JP2003204138A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JP2003204138A JP2003204138A JP2002002478A JP2002002478A JP2003204138A JP 2003204138 A JP2003204138 A JP 2003204138A JP 2002002478 A JP2002002478 A JP 2002002478A JP 2002002478 A JP2002002478 A JP 2002002478A JP 2003204138 A JP2003204138 A JP 2003204138A
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂に損傷を与えることなくレジストを剥離
し、配線密度の高いプリント配線板を作製することを目
的とする。 【解決手段】 最外層の絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の
銅箔を有する基板もしくは基板材料上にフォトレジスト
層を形成し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導
体回路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥
離する工程を少なくとも有することを特徴とするプリン
ト配線板の製造方法。
し、配線密度の高いプリント配線板を作製することを目
的とする。 【解決手段】 最外層の絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の
銅箔を有する基板もしくは基板材料上にフォトレジスト
層を形成し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導
体回路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥
離する工程を少なくとも有することを特徴とするプリン
ト配線板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型、軽量、高速化の
要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでい
る。従来の、銅をエッチングする事で作製するプリント
配線板は、サイドエッチングの影響で配線の微細化には
限界があり、基板の高密度化には限界があった。そこで
近年は電気めっきによるセミアディティブ法によるプリ
ント配線板の製造方法が注目されている。このセミアデ
ィティブ法は、特開平11−186716にあるように絶縁樹脂
上に１μｍ程度の厚みの薄付け無電解銅めっきを給電層
として設け、その上にフォトレジスト層を形成し、露光
現像後、電気めっきで回路形成し、レジストを除去した
後、余計な給電層をエッチング除去する事でプリント配
線板を製造する方法である。先のフォトレジスト層の形
成はドライフィルムフォトレジストをラミネートする
か、液状フォトレジストを塗布する方法があるが、作業
性の面から通常ドライフィルムフォトレジストが使われ
る。ドライフィルムフォトレジストの除去には通常水酸
化ナトリウムや水酸化カリウムを含んだアルカリ水溶液
が用いられる。プリント配線板の高密度化に対応し、ド
ライフィルムフォトレジストにもファイン化の要求が大
きくなってきており、３０μｍ厚みのドライフィルムフ
ォトレジストでもライン／スペースで２０／２０μｍ以
下の解像が可能となってきた。
要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでい
る。従来の、銅をエッチングする事で作製するプリント
配線板は、サイドエッチングの影響で配線の微細化には
限界があり、基板の高密度化には限界があった。そこで
近年は電気めっきによるセミアディティブ法によるプリ
ント配線板の製造方法が注目されている。このセミアデ
ィティブ法は、特開平11−186716にあるように絶縁樹脂
上に１μｍ程度の厚みの薄付け無電解銅めっきを給電層
として設け、その上にフォトレジスト層を形成し、露光
現像後、電気めっきで回路形成し、レジストを除去した
後、余計な給電層をエッチング除去する事でプリント配
線板を製造する方法である。先のフォトレジスト層の形
成はドライフィルムフォトレジストをラミネートする
か、液状フォトレジストを塗布する方法があるが、作業
性の面から通常ドライフィルムフォトレジストが使われ
る。ドライフィルムフォトレジストの除去には通常水酸
化ナトリウムや水酸化カリウムを含んだアルカリ水溶液
が用いられる。プリント配線板の高密度化に対応し、ド
ライフィルムフォトレジストにもファイン化の要求が大
きくなってきており、３０μｍ厚みのドライフィルムフ
ォトレジストでもライン／スペースで２０／２０μｍ以
下の解像が可能となってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、プリント配
線板のライン／スペースが微細になるにつれて、フォト
レジスト層が剥離できなくなる場合がある。特にフォト
レジストが台形の形状をしている場合や電気めっきがオ
ーバーハングしている場合、電気めっきにこぶがある場
合は、導体回路がフォトレジスト層を抑えつける形状に
なるため、剥離が難しい。従来は剥離液中のイオン濃度
を調整し、剥離片を小さくする事で対応してきたが、配
線の微細化によりこの方法では対応できない場合が増え
てきた。また給電層の厚みが薄い場合、レジスト剥離液
に強酸化剤を用いると樹脂に損傷を与える恐れがある。
本発明は樹脂に損傷を与えることなくレジストを剥離
