JP2003302649A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 固定パターンからなる絵文字を表示する
ための絵文字画素電極が形成された第1の基板と、絵文
字画素電極と対向して配置される共通電極が形成された
第2の基板と、第1の基板と前記第2の基板とに挟持さ
れた液晶層とを有する液晶表示装置であって、絵文字画
素電極が層間絶縁膜上に形成され、層間絶縁膜に形成さ
れた複数のコンタクトホールを介して層間絶縁膜下に形
成された絵文字信号電極に絵文字画素電極が接続される
構成とする。
Description
る絵文字を表示するための絵文字表示領域を備えた液晶
表示装置に関する。
は、電池の消耗状態や異常発生等の各種装置状態を外部
へ知らせるために、固定パターンからなる絵文字の表示
が必要不可欠になりつつある。特に最近では、低コスト
化及び省スペース化のためにアクティブ駆動される動画
表示領域とスタティック駆動される絵文字表示領域とを
併せ持つ液晶表示装置が登場している。
の反射光を利用して画像を表示させる反射型と、バック
ライト等の光源から発せられた光を透過させることで画
像を表示させる透過型と、光源からの一部の光を透過さ
せ、一部の光を反射する反射/透過兼用型とが知られて
いる。
晶表示装置としては、例えば特開2001−35015
1号公報に、透明基板上に順次積層された光反射層及び
カラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に設けられた
ITOからなる絵文字表示用の共通電極と、液晶層を挟
んで対向する位置に配置された絵文字表示用のデータ電
極及び該データ電極の周辺に配置されたダミーパターン
とを有する構成が開示されている。
来の液晶表示装置については、例えば特開平11−20
2282号公報に、透明基板上に形成された遮光膜に所
望の絵文字の形状からなる開口を設け、バックライトか
らの光を透過させることで絵文字を表示する構成が開示
されている。
の液晶表示装置は、例えば特開2000−330827
号公報に、透明基板上に形成された逆スタガ構造の薄膜
トランジスタと、薄膜トランジスタを覆うように堆積さ
れた絶縁膜と、絶縁膜上に形成された反射電極とを有
し、絶縁膜に形成された開口を介して薄膜トランジスタ
のドレイン電極と反射電極とが接続された構成が開示さ
れている。
備えた従来の液晶表示装置については、例えば特許第2
955277号公報に、透明基板上に形成された逆スタ
ガ構造の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う
ように堆積された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された透明
電極とを有し、絶縁膜に形成された開口を介して薄膜ト
ランジスタのドレイン電極と透明導電膜とが接続され、
薄膜トランジスタ及び開口領域上の透明導電膜上に金属
膜からなる反射領域が形成された構成が開示されてい
る。
−350151号公報に記載された液晶表示装置のよう
に、従来の絵文字表示領域を備えた液晶表示装置では、
固定パターンからなる絵文字の形状に形成された絵文字
画素電極と、該絵文字画素電極に信号を供給する信号電
極とが同じ層に形成されている。このような構成では、
配線が視認しやすいために表示品質が劣化するという問
題がある。
なる層に形成する構成が考えられるが、その場合、両者
を接続するためのコンタクト部を人が視認できない大き
さで形成すると、コンタクト部位でインダクタンスや抵
抗値が増大し、信号波形の歪みや電圧低下が大きくなる
おそれがある。液晶表示素子は、基本的に交流で駆動さ
れるため、インダクタンスや抵抗値の増大により信号波
形の歪みや電圧低下が大きくなると、比較的低い信号周
波数でも表示が追従できなくなるため、表示品質が劣化
する問題があった。
る問題点を解決するためになされたものであり、表示品
質が良好な絵文字表示領域を備えた液晶表示装置を提供
することを目的とする。
本発明の液晶表示装置は、固定パターンからなる絵文字
を表示するための絵文字画素電極が形成された第1の基
板と、前記絵文字画素電極と対向して配置される共通電
極が形成された第2の基板と、前記第1の基板と前記第
2の基板とに挟持された液晶層と、を有する液晶表示装
置であって、前記絵文字画素電極が層間絶縁膜上に形成
され、前記層間絶縁膜に形成された複数の第1のコンタ
クトホールを介して前記層間絶縁膜下に形成された絵文
字信号電極に前記絵文字画素電極が接続される構成とす
る。
は、人が視認できない大きさが好ましく、径が29μm
以下であることがより好ましい。
定の間隔で形成された構成が好ましく、前記絵文字画素
電極内のうち、該絵文字画素電極の外周から所定の距離
以上離れた位置に設けられた構成が好ましい。
囲むように形成された、背景を表示するための背景画素
電極を有する構成が好ましく、前記絵文字画素電極、前
記背景画素電極及び他の遮光膜で覆われない前記絵文字
信号電極は人が視認できない幅であってもよい。
第1の基板が、層間絶縁膜上に格子状に配列された、所
望の画像を表示するための複数のマトリクス画素電極
と、前記層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホー
ルと、前記第2のコンタクトホールを介して前記マトリ
クス画素電極と接続される、前記層間絶縁膜下に形成さ
れる、一端が薄膜トランジスタに接続されたマトリクス
信号電極と、を有する構成である。
