JP2003167258A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】シール材接着強度が高く、端子信頼性が高いＴ
ＦＴ液晶表示装置を提供する。 【解決手段】液晶表示装置の周辺領域において、シール
材領域ＳＥＬの下部の有機保護膜ＥＰＡＳを無機保護膜
ＰＡＳと一括除去し、シール部での上下基板相互の接着
力を大きくする。映像信号線ＤＬは表示領域のドレイン
配線ＤＬからシール材ＳＥＬ下部では絶縁膜ＰＡＳ下部
のゲート配線ＧＬに繋ぎ変えて引き出すことにより、端
子の信頼性を大きくする。
ＦＴ液晶表示装置を提供する。 【解決手段】液晶表示装置の周辺領域において、シール
材領域ＳＥＬの下部の有機保護膜ＥＰＡＳを無機保護膜
ＰＡＳと一括除去し、シール部での上下基板相互の接着
力を大きくする。映像信号線ＤＬは表示領域のドレイン
配線ＤＬからシール材ＳＥＬ下部では絶縁膜ＰＡＳ下部
のゲート配線ＧＬに繋ぎ変えて引き出すことにより、端
子の信頼性を大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式等のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する
ものである。
り、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式等のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を挟んで対向配置
された２枚の基板それぞれの液晶層側に電極を配置し、
該電極間に基板に垂直な方向の電界を形成する、いわゆ
る縦電界方式と、液晶の上下基板間の液晶間隙に基板に
平行な成分を有する横電界を印加する横電界方式（イン
プレーンスイッチングモード：ＩＰＳ型）が主に用いら
れている。いずれの方式も前記対向配置された基板それ
ぞれの液晶層側の最表面に液晶分子の初期配向を制御す
るための配向膜を形成し、さらに液晶層はその四周がシ
ール材により封止されている。
された２枚の基板それぞれの液晶層側に電極を配置し、
該電極間に基板に垂直な方向の電界を形成する、いわゆ
る縦電界方式と、液晶の上下基板間の液晶間隙に基板に
平行な成分を有する横電界を印加する横電界方式（イン
プレーンスイッチングモード：ＩＰＳ型）が主に用いら
れている。いずれの方式も前記対向配置された基板それ
ぞれの液晶層側の最表面に液晶分子の初期配向を制御す
るための配向膜を形成し、さらに液晶層はその四周がシ
ール材により封止されている。
【０００３】シール材が形成された領域は、画素が形成
された有効表示領域に対し、周辺領域あるいは外周部と
称され、該外周部の少なくとも１辺ではシール材より下
層で配線が端子部に引き出されている。
された有効表示領域に対し、周辺領域あるいは外周部と
称され、該外周部の少なくとも１辺ではシール材より下
層で配線が端子部に引き出されている。
【０００４】上記外周部の断面構造の例としては、特開
２００１−１３３７８７号、特開２００１−２６４７９
３号などが公知である。
２００１−１３３７８７号、特開２００１−２６４７９
３号などが公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】外周部はシール材によ
る上下基板の固定と配線の引出しという２つの重要な役
割を有する。前者に対しては、強度を向上するという課
題があり、特にシール材と該シール材が付着する層の接
着力を向上させることが重要である。後者に対しては配
線の引出し部での信頼性確保という課題があり、特にシ
ール部との直接の接触を防止することが重要である。本
発明の第１の目的は、上記２つの課題を両立して解決す
る手段を提供することにある。
る上下基板の固定と配線の引出しという２つの重要な役
割を有する。前者に対しては、強度を向上するという課
題があり、特にシール材と該シール材が付着する層の接
着力を向上させることが重要である。後者に対しては配
線の引出し部での信頼性確保という課題があり、特にシ
ール部との直接の接触を防止することが重要である。本
発明の第１の目的は、上記２つの課題を両立して解決す
る手段を提供することにある。
【０００６】さらに、配線より上層に有機絶縁膜を構成
し、その上に電極を構成する液晶表示装置が例えば特開
平９−２３０３７８号に知られている。しかし発明者
は、有機絶縁膜とシール材を付着させた場合、上記付着
する層が該有機絶縁膜となり、この場合接着力が低下す
るという新たな課題を見出した。本発明の第２の目的
は、画素内の配向膜に接して形成される有機膜層を有す
る液晶表示装置においても、前記２つの課題を両立して
解決する手段を提供することにある。
し、その上に電極を構成する液晶表示装置が例えば特開
平９−２３０３７８号に知られている。しかし発明者
は、有機絶縁膜とシール材を付着させた場合、上記付着
する層が該有機絶縁膜となり、この場合接着力が低下す
るという新たな課題を見出した。本発明の第２の目的
は、画素内の配向膜に接して形成される有機膜層を有す
る液晶表示装置においても、前記２つの課題を両立して
解決する手段を提供することにある。
【０００７】本願のさらなる課題と目的は、本願明細書
において明らかとなるであろう。
において明らかとなるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による課題を解決
するための手段の主な例を挙げると、以下のようにな
る。
するための手段の主な例を挙げると、以下のようにな
る。
【０００９】（手段１）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基
板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着
され、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板の液
晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装置におい
て、前記第1の基板上において前記薄膜トランジスタと
前記第１の基板に形成された配向膜との間に形成された
有機膜を設け、該有機膜は前記シール材の領域で除去
し、前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対し
て接着し、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着
する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基
板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着
され、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板の液
晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装置におい
て、前記第1の基板上において前記薄膜トランジスタと
前記第１の基板に形成された配向膜との間に形成された
有機膜を設け、該有機膜は前記シール材の領域で除去
し、前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対し
て接着し、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着
する。
【００１０】（手段２）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基
板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着
されている液晶表示装置において、前記ドレイン配線は
前記シール材より表示領域側でゲート配線と同一工程で
形成された金属材料に繋ぎ変え、前記シール材下では前
記ドレイン配線は該ゲート配線と同一工程で形成された
金属材料層として引き出し、前記シール材より外側の外
部接続端子側領域では、前記ゲート配線と同一工程で形
成された金属材料層から前記ドレイン配線層による金属
材料層を経由し、外部接続端子へと接続する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタを有し、前記第１の基
板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接着
されている液晶表示装置において、前記ドレイン配線は
前記シール材より表示領域側でゲート配線と同一工程で
形成された金属材料に繋ぎ変え、前記シール材下では前
記ドレイン配線は該ゲート配線と同一工程で形成された
金属材料層として引き出し、前記シール材より外側の外
部接続端子側領域では、前記ゲート配線と同一工程で形
成された金属材料層から前記ドレイン配線層による金属
材料層を経由し、外部接続端子へと接続する。
【００１１】（手段３）手段２において、前記薄膜トラ
ンジスタの保護膜として形成された有機保護膜に、前記
ドレイン配線が前記シール材下のゲート配線と同一工程
で形成された金属材料層として引き出される領域では開
口部を設け、該領域のシール材は無機絶縁膜と接着す
る。
ンジスタの保護膜として形成された有機保護膜に、前記
ドレイン配線が前記シール材下のゲート配線と同一工程
で形成された金属材料層として引き出される領域では開
口部を設け、該領域のシール材は無機絶縁膜と接着す
る。
【００１２】（手段４）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタと、前記第１の基板と
前記第２の基板の液晶層側の最表面に配置された配向膜
と、前記第１の基板と前記第２の基板の液晶層側と対向
する側にそれぞれ偏光板を有し、前記第１の基板と前記
第２の基板がその外周部をシール材により接着されてい
る液晶表示装置において、画素の集合体として定まる画
素領域の各画素に前記第１の基板上に画素電極と共通電
極を設け、該画素電極と共通電極間に前記第１の基板と
平行な成分を有する電界により前記液晶層を駆動し、前
記第１の基板の前記画素領域から前記シール材の間の領
域に少なくとも前記画素より幅の広い透明電極が形成
し、前記配向膜は該透明電極形成領域に位置づけられて
前記第１の基板と第２の基板の双方に形成された領域を
設け、前記偏光板は該配向膜形成領域に位置づけられて
設けられた領域を設け、前記偏光板、前記液晶層、前記
配向膜の配置がノーマリーブラックを実現するよう構成
する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタと、前記第１の基板と
前記第２の基板の液晶層側の最表面に配置された配向膜
と、前記第１の基板と前記第２の基板の液晶層側と対向
する側にそれぞれ偏光板を有し、前記第１の基板と前記
第２の基板がその外周部をシール材により接着されてい
る液晶表示装置において、画素の集合体として定まる画
素領域の各画素に前記第１の基板上に画素電極と共通電
極を設け、該画素電極と共通電極間に前記第１の基板と
平行な成分を有する電界により前記液晶層を駆動し、前
記第１の基板の前記画素領域から前記シール材の間の領
域に少なくとも前記画素より幅の広い透明電極が形成
し、前記配向膜は該透明電極形成領域に位置づけられて
前記第１の基板と第２の基板の双方に形成された領域を
設け、前記偏光板は該配向膜形成領域に位置づけられて
設けられた領域を設け、前記偏光板、前記液晶層、前記
配向膜の配置がノーマリーブラックを実現するよう構成
する。
【００１３】（手段５）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記第１の基板と
前記第２の基板のギャップを定める柱状スペーサを設
け、該柱状スペーサは各画素の集合体として定まる画素
領域より前記シール材側の領域に厚さの異なる少なくと
も２つの領域を有し、そのうちの少なくとも一方の領域
は前記第１の基板と前記第２の基板のギャップを定める
高さであり、他方の領域は該一方の領域よりも薄く構成
され、かつ該柱状スペーサは遮光性を呈する材料により
構成する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記第１の基板と
前記第２の基板のギャップを定める柱状スペーサを設
け、該柱状スペーサは各画素の集合体として定まる画素
領域より前記シール材側の領域に厚さの異なる少なくと
も２つの領域を有し、そのうちの少なくとも一方の領域
は前記第１の基板と前記第２の基板のギャップを定める
高さであり、他方の領域は該一方の領域よりも薄く構成
され、かつ該柱状スペーサは遮光性を呈する材料により
構成する。
【００１４】（手段６）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記カラーフィル
タ層を前記第１の基板上に構成し、画素の集合として定
まる画素領域から端子領域までの間に前記ドレイン配線
材料と前記ゲート配線材料が該配線間の層間絶縁膜を介
して互いにその端部を重畳して形成される配線重畳領域
を設け、該配線重畳領域に前記カラーフィルタ層の少な
くとも１層を構成する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記カラーフィル
タ層を前記第１の基板上に構成し、画素の集合として定
まる画素領域から端子領域までの間に前記ドレイン配線
材料と前記ゲート配線材料が該配線間の層間絶縁膜を介
して互いにその端部を重畳して形成される配線重畳領域
を設け、該配線重畳領域に前記カラーフィルタ層の少な
くとも１層を構成する。
【００１５】（手段７）第１の基板と第２の基板に挟ま
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記シール材を前
記第１の基板上に対して有機材料と接着され、前記第２
の基板に対して無機材料と接着する。
れた液晶層とカラーフィルタ層とを有し、前記第１の基
板上には複数のゲート配線と、前記複数のゲート配線と
交差しマトリクス状に配置された複数のドレイン配線
と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との交点に対応
して形成された薄膜トランジスタとを有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、前記シール材を前
記第１の基板上に対して有機材料と接着され、前記第２
の基板に対して無機材料と接着する。
【００１６】本発明のさらなる手段は、以下の発明の実
施の形態の中で明らかとなるであろう。
施の形態の中で明らかとなるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の特徴を示す代表的な構造
を、以下実施例により説明する。
を、以下実施例により説明する。
【００１８】（実施例１）図1は本発明の一実施例の液
晶表示装置に係る映像信号線（ドレイン線）側外周部の
断面図、図２は液晶表示装置の画素部の平面図、図３は
液晶表示装置の画素部の断面図、図４は液晶セルの平面
構成図、図５は図４に示した表示パネルと外部回路を接
続した状態を示す図である。ここで、図１は図４の平面
構成図の１-１’として一点鎖線で示した切断線の断面
図で、液晶セルの外周部における1本の映像信号（ドレ
イン）線側の端子配線Ｔｄにおける断面図である。
晶表示装置に係る映像信号線（ドレイン線）側外周部の
断面図、図２は液晶表示装置の画素部の平面図、図３は
液晶表示装置の画素部の断面図、図４は液晶セルの平面
構成図、図５は図４に示した表示パネルと外部回路を接
続した状態を示す図である。ここで、図１は図４の平面
構成図の１-１’として一点鎖線で示した切断線の断面
図で、液晶セルの外周部における1本の映像信号（ドレ
イン）線側の端子配線Ｔｄにおける断面図である。
【００１９】まず、画素部の構成について図２を用いて
説明する。２本の映像信号線ＤＬとゲート配線ＧＬに囲
まれた領域が画素を構成する。映像信号線ＤＬとゲート
配線ＧＬを覆ってマトリクス状に共通電極ＣＰＴが構成
されている。ＣＰＴは、金属材料で構成してもよい。ま
た透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等で構成
することにより実質的な光透過領域の向上を図ることが
できる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成した。ポリ
シリコン層ＰＳＩはコンタクトホールＣＮＴ１により映
像信号線ＤＬと接続し、ゲート配線ＧＬから延在したゲ
ート電極を越え、コンタクトホールＣＮＴ１によりソー
ス電極ＳＭに接続されている。ソース電極ＳＭはさら
に、コンタクトホールＣＮＴ２により画素電極ＳＰＴに
接続されている。ＳＰＴは、金属材料で構成してもよ
い。また透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等
で構成することにより実質的な光透過領域の向上を図る
ことができる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成し
た。すなわち本実施例ではＣＰＴとＳＰＴはＩＴＯによ
り同一レイヤで構成した。ゲート配線ＧＬと平行に共通
配線ＣＬを有し、該ＣＬはコンタクトホールＣＮＴ１に
より共通金属電極ＣＭに接続され、さらにコンタクトホ
ールＣＮＴ２により共通電極ＣＰＴに接続される。これ
により、共通配線ＣＬから共通電極ＣＰＴへの共通電位
が供給される。
説明する。２本の映像信号線ＤＬとゲート配線ＧＬに囲
まれた領域が画素を構成する。映像信号線ＤＬとゲート
配線ＧＬを覆ってマトリクス状に共通電極ＣＰＴが構成
されている。ＣＰＴは、金属材料で構成してもよい。ま
た透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等で構成
することにより実質的な光透過領域の向上を図ることが
できる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成した。ポリ
シリコン層ＰＳＩはコンタクトホールＣＮＴ１により映
像信号線ＤＬと接続し、ゲート配線ＧＬから延在したゲ
ート電極を越え、コンタクトホールＣＮＴ１によりソー
ス電極ＳＭに接続されている。ソース電極ＳＭはさら
に、コンタクトホールＣＮＴ２により画素電極ＳＰＴに
接続されている。ＳＰＴは、金属材料で構成してもよ
い。また透明電極、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等
で構成することにより実質的な光透過領域の向上を図る
