JP2003323154A - 発光装置の駆動方法 - Google Patents
発光装置の駆動方法Info
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子は、経時変化により内部抵抗値が増
加する性質を有し、内部抵抗値の増加に伴って、両電極
間に流れる電流値は減少してしまっていた。つまり発光
素子は、内部抵抗値の増加の影響を受けて、発光輝度が
低下してしまい、所望の発光輝度を得ることが困難であ
った。 【解決手段】 本発明は、L/Wが１０以上のトランジス
タを用いて、該トランジスタの|VDS|を１V以上|VGS-Vth
|以下に設定することを特徴とする。そして、トランジ
スタを抵抗として用いることで、該トランジスタが抵抗
値を保持することが可能となり、発光素子の内部抵抗値
の増加に起因した電流値の減少を緩和させることが出来
る。したがって発光輝度の経時変化を低減することが可
能となり、信頼性を向上させることが出来る。
加する性質を有し、内部抵抗値の増加に伴って、両電極
間に流れる電流値は減少してしまっていた。つまり発光
素子は、内部抵抗値の増加の影響を受けて、発光輝度が
低下してしまい、所望の発光輝度を得ることが困難であ
った。 【解決手段】 本発明は、L/Wが１０以上のトランジス
タを用いて、該トランジスタの|VDS|を１V以上|VGS-Vth
|以下に設定することを特徴とする。そして、トランジ
スタを抵抗として用いることで、該トランジスタが抵抗
値を保持することが可能となり、発光素子の内部抵抗値
の増加に起因した電流値の減少を緩和させることが出来
る。したがって発光輝度の経時変化を低減することが可
能となり、信頼性を向上させることが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子を用いた発
光装置の技術に関する。より詳しくは、電界効果型トラ
ンジスタにより発光素子の印加電圧を制御する発光装置
の技術に関する。
光装置の技術に関する。より詳しくは、電界効果型トラ
ンジスタにより発光素子の印加電圧を制御する発光装置
の技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、画像の表示を行う表示装置の開発
が進められている。表示装置としては、液晶素子を用い
て画像の表示を行う液晶表示装置が、高画質、薄型、軽
量などの利点を活かして、携帯電話の表示画面として幅
広く用いられている。
が進められている。表示装置としては、液晶素子を用い
て画像の表示を行う液晶表示装置が、高画質、薄型、軽
量などの利点を活かして、携帯電話の表示画面として幅
広く用いられている。
【０００３】一方、発光素子を用いた発光装置の開発も
近年進められている。発光装置は、既存の液晶表示装置
がもつ利点の他、応答速度が速く動画表示に優れ、視野
特性が広いなどの特徴も有しており、動画コンテンツが
利用できる次世代小型モバイル用フラットパネルディス
プレイとして注目されている。
近年進められている。発光装置は、既存の液晶表示装置
がもつ利点の他、応答速度が速く動画表示に優れ、視野
特性が広いなどの特徴も有しており、動画コンテンツが
利用できる次世代小型モバイル用フラットパネルディス
プレイとして注目されている。
【０００４】発光素子は、有機材料、無機材料、薄膜材
料、バルク材料及び分散材料などの広汎にわたる材料に
より構成される。そのうち、主に有機材料により構成さ
れる有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diod
e : OLED)は代表的な発光素子として挙げられる。発光
素子は、陽極及び陰極、並びに前記陽極と前記陰極との
間に発光層が挟まれた構造を有する。発光層は、上記材
料から選択された１つ又は複数の材料により構成され
る。なお発光素子の両電極間を流れる電流量と発光輝度
は正比例の関係にある。
料、バルク材料及び分散材料などの広汎にわたる材料に
より構成される。そのうち、主に有機材料により構成さ
れる有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diod
e : OLED)は代表的な発光素子として挙げられる。発光
素子は、陽極及び陰極、並びに前記陽極と前記陰極との
間に発光層が挟まれた構造を有する。発光層は、上記材
料から選択された１つ又は複数の材料により構成され
る。なお発光素子の両電極間を流れる電流量と発光輝度
は正比例の関係にある。
【０００５】発光装置には、発光素子と少なくとも２つ
のトランジスタを有する画素が複数個設けられている。
前記画素において、発光素子と直列に接続されたトラン
ジスタ（以下、駆動用トランジスタと表記）は、該発光
素子の発光を制御する役目を担う。駆動用トランジスタ
のゲート・ソース間電圧（以下、VGSと表記）と、ソー
ス・ドレイン間電圧（以下、VDSと表記）を適宜変化さ
せると、該駆動用トランジスタを飽和領域で動作させた
り、非飽和領域で動作させたりすることが出来る。
のトランジスタを有する画素が複数個設けられている。
前記画素において、発光素子と直列に接続されたトラン
ジスタ（以下、駆動用トランジスタと表記）は、該発光
素子の発光を制御する役目を担う。駆動用トランジスタ
のゲート・ソース間電圧（以下、VGSと表記）と、ソー
ス・ドレイン間電圧（以下、VDSと表記）を適宜変化さ
せると、該駆動用トランジスタを飽和領域で動作させた
り、非飽和領域で動作させたりすることが出来る。
【０００６】駆動用トランジスタを飽和領域（|VGS-Vth
|＜|VDS|）で動作させると、発光素子の両電極間に流れ
る電流量は、駆動用トランジスタの|VGS|の変化に大き
く依存し、|VDS|の変化に対しては依存しない。なお駆
動用トランジスタを飽和領域で動作させる駆動方式は定
電流駆動と呼ばれる。図９（Ａ）は、定電流駆動が適用
される画素の概略図である。定電流駆動では、該駆動用
トランジスタのゲート電圧を制御することによって、必
要な電流量を発光素子に流す。つまり、駆動用トランジ
スタを電圧制御電流源として用いており、電源線と発光
素子の間に一定の電流が流れるように設定されている。
|＜|VDS|）で動作させると、発光素子の両電極間に流れ
る電流量は、駆動用トランジスタの|VGS|の変化に大き
く依存し、|VDS|の変化に対しては依存しない。なお駆
動用トランジスタを飽和領域で動作させる駆動方式は定
電流駆動と呼ばれる。図９（Ａ）は、定電流駆動が適用
される画素の概略図である。定電流駆動では、該駆動用
トランジスタのゲート電圧を制御することによって、必
要な電流量を発光素子に流す。つまり、駆動用トランジ
スタを電圧制御電流源として用いており、電源線と発光
素子の間に一定の電流が流れるように設定されている。
【０００７】一方、駆動用トランジスタを非飽和領域
（|VGS-Vth|＞|VDS|）で動作させると、発光素子の両電
極間に流れる電流量は、|VGS|と|VDS|の両者の値によっ
て変化する。より詳しくは、|VGS|の値によって変化
し、|VDS|は最大で１Ｖ未満の範囲で変化する。なお駆
動用トランジスタを非飽和領域で動作させる駆動方式
は、定電圧駆動と呼ばれる。図９（Ｂ）は、定電圧駆動
が適用される画素の概略図である。定電圧駆動では、駆
動用トランジスタをスイッチとして用いて、必要なとき
に電源線と発光素子とをショートすることによって、発
光素子に電流を流す。
（|VGS-Vth|＞|VDS|）で動作させると、発光素子の両電
極間に流れる電流量は、|VGS|と|VDS|の両者の値によっ
て変化する。より詳しくは、|VGS|の値によって変化
し、|VDS|は最大で１Ｖ未満の範囲で変化する。なお駆
動用トランジスタを非飽和領域で動作させる駆動方式
は、定電圧駆動と呼ばれる。図９（Ｂ）は、定電圧駆動
が適用される画素の概略図である。定電圧駆動では、駆
動用トランジスタをスイッチとして用いて、必要なとき
に電源線と発光素子とをショートすることによって、発
光素子に電流を流す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】発光素子は、経時変化
により抵抗値（内部抵抗値）が増加する性質を有する。
発光素子の両電極間に流れる電流値は、抵抗値に反比例
するため、抵抗値が増加すると、発光素子の両電極間に
流れる電流値は減少してしまっていた。つまり発光素子
は、経時変化により発光輝度が低下してしまい、所望の
発光輝度を得ることが困難であった。
により抵抗値（内部抵抗値）が増加する性質を有する。
発光素子の両電極間に流れる電流値は、抵抗値に反比例
するため、抵抗値が増加すると、発光素子の両電極間に
流れる電流値は減少してしまっていた。つまり発光素子
は、経時変化により発光輝度が低下してしまい、所望の
発光輝度を得ることが困難であった。
【０００９】本発明は、上述の実情を鑑みてなされたも
のであり、定電圧駆動を採用した発光装置において、経
時変化による電流値の減少を緩和して信頼性を向上させ
た発光装置の駆動方法を提供することを課題とする。
のであり、定電圧駆動を採用した発光装置において、経
時変化による電流値の減少を緩和して信頼性を向上させ
た発光装置の駆動方法を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光素子と、
前記発光素子に接続され、且つチャネル幅W及びチャネ
ル長LがL/W≧10を満たす駆動用トランジスタを有する発
光装置の駆動方法であって、前記駆動用トランジスタの
ゲート・ソース間電圧がVGS、ソース・ドレイン間電圧
がVDS、しきい値電圧がVthであるとき、1≦|VDS|≦|VGS
-Vth|を満たすように前記駆動用トランジスタのゲート
電極、並びにドレイン電極及びソース電極の一方の電極
に電圧を印加することを特徴とする。
前記発光素子に接続され、且つチャネル幅W及びチャネ
ル長LがL/W≧10を満たす駆動用トランジスタを有する発
光装置の駆動方法であって、前記駆動用トランジスタの
ゲート・ソース間電圧がVGS、ソース・ドレイン間電圧
がVDS、しきい値電圧がVthであるとき、1≦|VDS|≦|VGS
-Vth|を満たすように前記駆動用トランジスタのゲート
電極、並びにドレイン電極及びソース電極の一方の電極
に電圧を印加することを特徴とする。
【００１１】本発明は、発光素子と、前記発光素子に接
続され、且つチャネル幅W及びチャネル長LがL/W≧10を
満たす第１及び第２の駆動用トランジスタを有する発光
装置の駆動方法であって、前記第１及び前記第２の駆動
用トランジスタは直列に接続され、前記第１の駆動用ト
ランジスタのチャネル幅W1及びチャネル長L1、並びに前
記第２の駆動用トランジスタのチャネル幅W2及びチャネ
ル長L2は、(L1+L2)/W1≧10、(L1+L2)/W2≧10を満たし、
前記第１の駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧
がVGS1、ソース・ドレイン間電圧がVDS1、しきい値電圧
がVth1であるとき、1≦|VDS1|≦|VGS1-Vth1|を満たすよ
うに前記第１の駆動用トランジスタのゲート電極、並び
にドレイン電極及びソース電極の一方の電極に電圧を印
加し、前記第２の駆動用トランジスタのゲート・ソース
間電圧がVGS2、ソース・ドレイン間電圧がVDS2、しきい
値電圧がVth2であるとき、1≦|VDS2|≦|VGS2-Vth2|を満
たすように前記第２の駆動用トランジスタのゲート電
極、並びにドレイン電極及びソース電極の一方の電極に
電圧を印加することを特徴とする。
続され、且つチャネル幅W及びチャネル長LがL/W≧10を
満たす第１及び第２の駆動用トランジスタを有する発光
装置の駆動方法であって、前記第１及び前記第２の駆動
用トランジスタは直列に接続され、前記第１の駆動用ト
ランジスタのチャネル幅W1及びチャネル長L1、並びに前
記第２の駆動用トランジスタのチャネル幅W2及びチャネ
ル長L2は、(L1+L2)/W1≧10、(L1+L2)/W2≧10を満たし、
前記第１の駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧
がVGS1、ソース・ドレイン間電圧がVDS1、しきい値電圧
がVth1であるとき、1≦|VDS1|≦|VGS1-Vth1|を満たすよ
うに前記第１の駆動用トランジスタのゲート電極、並び
にドレイン電極及びソース電極の一方の電極に電圧を印
加し、前記第２の駆動用トランジスタのゲート・ソース
間電圧がVGS2、ソース・ドレイン間電圧がVDS2、しきい
値電圧がVth2であるとき、1≦|VDS2|≦|VGS2-Vth2|を満
たすように前記第２の駆動用トランジスタのゲート電
極、並びにドレイン電極及びソース電極の一方の電極に
電圧を印加することを特徴とする。
【００１２】以上をまとめると、本発明が適用される発
光装置は、L/Wが１０以上の駆動用トランジスタを用い
ることを特徴とする。そして本発明は、従来であればほ
ぼゼロであった駆動用トランジスタの|VDS|を１V以上|V
GS-Vth|以下で動作させることを特徴とする。|VDS|を上
記の範囲内で動作させることによって、該駆動用トラン
ジスタを抵抗として用いることが出来る。そうすると、
発光素子の両電極間を流れる電流値は、発光素子及び駆
動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。つまり、
従来であれば電流値は発光素子の抵抗値のみに反比例し
ていたが、本発明では電流値は発光素子及び駆動用トラ
ンジスタの抵抗値の和に反比例する。その結果、経時変
化による発光素子の電流値の減少を緩和させることがで
きる。そうすると、経時変化による発光輝度の低下を抑
制することが可能となり、信頼性を向上させることが出
来る。
光装置は、L/Wが１０以上の駆動用トランジスタを用い
ることを特徴とする。そして本発明は、従来であればほ
ぼゼロであった駆動用トランジスタの|VDS|を１V以上|V
GS-Vth|以下で動作させることを特徴とする。|VDS|を上
記の範囲内で動作させることによって、該駆動用トラン
ジスタを抵抗として用いることが出来る。そうすると、
発光素子の両電極間を流れる電流値は、発光素子及び駆
動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。つまり、
従来であれば電流値は発光素子の抵抗値のみに反比例し
ていたが、本発明では電流値は発光素子及び駆動用トラ
ンジスタの抵抗値の和に反比例する。その結果、経時変
化による発光素子の電流値の減少を緩和させることがで
きる。そうすると、経時変化による発光輝度の低下を抑
制することが可能となり、信頼性を向上させることが出
来る。
【００１３】また本発明は、駆動用トランジスタの|VDS
|が１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆
動用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及
びソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴
