JP6127561B2 - 半導体受光装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体受光装置に関する。

従来、例えば、特開２００６−２５３６７６号公報に開示されているように、ステム或いはヘッダと呼ばれる固定部材に対して凹部を設けて、この凹部内に電子部品を搭載した半導体受光装置が知られている。具体的には、この公報にかかる半導体受光装置は、半導体受光素子とプリアンプＩＣをステム上に搭載している。ステムの主面のうち、これら受光素子とプリアンプＩＣを搭載する搭載領域は、その他の領域に比較して一段低く形成されている。これにより、プリアンプＩＣの電極からステム表面に向けたボンディングワイヤの長さを短くすることができる。

特開２００６−２５３６７６号公報 実開平５−００４５３４号公報 特開２００３−１３４０５１号公報

上記従来の技術にかかる半導体受光装置は、いわゆるＣＡＮパッケージ構造を採用しており、ヘッダ上面に対してワイヤボンディングを行っている。このような場合、ヘッダ上面に一定のスペースを確保せざるを得ず、不可避的にヘッダ上面の領域を広く取らなければならない。このため、ヘッダ上面を大きくするか、電子部品の実装密度を下げざるを得ないなどの問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ヘッダ上面へのワイヤボンディング数を減らすことが可能な半導体受光装置を提供することを目的とする。

本発明にかかる半導体受光装置は、導電性材料で形成されたヘッダと、前記ヘッダ上に設けられ、上面を有しこの上面に高周波グランドパッドが備えられた高周波アンプと、前記ヘッダ上に設けられ、誘電体材料で形成され、上面を有するサブマウントと、前記サブマウントの上面に設けられ、前記サブマウントの上面よりも小さな平面寸法を有する半導体受光素子と、を備え、前記サブマウントの上面は、前記半導体受光素子がボンディングされた第１電極パッドと、前記第１電極パッドの隣に前記第１電極パッドから離れて設けられた第２電極パッドを有し、前記第２電極パッド、前記ヘッダ、および前記第２電極パッドと前記ヘッダとで挟まれた前記サブマウントにより、キャパシタが構成され、前記高周波グランドパッドと前記第２電極パッドとがワイヤで接続されたことを特徴とする。

本発明にかかる半導体受光装置によれば、半導体受光素子よりもサブマウントの上面が大きい点を利用して、サブマウントの上面における空きスペースに高周波グランド用の電極パッドを設けることができる。これにより、サブマウント上面のスペースを有効活用して高周波グランド用のワイヤ接続を確保できるので、ヘッダ上面へのワイヤボンディング数を減らすことができる。

本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の外観構成を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の内部構成を示す図である。 図２のＸ−Ｘ´線に沿う切断構造を矢印方向に見た図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０のサブマウントＳＢ等の周辺構成を拡大した斜視上面図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０のサブマウントＳＢの上面の構成を示した図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の変形例の構成を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の変形例の構成を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の変形例の構成を示す図である。 本発明の実施の形態の変形例にかかる半導体受光装置９０を示す図である。 凹部１００内の構成を図示した斜視上面図である。 図９のＸ２−Ｘ２´線に沿う断面構造を矢印方向に見た図である。 図９のＢ−Ｂ´線に沿った断面構造のうち、高周波アンプＡＭＰ近傍を拡大した図である。 切削加工で凹部１００を設けた場合におけるヘッダ２０のＢ−Ｂ´線に沿った断面構造の高周波アンプＡＭＰ近傍を拡大した図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。 本発明の実施の形態の変形例にかかる半導体受光装置を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置に対する比較例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置に対する比較例を示す図である。 本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置に対する比較例を示す図である。

実施の形態．
［実施の形態の装置の構成］
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の外観構成を示す図である。半導体受光装置１０は、いわゆるＣＡＮパッケージであり、キャップ１２と、ヘッダ２０と、キャップ１２でカバーされたヘッダ２０内の実装部品を備えている。キャップ１２は、ガラス製の窓１４を備えており、窓１４を介して内部の半導体受光素子ＡＰＤで受光する。キャップ１２は金属製のキャップである。ヘッダ２０とキャップ１２は、キャップ１２の鍔部とヘッダ２０の鍔部２０ａとが電気溶接により固着され、キャップ１２に覆われた内部は気密封止されている。封止ガスは、空気、ドライガス又は窒素などである。なお、キャップ１２が樹脂製である場合は、ヘッダ２０に接着剤で接着される。

