JP2003295792A - 有機ｌｅｄデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
有機ｌｅｄデバイスおよびその製造方法Info
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積に対応可能な有機ＬＥＤデバイスおよ
びその効率的な製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＬＥＤデバイス１０は、絶
縁性基板２６上に構成され、基板２６上に形成されるス
イッチングＴＦＴ１２およびドライバＴＦＴ１４を含ん
で構成されている。さらに、有機ＬＥＤ素子１６は、基
板２６上に絶縁膜５８を介して画素ごとに形成され、か
つドライバＴＦＴに接続されている。本発明の有機ＬＥ
Ｄデバイス１０は、アノード３４と、ドライバＴＦＴ１
２と絶縁膜５８の上側に形成された有機ＬＥＤ素子１６
とを接続させるカソード３６とを含み、アノード３４
は、コモン電極として複数の画素を接続して製造時の自
己整合性が向上されている。
びその効率的な製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＬＥＤデバイス１０は、絶
縁性基板２６上に構成され、基板２６上に形成されるス
イッチングＴＦＴ１２およびドライバＴＦＴ１４を含ん
で構成されている。さらに、有機ＬＥＤ素子１６は、基
板２６上に絶縁膜５８を介して画素ごとに形成され、か
つドライバＴＦＴに接続されている。本発明の有機ＬＥ
Ｄデバイス１０は、アノード３４と、ドライバＴＦＴ１
２と絶縁膜５８の上側に形成された有機ＬＥＤ素子１６
とを接続させるカソード３６とを含み、アノード３４
は、コモン電極として複数の画素を接続して製造時の自
己整合性が向上されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＬＥＤに関
し、より詳細にはトップエミッション構造を採用した大
面積化に適する有機ＬＥＤデバイスおよび該有機ＬＥＤ
デバイスの製造方法に関するものである。
し、より詳細にはトップエミッション構造を採用した大
面積化に適する有機ＬＥＤデバイスおよび該有機ＬＥＤ
デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機ＬＥＤ素子は、応答速度が非常に速
く自己発光素子であるため、表示装置に適用した場合に
は視野角も広い良好な平面型表示装置を提供できること
が期待されている。このため、有機ＬＥＤ素子は、液晶
表示装置に替わる平面型表示装置への適用が検討されて
いる。
く自己発光素子であるため、表示装置に適用した場合に
は視野角も広い良好な平面型表示装置を提供できること
が期待されている。このため、有機ＬＥＤ素子は、液晶
表示装置に替わる平面型表示装置への適用が検討されて
いる。
【０００３】上述した有機ＬＥＤ素子を平面型表示装置
に適用する場合には、液晶表示装置と同様に、アクティ
ブ・マトリックス駆動方法を適用することができる。ア
クティブ・マトリックス駆動方式が適用される有機ＬＥ
Ｄデバイスにおいては、発光構造としてトップエミッシ
ョン構造またはボトムエミッション構造を採用すること
ができることが知られている。図８には、従来知られて
いるトップエミッション構造を使用した有機ＬＥＤデバ
イスの断面図を示す。
に適用する場合には、液晶表示装置と同様に、アクティ
ブ・マトリックス駆動方法を適用することができる。ア
クティブ・マトリックス駆動方式が適用される有機ＬＥ
Ｄデバイスにおいては、発光構造としてトップエミッシ
ョン構造またはボトムエミッション構造を採用すること
ができることが知られている。図８には、従来知られて
いるトップエミッション構造を使用した有機ＬＥＤデバ
イスの断面図を示す。
【０００４】図９に示される有機ＬＥＤデバイスは、ガ
ラス基板上に、ｐ型ドープされた多結晶シリコン（ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ）から形成された薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）構造８２が形成されて構成されている。ＴＦＴ構造
８２は、図９に示すように、絶縁膜８４により上部構造
から絶縁されている。また、絶縁膜８４の上部には、例
えばモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ
（Ｐｔ）といった金属から形成された反射性のアノード
８６が形成されている。反射性のアノード８６に隣接し
た上層には、ホール注入層８８が形成されており、さら
にその上層には、ホール輸送層９０と、電子輸送層９２
とが形成されていて、有機ＬＥＤ素子の発光を可能とす
る構成とされている。
ラス基板上に、ｐ型ドープされた多結晶シリコン（ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ）から形成された薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）構造８２が形成されて構成されている。ＴＦＴ構造
８２は、図９に示すように、絶縁膜８４により上部構造
から絶縁されている。また、絶縁膜８４の上部には、例
えばモリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ
（Ｐｔ）といった金属から形成された反射性のアノード
８６が形成されている。反射性のアノード８６に隣接し
た上層には、ホール注入層８８が形成されており、さら
にその上層には、ホール輸送層９０と、電子輸送層９２
とが形成されていて、有機ＬＥＤ素子の発光を可能とす
る構成とされている。
【０００５】図９に示した従来の有機ＬＥＤデバイスに
おいては、さらに電子輸送層９２の上層に、半透明とな
るようにカソード９４が形成されているのが示されてい
る。このカソード９４は、有機ＬＥＤにより生成された
光線を透過させる機能を有すると共に電子を供給する機
能を有し、例えば仕事関数の小さなアルミニウム（Ａ
ｌ）、ナトリウム（Ｎａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグ
ネシウム−銀（ＭｇＡｇ）、バリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）といった材料から形成することができ
る。カソード９４上には、バッファ層９６と、ガラス質
の保護層９８とが形成されていて、トップエミッション
構造が形成されている。
おいては、さらに電子輸送層９２の上層に、半透明とな
るようにカソード９４が形成されているのが示されてい
る。このカソード９４は、有機ＬＥＤにより生成された
光線を透過させる機能を有すると共に電子を供給する機
能を有し、例えば仕事関数の小さなアルミニウム（Ａ
ｌ）、ナトリウム（Ｎａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグ
ネシウム−銀（ＭｇＡｇ）、バリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）といった材料から形成することができ
る。カソード９４上には、バッファ層９６と、ガラス質
の保護層９８とが形成されていて、トップエミッション
構造が形成されている。
【０００６】図９に示した従来のトップエミッション構
造を含んで構成される有機ＬＥＤデバイスは、ＴＦＴの
寸法によらず開口率を向上させることができる点で、ボ
トムエミッション型の有機ＬＥＤデバイスに比較して効
率的に有利であることが知られている。しかしながら、
トップエミッション型として有機ＬＥＤデバイスを構成
する場合には、上述したカソード９４に対して透明性を
付与するために非常に薄い（約１０ｎｍ）膜として形成
する必要がある。このため、カソード９４は、高抵抗と
ならざるをえない、という不都合があった。
造を含んで構成される有機ＬＥＤデバイスは、ＴＦＴの
寸法によらず開口率を向上させることができる点で、ボ
トムエミッション型の有機ＬＥＤデバイスに比較して効
率的に有利であることが知られている。しかしながら、
トップエミッション型として有機ＬＥＤデバイスを構成
する場合には、上述したカソード９４に対して透明性を
付与するために非常に薄い（約１０ｎｍ）膜として形成
する必要がある。このため、カソード９４は、高抵抗と
ならざるをえない、という不都合があった。
【０００７】上述したカソード９４が高抵抗となるとい
う理由から、トップエミッション型の有機ＬＥＤデバイ
スを表示装置として使用する場合に大面積の表示装置を
製造しようとしても、画面の端部から中央部にかけてカ
ソード自体の抵抗によるカソード電圧の電圧降下が大き
くならざるをえないという不都合があった。このため、
有機ＬＥＤデバイスの大面積化に伴い、画面の端部から
画面の中央部までの間の電圧降下により、駆動のために
必要とされる電圧をＴＦＴに対して印加することができ
なくなるという不都合があった。上述したカソード９４
を通じた電圧降下を防止するために、カソード９４上に
さらにＩＴＯといった低抵抗層を製膜することも可能で
ある。
う理由から、トップエミッション型の有機ＬＥＤデバイ
スを表示装置として使用する場合に大面積の表示装置を
製造しようとしても、画面の端部から中央部にかけてカ
ソード自体の抵抗によるカソード電圧の電圧降下が大き
くならざるをえないという不都合があった。このため、
有機ＬＥＤデバイスの大面積化に伴い、画面の端部から
画面の中央部までの間の電圧降下により、駆動のために
必要とされる電圧をＴＦＴに対して印加することができ
なくなるという不都合があった。上述したカソード９４
を通じた電圧降下を防止するために、カソード９４上に
さらにＩＴＯといった低抵抗層を製膜することも可能で
ある。
【０００８】しかしながら、ＩＴＯが導電性を有すると
はいえ、金属に比較すればＩＴＯの抵抗でもまだ抵抗は
高いといわざるを得ない。このため、有機ＬＥＤ素子を