とする。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信
号を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極
及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電
圧を印加して、適当な電位に設定することを特徴とす
る。より詳しくは、駆動用トランジスタのゲート電極に
入力する信号の電位、該信号を出力する信号線が接続さ
れた信号線駆動回路の電位、駆動用トランジスタのソー
ス電極及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源
線の電位、該電源線が接続された電源回路の電位を適当
な値に設定することを特徴とする。
|が１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆
動用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及
びソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴
とする。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信
号を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極
及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電
圧を印加して、適当な電位に設定することを特徴とす
る。より詳しくは、駆動用トランジスタのゲート電極に
入力する信号の電位、該信号を出力する信号線が接続さ
れた信号線駆動回路の電位、駆動用トランジスタのソー
ス電極及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源
線の電位、該電源線が接続された電源回路の電位を適当
な値に設定することを特徴とする。
【００１４】本発明は、L/Wの値が１０以上であるトラ
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態について図１〜図４を用いて説明する。
形態について図１〜図４を用いて説明する。
【００１６】図４（Ａ）には本発明が適用される発光装
置の概略を示す。発光装置は、画素部３０２と、該画素
部３０２の周辺に配置された信号線駆動回路３０３及び
走査線駆動回路３０４を有する。
置の概略を示す。発光装置は、画素部３０２と、該画素
部３０２の周辺に配置された信号線駆動回路３０３及び
走査線駆動回路３０４を有する。
【００１７】画素部３０２は、列方向に配置されたｘ本
の信号線Ｓ1〜Ｓx及びｘ本の電源線Ｖ1〜Ｖx、並びに行
方向に配置されたｙ本の走査線Ｇ1〜Ｇy及びｙ本の電源
線Ｃ 1〜Ｃyを有する（ｘ、ｙは自然数）。そして、信号
線Ｓ1〜Ｓx及び電源線Ｖ1〜Ｖx、並びに走査線Ｇ1〜Ｇy
及び電源線Ｃ1〜Ｃyの各一本の配線に囲まれた領域が画
素３０１に相当する。画素部３０２には、マトリクス状
に複数の画素３０１が配置されている。
の信号線Ｓ1〜Ｓx及びｘ本の電源線Ｖ1〜Ｖx、並びに行
方向に配置されたｙ本の走査線Ｇ1〜Ｇy及びｙ本の電源
線Ｃ 1〜Ｃyを有する（ｘ、ｙは自然数）。そして、信号
線Ｓ1〜Ｓx及び電源線Ｖ1〜Ｖx、並びに走査線Ｇ1〜Ｇy
及び電源線Ｃ1〜Ｃyの各一本の配線に囲まれた領域が画
素３０１に相当する。画素部３０２には、マトリクス状
に複数の画素３０１が配置されている。
【００１８】信号線駆動回路３０３及び走査線駆動回路
３０４等は、同一基板上に画素部３０２と一体形成して
もよい。また、画素部３０２が形成された基板の外部に
配置してもよい。さらに信号線駆動回路３０３及び走査
線駆動回路３０４の数は特に限定されない。信号線駆動
回路３０３及び走査線駆動回路３０４の数は、画素３０
１の構成に応じて、任意に設定することが出来る。なお
信号線駆動回路３０３及び走査線駆動回路３０４等に
は、ＦＰＣ等（図示せず）を介して外部より信号及び電
源が供給される。また電源線Ｃ1〜Ｃyには、電源回路が
接続されているが、該電源回路は画素部３０２と一体形
成されていてもよいし、外付けしてＦＰＣ等で接続され
るようにしてもよい。
３０４等は、同一基板上に画素部３０２と一体形成して
もよい。また、画素部３０２が形成された基板の外部に
配置してもよい。さらに信号線駆動回路３０３及び走査
線駆動回路３０４の数は特に限定されない。信号線駆動
回路３０３及び走査線駆動回路３０４の数は、画素３０
１の構成に応じて、任意に設定することが出来る。なお
信号線駆動回路３０３及び走査線駆動回路３０４等に
は、ＦＰＣ等（図示せず）を介して外部より信号及び電
源が供給される。また電源線Ｃ1〜Ｃyには、電源回路が
接続されているが、該電源回路は画素部３０２と一体形
成されていてもよいし、外付けしてＦＰＣ等で接続され
るようにしてもよい。
【００１９】なお本発明における発光装置には、発光素
子を有する画素部及び駆動回路を基板とカバー材との間
に封入した発光パネル、前記発光パネルにＩＣ等を実装
した発光モジュール、表示装置として用いられる発光デ
ィスプレイなどを範疇に含む。つまり発光装置は、発光
パネル、発光モジュール及び発光ディスプレイなどの総
称に相当する。
子を有する画素部及び駆動回路を基板とカバー材との間
に封入した発光パネル、前記発光パネルにＩＣ等を実装
した発光モジュール、表示装置として用いられる発光デ
ィスプレイなどを範疇に含む。つまり発光装置は、発光
パネル、発光モジュール及び発光ディスプレイなどの総
称に相当する。
【００２０】画素部３０２のｉ列ｊ行目に配置された画
素３０１について、代表的な構成例を２つ挙げて、その
詳しい構成を図４（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。図４
（Ｂ）に示す画素３０１は、スイッチング用トランジス
タ３０６、駆動用トランジスタ３０７及び発光素子３０
８を有する。図４（Ｃ）に示す画素３０１は、図４
（Ｂ）に示す画素３０１に消去用トランジスタ３０９及
び走査線Rjを追加した構成を有する。
素３０１について、代表的な構成例を２つ挙げて、その
詳しい構成を図４（Ｂ）（Ｃ）を用いて説明する。図４
（Ｂ）に示す画素３０１は、スイッチング用トランジス
タ３０６、駆動用トランジスタ３０７及び発光素子３０
８を有する。図４（Ｃ）に示す画素３０１は、図４
（Ｂ）に示す画素３０１に消去用トランジスタ３０９及
び走査線Rjを追加した構成を有する。
【００２１】図４（Ｂ）（Ｃ）において、スイッチング
用トランジスタ３０６のゲート電極は走査線Ｇjに接続
され、第１の電極は信号線Ｓiに接続され、第２の電極
は駆動用トランジスタ３０７のゲート電極に接続されて
いる。駆動用トランジスタ３０７の第１の電極は電源線
Ｖiに接続され、第２の電極は発光素子３０８の一方の
電極に接続されている。発光素子３０８の他方の電極は
電源線Ｃjに接続されている。
用トランジスタ３０６のゲート電極は走査線Ｇjに接続
され、第１の電極は信号線Ｓiに接続され、第２の電極
は駆動用トランジスタ３０７のゲート電極に接続されて
いる。駆動用トランジスタ３０７の第１の電極は電源線
Ｖiに接続され、第２の電極は発光素子３０８の一方の
電極に接続されている。発光素子３０８の他方の電極は
電源線Ｃjに接続されている。
【００２２】また図４（Ｃ）において、スイッチング用
トランジスタ３０６と消去用トランジスタ３０９とは直
列に接続され、信号線Ｓiと電源線Ｖiの間に配置されて
いる。消去用トランジスタ３０９のゲート電極は走査線
Ｒjに接続されている。
トランジスタ３０６と消去用トランジスタ３０９とは直
列に接続され、信号線Ｓiと電源線Ｖiの間に配置されて
いる。消去用トランジスタ３０９のゲート電極は走査線
Ｒjに接続されている。
【００２３】本明細書では、駆動用トランジスタ３０７
の第２の電極に接続された発光素子３０８の一方の電極
を画素電極と呼び、電源線Ｃｊに接続された他方の電極
を対向電極と呼ぶ。
の第２の電極に接続された発光素子３０８の一方の電極
を画素電極と呼び、電源線Ｃｊに接続された他方の電極
を対向電極と呼ぶ。
【００２４】図４（Ｂ）（Ｃ）において、スイッチング
用トランジスタ３０６は、画素３０１への信号の入力を
制御する機能を有する。スイッチング用トランジスタ３
０６はスイッチとしての機能を有していれば良いので、
その導電型は特に限定されない。ｎチャネル型及びｐチ
ャネル型のいずれも用いることができる。
用トランジスタ３０６は、画素３０１への信号の入力を
制御する機能を有する。スイッチング用トランジスタ３
０６はスイッチとしての機能を有していれば良いので、
その導電型は特に限定されない。ｎチャネル型及びｐチ
ャネル型のいずれも用いることができる。
【００２５】また図４（Ｂ）（Ｃ）において、駆動用ト
ランジスタ３０７は、発光素子３０８の発光を制御する
機能を有する。駆動用トランジスタ３０７の導電型は特
に限定されないが、駆動用トランジスタ３０７がｐチャ
ネル型であるとき、画素電極が陽極となり、対向電極が
陰極となる。また駆動用トランジスタ３０７がｎチャネ
ル型であるとき、画素電極が陰極となり、対向電極が陽
極となる。
ランジスタ３０７は、発光素子３０８の発光を制御する
機能を有する。駆動用トランジスタ３０７の導電型は特
に限定されないが、駆動用トランジスタ３０７がｐチャ
ネル型であるとき、画素電極が陽極となり、対向電極が
陰極となる。また駆動用トランジスタ３０７がｎチャネ
ル型であるとき、画素電極が陰極となり、対向電極が陽
極となる。
【００２６】図４（Ｃ）において、消去用トランジスタ
３０９は、発光素子３０８の発光を停止せしめる機能を
有する。消去用トランジスタ３０９はスイッチとしての
機能を有していれば良いので、その導電型は特に限定さ
れない。ｎチャネル型及びｐチャネル型のどちらの導電
型を有するトランジスタを用いてもよい。
３０９は、発光素子３０８の発光を停止せしめる機能を
有する。消去用トランジスタ３０９はスイッチとしての
機能を有していれば良いので、その導電型は特に限定さ
れない。ｎチャネル型及びｐチャネル型のどちらの導電
型を有するトランジスタを用いてもよい。
【００２７】画素３０１に配置されるトランジスタは、
ゲート電極が１本のシングルゲート構造だけではなく、
ゲート電極が２本のダブルゲート構造やゲート電極が３
本のトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有し
ていてもよい。またゲート電極が半導体の上部に配置さ
れたトップゲート構造、ゲート電極が半導体の下部に配
置されたボトムゲート構造のどちらの構造を有していて
もよい。
ゲート電極が１本のシングルゲート構造だけではなく、
ゲート電極が２本のダブルゲート構造やゲート電極が３
本のトリプルゲート構造などのマルチゲート構造を有し
ていてもよい。またゲート電極が半導体の上部に配置さ
れたトップゲート構造、ゲート電極が半導体の下部に配
置されたボトムゲート構造のどちらの構造を有していて
もよい。
【００２８】そして本発明が適用される発光装置では、
駆動用トランジスタ３０７のチャネル長Ｌを長く設定す
ることを特徴とする。より具体的には、駆動用トランジ
スタ３０７のチャネル幅Wに対してチャネル長Lを数倍か
ら数百倍に設定することを特徴とする。
駆動用トランジスタ３０７のチャネル長Ｌを長く設定す
ることを特徴とする。より具体的には、駆動用トランジ
スタ３０７のチャネル幅Wに対してチャネル長Lを数倍か
ら数百倍に設定することを特徴とする。
【００２９】L/Wが標準的(一般的)な値である０．５に
設計された標準サイズのトランジスタの電圧電流特性
と、L/Wが１００である本発明に用いるロングサイズの
トランジスタの電圧電流特性について図１及び図１０を
用いて説明する。また、ロングサイズのトランジスタを
駆動用トランジスタ３０７として用いたときにおける発
光素子３０８の電圧電流特性について説明する。
設計された標準サイズのトランジスタの電圧電流特性
と、L/Wが１００である本発明に用いるロングサイズの
トランジスタの電圧電流特性について図１及び図１０を
用いて説明する。また、ロングサイズのトランジスタを
駆動用トランジスタ３０７として用いたときにおける発
光素子３０８の電圧電流特性について説明する。
【００３０】図１（Ａ）は、図４に示した画素３０１に
おいて、駆動用トランジスタ３０７および発光素子３０
８とが接続された部分を示している。図１（Ａ）におい
て、電源線Viに接続された駆動用トランジスタ３０７の
ソース電極を１０１、ゲート電極を１０２とする。また
発光素子３０８の画素電極（駆動用トランジスタ３０７
のドレイン電極）を１０３、対向電極を１０４とする。
さらに、駆動用トランジスタ３０７のソース・ドレイン
間電圧をVDS、画素電極１０３と対向電極１０４の間の
電圧をＶELとする。
おいて、駆動用トランジスタ３０７および発光素子３０
８とが接続された部分を示している。図１（Ａ）におい
て、電源線Viに接続された駆動用トランジスタ３０７の
ソース電極を１０１、ゲート電極を１０２とする。また
発光素子３０８の画素電極（駆動用トランジスタ３０７
のドレイン電極）を１０３、対向電極を１０４とする。
さらに、駆動用トランジスタ３０７のソース・ドレイン
間電圧をVDS、画素電極１０３と対向電極１０４の間の
電圧をＶELとする。
【００３１】図１（Ｂ）は、ロングサイズのトランジス
タにＶGS1及びVGS2（VGS1＜VGS2）を印加したときにお
ける電圧電流特性１０６及び１０７と、標準サイズのト
ランジスタにＶGS3及びVGS4（VGS3＜VGS4）を印加した
ときにおける電圧電流特性１０８及び１０９、並びに発
光素子３０８の電圧電流特性１１０とを示す。駆動用ト
ランジスタ３０７と発光素子３０８は直列に接続されて
いるため、両素子を流れる電流量は同じである。従っ
て、駆動用トランジスタ３０７と発光素子３０８は、両
素子の電圧電流特性を示すグラフの交点（動作点）にお
いて駆動する。
タにＶGS1及びVGS2（VGS1＜VGS2）を印加したときにお
ける電圧電流特性１０６及び１０７と、標準サイズのト
ランジスタにＶGS3及びVGS4（VGS3＜VGS4）を印加した
ときにおける電圧電流特性１０８及び１０９、並びに発
光素子３０８の電圧電流特性１１０とを示す。駆動用ト
ランジスタ３０７と発光素子３０８は直列に接続されて
いるため、両素子を流れる電流量は同じである。従っ
て、駆動用トランジスタ３０７と発光素子３０８は、両
素子の電圧電流特性を示すグラフの交点（動作点）にお
いて駆動する。
【００３２】図１（Ｂ）に示すように、標準サイズ及び
ロングサイズの電圧電流特性は、VD Sの増加に伴って、
電流値IDが増加している。そして、ある一定の電圧以上
で、電流値IDは飽和している。電流値IDが飽和するVDS
の値は、VGSで異なる。
ロングサイズの電圧電流特性は、VD Sの増加に伴って、
電流値IDが増加している。そして、ある一定の電圧以上
