JP2003332660A - 光増幅モジュール、光増幅器、光通信システム及び白色光源 - Google Patents
光増幅モジュール、光増幅器、光通信システム及び白色光源Info
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 408
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 64
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 23
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 102100027004 Inhibin beta A chain Human genes 0.000 abstract description 70
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000146 host glass Substances 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100293191 Arabidopsis thaliana MYB35 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 102100032450 Endothelial differentiation-related factor 1 Human genes 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101001016384 Homo sapiens Endothelial differentiation-related factor 1 Proteins 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
ける信号光の増幅利得が従来より平坦である光増幅器等
を提供する。 【解決手段】 この光増幅器(100)では、励起光源(171,
172)からの励起光はEDF(141〜145)に供給される。励
起光源(173〜175)からの励起光はTDF(146)に供給さ
れる。入力端(101)から入力された信号光は、光分岐器
(111)、光アイソレータ(121)及び光結合器(131)を順に
通過し、EDF(141〜145)において増幅されるととも
に、光フィルタ(151〜154)により利得等化される。増幅
された信号光は、光結合器(132)、光アイソレータ(12
2)、光結合器(133)及び光結合器(134)を通過してTDF
(146)において増幅され、光結合器(135)、光アイソレー
タ(123)及び光分岐器(112)を経て出力端(102)から出力
される。
Description
導波領域に添加された光導波路を含む光増幅モジュー
ル、該光増幅モジュールを含む光増幅器、白色光源、及
び該光増幅器を含む光通信システムに関するものであ
る。
信号光を伝搬させることで、大容量の情報を高速に伝送
することができる。この光通信システムにおける信号光
の波長帯域として、Cバンド(1530nm〜1565
nm)が既に使用され、Lバンド(1565nm〜16
25nm)の使用も検討されている。また、更なる大容
量化を図るため、信号波長帯域としてSバンド(146
0nm〜1530nm)の使用も検討されている。
するために光増幅器が用いられる。Cバンド又はLバン
ドの信号光を光増幅することができる光増幅器として、
Er(エルビウム)元素が光導波領域に添加された光増
幅用ファイバ(EDF: Erbium-Doped Fiber)が光増幅
媒体として適用されたEDFA(Erbium-Doped FiberAm
plifier)が利用される。このEDFAは、EDFに励
起光(波長0.98μm帯又は1.48μm帯)を供給
することで、このEDFを伝搬するCバンド又はLバン
ドの信号光を増幅することができる。
できる光増幅器として、Tm(ツリウム)元素が光導波
領域に添加された光増幅用ファイバ(TDF: Thulium-
Doped Fiber)を光増幅媒体として用いるTDFA(Thu
lium-Doped Fiber Amplifier)が検討されている。この
TDFAは、TDFに励起光(波長1.05μm帯、
1.2μm帯、1.4μm帯又は1.55〜1.65μ
m帯)を供給することで、このTDFを伝搬するSバン
ドの信号光を増幅することができる。
増幅器について検討した結果、以下のような課題を発見
した。すなわち、実際にTDFAが増幅し得る信号波長
域の上限は1510nm程度である(例えば文献1「T.
Kasamatsu, et al., "Laser-diode-pumped highly-eff
icient gain-shifted thulium-doped fiber amplifier
operating in the1480-1510-nm band", OFC2001, Techn
ical Digest, TuQ4 (2001)」を参照)。一方、EDFA
が増幅し得る信号波長域の下限は一般に1530nm程
度である。したがって、波長域1510nm〜1530
nmの信号光は、これらEDFA及びTDFAを使用す
るのみでは増幅され得ない。このことから、光ファイバ
伝送路として用いられる石英系光ファイバの低損失波長
域の使用効率が悪い。
m付近の信号光を増幅し得るEDFAが提案されている
(例えば、文献2「E. Ishikawa, et al., "Novel 1500
nm-band EDFA with discrete Raman amplifier", ECOC2
001, Postdeadline papers,pp.48-49 (2001)」及び特開
2001−313433号公報を参照)。これらに開示
されたEDFAは、反転分布を高めることで、上記波長
域の信号光を増幅する。