用いて大画面、特に１０数インチを超えた大画面の有機
ＬＥＤデバイスを提供する場合には、従来のトップエミ
ッション構成は、画面表示の均一性を保証することが困
難で、大画面化を行う場合に大きな不都合を生じさせる
ことが知られていた。
はいえ、金属に比較すればＩＴＯの抵抗でもまだ抵抗は
高いといわざるを得ない。このため、有機ＬＥＤ素子を
用いて大画面、特に１０数インチを超えた大画面の有機
ＬＥＤデバイスを提供する場合には、従来のトップエミ
ッション構成は、画面表示の均一性を保証することが困
難で、大画面化を行う場合に大きな不都合を生じさせる
ことが知られていた。
【０００９】図１０には、トップエミッション構造を与
える場合に使用される、ｐ型ドライバＴＦＴを使用した
カソード・コモン方式のドライバ回路１００を示す。図
１０に示された従来のドライバ回路１００では、ｐ型ド
ライバＴＦＴ１０２を使用する。ドライバＴＦＴ１０２
のドレイン電極１０２ｄは、有機ＬＥＤ素子１０４に対
して接続され、ソース電極１０２ｓがコモン電位とさ
れ、カソード・コモン方式で駆動されているのが示され
ている。
える場合に使用される、ｐ型ドライバＴＦＴを使用した
カソード・コモン方式のドライバ回路１００を示す。図
１０に示された従来のドライバ回路１００では、ｐ型ド
ライバＴＦＴ１０２を使用する。ドライバＴＦＴ１０２
のドレイン電極１０２ｄは、有機ＬＥＤ素子１０４に対
して接続され、ソース電極１０２ｓがコモン電位とさ
れ、カソード・コモン方式で駆動されているのが示され
ている。
【００１０】また、ドライバＴＦＴのゲート電極１０２
ｇは、スイッチングＴＦＴ１０８に接続されており、有
機ＬＥＤ素子１０４の選択的駆動が行われる構成とされ
ている。図１０に示したトップエミッション構造におい
ては、飽和領域におけるドライバＴＦＴ１０２のドレイ
ン−ソース間電流Ｉｄｓは、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２にほ
ぼ比例して与えられることが知られている。ここで、Ｖ
ｇｓは、ゲート−ソース間の電圧であり、Ｖｔｈは、Ｔ
ＦＴのしきい値電圧である。上述したように従来のトッ
プエミッション構造では、ＩｄｓがＶｇｓのみの関数で
与えられるため、カソード・コモン方式を採用して有機
ＬＥＤの特性変動によりＴＦＴのＶｇｓの変動に対応し
ている。
ｇは、スイッチングＴＦＴ１０８に接続されており、有
機ＬＥＤ素子１０４の選択的駆動が行われる構成とされ
ている。図１０に示したトップエミッション構造におい
ては、飽和領域におけるドライバＴＦＴ１０２のドレイ
ン−ソース間電流Ｉｄｓは、（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２にほ
ぼ比例して与えられることが知られている。ここで、Ｖ
ｇｓは、ゲート−ソース間の電圧であり、Ｖｔｈは、Ｔ
ＦＴのしきい値電圧である。上述したように従来のトッ
プエミッション構造では、ＩｄｓがＶｇｓのみの関数で
与えられるため、カソード・コモン方式を採用して有機
ＬＥＤの特性変動によりＴＦＴのＶｇｓの変動に対応し
ている。
【００１１】表１には、有機ＬＥＤの特性変動に伴うＶ
ｇｓの変化を防止するために採用することができるＴＦ
Ｔの構成をまとめて示す。表１中、○は、有機ＬＥＤ素
子の特性変動に対応可能な構成を示し、×は、有機ＬＥ
Ｄ素子の特性変動に対応できないことが予測される構成
を示す。
ｇｓの変化を防止するために採用することができるＴＦ
Ｔの構成をまとめて示す。表１中、○は、有機ＬＥＤ素
子の特性変動に対応可能な構成を示し、×は、有機ＬＥ
Ｄ素子の特性変動に対応できないことが予測される構成
を示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】上述したように有機ＬＥＤ素子の特性変動
だけを考慮すれば、ｎ型ＴＦＴ、およびｐ型ＴＦＴのい
ずれでも、それぞれアノード・コモン、カソード・コモ
ン方式で対応することができることが知られている。し
かしながら、ｎ型ＴＦＴをドライバＴＦＴとして用い
て、アノード・コモン構造を形成させる場合には、後述
する別の不都合が生じることになる。
だけを考慮すれば、ｎ型ＴＦＴ、およびｐ型ＴＦＴのい
ずれでも、それぞれアノード・コモン、カソード・コモ
ン方式で対応することができることが知られている。し
かしながら、ｎ型ＴＦＴをドライバＴＦＴとして用い
て、アノード・コモン構造を形成させる場合には、後述
する別の不都合が生じることになる。
【００１４】図１１には、ｎ型ドライバＴＦＴを使用し
てアノード・コモン構造を形成させる場合のドライバ回
路の断面構造を示す。図１１に示されるように、従来の
トップエミッション構造では、注入効率、発光効率が著
しく低下するといった理由から、高抵抗とならざるを得
ないカソードを下側の電極として配置することができな
い。
てアノード・コモン構造を形成させる場合のドライバ回
路の断面構造を示す。図１１に示されるように、従来の
トップエミッション構造では、注入効率、発光効率が著
しく低下するといった理由から、高抵抗とならざるを得
ないカソードを下側の電極として配置することができな
い。
【００１５】このため、例えばｎ型ＴＦＴを使用してア
ノード・コモン構造を採用することによりトップエミッ
ション構造を形成させる場合には、図１１に示すように
アノード１１０およびカソード１０６用のコンタクト・
ホールを画素内に形成させることが必要となる。このこ
とは、有機ＬＥＤ素子１０８の画素における開口率の低
下およびデバイス構造の複雑化を招くといった不都合を
生じさせるので、効率、生産性、コストの点から現実的
なものではない。一方で、ｎ型ＴＦＴを使用してカソー
ド・コモン方式を採用しただけでは、有機ＬＥＤの特性
変動に伴うＶｇｓの変動を抑制することができず、表示
特性に劣るものと考えられていた。
ノード・コモン構造を採用することによりトップエミッ
ション構造を形成させる場合には、図１１に示すように
アノード１１０およびカソード１０６用のコンタクト・
ホールを画素内に形成させることが必要となる。このこ
とは、有機ＬＥＤ素子１０８の画素における開口率の低
下およびデバイス構造の複雑化を招くといった不都合を
生じさせるので、効率、生産性、コストの点から現実的
なものではない。一方で、ｎ型ＴＦＴを使用してカソー
ド・コモン方式を採用しただけでは、有機ＬＥＤの特性
変動に伴うＶｇｓの変動を抑制することができず、表示
特性に劣るものと考えられていた。
【００１６】したがって、これまで、トップエミッショ
ン構造の高い開口率を保持したまま、大画面化を達成す
ることを可能とする有機ＬＥＤデバイスが必要とされて
いた。
ン構造の高い開口率を保持したまま、大画面化を達成す
ることを可能とする有機ＬＥＤデバイスが必要とされて
いた。
【００１７】また、トップエミッション構造の高い開口
率を保持したまま、大画面化を達成することを可能とす
る有機ＬＥＤデバイスを製造するための方法が必要とさ
れていた。
率を保持したまま、大画面化を達成することを可能とす
る有機ＬＥＤデバイスを製造するための方法が必要とさ
れていた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来の不都合に鑑みなされたものであり、本発明は、トッ
プエミッション構造の高い開口率を保持したまま、大画
面化を達成することを可能とする有機ＬＥＤデバイスを
提供することを目的とする。
来の不都合に鑑みなされたものであり、本発明は、トッ
プエミッション構造の高い開口率を保持したまま、大画
面化を達成することを可能とする有機ＬＥＤデバイスを
提供することを目的とする。
【００１９】また、本発明は、トップエミッション構造
の高い開口率を保持したまま、大画面化を達成すること
を可能とする有機ＬＥＤデバイスを製造するための方法
を提供することを目的とする。
の高い開口率を保持したまま、大画面化を達成すること
を可能とする有機ＬＥＤデバイスを製造するための方法
を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に鑑
みてなされたものであり、本発明は、トップエミッショ
ン構造においてｎ型ドライバＴＦＴを使用し、同時にア
ノードをアクティブ・マトリックス駆動される有機ＬＥ
Ｄデバイスの複数の画素にわたって接続するアノード・
コモン構成を採用する。
みてなされたものであり、本発明は、トップエミッショ
ン構造においてｎ型ドライバＴＦＴを使用し、同時にア
ノードをアクティブ・マトリックス駆動される有機ＬＥ
Ｄデバイスの複数の画素にわたって接続するアノード・
コモン構成を採用する。
【００２１】本発明では、ｎ型ドライバＴＦＴにおいて
アノード・コモン構成を採用することにより、有機ＬＥ
Ｄ素子の特性変化のＶｇｓに対する影響を最小とするこ
とができ、特性の安定化を達成することができることが
見出された。
アノード・コモン構成を採用することにより、有機ＬＥ
Ｄ素子の特性変化のＶｇｓに対する影響を最小とするこ
とができ、特性の安定化を達成することができることが
見出された。
【００２２】さらに、本発明においては、アノードは、
ドライバＴＦＴが形成されると同一の平面上に形成され
たコモン電極に接続するように形成させるのではなく、
ドライバＴＦＴの上部に形成される平坦化のために形成
される絶縁膜上において、コモン電極と同一のレベルに
形成される。アノードは、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属
といった低抵抗な材料で形成される。本発明により形成
されたアノードを用いることで、複数の画素に接続され
るコモン電極を低抵抗化し、大面積の有機ＬＥＤデバイ
スを提供することが可能となる。
ドライバＴＦＴが形成されると同一の平面上に形成され
たコモン電極に接続するように形成させるのではなく、
ドライバＴＦＴの上部に形成される平坦化のために形成
される絶縁膜上において、コモン電極と同一のレベルに
形成される。アノードは、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどの金属
