JP4145684B2 - 光増幅モジュール、光増幅器、光通信システム及び白色光源 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、希土類元素が光導波領域に添加された光導波路を含む光増幅モジュール、該光増幅モジュールを含む光増幅器、白色光源、及び該光増幅器を含む光通信システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光通信システムは、光ファイバ伝送路に信号光を伝搬させることで、大容量の情報を高速に伝送することができる。この光通信システムにおける信号光の波長帯域として、Cバンド(1530nm〜1565nm)が既に使用され、Lバンド(1565nm〜1625nm)の使用も検討されている。また、更なる大容量化を図るため、信号波長帯域としてSバンド(1460nm〜1530nm)の使用も検討されている。
【0003】
また、光通信システムでは、信号光を増幅するために光増幅器が用いられる。Cバンド又はLバンドの信号光を光増幅することができる光増幅器として、Er(エルビウム)元素が光導波領域に添加された光増幅用ファイバ(EDF: Erbium-Doped Fiber)が光増幅媒体として適用されたEDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)が利用される。このEDFAは、EDFに励起光(波長0.98μm帯又は1.48μm帯)を供給することで、このEDFを伝搬するCバンド又はLバンドの信号光を増幅することができる。
【0004】
一方、Sバンドの信号光を増幅することができる光増幅器として、Tm(ツリウム)元素が光導波領域に添加された光増幅用ファイバ(TDF: Thulium-Doped Fiber)を光増幅媒体として用いるTDFA(Thulium-Doped Fiber Amplifier)が検討されている。このTDFAは、TDFに励起光(波長1.05μm帯、1.2μm帯、1.4μm帯又は1.55〜1.65μm帯)を供給することで、このTDFを伝搬するSバンドの信号光を増幅することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
発明者らは、従来の光増幅器について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、実際にTDFAが増幅し得る信号波長域の上限は1510nm程度である(例えば文献1「T. Kasamatsu, et al., "Laser-diode-pumped highly-efficient gain-shifted thulium-doped fiber amplifier operating in the 1480-1510-nm band", OFC2001, Technical Digest, TuQ4 (2001)」を参照)。一方、EDFAが増幅し得る信号波長域の下限は一般に1530nm程度である。したがって、波長域1510nm〜1530nmの信号光は、これらEDFA及びTDFAを使用するのみでは増幅され得ない。このことから、光ファイバ伝送路として用いられる石英系光ファイバの低損失波長域の使用効率が悪い。
【0006】
そこで、波長域1490nm〜1520nm付近の信号光を増幅し得るEDFAが提案されている(例えば、文献2「E. Ishikawa, et al., "Novel 1500nm-band EDFA with discrete Raman amplifier", ECOC2001, Postdeadline papers, pp.48-49 (2001)」及び特開2001−313433号公報を参照)。これらに開示されたEDFAは、反転分布を高めることで、上記波長域の信号光を増幅する。
【0007】
しかしながら、このEDFAは、上記波長域において非常に大きな正の利得傾斜を有していて、単独では利得平坦化を実現することができない。そのため、利得平坦化のためにラマン増幅器の併用を余儀なくされている。ところが、ラマン増幅器は、EDFAやTDFAと比較して、励起効率が低く、光ファイバ長が数kmも必要であることから大型であり、光ファイバ中の非線形光学現象や二重レーリ散乱に起因した信号光伝送品質が劣化する等の課題がある。
【0008】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、波長域1490nm〜1520nm付近における信号光の増幅利得が従来より平坦である光増幅器、希土類元素が光導波領域に添加された光導波路を含み上記光増幅器において好適に用いられ得る光増幅モジュール、上記光増幅器を含む光通信システム、及び、上記光増幅モジュールを含む白色光源を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光増幅モジュールは、波長域1490nm〜1520nmを少なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光を増幅する光増幅モジュールである。この光増幅モジュールは、Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加光導波路と、このTm添加光導波路と光学的に接続され、Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路とを備える。また、この発明に係る光増幅器は、入力端から入力された信号光を増幅する光増幅器である。この光増幅器は、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む上記光増幅モジュールと、Erイオンを励起し得る波長の励起光をEr添加光導波路に供給する第1励起光供給手段と、Tmイオンを励起し得る波長の励起光をTm添加光導波路に供給する第2励起光供給手段とを備える。