域において非常に大きな正の利得傾斜を有していて、単
独では利得平坦化を実現することができない。そのた
め、利得平坦化のためにラマン増幅器の併用を余儀なく
されている。ところが、ラマン増幅器は、EDFAやT
DFAと比較して、励起効率が低く、光ファイバ長が数
kmも必要であることから大型であり、光ファイバ中の
非線形光学現象や二重レーリ散乱に起因した信号光伝送
品質が劣化する等の課題がある。
ためになされたものであり、波長域1490nm〜15
20nm付近における信号光の増幅利得が従来より平坦
である光増幅器、希土類元素が光導波領域に添加された
光導波路を含み上記光増幅器において好適に用いられ得
る光増幅モジュール、上記光増幅器を含む光通信システ
ム、及び、上記光増幅モジュールを含む白色光源を提供
することを目的としている。
ジュールは、波長域1490nm〜1520nmを少な
くとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光を
増幅する光増幅モジュールである。この光増幅モジュー
ルは、Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加光導
波路と、このTm添加光導波路と光学的に接続され、E
r元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路とを
備える。また、この発明に係る光増幅器は、入力端から
入力された信号光を増幅する光増幅器である。この光増
幅器は、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む
上記光増幅モジュールと、Erイオンを励起し得る波長
の励起光をEr添加光導波路に供給する第1励起光供給
手段と、Tmイオンを励起し得る波長の励起光をTm添
加光導波路に供給する第2励起光供給手段とを備える。
る波長の励起光が第1励起光供給手段によりEr添加光
導波路に供給され、Tmイオンを励起し得る波長の励起
光が第2励起光供給手段によりTm添加光導波路に供給
される。そして、Er添加光導波路及びTm添加光導波
路を含む光増幅モジュールでは、Er添加光導波路及び
Tm添加光導波路の双方において信号光が増幅される。
したがって、全体の利得スペクトルは、Er添加光導波
路及びTm添加光導波路それぞれの利得スペクトルを総
合したものとなる。これにより、波長域1490nm〜
1520nm付近における信号光の増幅利得が従来より
平坦になる。
光の進行方向から見てEr添加光導波路の上流側、下流
側又は中途に配置され、波長域1490nm〜1520
nmに含まれる領域においてEr添加光導波路の利得を
等化する利得等化フィルタをさらに備えてもよい。この
場合、波長域1490nm〜1520nm付近における
信号光の増幅利得が利得等化フィルタによりさらに平坦
になる。
光の進行方向から見てEr添加光導波路の上流側、下流
側又は中途に配置され、波長1530nm以上の波長域
の光を遮断する遮断フィルタをさらに備えてもよい。こ
の場合、波長1530nm以上の波長域の自然放出光
(ASE)は、遮断フィルタにより遮断され、後段に出
力されるのが阻止される。
98μm帯の励起光をEr添加光導波路に供給する第1
光結合器をさらに備えてもよい。この場合、Er添加光
導波路の反転分布を高める上で好ましい。また、この発
明に係る光増幅モジュールは、波長1.05μm帯又は
波長1.4μm帯の励起光と、波長1.2μm帯又は波
長1.55〜1.65μm帯の励起光をTm添加光導波
路に供給する第2光結合器をさらに備えてもよい。この
場合、利得ピークの長波長側シフトを生じさせる上で好
ましい。
元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路と、E
r添加光導波路の温度を室温以上に維持する温度調整手
段とを備えてもよい。この場合、Er添加光導波路の利
得を高める上で好ましい。また、温度調整手段がEr添
加光導波路の温度を65℃以上に維持するのがよく、こ
の場合、安価なヒータを用いることができる点で好まし
い。
は、光導波路領域に、Er元素とともにAl2O3及びP
2O5が共添加されたEr添加光導波路を備えてもよい。
この場合、当該光増幅モジュールは、波長域1490n
m〜1520nmを少なくとも一部に含む信号波長域の
複数チャネルの信号光を増幅する。また、Sバンドにお
いて、誘導放出断面積の波長依存性が平坦となるため、
利得の平坦化が容易になる。
て、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路それぞれ
は、光ファイバを含むのが好ましい。この場合、導波路
長を容易に長くすることができ、利得を高くすることが
できからである。
導波領域に添加されたEr添加光導波路と、波長976
nm以下の0.98μm帯の励起光をEr添加光導波路
に供給する励起光供給手段とを備える。この場合、波長
域1490nm〜1520nmにおいてEr添加光導波
路における利得の改善が図られる。
加光導波路は、信号光の進行方向から見てTm添加光導
波路の上流側に配置されるのが好ましい。この場合、前
段のEr添加光導波路に入力される信号光のパワーが小
さくなって、Er添加光導波路における反転分布が高く
なり、一方、後段のTm添加光導波路に入力する信号光
のパワーが大きくなって、Tm添加光導波路において利
得飽和が生じるので、Tm添加光導波路における利得ピ
ーク波長の長波長化に有利となる。
増幅器(この発明に係る光増幅器)を含み、波長域14
90nm〜1520nmを含む信号波長域の複数チャネ
ルの信号光を伝送するとともに、上記波長域内の信号光
を光増幅器により増幅する。この光通信システムは、波
長域1490nm〜1520nmの信号光を上記光増幅
器により増幅するため、未使用波長域が従来より小さく
なって、さらに大容量の情報を送受信することができ
る。
信号波長域は、帯域幅4nm〜6nmの未使用波長域で