といった低抵抗な材料で形成される。本発明により形成
されたアノードを用いることで、複数の画素に接続され
るコモン電極を低抵抗化し、大面積の有機ＬＥＤデバイ
スを提供することが可能となる。
【００２３】すなわち、本発明は、ｎ型ドライバＴＦＴ
を使用すると同時に、アノードを複数の画素に接続する
アノード・コモン構造を採用することで、従来の構成を
採用する場合に不可避的に発生する構成の複雑化を低減
することを可能とする。さらに本発明は、アノードを画
素毎に形成するのではなく、ライン状または平面として
接続することによりコモン電極として使用することを可
能とする。
を使用すると同時に、アノードを複数の画素に接続する
アノード・コモン構造を採用することで、従来の構成を
採用する場合に不可避的に発生する構成の複雑化を低減
することを可能とする。さらに本発明は、アノードを画
素毎に形成するのではなく、ライン状または平面として
接続することによりコモン電極として使用することを可
能とする。
【００２４】すなわち、本発明によれば、基板上に構成
される有機ＬＥＤデバイスであって、該有機ＬＥＤデバ
イスは、前記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴお
よびドライバＴＦＴと、前記基板上に絶縁膜を介して画
素ごとに形成され、かつ前記ドライバＴＦＴに接続され
た有機ＬＥＤ素子と、コモン電極に接続されるアノード
と、前記ドライバＴＦＴと前記絶縁膜上に形成された前
記有機ＬＥＤ素子とを接続させるカソードとを含み、前
記アノードは、複数の画素を接続して形成される有機Ｌ
ＥＤデバイスが提供される。
される有機ＬＥＤデバイスであって、該有機ＬＥＤデバ
イスは、前記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴお
よびドライバＴＦＴと、前記基板上に絶縁膜を介して画
素ごとに形成され、かつ前記ドライバＴＦＴに接続され
た有機ＬＥＤ素子と、コモン電極に接続されるアノード
と、前記ドライバＴＦＴと前記絶縁膜上に形成された前
記有機ＬＥＤ素子とを接続させるカソードとを含み、前
記アノードは、複数の画素を接続して形成される有機Ｌ
ＥＤデバイスが提供される。
【００２５】本発明の有機ＬＥＤデバイスにおいては、
前記ドライバＴＦＴは、ｎ型アモルファス・シリコンま
たはｎ型多結晶シリコンを活性層として含むことが好ま
しい。本発明の有機ＬＥＤデバイスは、前記有機ＬＥＤ
素子は、一部が自己整合的に形成された少なくとも発光
部と、電子輸送部とを含んで構成されることが好まし
い。本発明の有機ＬＥＤデバイスは、前記有機ＬＥＤデ
バイスは、トップエミッション構造とされることが好ま
しい。
前記ドライバＴＦＴは、ｎ型アモルファス・シリコンま
たはｎ型多結晶シリコンを活性層として含むことが好ま
しい。本発明の有機ＬＥＤデバイスは、前記有機ＬＥＤ
素子は、一部が自己整合的に形成された少なくとも発光
部と、電子輸送部とを含んで構成されることが好まし
い。本発明の有機ＬＥＤデバイスは、前記有機ＬＥＤデ
バイスは、トップエミッション構造とされることが好ま
しい。
【００２６】本発明においては、基板上に有機ＬＥＤデ
バイスを製造するための製造方法であって、前記基板上
にスイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを形成するス
テップと、前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴ
ＦＴとを被覆する絶縁膜を形成するステップと、前記絶
縁膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン電極と
して形成するステップと、前記アノード上に前記アノー
ドに接続する有機ＬＥＤ素子を形成する領域を規定する
ステップと、前記領域に有機ＬＥＤ素子を形成するステ
ップとを含む有機ＬＥＤデバイスの製造方法が提供され
る。
バイスを製造するための製造方法であって、前記基板上
にスイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを形成するス
テップと、前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴ
ＦＴとを被覆する絶縁膜を形成するステップと、前記絶
縁膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン電極と
して形成するステップと、前記アノード上に前記アノー
ドに接続する有機ＬＥＤ素子を形成する領域を規定する
ステップと、前記領域に有機ＬＥＤ素子を形成するステ
ップとを含む有機ＬＥＤデバイスの製造方法が提供され
る。
【００２７】本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法に
おいては、前記有機ＬＥＤデバイスを形成するステップ
は、前記有機ＬＥＤ素子を形成する領域の周囲に突出構
造を形成するステップと、前記突出構造の内側に有機Ｌ
ＥＤ素子を蒸着法により一部を自己整合的に形成するス
テップとを含むことが好ましい。
おいては、前記有機ＬＥＤデバイスを形成するステップ
は、前記有機ＬＥＤ素子を形成する領域の周囲に突出構
造を形成するステップと、前記突出構造の内側に有機Ｌ
ＥＤ素子を蒸着法により一部を自己整合的に形成するス
テップとを含むことが好ましい。
【００２８】本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法に
おいては、少なくとも前記ドライバＴＦＴを製造するス
テップは、アモルファス・シリコンまたはｎ型ドープさ
れたポリシリコン活性層を形成するステップを含むこと
が好ましい。本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法
は、トップエミッション型の有機ＬＥＤデバイスを形成
させることが好ましい。
おいては、少なくとも前記ドライバＴＦＴを製造するス
テップは、アモルファス・シリコンまたはｎ型ドープさ
れたポリシリコン活性層を形成するステップを含むこと
が好ましい。本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造方法
は、トップエミッション型の有機ＬＥＤデバイスを形成
させることが好ましい。
【００２９】本発明によれば、基板上に構成される有機
ＬＥＤデバイスであって、該有機ＬＥＤデバイスは、前
記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴおよびドライ
バＴＦＴと、前記基板上に絶縁膜を介して画素ごとに形
成され、かつ前記ドライバＴＦＴに接続される有機ＬＥ
Ｄ素子と、前記有機ＬＥＤ素子を囲んで前記絶縁膜から
突出したオーバーハングを含んで形成された突出部と、
コモン電極に接続されるアノードと、前記ドライバＴＦ
Ｔと前記絶縁膜上に形成された前記有機ＬＥＤ素子とを
接続させるカソードとを含み、前記アノードは、複数の
画素を接続して形成される有機ＬＥＤデバイスが提供さ
れる。
ＬＥＤデバイスであって、該有機ＬＥＤデバイスは、前
記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴおよびドライ
バＴＦＴと、前記基板上に絶縁膜を介して画素ごとに形
成され、かつ前記ドライバＴＦＴに接続される有機ＬＥ
Ｄ素子と、前記有機ＬＥＤ素子を囲んで前記絶縁膜から
突出したオーバーハングを含んで形成された突出部と、
コモン電極に接続されるアノードと、前記ドライバＴＦ
Ｔと前記絶縁膜上に形成された前記有機ＬＥＤ素子とを
接続させるカソードとを含み、前記アノードは、複数の
画素を接続して形成される有機ＬＥＤデバイスが提供さ
れる。
【００３０】本発明によれば、基板上に有機ＬＥＤデバ
イスを製造するための製造方法であって、前記基板上に
スイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを形成するステ
ップと、前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴＦ
Ｔとを被覆する絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁
膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン電極とし
て形成するステップと、有機ＬＥＤ素子を形成する領域
の周囲に突出構造を形成して前記有機ＬＥＤ素子を形成
する領域を規定するステップと、前記アノード上に有機
ＬＥＤ素子を前記突出構造を使用して自己整合的に蒸着
法により形成するステップと、前記突出構造を使用して
前記有機ＬＥＤ素子を被覆する膜を自己整合的に形成す
るステップとを含む有機ＬＥＤデバイスの製造方法が提
供される。
イスを製造するための製造方法であって、前記基板上に
スイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを形成するステ
ップと、前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴＦ
Ｔとを被覆する絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁
膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン電極とし
て形成するステップと、有機ＬＥＤ素子を形成する領域
の周囲に突出構造を形成して前記有機ＬＥＤ素子を形成
する領域を規定するステップと、前記アノード上に有機
ＬＥＤ素子を前記突出構造を使用して自己整合的に蒸着
法により形成するステップと、前記突出構造を使用して
前記有機ＬＥＤ素子を被覆する膜を自己整合的に形成す
るステップとを含む有機ＬＥＤデバイスの製造方法が提
供される。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態に基づいて詳細に説明するが、本発明は、上述す