【0010】
この発明によれば、Erイオンを励起し得る波長の励起光が第1励起光供給手段によりEr添加光導波路に供給され、Tmイオンを励起し得る波長の励起光が第2励起光供給手段によりTm添加光導波路に供給される。そして、Er添加光導波路及びTm添加光導波路を含む光増幅モジュールでは、Er添加光導波路及びTm添加光導波路の双方において信号光が増幅される。したがって、全体の利得スペクトルは、Er添加光導波路及びTm添加光導波路それぞれの利得スペクトルを総合したものとなる。これにより、波長域1490nm〜1520nm付近における信号光の増幅利得が従来より平坦になる。
【0011】
この発明に係る光増幅モジュールは、信号光の進行方向から見てEr添加光導波路の上流側、下流側又は中途に配置され、波長域1490nm〜1520nmに含まれる領域においてEr添加光導波路の利得を等化する利得等化フィルタをさらに備えてもよい。この場合、波長域1490nm〜1520nm付近における信号光の増幅利得が利得等化フィルタによりさらに平坦になる。
【0012】
この発明に係る光増幅モジュールは、信号光の進行方向から見てEr添加光導波路の上流側、下流側又は中途に配置され、波長1530nm以上の波長域の光を遮断する遮断フィルタをさらに備えてもよい。この場合、波長1530nm以上の波長域の自然放出光(ASE)は、遮断フィルタにより遮断され、後段に出力されるのが阻止される。
【0013】
この発明に係る光増幅モジュールは、0.98μm帯の励起光をEr添加光導波路に供給する第1光結合器をさらに備えてもよい。この場合、Er添加光導波路の反転分布を高める上で好ましい。また、この発明に係る光増幅モジュールは、波長1.05μm帯又は波長1.4μm帯の励起光と、波長1.2μm帯又は波長1.55〜1.65μm帯の励起光をTm添加光導波路に供給する第2光結合器をさらに備えてもよい。この場合、利得ピークの長波長側シフトを生じさせる上で好ましい。
【0014】
この発明に係る光増幅モジュールは、Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路と、Er添加光導波路の温度を室温以上に維持する温度調整手段とを備えてもよい。この場合、Er添加光導波路の利得を高める上で好ましい。また、温度調整手段がEr添加光導波路の温度を65℃以上に維持するのがよく、この場合、安価なヒータを用いることができる点で好ましい。
【0015】
なお、この発明に係る光増幅モジュールは、光導波路領域に、Er元素とともにAl2O3及びP2O5が共添加されたEr添加光導波路を備えてもよい。この場合、当該光増幅モジュールは、波長域1490nm〜1520nmを少なくとも一部に含む信号波長域の複数チャネルの信号光を増幅する。また、Sバンドにおいて、誘導放出断面積の波長依存性が平坦となるため、利得の平坦化が容易になる。
【0016】
この発明に係る光増幅モジュールにおいて、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路それぞれは、光ファイバを含むのが好ましい。この場合、導波路長を容易に長くすることができ、利得を高くすることができからである。
【0017】
この発明に係る光増幅器は、Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路と、波長976nm以下の0.98μm帯の励起光をEr添加光導波路に供給する励起光供給手段とを備える。この場合、波長域1490nm〜1520nmにおいてEr添加光導波路における利得の改善が図られる。
【0018】
この発明に係る光増幅器において、Er添加光導波路は、信号光の進行方向から見てTm添加光導波路の上流側に配置されるのが好ましい。この場合、前段のEr添加光導波路に入力される信号光のパワーが小さくなって、Er添加光導波路における反転分布が高くなり、一方、後段のTm添加光導波路に入力する信号光のパワーが大きくなって、Tm添加光導波路において利得飽和が生じるので、Tm添加光導波路における利得ピーク波長の長波長化に有利となる。
【0019】
この発明に係る光通信システムは、上記光増幅器(この発明に係る光増幅器)を含み、波長域1490nm〜1520nmを含む信号波長域の複数チャネルの信号光を伝送するとともに、上記波長域内の信号光を光増幅器により増幅する。この光通信システムは、波長域1490nm〜1520nmの信号光を上記光増幅器により増幅するため、未使用波長域が従来より小さくなって、さらに大容量の情報を送受信することができる。
【0020】
この発明に係る光通信システムにおいて、信号波長域は、帯域幅4nm〜6nmの未使用波長域で隔てられた1又はそれ以上の帯域を含むのが好ましい。この場合、Er元素及びTm元素それぞれの蛍光特性の観点や、光合波器及び光分波器それぞれの特性の観点から、この程度の帯域幅の未使用波長域が最適なものとなる。
【0021】
この発明に係る光通信システムにおいて、未使用波長域内のラマン増幅用の励起光を光伝送路に供給して、その光伝送路において信号光をラマン増幅するのが好ましい。この場合には、システム全体の利得スペクトルの更なる平坦化が可能であり、また、ラマン増幅用の励起光のレーリ散乱が信号光に与える悪影響を抑制することができる。
【0022】