び前記第2のコンタクトホールは、実質的に同一形状
で、かつ同一間隔で配列されている構成が好ましい。
画素電極と対向する領域に、カラーフィルタがストライ
プ状に配置され、前記第2の基板の、前記絵文字画素電
極と対向する領域に、カラーフィルタがデルタ状に配置
されていてもよく、前記第2の基板の、前記マトリクス
画素電極と対向する領域に、カラーフィルタがストライ
プ状に配置され、前記第2の基板の、前記絵文字画素電
極と対向する領域に、カラーフィルタがストライプ状に
配置されていてもよく、前記第2の基板の、前記マトリ
クス画素電極と対向する領域に、カラーフィルタがスト
ライプ状に配置され、前記第2の基板の、前記絵文字画
素電極と対向する領域に、カラーフィルタがモザイク状
に配置されていてもよい。
領域に配置されたカラーフィルタの縦及び横のセルピッ
チのうち、少なくともいずれか一方が前記絵文字画素電
極と対向する領域に配置されたカラーフィルタの対応す
るセルピッチよりも長い構成が好ましい。
ク駆動される構成であってもよく、前記薄膜トランジス
タは、ゲート電極に供給される走査信号とドレイン電極
に供給されるデータ信号とにより駆動され、省電力モー
ド時に前記走査信号が停止されることで前記マトリクス
画素電極による表示が停止される構成であってもよい。
前記マトリクス信号電極となる前記薄膜トランジスタの
ソース電極と同じ層に形成され、非表示領域で前記薄膜
トランジスタのゲート電極と同じ層に形成される構成で
あってもよい。
素電極が、反射電極であってもよく透明電極であっても
よく、一部の光を透過し、一部の光を反射する半透過反
射電極であってもよい。
反射電極と、前記第1の反射電極と同じ層で接続される
第1の透明電極と、を有し、前記第1の反射電極または前
記第1の透明電極の少なくともいずれか一方が前記第1の
コンタクトホールに接続される構成であってもよい。
極であってもよく、透明電極であってもよく、一部の光
を透過し、一部の光を反射する半透過反射電極であって
もよい。
反射電極と、前記第2の反射電極と同じ層で接続される
第2の透明電極と、を有し、前記第2の反射電極または
前記第2の透明電極の少なくともいずれか一方が前記第
2のコンタクトホールに接続される構成であってもよ
い。
クス画素電極がそれぞれ反射電極であり、前記絵文字画
素電極の反射光学特性と前記マトリクス画素電極の反射
光学特性とが等しい構成であってもよい。
装置では、絵文字画素電極が層間絶縁膜上に形成され、
層間絶縁膜に形成された複数の第1のコンタクトホール
を介して層間絶縁膜下に形成された絵文字信号電極に絵
文字画素電極が接続されることで、コンタクト部位にお
ける接続抵抗やインダクタンスが低減される。
認できない大きさで形成することで表示品質の劣化が防
止される。
うに形成された、背景を表示するための背景画素電極を
有することで絵文字表示部の見栄えが向上する。
状に配列された、所望の画像を表示するための複数のマ
トリクス画素電極と、層間絶縁膜に形成された第2のコ
ンタクトホールと、第2のコンタクトホールを介してマ
トリクス画素電極と接続される、層間絶縁膜下に形成さ
れる、一端が薄膜トランジスタに接続されたマトリクス
信号電極とを有することで、マトリクス表示部と絵文字
表示部の層構造がほぼ等しくなるため、それらを同一工
程で製造することが可能になる。
層構造を同一にすると、反射電極、コンタクトホールの
径及び配列ピッチ等を共通にすることができるため、両
者の透過光学特性や反射光学特性を揃えることが可能に
なり、絵文字表示部の表示品質をマトリクス表示部と同
じにすることができる。
対向する領域に、ストライプ状のカラーフィルタが配置
され、第2の基板の絵文字画素電極と対向する領域に、
デルタ状、ストライプ状、またはモザイク状のカラーフ
ィルタが配置されることで、カラー表示するマトリクス
表示部とモノクローム表示する絵文字表示部の色調を揃
えることができる。特に、マトリクス画素電極と対向す
る領域に配置されたカラーフィルタの縦及び横のセルピ
ッチのうち、少なくともいずれか一方が絵文字画素電極
と対向する領域に配置されたカラーフィルタの対応する
セルピッチよりも長くすることで、絵文字表示部で斜線
を表示する場合の表示品質が向上する。
給される走査信号とドレイン電極に供給されるデータ信
号とにより駆動され、省電力モード時に走査信号が停止
されることでマトリクス画素電極による表示を停止する
ことで、消費電力が低減される。
トリクス信号電極となる薄膜トランジスタのソース電極
と同じ層に形成し、非表示領域で薄膜トランジスタのゲ
ート電極と同じ層に形成することで、第2の基板2に有
する共通電極へ所定電圧を供給するためにシール部にA
uボールを設ける構造を採用する場合に、非表示領域に
おける絵文字信号電極とAuボール間の絶縁性能が向上
し、絶縁不良の発生が防止される。
て説明する。
表示装置の一構成例を示す平面図である。
なガラス板からなる素子基板1と、素子基板1に対向し
て配置されたコモン基板2と、素子基板1とコモン基板
2間に液晶が注入され、画像を表示するための表示部と
なる液晶表示素子3と、素子基板1上に形成された、液
晶表示素子3に所望の画像を表示させるための信号を供
給するデータ側集積回路4及び走査側集積回路5とを有
する構成である。なお、データ側集積回路4及び走査側
集積回路5には、表示画像の信号を発生する信号発生回
路及び電源回路等が搭載された不図示のプリント基板が
接続される。
動画表示領域であるマトリクス表示部6と、スタティッ