る実施の形態に限定されるものではない。図１は、本発
明により構成されたアノード・コモン構造を採用した有
機ＬＥＤデバイス１０のドライバ回路の構成を示した図
である。図１に示されるように、ドライバ回路は、ｎ型
ＴＦＴにより形成されており、ｎ型ドライバＴＦＴ１２
と、ｎ型スイッチングＴＦＴ１４とが接続されて、有機
ＬＥＤ１６を駆動する構成とされている。本発明の好適
な実施の形態においては、ドライバＴＦＴ１２と、スイ
ッチングＴＦＴ１４とを共にｎ型ドープとすることが好
ましい。
の形態に基づいて詳細に説明するが、本発明は、上述す
る実施の形態に限定されるものではない。図１は、本発
明により構成されたアノード・コモン構造を採用した有
機ＬＥＤデバイス１０のドライバ回路の構成を示した図
である。図１に示されるように、ドライバ回路は、ｎ型
ＴＦＴにより形成されており、ｎ型ドライバＴＦＴ１２
と、ｎ型スイッチングＴＦＴ１４とが接続されて、有機
ＬＥＤ１６を駆動する構成とされている。本発明の好適
な実施の形態においては、ドライバＴＦＴ１２と、スイ
ッチングＴＦＴ１４とを共にｎ型ドープとすることが好
ましい。
【００３２】しかしながら、本発明においては、ドライ
バＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦＴ１４とをドープ・
タイプの異なったＴＦＴとして構成することも可能であ
る。図１を参照してさらに詳細にドライバ回路を説明す
ると、ドライバＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇは、キャ
パシタ１８を介してコモン電極２０に接続されている。
また、ドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄは、有
機ＬＥＤ素子１６のカソードに接続されている。また、
ドライバＴＦＴ１２のソース電極１２ｓが接地されてい
て、アノード・コモン構造を与える構成とされている。
バＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦＴ１４とをドープ・
タイプの異なったＴＦＴとして構成することも可能であ
る。図１を参照してさらに詳細にドライバ回路を説明す
ると、ドライバＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇは、キャ
パシタ１８を介してコモン電極２０に接続されている。
また、ドライバＴＦＴ１２のドレイン電極１２ｄは、有
機ＬＥＤ素子１６のカソードに接続されている。また、
ドライバＴＦＴ１２のソース電極１２ｓが接地されてい
て、アノード・コモン構造を与える構成とされている。
【００３３】ドライバＴＦＴ１２のゲート電極１２ｇ
は、さらにスイッチングＴＦＴ１４のドレイン電極１４
ｄに接続され、ソース電極１４ｓは、データライン２２
に接続され、ゲート電極１４ｇが選択ライン２４に接続
されて、有機ＬＥＤ素子１６を駆動している。図１に示
されたドライバ回路が、有機ＬＥＤデバイスの画素を形
成し、この画素が複数平面上に配置されてアクティブ・
マトリックス型の駆動方式を可能とさせている。
は、さらにスイッチングＴＦＴ１４のドレイン電極１４
ｄに接続され、ソース電極１４ｓは、データライン２２
に接続され、ゲート電極１４ｇが選択ライン２４に接続
されて、有機ＬＥＤ素子１６を駆動している。図１に示
されたドライバ回路が、有機ＬＥＤデバイスの画素を形
成し、この画素が複数平面上に配置されてアクティブ・
マトリックス型の駆動方式を可能とさせている。
【００３４】図２は、本発明の有機ＬＥＤデバイス１０
において採用することができるアノード・コモン構造が
形成された半導体構造の断面図である。図２に示された
本発明の有機ＬＥＤデバイス１０のドライバ回路は、上
述したようにｎ型ＴＦＴを含んだ半導体として構成する
ことができる。
において採用することができるアノード・コモン構造が
形成された半導体構造の断面図である。図２に示された
本発明の有機ＬＥＤデバイス１０のドライバ回路は、上
述したようにｎ型ＴＦＴを含んだ半導体として構成する
ことができる。
【００３５】本発明において使用することができるＴＦ
Ｔとしては、これまで知られたいかなる構造でも用いる
ことができる。しかしながら、本発明においては、ｎ型
活性層を含むＴＦＴを使用することが、アノード・コモ
ン構造を採用する点では必要である。また、本発明にお
いては、製造上の都合および生産性といった点では、上
述したようにドライバＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦ
Ｔ１４とを同一のドープ・タイプのものとして構成する
ことが好ましいが、製造上特に不都合が生じないのであ
れば、ドライバＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦＴ１４
とを異なったドープ・タイプとし、スイッチングＴＦＴ
１４については、ｐ型活性層のＴＦＴを用いることもで
きる。
Ｔとしては、これまで知られたいかなる構造でも用いる
ことができる。しかしながら、本発明においては、ｎ型
活性層を含むＴＦＴを使用することが、アノード・コモ
ン構造を採用する点では必要である。また、本発明にお
いては、製造上の都合および生産性といった点では、上
述したようにドライバＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦ
Ｔ１４とを同一のドープ・タイプのものとして構成する
ことが好ましいが、製造上特に不都合が生じないのであ
れば、ドライバＴＦＴ１２と、スイッチングＴＦＴ１４
とを異なったドープ・タイプとし、スイッチングＴＦＴ
１４については、ｐ型活性層のＴＦＴを用いることもで
きる。
【００３６】また、本発明において使用することができ
る活性層の材料としては、これまで知られたいかなるも
のでも用いることができ、本発明においては特にｎ型ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを使用することもできるし、ｎ型のアモル
ファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することもでき
る。しかしながら、有機ＬＥＤ素子１６の負荷に関連し
たＶｇｓの特性変動を抑制するという点では、本発明
は、ｎ型活性層としてａ−Ｓｉを使用する場合に特に効
果的に適用することができる。
る活性層の材料としては、これまで知られたいかなるも
のでも用いることができ、本発明においては特にｎ型ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉを使用することもできるし、ｎ型のアモル
ファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）を使用することもでき
る。しかしながら、有機ＬＥＤ素子１６の負荷に関連し
たＶｇｓの特性変動を抑制するという点では、本発明
は、ｎ型活性層としてａ−Ｓｉを使用する場合に特に効
果的に適用することができる。
【００３７】さらに、図２を参照して本発明の有機ＬＥ
Ｄデバイス１０を説明すると、有機ＬＥＤデバイス１０
のドライバ回路は、基板２６上に構成されたスイッチン
グＴＦＴ１４と、ドライバＴＦＴ１２と、それぞれのＴ
ＦＴを接続するためのライン２８と、カソード３６に各
ＴＦＴを接続させるためのライン３０とを含んで構成さ
れている。基板２６は種々の材料から構成することがで
き、例えばＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、金属酸化物
といった材料から構成された基板を適宜用いることがで
きる。
Ｄデバイス１０を説明すると、有機ＬＥＤデバイス１０
のドライバ回路は、基板２６上に構成されたスイッチン
グＴＦＴ１４と、ドライバＴＦＴ１２と、それぞれのＴ
ＦＴを接続するためのライン２８と、カソード３６に各
ＴＦＴを接続させるためのライン３０とを含んで構成さ
れている。基板２６は種々の材料から構成することがで
き、例えばＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、金属酸化物
といった材料から構成された基板を適宜用いることがで
きる。
【００３８】図２に示されたドライバ回路においては、
それぞれのＴＦＴ１２、１４は、ポリマーといった絶縁
性材料から形成された絶縁膜３２により上部構造から絶
縁されている。絶縁膜３２上には、各種のラインがこれ
まで知られたパターニング技術により形成されている。
例えば、絶縁膜３２上には、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＩＴＯ
といった導電性の材料から形成され、ライン状、または
面状にパターニングされたアノード３４が、図示しない
コモン電極と同一のレベルに形成されている。また、ア
ノード３４は、図示しない他の画素のアノードに接続さ
れていて、アノード・コモン方式において有機ＬＥＤ素
子１６を駆動している。
それぞれのＴＦＴ１２、１４は、ポリマーといった絶縁
性材料から形成された絶縁膜３２により上部構造から絶
縁されている。絶縁膜３２上には、各種のラインがこれ
まで知られたパターニング技術により形成されている。
例えば、絶縁膜３２上には、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＩＴＯ
といった導電性の材料から形成され、ライン状、または
面状にパターニングされたアノード３４が、図示しない
コモン電極と同一のレベルに形成されている。また、ア
ノード３４は、図示しない他の画素のアノードに接続さ
れていて、アノード・コモン方式において有機ＬＥＤ素
子１６を駆動している。
【００３９】カソード３６は、アノード３４から有機Ｌ
ＥＤ素子１６により絶縁されて配置されており、有機Ｌ
ＥＤ素子１６を発光させることが可能な構成とされてい