この発明に係る白色光源は、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む上記光増幅モジュール(この発明に係る光増幅モジュール)と、Erイオンを励起し得る波長の励起光をEr添加光導波路に供給する第1励起光供給手段と、Tmイオンを励起し得る波長の励起光をTm添加光導波路に供給する第2励起光供給手段とを備え、励起光の供給によりTm添加光導波路及びEr添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光を出力する。この白色光源は、上記光増幅器と略同様の構成であるが、信号光が入力されることはなく、Tm添加光導波路及びEr添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光を出力する。この白色光源は、波長域1.45μm〜1.61μmの白色光を出力することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る光増幅モジュール、光増幅器、白色光源及び光通信システムの各実施形態を、図1〜16を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0024】
図1は、この発明に係る光増幅器100の一実施形態の構成を示す図である。この図に示された光増幅器100は、入力端101から出力端102へ向かう信号光伝搬経路上に順に配置された、光分岐器111、光アイソレータ121、光結合器131、EDF141、光フィルタ151、EDF142、光フィルタ152、EDF143、光フィルタ153、EDF144、光フィルタ154、EDF145、光結合器132、光アイソレータ122、光結合器133、光結合器134、TDF146、光結合器135、光アイソレータ123及び光分岐器112を備える。
【0025】
また、この光増幅器100は、EDF141の温度を調整する温度調整部161、EDF142の温度を調整する温度調整部162、EDF143の温度を調整する温度調整部163、EDF144の温度を調整する温度調整部164、EDF145の温度を調整する温度調整部165、光結合器131に接続された励起光源171、光結合器132に接続された励起光源172、光結合器133に接続された励起光源173、光結合器134に接続された励起光源174、光結合器135に接続された励起光源175、光分岐器121に接続された信号光検知部181、光分岐器122に接続された信号光検知部182、及び、制御部190を備える。なお、信号光伝搬回路上にある各構成要素及び温度調整部161〜165は、この発明に係る光増幅モジュールの一部を構成する。
【0026】
EDF141〜145それぞれは、石英ガラスをホストガラスとし少なくともコア領域にEr元素が添加されている光導波路である。これらEDF141〜145それぞれは、Erイオンを励起し得る波長の励起光が供給されることで、Cバンドの信号光を増幅する。TDF146は、フッ化物系ガラス又はテルライト系ガラスをホストガラスとし少なくともコア領域にTm元素が添加されている光導波路である。これらTDF146は、Tmイオンを励起し得る波長の励起光が供給されることで、Sバンドの信号光を増幅する。
【0027】
光結合器131、132及び励起光源171、172は、EDF141〜145に励起光を供給する励起光供給手段として機能する。励起光の波長帯は、0.98μm帯又は1.48μm帯である。励起光源171、172としては半導体レーザ光源が好ましい。光結合器131は、励起光源171から出力された励起光をEDF141に向けて出力するとともに、光アイソレータ121から到達した信号光をもEDF141に向けて出力する。光結合器132は、励起光源172から出力された励起光をEDF145に向けて出力するとともに、EDF145から到達した光を光アイソレータ122に向けて出力する。
【0028】
光結合器133〜135及び励起光源173〜175は、TDF146に励起光を供給する励起光供給手段として機能する。励起光の波長帯は、1.05μm帯、1.2μm帯、1.4μm帯又は1.55〜1.65μm帯である。励起光源173〜175としては、半導体レーザ励起Nd:YLFレーザ光源、Nd:YAGレーザ光源、Ybレーザ光源、半導体レーザ光源、等が好ましい。光結合器133は、励起光源173から出力された励起光を光結合器134に向けて出力するとともに、光アイソレータ122から到達した信号光をも光結合器134に向けて出力する。光結合器134は、励起光源174から出力された励起光をTDF146に向けて出力するとともに、光結合器133から到達した光をもTDF146に向けて出力する。光結合器135は、励起光源175から出力された励起光をTDF146に向けて出力するとともに、TDF146から到達した光を光アイソレータ123に向けて出力する。
【0029】
光アイソレータ121〜123それぞれは、光を順方向(入力端101から出力端102へ向かう方向)にのみ光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。
【0030】
光フィルタ151〜154それぞれは、波長域1490nm〜1520nmに含まれる波長域においてEDF141〜145の利得を等化する利得等化フィルタであり、また、波長1530nm以上の波長域の光を遮断する遮断フィルタでもある。
【0031】
光分岐器111は、入力端101と光アイソレータ121との間の光路上に配置されており、入力端101から入力された光の一部を分岐して、その分岐された光を信号光検知部181へ向けて出力する。信号光検知部181は、光分岐器111から到達した光を入力し、入力端101から入力された信号光のパワーを検知する。また、この信号光検知部181は、信号光のチャネル数を検知してもよい。
【0032】
