JP2003258272A - 光受信モジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードピンのインピーダンス整合を容易に図
ることが可能な光受信モジュールを提供すること。 【解決手段】 リードピン３１〜３４は、一端が部品搭
載面１２ａから所定の長さ突出した状態で対応する孔部
１４〜１７に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁
された状態で固定される。孔部１４，１５の内径は約
０．８ｍｍに設定されており、孔部１６，１７の内径は
約１．１ｍｍに設定されている。孔部１４，１５に挿通
されるリードピン３１，３２の外径は約０．４５ｍｍに
設定されており、孔部１６，１７に挿通されるリードピ
ン３３，３４の外径は約０．２ｍｍに設定されている。
リードピン３１〜３４と搭載部材１１との固定は、リー
ドピン３１〜３４の外周面と孔部１４〜１７の内周面と
の間隙のみにガラス部材６１〜６４を充填して当該間隙
を気密に封止することにより行なわれる。
ることが可能な光受信モジュールを提供すること。 【解決手段】 リードピン３１〜３４は、一端が部品搭
載面１２ａから所定の長さ突出した状態で対応する孔部
１４〜１７に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁
された状態で固定される。孔部１４，１５の内径は約
０．８ｍｍに設定されており、孔部１６，１７の内径は
約１．１ｍｍに設定されている。孔部１４，１５に挿通
されるリードピン３１，３２の外径は約０．４５ｍｍに
設定されており、孔部１６，１７に挿通されるリードピ
ン３３，３４の外径は約０．２ｍｍに設定されている。
リードピン３１〜３４と搭載部材１１との固定は、リー
ドピン３１〜３４の外周面と孔部１４〜１７の内周面と
の間隙のみにガラス部材６１〜６４を充填して当該間隙
を気密に封止することにより行なわれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信モジュール
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光受信モジュール１０１は、図９及び図
１０に示されるように、半導体受光素子１０２を搭載す
る搭載部材１０３と、複数（ここでは５本）のリードピ
ン１０４〜１０８とを備えている。リードピンのうち、
搭載部材１０３に電気的に導通しているリードピン１０
８以外の４本のリードピン１０４〜１０７と搭載部材１
０３の絶縁は、ガラス部材１０９による封止にて行って
いる。このガラス部材１０９は、通常、搭載部材１０３
の下面（半導体受光素子１０２を搭載する面の裏面）側
に形成された窪み部１１０全体に充填される。
１０に示されるように、半導体受光素子１０２を搭載す
る搭載部材１０３と、複数（ここでは５本）のリードピ
ン１０４〜１０８とを備えている。リードピンのうち、
搭載部材１０３に電気的に導通しているリードピン１０
８以外の４本のリードピン１０４〜１０７と搭載部材１
０３の絶縁は、ガラス部材１０９による封止にて行って
いる。このガラス部材１０９は、通常、搭載部材１０３
の下面（半導体受光素子１０２を搭載する面の裏面）側
に形成された窪み部１１０全体に充填される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発明者は、光受信モジ
ュールの動作速度を上げるために技術開発を行ってい
る。最近、光受信モジュールの動作速度を上げることが
求められており、発明者等は、１０Ｇｂｐｓを越えるよ
うな光伝送速度を実現できるような光受信モジュールが
求められると考えている。
ュールの動作速度を上げるために技術開発を行ってい
る。最近、光受信モジュールの動作速度を上げることが
求められており、発明者等は、１０Ｇｂｐｓを越えるよ
うな光伝送速度を実現できるような光受信モジュールが
求められると考えている。
【０００４】しかしながら、図９及び図１０に示される
ような従来の光受信モジュールでは、伝送速度が１０Ｇ
ｂｐｓの信号をリードピンに通した場合、当該信号が反
射、減衰してしまうという問題点を包含していることが
新たに判明した。これは、リードピンがインピーダンス
整合されていないことによるものと考えられ、１０Ｇｂ
ｐｓを越えるような光伝送速度を実現するためには、リ
ードピンのインピーダンス整合をとる必要がある。
ような従来の光受信モジュールでは、伝送速度が１０Ｇ
ｂｐｓの信号をリードピンに通した場合、当該信号が反
射、減衰してしまうという問題点を包含していることが
新たに判明した。これは、リードピンがインピーダンス
整合されていないことによるものと考えられ、１０Ｇｂ
ｐｓを越えるような光伝送速度を実現するためには、リ
ードピンのインピーダンス整合をとる必要がある。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、リードピンのインピーダンス整合を容易に図ること
が可能な光受信モジュールを提供することを目的とす
る。