ことができる。本実施例では、例えばＩＴＯで構成し
た。すなわち本実施例ではＣＰＴとＳＰＴはＩＴＯによ
り同一レイヤで構成した。ゲート配線ＧＬと平行に共通
配線ＣＬを有し、該ＣＬはコンタクトホールＣＮＴ１に
より共通金属電極ＣＭに接続され、さらにコンタクトホ
ールＣＮＴ２により共通電極ＣＰＴに接続される。これ
により、共通配線ＣＬから共通電極ＣＰＴへの共通電位
が供給される。
【００２０】図３に画素部の断面構成を示す。図２の３
−３’間の領域である。図では丸印を付けているが、こ
れは図の見やすさの便宜のためである。本明細書中の他
の部分でも、図中の切断部を示す丸印の表記は文章では
省略した。
−３’間の領域である。図では丸印を付けているが、こ
れは図の見やすさの便宜のためである。本明細書中の他
の部分でも、図中の切断部を示す丸印の表記は文章では
省略した。
【００２１】３−３’間は、ドレイン配線ＤＬ〜ＴＦＴ
のポリシリコン層ＰＳＩ〜ソース電極ＳＭ〜画素電極Ｓ
ＰＴ〜主透過部〜共通電極ＣＰＴ〜共通金属電極ＣＭ〜
共通配線ＣＬの断面となる。図３での左側はＴＦＴの断
面に相当する。ドレイン配線ＤＬがＴＦＴの一方の電極
としてのＰＳＩ（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続され、
ソース電極ＳＭがＴＦＴの他方の電極としてのＰＳＩ
（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続されている。ゲート配
線層によりゲート電極ＧＬがゲート絶縁膜ＧＩ上に構成
されたいわゆるＭＯＳ型ＴＦＴであり、図３の構造は特
にトップゲート型あるいはプレーナー型と称される構造
である。ただし、該構造に特に限定する物ではない。
のポリシリコン層ＰＳＩ〜ソース電極ＳＭ〜画素電極Ｓ
ＰＴ〜主透過部〜共通電極ＣＰＴ〜共通金属電極ＣＭ〜
共通配線ＣＬの断面となる。図３での左側はＴＦＴの断
面に相当する。ドレイン配線ＤＬがＴＦＴの一方の電極
としてのＰＳＩ（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続され、
ソース電極ＳＭがＴＦＴの他方の電極としてのＰＳＩ
（ｎ＋）層にＣＮＴ１により接続されている。ゲート配
線層によりゲート電極ＧＬがゲート絶縁膜ＧＩ上に構成
されたいわゆるＭＯＳ型ＴＦＴであり、図３の構造は特
にトップゲート型あるいはプレーナー型と称される構造
である。ただし、該構造に特に限定する物ではない。
【００２２】歪点約６７０℃の無アルカリガラス基板Ｇ
ＬＳ１上に膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜と膜厚１２０ｎｍの
ＳｉＯ２膜からなる下地絶縁膜ＵＬＳが形成されてい
る。
ＬＳ１上に膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜と膜厚１２０ｎｍの
ＳｉＯ２膜からなる下地絶縁膜ＵＬＳが形成されてい
る。
【００２３】下地絶縁膜ＵＬＳ上にポリシリコン層ＰＳ
Ｉがあり、その上にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜ＧＩ
がある。ゲート絶縁膜ＧＩ上には前記ゲート電極があ
り、該ゲート電極を覆って層間絶縁膜ＩＬＩが構成され
ている。層間絶縁膜ＩＬＩ上には金属からなるドレイン
配線ＤＬが構成され、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのように
３層金属膜よりなる。ドレイン配線ＤＬはゲート絶縁膜
ＧＩ及び層間絶縁膜ＩＬＩに開けられた第1のコンタク
トホールＣＮＴ１を通じて、低温ポリシリコンＰＳＩの
リンを不純物としてドープされた高濃度ｎ型層ＰＳＩ
（ｎ＋）に接続されている。該高濃度ｎ型層ＰＳＩ（ｎ
＋）は導電性が高く、擬似的に配線部として働く。一
方、ＭｏあるいはＭｏＷのような金属膜よりなるゲート
配線ＧＬ下のＰＳＩはボロンを不純物としてドープされ
たｐ型層ＰＳＩ（ｐ）となっており、いわゆる半導体層
として働き、ゲート配線ＧＬにＯＮ電位で導通状態、Ｏ
ＦＦ電位で非導通状態となるスイッチング動作を示す。
Ｉがあり、その上にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜ＧＩ
がある。ゲート絶縁膜ＧＩ上には前記ゲート電極があ
り、該ゲート電極を覆って層間絶縁膜ＩＬＩが構成され
ている。層間絶縁膜ＩＬＩ上には金属からなるドレイン
配線ＤＬが構成され、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのように
３層金属膜よりなる。ドレイン配線ＤＬはゲート絶縁膜
ＧＩ及び層間絶縁膜ＩＬＩに開けられた第1のコンタク
トホールＣＮＴ１を通じて、低温ポリシリコンＰＳＩの
リンを不純物としてドープされた高濃度ｎ型層ＰＳＩ
（ｎ＋）に接続されている。該高濃度ｎ型層ＰＳＩ（ｎ
＋）は導電性が高く、擬似的に配線部として働く。一
方、ＭｏあるいはＭｏＷのような金属膜よりなるゲート
配線ＧＬ下のＰＳＩはボロンを不純物としてドープされ
たｐ型層ＰＳＩ（ｐ）となっており、いわゆる半導体層
として働き、ゲート配線ＧＬにＯＮ電位で導通状態、Ｏ
ＦＦ電位で非導通状態となるスイッチング動作を示す。
【００２４】ゲート配線ＧＬにオン電圧が印加された場
合、ゲート配線ＧＬ下部でゲート絶縁膜ＧＩ下部であ
り、ボロンを不純物としてドープされたｐ型層ＰＳＩ
（ｐ）のゲート絶縁膜ＧＩ界面のポテンシャルが反転し
てチャネル層が形成され、ｎ型化されＴＦＴにオン電流
が流れ、結果的にソース電極ＳＭへ電流が流れ液晶容量
が充電される。
合、ゲート配線ＧＬ下部でゲート絶縁膜ＧＩ下部であ
り、ボロンを不純物としてドープされたｐ型層ＰＳＩ
（ｐ）のゲート絶縁膜ＧＩ界面のポテンシャルが反転し
てチャネル層が形成され、ｎ型化されＴＦＴにオン電流
が流れ、結果的にソース電極ＳＭへ電流が流れ液晶容量
が充電される。
【００２５】上記ゲート配線ＧＬを覆うようにＳｉＯ２
からなる層間絶縁膜ＩＬＩが形成され。さらにドレイン
配線ＤＬの上層には膜厚２００ｎｍのＳｉＮからなる保
護絶縁膜ＰＡＳと膜厚２μｍのアクリル系樹脂を主成分
とする有機保護膜ＦＰＡＳにより被覆されている。有機
保護膜ＦＰＡＳ上では、インジウム‐スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）よりなる共通電極ＣＰＴ及び画素電極ＳＰＴが形成
されている。画素電極ＳＰＴは有機保護膜ＦＰＡＳおよ
び保護絶縁膜ＰＡＳに設けられたコンタクトホールＣＮ
Ｔ２によりソース電極ＳＭと接続されている。
からなる層間絶縁膜ＩＬＩが形成され。さらにドレイン
配線ＤＬの上層には膜厚２００ｎｍのＳｉＮからなる保
護絶縁膜ＰＡＳと膜厚２μｍのアクリル系樹脂を主成分
とする有機保護膜ＦＰＡＳにより被覆されている。有機
保護膜ＦＰＡＳ上では、インジウム‐スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）よりなる共通電極ＣＰＴ及び画素電極ＳＰＴが形成
されている。画素電極ＳＰＴは有機保護膜ＦＰＡＳおよ
び保護絶縁膜ＰＡＳに設けられたコンタクトホールＣＮ
Ｔ２によりソース電極ＳＭと接続されている。
【００２６】ゲート配線ＧＬと同層で、共通配線ＣＬが
構成されている。共通配線ＣＬは、ＩＬＩに構成された
コンタクトホールＣＮＴ１により共通金属電極ＣＭに接
続されている。さらに保護絶縁膜ＰＡＳおよび有機保護
膜ＦＰＡＳに設けられたコンタクトホールＣＮＴ２によ
り共通金属電極ＣＭと共通電極ＣＰＴが接続されてい
る。
構成されている。共通配線ＣＬは、ＩＬＩに構成された
コンタクトホールＣＮＴ１により共通金属電極ＣＭに接
続されている。さらに保護絶縁膜ＰＡＳおよび有機保護
膜ＦＰＡＳに設けられたコンタクトホールＣＮＴ２によ
り共通金属電極ＣＭと共通電極ＣＰＴが接続されてい
る。
【００２７】ＳＰＴとＰＳＩ（ｎ＋）の接続にＳＭを介
し、またＣＬとＣＰＴの接続にＣＭを介して接続する利
点は、直接接続する場合よりコンタクトホールを小さく
できる点にある。また一度に加工するコンタクトホール
の深さを低減できるため、加工性が向上し、残査による
接触不良が低減し、歩留りの向上が実現するからであ
る。
し、またＣＬとＣＰＴの接続にＣＭを介して接続する利
点は、直接接続する場合よりコンタクトホールを小さく
できる点にある。また一度に加工するコンタクトホール
の深さを低減できるため、加工性が向上し、残査による
接触不良が低減し、歩留りの向上が実現するからであ
る。
【００２８】そして上記画素電極ＳＰＴと共通電極ＣＰ
Ｔ間に基板と平行な成分を有する電界、いわゆる横電界
Ｅを発生させることにより、液晶層ＬＣ中の液晶分子を
駆動する。
Ｔ間に基板と平行な成分を有する電界、いわゆる横電界
Ｅを発生させることにより、液晶層ＬＣ中の液晶分子を
駆動する。
【００２９】一方、液晶ＬＣを封止する対向の基板ＧＬ
Ｓ２にはカラーフィルタ（ＣＦ）が形成されている。Ｇ
ＬＳ２上には色表示を行う顔料を分散した有機膜材料か
ら構成された色フィルタ（ＦＩＬ）がその画素毎に割り
当てられた色に応じて、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）
の透過光を表現する色フィルタとなっている。その内側
には有機材料からなるオーバコート膜ＯＣ膜が形成され
ている。ＯＣ膜は平坦性を向上する効果がある。ＧＬＳ
２及びＧＬＳ１のＬＣに対して接している面には配向膜
ＯＬＩが形成されて、必要に応じて配向処理が施され、
初期配向方向を制御している。またＧＬＳ２及びＧＬＳ
１の外側の面にはそれぞれ偏光板ＰＯＬが貼られる。こ
の偏光板は互いのガラス基板間で偏光軸が直交するいわ
ゆるクロスニコル状態が形成されている。表示としては
ノーマリーブラックモードの、すなわち、無電界で黒表
示とした液晶表示装置である。
Ｓ２にはカラーフィルタ（ＣＦ）が形成されている。Ｇ
ＬＳ２上には色表示を行う顔料を分散した有機膜材料か
ら構成された色フィルタ（ＦＩＬ）がその画素毎に割り
当てられた色に応じて、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）
の透過光を表現する色フィルタとなっている。その内側
には有機材料からなるオーバコート膜ＯＣ膜が形成され
ている。ＯＣ膜は平坦性を向上する効果がある。ＧＬＳ
２及びＧＬＳ１のＬＣに対して接している面には配向膜
ＯＬＩが形成されて、必要に応じて配向処理が施され、
初期配向方向を制御している。またＧＬＳ２及びＧＬＳ
１の外側の面にはそれぞれ偏光板ＰＯＬが貼られる。こ
の偏光板は互いのガラス基板間で偏光軸が直交するいわ
ゆるクロスニコル状態が形成されている。表示としては
ノーマリーブラックモードの、すなわち、無電界で黒表
示とした液晶表示装置である。
【００３０】前記、画素電極ＳＰＴと共通電極ＣＰＴで
挟まれた領域が主透過領域である。ＩＰＳ方式では、こ
のＳＰＴとＣＰＴの電極間に印加された横電界Ｅにより
液晶分子ＬＣが印加電圧により回転し、クロスニコルに
配置された偏光板への偏光度を変えて透過率が変化す
る。結果的に、横方向に電界が印加されない場合は、た
とえ画素電極あるいは共通電極がＩＴＯのような透明電
極であっても透過率が変化しない。本実施例では、ポジ
型の液晶分子ＬＣを用いており、前記画素透明電極ＳＰ
Ｔ及び共通透明電極ＣＰＴはその端部では電極上で１．
５μｍは横電界成分が印加されるので透過に寄与する。
挟まれた領域が主透過領域である。ＩＰＳ方式では、こ
のＳＰＴとＣＰＴの電極間に印加された横電界Ｅにより
液晶分子ＬＣが印加電圧により回転し、クロスニコルに
配置された偏光板への偏光度を変えて透過率が変化す
る。結果的に、横方向に電界が印加されない場合は、た
とえ画素電極あるいは共通電極がＩＴＯのような透明電
極であっても透過率が変化しない。本実施例では、ポジ
型の液晶分子ＬＣを用いており、前記画素透明電極ＳＰ
Ｔ及び共通透明電極ＣＰＴはその端部では電極上で１．
５μｍは横電界成分が印加されるので透過に寄与する。
【００３１】有機保護膜ＦＰＡＳはその比誘電率は約３
とＳｉＮで形成した保護膜ＰＡＳの約７に比べて半分程
度と低い。さらにその厚さは、ＳｉＮが真空中の気相成
長法で製膜しているのに比べ塗布法で形成することがで
きるため、簡易にＳｉＮの２００ｎｍに対して１０倍の
２μｍ以上の成膜が実現する。したがって有機保護膜Ｆ
ＰＡＳ上に配置された透明電極ＳＰＴ及びＣＰＴはドレ
イン配線ＤＬ上に配置してもドレイン配線ＤＬと電極間
の寄生容量が極めて小さくでき、結果的に平面レイアウ
トが最適化でき、開口率が向上し、明るい液晶表示装置
が提供できる。
とＳｉＮで形成した保護膜ＰＡＳの約７に比べて半分程
度と低い。さらにその厚さは、ＳｉＮが真空中の気相成
長法で製膜しているのに比べ塗布法で形成することがで
きるため、簡易にＳｉＮの２００ｎｍに対して１０倍の
２μｍ以上の成膜が実現する。したがって有機保護膜Ｆ
ＰＡＳ上に配置された透明電極ＳＰＴ及びＣＰＴはドレ
イン配線ＤＬ上に配置してもドレイン配線ＤＬと電極間
の寄生容量が極めて小さくでき、結果的に平面レイアウ
トが最適化でき、開口率が向上し、明るい液晶表示装置
が提供できる。
【００３２】ポリシリコンを半導体層として用いる表示
装置では、ポリシリコンＰＳＩ中の欠陥の置き換え効果
があるＳｉＮをポリシリコンより上層のいずれかの層に
設けることが望ましい。本実施例では、保護絶縁膜をＳ
ｉＮとすることでこれを実現した。ＳｉＮは、ＳｉＮ：
Ｈの形で水素をトラップする特性がある。ダングリング
ボンドがＨ原子で終端され安定化するためである。これ
により、ポリシリコンＰＳＩ中の欠陥を置き換え、ＰＳ
Ｉの特性を安定化し、しきい値電圧の変動を防止でき
る。
装置では、ポリシリコンＰＳＩ中の欠陥の置き換え効果
があるＳｉＮをポリシリコンより上層のいずれかの層に
設けることが望ましい。本実施例では、保護絶縁膜をＳ
ｉＮとすることでこれを実現した。ＳｉＮは、ＳｉＮ：
Ｈの形で水素をトラップする特性がある。ダングリング
ボンドがＨ原子で終端され安定化するためである。これ
により、ポリシリコンＰＳＩ中の欠陥を置き換え、ＰＳ
Ｉの特性を安定化し、しきい値電圧の変動を防止でき
る。
【００３３】ＳｉＮによるＰＡＳ、アクリルによるＦＰ
ＡＳの２種類の保護膜をそれぞれ別のホト工程を用いて
加工した場合製造する上の製造工程が増加してコストが
上昇する。本実施例では、有機保護膜ＦＰＡＳとして感
光性のアクリル樹脂を用い、これを現像し、有機保護膜
ＦＰＡＳ自身をマスクとして保護膜ＰＡＳを加工してい
る。そのため第２のコンタクトホールＣＮＴ２はその開
口端面はほぼ同一パターンになっている。これらの採用
で、簡単な製造工程で明るい液晶表示が提供できる。
ＡＳの２種類の保護膜をそれぞれ別のホト工程を用いて
加工した場合製造する上の製造工程が増加してコストが
上昇する。本実施例では、有機保護膜ＦＰＡＳとして感
光性のアクリル樹脂を用い、これを現像し、有機保護膜
ＦＰＡＳ自身をマスクとして保護膜ＰＡＳを加工してい
る。そのため第２のコンタクトホールＣＮＴ２はその開
口端面はほぼ同一パターンになっている。これらの採用
で、簡単な製造工程で明るい液晶表示が提供できる。
【００３４】次に液晶パネルの概観の平面構造について
説明する。図４は上下のガラス基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２
を含む表示パネルのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面
を示す図である。このパネルの製造では、小さいサイズ
であればスループット向上のため１枚のガラス基板で複
数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きい
サイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準
化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合
ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を
経てからガラスを切断する。
説明する。図４は上下のガラス基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２
を含む表示パネルのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面
を示す図である。このパネルの製造では、小さいサイズ
であればスループット向上のため１枚のガラス基板で複
数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きい
サイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準
化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合
ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を
経てからガラスを切断する。
【００３５】図４は後者の例を示すもので、上下基板Ｇ
ＬＳ１、ＧＬＳ２の切断後を表している。いずれの場合
も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄが存在する
（図で上辺）部分はそれらを露出するように上側基板Ｇ
ＬＳ２の大きさが下側基板ＧＬＳ１よりも内側に制限さ
れている。端子群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述するＴＦＴ
ガラス基板ＧＬＳ１上で表示部ＡＲの左右に配置された
低温ポリシリコンＴＦＴの走査回路ＧＳＣＬへ供給する
電源及びタイミングデータに関する接続端子、表示領域
ＡＲの上部でＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上に低温ポリシ
リコンＴＦＴのドレイン分割回路ＤＤＣへの映像データ
あるいは電源データを供給するための端子Ｔｄであり、
引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープ
キャリアパッケージＴＣＰ（図５）の単位に複数本まと
めて配置されている。各群のマトリクス部からＴＦＴガ
ラス基板上のドレイン分割回路ＤＤＣを経て外部接続端
子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜
している。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び