る。また、カソード３６は、ビア・ホール３８を介し
て、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン
電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されている。
ＥＤ素子１６により絶縁されて配置されており、有機Ｌ
ＥＤ素子１６を発光させることが可能な構成とされてい
る。また、カソード３６は、ビア・ホール３８を介し
て、下層側に形成されたドライバＴＦＴ１２のドレイン
電極１２ｄへと接続するライン３０に接続されている。
【００４０】本発明においては、上述した構成を採用す
ることにより、カソード３６とアノード３４とに対して
それぞれコンタクト・ホールを形成させることなく開口
率を高めることが可能となる。また、本発明によれば、
アノード３４は、容易・かつ簡易な構成でコモン電極を
介して他の画素へと接続させる構成を採用することがで
きる。
ることにより、カソード３６とアノード３４とに対して
それぞれコンタクト・ホールを形成させることなく開口
率を高めることが可能となる。また、本発明によれば、
アノード３４は、容易・かつ簡易な構成でコモン電極を
介して他の画素へと接続させる構成を採用することがで
きる。
【００４１】また、アノード３４を面状またはライン状
として導電性の高い金属などから構成することを可能と
することができるので、アノード３４を低抵抗化するこ
とができる。このため、本発明は、画面の端部から中央
部にかけて著しい電圧低下を生じさせることがなく、大
画面化を達成することを可能とする。
として導電性の高い金属などから構成することを可能と
することができるので、アノード３４を低抵抗化するこ
とができる。このため、本発明は、画面の端部から中央
部にかけて著しい電圧低下を生じさせることがなく、大
画面化を達成することを可能とする。
【００４２】図３は、本発明の有機ＬＥＤデバイスの製
造方法を示した図である。図３に示されるように、本発
明においては、まず、図３（ａ）に示されるように、絶
縁性の基板４２上に、ゲート電極４４と、データ信号を
送るためのライン（図示せず）をパターニングする。次
いで、図３（ｂ）に示されるように、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ
ｙ、ＳｉＯｘＮｙといった材料から構成されるゲート絶
縁膜４８およびｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉから構成
される活性層５０を堆積させ、チャネル保護層（エッチ
ング・ストッパ）５２をパターニングする。ついで、図
３（ｃ）に示されるように、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏといった
構成のソース電極５４、ドレイン電極５６をパターニン
グする。
造方法を示した図である。図３に示されるように、本発
明においては、まず、図３（ａ）に示されるように、絶
縁性の基板４２上に、ゲート電極４４と、データ信号を
送るためのライン（図示せず）をパターニングする。次
いで、図３（ｂ）に示されるように、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ
ｙ、ＳｉＯｘＮｙといった材料から構成されるゲート絶
縁膜４８およびｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉから構成
される活性層５０を堆積させ、チャネル保護層（エッチ
ング・ストッパ）５２をパターニングする。ついで、図
３（ｃ）に示されるように、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏといった
構成のソース電極５４、ドレイン電極５６をパターニン
グする。
【００４３】その後、図３（ｄ）に示されるように、Ｓ
ｉＮｘなどの絶縁膜５８を堆積させ、絶縁膜５８にコン
タクト・ホール６０を形成する。次いで、本発明の製造
方法においては、図３（ｅ）に示されるようにＩＴＯと
いった導電性膜の接続要素６１を形成させて、後述する
上部配線との接続要素を形成する。この接続要素６１は
省略することも可能だが、下層側のドライバＴＦＴと上
層側の有機ＬＥＤ素子との間の良好な電気的接続を得る
ために、形成することが望ましい。
ｉＮｘなどの絶縁膜５８を堆積させ、絶縁膜５８にコン
タクト・ホール６０を形成する。次いで、本発明の製造
方法においては、図３（ｅ）に示されるようにＩＴＯと
いった導電性膜の接続要素６１を形成させて、後述する
上部配線との接続要素を形成する。この接続要素６１は
省略することも可能だが、下層側のドライバＴＦＴと上
層側の有機ＬＥＤ素子との間の良好な電気的接続を得る
ために、形成することが望ましい。
【００４４】図４は、図３に示した製造プロセスの後に
続く製造プロセスを示した図である。図４に示した製造
プロセスにおいては、図４（ａ）に示されるように、図
３（ｅ）で形成された構造上にポリマー絶縁膜６２を成
膜し、コンタクト・ホール６０に対応する開口６４を形
成させる。次いで、図４（ｂ）に示されるように、ＩＴ
Ｏ、Ｍｏ、ＩＴＯ／Ｍｏといった導電性材料の層を形成
する。この導電性材料の層をパターニングすることで、
図４（ｂ）に示した有機ＬＥＤ素子に対するアノード６
６を構成する。さらに、下層側に形成されたドライバＴ
ＦＴに対するカソードの電気的接続性を安定化させるた
めの接続要素６８をコンタクト・ホール６０および開口
６４の内側面に、同時に構成する。この接続要素６８も
省略することができるが、前述したと同じ理由から、接
続要素６８を形成することが望ましい。
続く製造プロセスを示した図である。図４に示した製造
プロセスにおいては、図４（ａ）に示されるように、図
３（ｅ）で形成された構造上にポリマー絶縁膜６２を成
膜し、コンタクト・ホール６０に対応する開口６４を形
成させる。次いで、図４（ｂ）に示されるように、ＩＴ
Ｏ、Ｍｏ、ＩＴＯ／Ｍｏといった導電性材料の層を形成
する。この導電性材料の層をパターニングすることで、
図４（ｂ）に示した有機ＬＥＤ素子に対するアノード６
６を構成する。さらに、下層側に形成されたドライバＴ
ＦＴに対するカソードの電気的接続性を安定化させるた
めの接続要素６８をコンタクト・ホール６０および開口
６４の内側面に、同時に構成する。この接続要素６８も
省略することができるが、前述したと同じ理由から、接
続要素６８を形成することが望ましい。
【００４５】次いで、本発明の製造プロセスにおいて
は、図４（ｃ）に示すように、有機ＬＥＤ素子と他の構
造とを絶縁するための有機絶縁膜または無機絶縁膜６７
を成膜させ、パターニングして、有機ＬＥＤ素子を構成
するための領域を形成させる。有機ＬＥＤ素子の画定に
関わらない部分６７’は除去してもよいが、最終的に得
られる構造の平坦性などを考慮すると、有機ＬＥＤデバ
イスの機能に影響しない限り除去する必要はない。
は、図４（ｃ）に示すように、有機ＬＥＤ素子と他の構
造とを絶縁するための有機絶縁膜または無機絶縁膜６７
を成膜させ、パターニングして、有機ＬＥＤ素子を構成
するための領域を形成させる。有機ＬＥＤ素子の画定に
関わらない部分６７’は除去してもよいが、最終的に得
られる構造の平坦性などを考慮すると、有機ＬＥＤデバ
イスの機能に影響しない限り除去する必要はない。
【００４６】図５は、本発明の製造プロセスにおいて、
有機ＬＥＤデバイスを自己整合的に形成させるための前
処理プロセスを示す。図５に示されるように本発明の前
処理プロセスにおいては、フォトレジストといったポリ
マー膜を形成し、有機ＬＥＤ素子を形成する領域に隣接
して突出構造６９をパターニングする。この突出構造６
９は、本発明においては図５に示されるように、オーバ
ーハングを有する構造とすることが望ましいが、本発明
の有機ＬＥＤ素子が効率的に得られる限り、いかなる形
状として形成することもできる。
有機ＬＥＤデバイスを自己整合的に形成させるための前
処理プロセスを示す。図５に示されるように本発明の前
処理プロセスにおいては、フォトレジストといったポリ
マー膜を形成し、有機ＬＥＤ素子を形成する領域に隣接
して突出構造６９をパターニングする。この突出構造６
９は、本発明においては図５に示されるように、オーバ
ーハングを有する構造とすることが望ましいが、本発明
の有機ＬＥＤ素子が効率的に得られる限り、いかなる形
状として形成することもできる。
【００４７】また、図５に示した突出構造６９は、本発
明においては後述するプロセスにおけるシャドウ・マス
クと共に有機ＬＥＤ素子を構成する発光部および電子輸
送部といった各層の少なくとも３方を自己整合的に形成
させるために使用される。本発明においてはまた、突出
構造６９は、シャドウ・マスクが有機ＬＥＤ素子の蒸着
といった成膜プロセスに際して過度の熱が加えられるの
を防止してシャドウ・マスクの再利用性を高めることを
可能としている。
明においては後述するプロセスにおけるシャドウ・マス
クと共に有機ＬＥＤ素子を構成する発光部および電子輸
送部といった各層の少なくとも３方を自己整合的に形成
させるために使用される。本発明においてはまた、突出
構造６９は、シャドウ・マスクが有機ＬＥＤ素子の蒸着
といった成膜プロセスに際して過度の熱が加えられるの
を防止してシャドウ・マスクの再利用性を高めることを
可能としている。
【００４８】次いで、本発明の製造プロセスにおける特
定の実施の形態においては、図６に示すように、有機Ｌ
ＥＤ素子１６を、シャドウ・マスクＭを使用して他の領
域を保護させつつ、蒸着といった適切な成膜技術を使用
して自己整合的に成膜する。この有機ＬＥＤ素子は、露
出したアノード電極６６上にホール注入層と、発光層
と、電子輸送層といった層を含んで構成され、この際、
有機ＬＥＤ素子の厚さは、適宜設定することができる。
例えば本発明の特定の実施の形態においては、上述した
有機ＬＥＤ素子の厚さとしては、１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍとすることができる。