し、配線密度の高いプリント配線板を作製することを目
的とするものである。
線板のライン／スペースが微細になるにつれて、フォト
レジスト層が剥離できなくなる場合がある。特にフォト
レジストが台形の形状をしている場合や電気めっきがオ
ーバーハングしている場合、電気めっきにこぶがある場
合は、導体回路がフォトレジスト層を抑えつける形状に
なるため、剥離が難しい。従来は剥離液中のイオン濃度
を調整し、剥離片を小さくする事で対応してきたが、配
線の微細化によりこの方法では対応できない場合が増え
てきた。また給電層の厚みが薄い場合、レジスト剥離液
に強酸化剤を用いると樹脂に損傷を与える恐れがある。
本発明は樹脂に損傷を与えることなくレジストを剥離
し、配線密度の高いプリント配線板を作製することを目
的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は以下のことを特
徴とする。 （1）最外層の絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔を有す
る基板もしくは基板材料上にフォトレジスト層を形成
し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導体回路を
形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥離する工
程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板
の製造方法。 （2）絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔を有する基板も
しくは基板材料上に層間接続のための貫通穴若しくは止
まり穴を形成し、無電解銅めっき後、フォトレジスト層
を形成し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導体
回路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥離
する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント
配線板の製造方法。 （3）前記酸化剤が、過マンガン酸塩を含む事を特徴と
する（1）〜（2）に記載のプリント配線板の製造方法。 （4）前記酸化剤が過マンガン酸ナトリウム若しくは過
マンガン酸カリウムであることを特徴とする（3）に記
載のプリント配線板の製造方法。 （5）前記酸化剤のｐHが１０以上であることを特徴とす
る（3）〜（4）に記載のプリント配線板の製造方法。
徴とする。 （1）最外層の絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔を有す
る基板もしくは基板材料上にフォトレジスト層を形成
し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導体回路を
形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥離する工
程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板
の製造方法。 （2）絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔を有する基板も
しくは基板材料上に層間接続のための貫通穴若しくは止
まり穴を形成し、無電解銅めっき後、フォトレジスト層
を形成し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導体
回路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥離
する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント
配線板の製造方法。 （3）前記酸化剤が、過マンガン酸塩を含む事を特徴と
する（1）〜（2）に記載のプリント配線板の製造方法。 （4）前記酸化剤が過マンガン酸ナトリウム若しくは過
マンガン酸カリウムであることを特徴とする（3）に記
載のプリント配線板の製造方法。 （5）前記酸化剤のｐHが１０以上であることを特徴とす
る（3）〜（4）に記載のプリント配線板の製造方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によるエッチング液の実施
の形態を、図１を用いて説明する。（a）まず、内層基
板の表面に内層銅パターンを形成した配線基板を作製す
る。この内層基板への銅パターンの形成は、銅張積層板
をエッチングして行なうサブトラクティブ法が一般的で
ある。図1(a)では両面板であるが、この内層基板は多層
板でもよい。
の形態を、図１を用いて説明する。（a）まず、内層基
板の表面に内層銅パターンを形成した配線基板を作製す
る。この内層基板への銅パターンの形成は、銅張積層板
をエッチングして行なうサブトラクティブ法が一般的で
ある。図1(a)では両面板であるが、この内層基板は多層
板でもよい。
【０００６】次に内層基板の表面の内層銅パターンを粗
面化し、この銅パターンの上に形成される層間樹脂絶縁
層との密着性を向上させる必要がある。具体的には内層
銅パターンの上に針状の無電解めっきを形成する方法や
内層銅パターンを酸化（黒化）―還元処理する方法、内
層銅パターンをエッチングする方法等がある。
面化し、この銅パターンの上に形成される層間樹脂絶縁
層との密着性を向上させる必要がある。具体的には内層
銅パターンの上に針状の無電解めっきを形成する方法や
内層銅パターンを酸化（黒化）―還元処理する方法、内