図２は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の内部構成を示す図である。図３は、図２のＸ−Ｘ´線に沿う切断構造を矢印方向に見た図である。図４は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０のサブマウントＳＢ等の周辺構成を拡大した斜視上面図である。図５は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０のサブマウントＳＢの上面の構成を示した図である。

なお、「サブマウントＳＢの上面」とは、サブマウントＳＢにおける窓１４側を向く表面を意味するものとする。また、「サブマウント高周波アンプＡＭＰの上面」とは、高周波アンプＡＭＰにおける窓１４側を向く表面を意味するものとする。

図２乃至４に示すように、半導体受光装置１０は、各種部品が実装されたヘッダ２０を備えている。ヘッダ２０は鍔部２０ａ、円盤部２０ｂおよび上面２０ｃを有しており、この上面２０ｃには高周波グランドパッド６２を備えた高周波アンプＡＭＰが設けられている。高周波アンプＡＭＰは、半導体受光素子ＡＰＤからの出力信号を増幅するアンプである。また、上面２０ｃには、サブマウントＳＢが、高周波アンプＡＭＰの隣に配置されている。

サブマウントＳＢは、半導体受光素子ＡＰＤがボンディングされる電極パッド６７と、電極パッド６７の隣に設けられた電極パッド６６を有している。サブマウントＳＢの上面には、サブマウントＳＢの上面よりも小さな半導体受光素子ＡＰＤがボンディングされている。半導体受光素子ＡＰＤは、アバランシェフォトダイオードである。

ヘッダ２０は表面に金メッキが施されている。高周波アンプＡＭＰおよびサブマウントＳＢは、銀ペースト５０によりヘッダ２０上にボンディングされている。銀ペースト５０は、銀およびバインダー樹脂を含む銀ペーストである。取付を銀ペーストで行うことで、生産性向上が可能なのである。ヘッダ２０の上面２０ｃには、キャパシタＣ１およびキャパシタＣ２も取り付けられている。

ヘッダ２０は、リードピン２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｆを備えている。リードピン２２は棒状端子であり、一例としてリードピン２２が４本の場合であるが、さらに多くの本数のリードピン２２が配設されている場合もある。半導体受光装置１０は差動方式であり、２つの端子（リードピン２２ａ、２２ｂ）からの出力となる。リードピン２２ｆは、ヘッダ２０の裏面であってリードピン２２ａ、２２ｂの間に溶接されている。このリードピン２２ｆは、ＧＮＤを取るためのピンであり、ヘッダ２０裏面に溶接されている。リードピン２２ｆは他のリードピンとは異なりヘッダ２０上面には現れてこず、また他のリードピンのようにヘッダ２０との間にガラスハーメチックが介在することもなく、ヘッダ２０とリードピン２２ｆは電気的に接続している。

ヘッダ２０は金属製、例えば直径が３〜１０ｍｍ程度の鉄製の円板でリードピン２２が挿入される貫通孔がリードピン２２の個数に対応して、４個穿孔されている。リードピン２２ａ，２２ｂ、２２ｃ、２２ｄはガラス製のハーメチック２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄによりヘッダ２０に固着される。またこのハーメチックにより貫通孔とリードピン２２との隙間が封止されている。

ヘッダ２０上の各構成は、信号線としてのワイヤ５１〜５８により電気的に接続されている。これらのワイヤ５１〜５８は、金属線であり、本実施の形態では金線とする。ワイヤ５１は、高周波アンプＡＭＰとリードピン２２ｂ先端とを接続する。ワイヤ５２は、キャパシタＣ１とリードピン２２ｄ先端とを接続する。ワイヤ５３は、高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢとを接続している。ワイヤ５４は、半導体受光素子ＡＰＤからの出力を高周波アンプＡＭＰに伝えるように、これらを接続している。ワイヤ５５は、キャパシタＣ１とサブマウントＳＢとを接続している。ワイヤ５６は、キャパシタＣ２とリードピン２２ｃ先端とを接続している。ワイヤ５７は、高周波アンプＡＭＰとキャパシタＣ２とを接続している。ワイヤ５８は、高周波アンプＡＭＰとリードピン２２ａ先端とを接続している。なお、図２および図４において、各ワイヤの端部のうち、黒丸の点を示した側の端部がボールボンディングにおけるファーストボンド接続が行われている部位であり、そうでない側の端部がセカンドボンドが行われている部位である。