ク駆動される絵文字表示領域である絵文字表示部7とを
有する構成である。マトリクス表示部6には、格子状に
配列された複数の画素領域毎にそれぞれ薄膜トランジス
タ(TFT:Thin Film Transistor)が形成され、絵文
字表示部7には、絵文字形状にパターニングされた複数
の絵文字画素電極が形成される。また、コモン基板2に
はマトリクス表示部6及び絵文字表示部7の全面に透明
電極からなるコモン電極(共通電極)が形成される。
に形成された各薄膜トランジスタのドレイン電極及び絵
文字表示部7に形成された各絵文字画素電極にそれぞれ
表示画像に応じたデータ信号を供給する。また、走査側
集積回路5はマトリクス表示部6に形成された各薄膜ト
ランジスタのゲート電極にそれぞれ走査信号を供給す
る。薄膜トランジスタは、ゲート電極に供給される走査
信号とドレイン電極に供給されるデータ信号とにより駆
動される。なお、省電力モード時には走査側集積回路5
の動作を停止し、走査信号の供給を停止することでマト
リクス表示部6における表示が停止される。この場合、
データ側集積回路4は絵文字表示部7にのみデータ信号
を供給すればよいため、消費電力が低減される。
図面を用いて説明する。
表示部7として反射型の液晶表示素子を用いる例であ
る。以下では本発明の絵文字表示部7を構成する反射型
の液晶表示素子について図面を用いて詳細に説明する。
の形態の構成を示す図であり、同図(a)は反射型の絵
文字表示部の平面図、同図(b)はその断面図である。
文字表示部7は、素子基板1側に形成される、絵文字の
形状にパターニングされた絵文字画素電極11と、不図
示の絶縁層を挟んで絵文字画素電極11の下層に形成さ
れる絵文字信号電極12と、絵文字画素電極11の周囲
を取り囲むように形成された背景を表示するための背景
画素電極13と、不図示の絶縁層を挟んで背景画素電極
13の下層に形成される背景信号電極14と、絵文字画
素電極11と絵文字信号電極12、及び背景画素電極1
3と背景信号電極14を接続するコンタクトホール15
とを有する構成である。なお、絵文字信号電極12及び
背景信号電極14は、それぞれ絵文字画素電極11内の
コンタクトホール及び背景画素電極13内のコンタクト
ホールとデータ側集積回路4とを接続する信号線とな
る。
は、絵文字画素電極11と背景画素電極13との隙間を
除いて、絵文字画素電極11、背景画素電極13あるい
は不図示の遮光膜(例えば、ブラックマトリクス)によ
って覆われる。図1に示したように絵文字表示部7では
縦方向に複数の絵文字が配列されているため、各絵文字
画素電極11の位置から図1の左右方向へ絵文字信号電
極12が配置される。また、マトリクス表示部6と絵文
字表示部7の境界、及び図1に示した絵文字表示部7の
右端は遮光膜によってそれぞれ覆われる。
の素子基板1上には、窒化シリコン等から成る絶縁膜1
01が成膜され、該絶縁膜101上にデータ側集積回路
4へ繋がるクロム(Cr)等からなる信号電極102が
形成される。信号電極102は、絵文字画素電極11へ
データ側集積回路4からのデータ信号を供給する絵文字
信号電極12、及び背景画素電極13へデータ側集積回
路4からのデータ信号を供給する背景信号電極14とな
る。
層間絶縁膜103で覆われ、層間絶縁膜103上には凹
凸絶縁膜104が積層されている。凹凸絶縁膜104上
には、外光を反射すると共に素子基板1及びコモン基板
2間に挟持された液晶層105に電圧を印加するための
反射電極106が形成される。反射電極106は、絵文
字の形状にパターニングされた絵文字画素電極11、及
びその周囲を取り囲むように形成された背景を表示する
ための背景画素電極13となる。反射電極106の表面
は凹凸絶縁膜104の表面形状に一致して凹凸状に形成
され、所望の反射光学特性が得られるように、凹凸ピッ
チ、高さ、及び深さがそれぞれ設定される。
は、それらを貫通する複数のコンタクトホール15が設
けられ、複数のコンタクトホール15を介して信号電極
102と反射電極106とが接続される。反射電極10
6上には、液晶層105と接する液晶分子を所定の方向
に配列させるための配向膜107が形成される。
対向するコモン基板2には、カラー表示させるためのカ
ラーフィルタ111、カラーフィルタ111を保護する
ための保護膜112、透明なITO(Indium Tin Oxid
e)膜からなるコモン電極113、及び配向膜114が
それぞれ順次積層されている。また、液晶層105と対
向するコモン基板2の背面には位相差板115及び偏光
板116が順次積層されている。
極)11と絵文字信号電極(信号電極)12とが3つの
コンタクトホール15を介して接続され、背景画素電極
(反射電極)13と背景信号電極(信号電極)14とが
3つのコンタクトホール15を介して接続される構成を
示しているが、コンタクトホール15の数は3つに限定
されるものではなく、2つ以上であればいくつであって
もよい。
隔毎に設けられた複数のコンタクトホール15を用いて
絵文字画素電極11と絵文字信号電極12とが接続され
る。また、背景画素電極13と背景信号電極14も同様
に所定の間隔毎に設けられた複数のコンタクトホール1
5を用いて接続される。
形状から外光を反射する反射電極106とはなり得ない
ため、本実施形態では各コンタクトホール15を人が視
認し難い径で形成する。
は円状に形成され、その径は開口面から見て対向する差
し渡しの長さのうち最も長い距離を言う。通常、人の視
力は2.0未満であり、文字や細かい絵文字は20〜5
0cm離れた位置から見るのが一般的である。視力2.