で、電流値IDは飽和している。電流値IDが飽和するVDS
の値は、VGSで異なる。
【００３３】ここで、発光素子３０８の両電極間に流す
所望の電流値が電流値ID107であるとして、図１（Ｂ）
において１１１で示す部分の拡大図を図１０（Ａ）に示
す。また図１０（Ｂ）には標準サイズの電圧電流特性１
０８及び１０９、並びに発光素子３０８の電圧電流特性
１１０を示し、図１０（Ｃ）にはロングサイズのトラン
ジスタの電圧電流特性１０６及び１０７、並びに発光素
子３０８の電圧電流特性１１０を示す。
所望の電流値が電流値ID107であるとして、図１（Ｂ）
において１１１で示す部分の拡大図を図１０（Ａ）に示
す。また図１０（Ｂ）には標準サイズの電圧電流特性１
０８及び１０９、並びに発光素子３０８の電圧電流特性
１１０を示し、図１０（Ｃ）にはロングサイズのトラン
ジスタの電圧電流特性１０６及び１０７、並びに発光素
子３０８の電圧電流特性１１０を示す。
【００３４】図１０（Ａ）に示すように、１１１で示す
領域では、標準サイズのトランジスタのグラフ１０８及
び１０９の傾きは急であり、それに対してロングサイズ
のトランジスタのグラフ１０６及び１０７の傾きは緩や
かになっている。
領域では、標準サイズのトランジスタのグラフ１０８及
び１０９の傾きは急であり、それに対してロングサイズ
のトランジスタのグラフ１０６及び１０７の傾きは緩や
かになっている。
【００３５】この傾きの相違は、トランジスタのL/Wの
値に起因する。標準サイズのトランジスタでは、L/Wの
値が０．１〜２程度であるため、トランジスタのVDSを
大きくとることが出来ない。そのため、図１０（Ｂ）に
示すように、VDSはVELに比べてはるかに小さく、ほぼゼ
ロに近い値となってしまう。つまり、標準サイズのトラ
ンジスタでは、VDSの変化に伴ってドレイン電流IDは急
に増加し、VDSがある電圧以上になると飽和するため、
そのグラフの傾きは急になっている。
値に起因する。標準サイズのトランジスタでは、L/Wの
値が０．１〜２程度であるため、トランジスタのVDSを
大きくとることが出来ない。そのため、図１０（Ｂ）に
示すように、VDSはVELに比べてはるかに小さく、ほぼゼ
ロに近い値となってしまう。つまり、標準サイズのトラ
ンジスタでは、VDSの変化に伴ってドレイン電流IDは急
に増加し、VDSがある電圧以上になると飽和するため、
そのグラフの傾きは急になっている。
【００３６】これに対して、ロングサイズのトランジス
タでは、L/Wが１０以上であり、駆動用トランジスタの|
VDS|を１V以上|VGS-Vth|以下で動作させることを特徴と
する。|VDS|を上記の範囲内で動作させることによっ
て、該駆動用トランジスタを抵抗として用いることが出
来る。そのため、図１０（Ｃ）に示すように、ロングサ
イズのトランジスタでは、VDSとVELとの差があまりな
く、VDSの変化に伴ってドレイン電流IDは緩やかに増加
するため、そのグラフの傾きは緩やかになっている。
タでは、L/Wが１０以上であり、駆動用トランジスタの|
VDS|を１V以上|VGS-Vth|以下で動作させることを特徴と
する。|VDS|を上記の範囲内で動作させることによっ
て、該駆動用トランジスタを抵抗として用いることが出
来る。そのため、図１０（Ｃ）に示すように、ロングサ
イズのトランジスタでは、VDSとVELとの差があまりな
く、VDSの変化に伴ってドレイン電流IDは緩やかに増加
するため、そのグラフの傾きは緩やかになっている。
【００３７】つまり本発明は、L/Wが１０以上の駆動用
トランジスタ３０７を用いて、該駆動用トランジスタ３
０７が接続された電源線Viと、ゲート電極に適当な電圧
を印加することで、該電源線Viとゲート電極の電位を適
当な値に設定する。このようにして、従来であれば１V
未満であった駆動用トランジスタ３０７の|VDS|を１V以
上|VGS-Vth|以下に設定することができる。トランジス
タの抵抗値は、該トランジスタの|VDS|にも依存するこ
とから、|VDS|を１V以上|VGS-Vth|以下に設定すること
で、トランジスタに抵抗値（内部抵抗値）が生じる。そ
の結果、発光素子の両電極間を流れる電流値は、発光素
子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。
すなわち、従来であれば電流値は発光素子の抵抗値のみ
に反比例していたが、本発明では電流値は発光素子及び
駆動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。その結
果、経時変化による発光素子の電流値の減少を緩和させ
ることができる。この効果については、図２を用いて詳
しく説明する。
トランジスタ３０７を用いて、該駆動用トランジスタ３
０７が接続された電源線Viと、ゲート電極に適当な電圧
を印加することで、該電源線Viとゲート電極の電位を適
当な値に設定する。このようにして、従来であれば１V
未満であった駆動用トランジスタ３０７の|VDS|を１V以
上|VGS-Vth|以下に設定することができる。トランジス
タの抵抗値は、該トランジスタの|VDS|にも依存するこ
とから、|VDS|を１V以上|VGS-Vth|以下に設定すること
で、トランジスタに抵抗値（内部抵抗値）が生じる。そ
の結果、発光素子の両電極間を流れる電流値は、発光素
子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。
すなわち、従来であれば電流値は発光素子の抵抗値のみ
に反比例していたが、本発明では電流値は発光素子及び
駆動用トランジスタの抵抗値の和に反比例する。その結
果、経時変化による発光素子の電流値の減少を緩和させ
ることができる。この効果については、図２を用いて詳
しく説明する。
【００３８】なお、上記の|VDS|の範囲はトランジスタ
の抵抗値が電流値の減少を緩和することが出来る範囲を
示す。つまり、|VDS|が１V以下であると、トランジスタ
の抵抗値は小さいため電流値の減少を緩和することは難
しく、|VGS-Vth|以上であるとトランジスタは飽和領域
で動作してしまう。
の抵抗値が電流値の減少を緩和することが出来る範囲を
示す。つまり、|VDS|が１V以下であると、トランジスタ
の抵抗値は小さいため電流値の減少を緩和することは難
しく、|VGS-Vth|以上であるとトランジスタは飽和領域
で動作してしまう。
【００３９】図２（Ａ）（Ｂ）は、ロングサイズの駆動
用トランジスタ３０７と発光素子３０８が接続された部
分を示し、図２（Ｃ）（Ｄ）は標準サイズの駆動用トラ
ンジスタ３０７と発光素子３０８が接続された部分を示
す。なおトランジスタ３０７の抵抗値はRTとし、発光素
子３０８の抵抗値はREとおく。
用トランジスタ３０７と発光素子３０８が接続された部
分を示し、図２（Ｃ）（Ｄ）は標準サイズの駆動用トラ
ンジスタ３０７と発光素子３０８が接続された部分を示
す。なおトランジスタ３０７の抵抗値はRTとし、発光素
子３０８の抵抗値はREとおく。
【００４０】図２（Ａ）（Ｂ）において、発光素子３０
８の一方の電極が接地されているとすると、電流値IDL
は、以下の式（１）を満たす。
８の一方の電極が接地されているとすると、電流値IDL
は、以下の式（１）を満たす。
【００４１】
【数１】 IDL=VDDL/(RT+RE)・・・（１）
【００４２】式（１）において、トランジスタ３０７の
抵抗値RTと発光素子３０８の抵抗値REとはほぼ同じ値で
ある。経時変化によりトランジスタの抵抗値RTは減少
し、発光素子３０８の抵抗値REは増加する。そうする
と、発光素子３０８を流れる電流値IDLは、以下の式
（２）を満たす。
抵抗値RTと発光素子３０８の抵抗値REとはほぼ同じ値で
ある。経時変化によりトランジスタの抵抗値RTは減少
し、発光素子３０８の抵抗値REは増加する。そうする
と、発光素子３０８を流れる電流値IDLは、以下の式
（２）を満たす。
【００４３】
【数２】 IDL=VDDL/(RT'+RE')・・・（２）
【００４４】このとき、経時変化により発光素子３０８
の抵抗値がRE'≒２×REを満たすと仮定すると、電流値I
DLの変動率は１/３となる。しかしより正確には、経時
変化により発光素子３０８の抵抗値REが増加し、トラン
ジスタ３０７の抵抗値RTは減少するため、上記の式
（１）及び（２）は、RT＞RT'を満たす。つまり、正確
には電流値IDLの変動率は１/３以下となる。
の抵抗値がRE'≒２×REを満たすと仮定すると、電流値I
DLの変動率は１/３となる。しかしより正確には、経時
変化により発光素子３０８の抵抗値REが増加し、トラン
ジスタ３０７の抵抗値RTは減少するため、上記の式
（１）及び（２）は、RT＞RT'を満たす。つまり、正確
には電流値IDLの変動率は１/３以下となる。
【００４５】同様に、図２（Ｃ）（Ｄ）において、発光
素子３０８の一方の電極が接地されているとすると、発
光素子３０８を流れる電流値IDSは、以下の式（３）を
満たす。なお、標準サイズのトランジスタ３０８には抵
抗値RTはほとんど存在しないので、ここでは抵抗値RTは
ゼロと仮定する。
素子３０８の一方の電極が接地されているとすると、発
光素子３０８を流れる電流値IDSは、以下の式（３）を
満たす。なお、標準サイズのトランジスタ３０８には抵
抗値RTはほとんど存在しないので、ここでは抵抗値RTは
ゼロと仮定する。
【００４６】
【数３】 IDS=VDDS/RE・・・（３）
【００４７】経時変化により、発光素子３０８の抵抗が
増加すると、発光素子３０８を流れる電流値IDLは、以
下の式（４）を満たす。
増加すると、発光素子３０８を流れる電流値IDLは、以
下の式（４）を満たす。
【００４８】
【数４】 IDS=VDDS/RE'・・・（４）
【００４９】ここで、発光素子３０８の抵抗値がRE'＝
２×REを満たすと仮定すると、経時変化により、電流値
IDSの変動率は１/２となる。
２×REを満たすと仮定すると、経時変化により、電流値
IDSの変動率は１/２となる。
【００５０】以上をまとめると、仮に発光素子３０８の
抵抗値がRE'＝２×REとなるとき、標準サイズのトラン
ジスタを用いたときにおける電流値の変動率は１／２で
ある。一方、ロングサイズのトランジスタを用いたとき
の変動率は約１／３である。したがって、ロングサイズ
のトランジスタを用いることで、見掛け上の変動率を小
さくすることが出来る。
抵抗値がRE'＝２×REとなるとき、標準サイズのトラン
ジスタを用いたときにおける電流値の変動率は１／２で
ある。一方、ロングサイズのトランジスタを用いたとき
の変動率は約１／３である。したがって、ロングサイズ
のトランジスタを用いることで、見掛け上の変動率を小
さくすることが出来る。
【００５１】このように、標準サイズのトランジスタを
用いた場合には、電流値は発光素子の抵抗値のみに反比
例する。一方、本発明のL/Wの値が１０以上であるロン
グサイズのトランジスタを用いた場合には、駆動用トラ
ンジスタのソース電極が接続された電源線（図示せず）
に電圧を印加することにより、その電源電位VDDLを適当
な値に設定し、且つ駆動用トランジスタのゲート電極に
電圧を印加する。このようにして、従来であれば１V未
満であった駆動用トランジスタ３０７の|VDS|を１V以上
|VGS-Vth|以下に設定することができる。そして、|VDS|
を１V以上|VGS-V th|以下に設定することで、トランジス
タに内部抵抗値が生じる。そうすると、図２（Ｅ）の等
価回路に示すように、発光素子の両電極間を流れる電流
値は、発光素子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和に
反比例する。その結果、経時変化による発光素子の電流
値の減少を緩和させることができる。
用いた場合には、電流値は発光素子の抵抗値のみに反比
例する。一方、本発明のL/Wの値が１０以上であるロン
グサイズのトランジスタを用いた場合には、駆動用トラ
ンジスタのソース電極が接続された電源線（図示せず）
に電圧を印加することにより、その電源電位VDDLを適当
な値に設定し、且つ駆動用トランジスタのゲート電極に
電圧を印加する。このようにして、従来であれば１V未
満であった駆動用トランジスタ３０７の|VDS|を１V以上
|VGS-Vth|以下に設定することができる。そして、|VDS|
を１V以上|VGS-V th|以下に設定することで、トランジス
タに内部抵抗値が生じる。そうすると、図２（Ｅ）の等
価回路に示すように、発光素子の両電極間を流れる電流
値は、発光素子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和に
反比例する。その結果、経時変化による発光素子の電流
値の減少を緩和させることができる。
【００５２】本発明は、L/Wの値が１０以上であるトラ
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
【００５３】本発明は、駆動用トランジスタのL/Wを通
常よりも長く設計することのみで実現することが可能で
あり、新しく作製工程を増加する必要はない。そのた
め、作製工程における歩留まり等を低下させることな
く、電流値の減少を緩和させることが出来る。
常よりも長く設計することのみで実現することが可能で
あり、新しく作製工程を増加する必要はない。そのた
め、作製工程における歩留まり等を低下させることな
く、電流値の減少を緩和させることが出来る。
【００５４】また発光素子３０８は、経時変化だけでは
なく、温度変化によっても抵抗値（内部抵抗値）が変化
する性質を有する。より詳しくは、室温を通常の温度と
すると、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、
温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する性質を有
する。ここで図１０（Ｂ）を参照すると、標準サイズの
トランジスタでは、VDSはVELに比べて遥かに小さく、ほ
ぼゼロに近い値になっている。つまり標準サイズのトラ
ンジスタでは、主に発光素子の抵抗値によって、該発光
素子を流れる電流値が決定する。仮に温度が室温よりも
高くなって、発光素子の抵抗値が低くなると、通常より
も発光輝度が大きく上昇してしまい、その結果発光素子
が劣化したり、表示パターンが焼きついたりする。一
方、図１０（Ｃ）を参照すると、ロングサイズのトラン
ジスタのグラフではその傾きが緩やかであり、VDSとVEL
の差があまりなく、VDSの変化に伴ってその電流値は緩
やかに増加する。つまり、本発明のロングサイズのトラ
ンジスタを用いると、温度変化による抵抗値の変化によ
って、通常よりも発光輝度が大きく上昇してしまうこと
はない。
なく、温度変化によっても抵抗値（内部抵抗値）が変化
する性質を有する。より詳しくは、室温を通常の温度と
すると、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、
温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する性質を有
する。ここで図１０（Ｂ）を参照すると、標準サイズの
トランジスタでは、VDSはVELに比べて遥かに小さく、ほ
