JP2003150107A

JP2003150107A - 表示装置およびその駆動方法

Info

Publication number: JP2003150107A
Application number: JP2001345108A
Authority: JP
Inventors: Akira Tagawa; 晶田川; Koji Numao; 孝次沼尾
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-11-09
Filing date: 2001-11-09
Publication date: 2003-05-23
Also published as: KR20030039293A; KR100475002B1; CN1417761A; US7046220B2; CN1212597C; US20030090446A1

Abstract

(57)【要約】【課題】表示むらが無く、かつ開口率の低下や非発光
期間をほとんど生じさせず、パネルの開口率を下げるこ
となしに電流測定回路を配置することが可能な表示装置
を提供する。【解決手段】電気光学素子１が画素として複数配置さ
れた表示装置であって、各電気光学素子１を順次走査す
る走査信号線１２ａ、１２ｂと、各電気光学素子１に映
像情報信号を与える映像情報信号線６と、電気光学素子
１毎に設けられ、上記映像情報信号線６から供給される
映像情報信号に対応する電流を、上記電気光学素子１に
供給する駆動用スイッチング素子２とを備える。さら
に、上記各駆動用スイッチング素子２に接続され、上記
走査信号線１２ａ、１２ｂからの走査信号に基づいて、
電流注入経路３ａ、３ｂの何れかを切り換える経路切換
スイッチング素子４が設けられると共に、電流注入経路
３ａ、３ｂの何れか一方に、電流測定回路が設けられて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電流の供給により
自ら発光する自発光素子を画素としてマトリクス状に配
列した表示装置およびその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)
やＦＥＤ(Field Emission Device)等の自発光デバイス
を用いた薄型の表示装置の開発が活発に行われている。

【０００３】これら自発光デバイスでは、素子の発光輝
度が素子を流れる電流密度に比例することが知られてい
る。また、このような素子においては、素子特性（例え
ば印加電圧−電流特性）がばらつき、印加電圧により輝
度を調整することが難しいとされており、定電流源を用
いた電流駆動を行なうことが好ましいとされている。

【０００４】例えば、特開平１０−３１９９０８号公報
（文献１）には、プログラムされた電流レベルを有機Ｅ
Ｌ素子（Ｏ−ＬＥＤ）に加えることにより、各Ｏ−ＬＥ
Ｄを発光させる技術が開示されている。ここで、図１０
は、上記公報に開示された技術を適用した有機ＥＬディ
スプレイの１画素（ピクセル構造１００）を表す構成図
を示している。

【０００５】上記ピクセル構造１００は、図１０に示す
ように、Ｏ−ＬＥＤ１１０と、２つのトランジスタＴ１
及びＴ２と、データ方向に走る２つのデータラインＤ１
及びＤ２と、セレクト方向に走る２つのセレクトライン
Ｓ１及びＳ２とを含んでいる。加えて、ピクセル構造１
００は、キャパシタＣ１を含む。

【０００６】上記の各トランジスタは、ソース、ゲー
ト、及びドレインと、対応する電極とを含んでいる。第
１のトランジスタＴ１のソース電極は、データラインＤ
１へ接続され、第２のトランジスタＴ２のソース電極
は、データラインＤ２へ接続されている。第１のトラン
ジスタＴ１のゲート電極は、第１のセレクトラインＳ１
へ接続され、第２のトランジスタＴ２のゲート電極は、
キャパシタＣ１を経由して第２のセレクトラインＳ２へ
接続されている。第１のトランジスタＴ１のドレイン電
極は、上記キャパシタＣ１へ接続されているだけでなく
第２のトランジスタＴ２のゲート電極へも接続されてい
る。

【０００７】データライン及びセレクトラインの組み合
わせは、書込み選択モード、書込み非選択モード、及び
発光モードを含む、ピクセル構造１００のマルチモード
動作を提供している。

【０００８】第１に書込み選択モードでは、所定の電流
レベル（Ｉ１）を書込むために、第１のトランジスタＴ
１は第１のセレクトラインＳ１を経由して導通される。
結果として、第１のデータラインＤ１上の電圧が、第１
のトランジスタＴ１を通して、第２のトランジスタＴ２
のゲートに加えられる。第２のトランジスタＴ２のゲー
トに加えられた電圧が増加されると、該第２のトランジ
スタＴ２が導通し、そしてその内部インピーダンスは、
第２のデータラインＤ２において電流レベルＩ１に到達
するまで、継続的に減少して、電流レベルＩ１がＯ−Ｌ
ＥＤ１１０に加えられることとなる。