隔てられた1又はそれ以上の帯域を含むのが好ましい。
この場合、Er元素及びTm元素それぞれの蛍光特性の
観点や、光合波器及び光分波器それぞれの特性の観点か
ら、この程度の帯域幅の未使用波長域が最適なものとな
る。
未使用波長域内のラマン増幅用の励起光を光伝送路に供
給して、その光伝送路において信号光をラマン増幅する
のが好ましい。この場合には、システム全体の利得スペ
クトルの更なる平坦化が可能であり、また、ラマン増幅
用の励起光のレーリ散乱が信号光に与える悪影響を抑制
することができる。
波路及びEr添加光導波路を含む上記光増幅モジュール
(この発明に係る光増幅モジュール)と、Erイオンを
励起し得る波長の励起光をEr添加光導波路に供給する
第1励起光供給手段と、Tmイオンを励起し得る波長の
励起光をTm添加光導波路に供給する第2励起光供給手
段とを備え、励起光の供給によりTm添加光導波路及び
Er添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光
を出力する。この白色光源は、上記光増幅器と略同様の
構成であるが、信号光が入力されることはなく、Tm添
加光導波路及びEr添加光導波路それぞれにおいて発生
した自然放出光を出力する。この白色光源は、波長域
1.45μm〜1.61μmの白色光を出力することが
できる。
ュール、光増幅器、白色光源及び光通信システムの各実
施形態を、図1〜16を用いて詳細に説明する。なお、
図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、
重複する説明を省略する。
一実施形態の構成を示す図である。この図に示された光
増幅器100は、入力端101から出力端102へ向か
う信号光伝搬経路上に順に配置された、光分岐器11
1、光アイソレータ121、光結合器131、EDF1
41、光フィルタ151、EDF142、光フィルタ1
52、EDF143、光フィルタ153、EDF14
4、光フィルタ154、EDF145、光結合器13
2、光アイソレータ122、光結合器133、光結合器
134、TDF146、光結合器135、光アイソレー
タ123及び光分岐器112を備える。
1の温度を調整する温度調整部161、EDF142の
温度を調整する温度調整部162、EDF143の温度
を調整する温度調整部163、EDF144の温度を調
整する温度調整部164、EDF145の温度を調整す
る温度調整部165、光結合器131に接続された励起
光源171、光結合器132に接続された励起光源17
2、光結合器133に接続された励起光源173、光結
合器134に接続された励起光源174、光結合器13
5に接続された励起光源175、光分岐器121に接続
された信号光検知部181、光分岐器122に接続され
た信号光検知部182、及び、制御部190を備える。
なお、信号光伝搬回路上にある各構成要素及び温度調整
部161〜165は、この発明に係る光増幅モジュール
の一部を構成する。
ラスをホストガラスとし少なくともコア領域にEr元素
が添加されている光導波路である。これらEDF141
〜145それぞれは、Erイオンを励起し得る波長の励
起光が供給されることで、Cバンドの信号光を増幅す
る。TDF146は、フッ化物系ガラス又はテルライト
系ガラスをホストガラスとし少なくともコア領域にTm
元素が添加されている光導波路である。これらTDF1
46は、Tmイオンを励起し得る波長の励起光が供給さ
れることで、Sバンドの信号光を増幅する。
1、172は、EDF141〜145に励起光を供給す
る励起光供給手段として機能する。励起光の波長帯は、
0.98μm帯又は1.48μm帯である。励起光源1
71、172としては半導体レーザ光源が好ましい。光
結合器131は、励起光源171から出力された励起光
をEDF141に向けて出力するとともに、光アイソレ
ータ121から到達した信号光をもEDF141に向け
て出力する。光結合器132は、励起光源172から出
力された励起光をEDF145に向けて出力するととも
に、EDF145から到達した光を光アイソレータ12
2に向けて出力する。
3〜175は、TDF146に励起光を供給する励起光
供給手段として機能する。励起光の波長帯は、1.05
μm帯、1.2μm帯、1.4μm帯又は1.55〜
1.65μm帯である。励起光源173〜175として
は、半導体レーザ励起Nd:YLFレーザ光源、Nd:
YAGレーザ光源、Ybレーザ光源、半導体レーザ光
源、等が好ましい。光結合器133は、励起光源173
から出力された励起光を光結合器134に向けて出力す
るとともに、光アイソレータ122から到達した信号光
をも光結合器134に向けて出力する。光結合器134
は、励起光源174から出力された励起光をTDF14
6に向けて出力するとともに、光結合器133から到達
した光をもTDF146に向けて出力する。光結合器1
35は、励起光源175から出力された励起光をTDF
146に向けて出力するとともに、TDF146から到
達した光を光アイソレータ123に向けて出力する。
は、光を順方向(入力端101から出力端102へ向か
う方向)にのみ光を通過させるが、逆方向には光を通過
させない。
長域1490nm〜1520nmに含まれる波長域にお
いてEDF141〜145の利得を等化する利得等化フ
ィルタであり、また、波長1530nm以上の波長域の
光を遮断する遮断フィルタでもある。
ソレータ121との間の光路上に配置されており、入力
端101から入力された光の一部を分岐して、その分岐
された光を信号光検知部181へ向けて出力する。信号
光検知部181は、光分岐器111から到達した光を入
力し、入力端101から入力された信号光のパワーを検
知する。また、この信号光検知部181は、信号光のチ
ャネル数を検知してもよい。
と出力端102との間の光路上に配置されており、出力
端102から出力された光の一部を分岐し、その分岐さ
れた光を信号光検知部182へ向けて出力する。信号光