ぼゼロに近い値になっている。つまり標準サイズのトラ
ンジスタでは、主に発光素子の抵抗値によって、該発光
素子を流れる電流値が決定する。仮に温度が室温よりも
高くなって、発光素子の抵抗値が低くなると、通常より
も発光輝度が大きく上昇してしまい、その結果発光素子
が劣化したり、表示パターンが焼きついたりする。一
方、図１０（Ｃ）を参照すると、ロングサイズのトラン
ジスタのグラフではその傾きが緩やかであり、VDSとVEL
の差があまりなく、VDSの変化に伴ってその電流値は緩
やかに増加する。つまり、本発明のロングサイズのトラ
ンジスタを用いると、温度変化による抵抗値の変化によ
って、通常よりも発光輝度が大きく上昇してしまうこと
はない。
【００５５】（実施の形態２）本実施の形態では、標準
サイズとロングサイズの各トランジスタのシミュレーシ
ョンを行った結果について図３を用いて説明する。なお
以下に示す表１には、シミュレーションを行ったときの
各トランジスタのチャネル長L、チャネル幅W、各トラン
ジスタのしきい値の絶対値|Vth|、ゲート・ソース間電
圧の絶対値|VGS|、ドレイン電極の電位１０１、ゲート
電極の電位１０２、ソース電極の電位（画素電極の電
位）１０３及び対向電極の電位１０４、並びに発光素子
３０８の電流値Ｉ及び抵抗値Ｒを示す。
サイズとロングサイズの各トランジスタのシミュレーシ
ョンを行った結果について図３を用いて説明する。なお
以下に示す表１には、シミュレーションを行ったときの
各トランジスタのチャネル長L、チャネル幅W、各トラン
ジスタのしきい値の絶対値|Vth|、ゲート・ソース間電
圧の絶対値|VGS|、ドレイン電極の電位１０１、ゲート
電極の電位１０２、ソース電極の電位（画素電極の電
位）１０３及び対向電極の電位１０４、並びに発光素子
３０８の電流値Ｉ及び抵抗値Ｒを示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】図３（Ａ）において、ロングサイズのトラ
ンジスタの電圧電流特性は２０１で示し、標準サイズの
トランジスタの電圧電流特性は２０２で示す。このとき
図３（Ａ）に示すように、ロングサイズのトランジスタ
の電圧電流特性２０１は傾きが緩やかであり、標準サイ
ズのトランジスタの電圧電流特性２０２は傾きが急であ
る。そして両グラフはある電圧以上で飽和している。
ンジスタの電圧電流特性は２０１で示し、標準サイズの
トランジスタの電圧電流特性は２０２で示す。このとき
図３（Ａ）に示すように、ロングサイズのトランジスタ
の電圧電流特性２０１は傾きが緩やかであり、標準サイ
ズのトランジスタの電圧電流特性２０２は傾きが急であ
る。そして両グラフはある電圧以上で飽和している。
【００５８】ここで、図３（Ａ）において２０３で示す
領域の拡大図を図３（Ｂ）に示す。図３（Ｂ）におい
て、発光素子３０８の抵抗値が１０MΩのときを出発点
として、経時変化により抵抗値が１２MΩ、１５MΩに増
加したときの駆動用トランジスタ３０７のゲート・ソー
ス間電圧の絶対値|VDS|(V)と電流値I(nA)のシミュレー
ション結果を表２に示す。
領域の拡大図を図３（Ｂ）に示す。図３（Ｂ）におい
て、発光素子３０８の抵抗値が１０MΩのときを出発点
として、経時変化により抵抗値が１２MΩ、１５MΩに増
加したときの駆動用トランジスタ３０７のゲート・ソー
ス間電圧の絶対値|VDS|(V)と電流値I(nA)のシミュレー
ション結果を表２に示す。
【００５９】
【表２】
【００６０】表２に示すように、発光素子３０８の抵抗
値が１０MΩであるとき、ロングサイズ及び標準サイズ
のトランジスタを流れる電流値は５００nAと同じであ
る。しかしながら、経時変化により、発光素子３０８の
抵抗値が１２MΩに増加すると、ロングサイズのトラン
ジスタの電流値は４６７nAに減少し、標準サイズのトラ
ンジスタの電流値は４１９ｎＡに減少する。このとき、
当初流れていた電流値（５００nA）と比較すると、ロン
グサイズの電流値の変動率は９３％であり、標準サイズ
の電流値の変動率は８４％となっている。
値が１０MΩであるとき、ロングサイズ及び標準サイズ
のトランジスタを流れる電流値は５００nAと同じであ
る。しかしながら、経時変化により、発光素子３０８の
抵抗値が１２MΩに増加すると、ロングサイズのトラン
ジスタの電流値は４６７nAに減少し、標準サイズのトラ
ンジスタの電流値は４１９ｎＡに減少する。このとき、
当初流れていた電流値（５００nA）と比較すると、ロン
グサイズの電流値の変動率は９３％であり、標準サイズ
の電流値の変動率は８４％となっている。
【００６１】さらに経時変化により、発光素子３０８の
抵抗値が１５MΩに増加すると、ロングサイズのトラン
ジスタの電流値は４１９nAに減少し、標準サイズのトラ
ンジスタの電流値は３３６nAに減少する。このとき、当
初流れていた電流値（５００nA）と比較すると、ロング
サイズの電流値の変動率は８４％であり、標準サイズの
電流値の変動率は６７％となっている。
抵抗値が１５MΩに増加すると、ロングサイズのトラン
ジスタの電流値は４１９nAに減少し、標準サイズのトラ
ンジスタの電流値は３３６nAに減少する。このとき、当
初流れていた電流値（５００nA）と比較すると、ロング
サイズの電流値の変動率は８４％であり、標準サイズの
電流値の変動率は６７％となっている。
【００６２】本発明は、駆動用トランジスタの|VDS|が
１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆動
用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及び
ソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴と
する。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信号
を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極及
びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電圧
を印加して、適当な電位に設定することを特徴とする。
そして本発明は、|VDS|を上記の範囲内で動作させるこ
とによって、該駆動用トランジスタを抵抗として用いる
ことが出来る。そうすると、発光素子の両電極間を流れ
る電流値は、発光素子の抵抗値及び駆動用トランジスタ
の抵抗値の和に反比例する。その結果、経時変化による
発光素子の電流値の減少を緩和させることができる。そ
うすると、経時変化による発光輝度の低下を抑制するこ
とが可能となり、信頼性を向上させることが出来る。
１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆動
用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及び
ソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴と
する。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信号
を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極及
びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電圧
を印加して、適当な電位に設定することを特徴とする。
そして本発明は、|VDS|を上記の範囲内で動作させるこ
とによって、該駆動用トランジスタを抵抗として用いる
ことが出来る。そうすると、発光素子の両電極間を流れ
る電流値は、発光素子の抵抗値及び駆動用トランジスタ
の抵抗値の和に反比例する。その結果、経時変化による
発光素子の電流値の減少を緩和させることができる。そ
うすると、経時変化による発光輝度の低下を抑制するこ
とが可能となり、信頼性を向上させることが出来る。
【００６３】（実施の形態３）上述した実施の形態で
は、１つのトランジスタを駆動用トランジスタとして用
いたが、本実施の形態では直列に接続された２つのトラ
ンジスタを駆動用トランジスタとして用いる場合につい
て図４（Ｄ）を用いて説明する。
は、１つのトランジスタを駆動用トランジスタとして用
いたが、本実施の形態では直列に接続された２つのトラ
ンジスタを駆動用トランジスタとして用いる場合につい
て図４（Ｄ）を用いて説明する。
【００６４】図４（Ｄ）に示す画素３０１は、図４
（Ａ）に示す画素３０１に走査線Rj及び駆動用トランジ
スタ３２１を追加した構成になっており、より詳しくは
スイッチング用トランジスタ３２０、駆動用トランジス
タ３２１及び３２２、並びに発光素子３０８を有する。
（Ａ）に示す画素３０１に走査線Rj及び駆動用トランジ
スタ３２１を追加した構成になっており、より詳しくは
スイッチング用トランジスタ３２０、駆動用トランジス
タ３２１及び３２２、並びに発光素子３０８を有する。
【００６５】そして本実施の形態では、図４（Ｂ）
（Ｃ）に示すように、１つのトランジスタを駆動用トラ
ンジスタとして用いる場合と、図４（Ｄ）に示すよう
に、２つのトランジスタを駆動用トランジスタとして用
いる場合の両者の場合におけるシミュレーションを行っ
た結果について説明する。
（Ｃ）に示すように、１つのトランジスタを駆動用トラ
ンジスタとして用いる場合と、図４（Ｄ）に示すよう
に、２つのトランジスタを駆動用トランジスタとして用
いる場合の両者の場合におけるシミュレーションを行っ
た結果について説明する。
【００６６】以下の表３には、シミュレーションを行っ
たときの各トランジスタのチャネル長L、チャネル幅W、
しきい値の絶対値|Vth|、ゲート・ソース間電圧の絶対
値|VG S|を示す。表３に示すように、トランジスタ３２
１とトランジスタ３２２のチャネル長を足した値は５０
０μｍであり、トランジスタ３０７自体のチャネル長と
同じ値になっている。また各トランジスタのチャネル幅
は７μｍであり、同じ値となっている。
たときの各トランジスタのチャネル長L、チャネル幅W、
しきい値の絶対値|Vth|、ゲート・ソース間電圧の絶対
値|VG S|を示す。表３に示すように、トランジスタ３２
１とトランジスタ３２２のチャネル長を足した値は５０
０μｍであり、トランジスタ３０７自体のチャネル長と
同じ値になっている。また各トランジスタのチャネル幅
は７μｍであり、同じ値となっている。
【００６７】
【表３】
【００６８】表４には、経時変化により発光素子３０８
の抵抗値が１０MΩから１５MΩに増加したときの各トラ
ンジスタの|VDS|と電流値Iを示す。なお本実施の形態で
は、飽和領域と非飽和領域との境目を出発点として、経
時変化により発光素子３０８の抵抗値が１０ＭΩから１
５ＭΩに増加したときのシミュレーションの結果を示
す。
の抵抗値が１０MΩから１５MΩに増加したときの各トラ
ンジスタの|VDS|と電流値Iを示す。なお本実施の形態で
は、飽和領域と非飽和領域との境目を出発点として、経
時変化により発光素子３０８の抵抗値が１０ＭΩから１
５ＭΩに増加したときのシミュレーションの結果を示
す。
【００６９】
【表４】
【００７０】表４に示すように、経時変化により発光素
子３０８の抵抗値が１０MΩから１５MΩに増加したと
き、１つのトランジスタ（トランジスタ３０７）を用い
た場合の電流値の変動率は９２％となっている。しかし
ながら、２つのトランジスタ（トランジスタ３２１及び
３２２）を用いた場合の電流値の変動率は９８％となっ
ている。
子３０８の抵抗値が１０MΩから１５MΩに増加したと
き、１つのトランジスタ（トランジスタ３０７）を用い
た場合の電流値の変動率は９２％となっている。しかし
ながら、２つのトランジスタ（トランジスタ３２１及び
３２２）を用いた場合の電流値の変動率は９８％となっ
ている。
【００７１】つまり１つのトランジスタのチャネル長が
５００μｍである場合と、複数のトランジスタのチャネ
ル長を合計した値が５００μｍである場合では、後者を
用いる方が経時変化による電流値の変動率をさらに緩和
することが出来る。
５００μｍである場合と、複数のトランジスタのチャネ
ル長を合計した値が５００μｍである場合では、後者を
用いる方が経時変化による電流値の変動率をさらに緩和
することが出来る。
【００７２】なお複数のトランジスタを駆動用トランジ
スタとして用いるときには、当該複数のトランジスタの
|VGS|はそれぞれ任意に設定するとよい。また多色表示
を行なうために、各画素がRGBの３色に対応した３つの
副画素を有する場合には、各副画素の発光効率に対応さ
せて入力する|VGS|を任意に設定するとよい。
スタとして用いるときには、当該複数のトランジスタの
|VGS|はそれぞれ任意に設定するとよい。また多色表示
を行なうために、各画素がRGBの３色に対応した３つの
副画素を有する場合には、各副画素の発光効率に対応さ
せて入力する|VGS|を任意に設定するとよい。
【００７３】また上記の表４において、駆動用トランジ
スタとして１つのトランジスタ（トランジスタ３０７）
を用いたときにおける変動率は９２％となっている。一
方、表２においてロングサイズのトランジスタを用いた
ときにおける変動率は８４％となっている。これは、表
１及び表２、並びに表３及び表４から分かるように、L/
Wの値が同じで、最初に流れる電流量IDが同じであって
も、VGSとVDSの条件が異なると、変動率は異なってしま
う。
スタとして１つのトランジスタ（トランジスタ３０７）
を用いたときにおける変動率は９２％となっている。一
方、表２においてロングサイズのトランジスタを用いた
ときにおける変動率は８４％となっている。これは、表
１及び表２、並びに表３及び表４から分かるように、L/
Wの値が同じで、最初に流れる電流量IDが同じであって
も、VGSとVDSの条件が異なると、変動率は異なってしま
う。
【００７４】本実施の形態は、実施の形態１と自由に組
み合わせることが可能である。
み合わせることが可能である。
【００７５】（実施の形態４）本実施の形態では、信号
線駆動回路３０３、走査線駆動回路３０４の構成とその
動作について、図５を用いて説明する。
線駆動回路３０３、走査線駆動回路３０４の構成とその
動作について、図５を用いて説明する。
【００７６】最初に信号線駆動回路３０３について図５
（Ａ）を用いて説明する。信号線駆動回路３０３は、シ
フトレジスタ３１１、第１のラッチ回路３１２及び第２
のラッチ回路３１３を有する。
（Ａ）を用いて説明する。信号線駆動回路３０３は、シ
フトレジスタ３１１、第１のラッチ回路３１２及び第２
のラッチ回路３１３を有する。
【００７７】ここで、信号線駆動回路３０３の動作を簡
単に説明する。シフトレジスタ３１１は、フリップフロ
ップ回路（FF）等を複数列用いて構成され、クロック信
号（S-CLK）、スタートパルス（S-SP）、クロック反転
信号（S-CLKb）が入力される。これらの信号のタイミン
グに従って、順次サンプリングパルスが出力される。
単に説明する。シフトレジスタ３１１は、フリップフロ
ップ回路（FF）等を複数列用いて構成され、クロック信