光分岐器112は、光アイソレータ123と出力端102との間の光路上に配置されており、出力端102から出力された光の一部を分岐し、その分岐された光を信号光検知部182へ向けて出力する。信号光検知部182は、光分岐器112から到達した光を入力し、出力端102から出力される信号光のパワーを検知する。また、この信号光検知部182は、信号光のチャネル数を検知してもよい。
【0033】
温度調整部161は、EDF141の温度を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF141の温度を室温以上に維持する。温度調整部162は、EDF142の温度を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF142の温度を室温以上に維持する。温度調整部163は、EDF143の温度を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF143の温度を室温以上に維持する。温度調整部164は、EDF144の温度を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF144の温度を室温以上に維持する。また、温度調整部165は、EDF145の温度を検知するとともに、その検知結果に基づいてEDF145の温度を室温以上に維持する。特に、温度調整部161〜165は、EDF141〜145の温度を65℃以上に維持するのが好ましい。
【0034】
制御部190は、信号光検知部181、182による検知結果を受け取り、励起光源171〜175それぞれから出力される励起光のパワーを調整する。また、制御部190は、EDF141〜145の温度を調整する温度調整部161〜165を制御する。
【0035】
光増幅器100では、励起光源171、172から出力された励起光はEDF141〜145に供給される。また、励起光源173〜175から出力された励起光はTDF146に供給される。入力端101から入力された信号光は、光分岐器111、光アイソレータ121及び光結合器131を順に通過した後、EDF141〜145において増幅されるとともに、光フィルタ151〜154により利得等化される。増幅された信号光は、光結合器132、光アイソレータ122、光結合器133及び光結合器134を通過した後にTDF146において増幅され、光結合器135、光アイソレータ123及び光分岐器112を経て出力端102から出力される。
【0036】
次に、光増幅器100のより具体的な構成について説明する。ここでは、入力端101から入力される信号光は、波長域1489.3nm〜1518.7nmに含まれる周波数間隔100GHzの40チャネルであり、各信号チャネルのパワーが−21dBmであり、トータルのパワーが−5dBmであるとする。
【0037】
EDFA部分の具体的な構成は以下のとおりである。EDF141〜145全体の吸収条長積は140dBであり、各EDFは1本のEDFを5等分したものである。励起光源171、172それぞれよりEDF141〜145に供給される励起光は、波長が0.98μm帯で、パワーが+24dBmである。
【0038】
光フィルタ151〜154は、図2に示された透過特性を有する。ここでは、光フィルタ151〜154として3種類の光フィルタを想定する。光フィルタ151〜154として用いられる光フィルタA〜Cそれぞれは、波長1525nm以上の光を高効率に遮断する。光フィルタAは、波長1520nm以下の光を殆ど無損失で透過させる。光フィルタBは、波長域1500nm〜1520nmで損失が傾斜しており。光フィルタCは、さらに大きな損失傾斜を有する。このような透過特性を有する光フィルタは、光ファイバに長周期の屈折率変調が形成された長周期グレーティングにおいて屈折率変調形成領域を長くすることで実現され得る。なお、図2において、グラフG210は、光フィルタAの透過スペクトル、グラフG220は光フィルタBの透過スペクトル、グラフG230は光フィルタCの透過スペクトルを示す。
【0039】
図3は、光増幅器100のEDFA部分の利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。なお、図3(a)において、グラフG310aは光フィルタAの利得スペクトル、グラフG320aは光フィルタBの利得スペクトル、グラフG330aは光フィルタCの利得スペクトルを示す。また、図3(b)において、グラフG310bは光フィルタAの雑音特性、グラフG320bは光フィルタBの雑音特性、グラフG330bは光フィルタCの雑音特性を示す。図4は、光増幅器100におけるEDFA部分の諸特性をまとめた表である。この表には、光フィルタ151〜154として光フィルタA〜Cそれぞれが適用された場合について、波長域1490nm〜1520nmにおける相対利得偏差、最悪雑音特性、及び励起効率が示されている。相対利得偏差は利得偏差(dB)を最小利得偏差(dB)で割った値である。最悪雑音特性は信号波長域内の雑音指数の最悪値である。また、励起効率は信号光パワー増分を励起光パワーで割った値である。
【0040】
これらの図から分かるように、波長域1490nm〜1520nmにおけるEDFA部分の利得は、非常に大きい正の傾斜を有している。通常のCバンド用EDFAの相対利得偏差は20%以下であるのに対し、上記波長域におけるEDFA部分の相対利得偏差は3000%,270%及び90%であって非常に大きい。また、文献2に記載されたEDFAの相対利得偏差は56%であってやはり大きい。光フィルタ151〜154の信号波長域での損失を大きくすると、利得傾斜を改善することができるが、その場合、励起効率が顕著に劣化する。通常のCバンド用EDFAの励起効率は50%〜60%であり、通常のLバンド用EDFAの励起効率は40%程度であるので、この場合のような10%以下の励起効率は非現実的である。
【0041】