で、リードピンのインピーダンス整合を容易に図ること
が可能な光受信モジュールを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光受信モジ
ュールは、半導体受光素子と、半導体受光素子を搭載す
る搭載部材と、半導体受光素子からの信号を出力するた
めのリードピンと、を備え、リードピンは搭載部材を貫
通して形成された孔部に挿通されており、リードピンの
外周面と孔部の内周面との間隙にのみガラス部材を充填
して、当該間隙を気密に封止したことを特徴としてい
る。
ュールは、半導体受光素子と、半導体受光素子を搭載す
る搭載部材と、半導体受光素子からの信号を出力するた
めのリードピンと、を備え、リードピンは搭載部材を貫
通して形成された孔部に挿通されており、リードピンの
外周面と孔部の内周面との間隙にのみガラス部材を充填
して、当該間隙を気密に封止したことを特徴としてい
る。
【０００７】本発明に係る光受信モジュールでは、リー
ドピンの外周面と孔部の内周面との間隙のみにガラス部
材が充填されて当該間隙が気密に封止されている。この
ため、リードピンの外周面と孔部の内周面との間隙、す
なわちリードピンの外径及び孔部の内径を適宜設定する
ことで、リードピンのインピーダンスが所望の値に設定
されることとなる。このように、本発明においては、ガ
ラス部材により封止された部分においてリードピンのイ
ンピーダンス整合を容易に図ることができる。
ドピンの外周面と孔部の内周面との間隙のみにガラス部
材が充填されて当該間隙が気密に封止されている。この
ため、リードピンの外周面と孔部の内周面との間隙、す
なわちリードピンの外径及び孔部の内径を適宜設定する
ことで、リードピンのインピーダンスが所望の値に設定
されることとなる。このように、本発明においては、ガ
ラス部材により封止された部分においてリードピンのイ
ンピーダンス整合を容易に図ることができる。
【０００８】また、リードピンの一端は、搭載部材にお
ける半導体受光素子を搭載する搭載面から突出してお
り、リードピンの搭載面から突出した部分の外周を囲
み、搭載部材に電気的に導通している筒状部材を更に備
えることが好適である。このように構成した場合、リー
ドピンの搭載面から突出した部分のインピーダンス整合
を極めて簡易な構成にて容易に図ることができる。
ける半導体受光素子を搭載する搭載面から突出してお
り、リードピンの搭載面から突出した部分の外周を囲
み、搭載部材に電気的に導通している筒状部材を更に備
えることが好適である。このように構成した場合、リー
ドピンの搭載面から突出した部分のインピーダンス整合
を極めて簡易な構成にて容易に図ることができる。
【０００９】また、リードピンの一端は、搭載部材にお
ける半導体受光素子を搭載する面から突出しており、そ
の径が孔部に挿通された部分の径よりも大きいことが好
適である。このように構成した場合、ワイヤボンディン
グのための面積を確保することができ、リードピンに対
するワイヤボンディングを容易に行うことができる。
ける半導体受光素子を搭載する面から突出しており、そ
の径が孔部に挿通された部分の径よりも大きいことが好
適である。このように構成した場合、ワイヤボンディン
グのための面積を確保することができ、リードピンに対
するワイヤボンディングを容易に行うことができる。
【００１０】また、リードピンは、伝送速度が１０Ｇｂ
ｐｓである信号が通るようにガラス部材により封止され
た部分においてインピーダンス整合したことが好適であ
る。
ｐｓである信号が通るようにガラス部材により封止され
た部分においてインピーダンス整合したことが好適であ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る光受信モ
ジュールについて図面を参照して説明する。なお、説明
において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同
一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
ジュールについて図面を参照して説明する。なお、説明
において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同
一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１２】（第１実施形態）図１は光受信モジュール
を示す平面図であり、図２は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。光受信モジュール１は、たとえば光
通信モジュールの受信用サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）に
用いられるもので、図１及び図２に示されるように、搭
載部材１１と、半導体受光素子２１、複数（本実施形態
においては５本）のリードピン３１〜３５等を備える。
を示す平面図であり、図２は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。光受信モジュール１は、たとえば光