層銅パターンをエッチングする方法等がある。
【０００７】次に前記（a）で作製した配線基板の上
に、図1(ｂ)に示す様に銅箔付層間絶縁樹脂をラミネー
トとする。層間絶縁樹脂としてはエポキシ系樹脂やポリ
イミド系樹脂を主成分として含むものであり、他にもア
クリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹
脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、PPE等や、その含有
物でもよい。銅箔付層間絶縁樹脂をラミネートとするか
わりにプリプレグを介して厚み５μｍ以下の銅箔を積層
してもよい。層間樹脂絶縁層の厚みは１０から１００μ
ｍ程度、望ましくは２０から６０μｍがよく、銅箔の厚
みは1から５μｍが好適である。銅箔の厚みが１μｍ以
下であると後の酸化剤におけるレジストの剥離時に樹脂
を損傷する恐れがあり、銅箔の厚みが５μｍ以上である
と後の回路形成性に支障をきたす。
に、図1(ｂ)に示す様に銅箔付層間絶縁樹脂をラミネー
トとする。層間絶縁樹脂としてはエポキシ系樹脂やポリ
イミド系樹脂を主成分として含むものであり、他にもア
クリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹
脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、PPE等や、その含有
物でもよい。銅箔付層間絶縁樹脂をラミネートとするか
わりにプリプレグを介して厚み５μｍ以下の銅箔を積層
してもよい。層間樹脂絶縁層の厚みは１０から１００μ
ｍ程度、望ましくは２０から６０μｍがよく、銅箔の厚
みは1から５μｍが好適である。銅箔の厚みが１μｍ以
下であると後の酸化剤におけるレジストの剥離時に樹脂
を損傷する恐れがあり、銅箔の厚みが５μｍ以上である
と後の回路形成性に支障をきたす。
【０００８】次いで図1（ｃ）に示す様に銅箔の上から
層間樹脂絶縁層にIVHを形成する。IVHを形成する方法と
しては、レーザーを用いるのが好適である。ここで用い
ることが出来るレーザーとしては、CO2やCO、エキシマ
等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーがある。CO2レ
ーザーは容易に大出力を得られる事からφ50μｍ以上の
IVHの加工に適している。φ50μｍ以下の微細なIVHを加
工する場合は、より短波長で集光性のよいYAGレーザー
が適している。
層間樹脂絶縁層にIVHを形成する。IVHを形成する方法と
しては、レーザーを用いるのが好適である。ここで用い
ることが出来るレーザーとしては、CO2やCO、エキシマ
等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーがある。CO2レ
ーザーは容易に大出力を得られる事からφ50μｍ以上の
IVHの加工に適している。φ50μｍ以下の微細なIVHを加
工する場合は、より短波長で集光性のよいYAGレーザー
が適している。
【０００９】次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロ
ム酸のような酸化剤を用いてIVH内部の樹脂残さの除去
を行う。
ム酸のような酸化剤を用いてIVH内部の樹脂残さの除去
を行う。
【００１０】次いで銅箔上及びIVH内部に触媒核を付与
する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコ
ロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用する
のが好ましい。
する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコ
ロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用する
のが好ましい。
【００１１】次に図１（ｄ）に示すように、触媒核を付
与した銅箔上及びIVH内部に薄付けの無電解めっき層を
形成する。この無電解めっきには、CUST２０００（日立
化成工業株式会社製、商品名）やCUST２０１（日立化成
工業株式会社製、商品名）等の市販の無電解銅めっきが
使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマ
リン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっ
きの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであ
ればよく、0.1〜1μｍ程度で十分である。
与した銅箔上及びIVH内部に薄付けの無電解めっき層を
形成する。この無電解めっきには、CUST２０００（日立
化成工業株式会社製、商品名）やCUST２０１（日立化成
工業株式会社製、商品名）等の市販の無電解銅めっきが
使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマ
リン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっ
きの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであ
ればよく、0.1〜1μｍ程度で十分である。
【００１２】次に図１（e）に示すように無電解めっき
を行った上にめっきレジストを形成する。めっきレジス
トの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かよ
り厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使