各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネ
ルのドレイン信号端子Ｔｄを合わせるためである。
ＬＳ１、ＧＬＳ２の切断後を表している。いずれの場合
も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄが存在する
（図で上辺）部分はそれらを露出するように上側基板Ｇ
ＬＳ２の大きさが下側基板ＧＬＳ１よりも内側に制限さ
れている。端子群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述するＴＦＴ
ガラス基板ＧＬＳ１上で表示部ＡＲの左右に配置された
低温ポリシリコンＴＦＴの走査回路ＧＳＣＬへ供給する
電源及びタイミングデータに関する接続端子、表示領域
ＡＲの上部でＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上に低温ポリシ
リコンＴＦＴのドレイン分割回路ＤＤＣへの映像データ
あるいは電源データを供給するための端子Ｔｄであり、
引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープ
キャリアパッケージＴＣＰ（図５）の単位に複数本まと
めて配置されている。各群のマトリクス部からＴＦＴガ
ラス基板上のドレイン分割回路ＤＤＣを経て外部接続端
子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜
している。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び
各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネ
ルのドレイン信号端子Ｔｄを合わせるためである。
【００３６】透明ガラス基板ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。
【００３７】図３の断面構造で示した配向膜ＯＲＩ層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。液晶ＬＣ
は液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩと上部配
向膜ＯＲＩとの間でシールパターンＳＬで仕切られた領
域に封入されている。
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。液晶ＬＣ
は液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩと上部配
向膜ＯＲＩとの間でシールパターンＳＬで仕切られた領
域に封入されている。
【００３８】この液晶表示装置は、ＧＬＳ１側、ＧＬＳ
２側で別個に種々の層を積み重ね、シールパターンＳＬ
を基板ＧＬＳ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１と上部透明ガラス基板ＧＬＳ２とを重ね合わせ、シー
ル材ＳＬの開口部として設けられる封入口ＩＮＪから液
晶ＬＣを注入し、その後該封入口をエポキシ樹脂などで
封止し、上下基板を切断することによって組み立てられ
る。むろん液晶の注入は吸引法あるいは滴下法などによ
っても良い。
２側で別個に種々の層を積み重ね、シールパターンＳＬ
を基板ＧＬＳ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１と上部透明ガラス基板ＧＬＳ２とを重ね合わせ、シー
ル材ＳＬの開口部として設けられる封入口ＩＮＪから液
晶ＬＣを注入し、その後該封入口をエポキシ樹脂などで
封止し、上下基板を切断することによって組み立てられ
る。むろん液晶の注入は吸引法あるいは滴下法などによ
っても良い。
【００３９】図５は、図４に示した表示パネルに映像信
号駆動ＩＣを搭載したＴＣＰとＴＦＴ基板ＧＬＳ１上に
低温ポリシリコンＴＦＴで形成したドレイン分割回路Ｄ
ＤＣとの接続及びＴＦＴ基板ＧＬＳ１に低温ポリシリコ
ンＴＦＴで形成した走査回路ＧＳＣＬと外部とを接続し
た状態を示す上面図である。
号駆動ＩＣを搭載したＴＣＰとＴＦＴ基板ＧＬＳ１上に
低温ポリシリコンＴＦＴで形成したドレイン分割回路Ｄ
ＤＣとの接続及びＴＦＴ基板ＧＬＳ１に低温ポリシリコ
ンＴＦＴで形成した走査回路ＧＳＣＬと外部とを接続し
た状態を示す上面図である。
【００４０】ＴＣＰは駆動用ＩＣチップがテープ・オー
トメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装さ
れたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰ
やコントロールＩＣであるＴＣＯＮ、その他電源用のア
ンプ、抵抗、コンデンサ等が実装された駆動回路基板で
ある。ＣＪはパソコンなどからの信号や電源を導入する
コネクタ接続部分である。
トメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装さ
れたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰ
やコントロールＩＣであるＴＣＯＮ、その他電源用のア
ンプ、抵抗、コンデンサ等が実装された駆動回路基板で
ある。ＣＪはパソコンなどからの信号や電源を導入する
コネクタ接続部分である。
【００４１】上記のように、液晶表示装置の外周部はＴ
ＦＴガラス基板上に外部回路との接続端子Ｔｇあるいは
Ｔｄが形成される領域である。またＴＦＴガラス基板と
ＣＦガラス基板とを接続させるシール材が形成された領
域である。
ＦＴガラス基板上に外部回路との接続端子Ｔｇあるいは
Ｔｄが形成される領域である。またＴＦＴガラス基板と
ＣＦガラス基板とを接続させるシール材が形成された領
域である。
【００４２】図１に図４の１−１’切断線での断面構造
の一例を示し、特に外周部、すなわち有効表示領域外の
領域を説明する。図１により図４のＴＦＴ液晶セルの接
続端子Ｔｄ、シール領域、画面領域に対する断面構造の
一例を説明する。
の一例を示し、特に外周部、すなわち有効表示領域外の
領域を説明する。図１により図４のＴＦＴ液晶セルの接
続端子Ｔｄ、シール領域、画面領域に対する断面構造の
一例を説明する。
【００４３】ＧＬＳ１とＧＬＳ２はシール材ＳＥＬを介
して組み合わされ、これらの間に液晶ＬＣが封入されて
いる。シール材は上下のガラス基板の接着材の役割を果
し、有機系材料を印刷あるいは塗布し、紫外線あるいは
熱で硬化させる。
して組み合わされ、これらの間に液晶ＬＣが封入されて
いる。シール材は上下のガラス基板の接着材の役割を果
し、有機系材料を印刷あるいは塗布し、紫外線あるいは
熱で硬化させる。
【００４４】ＧＬＳ１がＧＬＳ２から外側に突き出した
領域には、外部回路のテープキャリアパッケージＴＣＰ
あるいはフレキシブルプリント基板ＦＰＣに最終的に接
続される接続端子電極ＴＭが形成されている。接続端子
電極ＴＭは、例えば図３の画素領域の断面構造での画素
電極ＳＰＴに用いられているＩＴＯで構成する。ＩＴＯ
を初めとする透明導電体は、酸化物であるため酸化に対
する安定性がほとんどの金属材料より高く、端子ＴＭの
ように水分にさらされる端子の腐食性を向上できる材料
である。図1の右側の領域は画素領域へ向かう領域であ
る。図４の端子配線Ｔｄは、図１においては、以下の電
流経路を持つ配線の総称である。すなわち、端子電極Ｔ
Ｍ、保護膜ＰＡＳ及び有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口した
コンタクトホールＣＮＴ２を経て、図３のドレイン配線
ＤＬと同一工程、材料で形成された金属配線（図１では
ＤＬと記載）、層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第1のコ
ンタクトホールＣＮＴ１を経て、図３のゲート配線ＧＬ
と同一工程、材料で構成された金属材料（図１ではＧＬ
と記載）、そして再度、第1のコンタクトホールＣＮＴ
１を経てドレイン配線ＤＬへ至る。
領域には、外部回路のテープキャリアパッケージＴＣＰ
あるいはフレキシブルプリント基板ＦＰＣに最終的に接
続される接続端子電極ＴＭが形成されている。接続端子
電極ＴＭは、例えば図３の画素領域の断面構造での画素
電極ＳＰＴに用いられているＩＴＯで構成する。ＩＴＯ
を初めとする透明導電体は、酸化物であるため酸化に対
する安定性がほとんどの金属材料より高く、端子ＴＭの
ように水分にさらされる端子の腐食性を向上できる材料
である。図1の右側の領域は画素領域へ向かう領域であ
る。図４の端子配線Ｔｄは、図１においては、以下の電
流経路を持つ配線の総称である。すなわち、端子電極Ｔ
Ｍ、保護膜ＰＡＳ及び有機保護膜ＦＰＡＳ膜に開口した
コンタクトホールＣＮＴ２を経て、図３のドレイン配線
ＤＬと同一工程、材料で形成された金属配線（図１では
ＤＬと記載）、層間絶縁膜ＩＬＩに開口された第1のコ
ンタクトホールＣＮＴ１を経て、図３のゲート配線ＧＬ
と同一工程、材料で構成された金属材料（図１ではＧＬ
と記載）、そして再度、第1のコンタクトホールＣＮＴ
１を経てドレイン配線ＤＬへ至る。
【００４５】ＧＬＳ１とＧＬＳ２の間隙、すなわち液晶
ギャップは支柱ＣＳで規定である。ＣＳはＧＬＳ１ある
いはＧＬＳ２上に有機膜を塗布、ホト、現像、加熱の一
連の工程を経て加工される。基本的には、円筒、台形、
四角などの形状に加工され、画素部では数画素に１個の
単位で透過率や配向膜のラビング処理による配向状態へ
の影響を少なくする場所に配置される。外周部において
も同図のように液晶ギャップを保持するために配置され
ている。
ギャップは支柱ＣＳで規定である。ＣＳはＧＬＳ１ある
いはＧＬＳ２上に有機膜を塗布、ホト、現像、加熱の一
連の工程を経て加工される。基本的には、円筒、台形、
四角などの形状に加工され、画素部では数画素に１個の
単位で透過率や配向膜のラビング処理による配向状態へ
の影響を少なくする場所に配置される。外周部において
も同図のように液晶ギャップを保持するために配置され
ている。
【００４６】以上のような外周部では、（１）液晶ギャ
ップを保つ、（２）上下基板を接着する、（３）水分な
どによる腐食の影響を受けやすい端子領域の配線の腐食
を防ぐ、（４）制御されない光漏れを防止する、という
４つの大きな役割が要求される。
ップを保つ、（２）上下基板を接着する、（３）水分な
どによる腐食の影響を受けやすい端子領域の配線の腐食
を防ぐ、（４）制御されない光漏れを防止する、という
４つの大きな役割が要求される。
【００４７】（１）に対しては、シールＳＥＬ中にファ
イバあるいは支柱ＣＳを設ける、もしくはシールＳＥＬ
近傍に支柱ＣＳを設けることが望ましい。図1にはシー
ル近傍に設けた支柱ＣＳを開示する。むろん、シールＳ
ＥＬ中にさらにファイバあるいは支柱を設けても良い。
しかし図1のように画素領域とシールＳＥＬ部で段差の
ある構造では、シール近傍のＦＰＡＳ形成領域に支柱Ｃ
Ｓを設ける、あるいはシールＳＥＬ内にＣＳより太いフ
ァイバを設けることの一方もしくは双方を組み合わせて
用いることが望ましい。
イバあるいは支柱ＣＳを設ける、もしくはシールＳＥＬ
近傍に支柱ＣＳを設けることが望ましい。図1にはシー
ル近傍に設けた支柱ＣＳを開示する。むろん、シールＳ
ＥＬ中にさらにファイバあるいは支柱を設けても良い。
しかし図1のように画素領域とシールＳＥＬ部で段差の
ある構造では、シール近傍のＦＰＡＳ形成領域に支柱Ｃ
Ｓを設ける、あるいはシールＳＥＬ内にＣＳより太いフ
ァイバを設けることの一方もしくは双方を組み合わせて
用いることが望ましい。
【００４８】（４）に対しては、本実施例では図１に示
すようにＧＬＳ２基板の内側面に金属あるいは黒顔料を
混入した有機材料のブラックマトリクスＢＭを配置し、
その遮光性を保つことで外周部の光漏れを防止した。
すようにＧＬＳ２基板の内側面に金属あるいは黒顔料を
混入した有機材料のブラックマトリクスＢＭを配置し、
その遮光性を保つことで外周部の光漏れを防止した。
【００４９】（２）に対しては、その接着強度は強いほ
うが望ましい。信頼性が向上するからである。上下基板
はシール材ＳＥＬで接着され、その接着強度は相手基板
の表面状態に強く依存する。例えば、汚染度、水分有
無、表面の微細な凹凸などである。本実施例では、ＣＦ
ガラス基板ＧＬＳ２上では、オーバコート膜ＯＣとし
た。これにより、ＣＦの段差を平坦化した。平坦化によ
り、段差部があった場合のシール材の形成不良やボイド
（空隙）を防止できるため、接着強度が向上する。一
方、ＧＬＳ１基板上では図３に示すように画素領域に有
機保護膜ＦＰＡＳを形成した。ＦＰＡＳとしてはポジ型
の感光性有機材料を用いた。ＦＰＡＳは有機材料であ
り、成膜時に溶媒成分を含み、形成後の加熱によっても
溶媒成分の完全な除去が困難であるためシール材ＳＥＬ
との接着性が低いという課題がある。これに対し、非有
機系であるＳｉＮである保護膜ＰＡＳやＳｉＯ２である
層間絶縁膜ＩＬＩは極めて高い接着強度を持つ。したが
って、シール材ＳＥＬに対する接着面をＰＡＳかＩＬＩ
とすることが望ましい。さらに、シール材ＳＥＬにシラ
ンカップリング材を混合することで、Ｓｉを含有するＰ
ＡＳやＩＬＩとの接着強度をさらに向上することが可能
となる。分子間力の増加が図れるからである。
うが望ましい。信頼性が向上するからである。上下基板
はシール材ＳＥＬで接着され、その接着強度は相手基板
の表面状態に強く依存する。例えば、汚染度、水分有
無、表面の微細な凹凸などである。本実施例では、ＣＦ
ガラス基板ＧＬＳ２上では、オーバコート膜ＯＣとし
た。これにより、ＣＦの段差を平坦化した。平坦化によ
り、段差部があった場合のシール材の形成不良やボイド
（空隙）を防止できるため、接着強度が向上する。一
方、ＧＬＳ１基板上では図３に示すように画素領域に有
機保護膜ＦＰＡＳを形成した。ＦＰＡＳとしてはポジ型
の感光性有機材料を用いた。ＦＰＡＳは有機材料であ
り、成膜時に溶媒成分を含み、形成後の加熱によっても
溶媒成分の完全な除去が困難であるためシール材ＳＥＬ
との接着性が低いという課題がある。これに対し、非有
機系であるＳｉＮである保護膜ＰＡＳやＳｉＯ２である
層間絶縁膜ＩＬＩは極めて高い接着強度を持つ。したが
って、シール材ＳＥＬに対する接着面をＰＡＳかＩＬＩ
とすることが望ましい。さらに、シール材ＳＥＬにシラ
ンカップリング材を混合することで、Ｓｉを含有するＰ
ＡＳやＩＬＩとの接着強度をさらに向上することが可能
となる。分子間力の増加が図れるからである。
【００５０】本実施例では、シール材ＳＥＬによる接着
強度を向上させるために以下のような構造を導入した。
ガラス基板ＧＬＳ１上に有機保護膜ＦＰＡＳ及び保護膜
ＰＡＳの積層膜に対する開口部ＣＮＴ２を形成する。こ
の開口部の形成方法は図３での第２のコンタクトホール
ＣＮＴ２と同じである。前記外周部の開口部ＣＮＴ２の
幅は少なくとも上下のガラス基板の接着強度を安定に保
つ以上の幅とする。本実施例ではシール幅より開口部の
幅を広く形成してある。シール材ＳＥＬは層間絶縁膜Ｉ
ＬＩと接しており、接着強度が極めて高くなっている。
さらに、この開口部の層間絶縁膜ＩＬＩの表面は、保護
膜ＰＡＳをＦ系ガスを用いたドライエッチングで加工さ
れた面であり、その清純度が高く形成されている。さら
に、表面に極微少な形状の凹凸が形成されているため、
接触面積の増加により極めて高い接着強度面となってお
りその効果を高めている。微少であることによりボイド
等の発生を生じずに、接着力向上の効果のみを奏するこ
とができる。このためには、微少な凹凸の高さの差が５
０ｎｍ以下であることが望ましい。
強度を向上させるために以下のような構造を導入した。
ガラス基板ＧＬＳ１上に有機保護膜ＦＰＡＳ及び保護膜
ＰＡＳの積層膜に対する開口部ＣＮＴ２を形成する。こ
の開口部の形成方法は図３での第２のコンタクトホール
ＣＮＴ２と同じである。前記外周部の開口部ＣＮＴ２の
幅は少なくとも上下のガラス基板の接着強度を安定に保
つ以上の幅とする。本実施例ではシール幅より開口部の
幅を広く形成してある。シール材ＳＥＬは層間絶縁膜Ｉ
ＬＩと接しており、接着強度が極めて高くなっている。
さらに、この開口部の層間絶縁膜ＩＬＩの表面は、保護
膜ＰＡＳをＦ系ガスを用いたドライエッチングで加工さ
れた面であり、その清純度が高く形成されている。さら
に、表面に極微少な形状の凹凸が形成されているため、
接触面積の増加により極めて高い接着強度面となってお
りその効果を高めている。微少であることによりボイド
等の発生を生じずに、接着力向上の効果のみを奏するこ
とができる。このためには、微少な凹凸の高さの差が５
０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００５１】（３）の配線腐食防止に対しては、本実施
例では配線腐食防止と（２）の接着強度増加を両立でき
る以下の構造を導入した。本実施例では、ドレイン配線
ＤＬの外部の端子ＴＭへの引出しを、シール材ＳＥＬよ
り画素領域側で第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介し
て一度ゲート配線ＧＬ層へ繋ぎ、少なくとも、シール材
ＳＥＬ領域を通過した後に再度第１のコンタクトホール
ＣＮＴ１を経由して、ドレイン配線ＤＬと同一工程、材
料で形成した金属材料領域を経て、第２のコンタクトホ
ールＣＮＴ２により腐食に強いＩＴＯ等の酸化物透明導
電体で形成した端子電極ＴＭに至る。すなわち、このよ
うにドレイン配線ＤＬをゲート配線ＧＬと同一工程、材
料で構成した配線へ一旦繋ぎ変えることで少なくともシ
ール材ＳＥＬ領域の下部の金属配線はその上部を層間絶
縁膜ＩＬＩで保護されているので腐食に対する耐性が保
たれている。むろん、腐食耐性向上の観点からは、ＩＬ
Ｉ上にＰＡＳが延在しても良い。
例では配線腐食防止と（２）の接着強度増加を両立でき
る以下の構造を導入した。本実施例では、ドレイン配線
ＤＬの外部の端子ＴＭへの引出しを、シール材ＳＥＬよ
り画素領域側で第１のコンタクトホールＣＮＴ１を介し
て一度ゲート配線ＧＬ層へ繋ぎ、少なくとも、シール材
ＳＥＬ領域を通過した後に再度第１のコンタクトホール
ＣＮＴ１を経由して、ドレイン配線ＤＬと同一工程、材
料で形成した金属材料領域を経て、第２のコンタクトホ
ールＣＮＴ２により腐食に強いＩＴＯ等の酸化物透明導
電体で形成した端子電極ＴＭに至る。すなわち、このよ
うにドレイン配線ＤＬをゲート配線ＧＬと同一工程、材
料で構成した配線へ一旦繋ぎ変えることで少なくともシ
ール材ＳＥＬ領域の下部の金属配線はその上部を層間絶
縁膜ＩＬＩで保護されているので腐食に対する耐性が保
たれている。むろん、腐食耐性向上の観点からは、ＩＬ
Ｉ上にＰＡＳが延在しても良い。
【００５２】また、端子部ＴＭを一度ＤＬと同層の金属