図４に示すように、高周波アンプＡＭＰは、その上面に電極パッド６１、高周波グランドパッド６２、電極パッド６３、電極パッド６４、および電極パッド６５を備えている。各電極パッドに、上述したワイヤ５１、５３、５４、５７、５８がボンディングされている。

図５に示すように、サブマウントＳＢの上面には、電極パッド６６および電極パッド６７が設けられている。サブマウントＳＢは、長さＬＡの長辺と、長さＬＢの短辺とを備えている。本実施の形態では、電極パッド６６は電極パッド６７に比して十分に小さく、半導体受光素子ＡＰＤはサブマウントＳＢのほぼ中央に位置するように電極パッド６７にボンディングされている。

高周波グランドパッド６２と電極パッド６６とが、ワイヤ５３で接続されている。ワイヤ５３のファーストボンドは高周波グランドパッド６２であり、ワイヤ５３のセカンドボンド位置が、電極パッド６６である。サブマウントＳＢは一般にセラミック等の誘電体材料を用いているため、キャパシタとして働き、ＤＣでは絶縁体であるがＡＣの高周波領域では導電体として働く。よって、サブマウントＳＢを介して、ワイヤ５３のグランド接続が可能となる。

こうすることで、半導体受光素子ＡＰＤよりもサブマウントＳＢの上面が大きい点を利用して、サブマウントＳＢの上面における空きスペースに高周波グランドパッド６２を設けることができる。これにより、サブマウントＳＢ上面のスペースを有効活用して高周波グランド用のワイヤ接続を確保できるので、ヘッダ２０の上面２０ｃへのワイヤボンディング数を減らすことができる。特に、本実施の形態では、ヘッダ２０の上面２０ｃへのワイヤボンディング数がゼロである。

また１つの部材（サブマウントＳＢ）に複数の機能を持たせることで、省スペース化が可能となる。高周波グランド用のワイヤをヘッダに接合していた場合に必要であったヘッダ領域に空きが出来るなど、設計の自由度が増える。
また、本実施の形態では高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢの上面高さがほぼ同じである。このため、サブマウントＳＢ上に２ｎｄボンドを形成することで、高周波ＧＮＤ用のワイヤ５３を非常に短くできる。その結果、ワイヤ５３のインピーダンス（特にインダクタンス）を低減でき高速応答が可能となる。

なお、後述する図６との関係において、ヘッダ２０の上面２０ｃの法線方向に垂直な方向を高さ方向とする。この場合に、ヘッダ２０上と高周波グランドパッド６２との間の高さの差を第１の差Ｈとする。高周波グランドパッド６２と電極パッド６６との間の高さを第２の差ｈとする。本実施の形態では、サブマウントＳＢと高周波アンプＡＭＰの高さが実質的に同じであり、第２の差ｈは実質的にゼロであるものとする。その結果、ほぼ同一の高さの２つの面の間でワイヤボンディングを実施することが可能となることで、ワイヤボンド作業の難易度が下がるという利点がある。

ヘッダ２０に対し、銀ペースト５０でサブマウントＳＢや高周波アンプＡＭＰを接合している。ここで、銀ペーストの種類によっては、ヘッダ２０の表面の金メッキを伝わって樹脂成分が染み出し、ワイヤボンドの接合性に影響を及ぼすおそれがある。この点、本実施の形態によれば、サブマウントＳＢ上に高周波グランド用のワイヤ５３を接続してグランド接続を行うので、高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢの上面や側面には金メッキがない。よって、銀ペーストを使用してもワイヤボンド性の劣化を懸念しなくともよいという利点がある。

［実施の形態の変形例］
図６は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の変形例の構成を示す図である。サブマウントＳＢと高周波アンプＡＭＰの高さが異なる場合であっても、第２の差ｈは第１の差Ｈよりも小さいことが好ましい。Ｈ＞ｈであるため、上面２０ｃにボンディングするよりも小さな高低差である第２の差ｈでワイヤボンディングできるようになり、ワイヤボンディング時におけるボンディング位置の高低差を抑制できる。結果、ワイヤボンド作業の難易度が下がるという利点がある。

図７および図８は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０の変形例の構成を示す図である。図７に示すように、高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢが接するように、高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢは上面２０ｃに隣接して配置されていてもよい。これにより、ワイヤ５３、５４の長さを極力短くすることができる。図７では簡単のため高周波アンプＡＭＰの側面とサブマウントＳＢの側面がともに平坦であり、両側面を密着させた状態で図示している。しかし、実際の部品の構造によって、例えば高周波アンプＡＭＰの側面に端子等の突起があった場合には、この突起をサブマウントＳＢ側面に接触させることで「高周波アンプＡＭＰとサブマウントＳＢが接する」ことになる。図８は、図７に示した構成の斜視上面図である。