用できる樹脂には、PMER P−LA900PM（東京応化株式会
社製、商品名）のような液状レジストや、HＷ−425（日
立化成工業株式会社、商品名）、RY−3025（日立化成工
業株式会社、商品名）等のドライフィルムがあるが、作
業性の面からドライフィルムを用いるのが好ましい。ビ
アホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジスト
を形成しない。尚レジストの現像には通常炭酸ナトリウ
ム水溶液を用いる。
を行った上にめっきレジストを形成する。めっきレジス
トの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かよ
り厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使
用できる樹脂には、PMER P−LA900PM（東京応化株式会
社製、商品名）のような液状レジストや、HＷ−425（日
立化成工業株式会社、商品名）、RY−3025（日立化成工
業株式会社、商品名）等のドライフィルムがあるが、作
業性の面からドライフィルムを用いるのが好ましい。ビ
アホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジスト
を形成しない。尚レジストの現像には通常炭酸ナトリウ
ム水溶液を用いる。
【００１３】次に図１（ｆ）に示すように電気めっきに
より回路パターンを形成する。電気めっきには、通常プ
リント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン
酸電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体
として使用できればよく、1〜１００μｍの範囲である
事が好ましく、５〜５０μｍの範囲である事がより好ま
しい。
より回路パターンを形成する。電気めっきには、通常プ
リント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン
酸電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体
として使用できればよく、1〜１００μｍの範囲である
事が好ましく、５〜５０μｍの範囲である事がより好ま
しい。
【００１４】次にアルカリ性の過マンガン酸塩溶液、若
しくは酸性のクロム酸水溶液等の酸化剤でフォトレジス
ト層をエッチング除去する。フォトレジスト層がアルカ
リ現像タイプであれば、アルカリ性の過マンガン酸塩溶
液を用いるのがより効果的であり、その後酸による中和
処理を行なうのがさらに好適である。過マンガン酸塩は
過マンガン酸ナトリウム若しくは過マンガン酸カリウム
を用いるのが安価で好ましく、10〜200ｇ／Lの水溶液の
形で用いる。尚、過マンガン酸塩は再生処理にコストが
かかるので、通常のアルカリ性水溶液でレジスト除去を
行った後に残ったレジストをアルカリ過マンガン酸塩で
処理することも出来る。ｐHが低いと樹脂の溶解速度が
低下するので剥離液のｐHは１０以上が好適である。
しくは酸性のクロム酸水溶液等の酸化剤でフォトレジス
ト層をエッチング除去する。フォトレジスト層がアルカ
リ現像タイプであれば、アルカリ性の過マンガン酸塩溶
液を用いるのがより効果的であり、その後酸による中和
処理を行なうのがさらに好適である。過マンガン酸塩は
過マンガン酸ナトリウム若しくは過マンガン酸カリウム
を用いるのが安価で好ましく、10〜200ｇ／Lの水溶液の
形で用いる。尚、過マンガン酸塩は再生処理にコストが
かかるので、通常のアルカリ性水溶液でレジスト除去を
行った後に残ったレジストをアルカリ過マンガン酸塩で
処理することも出来る。ｐHが低いと樹脂の溶解速度が
低下するので剥離液のｐHは１０以上が好適である。
【００１５】最後に給電層をエッチング除去する事で導
体回路間の絶縁性を確保する。エッチング液は硫酸、過
酸化水素水の混合水溶液やペルオキソ二硫酸アンモニウ
ム水溶液等の様に銅がエッチングできるものであれば特
に限定しない。
体回路間の絶縁性を確保する。エッチング液は硫酸、過
酸化水素水の混合水溶液やペルオキソ二硫酸アンモニウ
ム水溶液等の様に銅がエッチングできるものであれば特
に限定しない。
【００１６】
【実施例】実施例1
図１（a）に示すように、絶縁基材に、厚さ１８μｍの
銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基
材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立
化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な箇所
の銅箔をエッチング除去し、スルーホールを形成して、
内層導体回路1を形成し、内層回路板２を作製した。そ
の内層回路板２の内層導体回路1の処理を、ＭＥC etch
ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品
名）を用い、液温３５℃、スプレー圧０．１５ＭＰの条
件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ
３μｍ程度の凹凸を作り、ＭＥC etch ＢＯＮＤ ＣＬ
−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液
温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬して、銅表面
に防錆処理を行なった。図１（ｂ）に示すように、内層
回路板２の両面に、3μｍ銅箔に接着剤を塗布したMCF−