【０００９】書込み選択モード中には、第２のセレクト
ラインＳ２に流れるセレクト信号が論理ハイの電位に保
持される。第２のデータラインＤ２は、第２のトランジ
スタＴ２を通してＯ−ＬＥＤ１１０に接続されており、
従って、達成された電流レベルＩ１は第２のトランジス
タＴ２及びＯ−ＬＥＤ１１０の両方を通って流れる。

【００１０】第２のトランジスタＴ２のスレッショルド
電圧又はＯ−ＬＥＤ１１０の遷移電圧のシフトが存在す
るならば、このシフトはキャパシタＣ１の両端に蓄積さ
れ且つ第２のトランジスタＴ２のゲートに加えられた電
圧の増加又は減少によって補償される。

【００１１】こうして、Ｏ−ＬＥＤ１１０若しくは第２
のトランジスタＴ２のいずれか又は双方の動作特性にお
けるいかなるシフトが存在したとしても、Ｏ−ＬＥＤ１
１０を通る電流（ピクセルの輝度）に与える影響は小さ
い。

【００１２】書込み選択モードでは、両方のセレクトラ
インを流れるセレクト信号が論理ハイである。すなわ
ち、第１のセレクトラインＳ１に流れるセレクト信号が
論理ハイになり第１のトランジスタＴ１を導通して、そ
の行の第２のセレクトラインＳ２に流れるセレクト信号
もまた、論理ハイ（すなわち書込み選択モード）にな
り、これが第２のトランジスタＴ２を導通させる。

【００１３】しかしながら、書込み非選択モードでは、
他の行すべてのための第２のセレクトラインＳ２に流れ
るセレクト信号が、論理ロウ（すなわち書込み非選択モ
ード）とされる。つまり、書込み非選択モードでは、第
２のセレクトラインＳ２は、データが書込まれていない
アレイの行上のすべての第２のトランジスタＴ２を非導
通にするために使用される。

【００１４】これは、図１０に示すように、キャパシタ
Ｃ１を通して第２のセレクトラインＳ２を蓄積端子に結
合することによって達成することができる。第２のセレ
クトラインＳ２に流れるセレクト信号が論理ロウである
とき、書込み非選択モードに対しては、キャパシタＣ１
に蓄積された電位に関わりなく、第２のトランジスタＴ
２のゲートの信号は論理ロウになり、電流が第２のトラ
ンジスタＴ２又はＯ−ＬＥＤ１１０を通して通過しない
ようにしている。

【００１５】従って、第２のデータラインＤ２上で検出
されている電流は、選択されたＯ−ＬＥＤ１１０だけに
流入し、列に沿った他のピクセルには流入しない。

【００１６】発光モード中は、第１のセレクトラインＳ
１が論理ロウになされ、それによって第１のトランジス
タＴ１を非導通にする。同時に、第２のセレクトライン
Ｓ２が、論理ハイとなる。第２のセレクトラインＳ２上
の論理ハイ電位とキャパシタＣ１上の格納された電位と
の組み合わせが、第２のトランジスタＴ２のゲートをそ
の調整されたレベルに駆動する。このやり方で、Ｏ−Ｌ
ＥＤはそのプログラムされた電流レベルで（すなわち、
書込み選択モード中にプログラムされたように）又は輝
度で発光する。また、発光モード中は、第２のデータラ
インＤ２の一定の制御が実行される。

【００１７】しかしながら、実際に定電流源駆動回路を
組むことは困難であるので、定電圧源を用いて定電流化
駆動回路を組むことが多い。この場合、素子を流れる電
流を検出する手段を設け、その検出手段で検出した電流
が一定になるよう制御する方法が提案されている。

【００１８】このような電流検出手段を用いて輝度補正
を行なう有機ＥＬディスブレイとしては、例えば特開２
０００−１８７４６７号公報（文献２）で示された有機
ＥＬ素子を用いたパッシブマトリクス型表示装置があ
る。このパッシブマトリクス型表示装置（以下、有機Ｅ
Ｌパネルと称する）は、図１１に示すような構成となっ
ている。