0とは、目の視角(visual angle)で0.5分(1/1
20度)のものを識別できる能力として定義されるた
め、視力2.0の人が20cm離れて認識できるものの
大きさは、 200mm×tan(1/120度)=29μm となる。すなわち、本実施形態では、コンタクトホール
15の径を29μm以下で形成する。なお、反射電極1
06と信号電極102とを所定の抵抗値以下で接続する
ためには、コンタクトホール15の径をある程度大きく
することが好ましい。発明者は、一辺の長さが11μm
の正方形のコンタクトホール15を複数個設けることで
問題無く動作することを確認している。
12及び背景信号電極14を、絵文字画素電極11と背
景画素電極13との隙間において視認できない幅(29
μm以下)で形成する。
では、絵文字画素電極11の周囲に背景画素電極13を
配置し、かつ絵文字画素電極11と絵文字信号電極12
とを異なる層に形成し、背景画素電極13と背景信号電
極14とを異なる層に形成することにより、絵文字信号
電極12及び背景信号電極14が、絵文字画素電極11
と背景画素電極13の隙間を除いて、絵文字画素電極1
3、背景画素電極13、または遮光膜で覆われる。さら
に、絵文字信号電極12及び背景信号電極14を、絵文
字画素電極11と背景画素電極13との隙間において視
認できない幅(29μm以下)で形成することで表示品
質の劣化が防止される。
極12とを複数のコンタクトホール15を用いて接続す
ることで、コンタクト部位における接続抵抗やインダク
タンスが低減され、信号波形の歪みや電圧低下が抑制さ
れるため、絵文字表示部7の表示画質が向上する。
を異なる層に形成することで、絵文字画素電極の周囲を
背景画素電極で囲むことができるため、絵文字表示部の
見栄えが向上する。特に、絵文字表示部がノーマリホワ
イト(信号OFFで白表示)の場合、絵文字を白に表示
し、背景を黒に表示することで絵文字表示部のコントラ
ストが向上する。
は、図1に示した絵文字表示部7として、一部の光を透
過し、一部の光を反射する反射/透過兼用型の液晶表示
素子を用いる例である。以下では本発明の絵文字表示部
を構成する反射/透過兼用型の液晶表示素子について図
面を用いて詳細に説明する。
の形態の構成を示す反射/透過兼用型の絵文字表示部の
平面図である。図4は図3に示した絵文字表示部の構造
を示す図であり、同図(a)は図3のA−A’線断面
図、同図(b)は図3のB−B’線断面図、同図(c)
は図3のC−C’線断面図、同図(d)は図3のD−
D’線断面図である。
示部は、素子基板1側に形成される、絵文字の形状にパ
ターニングされた絵文字画素電極21と、不図示の絶縁
層を挟んで絵文字画素電極21の下層に形成される絵文
字信号電極22と、絵文字画素電極21の周囲を取り囲
むように形成された背景を表示するための背景画素電極
23と、不図示の絶縁層を挟んで背景画素電極23の下
層に形成される背景信号電極24と、絵文字画素電極2
1と絵文字信号電極22、及び背景画素電極23と背景
信号電極24を接続する複数のコンタクトホール25と
を有する構成である。なお、絵文字信号電極22及び背
景信号電極24はそれぞれデータ側集積回路4に接続さ
れている。
置された複数の画素領域26によって構成され、各画素
領域26には、反射電極206と、該反射電極に同層で
接続される透明電極208とがそれぞれ形成されてい
る。また、反射電極206の下層にはクロム(Cr)等
を用いた信号電極(絵文字信号電極22または背景信号
電極24)が配置され、反射電極206と信号電極とは
画素領域26毎に設けられた複数のコンタクトホール2
5によって接続される。
は、それぞれ複数の画素領域26を用いて形成され、コ
ンタクトホール25は、絵文字画素電極21または背景
画素電極23の外周から所定の距離以上離れた位置(形
成可能な位置)にのみ設けられている。ここでは、一定
間隔で配置されるコンタクトホール25のうち、絵文字
画素電極21または背景画素電極23内に完全に入るコ
ンタクトホール25のみが実際に形成される。
は、絵文字画素電極21の形状に応じて各画素領域26
の反射電極206下に櫛歯状に配置される。また、絵文
字信号電極22及び背景信号電極24のうち、背景画素
電極23の外側に配置される部位はそれぞれ遮光膜で覆
われる。
形態の絵文字表示部は、第1の実施の形態と同様に、素
子基板1上に、絶縁膜201、信号電極202、層間絶
縁膜203、及び凹凸絶縁膜204が順次積層された構
造であり、凹凸絶縁層204上に反射電極206が形成
される構造である。但し、透明電極208が形成される
透過領域では、層間絶縁膜203上に上面が平坦な平坦
絶縁膜212が形成され、該平坦絶縁膜212上に平坦
な透明電極208が形成される。一般に、平坦絶縁膜2
12の厚さは、反射電極206が形成される反射領域と
透過領域との光路差をなくすために凹凸絶縁膜204よ
りも薄く形成される。
くてもよく、層間絶縁膜203上に透明電極208が直
接形成されていてもよい。その場合、反射領域及び透過
領域共に層間絶縁膜203上に透明電極208を形成
し、反射領域にのみ凹凸絶縁膜204を形成し、該凹凸
絶縁層204上に反射電極206を形成した構造であっ
てもよい。
の背面には位相差板209及び偏光板210が順次積層
され、偏光板210の下部にバックライト211が配置
される。その他の構成は第1の実施の形態と同様である
ため、その説明は省略する。
及び透明電極208上に形成する配向膜、液晶層、及び
コモン基板に形成される各層の構成は省略しているが、
実際には第1の実施の形態と同様の層がそれぞれ形成さ
れる。
施の形態と同様に、絵文字画素電極21の周囲に背景画
素電極23を配置し、かつ絵文字画素電極21と絵文字
信号電極22とを異なる層に形成し、背景画素電極23
と背景信号電極24とを異なる層に形成することによ