7000LX（日立化成工業株式会社製、商品名）を、１７０
℃３０kgf/cm2の条件で６０分加熱加圧ラミネートし、
厚さ40μｍの絶縁層5を形成した。図１（ｃ）に示すよ
うに、銅箔上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機
Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）によ
り、直径８０μｍの非貫通穴6をあけ、過マンガン酸カ
リウム６５ｇ／リットルと水酸化ナトリウム４０ｇ／リ
ットルの混合水溶液に、液温７０℃で２０分間浸漬し、
スミアの除去を行なった。その後、パラジウム溶液であ
るＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）
に、２５℃で１５分間浸漬し、触媒を付与した後、ＣＵ
ＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使
用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行
ない、図１（ｄ）に示すように厚さ０．３μｍの無電解
銅めっき層7を形成した。図１（e）に示すように、ドラ
イフィルムフォトレジストであるＲＹ−３０２５（日立
化成工業株式会社製、商品名）を、無電解めっき層7の
表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所をマス
クしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して
めっきレジスト8を形成した。図１（ｆ）に示すよう
に、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ
／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを２０μｍほど行な
い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝４５／３
５、３５／２５、２５／１５μｍとなるようにパターン
電気めっき9を形成した。次に図１（ｇ）に示すよう
に、アルカリ-アミン系レジスト剥離液であるHTO（ニチ
ゴー・モートン株式会社製、商品名）に４０℃で１０分
浸漬し、ドライフィルムフォトレジストの除去を行った
後に、アルカリ過マンガン酸水溶液であるＭＬＢ−４９
５（メルテックス株式会社製、商品名）に７０℃で１０
分浸漬し、ドライフィルムフォトレジストの除去を再び
行ない、引き続き酸性溶媒であるＭＬＢ−７９０（メル
テックス株式会社製、商品名）に７０℃で５分浸漬し、
中和処理を行なった後、Ｈ2ＳＯ4２０ｇ／Ｌ、Ｈ2Ｏ2１
０ｇ／Ｌの組成のエッチング液を用いてパターン部以外
の銅をエッチング除去し、図2に示すような回路導体幅
／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝４０／４０、３０／３０、
２０／２０μｍの仕上がりのくし型評価パターンを作製
した。 実施例２ レジスト剥離液であるHTO（ニチゴー・モートン株式会
社製、商品名）の処理を行わず、直ちにアルカリ過マン
ガン酸水溶液であるＭＬＢ−４９５（メルテックス株式
会社製、商品名）に７０℃で１５分浸漬した以外は実施
例１と同様に基板を作製した。 実施例３ ＭＬＢ−４９５（メルテックス株式会社製、商品名）の
代わりに過マンガン酸カリウム６５ｇ／リットルと水酸
化ナトリウム４０ｇ／リットルの混合水溶液を用いた以
外は実施例１と同様に基板を作製した。
銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基
材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立
化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な箇所
の銅箔をエッチング除去し、スルーホールを形成して、
内層導体回路1を形成し、内層回路板２を作製した。そ
の内層回路板２の内層導体回路1の処理を、ＭＥC etch
ＢＯＮＤ ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品
名）を用い、液温３５℃、スプレー圧０．１５ＭＰの条
件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ
３μｍ程度の凹凸を作り、ＭＥC etch ＢＯＮＤ ＣＬ
−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液
温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬して、銅表面
に防錆処理を行なった。図１（ｂ）に示すように、内層
回路板２の両面に、3μｍ銅箔に接着剤を塗布したMCF−
7000LX（日立化成工業株式会社製、商品名）を、１７０
℃３０kgf/cm2の条件で６０分加熱加圧ラミネートし、
厚さ40μｍの絶縁層5を形成した。図１（ｃ）に示すよ
うに、銅箔上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機
Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）によ
り、直径８０μｍの非貫通穴6をあけ、過マンガン酸カ
リウム６５ｇ／リットルと水酸化ナトリウム４０ｇ／リ
ットルの混合水溶液に、液温７０℃で２０分間浸漬し、
スミアの除去を行なった。その後、パラジウム溶液であ
るＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）