定の実施の形態においては、図６に示すように、有機Ｌ
ＥＤ素子１６を、シャドウ・マスクＭを使用して他の領
域を保護させつつ、蒸着といった適切な成膜技術を使用
して自己整合的に成膜する。この有機ＬＥＤ素子は、露
出したアノード電極６６上にホール注入層と、発光層
と、電子輸送層といった層を含んで構成され、この際、
有機ＬＥＤ素子の厚さは、適宜設定することができる。
例えば本発明の特定の実施の形態においては、上述した
有機ＬＥＤ素子の厚さとしては、１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍとすることができる。
【００４９】また、本発明においては上述した各層に
は、発光効率を向上させるため、有機物質または無機物
質などの各種のドーパントを添加することができる。本
発明においてはまた、有機ＬＥＤ素子としては、デバイ
ス特性といった点を考慮して、アノードと、ホール注入
層と、発光層と、電子輸送層と、その他必要に応じて形
成される他の機能を有する層と、カソードとを分離した
構成とするさらに高次の有機ＬＥＤ素子を使用すること
もできる。
は、発光効率を向上させるため、有機物質または無機物
質などの各種のドーパントを添加することができる。本
発明においてはまた、有機ＬＥＤ素子としては、デバイ
ス特性といった点を考慮して、アノードと、ホール注入
層と、発光層と、電子輸送層と、その他必要に応じて形
成される他の機能を有する層と、カソードとを分離した
構成とするさらに高次の有機ＬＥＤ素子を使用すること
もできる。
【００５０】図６に示されたシャドウ・マスクＭは、シ
ャドウ・マスクＭの下部構造を保護しつつ、突出構造６
９と共に自己整合的に有機ＬＥＤ素子１６の少なくとも
３方向の端部を形成することを可能としている。本発明
においてカラー表示装置を構成する場合には、ＲＧＢの
各色に応じたシャドウ・マスクを使用してパターニング
する必要がある。この場合には、各色毎に画素がずらさ
れて構成されることになるものの、各ＲＧＢに対応する
画素については、それぞれ自己整合的に形成することが
容易になり、この結果マスクアライメントなどが著しく
容易となる。
ャドウ・マスクＭの下部構造を保護しつつ、突出構造６
９と共に自己整合的に有機ＬＥＤ素子１６の少なくとも
３方向の端部を形成することを可能としている。本発明
においてカラー表示装置を構成する場合には、ＲＧＢの
各色に応じたシャドウ・マスクを使用してパターニング
する必要がある。この場合には、各色毎に画素がずらさ
れて構成されることになるものの、各ＲＧＢに対応する
画素については、それぞれ自己整合的に形成することが
容易になり、この結果マスクアライメントなどが著しく
容易となる。
【００５１】その後、本発明の製造プロセスにおいて
は、図７に示されるように、図６において形成された有
機ＬＥＤ素子および他の構造を被覆するように、ＭｇＡ
ｇ、ＡｌＬｉといった仕事関数の小さな材料からカソー
ド７６をパターニングする。前述したように、カソード
は透明性を付与するために非常に薄い膜として形成され
る。そのため、不連続で、不安定なものとなるおそれが
ある。そこで、カソードとしての導電性を補い、不安定
なこれら仕事関数の小さい材料を保護する目的で、ＩＴ
Ｏといった透明導電膜をカソードの上に付着することが
望ましい。さらにその後、ＳｉＮｘといった材料から形
成されるパッシベーション膜７８を成膜して、各構造を
保護することにより本発明による有機ＬＥＤデバイス１
０が形成される。
は、図７に示されるように、図６において形成された有
機ＬＥＤ素子および他の構造を被覆するように、ＭｇＡ
ｇ、ＡｌＬｉといった仕事関数の小さな材料からカソー
ド７６をパターニングする。前述したように、カソード
は透明性を付与するために非常に薄い膜として形成され
る。そのため、不連続で、不安定なものとなるおそれが
ある。そこで、カソードとしての導電性を補い、不安定
なこれら仕事関数の小さい材料を保護する目的で、ＩＴ
Ｏといった透明導電膜をカソードの上に付着することが
望ましい。さらにその後、ＳｉＮｘといった材料から形
成されるパッシベーション膜７８を成膜して、各構造を
保護することにより本発明による有機ＬＥＤデバイス１
０が形成される。
【００５２】本発明においては、上述した突出構造６９
は、有機ＬＥＤ素子を取り囲んで形成されるので、有機
ＬＥＤ素子を形成した後カソード７６およびＩＴＯなど
の要素を有機ＬＥＤ素子上に突出構造６９を使用して自
己整合的に形成することが可能となる。また、突出構造
６９は、オーバーハングを含んで形成されるので、隣接
した画素間の絶縁も同時に確保することができる。この
結果、カソード３４を堆積させる際にシャドウ・マスク
を用いたパターン形成が不要になり、製造プロセスを著
しく効率化することができる。その後、パッシベーショ
ン膜を堆積させる。
は、有機ＬＥＤ素子を取り囲んで形成されるので、有機
ＬＥＤ素子を形成した後カソード７６およびＩＴＯなど
の要素を有機ＬＥＤ素子上に突出構造６９を使用して自
己整合的に形成することが可能となる。また、突出構造
６９は、オーバーハングを含んで形成されるので、隣接
した画素間の絶縁も同時に確保することができる。この
結果、カソード３４を堆積させる際にシャドウ・マスク
を用いたパターン形成が不要になり、製造プロセスを著
しく効率化することができる。その後、パッシベーショ
ン膜を堆積させる。
【００５３】図８は、本発明により製造されるＴＦＴ基
板８０の上面図である。図８に示したＴＦＴ基板は、そ
れぞれが複数の画素８１が隣接して形成されている。１
画素は、突出構造６９により囲まれた領域に形成されて
いる。突出構造６９に囲まれた領域の内側には、有機Ｌ
ＥＤ素子１６と、本発明にしたがって形成された開口６
４が接続要素６８で被覆された、図２に示すコンタクト
・ホール３８とが形成されているのが示されている。ま
た、突出構造６９の内側の領域には、有機ＬＥＤ素子１
６の上部に形成されたカソードおよびパッシベーション
膜が突出構造６９を使用して自己整合的に形成されてい
る。
板８０の上面図である。図８に示したＴＦＴ基板は、そ
れぞれが複数の画素８１が隣接して形成されている。１
画素は、突出構造６９により囲まれた領域に形成されて
いる。突出構造６９に囲まれた領域の内側には、有機Ｌ
ＥＤ素子１６と、本発明にしたがって形成された開口６
４が接続要素６８で被覆された、図２に示すコンタクト
・ホール３８とが形成されているのが示されている。ま
た、突出構造６９の内側の領域には、有機ＬＥＤ素子１
６の上部に形成されたカソードおよびパッシベーション
膜が突出構造６９を使用して自己整合的に形成されてい
る。
【００５４】図６に示したように、突出構造６９は、堆
積プロセスにおける上流側が幅広く形成され、下流側が
幅狭く形成されたオーバーハングを含む形状とされてい
る。このため、有機ＬＥＤ素子１６の突出構造６９に隣
接する側の端部が自己整合的に形成することができる。
また、上部構造についても突出構造６９により自己整合
的に形成することができるので、製造プロセスおよびそ
のために必要な部材も必要とされず、製造コストを著し
く低下させることができる。
積プロセスにおける上流側が幅広く形成され、下流側が
幅狭く形成されたオーバーハングを含む形状とされてい
る。このため、有機ＬＥＤ素子１６の突出構造６９に隣
接する側の端部が自己整合的に形成することができる。
また、上部構造についても突出構造６９により自己整合
的に形成することができるので、製造プロセスおよびそ
のために必要な部材も必要とされず、製造コストを著し
く低下させることができる。
【００５５】また、上述した突出構造６９は、図７にお
いて説明したプロセスの後、除去することが好ましい
が、本発明においてはさらに後述するプロセスおよびデ
バイス特性において支障が生じないかぎり残しておくこ
ともできる。また、パッシベーション膜は、突出構造６
９を除去した後に形成してもよい。
いて説明したプロセスの後、除去することが好ましい
が、本発明においてはさらに後述するプロセスおよびデ
バイス特性において支障が生じないかぎり残しておくこ
ともできる。また、パッシベーション膜は、突出構造６
９を除去した後に形成してもよい。
【００５６】これまで、本発明を図面に示した実施の形
態をもって詳細に説明してきたが、本発明は図面に示し
た実施の形態に限定されるものではなく、細部の構成、
有機ＬＥＤ素子の構造、材料、製造プロセスの順などに
ついては、同様の構成を得ることができる限り、いかな
るものでも適宜適用することができる。
態をもって詳細に説明してきたが、本発明は図面に示し
た実施の形態に限定されるものではなく、細部の構成、
有機ＬＥＤ素子の構造、材料、製造プロセスの順などに
ついては、同様の構成を得ることができる限り、いかな
るものでも適宜適用することができる。
【図１】 本発明の有機ＬＥＤデバイスのドライバ回路
の構成を示した図。
の構成を示した図。
【図２】 本発明のドライバ回路を構成する半導体構造
の断面図。
の断面図。
【図３】 本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造プロセス
を示した図。
を示した図。
【図４】 本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造プロセス
を示した図。
を示した図。
【図５】 本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造プロセス
を示した図。
を示した図。
【図６】 本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造プロセス
を示した図。
を示した図。
【図７】 本発明の有機ＬＥＤデバイスの製造プロセス
を示した図。
を示した図。
【図８】 本発明により製造される有機ＬＥＤデバイス
の上面図。
の上面図。
【図９】 従来のトップエミッション構造の有機ＬＥＤ
デバイスの断面図。
デバイスの断面図。
【図１０】 従来のカソード・コモン構造の有機ＬＥＤ