検知部182は、光分岐器112から到達した光を入力
し、出力端102から出力される信号光のパワーを検知
する。また、この信号光検知部182は、信号光のチャ
ネル数を検知してもよい。
を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF1
41の温度を室温以上に維持する。温度調整部162
は、EDF142の温度を検知するとともに、その検知
結果に基づいてEDF142の温度を室温以上に維持す
る。温度調整部163は、EDF143の温度を検知す
るとともに、その検知結果に基づいてEDF143の温
度を室温以上に維持する。温度調整部164は、EDF
144の温度を検知するとともに、その検知結果に基づ
いてEDF144の温度を室温以上に維持する。また、
温度調整部165は、EDF145の温度を検知すると
ともに、その検知結果に基づいてEDF145の温度を
室温以上に維持する。特に、温度調整部161〜165
は、EDF141〜145の温度を65℃以上に維持す
るのが好ましい。
82による検知結果を受け取り、励起光源171〜17
5それぞれから出力される励起光のパワーを調整する。
また、制御部190は、EDF141〜145の温度を
調整する温度調整部161〜165を制御する。
72から出力された励起光はEDF141〜145に供
給される。また、励起光源173〜175から出力され
た励起光はTDF146に供給される。入力端101か
ら入力された信号光は、光分岐器111、光アイソレー
タ121及び光結合器131を順に通過した後、EDF
141〜145において増幅されるとともに、光フィル
タ151〜154により利得等化される。増幅された信
号光は、光結合器132、光アイソレータ122、光結
合器133及び光結合器134を通過した後にTDF1
46において増幅され、光結合器135、光アイソレー
タ123及び光分岐器112を経て出力端102から出
力される。
について説明する。ここでは、入力端101から入力さ
れる信号光は、波長域1489.3nm〜1518.7
nmに含まれる周波数間隔100GHzの40チャネル
であり、各信号チャネルのパワーが−21dBmであ
り、トータルのパワーが−5dBmであるとする。
りである。EDF141〜145全体の吸収条長積は1
40dBであり、各EDFは1本のEDFを5等分した
ものである。励起光源171、172それぞれよりED
F141〜145に供給される励起光は、波長が0.9
8μm帯で、パワーが+24dBmである。
れた透過特性を有する。ここでは、光フィルタ151〜
154として3種類の光フィルタを想定する。光フィル
タ151〜154として用いられる光フィルタA〜Cそ
れぞれは、波長1525nm以上の光を高効率に遮断す
る。光フィルタAは、波長1520nm以下の光を殆ど
無損失で透過させる。光フィルタBは、波長域1500
nm〜1520nmで損失が傾斜しており。光フィルタ
Cは、さらに大きな損失傾斜を有する。このような透過
特性を有する光フィルタは、光ファイバに長周期の屈折
率変調が形成された長周期グレーティングにおいて屈折
率変調形成領域を長くすることで実現され得る。なお、
図2において、グラフG210は、光フィルタAの透過
スペクトル、グラフG220は光フィルタBの透過スペ
クトル、グラフG230は光フィルタCの透過スペクト
ルを示す。
利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。なお、
図3(a)において、グラフG310aは光フィルタA
の利得スペクトル、グラフG320aは光フィルタBの
利得スペクトル、グラフG330aは光フィルタCの利
得スペクトルを示す。また、図3(b)において、グラ
フG310bは光フィルタAの雑音特性、グラフG32
0bは光フィルタBの雑音特性、グラフG330bは光
フィルタCの雑音特性を示す。図4は、光増幅器100
におけるEDFA部分の諸特性をまとめた表である。こ
の表には、光フィルタ151〜154として光フィルタ
A〜Cそれぞれが適用された場合について、波長域14
90nm〜1520nmにおける相対利得偏差、最悪雑
音特性、及び励起効率が示されている。相対利得偏差は
利得偏差(dB)を最小利得偏差(dB)で割った値で
ある。最悪雑音特性は信号波長域内の雑音指数の最悪値
である。また、励起効率は信号光パワー増分を励起光パ
ワーで割った値である。
90nm〜1520nmにおけるEDFA部分の利得
は、非常に大きい正の傾斜を有している。通常のCバン
ド用EDFAの相対利得偏差は20%以下であるのに対
し、上記波長域におけるEDFA部分の相対利得偏差は
3000%,270%及び90%であって非常に大き
い。また、文献2に記載されたEDFAの相対利得偏差
は56%であってやはり大きい。光フィルタ151〜1
54の信号波長域での損失を大きくすると、利得傾斜を
改善することができるが、その場合、励起効率が顕著に
劣化する。通常のCバンド用EDFAの励起効率は50
%〜60%であり、通常のLバンド用EDFAの励起効
率は40%程度であるので、この場合のような10%以
下の励起効率は非現実的である。
の改善は困難であるが、この発明に係る光増幅器は、E
DFA部分に加えてTDFA部分をも有することによ
り、光増幅特性の改善を図っている。
100%近くに維持する必要があるため、利得スペクト
ル(dB表示)の形状は、誘導放出断面積(線形)にほ
ぼ比例する。一般に使用されるAl添加EDFにおい
て、1.5μm波長帯周辺での誘導放出断面積の波長依
存性は、図5に示されたように、大きな傾斜を示す。な
お、図5は、規格化された誘導断面積の波長依存性を示
すグラフであり、この図5において、グラフG510は
Al添加EDFの規格化された誘導放出断面積、グラフ
G520はP/Al共添加EDFの規格化された誘導放
出断面積をそれぞれ示す。
h Division Multiplexing)伝送に適した平坦な利得ス