号（S-CLK）、スタートパルス（S-SP）、クロック反転
信号（S-CLKb）が入力される。これらの信号のタイミン
グに従って、順次サンプリングパルスが出力される。
【００７８】シフトレジスタ３１１により出力されたサ
ンプリングパルスは、第１のラッチ回路３１２に入力さ
れる。第１のラッチ回路３１２には、デジタルビデオ信
号が入力されており、サンプリングパルスが入力される
タイミングに従って、各列でビデオ信号を保持してい
く。
ンプリングパルスは、第１のラッチ回路３１２に入力さ
れる。第１のラッチ回路３１２には、デジタルビデオ信
号が入力されており、サンプリングパルスが入力される
タイミングに従って、各列でビデオ信号を保持してい
く。
【００７９】第１のラッチ回路３１２において、最終列
までビデオ信号の保持が完了すると、水平帰線期間中
に、第２のラッチ回路３１３にラッチパルスが入力さ
れ、第１のラッチ回路３１２に保持されていたビデオ信
号は、一斉に第２のラッチ回路３１３に転送される。す
ると、第２のラッチ回路３１３に保持されたビデオ信号
は、１行分が同時に信号線Ｓ1〜Ｓxに入力される。
までビデオ信号の保持が完了すると、水平帰線期間中
に、第２のラッチ回路３１３にラッチパルスが入力さ
れ、第１のラッチ回路３１２に保持されていたビデオ信
号は、一斉に第２のラッチ回路３１３に転送される。す
ると、第２のラッチ回路３１３に保持されたビデオ信号
は、１行分が同時に信号線Ｓ1〜Ｓxに入力される。
【００８０】第２のラッチ回路３１３に保持されたビデ
オ信号が信号線Ｓ1〜Ｓxに入力されている間、シフトレ
ジスタ３１１においては再びサンプリングパルスが出力
される。以後この動作を繰り返す。
オ信号が信号線Ｓ1〜Ｓxに入力されている間、シフトレ
ジスタ３１１においては再びサンプリングパルスが出力
される。以後この動作を繰り返す。
【００８１】次いで走査線駆動回路３０４について図５
（Ｂ）を用いて説明する。走査線駆動回路３０４は、シ
フトレジスタ３１４、バッファ３１５を有する。動作を
簡単に説明すると、シフトレジスタ３１４は、クロック
信号（G-CLK）、スタートパルス（G-SP）及びクロック
反転信号（G-CLKb）に従って、順次サンプリングパルス
を出力する。その後バッファ３１５で増幅されたサンプ
リングパルスは、走査線に入力されて１行ずつ選択状態
にしていく。そして選択された走査線によって制御され
る画素には、順に信号線Ｓ1〜Ｓxからデジタルビデオ信
号が書き込まれる。
（Ｂ）を用いて説明する。走査線駆動回路３０４は、シ
フトレジスタ３１４、バッファ３１５を有する。動作を
簡単に説明すると、シフトレジスタ３１４は、クロック
信号（G-CLK）、スタートパルス（G-SP）及びクロック
反転信号（G-CLKb）に従って、順次サンプリングパルス
を出力する。その後バッファ３１５で増幅されたサンプ
リングパルスは、走査線に入力されて１行ずつ選択状態
にしていく。そして選択された走査線によって制御され
る画素には、順に信号線Ｓ1〜Ｓxからデジタルビデオ信
号が書き込まれる。
【００８２】なおシフトレジスタ３１４と、バッファ３
１５の間にはレベルシフタ回路を配置した構成にしても
よい。レベルシフタ回路を配置することによって、ロジ
ック回路部とバッファ部の電圧振幅を変えることが出来
る。
１５の間にはレベルシフタ回路を配置した構成にしても
よい。レベルシフタ回路を配置することによって、ロジ
ック回路部とバッファ部の電圧振幅を変えることが出来
る。
【００８３】本実施の形態は、実施の形態１〜３と任意
に組み合わせることが可能である。
に組み合わせることが可能である。
【００８４】（実施の形態５）本実施の形態では、本発
明に適用される駆動方式について簡単に説明する。
明に適用される駆動方式について簡単に説明する。
【００８５】発光装置を用いて多階調の画像を表示する
ときの駆動方式としては、大別してアナログ階調方式と
デジタル駆動方式が挙げられるが、本発明は両方式を適
用することが出来る。両方式の相違点は、発光素子の発
光、非発光の各状態において該発光素子を制御する方法
にある。前者のアナログ階調方式は、発光素子に流れる
電流量を制御して階調を得るという方式である。また後
者のデジタル階調方式は、発光素子がオン状態（輝度が
ほぼ１００％である状態）と、オフ状態（輝度がほぼ０
％である状態）の２つの状態のみによって駆動するとい
う方式である。
ときの駆動方式としては、大別してアナログ階調方式と
デジタル駆動方式が挙げられるが、本発明は両方式を適
用することが出来る。両方式の相違点は、発光素子の発
光、非発光の各状態において該発光素子を制御する方法
にある。前者のアナログ階調方式は、発光素子に流れる
電流量を制御して階調を得るという方式である。また後
者のデジタル階調方式は、発光素子がオン状態（輝度が
ほぼ１００％である状態）と、オフ状態（輝度がほぼ０
％である状態）の２つの状態のみによって駆動するとい
う方式である。
【００８６】なおデジタル階調方式においては、多階調
の画像を表現するためにデジタル階調方式と面積階調方
式とを組み合わせた方式（以下面積階調方式と表記）や
デジタル階調方式と時間階調方式とを組み合わせた方式
（以下時間階調方式と表記）が提案されている。
の画像を表現するためにデジタル階調方式と面積階調方
式とを組み合わせた方式（以下面積階調方式と表記）や
デジタル階調方式と時間階調方式とを組み合わせた方式
（以下時間階調方式と表記）が提案されている。
【００８７】面積階調方式とは、１画素を複数の副画素
に分割し、それぞれの副画素で発光、又は非発光を選択
することで、１画素において発光している面積と、それ
以外の面積との差をもって階調を表現する方式である。
また時間階調方式とは、特開２００１-５４２６号にて
報告されているように、発光素子が発光している時間を
制御することにより、階調表現を行う方式である。具体
的には、１フレーム期間を長さの異なる複数のサブフレ
ーム期間に分割し、各期間での発光素子の発光、又は非
発光を選択することで、１フレーム期間内で発光した時
間の長さの差をもって階調を表現する。
に分割し、それぞれの副画素で発光、又は非発光を選択
することで、１画素において発光している面積と、それ
以外の面積との差をもって階調を表現する方式である。
また時間階調方式とは、特開２００１-５４２６号にて
報告されているように、発光素子が発光している時間を
制御することにより、階調表現を行う方式である。具体
的には、１フレーム期間を長さの異なる複数のサブフレ
ーム期間に分割し、各期間での発光素子の発光、又は非
発光を選択することで、１フレーム期間内で発光した時
間の長さの差をもって階調を表現する。
【００８８】本発明の発光装置は、アナログ階調方式、
デジタル階調方式のいずれも適用することができる。ま
た面積階調方式、時間階調方式のいずれも適用すること
ができる。また上記以外にも、本発明の発光装置には公
知の駆動方式を適用することができる。
デジタル階調方式のいずれも適用することができる。ま
た面積階調方式、時間階調方式のいずれも適用すること
ができる。また上記以外にも、本発明の発光装置には公
知の駆動方式を適用することができる。
【００８９】但し、アナログ階調方式を適用する場合に
は、各画素に電位の異なる電源線を複数本設けるか、又
は各画素に入力する信号に合わせて電源線の電位を変え
る必要が生ずる。一方、デジタル階調方式を適用する場
合には、各画素の電源線の電位は全て同じで構わないた
め、隣接する画素間で電源線を共有することができる。
は、各画素に電位の異なる電源線を複数本設けるか、又
は各画素に入力する信号に合わせて電源線の電位を変え
る必要が生ずる。一方、デジタル階調方式を適用する場
合には、各画素の電源線の電位は全て同じで構わないた
め、隣接する画素間で電源線を共有することができる。
【００９０】なお多色表示を行う発光装置においては、
１画素にＲＧＢの各色に対応した複数の副画素が設けら
れる。各副画素は、ＲＧＢの各材料の電流密度やカラー
フィルタなどの透過率の相違により、同じ電圧を印加し
たとしても発せられる光の輝度は異なってしまうことが
ある。そのため、各色に対応した各副画素で電源線の電
位を変えることが好ましい。
１画素にＲＧＢの各色に対応した複数の副画素が設けら
れる。各副画素は、ＲＧＢの各材料の電流密度やカラー
フィルタなどの透過率の相違により、同じ電圧を印加し
たとしても発せられる光の輝度は異なってしまうことが
ある。そのため、各色に対応した各副画素で電源線の電
位を変えることが好ましい。
【００９１】本実施の形態は、実施の形態１〜４と任意
に組み合わせることが可能である。
に組み合わせることが可能である。
【００９２】（実施の形態６）本実施の形態では、図４
（Ｂ）に示した回路構成の画素３０１を、実際にレイア
ウトした例について図７を用いて説明する。図７（Ａ）
は実際にレイアウトされた画素３０１の上面図であり、
図７（Ｂ）は、α-α'間における断面図である。
（Ｂ）に示した回路構成の画素３０１を、実際にレイア
ウトした例について図７を用いて説明する。図７（Ａ）
は実際にレイアウトされた画素３０１の上面図であり、
図７（Ｂ）は、α-α'間における断面図である。
【００９３】図７（Ａ）において、３０６はスイッチン
グ用トランジスタ、３０７は駆動用トランジスタであ
る。また５００６は画素電極、５００７は発光エリアで
ある。図７（Ｂ）において、５０１１は基板、５０１
２、５０１３は下地膜、５０１４は半導体、５０１５は
ゲート絶縁膜、５０１６はゲート電極、５０１７は第１
の層間絶縁膜、５０１８は配線、５０１９は画素電極、
５０２０は隔壁、５０２１は発光層である。
グ用トランジスタ、３０７は駆動用トランジスタであ
る。また５００６は画素電極、５００７は発光エリアで
ある。図７（Ｂ）において、５０１１は基板、５０１
２、５０１３は下地膜、５０１４は半導体、５０１５は
ゲート絶縁膜、５０１６はゲート電極、５０１７は第１
の層間絶縁膜、５０１８は配線、５０１９は画素電極、
５０２０は隔壁、５０２１は発光層である。
【００９４】図７（Ａ）（Ｂ）において、隔壁５０２０
は発光エリア５００７以外の領域を覆っており、隔壁５
００８の下部には信号線Ｓi、電流供給線Ｖiを配置する
ことが出来る。また、ソース信号線Ｓｉと電流供給線Ｖ
iの下部に駆動用トランジスタ５０６を配置することが
出来る。
は発光エリア５００７以外の領域を覆っており、隔壁５
００８の下部には信号線Ｓi、電流供給線Ｖiを配置する
ことが出来る。また、ソース信号線Ｓｉと電流供給線Ｖ
iの下部に駆動用トランジスタ５０６を配置することが
出来る。
【００９５】このように画素が有する素子の配置を工夫
することで、駆動用トランジスタのゲート電極は、電源
線Ｖiの一部と重なり合うように配置される。電源線Ｖi
は、常に一定電位に固定されているため、駆動用トラン
ジスタ５０６のゲート電極と電源線Ｖiとの間の容量
を、ビデオ信号を保持する容量の一部として用いること
ができる。
することで、駆動用トランジスタのゲート電極は、電源
線Ｖiの一部と重なり合うように配置される。電源線Ｖi
は、常に一定電位に固定されているため、駆動用トラン
ジスタ５０６のゲート電極と電源線Ｖiとの間の容量
を、ビデオ信号を保持する容量の一部として用いること
ができる。
【００９６】また従来では、駆動用トランジスタ５０６
のVGSを保持するために容量素子を配置していたが、本
発明ではVGSは前記駆動用トランジスタ５０６のゲート
電極とチャネル形成領域の間の容量によって十分に保持
することが出来る。つまり、本発明の駆動用トランジス
タ５０６は、容量を兼ねることが可能であり、さらに駆
動用トランジスタ５０６自身の特性バラツキも抑制する
ことが出来る。また駆動用トランジスタ５０６を隔壁５
０２０の下部に配置することで開口率の低下を防ぐこと
が出来る。
のVGSを保持するために容量素子を配置していたが、本
発明ではVGSは前記駆動用トランジスタ５０６のゲート
電極とチャネル形成領域の間の容量によって十分に保持
することが出来る。つまり、本発明の駆動用トランジス
タ５０６は、容量を兼ねることが可能であり、さらに駆
動用トランジスタ５０６自身の特性バラツキも抑制する
ことが出来る。また駆動用トランジスタ５０６を隔壁５
０２０の下部に配置することで開口率の低下を防ぐこと
が出来る。
【００９７】次いで、図４（Ｃ）に示した回路構成の画
素３０１を実際にレイアウトした例について図８を用い
て説明する。図８（Ａ）は実際にレイアウトされた画素
の上面図であり、図８（Ｂ）は、α-α'間における断面
図を示している。
素３０１を実際にレイアウトした例について図８を用い
て説明する。図８（Ａ）は実際にレイアウトされた画素
の上面図であり、図８（Ｂ）は、α-α'間における断面
図を示している。
【００９８】図８（Ａ）において、３０６はスイッチン
グ用トランジスタ、３０７は駆動用トランジスタ、３０
９は消去用トランジスタである。また５６０８は画素電
極、５６０９は発光エリアである。図８（Ｂ）におい
て、５６１１は基板、５６１２、５６１３は下地膜、５
６１４は半導体、５６１５はゲート絶縁膜、５６１６は
ゲート電極、５６１７は第１の層間絶縁膜、５６１８は
配線、５６１９は画素電極、５６２０は隔壁、５６２１
は発光層である。
グ用トランジスタ、３０７は駆動用トランジスタ、３０
９は消去用トランジスタである。また５６０８は画素電
極、５６０９は発光エリアである。図８（Ｂ）におい
て、５６１１は基板、５６１２、５６１３は下地膜、５
６１４は半導体、５６１５はゲート絶縁膜、５６１６は
ゲート電極、５６１７は第１の層間絶縁膜、５６１８は
配線、５６１９は画素電極、５６２０は隔壁、５６２１
は発光層である。
【００９９】図８（Ａ）に示すように、３つのトランジ
スタが設けられた画素においては、スイッチング用トラ
ンジスタ３０６と消去用トランジスタ３０９の２つを直
線状に配置することで、シンプルな開口部にすることが
出来る。図８（Ａ）では、駆動用トランジスタ３０７が
縦方向に蛇行されており、このように開口部を長方形に
近い形にすることで開口率の低下を防ぐことが出来る。
スタが設けられた画素においては、スイッチング用トラ
ンジスタ３０６と消去用トランジスタ３０９の２つを直
線状に配置することで、シンプルな開口部にすることが
出来る。図８（Ａ）では、駆動用トランジスタ３０７が
縦方向に蛇行されており、このように開口部を長方形に
近い形にすることで開口率の低下を防ぐことが出来る。
【０１００】なお駆動用トランジスタの形状は図７、８
に示した形状に限定されず、Ｕ字状、Ｓ字状、渦巻き
状、ミアンダ状などのいずれの形状を有していてもよ
い。
に示した形状に限定されず、Ｕ字状、Ｓ字状、渦巻き
状、ミアンダ状などのいずれの形状を有していてもよ
い。
【０１０１】本発明は、L/Wの値が１０以上であるトラ
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタのVGSは、
前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形成領
域の間の容量によって十分に保持することが出来る。つ
まり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ねること