【００１９】図１１において、有機ＥＬパネル２０１
は、マトリクス状に形成された陰極（Ｃ₀〜Ｃ_n）と陽極
（Ｓ₀〜Ｓ_m）、及びその交点にある有機ＥＬ素子から形
成されており、陰極（Ｃ₀〜Ｃ_n）の各電極を駆動するた
めの陰極駆動回路２０２、陽極（Ｓ₀〜Ｓ_n、）の各電極
を駆動するための陽極駆動回路（ＰＧ₁〜ＰＧ_m）２０
３、その陽極駆動回路からの出力電流を検出するための
電流検出回路（ＩＳ₀〜ＩＳ_n）２０４が接続されてい
る。

【００２０】つまり、上記有機ＥＬパネル２０１は、こ
の電流検出回路２０４で検出した電流値を制御装置２０
５へ入力し、検出した電流に応じて画素の点灯時間ある
いは点灯電流を調整する構成となっている。

【００２１】また、電流検出回路２０４は、図１２に示
すように、抵抗（Ｒ１）３０７の両端の電圧差をＡ／Ｄ
変換回路３０６で検出し出力する構成となっている。

【００２２】また、特開平１１−３３８５６１号公報
（文献３）に開示された有機ＥＬ素子を用いたパッシブ
マトリクス型表示装置では、上述した電流検出手段（電
流検出回路２０４）の数を少なくした構成となってい
る。このパッシブマトリクス型表示装置の構成例を図１
３に示す。

【００２３】上記パッシブマトリクス型表示装置は、図
１３に示すように、行電極Ｒ１〜Ｒｎと列電極Ｃ１〜Ｃ
ｎの交点に発光素子Ｚ１１〜Ｚｎｎが接続された有機Ｅ
Ｌパネル４０１を有している。

【００２４】上記列電極Ｃ１〜Ｃｎを駆動するための列
ドライバ４２１〜４２ｎは、行電極Ｒ１〜Ｒｎとは別の
動作電源ＶＢ１に接続された電流検出抵抗器Ｒｄに接続
されており、切替回路Ｓ１１〜Ｓ１ｎにより順次選択さ
れるようになっている。この切替回路Ｓ１１〜Ｓ１ｎの
電流検出抵抗器Ｒｄに接続された端子とは別の端子に
は、マトリクスの列電極Ｃ１〜Ｃｎが接続されている。

【００２５】電流検出抵抗器Ｒｄの両端の電圧は、差動
アンプＡ１、誤差アンブＡ２により基準電圧Ｖｒｅｆと
比較され、かつ、反転増幅されて、列ドライバを構成す
る定電流駆動回路４２１〜４２ｎの入力側に帰還され
る。この場合、列電極Ｃ１〜Ｃｎを順次電流検出抵抗Ｒ
ｄに接続し、電流の補正を行なうので、電流検出・補正
回路は、各列毎には必要でなく、一つで良い。

【００２６】また、このような電流検出手段を併用して
輝度補正を行なう有機ＥＬ表示装置としては、例えば特
開平１０−２５４４１０号公報（文献４）に開示された
有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置
がある。このアクティブマトリクス型表示装置のブロッ
ク図を図１４に示す。

【００２７】上記アクティブマトリクス型表示装置は、
図１４に示すように、Ａ／Ｄ変換回路５１１、演算回路
５１２、フレームメモリ５１３、コントローラ５１４、
操作回路５１５、書き込み回路５１６、電流回路５１
７、電流値メモリ５１８、表示パネル５１９を備えた構
成となっている。

【００２８】図１４において輝度調整手段は、表示パネ
ル５１９の全有機ＥＬ素子を同一の定電圧で駆動し、各
有機ＥＬ素子に流れる電流値を計測し、その計測した電
流値を電流値メモリ５１８へ記憶させ、その記憶データ
とＡ／Ｄ変換回路５１１を通して外部から入力された表
示データを演算回路５１２で処理し、各画素を流れる電
流値の総和を調整している。

【００２９】なお、アクティブ駆動の場合、表示パネル
５１９の各画素は、図１５に示すような構成となる。す
なわち、走査電極線を選択することでＦＥＴ６２１を導
通状態とし、データ電極線の電圧をコンデンサ６２３へ
蓄える。ＦＥＴ６２１を非導通状態としている間も、こ
のコンデンサ６２３の電圧によりＦＥＴ６２２を制御
し、有機ＥＬ６２５を流れる電流量を調節している。