通信モジュールの受信用サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）に
用いられるもので、図１及び図２に示されるように、搭
載部材１１と、半導体受光素子２１、複数（本実施形態
においては５本）のリードピン３１〜３５等を備える。
【００１３】搭載部材１１は、半導体受光素子２１を搭
載するためのものであり、部品搭載面１２ａ及び端子配
置面１２ｂを有する本体部１２と、この本体部１２から
側方に突出する鍔部１３とを含む。この搭載部材１１
は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属から
なり、金メッキが施されている。鍔部１３には、図示し
ないレンズ保持部材が当接する。搭載部材１１の厚みは
１．１ｍｍ〜１．５ｍｍであり、本体部１２の外径は約
４．２２ｍｍであり、鍔部１３の外径は約５．４ｍｍで
ある。
載するためのものであり、部品搭載面１２ａ及び端子配
置面１２ｂを有する本体部１２と、この本体部１２から
側方に突出する鍔部１３とを含む。この搭載部材１１
は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属から
なり、金メッキが施されている。鍔部１３には、図示し
ないレンズ保持部材が当接する。搭載部材１１の厚みは
１．１ｍｍ〜１．５ｍｍであり、本体部１２の外径は約
４．２２ｍｍであり、鍔部１３の外径は約５．４ｍｍで
ある。
【００１４】部品搭載面１２ａにはダイキャップ４１及
び半導体電子素子５１が配置されている。このダイキャ
ップ４１上に半導体受光素子２１が配置されており、ダ
イキャップ４１は、複数（本実施形態においては４体）
の電極４２〜４５を有する。電極４２，４４は、搭載部
材１１とワイヤボンディングされており、接地電位とさ
れる。
び半導体電子素子５１が配置されている。このダイキャ
ップ４１上に半導体受光素子２１が配置されており、ダ
イキャップ４１は、複数（本実施形態においては４体）
の電極４２〜４５を有する。電極４２，４４は、搭載部
材１１とワイヤボンディングされており、接地電位とさ
れる。
【００１５】半導体受光素子２１は、たとえばフォトダ
イオードであって、受光部２２、第１の電極２３及び第
２の電極２４を有する。第１の電極２３は、半導体受光
素子２１に電源電圧（ＶPD）を印加するためのものであ
り、ダイキャップ４１上の電極４３とワイヤボンディン
グされている。第２の電極２４は、受光部２２に入射し
た光が変換されて得られた電流信号を出力するためのも
のである。
イオードであって、受光部２２、第１の電極２３及び第
２の電極２４を有する。第１の電極２３は、半導体受光
素子２１に電源電圧（ＶPD）を印加するためのものであ
り、ダイキャップ４１上の電極４３とワイヤボンディン
グされている。第２の電極２４は、受光部２２に入射し
た光が変換されて得られた電流信号を出力するためのも
のである。
【００１６】半導体電子素子５１は、たとえばプリメイ
ンアンプＩＣであって、半導体受光素子２１から出力さ
れた電流信号を電気処理（たとえば、増幅、電流−電圧
変換等）する。半導体電子素子５１は、第１の電極５
２、第２の電極５３、第３の電極５４、第４の電極５
５、接地電極５６，５７を有する。
ンアンプＩＣであって、半導体受光素子２１から出力さ
れた電流信号を電気処理（たとえば、増幅、電流−電圧
変換等）する。半導体電子素子５１は、第１の電極５
２、第２の電極５３、第３の電極５４、第４の電極５
５、接地電極５６，５７を有する。
【００１７】第１の電極５２は、半導体電子素子５１に
電源電圧（ＶDD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４５とワイヤボンディングされてい
る。第２の電極５３は、半導体受光素子２１からの電流
信号を半導体電子素子５１に入力するためのもので、半
導体受光素子２１の第２の電極２４とワイヤボンディン
グされている。
電源電圧（ＶDD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４５とワイヤボンディングされてい
る。第２の電極５３は、半導体受光素子２１からの電流
信号を半導体電子素子５１に入力するためのもので、半
導体受光素子２１の第２の電極２４とワイヤボンディン
グされている。
【００１８】第３の電極５４は、半導体受光素子２１か
ら出力された電流信号を電気処理した信号を出力するた
めのものであり、第４の電極５５は、第３の電極５４か
ら出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を
出力するものである。接地電極５６，５７は、それぞれ
がダイキャップ４１の電極４２，４４とワイヤボンディ
ングされており、接地電位とされる。
ら出力された電流信号を電気処理した信号を出力するた
めのものであり、第４の電極５５は、第３の電極５４か
ら出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を