このようにEDFA部のみでは光増幅特性の改善は困難であるが、この発明に係る光増幅器は、EDFA部分に加えてTDFA部分をも有することにより、光増幅特性の改善を図っている。
【0042】
Sバンド用EDFにおいては、反転分布を100%近くに維持する必要があるため、利得スペクトル(dB表示)の形状は、誘導放出断面積(線形)にほぼ比例する。一般に使用されるAl添加EDFにおいて、1.5μm波長帯周辺での誘導放出断面積の波長依存性は、図5に示されたように、大きな傾斜を示す。なお、図5は、規格化された誘導断面積の波長依存性を示すグラフであり、この図5において、グラフG510はAl添加EDFの規格化された誘導放出断面積、グラフG520はP/Al共添加EDFの規格化された誘導放出断面積をそれぞれ示す。
【0043】
その結果、波長分割多重(WDM: Wavelength Division Multiplexing)伝送に適した平坦な利得スペクトルを実現するには、図6に示されたようなCバンド除去のみならずSバンド信号波長域においても光フィルタB、C(図2参照)のようにロス傾斜を有する利得等化フィルタが必要になる。この結果、特に波長1.52μm付近では光増幅器中に大きな挿入損失が発生することになり、励起効率の観点また雑音特性の観点からも不利になる。
【0044】
EDFの誘導放出断面積の形状は、ホストガラスや添加物などのガラス組成により改変することができる。例えば、図5に示されたP/Al共添加EDFでは、波長帯1.49μm〜1.52μmでほぼ平坦な誘導放出断面積を有し、図2に示されたような透過特性を有する特殊な利得等化器なしで利得平坦化ができる。なお、定量的に1.49μm帯と1.52μm帯における誘導放出断面積の比率は、Al添加EDFで2.9、P/Al共添加EDFで1.6である。光増幅器100の具体的な構成としては、CバンドASE除去のみを目的として、図6に示された透過スペクトルを有する光フィルタの使用が考えられる。
【0045】
次に、吸収条長積ピークの合計が170dBである石英系のP/Al共添加EDFを5等分し、各段に図6に示された透過スペクトルを有する光フィルタが挿入された光増幅器の利得スペクトル及び雑音特性(Noise Figure)を図7に示す。なお、この光増幅器の動作条件としては、入力信号光は、波長域1489.3nm〜1518.7nmに含まれる周波数間隔100GHzの40チャネルであり、各チャネルの信号光パワーが−21dBmであり、トータルのパワーが−5dBmであるとする。また、石英系のAl添加EDFの温度は25℃に設定され、該石英系のAl添加EDFに双方向から供給される励起光は、波長が0.98μm帯で、パワーが+24dBmである。
【0046】
このような動作条件において、相対利得偏差は87%、励起効率は11.5%、雑音特性は6.6dBであった。図3及び図4の結果(Al添加EDFの光フィルタC使用時)と比較すると、同等の利得偏差及び雑音特性でありながら、励起効率が9.0%から11.5%と約30%程度改善されることが分かる。これは、信号波長帯域における光フィルタの挿入損失が抑制されているためである。なお、上記P/Al共添加EDFは、0.98μm帯励起光の吸収効率が悪いという欠点かある。これを補うために、例えばYbを該P/Al共添加EDFに共添加してもよい。Ybは、Pと共添加されれば、Sensitizerとして良好に動作する。
【0047】
一方、TDFA部分の具体的な構成は以下のとおりである。TDF146は、Tm添加濃度が2000wt.ppmであり長さが45mである。励起光源174、175それぞれよりTDF146に供給される励起光は、波長が1.05μm帯で、パワーが+23dBmである。励起光源173よりTDF146に供給される励起光は、波長が1.56μm帯で、パワーが55mWである。
【0048】
図8は、光増幅器100のTDFA部分の利得特性(図8(a))及び雑音指数特性(図8(b))を示すグラフである。これらグラフから分かるように、TDFA部分は、波長域1490nm〜1520nmにおいても利得を有している。ただし、この波長域におけるTDFA部分の利得は、絶対値が大きい負の傾斜を有している。
【0049】
図9は、光増幅器100における各部の利得スペクトルであり、この図9において、グラフG610はTDFA部分の利得スペクトル、グラフG620はEDFA部分の利得スペクトル、グラフG630は光増幅器全体の利得スペクトルを示す。図10は、このときの光フィルタ151〜154の透過スペクトルである。図9に示されたように、波長域1490nm〜1520nmにおいて、EDFA部分の正の利得傾斜とTDFA部分の負の利得傾斜とが互いに相殺して、光増幅器100全体の相対利得偏差が25%まで低減され、該光増幅器100全体の利得が平坦化されている。
【0050】
なお、光増幅器100全体の利得をさらに平坦化するには、光フィルタ151〜154の透過特性をさらに最適化すればよい。また、光フィルタ151〜154それぞれは、互いに同一の透過特性を有していてもよいが、各々異なる透過特性を有していてもよい。
【0051】
また、TDFA部分とEDFA部分とを有する光増幅器100において、図1に示されたように、EDFA部分を前段に設けるのが好ましい。このようにすることにより、前段のEDFAに入力する信号光のパワーが小さくなって、EDF141〜145における反転分布が高くなり、一方、後段のTDFAに入力する信号光のパワーが大きくなって、TDF146において利得飽和が生じるので、TDFA部分における利得ピーク波長の長波長化に有利となる。
【0052】