図９は、本発明の実施の形態の変形例にかかる半導体受光装置９０を示す図である。半導体受光装置９０は、ヘッダ２０の上面２０ｃに、凹部１００を備えている。この凹部１００内に高周波アンプＡＭＰおよびサブマウントＳＢが設けられる点を除き、半導体受光装置１０と同様の構成を備えている。凹部１００は、底面１０４および底面を囲む側面１０２を備えている。底面１０４上に、高周波アンプＡＭＰおよびサブマウントＳＢが銀ペースト５０でボンディングされている。図１０は凹部１００内の構成を図示した斜視上面図であり、図１１は図９のＸ２−Ｘ２´線に沿う断面構造を矢印方向に見た図である。凹部１００により、高周波アンプＡＭＰやサブマウントＳＢ、半導体受光素子ＡＰＤの高さが抑制されていることがわかる。また、キャパシタＣ１とサブマウントＳＢとを接続するワイヤ５５の長さが抑制されたり、高さ位置をほぼ同一にでき、ワイヤボンディングの難易度低減も可能であることもわかる。図１２は、図９のＢ−Ｂ´線に沿った断面構造のうち、高周波アンプＡＭＰ近傍を拡大した図である。図１２に示すように、底面１０４と側面１０２とが９０度を超える角度θで連結している。

凹部１００は通常、ヘッダ２０の上面２０ｃにプレス加工によって形成されるが、その場合、凹部１００の縁辺部はＲ形状となる。このＲ形状により高周波アンプＡＭＰを凹部１００の縁に近づけるには限度がある。もし高周波グランドパッド６２から上面２０ｃにワイヤボンディングを行うと仮定すると、このワイヤ配線を短くするためにヘッダ２０の上面のワイヤ領域へ近接して配置しようとしても、Ｒ形状に干渉しない範囲までしか近づけることができない。

また、プレス加工ではなく切削加工であれば、この縁辺部のＲ形状は解消できる。図１３は、切削加工で凹部１００を設けた場合におけるヘッダ２０のＢ−Ｂ´線に沿った断面構造の高周波アンプＡＭＰ近傍を拡大した図である。しかし切削加工の場合、ヘッダの加工費が高くなる問題がある。また、切削加工であるとしても、図１３のように距離Ｌ２は不可避的に発生してしまう。

この点、本変形例にかかる半導体受光装置９０では、高周波アンプＡＭＰの高周波グランドパッド６２からのワイヤ５３は、上面２０ｃではなく、サブマウントＳＢの電極パッド６６に接続されている。したがって、凹部１００との関係でワイヤ５３を長くせざるを得ないという弊害を避けることができる。

ここで、平面視において、「凹部１００の縁」と「高周波グランドパッド６２上のワイヤの接続点」との間の距離を第１距離とし、「高周波グランドパッド６２上のワイヤの接続点」と「電極パッド６６上のワイヤの接続点」との間の距離を第２距離とする。この場合において、第２の距離が第１の距離よりも小さい場合には、平面方向においてワイヤ長を短くすることができ、ワイヤ５３が十分に短くされる。

図１４乃至２０は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置１０が備えるサブマウントＳＢの変形例を示す図である。なお、図５との対比から明らかなとおり、図１４乃至２０における紙面下方側に高周波アンプＡＭＰが存在している。これらの図は、それぞれ、サブマウントＳＢ上に設けた電極パッドの構成を、上記実施の形態とは変更したものである。
図１４のように、電極パッド６６をより大面積な電極パッド２００に変更しても良い。これに応じて、電極パッド６７を電極パッド２０２に変更し、半導体受光素子ＡＰＤを電極パッド２０２の高周波アンプＡＭＰ寄りの端にボンディングしてもよい。
図１５のように、２つの電極パッド２０４、２０６を、ともに長さＬＡ方向に伸びる長方形に形成したものとしても良い。そして、２つの電極パッド２０４、２０６を長さＬＢ方向に平行に並べても良い。図１５では高周波アンプＡＭＰ側に電極パッド２０６を設けている。