出力するものである。接地電極５６，５７は、それぞれ
がダイキャップ４１の電極４２，４４とワイヤボンディ
ングされており、接地電位とされる。
【００１９】搭載部材１１の本体部１２には、部品搭載
面１２ａから端子配置面１２ｂに貫通して形成された複
数（本実施形態においては４つ）の孔部１４〜１７が形
成されている。これらの孔部１４〜１７には、それぞれ
対応するリードピン３１〜３４が挿通される。孔部１
４，１５の内径は約０．８ｍｍに設定されており、孔部
１６，１７の内径は約１．１ｍｍに設定されている。
面１２ａから端子配置面１２ｂに貫通して形成された複
数（本実施形態においては４つ）の孔部１４〜１７が形
成されている。これらの孔部１４〜１７には、それぞれ
対応するリードピン３１〜３４が挿通される。孔部１
４，１５の内径は約０．８ｍｍに設定されており、孔部
１６，１７の内径は約１．１ｍｍに設定されている。
【００２０】リードピン３１〜３４は、一端が部品搭載
面１２ａから所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程
度）突出した状態で対応する孔部１４〜１７に挿通され
て、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定され
る。リードピン３１〜３４は、孔部１４〜１７の略中心
を通る。孔部１４，１５に挿通されるリードピン３１，
３２の外径は約０．４５ｍｍに設定されており、孔部１
６，１７に挿通されるリードピン３３，３４の外径は約
０．２ｍｍに設定されている。
面１２ａから所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程
度）突出した状態で対応する孔部１４〜１７に挿通され
て、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定され
る。リードピン３１〜３４は、孔部１４〜１７の略中心
を通る。孔部１４，１５に挿通されるリードピン３１，
３２の外径は約０．４５ｍｍに設定されており、孔部１
６，１７に挿通されるリードピン３３，３４の外径は約
０．２ｍｍに設定されている。
【００２１】リードピン３１〜３４と搭載部材１１との
固定は、リードピン３１〜３４の外周面と孔部１４〜１
７の内周面との間隙にのみガラス部材６１〜６４を充填
して当該間隙を気密に封止することにより行なわれる。
リードピン３１〜３４は、コバール等の金属材料からな
る。ここで、ガラス部材６１〜６４の誘電率は４．１程
度である。
固定は、リードピン３１〜３４の外周面と孔部１４〜１
７の内周面との間隙にのみガラス部材６１〜６４を充填
して当該間隙を気密に封止することにより行なわれる。
リードピン３１〜３４は、コバール等の金属材料からな
る。ここで、ガラス部材６１〜６４の誘電率は４．１程
度である。
【００２２】リードピン３１は、半導体受光素子２１に
電源電圧（ＶPD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４３とワイヤボンディングされて、
半導体受光素子２１の第１の電極２３と電気的に導通し
ている。これにより、半導体受光素子２１には、リード
ピン３１及びダイキャップ４１上の電極４３を介して電
源電圧が印加されることとなる。
電源電圧（ＶPD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４３とワイヤボンディングされて、
半導体受光素子２１の第１の電極２３と電気的に導通し
ている。これにより、半導体受光素子２１には、リード
ピン３１及びダイキャップ４１上の電極４３を介して電
源電圧が印加されることとなる。
【００２３】リードピン３２は、半導体電子素子５１に
電源電圧（ＶDD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４５とワイヤボンディングされて、
半導体電子素子５１の第１の電極５２と電気的に導通し
ている。これにより、半導体電子素子５１には、リード
ピン３２及びダイキャップ４１上の電極４５を介して電
源電圧が印加されることとなる。
電源電圧（ＶDD）を印加するためのものであり、ダイキ
ャップ４１上の電極４５とワイヤボンディングされて、
半導体電子素子５１の第１の電極５２と電気的に導通し
ている。これにより、半導体電子素子５１には、リード
ピン３２及びダイキャップ４１上の電極４５を介して電
源電圧が印加されることとなる。
【００２４】リードピン３３は、半導体電子素子５１に
て電気処理した信号を出力するためのものであり、半導
体電子素子５１の第３の電極５４とワイヤボンディング
されている。リードピン３４は、半導体電子素子５１に
て電気処理した信号（相補信号）を出力するためのもの
であり、半導体電子素子５１の第４の電極５５とワイヤ
ボンディングされている。
て電気処理した信号を出力するためのものであり、半導
体電子素子５１の第３の電極５４とワイヤボンディング
されている。リードピン３４は、半導体電子素子５１に
て電気処理した信号（相補信号）を出力するためのもの