材料を経由してゲート配線材料と接続した理由は、例え
ばＧＬの材料としてＭｏあるいはＭｏＷのようなＦ系ガ
スのドライエッチングに対する選択比の小さい材料も適
用を可能とするための汎用構造を目指したからである。
上記のような選択比の小さい材料では、第２のコンタク
トホールＣＮＴ２開口時にエッチングガスがＧＬにあた
るとＧＬがエッチング除去されるので、該領域でＧＬの
消失の危険がある。そこで、ドレイン配線ＤＬと同一材
料に繋ぎ変えることでこのような懸念を払拭した。むろ
ん、ドライエッチング耐性の高い材料では、ＴＭとＧＬ
層を直接接続しても良い。なお、ドレイン配線ＤＬの配
線材料が厚い場合には、シール外領域でのＴＭと接触す
るＤＬを十分保護するため、有機保護膜ＦＰＡＳもＴＭ
周囲に設けることが望ましい。本実施例では、ＤＬの低
抵抗化による遅延低減の観点からＤＬと同層の配線材料
の厚さを５００ｎｍ以上と厚く形成したため、保護膜Ｐ
ＡＳ上に有機保護膜ＦＰＡＳも設けて被覆した。
材料を経由してゲート配線材料と接続した理由は、例え
ばＧＬの材料としてＭｏあるいはＭｏＷのようなＦ系ガ
スのドライエッチングに対する選択比の小さい材料も適
用を可能とするための汎用構造を目指したからである。
上記のような選択比の小さい材料では、第２のコンタク
トホールＣＮＴ２開口時にエッチングガスがＧＬにあた
るとＧＬがエッチング除去されるので、該領域でＧＬの
消失の危険がある。そこで、ドレイン配線ＤＬと同一材
料に繋ぎ変えることでこのような懸念を払拭した。むろ
ん、ドライエッチング耐性の高い材料では、ＴＭとＧＬ
層を直接接続しても良い。なお、ドレイン配線ＤＬの配
線材料が厚い場合には、シール外領域でのＴＭと接触す
るＤＬを十分保護するため、有機保護膜ＦＰＡＳもＴＭ
周囲に設けることが望ましい。本実施例では、ＤＬの低
抵抗化による遅延低減の観点からＤＬと同層の配線材料
の厚さを５００ｎｍ以上と厚く形成したため、保護膜Ｐ
ＡＳ上に有機保護膜ＦＰＡＳも設けて被覆した。
【００５３】また、端子電極ＴＭが被覆される領域の下
部の第１のコンタクトホールＣＮＴ１と第２のコンタク
トホールはその開口部が重ならないように平面的に配置
されている。これは、コンタクトホールＣＮＴ１とＣＮ
Ｔ２が重なることによる段差増大を回避し、ＴＭの段差
低減によるＴＣＰとの接続抵抗の低減を図り、また十分
な被覆形状の確保により端子電極ＴＭ下部のＤＬと同層
の金属材料層の腐食を防止するためである。
部の第１のコンタクトホールＣＮＴ１と第２のコンタク
トホールはその開口部が重ならないように平面的に配置
されている。これは、コンタクトホールＣＮＴ１とＣＮ
Ｔ２が重なることによる段差増大を回避し、ＴＭの段差
低減によるＴＣＰとの接続抵抗の低減を図り、また十分
な被覆形状の確保により端子電極ＴＭ下部のＤＬと同層
の金属材料層の腐食を防止するためである。
【００５４】上記のような、外周部におけるシール材Ｓ
ＥＬと端子領域の構造により、シール材の接着強度が高
く、端子配線の腐食のない液晶表示装置を提供できる。
ＥＬと端子領域の構造により、シール材の接着強度が高
く、端子配線の腐食のない液晶表示装置を提供できる。
【００５５】次に、図３に示すようなＮＭＯＳ型ＴＦＴ
及び図１に示すような外周部の製造工程を図６〜図１１
を用いて説明する。図6〜図１１において、各工程で
（ａ）は外周部、（ｂ）は画素部が形成される様子を説
明する。
及び図１に示すような外周部の製造工程を図６〜図１１
を用いて説明する。図6〜図１１において、各工程で
（ａ）は外周部、（ｂ）は画素部が形成される様子を説
明する。
【００５６】厚さ０．５ｍｍ、サイズ７３０ｍｍ×９２
０ｍｍの歪点約６７０℃の無アルカリガラス基板ＧＬＳ
１を洗浄後、ＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２の混合ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜、続
いて、テトラエトキシシランとＯ２の混合ガスを用いた
プラズマＣＶＤ法により、膜厚１２０ｎｍのＳｉＯ２膜
の積層の下地絶縁膜ＵＬＳを形成する。本絶縁膜ＵＬＳ
は多結晶シリコン膜へのガラス基板ＧＬＳ１からのＮａ
拡散を防止するためである。ＳｉＮ、ＳｉＯ２ともに形
成温度は４００℃である。なお、本願では半導体層とし
て多結晶シリコンで代表するが、巨大結晶シリコン、連
続粒界シリコン、アモルファスシリコンでもよい。また
ガラス厚、サイズは異なっていても良い。
０ｍｍの歪点約６７０℃の無アルカリガラス基板ＧＬＳ
１を洗浄後、ＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２の混合ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜、続
いて、テトラエトキシシランとＯ２の混合ガスを用いた
プラズマＣＶＤ法により、膜厚１２０ｎｍのＳｉＯ２膜
の積層の下地絶縁膜ＵＬＳを形成する。本絶縁膜ＵＬＳ
は多結晶シリコン膜へのガラス基板ＧＬＳ１からのＮａ
拡散を防止するためである。ＳｉＮ、ＳｉＯ２ともに形
成温度は４００℃である。なお、本願では半導体層とし
て多結晶シリコンで代表するが、巨大結晶シリコン、連
続粒界シリコン、アモルファスシリコンでもよい。また
ガラス厚、サイズは異なっていても良い。
【００５７】次に、ＵＬＳ上にＳｉＨ４、Ａｒの混合ガ
スを用いたプラズマＣＶＤ法によりほぼ真性（イントリ
ンシック）の水素化非晶質シリコン膜を５０ｎｍ形成す
る。成膜温度は４００℃で、成膜直後水素量は約５ａｔ
％である。次に基板を４５０℃で約３０分間アニールす
ることにより、水素化非晶質シリコン膜中の水素を放出
させる。アニ−ル後の水素量は約１ａｔ％である。
スを用いたプラズマＣＶＤ法によりほぼ真性（イントリ
ンシック）の水素化非晶質シリコン膜を５０ｎｍ形成す
る。成膜温度は４００℃で、成膜直後水素量は約５ａｔ
％である。次に基板を４５０℃で約３０分間アニールす
ることにより、水素化非晶質シリコン膜中の水素を放出
させる。アニ−ル後の水素量は約１ａｔ％である。
【００５８】次に、波長３０８ｎｍのエキシマレーザ光
ＬＡＳＥＲを前記非晶質シリコン膜にフルエンス４００
ｍＪ／ｃｍ２で照射し、非晶質シリコン膜を溶融再結晶
化させて、ほぼ真性の多結晶シリコン膜を得る。この時
レーザビームは幅０．３ｍｍ、長さ２００ｍｍの細線状
の形状であり、ビームの長手方向とほぼ垂直な方向に基
板を１０μｍピッチで移動しながら照射した。照射時は
窒素雰囲気とした。
ＬＡＳＥＲを前記非晶質シリコン膜にフルエンス４００
ｍＪ／ｃｍ２で照射し、非晶質シリコン膜を溶融再結晶
化させて、ほぼ真性の多結晶シリコン膜を得る。この時
レーザビームは幅０．３ｍｍ、長さ２００ｍｍの細線状
の形状であり、ビームの長手方向とほぼ垂直な方向に基
板を１０μｍピッチで移動しながら照射した。照射時は
窒素雰囲気とした。
【００５９】ホトリソグラフィ法により所定のレジスト
パターンを多結晶シリコン膜上に形成しＣＦ４とＯ２の
混合ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によ
り多結晶シリコン膜ＰＳＩを所定の形状に加工する（図
６）。
パターンを多結晶シリコン膜上に形成しＣＦ４とＯ２の
混合ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によ
り多結晶シリコン膜ＰＳＩを所定の形状に加工する（図
６）。
【００６０】次に、テトラエトキシシランと酸素の混合
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの
ＳｉＯ２を形成しゲート絶縁膜ＧＩを得る。この時のテ
トラエトキシシランとＯ２の混合比は１：５０、形成温
度は４００℃である。引き続きイオン注入法によりより
Ｂイオンを加速電圧３３ＫｅＶ、ドーズ量１Ｅ１２（ｃ
ｍ−２）で打ちこみ、ｎ型ＴＦＴのチャネル領域のポリ
シリコン膜ＰＳＩ（ｐ）を形成する。
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの
ＳｉＯ２を形成しゲート絶縁膜ＧＩを得る。この時のテ
トラエトキシシランとＯ２の混合比は１：５０、形成温
度は４００℃である。引き続きイオン注入法によりより
Ｂイオンを加速電圧３３ＫｅＶ、ドーズ量１Ｅ１２（ｃ
ｍ−２）で打ちこみ、ｎ型ＴＦＴのチャネル領域のポリ
シリコン膜ＰＳＩ（ｐ）を形成する。
【００６１】次にスパッタリング法により、金属配線材
料ｇ1、例えばＭｏあるいはＭｏＷ膜を２００ｎｍ形成
後、通常のホトリソグラフィ法により所定のレジストパ
ターンをＭｏ膜上に形成し、混酸を用いたウエットエッ
チング法によりＭｏ膜を所定の形状に加工しゲート配線
ＧＬおよび第２の共通配線ＣＬ、端子部の引き出し配線
を構成するゲート配線ＧＬを得る。
料ｇ1、例えばＭｏあるいはＭｏＷ膜を２００ｎｍ形成
後、通常のホトリソグラフィ法により所定のレジストパ
ターンをＭｏ膜上に形成し、混酸を用いたウエットエッ
チング法によりＭｏ膜を所定の形状に加工しゲート配線
ＧＬおよび第２の共通配線ＣＬ、端子部の引き出し配線
を構成するゲート配線ＧＬを得る。
【００６２】エッチングに用いたレジストパターンを残
したまま、イオン注入法によりよりＰイオンを加速電圧
６０ＫｅＶ、ドーズ量１Ｅ１５（ｃｍ−２）で打ちこ
み、ｎ型ＴＦＴのソース、ドレイン領域ＰＳＩ（ｎ＋）
を形成する（図７）。 上記でｎ型ＴＦＴのソース、ド
レインがｎ＋型の低温ポリシリコン膜ＰＳＩ（ｎ＋）及
びｐ型のチャネル領域のポリシリコン膜ＰＳＩ（ｐ）が
できあがるが、以下のようにｐ型とｎ＋型の間にＰイオ
ン濃度がｎ＋型より少ないｎ型のＬＤＤ領域を作り、Ｔ
ＦＴのリーク電流を低減することができる（図示してい
ない）。すなわち、エッチングに用いたレジストパター
ンを除去後、再度イオン注入法によりPイオンを加速電
圧６５ＫｅＶ、ドーズ量２Ｅ１３（ｃｍ−２）で打ちこ
み、ｎ型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成する。ＬＤＤ領域の
長さはＭｏをウエットエッチングしたときのサイドエッ
チング量で定められる。本実施例の場合約０．８μmで
ある。この長さはＭｏのオーバーエッチング時間を変化
させることで制御できる。
したまま、イオン注入法によりよりＰイオンを加速電圧
６０ＫｅＶ、ドーズ量１Ｅ１５（ｃｍ−２）で打ちこ
み、ｎ型ＴＦＴのソース、ドレイン領域ＰＳＩ（ｎ＋）
を形成する（図７）。 上記でｎ型ＴＦＴのソース、ド
レインがｎ＋型の低温ポリシリコン膜ＰＳＩ（ｎ＋）及
びｐ型のチャネル領域のポリシリコン膜ＰＳＩ（ｐ）が
できあがるが、以下のようにｐ型とｎ＋型の間にＰイオ
ン濃度がｎ＋型より少ないｎ型のＬＤＤ領域を作り、Ｔ
ＦＴのリーク電流を低減することができる（図示してい
ない）。すなわち、エッチングに用いたレジストパター
ンを除去後、再度イオン注入法によりPイオンを加速電
圧６５ＫｅＶ、ドーズ量２Ｅ１３（ｃｍ−２）で打ちこ
み、ｎ型ＴＦＴのＬＤＤ領域を形成する。ＬＤＤ領域の
長さはＭｏをウエットエッチングしたときのサイドエッ
チング量で定められる。本実施例の場合約０．８μmで
ある。この長さはＭｏのオーバーエッチング時間を変化
させることで制御できる。
【００６３】次に、基板にエキシマランプまたはメタル
ハライドランプの光を照射するラピッドサーマルアニー
ル（ＲＡＴ)法により打ち込んだ不純物を活性化する。
エキシマランプまたはメタルハライドランプ等の紫外光
を多く含む光を用いてアニールすることにより、多結晶
シリコン層ＰＳＩのみを選択的に加熱でき、ガラス基板
が加熱されることによるダメージを回避できる。不純物
の活性化は、基板収縮や曲がり変形等が問題にならない
範囲で、４５０℃程度の温度での熱処理によっても可能
である（図７）。
ハライドランプの光を照射するラピッドサーマルアニー
ル（ＲＡＴ)法により打ち込んだ不純物を活性化する。
エキシマランプまたはメタルハライドランプ等の紫外光
を多く含む光を用いてアニールすることにより、多結晶
シリコン層ＰＳＩのみを選択的に加熱でき、ガラス基板
が加熱されることによるダメージを回避できる。不純物
の活性化は、基板収縮や曲がり変形等が問題にならない
範囲で、４５０℃程度の温度での熱処理によっても可能
である（図７）。
【００６４】次に、テトラエトキシシランと酸素の混合
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍの
ＳｉＯ２を形成し層間絶縁膜ＩＬＩを得る。この時のテ
トラエトキシシランとＯ２の混合比は１：５、形成温度
は３５０℃である。
ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により膜厚５００ｎｍの
ＳｉＯ２を形成し層間絶縁膜ＩＬＩを得る。この時のテ
トラエトキシシランとＯ２の混合比は１：５、形成温度
は３５０℃である。
【００６５】次に、所定のレジストパターンを形成後、
混酸を用いたウエットエッチング法により、前記層間絶
縁膜に第1のコンタクトスル−ホールＣＮＴ１を開孔す
る。層間絶縁膜ＩＬＩあるいは層間絶縁膜ＩＬＩとゲー
ト絶縁膜ＧＩの積層膜に対して開口される。層間絶縁膜
ＩＬＩのみを開口する場合は、下部にゲート配線ＧＬと
同一工程、材料で形成した金属材料ｇ1が埋設されてい
る場合である（図８）。
混酸を用いたウエットエッチング法により、前記層間絶
縁膜に第1のコンタクトスル−ホールＣＮＴ１を開孔す
る。層間絶縁膜ＩＬＩあるいは層間絶縁膜ＩＬＩとゲー
ト絶縁膜ＧＩの積層膜に対して開口される。層間絶縁膜
ＩＬＩのみを開口する場合は、下部にゲート配線ＧＬと
同一工程、材料で形成した金属材料ｇ1が埋設されてい
る場合である（図８）。
【００６６】続いて、スパッタリング法により、Ｔｉを
５０ｎｍ、Ａｌ−Ｓｉ合金を５００ｎｍ、Ｔｉを５０ｎ
ｍを順次積層形成した後に所定のレジストパターンを形
成し、その後ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスを用いたリア
クティブイオンエッチング法により一括エッチングし、
ドレイン配線ＤＬとソース電極ＳＭ、共通金属電極Ｃ
Ｍ、端子部のドレイン配線ＤＬを得る（図９）。
５０ｎｍ、Ａｌ−Ｓｉ合金を５００ｎｍ、Ｔｉを５０ｎ
ｍを順次積層形成した後に所定のレジストパターンを形
成し、その後ＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスを用いたリア
クティブイオンエッチング法により一括エッチングし、
ドレイン配線ＤＬとソース電極ＳＭ、共通金属電極Ｃ
Ｍ、端子部のドレイン配線ＤＬを得る（図９）。
【００６７】ＳｉＨ４とＮＨ３とＮ２の混合ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜で
ある保護膜ＰＡＳを形成し、さらに、スピン塗布法によ
りアクリル系感光性樹脂を約３.５μｍの膜厚で塗布
し、所定のマスクを用いて露光、現像して前記アクリル
系樹脂にスルーホールを形成する。次に２３０℃で２０
分間ベークすることで、アクリル樹脂を焼成し、膜厚
２．０μｍの平坦化有機保護膜ＦＰＡＳを得る。膜厚の
現象は、ＦＰＡＳの光、及び熱による反応による固化に
より生じる。続いて、前記有機保護膜ＦＰＡＳに設けた
スルーホールパターンをマスクとして下層のＳｉＮ膜を
ＣＦ４を用いたリアクティブイオンエッチング法により
加工し、ＳｉＮ膜に第２のコンタクトホールＣＮＴ２を
形成する。この際に、シール材ＳＥＬを塗布すべき開口
部を外周領域ＣＮＴ２も形成される（図１０）。
たプラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜で
ある保護膜ＰＡＳを形成し、さらに、スピン塗布法によ
りアクリル系感光性樹脂を約３.５μｍの膜厚で塗布
し、所定のマスクを用いて露光、現像して前記アクリル
系樹脂にスルーホールを形成する。次に２３０℃で２０
分間ベークすることで、アクリル樹脂を焼成し、膜厚
２．０μｍの平坦化有機保護膜ＦＰＡＳを得る。膜厚の
現象は、ＦＰＡＳの光、及び熱による反応による固化に
より生じる。続いて、前記有機保護膜ＦＰＡＳに設けた
スルーホールパターンをマスクとして下層のＳｉＮ膜を
ＣＦ４を用いたリアクティブイオンエッチング法により
加工し、ＳｉＮ膜に第２のコンタクトホールＣＮＴ２を
形成する。この際に、シール材ＳＥＬを塗布すべき開口
部を外周領域ＣＮＴ２も形成される（図１０）。
【００６８】このように有機保護膜ＦＰＡＳをマスクと
して用いて下層の絶縁膜を加工することにより、一回の
ホトリソグラフィ工程で２層の膜をパターニングでき、
工程を簡略化できる。
して用いて下層の絶縁膜を加工することにより、一回の
ホトリソグラフィ工程で２層の膜をパターニングでき、
工程を簡略化できる。
【００６９】最後にスパッタリング法によりＩＴＯ膜等
の透明導電膜を７０ｎｍ形成し、混酸を用いたウエット
エッチングにより所定の形状に加工して共通透明電極Ｃ
ＰＴおよび画素透明電極ＳＰＴ及び端子電極ＴＭを形成
しアクティブマトリクス基板が完成する（図１１）。以
上６回のホトリソグラフィ工程で多結晶シリコンＴＦＴ
が形成される。
の透明導電膜を７０ｎｍ形成し、混酸を用いたウエット
エッチングにより所定の形状に加工して共通透明電極Ｃ
ＰＴおよび画素透明電極ＳＰＴ及び端子電極ＴＭを形成
しアクティブマトリクス基板が完成する（図１１）。以
上６回のホトリソグラフィ工程で多結晶シリコンＴＦＴ
が形成される。
【００７０】（実施例２）図１２は実施例２におけるＴ
ＦＴ液晶表示装置の外周部の断面図、図１３は実施例２
におけるＴＦＴ液晶表示装置の画素部の断面図である。
実施例１に対する本実施例の構造上の特徴は、実施例１
で形成されていたＳｉＮ膜によるＴＦＴの保護膜ＰＡＳ
が省略されている点にある。
ＦＴ液晶表示装置の外周部の断面図、図１３は実施例２
におけるＴＦＴ液晶表示装置の画素部の断面図である。
実施例１に対する本実施例の構造上の特徴は、実施例１
で形成されていたＳｉＮ膜によるＴＦＴの保護膜ＰＡＳ
が省略されている点にある。
【００７１】ＳｉＮで形成された保護膜ＰＡＳを削除す
ることにより、プラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍ
のＳｉＮ膜である保護膜ＰＡＳを形成工程、ＣＦ４を用
いたリアクティブイオンエッチング法により加工した工
程が省略できる。このため、ＴＦＴ液晶表示装置の製造
工程を簡略化でき、コストの低減と工程短縮による歩留
り向上が実現できる。
ることにより、プラズマＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍ
のＳｉＮ膜である保護膜ＰＡＳを形成工程、ＣＦ４を用
