記有機膜パターンの現像機能をもつ薬液は、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を主成分とするアルカリ水溶液、又は、無機アルカリ水溶液であることを特徴とする請求項７５叉は７６に記載の基板処理方法。
  81. 前記無機アルカリ水溶液は、ＮａＯＨ又はＣａＯＨであることを特徴とする請求項８０に記載の基板処理方法。
  82. 前記基板上に形成された当初の前記有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至８１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  83. 前記基板上に形成された当初の前記有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターン加工処理における前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくともいずれか一つの処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くすることを特徴とする請求項１乃至８２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  84. 前記基板上に形成された当初の前記有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターン加工処理における前記第一の除去処理、前記第二の除去処理及び前記第三の除去処理の少なくともいずれか一つの処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去することを特徴とする請求項１乃至８３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  85. 前記基板上に当初の前記有機膜パターンを形成して以後、前記有機膜パターン加工処理までの間は前記有機膜パターンを感光させない状態に保つことを特徴とする請求項１乃至８４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  86. 前記基板上に当初の前記有機膜パターンを形成して以後、前記有機膜パターンの露光処理までの間は有機膜パターンを感光させない状態に保つことを特徴とする請求項１乃至８５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  87. 少なくとも前記溶解変形処理による変形前の有機膜パターンをマスクとして当該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする請求項１乃至８６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  88. 前記溶解変形処理、前記第一の除去処理叉は前記第一の加熱処理以前の有機膜パターンをマスクとして当該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする請求項１乃至８７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  89. 前記第二の加熱処理、前記第三の除去処理叉は前記第三の加熱処理以後の有機膜パターンをマスクとして当該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする請求項１乃至８８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  90. 前記有機膜パターン加工処理前の有機膜パターンをマスクとして当該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする請求項１乃至８９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  91. 前記有機膜パターン加工処理後の有機膜パターンをマスクとして当該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする請求項１乃至９０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  92. 前記下地膜加工処理により、前記下地膜をテーパー状又は階段状に加工することを特徴とする請求項８６乃至９１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  93. 前記下地膜は複数層からなる膜であり、前記下地膜加工処理により、前記複数層の膜のうちの何れかを相互に異なるパターン形状に加工することを特徴とする請求項８６乃至９１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  94. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は少なくとも酸性の薬品を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至９３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  95. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は少なくとも有機溶剤を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至９４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  96. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は少なくともアルカリ性の薬品を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至９４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  97. 前記有機溶剤は少なくともアミン系の材料を含有していることを特徴とする請求項９５に記載の基板処理方法。
  98. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は少なくとも有機溶剤とアミン系の材料とを含有するものであることを特徴とする請求項１乃至９５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  99. 前記アルカリ性の薬品は少なくともアミン系の材料と水とを含有していることを特徴とする請求項９６に記載の基板処理方法。
  100. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は、少なくともアルカリ性の薬品とアミン系の材料とを含有していることを特徴とする請求項１乃至９９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  101. 前記アミン系の材料は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソピルアミン、ジイソピルアミン、トリイソピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンのうちの少なくとも何れか１つからなることを特徴とする請求項９７乃至１００のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  102. 前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０１重量％以上１０重量％以下であることを特徴とする請求項９７乃至１０１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  103. 前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０５重量％以上５重量％以下であることを特徴とする請求項９７乃至１０１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  104. 前記薬液における前記アミン系の材料の濃度が、０．０５重量％以上２．０重量％以下であることを特徴とする請求項９７乃至１０１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  105. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理で用いる薬液は防食剤を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至１０４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  106. 前記有機膜パターンは、前記有機膜パターン加工処理をする以前に、当該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜をパターン加工したものであることを特徴とする請求項１乃至１０５に記載の基板処理方法。
  107. 前記有機膜パターンは、前記有機膜パターン加工処理をする以前に、当該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜をパターン加工したものであり、前記有機膜パターン加工処理により再加工された再加工有機膜パターンをマスクとして、下地膜を再度パターン加工することを特徴とする請求項１乃至１０６に記載の基板処理方法。
  108. 前記有機膜パターンは、前記有機膜パターン加工処理の以前に、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理、ドライエッチング処理の少なくともいずれか一つが施された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至１０６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  109. 絶縁破壊耐性の高い配線回路を形成する過程をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１０８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  110. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備える装置の製造方法。
  111. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備える表示装置の製造方法。
  112. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備える半導体装置の製造方法。
  113. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備える液晶表示装置の製造方法。
  114. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備えるＥＬ表示装置の製造方法。
  115. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備えるフィールドエミッション表示装置の製造方法。
  116. 請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施する過程を備えるプラズマ表示装置の製造方法。
  117. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理において用いる薬液が（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分とを共に含む水溶液であることを特徴とする薬液。
  118. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理において用いる薬液が前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を少なくとも除去する薬液であることを特徴とする薬液。
  119. 前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分及び（Ｂ）現像機能液成分の各々が、以下に示す成分のうち各々少なくとも一つを含む成分であることを特徴とする請求項１１７に記載の薬液。
    （Ａ）剥離機能液成分
    ・溶剤系成分
    ・アミン系成分＋水成分
    ・求核剤成分
    ・還元剤成分
    ・フッ化アンモニウム成分
    （Ｂ）現像機能液成分
    ・有機アルカリ成分
    ・無機アルカリ成分
  120. 前記第一の薬液処理又は前記第二の薬液処理において用いる薬液が（Ａ）アミン系の材料と（Ｂ）現像機能液成分とを含む水溶液であることを特徴とする薬液。
  121. 前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１７乃至１１９のいずれか一項に記載の薬液。
  122. 前記薬液の（Ｂ）現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１７乃至１１９のいずれか一項に記載の薬液。
  123. 前記薬液の（Ａ）剥離機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であり、（Ａ）剥離機能液成分と（Ｂ）現像機能液成分との含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１７乃至１１９のいずれか一項に記載の薬液。
  124. 前記アミン系の材料の含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１８乃至１２２のいずれか一項に記載の薬液。
  125. 前記現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１７乃至１２４のいずれか一項に記載の薬液。
  126. 前記アミン系の材料の含有量が０．２乃至３０％であり、前記現像機能液成分の含有量が０．２乃至３０％であることを特徴とする請求項１１９乃至１２５のいずれか一項に記載の薬液。
  127. 請求項１１７乃至請求項１２６のいずれか一項に記載の薬液を用いて基板処理することを特徴とする請求項１乃至１０９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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