が可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バラツキ
の影響を抑制することが可能となる。
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタのVGSは、
前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形成領
域の間の容量によって十分に保持することが出来る。つ
まり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ねること
が可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バラツキ
の影響を抑制することが可能となる。
【０１０２】さらに本発明は、駆動用トランジスタのL/
Wを通常よりも長く設計することのみで実現することが
可能であり、新しく作製工程を増加する必要はない。そ
のため、作製工程における歩留まり等を低下させること
なく、電流値の減少を緩和させることが出来る。
Wを通常よりも長く設計することのみで実現することが
可能であり、新しく作製工程を増加する必要はない。そ
のため、作製工程における歩留まり等を低下させること
なく、電流値の減少を緩和させることが出来る。
【０１０３】本実施の形態は、実施の形態１〜５と任意
に組み合わせることが可能である。
に組み合わせることが可能である。
【０１０４】（実施の形態７）本発明が適用される電子
機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル
型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビ
ゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記
録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Vers
atile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像
を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げら
れる。それらの電子機器の具体例を図６に示す。
機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル
型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビ
ゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記
録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはDigital Vers
atile Disc（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像
を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げら
れる。それらの電子機器の具体例を図６に示す。
【０１０５】図６（Ａ）は発光装置であり、筐体２００
１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２
００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は表
示部２００３に適用することができる。発光装置は自発
光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプ
レイよりも薄い表示部とすることができる。なお、発光
装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用など
の全ての情報表示用表示装置が含まれる。
１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２
００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は表
示部２００３に適用することができる。発光装置は自発
光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプ
レイよりも薄い表示部とすることができる。なお、発光
装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用など
の全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０１０６】図６（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０２に適用
することができる。
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０２に適用
することができる。
【０１０７】図６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュ
ータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２
０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、
ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明は、表
示部２２０３に適用することができる。
ータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２
０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、
ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明は、表
示部２２０３に適用することができる。
【０１０８】図６（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明は、表示部２３０２に適用することができ
る。
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明は、表示部２３０２に適用することができ
る。
【０１０９】図６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画
像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体
２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ
２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、
操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表
示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ
２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明は表
示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができ
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲ
ーム機器なども含まれる。
像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体
２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ
２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、
操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表
示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ
２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明は表
示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができ
る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲ
ーム機器なども含まれる。
【０１１０】図６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表
示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明は、表
示部２５０２に適用することができる。
ッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表
示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明は、表
示部２５０２に適用することができる。
【０１１１】図６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２
６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポー
ト２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明は、表示部２６０２に適用
することができる。
６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポー
ト２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明は、表示部２６０２に適用
することができる。
【０１１２】図６（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０
１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０
４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続
ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明
は、表示部２７０３に適用することができる。なお、表
示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で携帯電話の消費電流を抑えることができる。
１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０
４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続
ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明
は、表示部２７０３に適用することができる。なお、表
示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で携帯電話の消費電流を抑えることができる。
【０１１３】なお、将来的に発光材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
【０１１４】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。発光材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。発光材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１１５】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
【０１１６】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜６
に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また本実施の形態の電子機器は、実施の形態１〜６
に示したいずれの構成の発光装置を用いても良い。
【０１１７】
【発明の効果】本発明は、駆動用トランジスタの|VDS|
が１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆
動用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及
びソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴
とする。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信
号を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極
及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電
圧を印加して、適当な電位に設定することを特徴とす
る。そして、|VDS|を上記の範囲内で動作させることに
よって、該駆動用トランジスタを抵抗として用いること
が出来る。そうすると、発光素子の両電極間を流れる電
流値は、発光素子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和
に反比例する。その結果、経時変化による発光素子の電
流値の減少を緩和させることができる。そして、経時変
化による発光輝度の低下を抑制することが可能となり、
信頼性を向上させることが出来る。
が１以上|VGS-Vth|以下の範囲で動作するように、該駆
動用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電極及
びソース電極の一方の電極に電圧を印加することを特徴
とする。つまり、駆動用トランジスタのゲート電極に信
号を入力する信号線、駆動用トランジスタのソース電極
及びドレイン電極の一方の電極が接続された電源線に電
圧を印加して、適当な電位に設定することを特徴とす
る。そして、|VDS|を上記の範囲内で動作させることに
よって、該駆動用トランジスタを抵抗として用いること
が出来る。そうすると、発光素子の両電極間を流れる電
流値は、発光素子及び駆動用トランジスタの抵抗値の和
に反比例する。その結果、経時変化による発光素子の電
流値の減少を緩和させることができる。そして、経時変
化による発光輝度の低下を抑制することが可能となり、
信頼性を向上させることが出来る。
【０１１８】本発明は、L/Wの値が１０以上であるトラ
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
ンジスタを用いるため、駆動用トランジスタの|VGS|