サブマウントＳＢ上の電極パターンを、インピーダンスが変わる程度に長方形もしくはさらに複雑なパターンにしてもよい。形状を変えることでインピーダンスを調整することができるからである。その結果、ワイヤ５３やワイヤ５５等のワイヤが接続される各電極パッドのインピーダンスを所望量に調節することができる。
例えば、図１６のように、平面視で、折れ曲がり部２０８ｃを備える電極パッド２０８を設けても良い。電極パッド２０８は、長さＬＢ方向に伸びる第１部分２０８ａと、長さＬＡ方向に伸びる第２部分２０８ｂとを備え、これらの部分が折れ曲がり部２０８ｃにおいて角度９０度で連結されている。また、電極パッド６７に代えて電極パッド２１０が一回り小さく形成されている。
また、図１７に示すように、平面視で、凹型の電極パッド２１２を設けても良い。電極パッド２１２は、サブマウントＳＢの図面左側端に配置された長さＬＢ方向に伸びる第１部分２１２ａと、サブマウントＳＢの高周波アンプＡＭＰ側と反対側の端に配置された長さＬＡ方向に伸びる第２部分２１２ｂと、サブマウントＳＢの図面右側端に配置された長さＬＢ方向に伸びる第３部分２１２ｅと、を備えている。第３部分２１２ｅは、第１部分２１２ａと比べて、ＬＢ方向の長さが短く、かつＬＡ方向の幅が太い。これらの３つの部分が折れ曲がり部２１２ｃおよび２１２ｄを介してそれぞれ角度９０度で連結されている。この凹部の凹んだ位置に入り込むように電極パッド２１４が形成されており、電極パッド２１４はちょうど電極パッド２１２で囲まれるようにサブマウントＳＢの中央付近に配置された主部２１４ａを備えている。この主部２１４ａに半導体受光素子ＡＰＤがボンディングされている。また、電極パッド２１４は第３部分２１２ｅ側に突き出た凸部２１４ｂを備えている。

図１８のように、図１６の電極パッド２０８を１８０度回転させた電極パッド２１６を設けても良い。これに応じて、電極パッド２１８およびこれにボンディングされる半導体受光素子ＡＰＤの位置も調節すればよい。
なお、上記変形例では、ワイヤ５３を介して高周波グランドパッド６２と電気的に接続される電極パッド６６を、折れ曲がり部を備えるＬ字型や凹型の電極パッドに変更した。しかしながら、折れ曲がり部以外にも、電極パッドの一部を部分的に突き出た形状とした凸部を設けてもよい。この折れ曲がり部と凸部の両方を設けても良い。

図１９に示すように、電極パッド２０８の第２部分２０８ｂ側の先端に、抵抗パターン部２３０を設けても良い。つまり、電極パッド２０８を、電極パッド２１０と同材料の導電体パターン部と、この導電体パターン部より高抵抗の抵抗パターン部２３０とを有するようにしてもよい。また、図２０のように、抵抗パターン部２３０を、第２部分２０８ｂの途中（中央部付近）に設けても良い。このようにして、インピーダンスを調節することができる。

図２１は、本発明の実施の形態の変形例にかかる半導体受光装置を示す図であり、図３等に示した位置、断面に相当するものである。図２１の変形例では、ワイヤ５３を、あえて高さＨｗだけワイヤ立ち上げ部を長く形成したワイヤ２５３としている。例えば２００μｍ以上とすることができる。こうすることで、ワイヤ長の調整が可能となり、インピーダンスの調節が可能となる。

［実施の形態に対する比較例］
図２２乃至２４は、本発明の実施の形態にかかる半導体受光装置に対する比較例を示す図である。この比較例は、ワイヤ５３に代えてワイヤ３５３が設けられている点およびサブマウントＳＢに電極パッド６６が設けられていない点を除き、実施の形態の変形例にかかる半導体受光装置９０と同様の構成を備えている。ワイヤ３５３は、高周波アンプＡＭＰの高周波グランドパッド６２にその一端がファーストボンドされ、その他端がヘッダ２０の上面２０ｃにセカンドボンドされている。