であり、半導体電子素子５１の第４の電極５５とワイヤ
ボンディングされている。
【００２５】リードピン３５は、搭載部材１１と電気的
に導通した状態で、端子配置面１２ｂに固定されてい
る。リードピン３５は、外径が約０．４５ｍｍに設定さ
れており、コバール等の金属材料からなる。
に導通した状態で、端子配置面１２ｂに固定されてい
る。リードピン３５は、外径が約０．４５ｍｍに設定さ
れており、コバール等の金属材料からなる。
【００２６】孔部１６，１７の内径が約１．１ｍｍであ
ることから、ガラス部材６３，６４の外径も約１．１ｍ
ｍとなる。一方、リードピン３３，３４の外径は、上述
したように約０．２ｍｍに設定されている。これによ
り、リードピン３３，３４は、伝送速度が１０Ｇｂｐｓ
である信号が通るようにガラス部材６３，６４により封
止された部分においてインピーダンスが５０Ω程度とな
り、インピーダンス整合されることとなる。
ることから、ガラス部材６３，６４の外径も約１．１ｍ
ｍとなる。一方、リードピン３３，３４の外径は、上述
したように約０．２ｍｍに設定されている。これによ
り、リードピン３３，３４は、伝送速度が１０Ｇｂｐｓ
である信号が通るようにガラス部材６３，６４により封
止された部分においてインピーダンスが５０Ω程度とな
り、インピーダンス整合されることとなる。
【００２７】以上のように、本第１実施形態において
は、リードピン３３，３４の外径及び孔部１６，１７の
内径を適宜設定することで、リードピン３３，３４のイ
ンピーダンスが所望の値に設定されることとなり、ガラ
ス部材６３，６４により封止された部分においてリード
ピン３３，３４のインピーダンス整合を容易に図ること
ができる。
は、リードピン３３，３４の外径及び孔部１６，１７の
内径を適宜設定することで、リードピン３３，３４のイ
ンピーダンスが所望の値に設定されることとなり、ガラ
ス部材６３，６４により封止された部分においてリード
ピン３３，３４のインピーダンス整合を容易に図ること
ができる。
【００２８】また、本第１実施形態においては、搭載部
材１１の厚みが、図８に示された従来の光受信モジュー
ルに比して厚く設定されていることから、搭載部材１１
の熱抵抗が低減されることとなる。これにより、光受信
モジュールの放熱特性を改善することができる。
材１１の厚みが、図８に示された従来の光受信モジュー
ルに比して厚く設定されていることから、搭載部材１１
の熱抵抗が低減されることとなる。これにより、光受信
モジュールの放熱特性を改善することができる。
【００２９】（第２実施形態）図３は光受信モジュール
を示す平面図であり、図４は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。第２実施形態の光受信モジュール
は、筒状部材７１を備える点で第１実施形態と相違す
る。
を示す平面図であり、図４は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。第２実施形態の光受信モジュール
は、筒状部材７１を備える点で第１実施形態と相違す
る。
【００３０】筒状部材７１は、図３及び図４に示される
ように、リードピン３３，３４の部品搭載面１２ａから
突出した部分の外周を囲み、搭載部材１１と電気的に導
通した状態で、部品搭載面１２ａに固定されている。筒
状部材７１と搭載部材１１と固定は、銀ロウつけ等によ
り行うことができる。筒状部材７１の厚みは約０．３５
ｍｍであり、内径は約０．７５ｍｍに設定されている。
筒状部材７１は、コバール等の金属材料からなる。リー
ドピン３３，３４は、筒状部材７１の略中心を通る。
ように、リードピン３３，３４の部品搭載面１２ａから
突出した部分の外周を囲み、搭載部材１１と電気的に導
通した状態で、部品搭載面１２ａに固定されている。筒
状部材７１と搭載部材１１と固定は、銀ロウつけ等によ
り行うことができる。筒状部材７１の厚みは約０．３５
ｍｍであり、内径は約０．７５ｍｍに設定されている。
筒状部材７１は、コバール等の金属材料からなる。リー
ドピン３３，３４は、筒状部材７１の略中心を通る。
【００３１】半導体受光素子２１は、第３の電極５４及
び第４の電極５５のそれぞれ両側に接地電極５６，５７
を有する。この接地電極５６，５７は、それぞれが筒状
部材７１とワイヤボンディングされており、接地電位と
される。
び第４の電極５５のそれぞれ両側に接地電極５６，５７
を有する。この接地電極５６，５７は、それぞれが筒状
部材７１とワイヤボンディングされており、接地電位と
される。
【００３２】以上のように、本第２実施形態において
も、第１実施形態と同じく、リードピン３３，３４の外
径及び孔部１６，１７の内径を適宜設定することで、リ
ードピン３３，３４のインピーダンスが所望の値に設定
されることとなり、ガラス部材６３，６４により封止さ
れた部分においてリードピン３３，３４のインピーダン
ス整合を容易に図ることができる。
も、第１実施形態と同じく、リードピン３３，３４の外
径及び孔部１６，１７の内径を適宜設定することで、リ
ードピン３３，３４のインピーダンスが所望の値に設定
されることとなり、ガラス部材６３，６４により封止さ