ペクトルを実現するには、図6に示されたようなCバン
ド除去のみならずSバンド信号波長域においても光フィ
ルタB、C(図2参照)のようにロス傾斜を有する利得
等化フィルタが必要になる。この結果、特に波長1.5
2μm付近では光増幅器中に大きな挿入損失が発生する
ことになり、励起効率の観点また雑音特性の観点からも
不利になる。
ガラスや添加物などのガラス組成により改変することが
できる。例えば、図5に示されたP/Al共添加EDF
では、波長帯1.49μm〜1.52μmでほぼ平坦な
誘導放出断面積を有し、図2に示されたような透過特性
を有する特殊な利得等化器なしで利得平坦化ができる。
なお、定量的に1.49μm帯と1.52μm帯におけ
る誘導放出断面積の比率は、Al添加EDFで2.9、
P/Al共添加EDFで1.6である。光増幅器100
の具体的な構成としては、CバンドASE除去のみを目
的として、図6に示された透過スペクトルを有する光フ
ィルタの使用が考えられる。
Bである石英系のP/Al共添加EDFを5等分し、各
段に図6に示された透過スペクトルを有する光フィルタ
が挿入された光増幅器の利得スペクトル及び雑音特性
(Noise Figure)を図7に示す。なお、この光増幅器の
動作条件としては、入力信号光は、波長域1489.3
nm〜1518.7nmに含まれる周波数間隔100G
Hzの40チャネルであり、各チャネルの信号光パワー
が−21dBmであり、トータルのパワーが−5dBm
であるとする。また、石英系のAl添加EDFの温度は
25℃に設定され、該石英系のAl添加EDFに双方向
から供給される励起光は、波長が0.98μm帯で、パ
ワーが+24dBmである。
差は87%、励起効率は11.5%、雑音特性は6.6
dBであった。図3及び図4の結果(Al添加EDFの
光フィルタC使用時)と比較すると、同等の利得偏差及
び雑音特性でありながら、励起効率が9.0%から1
1.5%と約30%程度改善されることが分かる。これ
は、信号波長帯域における光フィルタの挿入損失が抑制
されているためである。なお、上記P/Al共添加ED
Fは、0.98μm帯励起光の吸収効率が悪いという欠
点かある。これを補うために、例えばYbを該P/Al
共添加EDFに共添加してもよい。Ybは、Pと共添加
されれば、Sensitizerとして良好に動作する。
のとおりである。TDF146は、Tm添加濃度が20
00wt.ppmであり長さが45mである。励起光源
174、175それぞれよりTDF146に供給される
励起光は、波長が1.05μm帯で、パワーが+23d
Bmである。励起光源173よりTDF146に供給さ
れる励起光は、波長が1.56μm帯で、パワーが55
mWである。
利得特性(図8(a))及び雑音指数特性(図8
(b))を示すグラフである。これらグラフから分かる
ように、TDFA部分は、波長域1490nm〜152
0nmにおいても利得を有している。ただし、この波長
域におけるTDFA部分の利得は、絶対値が大きい負の
傾斜を有している。
得スペクトルであり、この図9において、グラフG61
0はTDFA部分の利得スペクトル、グラフG620は
EDFA部分の利得スペクトル、グラフG630は光増
幅器全体の利得スペクトルを示す。図10は、このとき
の光フィルタ151〜154の透過スペクトルである。
図9に示されたように、波長域1490nm〜1520
nmにおいて、EDFA部分の正の利得傾斜とTDFA
部分の負の利得傾斜とが互いに相殺して、光増幅器10
0全体の相対利得偏差が25%まで低減され、該光増幅
器100全体の利得が平坦化されている。
平坦化するには、光フィルタ151〜154の透過特性
をさらに最適化すればよい。また、光フィルタ151〜
154それぞれは、互いに同一の透過特性を有していて
もよいが、各々異なる透過特性を有していてもよい。
する光増幅器100において、図1に示されたように、
EDFA部分を前段に設けるのが好ましい。このように
することにより、前段のEDFAに入力する信号光のパ
ワーが小さくなって、EDF141〜145における反
転分布が高くなり、一方、後段のTDFAに入力する信
号光のパワーが大きくなって、TDF146において利
得飽和が生じるので、TDFA部分における利得ピーク
波長の長波長化に有利となる。
0nm付近における光増幅器100の利得はさらに大き
いことが望まれる。そのためには、EDF141〜14
5の温度を高く維持することが好ましい。図11は、E
DFの誘導放出断面積σe及び吸収断面積σaの波長依存
性を示すグラフである。この図において、実線は温度7
5℃の場合を示し、破線は室温25℃の場合を示す。波
長域1490nm〜1520nmにおいて、EDFの誘
導放出断面積σeは温度依存性が小さいものの、EDF
の吸収断面積σaは温度依存性が大きい。温度が高いほ
ど、EDFの吸収断面積σaは小さくなる。このことか
ら、図11に示されたように、EDF141〜145の
温度を高く維持することにより、特に短波長側において
利得が改善される。また、励起効率は、温度25℃のと
きには9.0%であったのに対して、温度75℃のとき
には10.6%であり、約0.7dBの改善が図られ
る。温度調整部161〜165は、EDF141〜14
5の温度を高温に維持するためのものであり、例えばペ
ルチエ素子やヒータ等が用いられる。一般に光通信シス
テムにおいて用いられる装置の環境温度仕様は0℃〜6
5℃であるので、EDF141〜145の設定温度を6
5℃以上とすれば、冷却が不要となって、安価なヒータ
を使用することができ安価となる。
ンド用EDFAの光増幅特性を示すグラフである。な
お、図12(a)において、グラフG910aはEDF
温度が25℃のときの上記EDFAの利得スペクトル、
グラフG920aはEDF温度が75℃のときの上記E
DFAの利得スペクトルを示す。また、図12(b)に
おいて、グラフG910bはEDF温度が25℃のとき
の上記EDFAの雑音特性、グラフG920bはEDF
温度が75℃のときの上記EDFAの雑音特性を示す。