また、図9から分かるように、波長1490nm付近における光増幅器100の利得はさらに大きいことが望まれる。そのためには、EDF141〜145の温度を高く維持することが好ましい。図11は、EDFの誘導放出断面積σe及び吸収断面積σaの波長依存性を示すグラフである。この図において、実線は温度75℃の場合を示し、破線は室温25℃の場合を示す。波長域1490nm〜1520nmにおいて、EDFの誘導放出断面積σeは温度依存性が小さいものの、EDFの吸収断面積σaは温度依存性が大きい。温度が高いほど、EDFの吸収断面積σaは小さくなる。このことから、図11に示されたように、EDF141〜145の温度を高く維持することにより、特に短波長側において利得が改善される。また、励起効率は、温度25℃のときには9.0%であったのに対して、温度75℃のときには10.6%であり、約0.7dBの改善が図られる。温度調整部161〜165は、EDF141〜145の温度を高温に維持するためのものであり、例えばペルチエ素子やヒータ等が用いられる。一般に光通信システムにおいて用いられる装置の環境温度仕様は0℃〜65℃であるので、EDF141〜145の設定温度を65℃以上とすれば、冷却が不要となって、安価なヒータを使用することができ安価となる。
【0053】
図12は、EDF温度を上げたときのSバンド用EDFAの光増幅特性を示すグラフである。なお、図12(a)において、グラフG910aはEDF温度が25℃のときの上記EDFAの利得スペクトル、グラフG920aはEDF温度が75℃のときの上記EDFAの利得スペクトルを示す。また、図12(b)において、グラフG910bはEDF温度が25℃のときの上記EDFAの雑音特性、グラフG920bはEDF温度が75℃のときの上記EDFAの雑音特性を示す。このEDFAの動作条件としては、入力端101から入力される信号光は、波長域1489.3nm〜1518.7nmに含まれる周波数間隔100GHzの40チャネルであり、各チャネルの信号光パワーが−21dBmであり、トータルのパワーが−5dBmであるとする。
【0054】
EDFA部分の具体的な構成は以下のとおりである。EDF141〜145に相当する石英系のAl添加EDFの吸収条長積ピーク合計は140dBであり、各EDFはこれを5等分したものである。励起光源171,172それぞれよりEDF141〜145に供給される励起光は、波長が0.98μm帯で、パワーが+24dBmである。光フィルタ151〜154は、図2中のグラフG230で示された透過特性を有する。
【0055】
また、波長1.53μmより短い帯域におけるEDFA部分の利得スペクトルは、0.98μm帯励起光の波長により、その形状が異なる。図13は、EDFA部分の利得スペクトルである。なお、図13において、グラフG1010は波長974nmの励起光が供給されたときの利得スペクトル、グラフG1020は波長976nmの励起光が供給されたときの利得スペクトル、グラフG1030が波長978nmの励起光が供給されたときの利得スペクトル、及びグラフG1040は波長980nmの励起光が供給されたときの利得スペクトルを示す。これらグラフから分かるように、励起光波長が976nm以下であれば、波長域1490nm〜1520nmにおいてEDFA部分の利得の改善が図られる。
【0056】
次に、この発明に係る光通信システムの一実施形態について説明する。図14は、この発明に係る光通信システム1の一構成例を示す図である。この図に示された光通信システム1は、光送信器10、光中継器20及び光受信器30を備え、光送信器10と光中継器20との間に光ファイバ伝送路40が敷設され、光中継器20と光受信器30との間に光ファイバ伝送路50が敷設されている。
【0057】
光送信器10は、光源部111〜114及び光合波器12を有する。光源部111は、波長域1455nm〜1490nm(以下「Sbバンド」と呼ぶ)に含まれる複数チャネルの信号光を合波する。光源部112は、波長域1490nm〜1520nm(以下「Srバンド」と呼ぶ)に含まれる複数チャネルの信号光を合波する。光源部113は、Cバンドに含まれる複数チャネルの信号光を合波する。光源部114は、Lバンドに含まれる複数チャネルの信号光を合波する。また、光合波器12は、光源部111〜114それぞれから出力された複数チャネルの信号光をさらに合波し、この合波光(多重化信号光)を光ファイバ伝送路40へ送出する。なお、光合波器12は、先ず、Sbバンド及びSrバンドそれぞれの信号光を合波するとともに、Cバンド及びLバンドそれぞれの信号光を合波し、その後に、全バンドを合波する構成であってもよい。
【0058】
光中継器20は、光分波器21、光増幅器221〜224、光合波器23、光結合器24及び励起光源25を備える。光結合器24は、励起光源25から出力されたラマン増幅用の励起光を光ファイバ伝送路40へ送出するとともに、光ファイバ伝送路40を伝搬してきてきた複数チャネルの信号光を光分波器21へ出力する。光分波器21は、その複数チャネルの信号光を入力してバンド毎に分波したのち、Sbバンドの信号光を光増幅器221へ出力し、Srバンドの信号光を光増幅器222へ出力し、Cバンドの信号光を光増幅器223へ出力し、Lバンドの信号光を光増幅器224へ出力する。なお、光分波器21は、先ず、Sbバンド及びSrバンドと、Cバンド及びLバンドとに分波して、その後に、バンド毎に分波する構成であってもよい。
【0059】
光増幅器221は、光分波器21より出力されたSbバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅する。光増幅器222は、光分波器21から出力されたSrバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅する。光増幅器223は、光分波器21から出力されたCバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅する。光増幅器224は、光分波器21から出力されたLバンドの信号光を入力し、この信号光を一括増幅する。光合波器23は、光増幅器221〜224それぞれから出力された複数チャネルの信号光を合波し、光ファイバ伝送路50へ送出する。