り、絵文字信号電極22及び背景信号電極24が、絵文
字画素電極21と背景画素電極23の隙間を除いて、絵
文字画素電極21、背景画素電極23、または遮光膜に
覆われる。さらに、絵文字信号電極22及び背景信号電
極24を、絵文字画素電極21と背景画素電極23との
隙間において視認できない幅で形成することで表示品質
の劣化が防止される。また、絵文字画素電極21と絵文
字信号電極22とを複数のコンタクトホール25を用い
て接続することで、コンタクト部位における接続抵抗や
インダクタンスが低減され、信号波形の歪みや電圧低下
が抑制されるため、絵文字表示部7の画質が向上する。
字画素電極と絵文字信号電極を異なる層に形成すること
で、絵文字画素電極の周囲を背景画素電極で囲むことが
できるため、絵文字表示部の見栄えが向上する。
示部は、一部の光を透過し、一部の光を反射する半透過
反射電極を用いる構成である。但し、反射部位と透明
(透過)部位とがマクロに分離された構成である。この
ような構成は、例えば、特許第2955277号公報に
記載されている。一方、半透過反射電極には、いわゆる
ハーフミラー構造と呼ばれる、反射部位と透明(透過)
部位とがミクロに分離された構成もある。このような構
成は、例えば、特開2000−098364号公報に記
載されている。図3で示したような、反射部位と透明
(透過)部位とがマクロに分離された構成では、絵文字
を表示する場合に反射部位と透明(透過)部位の表示バ
ランスが崩れることがある。反射部位と透明(透過)部
位で色味が微妙に異なっていたり視野角が異なっている
場合、反射部位と透明(透過)部位の表示バランスが崩
れると、これらの問題が顕在化しやすくなる。これに対
して、反射部位と透明(透過)部位がミクロに分離され
た構成では、反射部位と透明(透過)部位の表示バラン
スが崩れることはない。
電極21及び背景画素電極23を構成する反射電極と透
明電極とはどちらが大きくてもよく、反射電極と透明電
極のいずれか一方にコンタクトホール25が設けられて
いれば、どちらにコンタクトホール25が設けられる構
成であってもよい。但し、透明電極にコンタクトホール
25を設ける構成では、その下層に形成される信号電極
として不透明電極(Cr等)を用いると、開口率が低下
してしまうため、不透明電極の幅をできるだけ狭くする
必要がある。また、信号電極として透明電極を用いる
と、透明電極は比較的抵抗値が大きいために幅を広げる
必要があり、この場合も開口率が低下するおそれがあ
る。したがって、図3に示すような構成では、本実施形
態のように絵文字画素電極21及び背景画素電極23を
構成する反射電極にコンタクトホール25を設け、反射
電極の下層に形成される信号電極に不透明電極を用いる
構成が好ましい。
の絵文字表示部7の構造を例示したが、例えば、絵文字
画素電極21及び背景画素電極23を透明電極のみで構
成すれば、透過型の液晶表示素子を形成することも可能
である。
は、図1に示したマトリクス表示部6として反射型の液
晶表示素子を用いる例である。まず、反射型のマトリク
ス表示部6の構造について図面を用いて説明する。
の形態の構成を示す図であり、同図(a)は反射型のマ
トリクス表示部の平面図、同図(b)はその断面図であ
る。
トリクス表示部6は、素子基板1側に形成される、格子
状に配置されたマトリクス画素電極31と、不図示の絶
縁層を挟んでマトリクス画素電極31の下層に形成され
るマトリクス信号電極32と、マトリクス信号電極32
をソース電極とする薄膜トランジスタ33と、マトリク
ス画素電極31とマトリクス信号電極32を接続するコ
ンタクトホール34とを有する構成である。
ト配線35を介して走査側集積回路5に接続され、薄膜
トランジスタのドレイン電極はドレイン配線36を介し
てデータ側集積回路4に接続される。ゲート配線35と
ドレイン配線36とは互いに異なる層に直交して配置さ
れ、それらの配線で囲まれる画素領域にマトリクス画素
電極31が形成される。
部6の素子基板1上には、ゲート電極321が形成さ
れ、該ゲート電極321を覆うように素子基板1上に窒
化シリコン等から成る絶縁膜301が成膜される。絶縁
膜301上の各画素領域にはa−Si(アモルファスシ
リコン)層322及びn+型a−Si層323が形成さ
れ、n+型a−Si層323上に薄膜トランジスタ33
のドレイン電極324及びソース電極325がそれぞれ
形成される。このソース電極325が上述したマトリク
ス信号電極32となる。薄膜トランジスタ33は、層間
絶縁膜303及び凹凸絶縁膜304で覆われ、凹凸絶縁
膜304上には、外光を反射すると共に素子基板1及び
コモン基板2間に挟持された液晶層305に電圧を印加
するための反射電極306が形成されている。この反射
電極306が上述したマトリクス画素電極31となる。
反射電極306の表面は凹凸状に形成され、所望の反射
光学特性が得られるように、凹凸ピッチ、高さ、及び深
さがそれぞれ設定される。
は、それらを貫通するコンタクトホール34が設けら
れ、コンタクトホール34を介してソース電極325と
反射電極306とが接続される。反射電極306上に
は、液晶層305と接する液晶分子を所定の方向に配列
させるための配向膜307が形成されている。
対向するコモン基板2には、カラー表示させるためのカ
ラーフィルタ311、カラーフィルタ311を保護する
ための保護膜312、透明なITO膜からなるコモン電
極313、及び配向膜314が順次積層されている。ま
た、液晶層305と対向するコモン基板2の背面には位
相差板315及び偏光板316が順次積層されている。
は、薄膜トランジスタ33の各構成要素を除けば第1の
実施の形態で示した反射型の絵文字表示部7と同じ層構
造である。したがって、マトリクス表示部6として本実
施形態の構成を用い、絵文字表示部7として第1の実施
の形態の構成を用いて図1に示した液晶表示装置を構成
