JP2007147969A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ソース線によって正反射された光に起因する視認性の低下を防止することが可能な４色の色相を有する電気光学装置等を提供する。
【解決手段】電気光学装置の一例としての液晶装置はＲ、Ｇ、Ｂ及びＣ（シアン）の４色の着色層を用いて構成され色再現範囲が大きくなっている。また、この液晶装置は、４色の着色層を有するカラーフィルタ基板と、アルミニウム等にて形成されたソース線及びソース線の上側に設けられた散乱層とを有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。散乱層は液晶層と屈折率が異なる材料にて形成されている。特に、ソース線と平面的に重なる散乱層の表面は凹部及び凸部を有する曲面形状に形成されているので、屈折率の相異なる、液晶層と凸部との間に凹レンズが形成され、これにより、ソース線にて正反射された正反射光を拡散させることができる。よって、ぎらついた表示状態となるのを防止できる結果、当該ソース線にて正反射された光により視認性が低下するのを防止できる。
【選択図】図５

Description

本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置等に関する。

従来より、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。

そのような電気光学装置の一例としての液晶装置は、一般的に、ソース線、ゲート線、及び画素電極等を有する素子基板と、着色層、遮光層及び共通電極を有するカラーフィルタ基板との間に液晶層が挟持された構成を有する。

この種の構成を有する透過型の液晶装置において、観察側にカラーフィルタ基板が配置されると共に観察側と反対側に素子基板が配置され、さらに、ソース線が、チタン、モリブデン、アルミニウム等の金属材料により形成されている場合、液晶の駆動時に観察側から入射した外光がソース線によって正反射されることにより、ぎらついた表示となり視認性が低下してしまうという問題がある。

そこで、このような不具合を解消するために、かかる透過型の液晶装置では、カラーフィルタ基板側において、ソース線に対応する位置に遮光性を有する遮光層を設けたり、或いは、光を拡散させる機能を有する偏光板を設けたりしている。

なお、この種の構成を有する液晶装置として、例えば、アルミニウム等の材料により形成されるソースバス配線（ソース線に相当）のほぼ全面を覆うように絶縁層を形成し、その絶縁層の全表面を滑らかな凹凸面に形成することで、反射光強度を向上させて輝度を向上させることが可能な反射型液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。

なお、この種のカラー表示型の液晶装置では、一般的に、原色系の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応する色層が画素電極毎に配置されている。かかる液晶装置では、その各色に対応する画素電極毎に階調に応じた電圧を印加して、各画素電極の透過率を調整することにより複雑な中間色を表示することが可能となっている。さらに、近年では、そのような原色系のＲ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素に加え、補色系のシアン（Ｃ）の色のサブ画素を備えることで広範な色を表示することが可能な画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献２を参照）。

特開平６−３４２１５３号公報 特開２００１−３０６０２３号公報

しかしながら、上記のような、カラーフィルタ基板側のソース線に対応する位置に遮光性を有する遮光層を設けてなる液晶装置の製造過程において、素子基板とカラーフィルタ基板との貼り合せ時に位置ずれが生じて、遮光層の一部と画素電極の一部とが重なってしまったような場合には、開口率の低下は避けられないという問題がある。

また、上記の液晶装置において、光を拡散させる機能を有する偏光板を設けた場合には、ソース線からの正反射光を拡散させることができるため、ぎらついた表示状態となるのを抑制できるという利点を有するものの、そのような偏光板は、通常、液晶パネルの全面に亘って配置されるので、本来、光を拡散させたくない場所、即ち有効表示領域内におけるソース線以外の場所でも光が拡散してしまい、透過特性が低下して、ぼやけた表示の液晶パネルになってしまうという問題がある。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、ソース線によって正反射された光に起因する視認性の低下を防止することが可能な４色の色相を有する電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の１つの観点では、電気光学装置は、電気光学層を挟持する一対の基板を備え、前記一対の基板のうち一方の基板は、配線と、前記配線の上側に設けられ、前記配線と平面的に重なる表面に凹部及び凸部を有するとともに、前記配線で反射された光を散乱させるための散乱層と、を有する。

上記の電気光学装置は、電気光学層を挟持する一対の基板を備えている。好適な例では、前記一方の基板は観察側と反対側（以下、「背面側」と称す）に配置されていると共に、他方の基板は前記観察側に配置されている。

特に、この電気光学装置では、一対の基板のうち一方の基板は、例えばソース線などの配線と、その配線の上側に設けられ、その配線と平面的に重なる表面に凹部及び凸部を有するとともに、その配線で反射された光を散乱させるための散乱層と、を有する。好適な例では、配線はアルミニウムなどの反射性を有する材料にて形成することができる。また、散乱層は、電気光学層と屈折率の異なる絶縁層とすることができる。例えば、散乱層は、約１.４９の屈折率を有するアクリル樹脂とすることができる。

よって、散乱層の表面に形成された凸部により、配線で反射された光が散乱層を透過することにより散乱され、その散乱された光は観察側へ出射される。これにより、ぎらついた表示状態となるのを防止できる結果、当該配線に起因して視認性が低下するのを防止できる。

例えば、散乱層の表面が電気光学層と接する構成を有する電気光学装置では、その使用時、観察側から背面側に外光が入射する場合、まず、外光は電気光学層を通過して、散乱層の下側に設けられた配線にて正反射され、その正反射された正反射光は、散乱層の凸部と電気光学層との間に形成される凹レンズの作用により、当該凸部において屈折して拡散し、その拡散光は、上記と逆の経路を辿って最終的に観察側へ出射する。つまり、かかる作用により、配線にて正反射された正反射光を拡散させることができる。これにより、ぎらついた表示状態となるのを防止できる結果、当該配線に起因して視認性が低下するのを防止できる。

また、このような構造を適用すれば、他方の基板の配線に対応する位置に遮光性を有するＢＭを設ける必要がなくなるので、開口率が低下するのを防止できる。即ち、他方の基板の配線に対応する位置にＢＭを設けた場合に（比較例）、万が一、一方の基板と他方の基板との貼り合せ時に位置ずれが生じて、ＢＭの一部と表示領域の一部とが重なってしまったような場合には、開口率の低下は避けられないが、上記の構造によれば、そのような位置にＢＭを設けていないので、かかる不具合が生じるのを防止できる。また、この電気光学装置を透過型表示モードに設定したような場合、偏光板に光を拡散させる機能を付加する必要がなくなるので、表示領域内における配線以外の部分において不必要に光を拡散させるのを防止でき、透過特性が低下するのを防止できる。

好適な例では、前記凹部及び前記凸部は、前記配線の延在方向又は前記配線の延在方向と交差する方向に交互に且つ周期的に形成されているのが好ましい。または、前記凹部又は前記凸部は行列状に設けられているのが好ましい。

上記の電気光学装置の一つの態様では、前記散乱層は当該散乱層の表面側に設けられた上層を有し、前記散乱層と前記散乱層の前記上層とは屈折率が異なり、前記配線で反射された光は、前記散乱層を透過して、前記上層に入射する際に屈折して散乱される。