いたリアクティブイオンエッチング法により加工した工
程が省略できる。このため、ＴＦＴ液晶表示装置の製造
工程を簡略化でき、コストの低減と工程短縮による歩留
り向上が実現できる。
【００７２】上記構造変更を実現するには、層間絶縁膜
ＩＬＩは実施例１のＳｉＯ２に対し、ＳｉＨ４とＮＨ３
とＮ２の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成する
ことが望ましい。これにより、図１３のポリシコンＰＳ
Ｉに水素を供給し結晶粒界のダングリングボンドを置換
する役目を果していた実施例１の保護膜ＰＡＳの役割を
層間絶縁膜が果すことができる。
ＩＬＩは実施例１のＳｉＯ２に対し、ＳｉＨ４とＮＨ３
とＮ２の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成する
ことが望ましい。これにより、図１３のポリシコンＰＳ
Ｉに水素を供給し結晶粒界のダングリングボンドを置換
する役目を果していた実施例１の保護膜ＰＡＳの役割を
層間絶縁膜が果すことができる。
【００７３】一方、外周部におけるシール材ＳＥＬの接
着性は層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成されている点で、実施
例１と同様に高い状態を実現できる。また、端子部の腐
食性は、端子電極ＴＭ下部のドレイン配線ＤＬ同一材料
で構成されている金属材料は有機保護膜ＦＰＡＳで被覆
されていることにより高いレベルに保たれている。
着性は層間絶縁膜ＩＬＩ上に形成されている点で、実施
例１と同様に高い状態を実現できる。また、端子部の腐
食性は、端子電極ＴＭ下部のドレイン配線ＤＬ同一材料
で構成されている金属材料は有機保護膜ＦＰＡＳで被覆
されていることにより高いレベルに保たれている。
【００７４】（実施例３）図１４は実施例３におけるＴ
ＦＴ液晶表示装置の外周部の断面図である。本実施例の
第１の特徴はガラス基板ＧＬＳ２から実施例１及び実施
例２に形成されていた、ブラックマトリクスＢＭが削除
されている点である。これにより、ガラス基板ＧＬＳ２
におけるブラックマトリクスＢＭを構成するコストが削
減される、ＢＭ工程を削除することで工程が削減され歩
留りが向上する効果がある。図には示されていないが、
本実施例ではポリシリコンＰＳＩ上に平面的に位置づけ
られた領域にはブラックマトリクスＢＭが形成されてい
ない。これは、ポリシリコンＰＳＩで形成したＴＦＴ
は、ガラス基板ＧＬＳ１側から照射されるバックライト
の光照射やガラス基板ＧＬＳ２側からの室内光などの外
光に対してのＴＦＴリーク電流増加が少ない特徴がある
ためである。従って、図１、図１２では、液晶表示で制
御されない外周部のみにブラックマトリクスＢＭを形成
していればよいのであり、ポリシリコンＰＳＩの遮光は
必須ではない。
ＦＴ液晶表示装置の外周部の断面図である。本実施例の
第１の特徴はガラス基板ＧＬＳ２から実施例１及び実施
例２に形成されていた、ブラックマトリクスＢＭが削除
されている点である。これにより、ガラス基板ＧＬＳ２
におけるブラックマトリクスＢＭを構成するコストが削
減される、ＢＭ工程を削除することで工程が削減され歩
留りが向上する効果がある。図には示されていないが、
本実施例ではポリシリコンＰＳＩ上に平面的に位置づけ
られた領域にはブラックマトリクスＢＭが形成されてい
ない。これは、ポリシリコンＰＳＩで形成したＴＦＴ
は、ガラス基板ＧＬＳ１側から照射されるバックライト
の光照射やガラス基板ＧＬＳ２側からの室内光などの外
光に対してのＴＦＴリーク電流増加が少ない特徴がある
ためである。従って、図１、図１２では、液晶表示で制
御されない外周部のみにブラックマトリクスＢＭを形成
していればよいのであり、ポリシリコンＰＳＩの遮光は
必須ではない。
【００７５】そこで本実施例では、ＢＭの代わりの外周
部の遮光を以下の構造により実現した。まず、外周部の
ガラス基板上ＧＬＳ１に透明電極で形成された共通電極
ＣＰＴを幅広く配置している。この共通電極ＣＰＴは少
なくとも本実施例のＴＦＴ液晶表示装置の１画素の幅よ
り広い値に設定する。本実施例では最小部で１００μｍ
以上、最大部で３ｍｍとした。
部の遮光を以下の構造により実現した。まず、外周部の
ガラス基板上ＧＬＳ１に透明電極で形成された共通電極
ＣＰＴを幅広く配置している。この共通電極ＣＰＴは少
なくとも本実施例のＴＦＴ液晶表示装置の１画素の幅よ
り広い値に設定する。本実施例では最小部で１００μｍ
以上、最大部で３ｍｍとした。
【００７６】この透明電極の設置に伴い、ガラス基板Ｇ
ＬＳ１及ガラス基板ＧＬＳ２に形成される配向膜ＯＬＩ
の領域も拡張する。外周部の共通電極ＣＰＴ上も配向膜
ＯＬＩを形成する。また上記ＩＴＯ上に対する領域には
クロスニコル状に偏光板を配置しさらに、配向膜ＯＬＩ
はノーマリーブラックモードになるようにラビング処理
が施されている。
ＬＳ１及ガラス基板ＧＬＳ２に形成される配向膜ＯＬＩ
の領域も拡張する。外周部の共通電極ＣＰＴ上も配向膜
ＯＬＩを形成する。また上記ＩＴＯ上に対する領域には
クロスニコル状に偏光板を配置しさらに、配向膜ＯＬＩ
はノーマリーブラックモードになるようにラビング処理
が施されている。
【００７７】上記構造は以下の作用となる。画素領域
も、ノーマリーブラックモードを用いる液晶表示装置で
あることが前提であり、例えばＩＰＳ型、ＦＦＳ型、Ｖ
Ａ型、ＭＶＡ型、ＰＶＡ型、ＡＳＶ型、ＯＣＢ型などが
ある。本実施例ではＩＰＳ型の例を代表に説明する。Ｉ
ＰＳ型では横電界が印加されていない場所は液晶分子が
動かない。したがってノーマリーブラックモードであれ
ば例え透明電極上であっても光が透過しない遮光状態と
なる。このため、図１３で示した外周部では共通電極Ｃ
ＰＴ上は液晶分子が動かず金属膜に遮光がなくとも遮光
性が保たれている。上記の外周部の透明電極は一例とし
て共通電極ＣＰＴとしたが、これは上記原理において
は、必ずしも共通電極電位が印加されている必要はな
く、該領域が等価的に無電界状態を実現できさえすれば
良い。したがって、電位的には電源に接続されていない
状態でも良い。またフローティング状態でも良い。該フ
ローティング領域上では液晶層はやはり無電界状態とな
るためである。同様に、ＩＰＳ型以外にも適用できる。
も、ノーマリーブラックモードを用いる液晶表示装置で
あることが前提であり、例えばＩＰＳ型、ＦＦＳ型、Ｖ
Ａ型、ＭＶＡ型、ＰＶＡ型、ＡＳＶ型、ＯＣＢ型などが
ある。本実施例ではＩＰＳ型の例を代表に説明する。Ｉ
ＰＳ型では横電界が印加されていない場所は液晶分子が
動かない。したがってノーマリーブラックモードであれ
ば例え透明電極上であっても光が透過しない遮光状態と
なる。このため、図１３で示した外周部では共通電極Ｃ
ＰＴ上は液晶分子が動かず金属膜に遮光がなくとも遮光
性が保たれている。上記の外周部の透明電極は一例とし
て共通電極ＣＰＴとしたが、これは上記原理において
は、必ずしも共通電極電位が印加されている必要はな
く、該領域が等価的に無電界状態を実現できさえすれば
良い。したがって、電位的には電源に接続されていない
状態でも良い。またフローティング状態でも良い。該フ
ローティング領域上では液晶層はやはり無電界状態とな
るためである。同様に、ＩＰＳ型以外にも適用できる。
【００７８】上記遮光性は、支柱ＣＳやシール材ＳＥＬ
の一方もしくは双方に黒顔料を添加して遮光性を高める
ことで、さらにその効果の向上を奏することができる。
特に、シール材ＳＥＬ部ではシール材ＳＥＬ中での光の
乱反射による偏光状態の乱れによりノーマリーブラック
モードによる黒実現効果が液晶層中より減じられるた
め、黒顔料添加あるいは色相添加により、吸光性を向上
せしめることが望ましい。
の一方もしくは双方に黒顔料を添加して遮光性を高める
ことで、さらにその効果の向上を奏することができる。
特に、シール材ＳＥＬ部ではシール材ＳＥＬ中での光の
乱反射による偏光状態の乱れによりノーマリーブラック
モードによる黒実現効果が液晶層中より減じられるた
め、黒顔料添加あるいは色相添加により、吸光性を向上
せしめることが望ましい。
【００７９】（実施例４）図１５及び図１６はそれぞれ
本実施例の液晶表示装置における外周部及び画素部の断
面図である。本実施例の実施例１、２に対する最大の特
徴はガラス基板ＧＬＳ１にカラーフィルタ機能を集約し
た、いわゆるカラーフィルタオンＴＦＴ機能を有する液
晶表示装置として構成した点である。
本実施例の液晶表示装置における外周部及び画素部の断
面図である。本実施例の実施例１、２に対する最大の特
徴はガラス基板ＧＬＳ１にカラーフィルタ機能を集約し
た、いわゆるカラーフィルタオンＴＦＴ機能を有する液
晶表示装置として構成した点である。
【００８０】図１６に示すようにＴＦＴ基板ＧＬＳ１上
にカラーフィルタ層ＦＩＬが形成される。カラーフィル
タ層は、各画素で赤（R）、緑（G）、青（B）と色分け
されており、例えばＦＩＬ（Ｒ）、ＦＩＬ（Ｇ）、ＦＩ
Ｌ（Ｂ）と表記することができる（図１６にはＦＩＬ
（Ｇ）は図示していない）。各色、例えば、赤と青の境
界はドレイン配線ＤＬ上に設けられる。図１６ではＤＬ
上にＦＩＬ（Ｂ）とＦＩＬ（Ｒ）の境界が配置されてい
る例が示されている。これにより、各色の混色を防止す
る。カラーフィルタ層ＦＩＬの厚さは、混入される顔料
の種類、分量及び厚みにより色純度を調整する。カラー
フィルタＦＩＬの厚さが色毎に異なるため、その平坦性
を均一に保つために、アクリルのような透明の感光性有
機材料でできた有機保護膜ＦＰＡＳが形成されている。
液晶分子は、第2のコンタクトホールＣＮＴ２から有機
保護膜上に形成された画素電極ＳＰＴと共通電極ＣＰＴ
の間の横電界で駆動する。ポリシリコンＰＳＩで形成さ
れたＴＦＴは光照射でのリーク電流が小さいので本実施
例の画素部においてもブラックマトリクスＢＭは形成さ
れていない。上記のようにＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上
にカラーフィルタ層ＦＩＬを形成することにより、上下
基板の合わせずれによる開口率の低下を低減できるので
明るい液晶表示装置を提供できる。
にカラーフィルタ層ＦＩＬが形成される。カラーフィル
タ層は、各画素で赤（R）、緑（G）、青（B）と色分け
されており、例えばＦＩＬ（Ｒ）、ＦＩＬ（Ｇ）、ＦＩ
Ｌ（Ｂ）と表記することができる（図１６にはＦＩＬ
（Ｇ）は図示していない）。各色、例えば、赤と青の境
界はドレイン配線ＤＬ上に設けられる。図１６ではＤＬ
上にＦＩＬ（Ｂ）とＦＩＬ（Ｒ）の境界が配置されてい
る例が示されている。これにより、各色の混色を防止す
る。カラーフィルタ層ＦＩＬの厚さは、混入される顔料
の種類、分量及び厚みにより色純度を調整する。カラー
フィルタＦＩＬの厚さが色毎に異なるため、その平坦性
を均一に保つために、アクリルのような透明の感光性有
機材料でできた有機保護膜ＦＰＡＳが形成されている。
液晶分子は、第2のコンタクトホールＣＮＴ２から有機
保護膜上に形成された画素電極ＳＰＴと共通電極ＣＰＴ
の間の横電界で駆動する。ポリシリコンＰＳＩで形成さ
れたＴＦＴは光照射でのリーク電流が小さいので本実施
例の画素部においてもブラックマトリクスＢＭは形成さ
れていない。上記のようにＴＦＴガラス基板ＧＬＳ１上
にカラーフィルタ層ＦＩＬを形成することにより、上下
基板の合わせずれによる開口率の低下を低減できるので
明るい液晶表示装置を提供できる。
【００８１】図１５の外周部のガラス基板ＧＬＳ２には
カラーフィルタ層ＦＩＬ及びブラックマトリクスＢＭが
形成されていない。外周部の遮光性は以下の構造で実現
した。感光性有機膜で形成された支柱ＣＳに遮光性を高
める黒色などの顔料を添加しこれを用いる。この感光性
材料はポジ型（紫外線照射部分が現像除去できる）材料
を用いる。さらに、その支柱ＣＳを露光する際に用いる
ホトマスクに以下の工夫を行う。図１５の画素領域及び
外周部の液晶ギャップを均一に保つために支柱ＣＳの高
さは所定の厚さとする。この部分ではホトマスクはＣｒ
などで遮光された円や四角のパターンとする。さらに、
透過部に対応する部分はＣｒパターンを形成せず、これ
によりＣＳ材は塗布、露光、現像後除去される。次ぎに
使用する露光機の解像度限界近傍のサイズのＣｒのスリ
ットとスペースパターンを用い、ＣＳ残留部でかつ非Ｃ
Ｓ部の高さとして構成するために光量制御が可能なマス
クとする。このようにすると、光の回折、干渉によりこ
の部分はマスクなしの部分に比べて減光された照射領域
となる、いわゆるハーフトーン露光が実現できる。この
場合、現像後のＣＳ材の厚さは液晶ギャップを規定する
ＣＳに対して、薄い厚さの領域ができる。この薄い厚さ
の領域が外周部のブラックマトリクスの役目を果す。ハ
ーフトーン方式はホトマスクパターンを適切に設計する
ことにより、１回の露光現像により厚さの異なる複数の
領域が形成できる。また外周部に液晶ギャップを規定す
る高さのＣＳと、遮光のための薄い領域の２つの領域と
することで、上下基板の合わせ時の接触抵抗を低減し、
位置合わせ時の基板操作を容易とすることができる。さ
らに、シール材ＳＥＬ近傍のＣＳの単位あたりの対向基
板への接触面積を画素領域に比べ極端に増加することを
防ぐことができる。仮に１００倍を越えるような面積差
があると、ギャップ出し時の加圧の圧力が、画素領域と
外周部で極端に変ってしまい、外周部で正常なギャップ
が出せなくなる。圧力はＣＳで受けれられるため、単位
あたりの圧力は圧力を単位あたりのＣＳ面積で割った値
となるためである。
カラーフィルタ層ＦＩＬ及びブラックマトリクスＢＭが
形成されていない。外周部の遮光性は以下の構造で実現
した。感光性有機膜で形成された支柱ＣＳに遮光性を高
める黒色などの顔料を添加しこれを用いる。この感光性
材料はポジ型（紫外線照射部分が現像除去できる）材料
を用いる。さらに、その支柱ＣＳを露光する際に用いる
ホトマスクに以下の工夫を行う。図１５の画素領域及び
外周部の液晶ギャップを均一に保つために支柱ＣＳの高
さは所定の厚さとする。この部分ではホトマスクはＣｒ
などで遮光された円や四角のパターンとする。さらに、
透過部に対応する部分はＣｒパターンを形成せず、これ
によりＣＳ材は塗布、露光、現像後除去される。次ぎに
使用する露光機の解像度限界近傍のサイズのＣｒのスリ
ットとスペースパターンを用い、ＣＳ残留部でかつ非Ｃ
Ｓ部の高さとして構成するために光量制御が可能なマス
クとする。このようにすると、光の回折、干渉によりこ
の部分はマスクなしの部分に比べて減光された照射領域
となる、いわゆるハーフトーン露光が実現できる。この
場合、現像後のＣＳ材の厚さは液晶ギャップを規定する
ＣＳに対して、薄い厚さの領域ができる。この薄い厚さ
の領域が外周部のブラックマトリクスの役目を果す。ハ
ーフトーン方式はホトマスクパターンを適切に設計する
ことにより、１回の露光現像により厚さの異なる複数の
領域が形成できる。また外周部に液晶ギャップを規定す
る高さのＣＳと、遮光のための薄い領域の２つの領域と
することで、上下基板の合わせ時の接触抵抗を低減し、
位置合わせ時の基板操作を容易とすることができる。さ
らに、シール材ＳＥＬ近傍のＣＳの単位あたりの対向基
板への接触面積を画素領域に比べ極端に増加することを
防ぐことができる。仮に１００倍を越えるような面積差
があると、ギャップ出し時の加圧の圧力が、画素領域と
外周部で極端に変ってしまい、外周部で正常なギャップ
が出せなくなる。圧力はＣＳで受けれられるため、単位
あたりの圧力は圧力を単位あたりのＣＳ面積で割った値
となるためである。
【００８２】（実施例５）図１７は本実施例の液晶表示
装置の外周部の断面構造を示す。本実施例ではカラーフ
ィルタオンＴＦＴ構造の液晶表示装置で、その外周部に
特徴がある。図１７のＴＦＴ基板ＧＬＳ１上の図面右手
側の画素領域で、ドレイン配線ＤＬの下部には層間絶縁
膜ＩＬＩを介して、ゲート配線ＧＬと同一工程、材料で
構成した金属材料が形成されている。図ではＧＬと表記
する。この埋設されたＧＬは、ゲート配線ＧＬの電位は
印加されておらず、平面的には短冊状のフロート電極で
ある。すなわち、その金属材料ＧＬの持つ遮光性のみを
利用している。前記金属膜は一定の間隔で延びるドレイ
ン配線ＤＬをその平面的に下部絶縁膜ＩＬＩを介して塞
ぐように、入れ子状態に配置されている。これによりＴ
ＦＴ基板ＧＬＳ１側からのバックライト光を遮光する。
その上部にはカラーフィルタ層ＦＩＬが形成される。ガ
ラス基板ＧＬＳ２には偏光板が形成されている。このＦ
ＩＬと偏光板配置の効果は、次のようになる。すなわち
ＴＦＴ基板上の金属電極ＧＬとドレイン配線ＤＬの入れ
子構造だけではガラスＧＬＳ２側から観測すると外光、
すなわちＧＬＳ２側からの入射光の金属光沢の反射が見
える。そこで、外周部でカラーフィルタ層ＦＩＬを配置
することにより、これを減じることができる。さらに、
ＦＩＬ中最も透過率が低く、結果的に反射を低減できる
色を配置することが望ましい。この目的では、青が人間
の視感度が３原色の中で最も低いため望ましい。偏光板
ＰＯＬも入射光を低減できるので反射を抑える効果があ
る。
装置の外周部の断面構造を示す。本実施例ではカラーフ
ィルタオンＴＦＴ構造の液晶表示装置で、その外周部に
特徴がある。図１７のＴＦＴ基板ＧＬＳ１上の図面右手
側の画素領域で、ドレイン配線ＤＬの下部には層間絶縁
膜ＩＬＩを介して、ゲート配線ＧＬと同一工程、材料で
構成した金属材料が形成されている。図ではＧＬと表記
する。この埋設されたＧＬは、ゲート配線ＧＬの電位は
印加されておらず、平面的には短冊状のフロート電極で
ある。すなわち、その金属材料ＧＬの持つ遮光性のみを
利用している。前記金属膜は一定の間隔で延びるドレイ
ン配線ＤＬをその平面的に下部絶縁膜ＩＬＩを介して塞
ぐように、入れ子状態に配置されている。これによりＴ
ＦＴ基板ＧＬＳ１側からのバックライト光を遮光する。
その上部にはカラーフィルタ層ＦＩＬが形成される。ガ
ラス基板ＧＬＳ２には偏光板が形成されている。このＦ
ＩＬと偏光板配置の効果は、次のようになる。すなわち
ＴＦＴ基板上の金属電極ＧＬとドレイン配線ＤＬの入れ
子構造だけではガラスＧＬＳ２側から観測すると外光、
すなわちＧＬＳ２側からの入射光の金属光沢の反射が見
える。そこで、外周部でカラーフィルタ層ＦＩＬを配置
することにより、これを減じることができる。さらに、
ＦＩＬ中最も透過率が低く、結果的に反射を低減できる
色を配置することが望ましい。この目的では、青が人間
の視感度が３原色の中で最も低いため望ましい。偏光板
ＰＯＬも入射光を低減できるので反射を抑える効果があ
る。
【００８３】（実施例６）図１８は本実施例の液晶表示
装置における外周部の断面構造を示す。図１４に対する
本実施例の構造上の特徴は、ガラス基板ＧＬＳ２上から
有機膜で形成されたオーバコート膜ＯＣが除去されてい
る点にある。