れた部分においてリードピン３３，３４のインピーダン
ス整合を容易に図ることができる。
【００３３】また、本第２実施形態においては、筒状部
材７１を更に備えることから、リードピン３３，３４の
部品搭載面１２ａから突出した部分のインピーダンス整
合を極めて簡易な構成にて容易に図ることができる。
材７１を更に備えることから、リードピン３３，３４の
部品搭載面１２ａから突出した部分のインピーダンス整
合を極めて簡易な構成にて容易に図ることができる。
【００３４】（第３実施形態）図５は光受信モジュール
を示す平面図であり、図６は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。第３実施形態の光受信モジュール
は、リードピン３３，３４の形状の点で第１実施形態と
相違する。
を示す平面図であり、図６は同じく光受信モジュールを
示す断面図である。第３実施形態の光受信モジュール
は、リードピン３３，３４の形状の点で第１実施形態と
相違する。
【００３５】リードピン３３，３４の一端は、その径が
孔部に挿通された部分の径よりも大きくされた、いわゆ
るネイルヘッド形状を呈している。孔部１６，１７に挿
通された部分の径よりも大きくされた部分の径は例えば
０．４５ｍｍ程度に設定されている。
孔部に挿通された部分の径よりも大きくされた、いわゆ
るネイルヘッド形状を呈している。孔部１６，１７に挿
通された部分の径よりも大きくされた部分の径は例えば
０．４５ｍｍ程度に設定されている。
【００３６】以上のように、本第３実施形態において
も、第１実施形態と同じく、リードピン３３，３４の外
径及び孔部１６，１７の内径を適宜設定することで、リ
ードピン３３，３４のインピーダンスが所望の値に設定
されることとなり、ガラス部材６３，６４により封止さ
れた部分においてリードピン３３，３４のインピーダン
ス整合を容易に図ることができる。
も、第１実施形態と同じく、リードピン３３，３４の外
径及び孔部１６，１７の内径を適宜設定することで、リ
ードピン３３，３４のインピーダンスが所望の値に設定
されることとなり、ガラス部材６３，６４により封止さ
れた部分においてリードピン３３，３４のインピーダン
ス整合を容易に図ることができる。
【００３７】また、本第３実施形態においては、リード
ピン３３，３４の一端は、その径が孔部に挿通された部
分の径よりも大きくされていることから、ワイヤボンデ
ィングのための面積を確保することができ、リードピン
３３，３４に対するワイヤボンディングを容易に行うこ
とができる。
ピン３３，３４の一端は、その径が孔部に挿通された部
分の径よりも大きくされていることから、ワイヤボンデ
ィングのための面積を確保することができ、リードピン
３３，３４に対するワイヤボンディングを容易に行うこ
とができる。
【００３８】ところで、上述した構成の光受信モジュー
ル１は、図７及び図８に示されるように、セラミック等
からなる配線基板８１に接続されて用いられる。光受信
モジュール１は、２本のリードピン３３，３４の中心軸
を含む平面と配線基板８１の一方の表面８１ａとが略平
行となるように、配線基板８１に対して配置される。ま
た、光受信モジュール１は、端子配置面１２ｂが配線基
板８１とできる限り近接していることが好ましく、端子
配置面１２ｂと配線基板８１とが当接していてもよい。
ル１は、図７及び図８に示されるように、セラミック等
からなる配線基板８１に接続されて用いられる。光受信
モジュール１は、２本のリードピン３３，３４の中心軸
を含む平面と配線基板８１の一方の表面８１ａとが略平
行となるように、配線基板８１に対して配置される。ま
た、光受信モジュール１は、端子配置面１２ｂが配線基
板８１とできる限り近接していることが好ましく、端子
配置面１２ｂと配線基板８１とが当接していてもよい。
【００３９】リードピン３３，３４は、まっすぐに伸び
た状態で配線基板８１の電極８２，８３に接合される。
リードピン３５は、少なくとも一部が配線基板８１に埋
め込まれた状態で配線基板８１の電極（図示せず）に接
合される。リードピン３１，３２は、他端が折り曲げら
れた状態で配線基板８１の電極８４，８５に接合され
る。なお、リードピン３５も、リードピン３１，３２と
同様に、他端が折り曲げられた状態で配線基板８１の電
極に接合するようにしてもよい。
た状態で配線基板８１の電極８２，８３に接合される。
リードピン３５は、少なくとも一部が配線基板８１に埋
め込まれた状態で配線基板８１の電極（図示せず）に接
合される。リードピン３１，３２は、他端が折り曲げら
れた状態で配線基板８１の電極８４，８５に接合され
る。なお、リードピン３５も、リードピン３１，３２と
同様に、他端が折り曲げられた状態で配線基板８１の電
極に接合するようにしてもよい。
【００４０】このように、まっすぐに伸びた状態でリー
ドピン３３，３４を配線基板８１の電極８２，８３に接
合することにより、リードピン３３，３４を通る信号が
減衰するのを抑制することができる。
ドピン３３，３４を配線基板８１の電極８２，８３に接
合することにより、リードピン３３，３４を通る信号が