この態様では、散乱層は、当該散乱層の表面側に設けられた上層（例えば、配向膜や平坦化膜など）を有する。このため、散乱層の表面に形成された凹部及び凸部を反映するように、上層の表面にも凹部及び凸部が形成される。また、散乱層と、その散乱層の上層とは屈折率が異なり、配線で反射された光は、当該散乱層を透過して、当該上層に入射する際に屈折して散乱され、その散乱光は観察側へと出射される。これにより、ぎらついた表示状態となるのを防止できる結果、当該配線に起因して視認性が低下するのを防止できる。

上記の電気光学装置の他の態様では、前記散乱層は絶縁層による多層構造をなし、前記電気光学層側に位置する前記絶縁膜の表面には前記凹部及び前記凸部が設けられている。

この態様では、散乱層は絶縁層による多層構造をなしている。そして、電気光学層側に位置する絶縁層の表面には凹部及び凸部が設けられている。これにより、この電気光学装置の製造過程において、複数層の絶縁層のうち、電気光学層側に位置する絶縁層以外の１又は複数の絶縁層を土台として、当該電気光学層側に位置する絶縁層の表面に対してのみ１度の露光を実施することにより凹部及び凸部を安定的に形成することができ且つ製造工程も簡略化することが可能となる。
上記の電気光学装置の他の態様では、複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、前記配線は相隣接する前記サブ画素の間に設けられている。

この態様では、複数のサブ画素により構成される単位画素を備えている。そして、配線は相隣接するサブ画素の間に設けられているので、上記の比較例のような不具合が生じるのを防止できる。

上記の電気光学装置の他の態様では、前記配線はソース線であり、前記ソース線は、前記散乱層の前記凹部及び前記凸部と平面的に重なる位置に設けられた第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の近傍位置に設けられ、補助容量を形成する補助容量部を有し、前記補助容量部及び前記第２部分を遮光する位置に遮光層を有し、前記第２部分の上側に位置する前記散乱層には前記凹部及び前記凸部が設けられていない。

この態様では、前記配線はソース線とすることができる。そして、ソース線は、散乱層の凹部及び凸部と平面的に重なる位置に設けられた第１部分と、第２部分とを有して構成される。このため、散乱層の凸部は、第１部分にて反射された光を散乱させることができる。また、ソース線の要素である第２部分の近傍位置には、補助容量を形成する補助容量部を有する。これにより、画素容量に補助容量が付加されるため、表示品質の向上を図ることができる。また、補助容量部及び第２部分を遮光する位置に遮光層を有し、第２部分の上側に位置する散乱層には凹部及び凸部を設けない構成とすることができる。かかる構成によれば、第２部分にて正反射された光は遮光層により遮光されるため、その反射光が表示品質に悪影響を与えるのを防止できる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶装置に適用したものである。

本実施形態は、本発明を、１画素が４色の色相の着色領域を有する透過型の液晶装置に適用したものである。ここで、４色の色相の着色領域は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）の各色相の着色領域を有する。

（液晶装置の構成）
まず、図１及び図２を参照して、本発明の実施形態に係る液晶装置１００の構成等について説明する。

図１は、本実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、紙面手前側（観察側）にカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側（観察側と反対側）に素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１では、紙面縦方向（列方向）をＹ方向と、また、紙面横方向（行方向）をＸ方向と規定する。また、図１において、４色の各着色層６に対応する領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、それら４つのサブ画素領域ＳＧにより構成される１行４列の画素配列は、１つの画素領域ＡＧを示している。なお、以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ内に存在する１つの表示領域を「サブ画素」と称し、また、１つの画素領域ＡＧ内に対応する表示領域を「１画素」と称する。

液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５の内側に、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。かかる液晶層４は、後述する散乱層２５の屈折率と異なる液晶材料にて形成されている。この液晶層４の屈折率は、例えば、約１.６０に設定されている。ここで、「液晶の屈折率」とは、液晶の異常光屈折率をｎ_ｏとし、常光屈折率をｎ_eとした場合のｎ_ｏとｎ_eとの平均値と定義する。

液晶装置１００は、４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層６を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、透過型表示のみを行う透過型の液晶装置である。

まず、素子基板９１の平面構成について説明する。素子基板９１の内面上には、主として、複数のソース線３２、複数のゲート線３３、複数の補助容量線３４、複数のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、複数の画素電極１０、ドライバＩＣ４０、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４１などが形成若しくは実装されている。

図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、ドライバＩＣ４０が実装されている。ドライバＩＣ４０の入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣ４１と電気的に接続されている。ＦＰＣ４１の一端側は、図示しない電子機器と接続されている。

各ソース線３２は、Ｙ方向に延在するように且つＸ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ソース線３２の一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。

各ゲート線３３は、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配線３３ａの終端部からＸ方向に且つ後述する有効表示領域Ｖ内に延在するように形成された第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２と交差する方向、即ちＸ方向に延在するように且つＹ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ドライバＩＣ４０の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。

各補助容量線３４は、ゲート線３３の第２配線３３ｂと同方向に延在するように設けられ、且つ、Ｙ方向に相隣接する、ゲート線３３の第２配線３３ｂの間に設けられている。

各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置付近に対応して設けられている。そして、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各画素電極１０は、各サブ画素領域ＳＧ内に設けられている。

１つの画素領域ＡＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８となっている。

次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。カラーフィルタ基板９２は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層６、及び共通電極８などを備える。

４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層は、赤（Ｒ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｒと、緑（Ｇ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｇと、青（Ｂ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｂと、シアン（Ｃ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｃと、を備えている。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。ＢＭは、後述する各補助容量部７０、各ゲート線３３の第２配線３ｂ及び各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び補助容量部７０（図３及び図４を参照）に対応する位置などに形成されている。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの透明導電材料からなり、シール材５の内側の領域に略一面に亘って形成されている。共通電極８は、シール材５の隅の領域Ｅ１において配線１５の一端側と電気的に接続されていると共に、当該配線１５の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する出力端子（接地用端子）と電気的に接続されている。

以上の構成を有する液晶装置１００は、図２に示すような等価回路を有し、その駆動時に次のようにして動作を行う。

まず、画像信号を供給するソース線３２はα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のソース電極３２ｘ（図３及び図４を参照）に繋がっており、画素電極１０は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３７（図３及び図４を参照）に接続されている。そして、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のゲート電極３３ｘ（図３及び図４を参照）にはゲート線３３が繋がっており、スイッチング素子であるα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、ソース線３２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。この画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、或いは、相隣接する複数のゲート線３２同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ゲート信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、ゲート線３３に所定のタイミングでパルス的に、この順に線順次で印加される。