図２３は図２２のＡ−Ａ´断面構造を矢視方向に見た図であり、図２４は図２２のＢ−Ｂ´断面構造を示す図である。ワイヤ３５３は、高低差の大きい２つの面である高周波グランドパッド６２と上面２０ｃとの間でワイヤボンディングされなければならない。これはワイヤボンディングの難易度が増加し、製造上好ましくない。また、ワイヤ長の観点からしても、ボンディングする２つの面の高低差の分だけ不可避的にワイヤを長く取らざるを得ないという欠点がある。この点、本実施の形態にかかる半導体受光装置１０、９０では、ワイヤ５３が高周波グランドパッド６２と電極パッド６６との間でワイヤボンディングされ、かつ、高周波グランドパッド６２と電極パッド６６の高低差が小さいので（ほぼ同一高さであるので）、ボンディング難易度を低減し、ワイヤ長を短く抑えることができる。一例としては１００μｍ程度の短縮化が可能である。

また、図２４に示すように、平面方向においても、側面１０２の分だけ、上面２０ｃにおけるワイヤ３５３のセカンドボンド位置を、ずらさざるを得ない。これは、図１２および図１３を用いて説明した理由からである。つまり、高周波アンプＡＭＰを凹部１００の縁に近づけるには限度があるのである。この点、本変形例にかかる半導体受光装置９０では、高周波アンプＡＭＰの高周波グランドパッド６２からのワイヤ５３は、上面２０ｃではなく、サブマウントＳＢの電極パッド６６に接続されている。したがって、凹部１００との関係でワイヤ５３を長くせざるを得ないという弊害を避けることができる。

１０、９０ 半導体受光装置、１２ キャップ、１４ 窓、２０ ヘッダ、２０ａ 鍔部、２０ｂ 円盤部、２０ｃ 上面、２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｆ リードピン、２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ ハーメチック、５０ 銀ペースト、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、２５３、３５３ ワイヤ、６１、６３、６４、６５、６６、６７ 電極パッド、６２ 高周波グランドパッド、１００ 凹部、１０２ 側面、１０４ 底面、２００、２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、２１４、２１６、２１８ 電極パッド、２３０ 抵抗パターン部、ＡＭＰ 高周波アンプ、ＡＰＤ 半導体受光素子、Ｃ１、Ｃ２ キャパシタ、ＳＢ サブマウント

Claims (7)

1. 導電性材料で形成されたヘッダと、
   前記ヘッダ上に設けられ、上面を有しこの上面に高周波グランドパッドが備えられた高周波アンプと、
   前記ヘッダ上に設けられ、誘電体材料で形成され、上面を有するサブマウントと、
   前記サブマウントの上面に設けられ、前記サブマウントの上面よりも小さな平面寸法を有する半導体受光素子と、
   を備え、
   前記サブマウントの上面は、前記半導体受光素子がボンディングされた第１電極パッドと、前記第１電極パッドの隣に前記第１電極パッドから離れて設けられた第２電極パッドを有し、
   前記第２電極パッド、前記ヘッダ、および前記第２電極パッドと前記ヘッダとで挟まれた前記サブマウントにより、キャパシタが構成され、
   前記高周波グランドパッドと前記第２電極パッドとがワイヤで接続されたことを特徴とする半導体受光装置。
2. 前記ヘッダの上面に垂直な方向を高さ方向とした場合に、前記ヘッダの上面と前記高周波グランドパッドの上面との間の高さの差を第１の差とし、前記高周波グランドパッドの上面と前記第２電極パッドとの間の高さを第２の差とし、前記第２の差は前記第１の差よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光装置。
3. 前記高周波アンプと前記サブマウントが接するように、前記高周波アンプと前記サブマウントは前記ヘッダ上に隣接して配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体受光装置。
4. 前記ヘッダは、凹部を備え、
   前記凹部は、底面および前記底面を囲む側面を備え、前記底面と前記側面とが成す角度が９０度を超えるように前記底面と前記側面とが連結しており、
   前記底面上に、前記高周波アンプおよび前記サブマウントが設けられており、
   前記ヘッダの上面の平面視において、前記凹部の外周の縁と前記高周波グランドパッド上において前記ワイヤが接続された接続点との間の距離を第１距離とし、前記接続点と前記第２電極パッド上において前記ワイヤが接続された接続点との間の距離を第２距離とし、前記第２距離は前記第１距離よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
5. 前記ヘッダは表面に金メッキが施されており、
   前記高周波アンプおよび前記サブマウントの少なくとも一方は、銀およびバインダー樹脂を含む銀ペーストにより、前記ヘッダ上にボンディングされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
6. 前記第２電極パッドの平面形状は、前記サブマウントの上面の平面視で、折れ曲がり部と凸部の少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体受光装置。
7. 前記第２電極パッドは、導電体パターン部と抵抗パターン部とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体受光装置。

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