装置における外周部の断面構造を示す。図１４に対する
本実施例の構造上の特徴は、ガラス基板ＧＬＳ２上から
有機膜で形成されたオーバコート膜ＯＣが除去されてい
る点にある。
【００８４】シール材ＳＥＬのガラス基板ＧＬＳ２側の
接着面はガラス基板ＧＬＳ２そのものとなるので接着強
度を向上することができる。またシランカップリング材
添加もガラスはＳｉを含有するため、接着強度向上に効
果を奏する。従って、ガラス基板ＧＬＳ１のシール材Ｓ
ＥＬの接着面は有機保護膜ＦＰＡＳであっても、全体と
しての接着強度は高くなる。一方の基板の有機膜が除去
されているため、ガラス基板ＧＬＳ１の接着面はカラー
フィルタ層や実施例４で示した顔料を添加して遮光性を
高めた支柱材ＣＳでも良い。またガラス基板ＧＬＳ２上
に無機膜、例えばスパッリング方法で形成したＳｉＯ２
膜を設けて基板からのイオン漏出防止を図っても良い。
接着面はガラス基板ＧＬＳ２そのものとなるので接着強
度を向上することができる。またシランカップリング材
添加もガラスはＳｉを含有するため、接着強度向上に効
果を奏する。従って、ガラス基板ＧＬＳ１のシール材Ｓ
ＥＬの接着面は有機保護膜ＦＰＡＳであっても、全体と
しての接着強度は高くなる。一方の基板の有機膜が除去
されているため、ガラス基板ＧＬＳ１の接着面はカラー
フィルタ層や実施例４で示した顔料を添加して遮光性を
高めた支柱材ＣＳでも良い。またガラス基板ＧＬＳ２上
に無機膜、例えばスパッリング方法で形成したＳｉＯ２
膜を設けて基板からのイオン漏出防止を図っても良い。
【００８５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明では上下基
板間の接着強度が高く、端子信頼性が高く、周辺部の遮
光性の高い液晶表示装置を提供することができる。
板間の接着強度が高く、端子信頼性が高く、周辺部の遮
光性の高い液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
外周部の断面図である。
外周部の断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
画素の平面図である。
画素の平面図である。
【図３】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
画素の要部断面図である。
画素の要部断面図である。
【図４】ＬＣＤセルの全体平面図である。
【図５】ＬＣＤセルにＰＣＢ基板とＴＡＢを接続した全
体平面図である。
体平面図である。
【図６】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置の
製造方法を説明するための断面図である。
製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施例によるＴＦＴ液晶表示装置
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の外周部の断面図である。
置の外周部の断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の画素の要部断面図である。
置の画素の要部断面図である。
【図１４】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の外周部の断面図である。
置の外周部の断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の外周部の断面図である。
置の外周部の断面図である。
【図１６】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の画素の要部断面図である。
置の画素の要部断面図である。
【図１７】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の外周部の断面図である。
置の外周部の断面図である。
【図１８】本発明の他の実施例によるＴＦＴ液晶表示装
置の外周部の断面図である。
置の外周部の断面図である。
ＢＭ…ブラツクマトリクス、ＣＣ…検査回路、ＣＪ…コ
ネクタ部、ＣＬ…共通配線、ＣＭ…共通金属電極、ＣＰ
Ｔ…共通透明電極、ＣＮＴ1…層間絶縁膜あるいは層間
絶縁膜とゲート絶縁膜膜の積層膜に開けられたコンタク
トホール、ＣＮＴ2…有機保護膜あるいは有機保護膜と
保護膜の積層膜に開けられたコンタクトホール、ＤＤＣ
…ガラス基板上のドレイン分割回路、ＤＬ…ドレイン配
線、ＣＦ…カラーフィルタ、ＦＩＬ…カラーフィルタ
層、ＦＰＡＳ…有機保護膜、ＧＦＰＣ…ゲートＦＰＣ、
ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＧＬ…ゲート配線、ＧＬＳ１…Ｔ
ＦＴガラス基板、ＧＬＳ２…ＣＦガラス基板、ＩＮＪ…
封入口、ＩＬＩ…層間絶縁膜、ＬＣ…液晶（分子）、Ｏ
Ｃ…オーバコート膜、ＯＬＩ…配向膜、ＰＡＳ…保護絶
縁膜、ＰＣＢ…回路実装基板、ＰＯＬ…偏光板、ＰＳＩ
…ｐ−Ｓｉアイランド、ＰＳＩ（ｐ）…ｐ型ｐ−Ｓｉ半
導体層、ＰＳＩ（ｎ＋）…ｎ＋型ｐ−Ｓｉ半導体層、Ｓ
ＥＬ…シール材あるいはシール材塗布領域、ＳＭ…ソー
ス電極、ＣＳ…支柱、ＳＰＴ…画素透明電極、ＳＳＣ…
電源、ＴＭ…端子電極、ＴＣＯＮ…コントロール回路、
ＴＣＰ…テープキャリヤパッケージ、ＵＬＳ…下地絶縁
膜。
ネクタ部、ＣＬ…共通配線、ＣＭ…共通金属電極、ＣＰ
Ｔ…共通透明電極、ＣＮＴ1…層間絶縁膜あるいは層間
絶縁膜とゲート絶縁膜膜の積層膜に開けられたコンタク
トホール、ＣＮＴ2…有機保護膜あるいは有機保護膜と
保護膜の積層膜に開けられたコンタクトホール、ＤＤＣ
…ガラス基板上のドレイン分割回路、ＤＬ…ドレイン配
線、ＣＦ…カラーフィルタ、ＦＩＬ…カラーフィルタ
層、ＦＰＡＳ…有機保護膜、ＧＦＰＣ…ゲートＦＰＣ、
ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＧＬ…ゲート配線、ＧＬＳ１…Ｔ
ＦＴガラス基板、ＧＬＳ２…ＣＦガラス基板、ＩＮＪ…
封入口、ＩＬＩ…層間絶縁膜、ＬＣ…液晶（分子）、Ｏ
Ｃ…オーバコート膜、ＯＬＩ…配向膜、ＰＡＳ…保護絶
縁膜、ＰＣＢ…回路実装基板、ＰＯＬ…偏光板、ＰＳＩ
…ｐ−Ｓｉアイランド、ＰＳＩ（ｐ）…ｐ型ｐ−Ｓｉ半
導体層、ＰＳＩ（ｎ＋）…ｎ＋型ｐ−Ｓｉ半導体層、Ｓ
ＥＬ…シール材あるいはシール材塗布領域、ＳＭ…ソー
ス電極、ＣＳ…支柱、ＳＰＴ…画素透明電極、ＳＳＣ…
電源、ＴＭ…端子電極、ＴＣＯＮ…コントロール回路、
ＴＣＰ…テープキャリヤパッケージ、ＵＬＳ…下地絶縁
膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｆ０３３
Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１Ｌ ５Ｆ０５８
３０１Ｒ ５Ｆ１１０
21/312 21/312 Ｎ
21/3205 29/78 ６１２Ｃ
29/786 21/88 Ｂ
(72)発明者 落合 孝洋
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
(72)発明者 小野 記久雄
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H089 LA48 PA18 QA02 TA01 TA02
TA04 TA05 TA06 TA09 TA12
TA13 TA15
2H090 HB02X HB07X HD08 LA01
LA02 LA03 LA04 LA09
2H091 FA02Y FA08X FA08Z GA01
GA02 GA06 GA07 GA08 GA09
GA13 GA16 GA17 LA02
2H092 GA35 HA28 JA24 JA37 JA41
MA16 NA18 PA01 PA02 PA03
PA04 PA06 PA08 PA09 PA11
4M104 BB14 BB16 BB18 CC01 CC05
DD09 DD17 DD20 DD37 DD64
DD80 DD91 EE03 EE16 FF22
GG09 HH16
5F033 GG04 HH04 HH08 HH18 HH20
HH22 HH38 JJ01 JJ08 JJ18
JJ38 KK20 KK22 MM08 MM13
NN06 NN07 PP15 QQ08 QQ09
QQ10 QQ19 QQ37 QQ58 QQ65
QQ73 QQ82 RR04 RR06 RR27
SS11 SS15 SS22 TT04 VV06
VV15 XX09 XX18 XX21 XX24
5F058 AC07 AF04 AG09 BC02 BC08
BF07 BF23 BF25
5F110 AA30 BB01 CC02 DD02 DD13
DD14 DD17 EE04 EE06 EE28
FF02 FF30 GG02 GG13 GG15
GG25 GG32 GG34 GG45 GG52
HJ01 HJ04 HJ13 HJ23 HL03
HL04 HL06 HL12 HM15 HM19
NN03 NN04 NN23 NN24 NN27
NN35 NN36 NN72 PP03 PP04
PP05 PP06 PP35 QQ05 QQ11
QQ23
Claims (8)
- 【請求項１】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタを有し、前
記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール材
により接着され、少なくとも前記第１の基板と前記第２
の基板の液晶層側の最表面に配向膜を有する液晶表示装
置において、 前記第1の基板上において前記薄膜トランジスタと前記
第１の基板に形成された配向膜との間に形成された有機
膜を有し、該有機膜は前記シール材の領域で除去され、
前記シール材は前記第１の基板の無機絶縁膜に対して接
着され、かつ前記第２の基板の有機材料に対して接着さ
れていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置。 - 【請求項２】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタを有し、前
記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール材
により接着されている液晶表示装置において、 前記ドレイン配線は前記シール材より表示領域側でゲー
ト配線と同一工程で形成された金属材料に繋ぎ変えら
れ、前記シール材下では前記ドレイン配線は該ゲート配
線と同一工程で形成された金属材料層として引き出さ
れ、前記シール材より外側の外部接続端子側領域では、
前記ゲート配線と同一工程で形成された金属材料層から
前記ドレイン配線層による金属材料層を経由し、外部接
続端子へと接続されていることを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】前記薄膜トランジスタの保護膜として形成
された有機保護膜が、前記ドレイン配線が前記シール材
下のゲート配線と同一工程で形成された金属材料層とし
て引き出される領域では開口部を有し、該領域のシール
材は無機絶縁膜と接着していることを特徴とする請求項
２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】前記薄膜トランジスタの保護膜はＳｉＮで
形成された無機膜と感光性有機材料の積層膜であり、前
記無機膜と感光性有機材料の積層膜はコンタクトホール
形成に際し１回の露光で加工された開口部を有すること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタと、前記第
１の基板と前記第２の基板の液晶層側の最表面に配置さ
れた配向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板の液晶
層側と対向する側にそれぞれ偏光板を有し、前記第１の
基板と前記第２の基板がその外周部をシール材により接
着されている液晶表示装置において、 画素の集合体として定まる画素領域の各画素は前記第１
の基板上に画素電極と共通電極を有し、該画素電極と共
通電極間に前記第１の基板と平行な成分を有する電界に
より前記液晶層を駆動し、前記第１の基板の前記画素領
域から前記シール材の間の領域に少なくとも前記画素よ
り幅の広い透明電極が形成され、前記配向膜は該透明電
極形成領域に位置づけられて前記第１の基板と第２の基
板の双方に形成された領域を有し、前記偏光板は該配向
膜形成領域に位置づけられて設けられた領域を有し、前
記偏光板、前記液晶層、前記配向膜の配置がノーマリー
ブラックを実現するよう構成されていること特徴とする
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール
材により接着されている液晶表示装置において、 前記第１の基板と前記第２の基板のギャップを定める柱
状スペーサを有し、該柱状スペーサは各画素の集合体と
して定まる画素領域より前記シール材側の領域に厚さの
異なる少なくとも２つの領域を有し、そのうちの少なく
とも一方の領域は前記第１の基板と前記第２の基板のギ
ャップを定める高さであり、他方の領域は該一方の領域
よりも薄く構成され、かつ該柱状スペーサは遮光性を呈
する材料により構成されていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール
材により接着されている液晶表示装置において、 前記カラーフィルタ層は前記第１の基板上に構成され、
画素の集合として定まる画素領域から端子領域までの間
に前記ドレイン配線材料と前記ゲート配線材料が該配線
間の層間絶縁膜を介して互いにその端部を重畳して形成
される配線重畳領域を有し、該配線重畳領域に前記カラ
ーフィルタ層の少なくとも１層が構成されていることを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】第１の基板と第２の基板に挟まれた液晶層
とカラーフィルタ層とを有し、 前記第１の基板上には複数のゲート配線と、前記複数の
ゲート配線と交差しマトリクス状に配置された複数のド
レイン配線と、前記ゲート配線と前記ドレイン配線との
交点に対応して形成された薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の基板と前記第２の基板がその外周部をシール
材により接着されている液晶表示装置において、 前記シール材は前記第１の基板上に対して有機材料と接
着され、前記第２の基板に対して無機材料と接着されて
いることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001368076A JP3939140B2 (ja) | 2001-12-03 | 2001-12-03 | 液晶表示装置 |
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|---|---|
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ID=19177719
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005195891A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2006164737A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Sharp Corp | 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 |
| JP2006178368A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 |
| JP2006332060A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 |
| KR100771825B1 (ko) | 2002-12-31 | 2007-10-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
| JP2008077060A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-04-03 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置および電子機器 |
| JP2009139767A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sony Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP2009157368A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-16 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP2009230022A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
| JP2010282175A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Ricoh Co Ltd | 画像表示パネル及び画像表示装置 |
| JP2011154242A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Sony Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| US8040487B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Transflective type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| WO2012105189A1 (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2012252344A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| TWI401994B (zh) * | 2007-06-13 | 2013-07-11 | Sony Corp | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2013190816A (ja) * | 2013-05-27 | 2013-09-26 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2014016638A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-01-30 | Japan Display Inc | 液晶表示装置および電子機器 |