は、前記駆動用トランジスタのゲート電極とチャネル形
成領域の間の容量によって保持されることを特徴とす
る。つまり本発明では、トランジスタが容量素子を兼ね
ることが可能であり、さらにトランジスタ自身の特性バ
ラツキの影響を抑制することが可能となる。
【０１１９】本発明は、駆動用トランジスタのチャネル
長を通常よりも長く設計することのみで実現することが
可能であり、新しく作製工程を増加する必要はない。そ
のため、作製工程における歩留まり等を低下させること
なく、電流値の減少を緩和させることが出来る。
長を通常よりも長く設計することのみで実現することが
可能であり、新しく作製工程を増加する必要はない。そ
のため、作製工程における歩留まり等を低下させること
なく、電流値の減少を緩和させることが出来る。
【０１２０】発光素子は、経時変化だけではなく、温度
変化によっても抵抗値が変化する性質を有する。より詳
しくは、室温を通常の温度とすると、温度が通常よりも
高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなる
と抵抗値が上昇する性質を有する。本発明のL/Wの値が
１０以上であるトランジスタは、その電圧電流特性の傾
きが緩やかであるため、VDSとVELの差があまりなく、V
DSの変化に伴ってその電流値は緩やかに増加する。つま
り、温度変化による抵抗値の変化によって、通常よりも
発光輝度が大きく上昇して、発光素子が劣化したり、表
示パターンが焼きついたりすることを防ぐことができ
る。
変化によっても抵抗値が変化する性質を有する。より詳
しくは、室温を通常の温度とすると、温度が通常よりも
高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなる
と抵抗値が上昇する性質を有する。本発明のL/Wの値が
１０以上であるトランジスタは、その電圧電流特性の傾
きが緩やかであるため、VDSとVELの差があまりなく、V
DSの変化に伴ってその電流値は緩やかに増加する。つま
り、温度変化による抵抗値の変化によって、通常よりも
発光輝度が大きく上昇して、発光素子が劣化したり、表
示パターンが焼きついたりすることを防ぐことができ
る。
【図１】 電圧電流特性を説明する図。
【図２】 本発明の効果を説明する図。
【図３】 シミュレーションの結果を示す図。
【図４】 本発明の発光装置を示す図。
【図５】 本発明の発光装置を示す図。
【図６】 本発明が適用される電子機器を示す図。
【図７】 本発明の画素のレイアウト図。
【図８】 本発明の画素のレイアウト図。
【図９】 定電流駆動と定電圧駆動の概念図。
【図１０】 電圧電流特性を示す図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２２
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 DB03 GA04
5C080 AA06 BB05 DD03 DD29 DD30
EE28 FF11 JJ02 JJ03 JJ05
KK07 KK43 KK47
5F110 AA30 BB01 CC01 CC02 DD11
DD17 EE28 GG23 GG60 NN73
Claims (4)
- 【請求項１】発光素子と、 前記発光素子に接続され、且つチャネル幅W及びチャネ
ル長LがL/W≧10を満たす駆動用トランジスタを有する発
光装置の駆動方法であって、 前記駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が
VGS、ソース・ドレイン間電圧がVDS、しきい値電圧がV
thであるとき、1≦|VDS|≦|VGS-Vth|を満たすように前
記駆動用トランジスタのゲート電極、並びにドレイン電
極及びソース電極の一方の電極に電圧を印加することを
特徴とする発光装置の駆動方法。 - 【請求項２】発光素子と、 前記発光素子に接続され、且つチャネル幅W及びチャネ
ル長LがL/W≧10を満たす第１及び第２の駆動用トランジ
スタを有する発光装置の駆動方法であって、 前記第１及び前記第２の駆動用トランジスタは直列に接
続され、 前記第１の駆動用トランジスタのチャネル幅W1及びチャ
ネル長L1、並びに前記第２の駆動用トランジスタのチャ
ネル幅W2及びチャネル長L2は、(L1+L2)/W1≧10、(L1+
L2)/W2≧10を満たし、 前記第１の駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧
がVGS1、ソース・ドレイン間電圧がVDS1、しきい値電圧
がVth1であるとき、1≦|VDS1|≦|VGS1-Vth1|を満たすよ
うに前記第１の駆動用トランジスタのゲート電極、並び
にドレイン電極及びソース電極の一方の電極に電圧を印
加し、 前記第２の駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧
がVGS2、ソース・ドレイン間電圧がVDS2、しきい値電圧
がVth2であるとき、1≦|VDS2|≦|VGS2-Vth2|を満たすよ
うに前記第２の駆動用トランジスタのゲート電極、並び
にドレイン電極及びソース電極の一方の電極に電圧を印
加することを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 【請求項３】請求項１において、 前記駆動用トランジスタのVGSは、前記駆動用トランジ
スタのゲート電極とチャネル形成領域の間の容量によっ
て保持されることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 【請求項４】請求項２において、 前記第１及び前記第２の駆動用トランジスタの各V
GSは、各トランジスタのゲート電極とチャネル形成領域
の間の容量によって保持されることを特徴とする発光装
置の駆動方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2002129424A JP3986051B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 発光装置、電子機器 |
| US10/425,708 US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2003-04-30 | Method of driving a light emitting device |
| US12/238,035 US8101439B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-09-25 | Method of driving a light emitting device |
| US13/347,780 US8502241B2 (en) | 2002-04-30 | 2012-01-11 | Method of driving a light emitting device |
| US13/955,154 US9006757B2 (en) | 2002-04-30 | 2013-07-31 | Method of driving a light emitting device |
| US14/684,685 US20160262219A9 (en) | 2002-04-30 | 2015-04-13 | Method of driving a light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002129424A JP3986051B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 発光装置、電子機器 |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3986051B2 JP3986051B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=29243950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002129424A Expired - Lifetime JP3986051B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 発光装置、電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US7445946B2 (ja) |
| JP (1) | JP3986051B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
| JP2005202371A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
| US7315292B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electric current adjustment of light emitting element of display device |
| US7772766B2 (en) | 2004-07-26 | 2010-08-10 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having protective circuits |
| US7952542B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-05-31 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US8144146B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2017142524A (ja) * | 2006-10-26 | 2017-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2020043373A (ja) * | 2014-05-30 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4149168B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP3986051B2 (ja) | 2002-04-30 | 2007-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
| TWI338346B (en) | 2002-09-20 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2004361424A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法 |
| JP2005099713A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
| EP1544842B1 (en) * | 2003-12-18 | 2018-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7592975B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP5500771B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びマイクロプロセッサ |
| US8148236B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing thereof |
| KR101528961B1 (ko) * | 2012-08-30 | 2015-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 구동방법 |
| KR101968666B1 (ko) | 2014-09-01 | 2019-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9941489B2 (en) | 2014-09-01 | 2018-04-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
| CN106023893B (zh) * | 2016-08-08 | 2018-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置和电流测量方法 |
| CN109890099A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-06-14 | 咏铨洁能科技有限公司 | 照明灯具控制系统 |
| US11151950B2 (en) * | 2019-05-08 | 2021-10-19 | Innolux Corporation | Light-emitting device and display equipment related to variable operation voltage used for reducing power consumption |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109163A (en) * | 1977-03-11 | 1978-08-22 | Westinghouse Electric Corp. | High speed, radiation hard complementary mos capacitive voltage level shift circuit |
| US5214497A (en) * | 1988-05-25 | 1993-05-25 | Hitachi, Ltd. | Polycrystalline silicon resistor for use in a semiconductor integrated circuit having a memory device |
| JPH0394479A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-19 | Hitachi Ltd | 感光性を有する半導体装置 |
| JPH05190284A (ja) | 1992-01-09 | 1993-07-30 | Toshiba Corp | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3197312B2 (ja) | 1992-01-28 | 2001-08-13 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN1161646C (zh) * | 1994-06-02 | 2004-08-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器和电光元件 |