【0060】
光受信器30は、光分波器31及び受光部311〜32Nを含む。光分波器31は、光ファイバ伝送路50を伝搬してきてきた複数チャネルの信号光を信号チャネル毎に分波する。受光部31nは、光分波器31から出力された波長λnの信号光を入力し、この信号光を受信する。ただし、Nは4以上の整数であり、nは1以上N以下の任意の整数である。
【0061】
光中継器20に含まれる4つの光増幅器のうち、Sbバンドの信号光を増幅する光増幅器221は、1.05μm波長帯励起のTDFAである。Srバンドの信号光を増幅する光増幅器222は、上記光増幅器100と同様の構成を有する。Cバンドの信号光を増幅する光増幅器223は通常のCバンド用EDFAである。Lバンドの信号光を増幅する光増幅器224はLバンド用EDFAである。図15(a)はSbバンド用光増幅器221の利得スペクトルである。図15(b)はCバンド用光増幅器223の利得スペクトルである。また、図15(c)はLバンド用光増幅器224の利得スペクトルである。
【0062】
次に、光通信システム1のより具体的な構成について説明する。ここでは、Sbバンドの多重化信号光は、波長域1456.7nm〜1486.3nmに含まれる周波数間隔100GHzの39チャネルである。Srバンドの多重化信号光は、波長域1490.8nm〜1522.6nmに含まれる周波数間隔100GHzの42チャネルである。Cバンドの多重化信号光は、波長域1528.0nm〜1563.9nmに含まれる周波数間隔100GHzの45チャネルである。また、Lバンドの多重化信号光は、波長域1568.8nm〜1603.2nmに含まれる周波数間隔100GHzの41チャネルである。このように構成された光通信システム1では、未使用波長域が15nm以下で、波長域1.45μm〜1.61μmの多重化信号光を良好な伝送特性で伝送することができる。
【0063】
上述の実施形態では、信号波長域が帯域幅4nm〜6nmの未使用波長域で隔てられた1又はそれ以上の帯域を含む。これは、Er元素及びTm元素それぞれの蛍光特性を考慮すれば妥当なものである。また、各光合波器及び各光分波器が誘電体多層膜フィルタから構成された場合に、その現行の技術レベルを考慮しても妥当なものである。
【0064】
また、光ファイバ伝送路において信号光をラマン増幅することを考慮すると、SbバンドとSrバンドとの間の未使用波長域、SrバンドとCバンドとの間の未使用波長域、又は、CバンドとLバンドとの間の未使用波長域に、ラマン増幅用の励起光の波長を設定するのが好ましい。このとき、このラマン増幅用の励起光のレーリ散乱が信号光に悪影響を及ぼさないように、この励起光の30dBダウン帯域幅が未使用波長域幅より狭いことが望ましい。現在において多用されているラマン増幅用励起光源は、ファイバグレーティング付き半導体レーザ光源であり、図16に示されるようた出力光スペクトルを有しており、30dBダウン帯域幅が4nm〜5nm程度である。この点からも、未使用波長域幅が4nm〜6nmであるのは妥当なものである。
【0065】
なお、この発明は、上述のような実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、この発明に係る光増幅モジュールは、Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路としてEDFを備え、Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加光導波路としてTDFを備えるものであった。しかし、当該光増幅モジュールは、平面基板上に形成された光導波路にEr元素又はTm元素が添加されたものを備えたものであってもよい。ただし、EDF、TDFのように希土類元素が添加された光ファイバである場合の方が、導波路長を容易に長くすることができ、利得を高くすることができ、この点で好ましい。
【0066】
また、この発明に係る光増幅モジュールは、所定の波長の励起光が供給されることで、入力された信号光を増幅することができる。しかしながら、この光増幅器モジュールは、Er、Tmを励起し得る波長の励起光が供給されるのみで、信号光が入力しなければ、Tm添加光導波路Er添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光を出力する。この場合、この光増幅モジュール及び励起光供給手段は、波長域1.45μm〜1.61μmの白色光を出力する白色光源を構成する。この白色光源は図1に示された構成と略同様であるが、信号光の入出力が無いので、光分岐器121、122及び信号光検知部181、182は不要である。
【0067】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、Erイオンを励起し得る波長の励起光が第1励起光供給手段によりEr添加光導波路に供給され、Tmイオンを励起し得る波長の励起光が第2励起光供給手段によりTm添加光導波路に供給される。そして、Er添加光導波路及びTm添加光導波路を含む光増幅モジュールでは、Er添加光導波路及びTm添加光導波路の双方において信号光が増幅される。このとき、当該光増幅モジュール全体の利得スペクトルは、Er添加光導波路及びTm添加光導波路それぞれの利得スペクトルを総合したスペクトルとなる。これにより、波長域1490nm〜1520nm付近における信号光増幅の利得が従来より平坦なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る光増幅器の一実施形態の構成を示す図である。