減衰するのを抑制することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、リードピンのインピーダンス整合を容易に図る
ことが可能な光受信モジュールを提供することができ
る。
よれば、リードピンのインピーダンス整合を容易に図る
ことが可能な光受信モジュールを提供することができ
る。
【図１】第１実施形態に係る光受信モジュールを示す平
面図である。
面図である。
【図２】第１実施形態に係る光受信モジュールを示す断
面図である。
面図である。
【図３】第２実施形態に係る光受信モジュールを示す平
面図である。
面図である。
【図４】第２実施形態に係る光受信モジュールを示す断
面図である。
面図である。
【図５】第３実施形態に係る光受信モジュールを示す平
面図である。
面図である。
【図６】第３実施形態に係る光受信モジュールを示す断
面図である。
面図である。
【図７】光受信モジュールと配線基板とを示す側面図で
ある。
ある。
【図８】光受信モジュールと配線基板とを示す平面図で
ある。
ある。
【図９】従来の光受信モジュールを示す平面図である。
【図１０】従来の光受信モジュールを示す断面図であ
る。
る。
１，１０１…光受信モジュール、１１，１０３…搭載部
材、１２ａ…部品搭載面、１２ｂ…端子配置面、１４〜
１７…孔部、２１，１０２…半導体受光素子、２２…受
光部、３１〜３５，１０４〜１０８…リードピン、５１
…半導体電子素子、６１，６２，６３，６４，１０９…
ガラス部材、７１…筒状部材、８１…配線基板、１１０
…窪み部。
材、１２ａ…部品搭載面、１２ｂ…端子配置面、１４〜
１７…孔部、２１，１０２…半導体受光素子、２２…受
光部、３１〜３５，１０４〜１０８…リードピン、５１
…半導体電子素子、６１，６２，６３，６４，１０９…
ガラス部材、７１…筒状部材、８１…配線基板、１１０
…窪み部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 関口 剛
神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電
気工業株式会社横浜製作所内
(72)発明者 伊藤 誠
神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電
気工業株式会社横浜製作所内
Ｆターム(参考） 5F088 AA01 BA02 JA03 JA07 JA10
JA18 JA20 KA02
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体受光素子と、 前記半導体受光素子を搭載するための搭載部材と、 前記半導体受光素子からの信号を出力するためのリード
ピンと、を備え、 前記リードピンは前記搭載部材を貫通して形成された孔
部に挿通されており、 前記リードピンの外周面と前記孔部の内周面との間隙に
のみガラス部材を充填して、当該間隙を気密に封止した
ことを特徴とする光受信モジュール。 - 【請求項２】 前記リードピンの一端は、前記搭載部材
における前記半導体受光素子を搭載する搭載面から突出
しており、 前記リードピンの前記搭載面から突出した部分の外周を
囲み、前記搭載部材に電気的に導通している筒状部材を
更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光受信モ
ジュール。 - 【請求項３】 前記リードピンの一端は、前記搭載部材
における前記半導体受光素子を搭載する面から突出して
おり、その径が前記孔部に挿通された部分の径よりも大
きいことを特徴とする請求項１に記載の光受信モジュー
ル。 - 【請求項４】 前記リードピンは、伝送速度が１０Ｇｂ
ｐｓである信号が通るように前記ガラス部材により封止
された部分においてインピーダンス整合したことを特徴
とする請求項１に記載の光受信モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052015A JP2003258272A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光受信モジュール |
| US10/373,186 US6900512B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | Light-receiving module |