すれば、マトリクス表示部と絵文字表示部を同一工程で
製造することができるため、製造コストを低減すること
ができる。
示部と絵文字表示部の反射電極の凹凸ピッチ、高さ、及
び深さをそれぞれ共通にすることが可能であり、コンタ
クトホールの径及び配列ピッチを共通にすることが可能
であるため、両者の反射光学特性を揃えることが可能に
なり、絵文字表示部の表示品質をマトリクス表示部と同
じにすることができる。特に、反射型のマトリクス表示
部及び絵文字表示部を用いることで液晶表示装置全体の
消費電流を低減することができる。
ブ駆動されるマトリクス表示部と同じ構成を絵文字表示
部に採用した場合も、マトリクス表示部と絵文字表示部
の表示品質を同等にすることは可能である。しかしなが
ら、本実施形態ではスタティック駆動される絵文字表示
部により、マトリクス表示部と実質的に同等の表示品質
が得られるため、このような構成に比べて消費電力を低
減することができる。
の反射型を用い、絵文字表示部として第2の実施の形態
で示した透過型の絵文字表示部を用いる構成でも、両者
の層構成がほぼ同一であるため、色調、コントラスト、
視野角等の表示特性を揃えることができる。
は、図1に示したマトリクス表示部として一部の光を透
過し、一部の光を反射する反射/透過兼用型の液晶表示
素子を用いる例である。まず、反射/透過兼用型のマト
リクス表示部の構造について図面を用いて説明する。
の形態の構成を示す図であり、同図(a)は反射/透過
兼用型のマトリクス表示部の平面図、同図(b)はその
断面図である。
トリクス表示部は、マトリクス画素電極41が、各画素
領域の所定の面積を占める反射電極406と、該反射電
極406に同層で接続される透明電極408とによって
構成される点で第3の実施の形態と異なっている。
態のマトリクス表示部は反射/透過兼用型なため、液晶
層405と対向する素子基板1の背面に位相差板409
及び偏光板410が順次積層され、偏光板410の下部
にバックライト411が配置される構成である。その他
の構成は第3の実施の形態と同様であるため、その説明
は省略する。
ランジスタ33の各構成要素を除けば第2の実施の形態
で示した反射/透過兼用型の絵文字表示部と同じ層構造
である。したがって、マトリクス表示部として本実施形
態の構成を用い、絵文字表示部として第2の実施の形態
の構成を用いて図1に示した液晶表示装置を構成すれ
ば、マトリクス表示部と絵文字表示部を同一工程で製造
することができるため、製造コストを低減することがで
きる。また、マトリクス表示部と絵文字表示部の層構造
が同一であり、コンタクトホールの径及び配列ピッチを
共通にすることができるため、両者の透過光学特性を揃
えることが可能になり、絵文字表示部の表示品質をマト
リクス表示部と同じにすることができる。
示部によりマトリクス表示部と実質的に同等の表示品質
が得られるため、絵文字表示部にマトリクス表示部と同
じ構成を採用する構成に比べて消費電力を低減すること
ができる。
の反射/透過兼用型を用い、絵文字表示部として第1の
実施の形態で示した反射型の絵文字表示部を用いる構成
でも、両者の層構成がほぼ同一であるため、色調、コン
トラスト、視野角等の表示特性を揃えることができる。
特に、反射型の絵文字表示部を用いることで液晶表示装
置全体の消費電流を低減することが可能になる。
するマトリクス画素電極41は、一部の光を透過させ、
一部の光を反射する半透過反射電極を構成しているが、
第2の実施の形態と同様に、マトリクス画素電極41に
はいわゆるハーフミラー構造と呼ばれるものを用いても
よい。また、マトリクス画素電極41を構成する反射電
極と透明電極とはどちらが大きくてもよく、反射電極と
透明電極のいずれか一方にコンタクトホールが設けられ
ていれば、どちらにコンタクトホールが設けられた構成
でもよい。
の絵文字表示部の構造を例示したが、第2の実施の形態
と同様に、マトリクス画素電極41を透明電極のみで構
成すれば、透過型の液晶表示素子を形成することも可能
である。
液晶表示装置のコモン基板に形成するカラーフィルタの
一構成例を示す平面図である。また、図8及び図9は図
1に示した液晶表示装置のコモン基板に形成するカラー
フィルタの他の構成例を示す平面図である。
ように、マトリクス表示部にR、G、Bのカラーフィル
タをストライプ状に形成し、絵文字表示部にR、G、B
のカラーフィルタをデルタ状に形成する構成である。ま
たは、図8に示すように、マトリクス表示部にR、G、
Bのカラーフィルタをストライプ状に形成し、絵文字表
示部にR、G、Bのカラーフィルタをストライプ状に形
成する構成である。また、図7または図8で示した構成
に代えて、絵文字表示部には、図9に示すようにR、
G、Bのカラーフィルタをモザイク状に形成してもよ
い。
されたカラーフィルタの縦及び横のセルピッチのうち、
少なくともいずれか一方が絵文字表示部に配置されたカ
ラーフィルタの対応するセルピッチよりも長くなるよう
にする。具体的には、マトリクス表示部に対して絵文字
表示部のカラーフィルタのセルピッチを1/3程度の長
さに設定する。このように絵文字表示部のカラーフィル
タのセルピッチをマトリクス表示部に比べて短くするこ
とで、特に絵文字表示部で斜線を表示する場合の表示品
質が向上する。
にモノクローム表示にするため、絵文字表示部では、マ
トリクス表示部のようにR、G、Bの各色剤が設けられ
た画素を選択的に駆動する必要はなく、所望の絵文字の
形状に形成された絵文字画素電極に対応して配置された
全てのカラーフィルタを同時に用いればよい。
カラーフィルタをストライプ状に形成し、絵文字表示部
のカラーフィルタをデルタ状、ストライプ状、またはモ
ザイク状のいずれかに形成する例を示したが、マトリク
ス表示部には、表示画像の種類に応じて、デルタ状また
はモザイク状に形成されたカラーフィルタのどちらを用
いてもかまわない。
示部だけでなくモノクローム表示する絵文字表示部にも