デバイスのドライバ回路を示した図。
デバイスのドライバ回路を示した図。
【図１１】 従来のｎ型ドープＴＦＴを使用したアノー
ド・コモン構造を有する有機ＬＥＤデバイスのためのド
ライバ回路を構成するための半導体構造の断面図。
ド・コモン構造を有する有機ＬＥＤデバイスのためのド
ライバ回路を構成するための半導体構造の断面図。
１０…有機ＬＥＤデバイス
１２…ドライバＴＦＴ
１４…スイッチングＴＦＴ
１６…有機ＬＥＤ素子
１８…キャパシタ
２０…コモン電極
２２…データ・ライン
２４…選択ライン
２６…基板
２８…ライン
３０…ライン
３２…絶縁膜
３４…アノード
３６…カソード
３８…コンタクト・ホール
４２…基板
４４…ゲート電極
４６…ライン
４８…ゲート絶縁膜
５０…活性層
５２…チャネル保護層（エッチングストッパ）
５４…ソース電極
５６…ドレイン電極
５７…データ・ライン
５８…絶縁膜
６０…コンタクト・ホール
６１…接続要素
６２…ポリマー絶縁膜
６４…開口
６６…電極（アノード）
６７、６７’…絶縁膜
６８…接続要素
６９…突出構造
７６…カソード
７８…パッシベーション膜
８０…ＴＦＴアレイ基板
８１…画素
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ
33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ
33/22
(72)発明者 辻村 隆俊
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
(72)発明者 田中 淳
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
(72)発明者 三和 宏一
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
(72)発明者 師岡 光雄
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内
Ｆターム(参考） 3K007 AB18 DB03 FA01 GA00
5C094 AA14 BA03 BA27 CA19 DA13
DB04 EA05 EA07 FA02 FB01
FB12 HA08
5F110 AA28 BB01 BB02 CC07 FF02
FF03 FF04 GG02 GG13 GG15
HK03 HK04 HK22 HK32 NN01
NN02 NN12 NN24 NN71 NN72
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に構成される有機ＬＥＤデバイス
であって、該有機ＬＥＤデバイスは、 前記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴおよびドラ
イバＴＦＴと、 前記基板上に絶縁膜を介して画素ごとに形成され、かつ
前記ドライバＴＦＴに接続された有機ＬＥＤ素子と、 コモン電極に接続されるアノードと、前記ドライバＴＦ
Ｔと前記絶縁膜上に形成された前記有機ＬＥＤ素子とを
接続させるカソードとを含み、前記アノードは、複数の
画素を接続して形成される有機ＬＥＤデバイス。 - 【請求項２】 前記ドライバＴＦＴは、ｎ型アモルファ
ス・シリコンまたはｎ型多結晶シリコンを活性層として
含む請求項１に記載の有機ＬＥＤデバイス。 - 【請求項３】 前記有機ＬＥＤ素子は、自己整合的に形
成された部分を含む少なくとも発光部と、電子輸送部と
を含んで構成される請求項１または２のいずれか１項に
記載の有機ＬＥＤデバイス。 - 【請求項４】 前記有機ＬＥＤデバイスは、トップエミ
ッション構造である請求項１〜３のいずれか１項に記載
の有機ＬＥＤデバイス。 - 【請求項５】 基板上に有機ＬＥＤデバイスを製造する
ための製造方法であって、 前記基板上にスイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを
形成するステップと、 前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴＦＴとを被
覆する絶縁膜を形成するステップと、 前記絶縁膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン
電極として形成するステップと、 前記アノード上に前記アノードに接続する有機ＬＥＤ素
子を形成する領域を規定するステップと、 前記領域に有機ＬＥＤ素子を形成するステップとを含む
有機ＬＥＤデバイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記有機ＬＥＤデバイスを形成するステ
ップは、前記有機ＬＥＤ素子を形成する領域の周囲に突
出構造を形成するステップと、 前記突出構造の内側に有機ＬＥＤ素子を蒸着法により自
己整合的に形成するステップとを含む請求項５に記載の
有機ＬＥＤデバイスの製造方法。 - 【請求項７】 少なくとも前記ドライバＴＦＴを製造す
るステップは、ｎ型アモルファス・シリコンまたはｎ型
ポリシリコン活性層を形成するステップを含む請求項５
または６に記載の有機ＬＥＤデバイスの製造方法。 - 【請求項８】 トップエミッション型の有機ＬＥＤデバ
イスを形成させる請求項５〜７のいずれか１項に記載の
有機ＬＥＤデバイスの製造方法。 - 【請求項９】 基板上に構成される有機ＬＥＤデバイス
であって、該有機ＬＥＤデバイスは、 前記基板上に形成されるスイッチングＴＦＴおよびドラ
イバＴＦＴと、 前記基板上に絶縁膜を介して画素ごとに形成され、かつ
前記ドライバＴＦＴに接続される有機ＬＥＤ素子と、 前記有機ＬＥＤ素子を囲んで前記絶縁膜から突出したオ
ーバーハングを含んで形成された突出部と、 コモン電極に接続されるアノードと、前記ドライバＴＦ
Ｔと前記絶縁膜上に形成された前記有機ＬＥＤ素子とを
接続させるカソードとを含み、前記アノードは、複数の
画素を接続して形成される有機ＬＥＤデバイス。 - 【請求項１０】 基板上に有機ＬＥＤデバイスを製造す
るための製造方法であって、 前記基板上にスイッチングＴＦＴとドライバＴＦＴとを
形成するステップと、 前記スイッチングＴＦＴと、前記ドライバＴＦＴとを被
覆する絶縁膜を形成するステップと、 前記絶縁膜上に複数の画素に共通するアノードをコモン
電極として形成するステップと、 有機ＬＥＤ素子を形成する領域の周囲に突出構造を形成
して前記有機ＬＥＤ素子を形成する領域を規定するステ
ップと、 前記アノード上に有機ＬＥＤ素子を前記突出構造を使用
して自己整合的に蒸着法により形成するステップと、 前記突出構造を使用して前記有機ＬＥＤ素子を被覆する
カソードを自己整合的に形成するステップとを含む有機
ＬＥＤデバイスの製造方法。
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031335A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004071365A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP2005227618A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
| JP2007103126A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、電子機器 |
| KR100739649B1 (ko) | 2006-10-16 | 2007-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2007125768A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法 |
| US7364928B2 (en) | 2002-05-29 | 2008-04-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and method of manufacturing the same, element driving device and method of manufacturing the same, element substrate, and electronic apparatus |
| JP2009105068A (ja) * | 2009-02-09 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2009157403A (ja) * | 2004-03-24 | 2009-07-16 | Lg Display Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| US7569851B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic thin film transistor array panels |
| US7576354B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| US7759859B2 (en) | 2002-04-30 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2014086259A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Japan Display Inc | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JP2015069830A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2016015495A (ja) * | 2005-08-31 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2016015320A (ja) * | 2009-04-29 | 2016-01-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 共通の陽極を備えたｏｌｅｄディスプレイ、および、それを製造するための方法 |