【図2】図1中の光フィルタの透過スペクトルである。
【図3】図1に示された光増幅器におけるEDFA部分の利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。
【図4】図1に示された光増幅器におけるEDFA部分の諸特性を纏めた表である。
【図5】Al添加EDFとP/Al共添加EDFそれぞれの規格化された誘導放出断面積を示すグラフである。
【図6】P/Al共添加EDF用光フィルタの透過スペクトルである。
【図7】Sバンド増幅用P/Al共添加EDFAの光増幅特性を示すグラフである。
【図8】図1に示された光増幅器におけるTDFA部分の利得特性及び雑音指数特性を示すグラフである。
【図9】図1に示された光増幅器における各部の利得スペクトルである。
【図10】図1中の光フィルタの透過スペクトルである。
【図11】EDFの誘導放出断面積σe及び吸収断面積σaの波長依存性を示すグラフである。
【図12】温度25℃及び75℃それぞれの場合におけるEDFA部分の利得特性及び雑音指数指数を示すグラフである。
【図13】波長974nm、976nm、978nm及び980nmの励起光がそれぞれ供給されたときのEDFA部分の利得スペクトルである。
【図14】この発明に係る光通信システムにおける一実施形態の構成を示す図である。
【図15】図14に示された光通信システムに含まれる光増幅器それぞれの利得スペクトルである。
【図16】ファイバグレーティング付き半導体レーザ光源の出力光スペクトルである。
【符号の説明】
1…光通信システム、10…光増進器、20…光中継器、30…光受信器、100…光増幅器、101…入力端、102…出力端、111,112…光分岐器、121〜123…光アイソレータ、131〜135…光結合器、141〜145…EDF、146…TDF、151〜154…光フィルタ、161〜165…温度調整部、171〜175…励起光源、181、182…信号光検知部、190…制御部。
Claims (12)
- 1490nm〜1520nmの信号波長域に含まれる複数チャネルの信号光を増幅する光増幅モジュールであって、
Tm元素が光導波領域に添加されたTm添加光導波路と、
前記Tm添加光導波路と光学的に接続され、Er元素が光導波領域に添加されたEr添加光導波路とを備え、
前記Tm添加導波路の利得が前記波長域における長波長側で減少するように励起光が供給され、
前記Er添加導波路は、分割された複数の導波路要素として構成され、
前記導波路要素間に配置され、波長1530nm以上の波長域の光を遮断する遮断フィルタをさらに備えたことを特徴とする光増幅モジュール。 - 前記信号光の進行方向から見て上流側に前記Er添加導波路、下流側に前記Tm添加導波路が配置され、
前記Tm添加導波路が利得飽和するように励起光が供給されることを特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。 - 前記信号光の進行方向から見て前記Er添加光導波路の上流側、下流側又は中途に配置され、波長1525nm以上の光を高効率で遮断する一方、波長域1500nm〜1520nmに含まれる領域において前記Er添加光導波路の利得を等化する利得等化フィルタをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。
- 0.98μm帯の励起光を前記Er添加光導波路に供給する第1光結合器をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。
- 1.05μm帯又は1.4μm帯の励起光と、1.2μm帯又は1.55〜1.65μm帯の励起光とを前記Tm添加光導波路に供給する第2光結合器をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。
- 前記Tm添加光導波路及び前記Er添加光導波路それぞれは、光ファイバを含むことを特徴とする請求項1記載の光増幅モジュール。
- 入力端から入力された信号光を増幅する光増幅器であって、
Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む請求項1記載の光増幅モジュールと、
Erイオンを励起し得る波長の励起光を前記Er添加光導波路に供給する第1励起光供給手段と、
Tmイオンを励起し得る波長の励起光を前記Tm添加光導波路に供給する第2励起光供給手段とを備えた光増幅器。 - 前記Er添加光導波路は、前記信号光の進行方向から見て前記Tm添加光導波路の上流側に配置されていることを特徴とする請求項7記載の光増幅器。
- 請求項7記載の光増幅器を含み、波長域1490nm〜1520nmを含む信号波長域の複数チャネルの信号光を伝送するとともに、前記波長域内の信号光を前記光増幅器により増幅する光通信システム。
- 前記信号波長域は、帯域幅4nm〜6nmの未使用波長域で隔てられた1又はそれ以上の帯域を含むことを特徴とする請求項9記載の光通信システム。
- 前記未使用波長域内のラマン増幅用励起光を光伝送路に供給し、該光伝送路において前記信号光をラマン増幅することを特徴とする請求項10記載の光通信システム。
- Tm添加光導波路及びEr添加光導波路を含む請求項1記載の光増幅モジュールと、
Erイオンを励起し得る波長の励起光を前記Er添加光導波路に供給する第1励起光供給手段と、
Tmイオンを励起し得る波長の励起光を前記Tm添加光導波路に供給する第2励起光供給手段とを備え、
前記励起光の供給により前記Tm添加光導波路及び前記Er添加光導波路それぞれにおいて発生した自然放出光を出力する白色光源。
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