| US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US5814834A (en) * | 1995-12-04 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Thin film semiconductor device |
| JP3593212B2 (ja) * | 1996-04-27 | 2004-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP3296975B2 (ja) * | 1996-08-22 | 2002-07-02 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US5981970A (en) * | 1997-03-25 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages |
| US6229506B1 (en) * | 1997-04-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method |
| KR20050084509A (ko) | 1997-04-23 | 2005-08-26 | 사르노프 코포레이션 | 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를동작시키는 방법 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
| US6274887B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP4604296B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR100745495B1 (ko) * | 1999-03-10 | 2007-08-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치 |
| US6531713B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
| JP4578609B2 (ja) | 1999-03-19 | 2010-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
| JP4092857B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 画像表示装置 |
| JP4627822B2 (ja) | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP3261115B2 (ja) | 1999-09-22 | 2002-02-25 | 富士重工業株式会社 | ステレオ画像処理装置 |
| DE19945380A1 (de) | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zur Darstellung eines dreidimensionalen Objektes durch ein zweidimensionales Bild |
| TW540251B (en) | 1999-09-24 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for driving the same |
| TW525122B (en) | 1999-11-29 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| US6307322B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-10-23 | Sarnoff Corporation | Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage |
| JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| TWI222047B (en) * | 2000-04-21 | 2004-10-11 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device |
| JP4152603B2 (ja) | 2000-04-27 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| TW503565B (en) | 2000-06-22 | 2002-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
| US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
| JP2002108285A (ja) | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| US20020097350A1 (en) * | 2000-09-19 | 2002-07-25 | Haven Duane A. | Thin film transistors suitable for use in flat panel displays |
| JP3594126B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2004-11-24 | 日本電気株式会社 | 電流駆動回路 |
| US6614054B1 (en) * | 2000-11-27 | 2003-09-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Polysilicon thin film transistor used in a liquid crystal display and the fabricating method |
| JP3522216B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置 |
| JP4831874B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
| US20030016196A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Display Research Laboratories, Inc. | Thin film transistors suitable for use in flat panel displays |
| JP2003059650A (ja) | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動回路 |
| JP4149168B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7232714B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN101673508B (zh) * | 2002-01-18 | 2013-01-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
| US7224333B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Display device and driving method thereof |
| JP2003308030A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| US6930328B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3986051B2 (ja) | 2002-04-30 | 2007-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
-
2002
- 2002-04-30 JP JP2002129424A patent/JP3986051B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-30 US US10/425,708 patent/US7445946B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-25 US US12/238,035 patent/US8101439B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-11 US US13/347,780 patent/US8502241B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-31 US US13/955,154 patent/US9006757B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-04-13 US US14/684,685 patent/US20160262219A9/en not_active Abandoned
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8759825B2 (en) | 2003-03-26 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US8400067B2 (en) | 2003-03-26 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US9698207B2 (en) | 2003-03-26 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US9147720B2 (en) | 2003-03-26 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US11430845B2 (en) | 2003-03-26 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US8004200B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| JP2004347625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
| US8659523B2 (en) | 2003-03-26 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US8212488B2 (en) | 2003-03-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
| US9300771B2 (en) | 2003-03-26 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
| US7315292B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electric current adjustment of light emitting element of display device |
| JP2005202371A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
| US8144146B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US8110985B2 (en) | 2004-07-26 | 2012-02-07 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having protective circuits |
| US7772766B2 (en) | 2004-07-26 | 2010-08-10 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having protective circuits |
| US10706777B2 (en) | 2006-08-18 | 2020-07-07 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US9818340B2 (en) | 2006-08-18 | 2017-11-14 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| US10229638B2 (en) | 2006-08-18 | 2019-03-12 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US9984621B2 (en) | 2006-08-18 | 2018-05-29 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US11114029B2 (en) | 2006-08-18 | 2021-09-07 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US7952542B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-05-31 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| JP2017142524A (ja) * | 2006-10-26 | 2017-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US10546529B2 (en) | 2006-10-26 | 2020-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| US11887535B2 (en) | 2006-10-26 | 2024-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, display device, and semiconductor device and method for driving the same |
| JP2020043373A (ja) * | 2014-05-30 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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