| KR20140049405A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씰 패턴을 구비한 액정표시장치 |
| JP2014092692A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| KR20140089176A (ko) * | 2013-01-04 | 2014-07-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보더리스형 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP2014232334A (ja) * | 2005-12-05 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20150014894A (ko) * | 2013-07-30 | 2015-02-09 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 액정 표시 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2016029727A (ja) * | 2008-12-26 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR20160083190A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 저유전 절연막 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP2017135416A (ja) * | 2009-09-04 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20180090393A (ko) * | 2008-09-19 | 2018-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP2020030419A (ja) * | 2012-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2020166285A (ja) * | 2019-07-22 | 2020-10-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2021081749A (ja) * | 2021-03-01 | 2021-05-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (87)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US7507903B2 (en) | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| JP4197233B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2008-12-17 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| KR100876403B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2008-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100972148B1 (ko) | 2002-12-31 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치 |
| KR100945579B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2010-03-08 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치 |
| TWI322910B (en) * | 2003-04-23 | 2010-04-01 | Innolux Display Corp | Black matrix, color filter and liquid crystal display device with the same |
| KR101001986B1 (ko) * | 2003-10-30 | 2010-12-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2005183408A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その駆動回路および電子機器 |
| GB0411968D0 (en) * | 2004-05-28 | 2004-06-30 | Koninkl Philips Electronics Nv | Transflective liquid crystal display device |
| US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
| US7838868B2 (en) * | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
| US7276724B2 (en) * | 2005-01-20 | 2007-10-02 | Nanosolar, Inc. | Series interconnected optoelectronic device module assembly |
| KR100700000B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| US7563490B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| TWI279630B (en) * | 2004-12-17 | 2007-04-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display |
| KR101106557B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| JP4916666B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2012-04-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| US8927315B1 (en) | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
| US7710739B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| KR20060121370A (ko) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치 |
| KR101153298B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2012-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100957614B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2010-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| TWI483048B (zh) * | 2005-10-18 | 2015-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
| CN102331639A (zh) * | 2005-12-05 | 2012-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器 |
| US7746330B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-06-29 | Au Optronics Corporation | Circuit and method for improving image quality of a liquid crystal display |
| KR100702032B1 (ko) * | 2006-03-07 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 프로브 어레이, 상기 프로브 어레이를 갖는 스토리지 소자 및 이들의 제조방법들 |
| KR101169058B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2012-07-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| KR101238337B1 (ko) * | 2006-05-12 | 2013-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
| TWI617869B (zh) * | 2006-05-16 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置和半導體裝置 |
| US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| KR101252001B1 (ko) * | 2006-06-15 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4485559B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2010-06-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| US7924385B2 (en) | 2007-11-26 | 2011-04-12 | Au Optronics Corporation | Wide viewing angle liquid crystal display comprising at least one floating electrode in locations directly facing a corresponding one or more pixel electrodes thereby inducing an electric field in the liquid crystal layer |
| KR20090100056A (ko) * | 2008-03-19 | 2009-09-23 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101570532B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2010139953A (ja) | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4716056B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
| US8681305B2 (en) * | 2008-12-24 | 2014-03-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising a common line pattern formed correspond to the conductive seal pattern, a transparent electrode pattern overlapping the common line pattern with an insulating layer interposed there between, the transparent electrode pattern having a width equal to or less than that of the common line pattern |
| JP5239924B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2013-07-17 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
| US8247243B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-08-21 | Nanosolar, Inc. | Solar cell interconnection |
| JP5352403B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR20110101917A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| WO2011161875A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びその製造方法、表示装置 |
| TWI498207B (zh) * | 2010-07-12 | 2015-09-01 | Dexerials Corp | Manufacturing method of mother board, manufacturing method of alignment film, manufacturing method of phase difference plate, and manufacturing method of display device |
| KR20120014509A (ko) * | 2010-08-09 | 2012-02-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 액정 표시 패널 및 액정 표시 패널 제조 방법 |
| WO2012063719A1 (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
| KR101774256B1 (ko) * | 2010-11-15 | 2017-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| JP2013080159A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| EP2610938A3 (en) * | 2011-12-30 | 2016-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting display panel and display apparatus having the same |
| CN103378244A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发光二极管器件及其制造方法 |
| KR102032962B1 (ko) | 2012-10-26 | 2019-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US20140264998A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Q1 Nanosystems Corporation | Methods for manufacturing three-dimensional metamaterial devices with photovoltaic bristles |
| JP2014197093A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| CN103309108B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| KR102081288B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| WO2015092944A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| TWI518405B (zh) * | 2014-01-24 | 2016-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
| KR102126176B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| CN103941484A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性液晶面板及其制作方法 |
| KR102319565B1 (ko) * | 2015-01-08 | 2021-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR20160087020A (ko) * | 2015-01-12 | 2016-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 어셈블리의 제조 방법 |
| KR102275190B1 (ko) * | 2015-04-20 | 2021-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN104932166B (zh) * | 2015-04-23 | 2018-04-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| TWI595298B (zh) * | 2015-12-14 | 2017-08-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN106873267B (zh) * | 2015-12-14 | 2021-02-19 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| JP6692645B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-05-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