画素電極１０を介して液晶層４に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、カラーフィルタ基板９２に設けられた共通電極８（図４を参照）との間で一定期間保持される。そして、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１０と共通電極８との間に形成される液晶容量Ｃｌｃと並列に、前述の補助容量線３４等にて構成される補助容量部７０（図３及び図４を参照）の補助容量Ｃｓを付加する。このようにして、例えば画素電極１０の電圧は、補助容量部７０の補助容量Ｃｓによりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持され、保持特性はさらに改善され、コントラスト比を向上させることができる。以上のようにして、この液晶装置１００では、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４内の液晶分子の配向状態が制御されることとなる。これにより、有効表示領域Ｖ内において所望の画像を表示することができる。

（画素構成）
次に、図３及び図４を参照して、本実施形態に係る画素構成について説明する。

図３は、カラーフィルタ基板９２を透視した状態で、当該カラーフィルタ基板９２側から素子基板９１側を平面視したときの１画素分に対応する液晶装置１００の部分平面図である。図４は、図２における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、具体的には液晶装置１００における１画素内の一部分を通る位置で切断した部分断面図である。

まず、素子基板９１における画素構成について説明する。

下側基板１の内面上には、複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４が夫々Ｘ方向に延在するように設けられている。複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４は、遮光性を有する導電材料、例えばアルミニウム、モリブデン、クロム或いはこれらの合金等の導電材料にて形成されているのが好ましい。本実施形態では、複数のゲート線３３は、上記の導電材料による多層構造をなしている。これは、素子基板９１の製造過程において生じる温度変化によって、ゲート線３３を含む各種の配線の剥離等が起こらないようにするために多層構造としているものである。各第２配線３３ｂは、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて設けられている一方、補助容量線３４は、その相隣接する第２配線３３ｂの間に且つ当該各第２配線３３ｂのうち一方の第２配線３３ｂ側の近傍位置に設けられている。各第２配線３３ｂは、サブ画素毎にゲート電極３３ｘを有し、後述する他の要素と共にα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する。補助容量線３４は、サブ画素毎に、その一部を幅広とすることにより形成された補助容量電極３４ｘを有する。

下側基板１、各第２配線３３ｂ及び各補助容量電極３４ｘ等の内面上には、窒化シリコンなどの透明樹脂材料よりなるゲート絶縁膜５０が設けられている。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、各ゲート電極３３ｘに対応する位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する、α−Ｓｉ層３６が島状に設けられている。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２がＹ方向に延在するように設けられている。

各ソース線３２は、アルミニウム等の導電材料にて形成され、第１部分３２ａ、第２部分３２ｂ及びソース電極３２ｘを有する。各ソース線３２において、各第１部分３２ａは、Ｘ方向に相隣接する画素電極１０の間に設けられていると共に、各第２部分３２ｂは、Ｘ方向に相隣接する補助容量部７０の間に設けられている。各第２部分３２ｂの線幅（Ｘ方向の長さ）は、各第１部分３２ａの線幅（Ｘ方向の長さ）より相対的に小さくなるように形成されている。このように、第２部分３２ｂの線幅を第１部分３２ａの線幅より小さくしている理由は、第２部分３２ｂと補助容量電極３４ｘとの間において表示品質に悪影響を与える寄生容量が生じるのを防止するためである。また、各ソース電極３２ｘは、第１部分３２ａの一端側から各α−Ｓｉ層３６側に分岐してなる。各ソース電極３２ｘは、各α−Ｓｉ層３６と部分的に重なっており、その両者は電気的に接続されている。補助容量部７０に位置するゲート絶縁膜５０、及び各α−Ｓｉ層３６等の内面上には、例えばソース線３２と同一の材料により形成されたドレイン電極３７が設けられている。このため、ドレイン電極３７の一端側は、各α−Ｓｉ層３６と電気的に接続されている。こうして、各ゲート線３３の第２配線３３ｂと各ソース線３２との交差位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１が形成されている。そして、α−Ｓｉ層３６とゲート電極３３ｘとの間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする素子容量Ｃｔｆｔが形成されている。一方、各補助容量電極３４ｘとドレイン電極３７との間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする補助容量Ｃｓが形成されている。なお、本明細書中では、補助容量Ｃｓが形成されている領域を「補助容量部７０」と称する。

ゲート絶縁膜５０、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、及び各補助容量電極３４ｘの内面上には、例えば無機絶縁材料よりなる保護絶縁膜５１が設けられている。保護絶縁膜５１は、各補助容量電極３４ｘに対応する位置にコンタクトホール５１ａを有する。このため、各補助容量部７０に対応するドレイン電極３７の内面上には保護絶縁膜５１が設けられていない。保護絶縁膜５１の内面上には、例えば有機絶縁材料よりなる層間絶縁膜５２が設けられている。層間絶縁膜５２は、補助容量部７０に対応する位置にコンタクトホール５２ａを有する。

層間絶縁膜５２及び各補助容量部７０に対応するドレイン電極３７の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧに対応する位置には、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる画素電極１０が設けられている。このため、各画素電極１０は、コンタクトホール５１ａ及び５２ａを夫々通じて、各補助容量部７０に位置するドレイン電極３７と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜５２及び画素電極１０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１９が設けられている。また、下側基板１の外面上には、偏光板１１が設けられている。偏光板１１の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。

次に、上記の素子基板９１の画素構成に対応するカラーフィルタ基板９２の構成について説明する。

上側基板２の内面上であって、各補助容量部７０、各ゲート線３３の第２配線３３ｂ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、各ソース線３２の一部及び各補助容量部７０の各々と重なる位置には遮光性を有するＢＭが設けられている。ＢＭ及び上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、着色層６Ｒ、着色層６Ｇ、着色層６Ｂ及び着色層６Ｃが設けられている。ここで、１画素に着目した場合、各着色層６の配列順序は、Ｘ方向に向かって、着色層６Ｒ、着色層６Ｇ、着色層６Ｂ、着色層６Ｃに設定されている。各着色層６の内面上には、画素電極１０と同一の材料よりなる共通電極８が設けられている。共通電極８の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１８が設けられている。また、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置されている。

上記した画素構成を有する、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とはシール材５（図１を参照）を介して対向しており、その両基板の間にはＴＮ型の液晶が封入されて液晶層４が形成されている。また、この液晶装置１００では、素子基板９１に設けられた配向膜１９と、カラーフィルタ基板９２に設けられた配向膜１８との間であって、且つ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と各補助容量部７０との間に設けられたスペーサ３９によって液晶層４の厚さが一定の厚さに規定されている。

以上の構成を有する液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図４に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及びＲ、Ｇ、Ｂ、Ｃの各着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その各着色層６を通過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。特に、この液晶装置１００は、原色系のＲ、Ｇ、Ｂの３色に加え、補色系のＣの１色を用いて構成されているので、人間の視感度が高いＧの色の光の輝度の低下が抑制され、また、後述の国際照明委員会（ＣＩＥ）のｘｙ色度図において、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色にて構成される液晶装置と比較して、色再現範囲（色度域）が大きくなっており、高演色表示を実現することが可能となっている。

（ソース線からの正反射光に起因する視認性低下の防止構造）
次に、図３及び図５を参照して、本発明の実施形態に係るソース線３２からの正反射光に起因する視認性低下の防止構造について説明する。