カラーフィルタを設けることで、両者の色調を揃えるこ
とができる。
4の実施の形態では、データ側集積回路4と、絵文字信
号電極、背景信号電極、及びマトリクス信号電極間の配
線方法については特に説明しなかったが、例えば、素子
基板1とコモン基板2間に液晶を封入すると共にコモン
電極へ所定電圧を供給するために、シール部51にAu
ボール52を設ける構造を採用する場合、信号電極によ
るデータ側集積回路4との接続はその経路途中で配線層
を変える構成が好ましい。
(絵文字信号電極及び背景信号電極)をそのままの層を
用いて外部のデータ側集積回路へ接続する場合、Auボ
ール52と信号電極間には層間絶縁膜しかないために絶
縁不良を起こす可能性がある。
置では、データ側集積回路4に繋がる信号配線(信号電
極)53を非表示領域において素子基板1上に形成する
と共に、表示領域において絶縁膜にコンタクトホール5
4を設け、該コンタクトホール54を介して絶縁膜上の
信号電極と素子基板1上の信号配線53とを接続する。
3とAuボール52間に層間絶縁膜及び絶縁膜が存在す
るため信号配線53とAuボール52間の絶縁性能が向
上し、絶縁不良の発生が防止される。
反射型の絵文字表示部を例にして信号電極の層変換につ
いて説明しているが、第2の実施の形態〜第4の実施の
形態で示した透過型の絵文字表示部、反射型のマトリク
ス表示部、及び透過型のマトリクス表示部の信号電極も
同様に層間絶縁膜上から絶縁膜上に層変換すれば、同様
の効果を得ることができる。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
れ、層間絶縁膜に形成された複数の第1のコンタクトホ
ールを介して層間絶縁膜下に形成された絵文字信号電極
に絵文字画素電極が接続されることで、コンタクト部位
における接続抵抗やインダクタンスが低減され、信号波
形の歪みや電圧低下が抑制されて絵文字表示部の画質が
向上する。
認できない大きさで形成することで表示品質の劣化が防
止される。
うに形成された、背景を表示するための背景画素電極を
有することで絵文字表示部の見栄えが向上する。特に、
絵文字表示部がノーマリホワイト(信号OFFで白表
示)の場合、絵文字を白に表示し、背景を黒に表示する
ことで絵文字表示部のコントラストが向上する。
状に配列された、所望の画像を表示するための複数のマ
トリクス画素電極と、層間絶縁膜に形成された第2のコ
ンタクトホールと、第2のコンタクトホールを介してマ
トリクス画素電極と接続される、層間絶縁膜下に形成さ
れる、一端が薄膜トランジスタに接続されたマトリクス
信号電極とを有することで、マトリクス表示部と絵文字
表示部の層構造がほぼ等しくなるため、それらを同一工
程で製造することが可能になり、製造コストが低減す
る。
層構造を同一にすると、反射電極、コンタクトホールの
径及び配列ピッチ等を共通にすることができるため、両
者の透過光学特性や反射光学特性を揃えることが可能に
なり、絵文字表示部の表示品質をマトリクス表示部と同
じにすることができる。
対向する領域に、ストライプ状のカラーフィルタが配置
され、第2の基板の絵文字画素電極と対向する領域に、
デルタ状、ストライプ状、またはモザイク状のカラーフ
ィルタが配置されることで、カラー表示するマトリクス
表示部とモノクローム表示する絵文字表示部の色調を揃
えることができる。特に、マトリクス画素電極と対向す
る領域に配置されたカラーフィルタの縦及び横のセルピ
ッチのうち、少なくともいずれか一方が絵文字画素電極
と対向する領域に配置されたカラーフィルタの対応する
セルピッチよりも長くすることで、絵文字表示部で斜線
を表示する場合の表示品質が向上する。
給される走査信号とドレイン電極に供給されるデータ信
号とにより駆動され、省電力モード時に走査信号が停止
されることでマトリクス画素電極による表示を停止する
ことで、消費電力が低減される。
トリクス信号電極となる薄膜トランジスタのソース電極
と同じ層に形成し、非表示領域で薄膜トランジスタのゲ
ート電極と同じ層に形成することで、第2の基板2に有
する共通電極へ所定電圧を供給するためにシール部にA
uボールを設ける構造を採用する場合に、非表示領域に
おける絵文字信号電極とAuボール間の絶縁性能が向上
し、絶縁不良の発生が防止される。
である。
成を示す図であり、同図(a)は反射型の絵文字表示部
の平面図、同図(b)はその断面図である。
成を示す反射/透過兼用型の絵文字表示部の平面図であ
る。
り、同図(a)は図3のA−A’線断面図、同図(b)
は図3のB−B’線断面図、同図(c)は図3のC−
C’線断面図、同図(d)は図3のD−D’線断面図で
ある。
成を示す図であり、同図(a)は反射型のマトリクス表
示部の平面図、同図(b)はその断面図である。
成を示す図であり、同図(a)は反射/透過兼用型のマ
トリクス表示部の平面図、同図(b)はその断面図であ
る。
するカラーフィルタの一構成例を示す平面図である。
するカラーフィルタの他の構成例を示す平面図である。
するカラーフィルタの他の構成例を示す平面図である。
成例を示す断面図である。
Claims (25)
- 【請求項1】 固定パターンからなる絵文字を表示する
ための絵文字画素電極が形成された第1の基板と、 前記絵文字画素電極と対向して配置される共通電極が形
成された第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板とに挟持された液晶層
と、を有する液晶表示装置であって、前記絵文字画素電
極が層間絶縁膜上に形成され、 前記層間絶縁膜に形成された複数の第1のコンタクトホ
ールを介して前記層間絶縁膜下に形成された絵文字信号
電極に前記絵文字画素電極が接続された液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記第1のコンタクトホールは、 人が視認できない大きさである請求項1記載の液晶表示