| JP6652901B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-02-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2018124481A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US10263107B2 (en) * | 2017-05-01 | 2019-04-16 | The Regents Of The University Of California | Strain gated transistors and method |
| CN109686757B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及采用该柔性基板的显示面板 |
| US11301000B2 (en) * | 2018-12-04 | 2022-04-12 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display panel |
| WO2020229911A1 (ja) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| KR20200139300A (ko) * | 2019-06-03 | 2020-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227654A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrooptical cell |
| JPS6477024A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
| JP3009438B2 (ja) * | 1989-08-14 | 2000-02-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| FR2727216B1 (fr) * | 1994-11-18 | 1996-12-20 | Asulab Sa | Cellule electrique du type comprenant deux lames-supports paralleles, en matiere plastique, ecartees l'une de l'autre, portant des electrodes sur leurs faces |
| US5739880A (en) * | 1995-12-01 | 1998-04-14 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source |
| US5852485A (en) | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| JP3199221B2 (ja) | 1996-02-27 | 2001-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US5858482A (en) * | 1996-07-26 | 1999-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and process for production thereof |
| TW475078B (en) * | 1997-09-30 | 2002-02-01 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device and production of liquid crystal display device |
| JPH11305243A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置 |
| US6049365A (en) * | 1998-05-07 | 2000-04-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal displaying apparatus with a converter not exposed to liquid crystal |
| JP3512665B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2004-03-31 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | カラー液晶パネル及びその製造方法 |
| JP3388463B2 (ja) | 1999-10-29 | 2003-03-24 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
| JP2001264793A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| KR100685946B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| US6882398B2 (en) * | 2001-04-17 | 2005-04-19 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating same |
| JP4077182B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2008-04-16 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-12-03 JP JP2001368076A patent/JP3939140B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-31 US US10/284,406 patent/US6819389B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-08 US US10/960,027 patent/US7009664B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771825B1 (ko) | 2002-12-31 | 2007-10-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
| JP2005195891A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2006164737A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Sharp Corp | 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 |
| JP2006178368A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 |
| JP4558679B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2010-10-06 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 |
| JP2006332060A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 |
| US7834549B2 (en) | 2005-05-27 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| US10054830B2 (en) | 2005-12-05 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9823526B2 (en) | 2005-12-05 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11899329B2 (en) | 2005-12-05 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US12216372B2 (en) | 2005-12-05 | 2025-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2022082792A (ja) * | 2005-12-05 | 2022-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US11126053B2 (en) | 2005-12-05 | 2021-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11048135B2 (en) | 2005-12-05 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9235090B2 (en) | 2005-12-05 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2016040637A (ja) * | 2005-12-05 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10539847B2 (en) | 2005-12-05 | 2020-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US10324347B1 (en) | 2005-12-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9316881B2 (en) | 2005-12-05 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2017054152A (ja) * | 2005-12-05 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2018141983A (ja) * | 2005-12-05 | 2018-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、モジュール、および電子機器 |
| JP2014232334A (ja) * | 2005-12-05 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9904127B2 (en) | 2005-12-05 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11592719B2 (en) | 2005-12-05 | 2023-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2017097384A (ja) * | 2005-12-05 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2008077060A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-04-03 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置および電子機器 |
| TWI401994B (zh) * | 2007-06-13 | 2013-07-11 | Sony Corp | Display device and manufacturing method thereof |
| US8208107B2 (en) | 2007-12-03 | 2012-06-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Transflective type liquid crystal display device |
| US8040487B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Transflective type liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8493531B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-07-23 | Japan Display West Inc. | Display device and electronic apparatus |
| JP2009139767A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sony Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
| US8599341B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-12-03 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display device and electronic equipment |
| JP2009157368A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-16 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP4596000B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
| US8748891B2 (en) | 2008-03-25 | 2014-06-10 | Nlt Technologies, Ltd. | Manufacturing process of liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
| JP2009230022A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
| US9082857B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
| US10128381B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer |
| US9397194B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with oxide semiconductor ohmic conatct layers |
| JP2012252344A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| KR102246123B1 (ko) | 2008-09-19 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR102113024B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2020-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| KR20200053657A (ko) * | 2008-09-19 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| US11610918B2 (en) | 2008-09-19 | 2023-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10559599B2 (en) | 2008-09-19 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20180090393A (ko) * | 2008-09-19 | 2018-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
| JP2016029727A (ja) * | 2008-12-26 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2010282175A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Ricoh Co Ltd | 画像表示パネル及び画像表示装置 |
| US10629627B2 (en) | 2009-09-04 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2017135416A (ja) * | 2009-09-04 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2019071456A (ja) * | 2009-09-04 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11695019B2 (en) | 2009-09-04 | 2023-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10854640B2 (en) | 2009-09-04 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US12002818B2 (en) | 2009-09-04 | 2024-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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