上記したように、ソース線３２ａは、一般にアルミニウム等の導電材料により形成されることが多い。この点、本実施形態でも、ソース線３２は鏡面性を有し光を正反射する性質を有するアルミニウムにより形成されている。このため、以下に述べるような問題が生じる。即ち、観察側から液晶装置内に外光が進入する場合、まず、外光は観察側に位置する偏光板を通過することにより直線偏光になり、かかる直線偏光はさらに液晶層を通過して反射性を有するソース線によって正反射され、さらにその正反射光は、その逆の経路を辿って観察側へと出射する。かかる作用により液晶装置を屋外で使用したような場合には、その正反射光によってぎらついた表示になってしまい、視認性が低下してしまうという問題がある。このような、ソース線からの正反射光による視認性の低下を防止する方法としては、例えば、カラーフィルタ基板側において、ソース線に対応する位置に遮光性を有するＢＭを設ける（以下、「比較例１」と称す）、或いは、カラーフィルタ基板に設けられる偏光板に光を拡散させる機能を付加する（以下、「比較例２」と称す）等の方法が考えられる。

しかしながら、比較例１に係る方法を適用した場合、万が一、カラーフィルタ基板と素子基板との貼り合せ時に位置ずれが生じ、ＢＭの一部が画素電極の一部と重なってしまったような場合には、開口率が低下してしまうという新たな問題が生じ得る。一方、比較例２に係る方法を適用した場合、光拡散性を有する偏光板（例えば、拡散フィルムを貼り付けた偏光板など）がソース線からの正反射光を拡散させることができるため、ぎらついた表示状態となるのを抑制できるという利点を有するものの、そのような偏光板は、通常、液晶パネルの全面に亘って配置されるので、本来、光を拡散させたくない場所、即ち有効表示領域Ｖ内におけるソース線以外の場所でも光が拡散してしまい、透過特性が低下して、ぼやけた表示の液晶パネルになってしまうという欠点を有する。

そこで、これらの問題を解消するため、本発明の実施形態では、光を正反射する性質を有するソース線３２の上側に対応する位置に光を拡散させる構造を形成する。

具体的には、本実施形態では、ソース線３２の上側に、上記の液晶層４と異なる屈折率を有する散乱層２５を設け、その散乱層２５の表面を凹凸状の曲面形状に形成する。なお、本実施形態では、散乱層２５は、絶縁層１７と、その絶縁層１７の上側に設けられた上層としての配向膜１９と、を有して構成されている。好適な例では、散乱層２５は、約１.４９の屈折率を有するアクリル樹脂にて形成されているのが好ましい。これにより、上記のようにしてソース線３２にて正反射された光は、当該凹凸状の曲面形状を有する散乱層２５と液晶層４との屈折率の差により、その正反射光を適度に散乱させることができ、視認性の低下が生じるのを防止できる。この点について、以下に詳述する。

まず、図５の断面構成について説明する。図５は、図３における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った部分断面図であり、１つのソース線３２の一部分を通る位置で切断した部分断面図である。

図５において、下側基板１上には、ゲート絶縁膜５０が形成されていると共に、ゲート絶縁膜５０上には、第１部分３２ａ及び第２部分３２ｂを含むソース線３２が形成されている。ソース線３２上には、保護絶縁膜５１が形成されている。保護絶縁膜５１上には、アクリル樹脂からなる散乱層２５の一要素たる絶縁層１７が形成されている。上記したように、本実施形態では、絶縁層１７は、例えばアクリル樹脂にて形成されており、当該絶縁層１７の屈折率（例えば、約１．４９）と、液晶層４の屈折率（例えば、約１．６０）とは異なっている。少なくとも、ソース線３２の第１部分３２ａに位置する絶縁層１７の表面は、光を拡散させる機能を有する凹凸状の曲面形状に形成されている。言い換えれば、絶縁層１７の表面は、凹部１７ａ及び凸部１７ｂを有する曲面形状に形成されている。凹部１７ａ及び凸部１７ｂは、図３にも示されるように、ソース線３２の延在方向に交互に且つ周期的に配置されている。絶縁層１７上には、当該絶縁層１７と共に散乱層２５を構成する配向膜１９が形成されている。このため、凹凸状の曲面形状に形成された絶縁層１７上に設けられた配向膜１９は、その凹凸形状を反映した形状に形成されている。即ち、配向膜１９は、絶縁層１７の凹部１７ａ及び凸部１７ｂに対応する位置に凹部１９ａ及び凸部１９ｂを有する。このため、凹部１９ａ及び凸部１９ｂは、図３にも示されるように、ソース線３２の延在方向に交互に且つ周期的に配置されている。また、配向膜１９は、絶縁層１７と同一の材料、例えばアクリル樹脂等により形成されており、絶縁層１７の屈折率と、配向膜１９の屈折率は同じ値に設定されている。一方、上側基板２上であって、ソース線３２の第２部分３２ｂに対応する位置には遮光性を有するＢＭが形成されているが、ソース線３２の第１部分３２ａに対応する位置には当該ＢＭは形成されていない。上側基板２及びＢＭ上には、着色層６が形成されている。着色層６上には共通電極８が形成されていると共に、共通電極８上には配向膜１８が形成されている。そして、かかる部分に対応する、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とは液晶層４を介して対向配置されている。

以上の構成を有する本実施形態では、上記のように、少なくとも、ソース線３２の要素である第１部分３２ａの上側に液晶層４と屈折率の異なる、絶縁層１７及び配向膜１９を含む散乱層２５が設けられ、さらに、その散乱層２５の表面は凹凸状の曲面形状に形成されている。また、上記したように絶縁層１７の屈折率と、配向膜１９の屈折率とは同一の値に設定されている。このため、液晶層４と、散乱層２５の凸部１７ｂ及び１９ｂとの間に凹レンズ８０（破線領域Ｅ１０の部分）が形成され、これにより、次のような作用効果を生じる。

即ち、この液晶装置１００の使用時に、図５において観察側から背面側に外光Ｌ１が入射する場合、まず、外光Ｌ１は偏光板１２を通過することにより直線偏光Ｌ２となり、その直線偏光Ｌ２は、さらに液晶層４、配向膜１９及び絶縁膜１７を有する散乱層２５等を通過して、その散乱層２５の下側に設けられたソース線３２の第１部分３２ａにて正反射され、その正反射された光Ｌ２は、屈折率の相異なる、散乱層２５のの凸部１７ｂ及び１９ｂと液晶層４との間に形成される凹レンズ８０の作用により当該凸部１７ｂ及び１９ｂにおいて屈折して拡散し、その拡散光Ｌ３は、上記と逆の経路を辿り最終的に観察側へ出射する。つまり、かかる作用により、ソース線３２にて正反射された光を拡散させることができる。これにより、ぎらついた表示状態となるのを防止できる結果、ソース線３２に起因して視認性が低下するのを防止できる。また、このような構造を適用すれば、上記した比較例１のようにＢＭを設ける必要がなくなるので開口率が低下するのを防止できると共に、上記した比較例２のように偏光板に光を拡散させる機能を付加する必要がなくなるので、有効表示領域Ｖ内におけるソース線３２以外の部分において不必要に光を拡散させるのを防止でき、透過特性が低下するのを防止できる。