このEDFAの動作条件としては、入力端101から入
力される信号光は、波長域1489.3nm〜151
8.7nmに含まれる周波数間隔100GHzの40チ
ャネルであり、各チャネルの信号光パワーが−21dB
mであり、トータルのパワーが−5dBmであるとす
る。
りである。EDF141〜145に相当する石英系のA
l添加EDFの吸収条長積ピーク合計は140dBであ
り、各EDFはこれを5等分したものである。励起光源
171,172それぞれよりEDF141〜145に供
給される励起光は、波長が0.98μm帯で、パワーが
+24dBmである。光フィルタ151〜154は、図
2中のグラフG230で示された透過特性を有する。
けるEDFA部分の利得スペクトルは、0.98μm帯
励起光の波長により、その形状が異なる。図13は、E
DFA部分の利得スペクトルである。なお、図13にお
いて、グラフG1010は波長974nmの励起光が供
給されたときの利得スペクトル、グラフG1020は波
長976nmの励起光が供給されたときの利得スペクト
ル、グラフG1030が波長978nmの励起光が供給
されたときの利得スペクトル、及びグラフG1040は
波長980nmの励起光が供給されたときの利得スペク
トルを示す。これらグラフから分かるように、励起光波
長が976nm以下であれば、波長域1490nm〜1
520nmにおいてEDFA部分の利得の改善が図られ
る。
実施形態について説明する。図14は、この発明に係る
光通信システム1の一構成例を示す図である。この図に
示された光通信システム1は、光送信器10、光中継器
20及び光受信器30を備え、光送信器10と光中継器
20との間に光ファイバ伝送路40が敷設され、光中継
器20と光受信器30との間に光ファイバ伝送路50が
敷設されている。
光合波器12を有する。光源部11 1は、波長域145
5nm〜1490nm(以下「Sbバンド」と呼ぶ)に
含まれる複数チャネルの信号光を合波する。光源部11
2は、波長域1490nm〜1520nm(以下「Sr
バンド」と呼ぶ)に含まれる複数チャネルの信号光を合
波する。光源部113は、Cバンドに含まれる複数チャ
ネルの信号光を合波する。光源部114は、Lバンドに
含まれる複数チャネルの信号光を合波する。また、光合
波器12は、光源部111〜114それぞれから出力され
た複数チャネルの信号光をさらに合波し、この合波光
(多重化信号光)を光ファイバ伝送路40へ送出する。
なお、光合波器12は、先ず、Sbバンド及びSrバン
ドそれぞれの信号光を合波するとともに、Cバンド及び
Lバンドそれぞれの信号光を合波し、その後に、全バン
ドを合波する構成であってもよい。
221〜224、光合波器23、光結合器24及び励起光
源25を備える。光結合器24は、励起光源25から出
力されたラマン増幅用の励起光を光ファイバ伝送路40
へ送出するとともに、光ファイバ伝送路40を伝搬して
きてきた複数チャネルの信号光を光分波器21へ出力す
る。光分波器21は、その複数チャネルの信号光を入力
してバンド毎に分波したのち、Sbバンドの信号光を光
増幅器221へ出力し、Srバンドの信号光を光増幅器
222へ出力し、Cバンドの信号光を光増幅器223へ出
力し、Lバンドの信号光を光増幅器224へ出力する。
なお、光分波器21は、先ず、Sbバンド及びSrバン
ドと、Cバンド及びLバンドとに分波して、その後に、
バンド毎に分波する構成であってもよい。
されたSbバンドの信号光を入力し、この信号光を一括
増幅する。光増幅器222は、光分波器21から出力さ
れたSrバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増
幅する。光増幅器223は、光分波器21から出力され
たCバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅す
る。光増幅器224は、光分波器21から出力されたL
バンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅する。
光合波器23は、光増幅器221〜224それぞれから出
力された複数チャネルの信号光を合波し、光ファイバ伝
送路50へ送出する。
311〜32Nを含む。光分波器31は、光ファイバ伝送
路50を伝搬してきてきた複数チャネルの信号光を信号
チャネル毎に分波する。受光部31nは、光分波器31
から出力された波長λnの信号光を入力し、この信号光
を受信する。ただし、Nは4以上の整数であり、nは1
以上N以下の任意の整数である。
うち、Sbバンドの信号光を増幅する光増幅器22
1は、1.05μm波長帯励起のTDFAである。Sr
バンドの信号光を増幅する光増幅器222は、上記光増
幅器100と同様の構成を有する。Cバンドの信号光を
増幅する光増幅器223は通常のCバンド用EDFAで
ある。Lバンドの信号光を増幅する光増幅器224はL
バンド用EDFAである。図15(a)はSbバンド用
光増幅器221の利得スペクトルである。図15(b)
はCバンド用光増幅器223の利得スペクトルである。
また、図15(c)はLバンド用光増幅器224の利得
スペクトルである。
成について説明する。ここでは、Sbバンドの多重化信
号光は、波長域1456.7nm〜1486.3nmに
含まれる周波数間隔100GHzの39チャネルであ
る。Srバンドの多重化信号光は、波長域1490.8
nm〜1522.6nmに含まれる周波数間隔100G
Hzの42チャネルである。Cバンドの多重化信号光
は、波長域1528.0nm〜1563.9nmに含ま
れる周波数間隔100GHzの45チャネルである。ま
た、Lバンドの多重化信号光は、波長域1568.8n
m〜1603.2nmに含まれる周波数間隔100GH
zの41チャネルである。このように構成された光通信
システム1では、未使用波長域が15nm以下で、波長
域1.45μm〜1.61μmの多重化信号光を良好な
伝送特性で伝送することができる。