装置。 - 【請求項3】 前記第1のコンタクトホールは、 径が29μm以下である請求項2記載の液晶表示装置。
- 【請求項4】 前記第1のコンタクトホールは、 所定の間隔で形成された請求項1乃至3のいずれか1項
記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記第1のコンタクトホールは、 前記絵文字画素電極内のうち、該絵文字画素電極の外周
から所定の距離以上離れた位置に設けられた請求項1乃
至4のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記絵文字画素電極の周囲を取り囲むよ
うに形成された、背景を表示するための背景画素電極を
有する請求項1乃至5のいずれか1項記載の液晶表示装
置。 - 【請求項7】 前記絵文字画素電極、前記背景画素電極
及び他の遮光膜で覆われない前記絵文字信号電極は人が
視認できない幅である請求項1乃至6のいずれか1項記
載の液晶表示装置。 - 【請求項8】 前記第1の基板は、 層間絶縁膜上に格子状に配列された、所望の画像を表示
するための複数のマトリクス画素電極と、 前記層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホール
と、 前記第2のコンタクトホールを介して前記マトリクス画
素電極と接続される、前記層間絶縁膜下に形成される、
一端が薄膜トランジスタに接続されたマトリクス信号電
極と、を有する請求項1乃至7のいずれか1項記載の液
晶表示装置。 - 【請求項9】 前記第1のコンタクトホール及び前記第
2のコンタクトホールは、 実質的に同一形状で、かつ同一間隔で配列されている請
求項8記載の液晶表示装置。 - 【請求項10】 前記第2の基板の、前記マトリクス画
素電極と対向する領域に、カラーフィルタがストライプ
状に配置され、 前記第2の基板の、前記絵文字画素電極と対向する領域
に、カラーフィルタがデルタ状に配置された請求項8ま
たは9記載の液晶表示装置。 - 【請求項11】 前記第2の基板の、前記マトリクス画
素電極と対向する領域に、カラーフィルタがストライプ
状に配置され、 前記第2の基板の、前記絵文字画素電極と対向する領域
に、カラーフィルタがストライプ状に配置された請求項
8または9記載の液晶表示装置。 - 【請求項12】 前記第2の基板の、前記マトリクス画
素電極と対向する領域に、カラーフィルタがストライプ
状に配置され、 前記第2の基板の、前記絵文字画素電極と対向する領域
に、カラーフィルタがモザイク状に配置された請求項8
または9記載の液晶表示装置。 - 【請求項13】 前記マトリクス画素電極と対向する領
域に配置されたカラーフィルタの縦及び横のセルピッチ
のうち、少なくともいずれか一方が前記絵文字画素電極
と対向する領域に配置されたカラーフィルタの対応する
セルピッチよりも長い請求項10乃至12のいずれか1
項記載の液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記絵文字画素電極は、 スタティック駆動される請求項8乃至13のいずれか1
項記載の液晶表示装置。 - 【請求項15】 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極
に供給される走査信号とドレイン電極に供給されるデー
タ信号とにより駆動され、 省電力モード時に前記走査信号が停止されることで前記
マトリクス画素電極による表示が停止される請求項8乃
至14のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 【請求項16】 前記絵文字信号電極は、 表示領域で前記マトリクス信号電極となる前記薄膜トラ
ンジスタのソース電極と同じ層に形成され、 非表示領域で前記薄膜トランジスタのゲート電極と同じ
層に形成される請求項8乃至15のいずれか1項記載の
液晶表示装置。 - 【請求項17】 前記絵文字画素電極は、 反射電極である請求項1乃至16のいずれか1項記載の
液晶表示装置。 - 【請求項18】 前記絵文字画素電極は、 透明電極である請求項1乃至16のいずれか1項記載の
液晶表示装置。 - 【請求項19】 前記絵文字画素電極は、 一部の光を透過し、一部の光を反射する半透過反射電極
である請求項1乃至16のいずれか1項記載の液晶表示
装置。 - 【請求項20】 前記半透過反射電極は、 第1の反射電極と、 前記第1の反射電極と同じ層で接続される第1の透明電極
と、を有し、 前記第1の反射電極または前記第1の透明電極の少なくと
もいずれか一方が前記第1のコンタクトホールに接続さ
れる請求項19記載の液晶表示装置。 - 【請求項21】 前記マトリクス画素電極は、 反射電極である請求項8乃至20のいずれか1項記載の
液晶表示装置。 - 【請求項22】 前記マトリクス画素電極は、 透明電極である請求項8乃至20のいずれか1項記載の
液晶表示装置。 - 【請求項23】 前記マトリクス画素電極は、 一部の光を透過し、一部の光を反射する半透過反射電極
である請求項8乃至20のいずれか1項記載の液晶表示
装置。 - 【請求項24】 前記半透過反射電極は、第2の反射電
極と、 前記第2の反射電極と同じ層で接続される第2の透明電
極と、を有し、 前記第2の反射電極または前記第2の透明電極の少なく
ともいずれか一方が前記第2のコンタクトホールに接続
される請求項23記載の液晶表示装置。 - 【請求項25】 前記絵文字画素電極及び前記マトリク
ス画素電極がそれぞれ反射電極であり、 前記絵文字画素電極の反射光学特性と前記マトリクス画
素電極の反射光学特性とが等しい請求項8乃至16記載
の液晶表示装置。
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