なお、本実施形態では、ソース線３２の第２部分３２ｂの上側に位置する散乱層２５の表面は意図的に凹凸状の曲面形状を形成していない。これは、当該第２部分３２ｂは、補助容量部７０に近いこともあり、当該補助容量部７０と共にＢＭによって遮光されるため、その位置では、上記したような問題は生じないからである。つまり、この場合、ソース線３２の第２部分３２ｂにより正反射された光はＢＭによって遮光されるため、その正反射光が表示品質に悪影響を与えるのを防止できる。

好適な例では、凹部１７ａ及び凸部１７ｂ、並びに、凹部１９ａ及び凸部１９ｂは、ソース線３２の延在方向に交互に且つ周期的に設けているのが好ましい。また、本発明では、これに代えて、図６（ａ）に示すように、凹部１７ａ及び凸部１７ｂ並びに凹部１９ａ及び凸部１９ｂを、ソース線３２の延在方向と同方向に延在するように形成し、さらに、凹部１７ａと凸部１７ｂとを、また、凹部１９ａと凸部１９ｂとを、それぞれ、ソース線３２の延在方向と交差する方向に交互に且つ周期的に設けるようにしても構わない。また、これに代えて、本発明では、図６（ｂ）に示すように、凹部１７ａ及び凹部１９ａを行列状に設けて、絶縁層１７の表面上の各凹部１７ａ以外の部分及び配向膜１９の表面上の各凹部１９ａ以外の部分を、それぞれ凸部１７ｂ及び凸部１９ｂとなるように形成しても構わない。また、その逆に、本発明では、図６（ｂ）において、凸部１７ｂ及び凸部１９ｂを行列状に設けて、絶縁層１７の表面上の各凸部１７ｂ以外の部分及び配向膜１９の表面上の各凸部１９ｂ以外の部分を、それぞれ凹部１７ａ及び凹部１９ａとなるように形成しても構わない。ここで、図６（ａ）及び図６（ｂ）は、それぞれ図３における１つのソース線３２の部分に対応する平面図を示している。即ち、本発明では、凹部１７ａ及び１９ａ並びに凸部１７ｂ及び１９ｂの形状や、ソース線３２に対する凹部１７ａ及び１９ａ並びに凸部１７ｂ及び１９ｂの配置等は上記のものに限定されず、それらは、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。

［液晶装置の製造方法］
次に、図７乃至図１０並びに上記した適当な図を参照して、本発明の液晶装置の製造方法について説明する。なお、以下では、本発明の特徴的な部分の製造について詳述し、その他の部分の製造については簡略化して説明する。

図７は、本発明の液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図８は、本発明の凹凸状の曲面形状を有する散乱層２５の形成方法を示すフローチャートである。図９〜図１０は、図８に対応する各製造工程図であり、当該各製造工程図は、図５の素子基板９１の部分断面図に対応している。

本発明の液晶装置の製造方法では、図７に示すように、工程Ｐ１〜工程Ｐ１１を経て素子基板９１が作製されると共に、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２５を経てカラーフィルタ基板９２が作製され、さらに、工程Ｐ３１〜工程Ｐ３４を経て本発明の液晶装置が製造される。特に、本発明の液晶装置の製造方法では、工程Ｐ６及び工程Ｐ９において、散乱層２５に凹部及び凸部を有する曲面形状が形成される点、具体的には、絶縁層１７の表面に凹部１７ａ及び凸部１７ｂを有する曲面形状が形成されると共に、配向膜１９に凹部１９ａ及び凸部１９ｂを有する曲面形状が形成される点に特徴を有している。なお、本発明では、素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の作製順序に特に限定はない。

まず、図３及び図４等を参照して、上記した素子基板９１を作製する方法について説明する。

まず、ガラスや石英等の絶縁性を有する下側基板１上に、ゲート電極３３ｘを含むゲート線３３、及び、補助容量電極３４ｘを含む補助容量線３４等を作製する（工程Ｐ１）。次いで、ゲート線３３及び補助容量線３４並びに下側基板１の上に絶縁性及び透明性を有するゲート絶縁膜５０を形成する（工程Ｐ２）。次いで、ゲート絶縁膜５０上に、半導体層としてのα−Ｓｉ層を形成し、それをパターニングすることにより、ゲート電極３３ｘと平面的に重なる位置に島状のα−Ｓｉ層３６を形成する（工程Ｐ３）。次いで、ゲート絶縁膜５０等の上に、第１部分３２ａ、第１部分３２ａより線幅の小さい第２部分３２ｂ、及びソース電極３２ｘを含むソース線３２、並びにドレイン電極３７を形成する（工程Ｐ４）。このとき、ソース電極３２ｘ及びドレイン電極３７は、それぞれα−Ｓｉ層５２の一部上に且つ一定の間隔をおいて形成する。これにより、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１が形成されるべき位置にα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１が作製されると共に、ゲート電極３３ｘとドレイン電極３７とが平面的に重なる位置にゲート絶縁膜５０を誘電体とする補助容量Ｃｓを有する補助容量部７０が形成される。次いで、ソース線３２、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及びドレイン電極３７等の上に、絶縁性及び透明性を有する保護絶縁膜５１を形成する（工程Ｐ５）。また、このとき、補助容量部７０に対応する位置にコンタクトホール５１ａを形成する。次に、図５に示すように、少なくとも、ソース線３２上に、絶縁性及び透明性を有し且つ感光剤を含むアクリル樹脂等からなり、上記した散乱層２５の要素となる絶縁層１７を形成する。このとき、ソース線３２の要素である第１部分３２ａに位置する絶縁層１７の表面にのみ凹凸状の曲面形状を形成する。

ここで、図８乃至図１０を参照して、本発明の特徴をなす凹凸状の曲面形状を有する絶縁層１７の形成方法の一例について説明する。

まず、図９（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜５０上の一面に亘って、感光剤を含むアクリル樹脂１７ｚを塗布する（工程Ｐ４１）。次いで、図９（ｂ）に示すように、面積階調型の多階調露光マスク９０を用いて露光を実施する（工程Ｐ４２）。ここで、面積階調型の多階調露光マスク９０は、露光装置の特性である露光解像限界よりも小さい遮光パターンの集合によって透過光量が異なる複数の領域を形成してなる面積階調マスクである。例えば、露光装置の解像限界が３μｍである場合に、直径が１μｍの複数の遮光パターンを１μｍの間隔で集合させて遮光領域を形成するような態様が考えられる。露光解像限界よりも小さい遮光パターンは、例えば、Ｃｒ（クロム）によって形成することができる。図９（ｂ）では、複数の遮光パターンの集合の密度を高くして完全遮光領域Ａ２（二点鎖線にて囲まれた部分）を形成し、また、複数の遮光パターンの集合の密度を低くして部分光透過領域Ａ１（ハッチングの部分）を形成し、さらに、複数の遮光パターンを形成しないことによって完全光透過領域（図９では図示を省略）を形成している。