4nm〜6nmの未使用波長域で隔てられた1又はそれ
以上の帯域を含む。これは、Er元素及びTm元素それ
ぞれの蛍光特性を考慮すれば妥当なものである。また、
各光合波器及び各光分波器が誘電体多層膜フィルタから
構成された場合に、その現行の技術レベルを考慮しても
妥当なものである。
ラマン増幅することを考慮すると、SbバンドとSrバ
ンドとの間の未使用波長域、SrバンドとCバンドとの
間の未使用波長域、又は、CバンドとLバンドとの間の
未使用波長域に、ラマン増幅用の励起光の波長を設定す
るのが好ましい。このとき、このラマン増幅用の励起光
のレーリ散乱が信号光に悪影響を及ぼさないように、こ
の励起光の30dBダウン帯域幅が未使用波長域幅より
狭いことが望ましい。現在において多用されているラマ
ン増幅用励起光源は、ファイバグレーティング付き半導
体レーザ光源であり、図16に示されるようた出力光ス
ペクトルを有しており、30dBダウン帯域幅が4nm
〜5nm程度である。この点からも、未使用波長域幅が
4nm〜6nmであるのは妥当なものである。
に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、この発明に係る光増幅モジュールは、Er元素
が光導波領域に添加されたEr添加光導波路としてED
Fを備え、Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加
光導波路としてTDFを備えるものであった。しかし、
当該光増幅モジュールは、平面基板上に形成された光導
波路にEr元素又はTm元素が添加されたものを備えた
ものであってもよい。ただし、EDF、TDFのように
希土類元素が添加された光ファイバである場合の方が、
導波路長を容易に長くすることができ、利得を高くする
ことができ、この点で好ましい。
は、所定の波長の励起光が供給されることで、入力され
た信号光を増幅することができる。しかしながら、この
光増幅器モジュールは、Er、Tmを励起し得る波長の
励起光が供給されるのみで、信号光が入力しなければ、
Tm添加光導波路Er添加光導波路それぞれにおいて発
生した自然放出光を出力する。この場合、この光増幅モ
ジュール及び励起光供給手段は、波長域1.45μm〜
1.61μmの白色光を出力する白色光源を構成する。
この白色光源は図1に示された構成と略同様であるが、
信号光の入出力が無いので、光分岐器121、122及
び信号光検知部181、182は不要である。
オンを励起し得る波長の励起光が第1励起光供給手段に
よりEr添加光導波路に供給され、Tmイオンを励起し
得る波長の励起光が第2励起光供給手段によりTm添加
光導波路に供給される。そして、Er添加光導波路及び
Tm添加光導波路を含む光増幅モジュールでは、Er添
加光導波路及びTm添加光導波路の双方において信号光
が増幅される。このとき、当該光増幅モジュール全体の
利得スペクトルは、Er添加光導波路及びTm添加光導
波路それぞれの利得スペクトルを総合したスペクトルと
なる。これにより、波長域1490nm〜1520nm
付近における信号光増幅の利得が従来より平坦なものと
なる。
示す図である。
の利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。
の諸特性を纏めた表である。
れの規格化された誘導放出断面積を示すグラフである。
クトルである。
幅特性を示すグラフである。
の利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。
ペクトルである。
る。
σaの波長依存性を示すグラフである。
るEDFA部分の利得特性及び雑音指数指数を示すグラ
フである。
び980nmの励起光がそれぞれ供給されたときのED
FA部分の利得スペクトルである。
施形態の構成を示す図である。
光増幅器それぞれの利得スペクトルである。
源の出力光スペクトルである。
器、30…光受信器、100…光増幅器、101…入力
端、102…出力端、111,112…光分岐器、12
1〜123…光アイソレータ、131〜135…光結合
器、141〜145…EDF、146…TDF、151
〜154…光フィルタ、161〜165…温度調整部、
171〜175…励起光源、181、182…信号光検
知部、190…制御部。
Claims (16)
- 【請求項1】 波長域1490nm〜1520nmを少
なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光
を増幅する光増幅モジュールであって、 Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加光導波路
と、 前記Tm添加光導波路と光学的に接続され、Er元素が
光導波領域に添加されたEr添加光導波路とを備えた光
増幅モジュール。 - 【請求項2】 前記信号光の進行方向から見て前記Er
添加光導波路の上流側、下流側又は中途に配置され、波
長域1490nm〜1520nmに含まれる領域におい
て前記Er添加光導波路の利得を等化する利得等化フィ
ルタをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光
増幅モジュール。 - 【請求項3】 前記信号光の進行方向から見て前記Er
添加光導波路の上流側、下流側又は中途に配置され、波
長1530nm以上の波長域の光を遮断する遮断フィル
タをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光増
幅モジュール。 - 【請求項4】 0.98μm帯の励起光を前記Er添加
光導波路に供給する第1光結合器をさらに備えたことを
特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。 - 【請求項5】 1.05μm帯又は1.4μm帯の励起
光と、1.2μm帯又は1.55〜1.65μm帯の励
起光とを前記Tm添加光導波路に供給する第2光結合器