| JP2016085990A (ja) * | 2004-03-16 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2017174811A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2019012642A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
| US10937988B2 (en) | 2017-04-05 | 2021-03-02 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100367531C (zh) * | 2003-09-15 | 2008-02-06 | 统宝光电股份有限公司 | 具有光效率提升结构的有机发光组件 |
| CN100358172C (zh) * | 2004-04-14 | 2007-12-26 | 友达光电股份有限公司 | 有源式有机电致发光元件及其制造方法 |
| KR101054341B1 (ko) | 2004-04-30 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100615222B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101050290B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| US7863630B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-01-04 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and method for fabrication thereof |
| TWI303892B (en) | 2006-06-15 | 2008-12-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence structure |
| CN100433361C (zh) * | 2006-07-10 | 2008-11-12 | 友达光电股份有限公司 | 有机电致发光结构 |
| KR101943379B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN105789251B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-03-26 | 昆山国显光电有限公司 | Amoled显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353587A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス表示装置の製法 |
| JPH10161563A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JPH10319909A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2000215989A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置、およびその製造方法 |
| JP2001195008A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2001250694A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 |
| JP2001284041A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-05-24 JP JP2002150386A patent/JP4095830B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-20 KR KR1020030003650A patent/KR100607975B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-29 TW TW092101961A patent/TW580776B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-29 CN CNB031035566A patent/CN1292487C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-12 KR KR1020060052601A patent/KR100899201B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353587A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス表示装置の製法 |
| JPH10161563A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JPH10319909A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2000215989A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置、およびその製造方法 |
| JP2001195008A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2001250694A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 |
| JP2001284041A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031335A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US7759859B2 (en) | 2002-04-30 | 2010-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7364928B2 (en) | 2002-05-29 | 2008-04-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and method of manufacturing the same, element driving device and method of manufacturing the same, element substrate, and electronic apparatus |
| JP2004071365A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP2005227618A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
| JP2016085990A (ja) * | 2004-03-16 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2009157403A (ja) * | 2004-03-24 | 2009-07-16 | Lg Display Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2016015495A (ja) * | 2005-08-31 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| US7569851B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic thin film transistor array panels |
| JP2007103126A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | Ｅｌ表示装置、ｅｌ表示装置の製造方法、電子機器 |
| US7576354B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of fabricating the same |
| WO2007125768A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法 |
| KR100739649B1 (ko) | 2006-10-16 | 2007-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
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| JP2016015320A (ja) * | 2009-04-29 | 2016-01-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 共通の陽極を備えたｏｌｅｄディスプレイ、および、それを製造するための方法 |
| JP2014086259A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Japan Display Inc | エレクトロルミネセンス表示装置 |
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