以上の構成を有する面積階調型の多階調露光マスク９０を通じて、アクリル樹脂１７ｚへ一定量の露光光Ｌｘを照射すると、鎖線で示す潜像がそのアクリル樹脂１７ｚの中に形成される。この潜像のうち完全遮光領域Ａ２に対応する部分は露光光Ｌｘを受けないので、これに対応するアクリル樹脂１７ｚの部分は除去されずそのままの高さで残る。また、潜像のうち部分光遮光領域Ａ１に対応する部分は露光光Ｌｘのうちの一部光量を受けることにより、完全遮光領域Ａ２に対応する部分よりも低い潜像が形成される部分（破線にて示す略半円状の部分）である。なお、図９（ｂ）では図示を省略しているが、潜像のうち完全光透過領域に対応する部分は露光光Ｌｘが十分に照射されてアクリル樹脂１７ｚが完全に除去される部分である。

上記のようにして潜像が形成された後に現像処理を実施することによって（工程Ｐ４３）、露光によって光分解した部分が除去されて、図１０に示すように潜像が顕在化する。こうして、ソース線３２の要素である第１部分３２ａに対応する位置に凹部１７ａ及び凸部１７ｂの曲面形状を有する絶縁層１７が形成されると共に、ソース線３２の要素である第２部分３２ｂ等に対応する位置に略平坦性を有する絶縁層１７が形成される。このとき、本製造方法では、図３に示すように、凹部１７ａ及び凸部１７ｂを、ソース線３２の延在方向に交互に且つ周期的に配置されるように形成することができる。また、これに代え、本製造方法では、図６（ａ）に示すように、凹部１７ａ及び凸部１７ｂを、ソース線３２の延在方向と同方向に延在するように形成し、さらに、凹部１７ａと凸部１７ｂとを、ソース線３２の延在方向と交差する方向に交互に且つ周期的に配置するように形成しても構わない。また、これに代え、本製造方法では、図６（ｂ）に示すように、凹部１７ａが行列状の配置となるように形成して、その各凹部１７ａ以外の、絶縁層１７の表面上の部分が凸部１７ｂとなるように形成しても構わない。または、これと逆に、本製造方法では、図６（ｂ）において、凸部１７ｂを行列状の配置となるように形成して、その各凸部１７ｂ以外の、絶縁層１７の表面上の部分が凹部１７ａとなるように形成しても構わない。なお、本製造方法では、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、凹部１７ａ及び凸部１７ｂの形状や、ソース線３２に対する凹部１７ａ及び凸部１７ｂの配置等を自由に変えることができる。

なお、本発明では、絶縁層１７の表面に凹凸状の曲面形状を形成するためのマスクは、上記した面積階調型の多階調露光マスク９０に限定されない。即ち、本発明では、凹凸状の曲面形状を形成用の第１のマスク及び第２のマスクを用いて２度露光を実施することにより、或いは、ハーフトーン型の多階調マスクを用いることにより、絶縁層１７の表面に凹凸状の曲面形状を形成するようにしても構わない。ここで、後者の「ハーフトーン型の多階調マスク」とは、ガラス等の透光性材料によって形成された基板上に部分光透過パターンを設けることによって形成される。この部分光透過パターンは、光を減衰して透過させる材料を基板上に塗布した後、その材料を光描画によって所定パターンに形成したものである。光を減衰して透過させる材料としては、例えばモリブデンシリサイドを用いることができる。

図４及び図７に戻り、保護絶縁膜５１等の上に、絶縁性及び透明性を有し且つ感光剤を含むアクリル樹脂やシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜５２を形成する（工程Ｐ７）。また、このとき、コンタクトホール５１ａに対応する位置にコンタクトホール５２ａを形成する。次いで、層間絶縁膜５２上であって、各サブ画素領域ＳＧ内に対応する位置に、ＩＴＯ等の透明導電材料よりなる画素電極１０を形成する（工程Ｐ８）。これにより、画素電極１０は、コンタクトホール５１ａ及び５２ａを通じてドレイン電極３７と電気的に接続される。次いで、図５に示すように、凹部１７ａ及び凸部１７ｂを有する絶縁層１７の上及び画素電極１０等の上に、絶縁層１７と共に散乱層２５を構成する、例えば絶縁層１７と屈折率が同一の材料よりなる配向膜１９を形成し（工程Ｐ９）、その配向膜１９にラビング処理を施す（工程Ｐ１０）。このとき、凹部１７ａ及び凸部１７ｂが形成された絶縁層１７上に位置する配向膜１９は、その凹部１７ａ及び凸部１７ｂを反映した形状に形成される。即ち、配向膜１９は、凹部１７ａ及び凸部１７ｂに対応する位置に凹部１９ａ及び凸部１９ｂを有する。こうして、凹部１７ａ及び凸部１７ｂを有する絶縁層１７、並びに、凹部１９ａ及び凸部１９ｂを有する配向膜１９を有する、本発明の特徴をなす散乱層２５が形成される。次いで、ディスペンサーやスクリーン印刷等により、有効表示領域Ｖを囲むように枠状のシール材５を形成する（工程Ｐ１１）。なお、このとき、シール材５の所定の位置には液晶を注入するための開口が設けられる。こうして、図４等に示される素子基板９１が作製される。

次に、図３及び図４等を参照して、上記したカラーフィルタ基板９２を作製する方法について説明する。

まず、下側基板１と同一の大きさ及び材料よりなる上側基板２上であって、ソース線３２の要素である第２部分３２ｂ及びソース電極３２ｘ、ゲート線３３の第２配線３３ｂ、並びに補助容量部７０の各々に対応する位置等に遮光性を有するＢＭを形成する（工程Ｐ２１）。次いで、ＢＭ及び上側基板２の上であって、各サブ画素領域ＳＧに対応する位置に、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色の着色層６をその配列順序で形成する（工程Ｐ２２）。次いで、各着色層６上の略一面に亘って、ＩＴＯ等の透明導電材料よりなる共通電極８を形成し（工程Ｐ２３）、続いて、共通電極８上にポリイミド樹脂等よりなる配向膜１８を形成し（工程Ｐ２４）、その配向膜１８にラビング処理を施す（工程Ｐ２５）。こうして、図４等に示されるカラーフィルタ基板９２が製造される。

次に、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを適切な位置に位置決めした状態で、その両者を枠状のシール材５を介して貼り合せる（工程Ｐ３１）。次に、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを圧着した状態でシール材５の硬化特性に応じて光照射処理や加熱処理等を施すことによりシール材５を硬化させる（工程Ｐ３２）。次いで、シール材５に設けられた各開口（図示しない各液晶注入口）を通じて、上記の散乱層２５と屈折率の異なる液晶を注入し、当該各開口に封止材を塗布して硬化させることにより液晶を封入する（工程Ｐ３３）。次いで、図１に示す素子基板９１の張り出し領域３６にドライバＩＣ４０を実装し（工程Ｐ３４）、さらに、偏光板１１及び１２、並びにバックライト１５等を取り付ける（工程Ｐ３４）。こうして、本発明の液晶装置１００が製造される。