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光増幅
モジュール。 - 【請求項6】 波長域1490nm〜1520nmを少
なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光
を増幅する光増幅モジュールであって、 Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路
と、 前記Er添加光導波路の温度を室温以上に維持する温度
調整手段とを備えた光増幅モジュール。 - 【請求項7】 前記温度調整手段は、前記Er添加光導
波路の温度を65℃以上に維持することを特徴とする請
求項6記載の光増幅モジュール。 - 【請求項8】 波長域1490nm〜1520nmを少
なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光
を増幅する光増幅モジュールであって、 Er元素とともに、Al2O3及びP2O5が光導波領域に
共添加されたEr添加光導波路を備えた光増幅モジュー
ル。 - 【請求項9】 前記Tm添加光導波路及び前記Er添加
光導波路それぞれは、光ファイバを含むことを特徴とす
る請求項1記載の光増幅モジュール。 - 【請求項10】 入力端から入力された信号光を増幅す
る光増幅器であって、 Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む請求項1
記載の光増幅モジュールと、 Erイオンを励起し得る波長の励起光を前記Er添加光
導波路に供給する第1励起光供給手段と、 Tmイオンを励起し得る波長の励起光を前記Tm添加光
導波路に供給する第2励起光供給手段とを備えた光増幅
器。 - 【請求項11】 波長域1490nm〜1520nmを
少なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号
光を増幅する光増幅器であって、 Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路
と、 波長976nm以下の0.98μm帯の励起光を前記E
r添加光導波路に供給する励起光供給手段とを備えた光
増幅器。 - 【請求項12】 前記Er添加光導波路は、前記信号光
の進行方向から見て前記Tm添加光導波路の上流側に配
置されていることを特徴とする請求項10記載の光増幅
器。 - 【請求項13】 請求項10記載の光増幅器を含み、波
長域1490nm〜1520nmを含む信号波長域の複
数チャネルの信号光を伝送するとともに、前記波長域内
の信号光を前記光増幅器により増幅する光通信システ
ム。 - 【請求項14】 前記信号波長域は、帯域幅4nm〜6
nmの未使用波長域で隔てられた1又はそれ以上の帯域
を含むことを特徴とする請求項13記載の光通信システ
ム。 - 【請求項15】 前記未使用波長域内のラマン増幅用励
起光を光伝送路に供給し、該光伝送路において前記信号
光をラマン増幅することを特徴とする請求項14記載の
光通信システム。 - 【請求項16】 Tm添加光導波路及びEr添加光導波
路を含む請求項1記載の光増幅モジュールと、 Erイオンを励起し得る波長の励起光を前記Er添加光
導波路に供給する第1励起光供給手段と、 Tmイオンを励起し得る波長の励起光を前記Tm添加光
導波路に供給する第2励起光供給手段とを備え、 前記励起光の供給により前記Tm添加光導波路及び前記
Er添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光
を出力する白色光源。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332660A true JP2003332660A (ja) | 2003-11-21 |
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ID=29713755
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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JP2005039126A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域光源 |
JP2005051196A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エルビュームドープ光ファイバ増幅器 |
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JP2021530861A (ja) * | 2018-06-29 | 2021-11-11 | アイピージー フォトニクス コーポレーション | 1.02〜1.06μmクラッド励起方式を用いる高出力イッテルビウム:エルビウム(Yb:Er)ファイバーレーザーシステム |
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JP2005051196A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エルビュームドープ光ファイバ増幅器 |
JP2005039126A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域光源 |
JP2005277370A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅性導波路、光増幅モジュールおよび光通信システム |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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