に、２５℃で１５分間浸漬し、触媒を付与した後、ＣＵ
ＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使
用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行
ない、図１（ｄ）に示すように厚さ０．３μｍの無電解
銅めっき層7を形成した。図１（e）に示すように、ドラ
イフィルムフォトレジストであるＲＹ−３０２５（日立
化成工業株式会社製、商品名）を、無電解めっき層7の
表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所をマス
クしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して
めっきレジスト8を形成した。図１（ｆ）に示すよう
に、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ
／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを２０μｍほど行な
い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝４５／３
５、３５／２５、２５／１５μｍとなるようにパターン
電気めっき9を形成した。次に図１（ｇ）に示すよう
に、アルカリ-アミン系レジスト剥離液であるHTO（ニチ
ゴー・モートン株式会社製、商品名）に４０℃で１０分
浸漬し、ドライフィルムフォトレジストの除去を行った
後に、アルカリ過マンガン酸水溶液であるＭＬＢ−４９
５（メルテックス株式会社製、商品名）に７０℃で１０
分浸漬し、ドライフィルムフォトレジストの除去を再び
行ない、引き続き酸性溶媒であるＭＬＢ−７９０（メル
テックス株式会社製、商品名）に７０℃で５分浸漬し、
中和処理を行なった後、Ｈ2ＳＯ4２０ｇ／Ｌ、Ｈ2Ｏ2１
０ｇ／Ｌの組成のエッチング液を用いてパターン部以外
の銅をエッチング除去し、図2に示すような回路導体幅
／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝４０／４０、３０／３０、
２０／２０μｍの仕上がりのくし型評価パターンを作製
した。 実施例２ レジスト剥離液であるHTO（ニチゴー・モートン株式会
社製、商品名）の処理を行わず、直ちにアルカリ過マン
ガン酸水溶液であるＭＬＢ−４９５（メルテックス株式
会社製、商品名）に７０℃で１５分浸漬した以外は実施
例１と同様に基板を作製した。 実施例３ ＭＬＢ−４９５（メルテックス株式会社製、商品名）の
代わりに過マンガン酸カリウム６５ｇ／リットルと水酸
化ナトリウム４０ｇ／リットルの混合水溶液を用いた以
外は実施例１と同様に基板を作製した。
【００１７】
【比較例】比較例1
ドライフィルムフォトレジストの除去について、水酸化
ナトリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬した以外は
実施例１と同様に基板を作成した。 比較例２ ドライフィルムフォトレジストの除去について、水酸化
カリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬した以外は実
施例１と同様に基板を作成した。 比較例３ アルカリ-アミン系レジスト剥離液であるHTO（ニチゴー
・モートン株式会社製、商品名）のみでドライフィルム
フォトレジストの除去を行った以外は実施例１と同様に
基板を作成した。
ナトリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬した以外は
実施例１と同様に基板を作成した。 比較例２ ドライフィルムフォトレジストの除去について、水酸化
カリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬した以外は実
施例１と同様に基板を作成した。 比較例３ アルカリ-アミン系レジスト剥離液であるHTO（ニチゴー
・モートン株式会社製、商品名）のみでドライフィルム
フォトレジストの除去を行った以外は実施例１と同様に
基板を作成した。
【００１８】実施例１〜３から比較例1〜3で作成した基
板の不良率を表に示す。尚、いずれの基板も酸化剤によ
る樹脂の劣化は見られなかった。２図の櫛型の中で一箇
所でもレジスト剥離残りによる短絡のあったサンプルを
不良とし、櫛型２０個中の不良率で結果を示す。
板の不良率を表に示す。尚、いずれの基板も酸化剤によ
る樹脂の劣化は見られなかった。２図の櫛型の中で一箇
所でもレジスト剥離残りによる短絡のあったサンプルを
不良とし、櫛型２０個中の不良率で結果を示す。
【００１９】表から分かる通り、本発明により作製した
プリント配線板はレジストの剥離残りによる短絡不良が
なかった。評価結果を表１に示す。
プリント配線板はレジストの剥離残りによる短絡不良が
なかった。評価結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】以上に説明した通り、本発明により、樹脂
を痛めずにレジストの剥離残りによる短絡不良がなく配
線密度の高いプリント配線板を作製する事が出来る。
を痛めずにレジストの剥離残りによる短絡不良がなく配
線密度の高いプリント配線板を作製する事が出来る。
【００２２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 回路パターン
【図２】 評価パターン
1 内層導体回路
2 内層回路板
3 スルーホール
4 銅箔
5 絶縁層
6 IVH
7 無電解銅めっき
8 ドライフィルムフォトレジスト
9 パターン電気めっき