［他の実施形態］
上記の説明では、４色の色相の着色領域として、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色の色相の着色領域の一例を挙げて説明したが、本発明の適用はこれには限定されず、他の４色の色相の着色領域により１画素を構成することもできる。

この場合、４色の色相の着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）のうち、青系の色相の着色領域（「第１着色領域」とも呼ぶ。）、赤系の色相の着色領域（「第２着色領域」とも呼ぶ。）と、青から黄までの色相の中で選択された２種の色相の着色領域（「第３着色領域」、「第４着色領域」とも呼ぶ。）からなる。ここで「系」との語を用いているが、例えば青系であれば純粋の青の色相に限定されるものでなく、青紫や青緑等を含むものである。赤系の色相であれば、赤に限定されるものでなく橙を含む。また、これら着色領域は単一の着色層で構成されても良いし、複数の異なる色相の着色層を重ねて構成されても良い。また、これら着色領域は色相で述べているが、当該色相は、彩度、明度を適宜変更し、色を設定し得るものである。

具体的な色相の範囲は、
・青系の色相の着色領域は、青紫から青緑であり、より好ましくは藍から青である。
・赤系の色相の着色領域は、橙から赤である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、青から緑であり、より好ましくは青緑から緑である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、緑から橙であり、より好ましくは緑から黄である。もしくは緑から黄緑である。

ここで、各着色領域は、同じ色相を用いることはない。例えば、青から黄までの色相で選択される２つの着色領域で緑系の色相を用いる場合は、他方は一方の緑に対して青系もしくは黄緑系の色相を用いる。

これにより、従来のＲＧＢの着色領域よりも広範囲の色再現性を実現することができる。

他の具体的な例として、着色領域を透過する波長で表現すると以下のようになる。
・青系の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが４１５〜５００ｎｍにある着色領域、好ましくは、４３５〜４８５ｎｍにある着色領域である。
・赤系の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが６００ｎｍ以上にある着色領域で、好ましくは、６０５ｎｍ以上にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色領域で、好ましくは、４９５〜５２０ｎｍにある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが５００〜５９０ｎｍにある着色領域、好ましくは５１０〜５８５ｎｍにある着色領域、もしくは５３０〜５６５ｎｍにある着色領域である。

この波長は、透過表示の場合は、照明装置としてのバックライト１５からの照明光がカラーフィルタ（着色層）を通して得られた数値である。反射表示の場合は、外光を反射して得られた数値である。
他の具体的な例として、ｘ、ｙ色度図で表現すると以下のようになる。
・青系の着色領域は、ｘ≦0.151、ｙ≦0.200にある着色領域であり、好ましくは、0.134≦ｘ≦0.151、0.034≦ｙ≦0.200にある着色領域である。
・赤系の着色領域は、0.520≦ｘ、ｙ≦0.360にある着色領域であり、好ましくは、0.550≦ｘ≦0.690、0.210≦ｙ≦0.360にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、ｘ≦0.200、0.210≦ｙにある着色領域であり、好ましくは、0.080≦ｘ≦0.200、0.210≦ｙ≦0.759にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、0.257≦ｘ、0.450≦ｙにある着色領域であり、好ましくは、0.257≦ｘ≦0.520、0.450≦ｙ≦0.720にある着色領域である。

このｘ、ｙ色度図は、透過表示の場合は、照明装置としてのバックライト１５からの照明光がカラーフィルタ（着色層）を通して得られた数値である。反射表示の場合は、外光を反射して得られた数値である。

これら４色の着色領域は、１つのサブ画素領域ＳＧに透過領域と反射領域を備えた場合、透過領域及び反射領域も上述した範囲で適用することができるものである。

なお、バックライト１５にはＲＧＢの光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）、蛍光管、有機ＥＬ（organic electroluminescence）などを用いても良い。または白色光源を用いても良い。なお、白色光源は青の発光体とYAG蛍光体により生成される白色光源でもよい。

但し、ＲＧＢ光源としては、以下のものが好ましい。
・Ｂは発光する光の波長のピークが４３５ｎｍ〜４８５ｎｍにあるもの
・Ｇは発光する光の波長のピークが５２０ｎｍ〜５４５ｎｍにあるもの
・Ｒは発光する光の波長のピークが６１０ｎｍ〜６５０ｎｍにあるもの
そして、ＲＧＢ光源の波長によって、上記した着色層を適切に選定すればより広範囲の色再現性を得ることができる。また、波長が例えば、４５０ｎｍと５６５ｎｍにピークがくるような、複数のピークを持つ光源を用いても良い。

上記の４色の色相の着色領域の構成の例としては、具体的には以下のものが挙げられる。
・色相が、赤、青、緑、シアン（青緑）の着色領域。これは、上記の各実施形態の構成例である。
・色相が、赤、青、緑、黄の着色領域
・色相が、赤、青、深緑、黄の着色領域
・色相が、赤、青、エメラルド、黄の着色領域
・色相が、赤、青、深緑、黄緑の着色領域
・色相が、赤、青緑、深緑、黄緑の着色領域
［変形例］
上記の実施形態では、ソース線３２の上側に対応する位置に散乱層２５を一層のみ設け、さらに、ソース線３２の第１部分３２ａと平面的に重なる散乱層２５の表面を凹部及び凸部を有する曲面形状に形成した。これに限らず、本発明では、散乱層２５を絶縁層による２層構造としても構わない。即ち、この場合、例えば、まず、ソース線３２の上側に対応する位置に平坦性を有する一層目の絶縁層１７を形成し、さらに、その絶縁層１７上に２層目の絶縁層１７を形成すると共に、ソース線３２と平面的に重なる部分以外の２層目の絶縁層１７を除去すると共に、ソース線３２の第１部分３２ａと平面的に重なる２層目の絶縁層１７の表面を凹凸状の曲面形状を有するようにして、散乱層２５を形成するようにしても構わない。この場合、２層目の絶縁層１７の表面に対してのみ１度の露光を実施することにより、当該散２層目の絶縁層１７の凹部及び凸部を安定的に形成することができ且つ製造工程も簡略化できるという利点を有する。また、上記同様の効果を得るため、本発明では、ソース線３２の上側に重なるように設けられる散乱層２５は、絶縁層による２層以上の多層構造となっていても構わない。また、上記同様の効果を得るため、本発明では、１種類の材料よりなる絶縁膜にて当該多層構造を形成するのではなく、屈折率の夫々異なる絶縁膜にて当該多層構造を形成するようにしても構わない。