| US11/057,217 US6977423B2 (en) | 2002-02-27 | 2005-02-15 | Light-receiving assembly |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052015A JP2003258272A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光受信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258272A true JP2003258272A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28449032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052015A Pending JP2003258272A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 光受信モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6900512B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003258272A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319019A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
| JP2007088233A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Nec Electronics Corp | 光モジュール |
| JP2007165536A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 同軸型光モジュールの製造方法 |
| JP2007294660A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Opnext Japan Inc | 受光素子モジュール |
| JP2007305731A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Fujitsu Ltd | ステムおよび光モジュール |
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| KR100575950B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2006-05-02 | 삼성전자주식회사 | 티오 캔 구조의 광수신 모듈 |
| DE10348675B3 (de) * | 2003-10-15 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Modul für eine bidirektionale optische Signalübertragung |
| JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP4492280B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2010-06-30 | 日立電線株式会社 | 電子部品の実装構造及びそれを用いた光トランシーバ |
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| US11154981B2 (en) | 2010-02-04 | 2021-10-26 | Teladoc Health, Inc. | Robot user interface for telepresence robot system |
| US10343283B2 (en) | 2010-05-24 | 2019-07-09 | Intouch Technologies, Inc. | Telepresence robot system that can be accessed by a cellular phone |
| TWI464813B (zh) * | 2012-04-26 | 2014-12-11 | Nat Kaohsiung University Ofapplied Sciences | 對稱型電容補償式高速罐型光封裝模組 |
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2002
- 2002-02-27 JP JP2002052015A patent/JP2003258272A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-26 US US10/373,186 patent/US6900512B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-15 US US11/057,217 patent/US6977423B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US6900512B2 (en) | 2005-05-31 |
| US20050156151A1 (en) | 2005-07-21 |
| US6977423B2 (en) | 2005-12-20 |
| US20030183894A1 (en) | 2003-10-02 |
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