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC32 CC33
CC51 CD15 CD18 CD25 GG16
5E339 AB02 AC01 AD03 AD05 AE01
BC02 BD02 BD06 BD08 BE11
CC01 CD01 CE12 CE15 CF15
CG04 FF02 GG02
5E343 AA02 AA07 AA12 BB16 BB24
BB67 BB71 CC46 CC62 DD33
DD43 DD75 EE17 ER18 GG20
Claims (5)
- 【請求項１】最外層の絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔
を有する基板もしくは基板材料上にフォトレジスト層を
形成し、露光、現像後、パターン銅めっきにより導体回
路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層を剥離す
る工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配
線板の製造方法。 - 【請求項２】絶縁樹脂上に１〜５μｍ厚の銅箔を有する
基板もしくは基板材料上に層間接続のための貫通穴若し
くは止まり穴を形成し、無電解銅めっき後、フォトレジ
スト層を形成し、露光、現像後、パターン銅めっきによ
り導体回路を形成し、酸化剤によってフォトレジスト層
を剥離する工程を少なくとも有することを特徴とするプ
リント配線板の製造方法。 - 【請求項３】前記酸化剤が、過マンガン酸塩を含む事を
特徴とする請求項1〜２に記載のプリント配線板の製造
方法。 - 【請求項４】前記酸化剤が過マンガン酸ナトリウム若し
くは過マンガン酸カリウムであることを特徴とする請求
項３に記載のプリント配線板の製造方法。 - 【請求項５】前記酸化剤のｐHが１０以上であることを
特徴とする請求項3〜４に記載のプリント配線板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002002478A JP2003204138A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002002478A JP2003204138A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204138A true JP2003204138A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27642321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002002478A Pending JP2003204138A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003204138A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100807487B1 (ko) | 2006-08-22 | 2008-02-25 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP2009117438A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法および配線基板の製造方法 |
| JP2017041475A (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及び多層配線基板、配線基板の製造方法 |
| JP2019515138A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-06 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 基板表面の活性化を含む基板表面に金属または金属合金を析出させるための方法 |
| CN110430697A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-08 | 江苏上达电子有限公司 | 一种新型多层精细线路板的制作方法 |
| CN110708875A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-17 | 星河电路（福建）有限公司 | 一种采用树脂填充加成法生产的大电流电源类印制电路板的制作方法 |
-
2002
- 2002-01-09 JP JP2002002478A patent/JP2003204138A/ja active Pending
Cited By (7)
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| CN110430697A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-08 | 江苏上达电子有限公司 | 一种新型多层精细线路板的制作方法 |
| CN110430697B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-07-13 | 江苏上达电子有限公司 | 一种新型多层精细线路板的制作方法 |
| CN110708875A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-17 | 星河电路（福建）有限公司 | 一种采用树脂填充加成法生产的大电流电源类印制电路板的制作方法 |
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