また、上記の実施形態では、散乱層２５を構成する、絶縁層１７と配向膜１９とをそれぞれ屈折率が同一の材料により形成したが、これに限らず、本発明では、絶縁層１７と配向膜１９とを夫々屈折率の異なる材料により形成しても構わない。かかる構成及びその作用効果について、図１１（ａ）を参照して説明する。

図１１（ａ）は、図５の破線領域Ｅ１１に対応する素子基板の部分断面図である。なお、図１１（ａ）では、説明に必要な最小限の要素のみ図示している。

図１１（ａ）において、散乱層２５を構成する、絶縁層１７と配向膜１９は屈折率の異なる材料により形成されている。このため、かかる構成を有する液晶装置では、その使用時、まず、観察側から偏光板１２を通じて液晶層４内に入射された直線偏光Ｌ２は、反射性を有するソース線３２の第１部分３２ａにて正反射される。そして、その正反射された反射光は、凹レンズ８０の作用により、絶縁層１７の凸部１７ｂを透過して配向膜１９に入射するときに当該絶縁層１７と当該配向膜１９の界面で屈折し、さらに、その屈折した光は、配向膜１９の凸部１９ｂを透過して液晶層４に入射するときに当該配向膜１９と当該液晶層４の界面で再び屈折し、その屈折した光は拡散光Ｌ３となって観察側へと出射する。これにより、上記の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、かかる構成では、実質的に散乱される方（屈折率の大きい方、即ち、屈折率差の大きい方）の界面が絶縁層１７の表面になっている。

また、本発明では、図１１（ｂ）に示すように、上記の実施形態を若干変更してなる態様、具体的には、凹部ａ及び凸部１７ｂを有する絶縁層１７の内面上に、平坦性を有し且つ絶縁層１７と屈折率の異なる絶縁材料よりなる平坦化層２０を形成し、また、その平坦化層２０の内面上に、当該平坦化層２０と屈折率が同一の絶縁材料よりなる配向膜１９を形成して構成される散乱層２５を有する態様でも、上記の実施形態と略同様の作用効果を得ることができる。即ち、かかる態様では、絶縁層１７、平坦化層２０及び配向膜１９により散乱層２５が形成されている。このとき、好適な例では、液晶層４の屈折率と同一の材料によりなる絶縁材料を用いて、平坦化層２０を形成することができる。

即ち、かかる態様を有する液晶装置では、その使用時、まず、観察側から偏光板１２を通じて液晶層４内に入射された直線偏光Ｌ２は、反射性を有するソース線３２の第１部分３２ａにて正反射される。そして、その正反射された反射光は、凹レンズ８０の作用により、絶縁層１７の凸部１７ｂを透過して平坦化層２０に入射するときに当該絶縁層１７と当該平坦化層２０の界面で屈折して、その屈折した光は散乱光Ｌ３となって観察側へと出射される。これにより、上記の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。なお、本発明では、かかる構成おいて平坦化膜２０と屈折率の異なる材料を用いて配向膜１９を形成するようにしても構わない。

また、上記の各実施形態では、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの配列順序で着色層６をストライプ状に配置するように構成したが、本発明では、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの４色の着色層６の配列順序について特に限定はなく、例えば、図１２（ａ）に示すように、Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｃの配列順序で着色層６をストライプ状に配置するように構成しても構わない。また、これに代えて、本発明では、図１２（ｂ）に示すように、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの各々に対応する各着色層６を田型若しくはモザイク型となるように配置しても構わない。

また、上記の実施形態では、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子２１を用いた液晶装置に本発明を適用したが、これに限らず、本発明では、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いた液晶装置に本発明を適用するようにしても構わない。

また、上記の実施形態では、ソース線３２の上側に対応する位置に散乱層２５を設け、さらに、ソース線３２の第１部分３２ａと重なる位置に対応する散乱層２５の表面に凹部及び凸部を有する曲面形状を形成するようにしたが、これに限らず、本発明では、ソース線３２以外の各種配線に対しても上記同様の構成とすることで、本発明の効果を得るようにしても構わない。

その他、本発明は、上記の各実施形態及び変形例の構成に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形をすることが可能である。

[電子機器]
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１３を参照して説明する。

まず、各実施形態に係る液晶装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１３（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。

続いて、各実施形態に係る液晶装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１３（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００を適用した表示部７２４を備える。

なお、各実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器としては、図１３（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１３（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。

本発明の実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る液晶装置の等価回路図。 本実施形態の画素構成を示す平面図。 図３における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図。 図３における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った部分断面図。 ソース線上に設けられた絶縁膜の凹部及び凸部の各種パターンを示す平面図。 本発明の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 本発明の凹部及び凸部を有する絶縁膜の製造方法を示すフローチャート。 図８に対応する製造工程図。 図８に対応する製造工程図。 図５の領域Ｅ１１に対応する各種変形例に係る素子基板の部分断面図。 変形例に係る各種画素構成を示す平面図。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。

符号の説明

４ 液晶層、 ６ 着色層、 ８ 共通電極、 １０ 画素電極、 １７ 絶縁層、 １７ａ、１９ａ 凹部、 １７ｂ、１９ｂ 凸部、 １９ 配向膜、 ２０ 平坦化膜、 ２１ α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子、 ２５ 散乱層、３２ ソース線、 ３２ａ 第１部分、 ３２ｂ 第２部分、 ３３ ゲート線、 ３４ 補助容量線、 ７０ 補助容量部、 ５０ ゲート絶縁膜、 ５１ 保護絶縁膜、 ５２ 層間絶縁膜、 ９１ 素子基板、 ９２ カラーフィルタ基板、 １００ 液晶装置

Claims (10)

1. 電気光学層を挟持する一対の基板を備え、
   前記一対の基板のうち一方の基板は、配線と、前記配線の上側に設けられ、前記配線と平面的に重なる表面に凹部及び凸部を有するとともに、前記配線で反射された光を散乱させるための散乱層と、を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記散乱層は当該散乱層の表面側に設けられた上層を有し、
   前記散乱層と前記散乱層の前記上層とは屈折率が異なり、
   前記配線で反射された光は、前記散乱層を透過して、前記上層に入射する際に屈折して散乱されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記一方の基板は観察側と反対側に配置されていると共に、他方の基板は前記観察側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記凹部及び前記凸部は、前記配線の延在方向又は前記配線の延在方向と交差する方向に交互に且つ周期的に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記凹部又は前記凸部は行列状に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記散乱層は絶縁層による多層構造をなし、
   前記電気光学層側に位置する前記絶縁膜の表面には前記凹部及び前記凸部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
7. 前記散乱層はアクリル樹脂であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、
   前記配線は相隣接する前記サブ画素の間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記配線はソース線であり、
   前記ソース線は、前記散乱層の前記凹部及び前記凸部と平面的に重なる位置に設けられた第１部分と、第２部分と、を有し、
   前記第２部分の近傍位置に設けられ、補助容量を形成する補助容量部を有し、
   前記補助容量部及び前記第２部分を遮光する位置に遮光層を有し、前記第２部分の上側に位置する前記散乱層には前記凹部及び前記凸部が設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。

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