【００３０】そこで、上記電流検出器６２４をＦＥＴ６
２２と有機ＥＬ素子６２５との間に配置し、電流検出器
６２４の出力をＡ／Ｄ変換回路６２６でデジタルデータ
化し、電流値メモリ６２７へ記憶させ、上記電流値の総
和を調整している。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、文献２（特
開２０００−１８７４６７号公報）のようなパッシブマ
トリクス型表示装置では、陰極（Ｃ₀〜Ｃ_n）を順次選択
していくので、陽極（信号電極線Ｓ_j）を流れる電流を
測定すれば、選択している陰極（走査電極線Ｃｉ）との
交点になる有機ＥＬ素子の電流を測定することができ
る。また、文献３（特開平１１−３３８５６１号公報）
のようなパッシブマトリクス型表示装置でも、列電極
（Ｃ１〜Ｃｎ）を流れる電流を測定することにより、有
機ＥＬ素子の電流を測定することができる。

【００３２】しかしながら、上記文献２や文献３のよう
なパヅシブマトリクス型表示装置では、選択されている
電極に所属する画素しか発光せず、非選択の期間のほと
んどでは、画素が発光していないことになる。そのた
め、トータルで高い輝度を実現しようとすると、選択さ
れている画素は非常に高い輝度で発光させなければなら
ない。例えば、デューティー比が１／１００の場合、平
均輝度１００ｃｄ／ｍ²を実現しようとすると、選択期
間での瞬間発光輝度は、１００×１００＝１００００ｃ
ｄ／ｍ²必要となる。このような高い瞬間輝度を得よう
とすると、選択されている電極に対して高電圧を印加す
る必要があり、一般に、発光効率の面から不利になると
いう問題が生じる。

【００３３】一方、文献１（特開平１０−３１９９０８
号公報）のようなアクティブマトリクス型表示装置で
は、書込み選択モード、書込み非選択モードを経て発光
モードに至るため、パッシブマトリクス型表示装置ほど
ではないにしろ、１走査フレーム期間中に非発光期間が
生じ、輝度が落ちるという問題が生じる。

【００３４】また、文献４（特開平１０−２５４４１０
号公報）のようなアクティブマトリクス型表示装置で
は、走査電極線が非選択状態でも、各有機ＥＬ素子で電
流が流れている。そのため、パッシブマトリクス型表示
装置のような、高い瞬間輝度は必要とされない。しかし
ながら、表示形態がアクティブマトリクス型であるがゆ
えに、パッシブマトリクス型表示装置に適用される各有
機ＥＬ素子に流れる電流の測定方法、すなわち、文献２
に開示されているような信号線毎にまとめて電流を測定
する方法では、各有機ＥＬ素子を流れる電流を測定でき
ないという問題が生じる。

【００３５】そのため、図１５に示すように、画素毎に
電流測定を行なう構成が採用されている。

【００３６】しかしながら、画素毎に電流測定手段を配
置する構成では、各画素位置に電流測定手段を配置する
分、各画素のＴＦＴの集積度が下がることや、パネルの
開口率が下がるという問題が生じる。

【００３７】本発明は、上記課題に対してなされたもの
であり、その目的は、表示むらが無く、かつ開口率の低
下や非発光期間をほとんど生じさせず、パネルの開口率
を下げることなしに電流測定手段を配置することが可能
な表示装置およびその駆動方法を提供することである。

【００３８】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、上
記の課題を解決するために、電流が供給されることによ
り自ら発光する自発光素子が画素として複数配置された
表示装置であって、各自発光素子を順次走査する走査信
号線と、各自発光素子に映像情報信号を与える映像情報
信号線と、自発光素子毎に設けられ、上記映像情報信号
線から供給される映像情報信号に対応する電流を、上記
自発光素子に供給する駆動用スイッチング素子と、上記
自発光素子に電流を供給するための複数の電流供給経路
と、上記各駆動用スイッチング素子に接続され、上記走
査信号線からの走査信号に基づいて、上記各電流供給経
路を切り換える経路切換スイッチング素子とを備えてい
ることを特徴としている。

【００３９】上記の構成によれば、自発光素子毎に接続
された駆動用スイッチング素子に、上記走査信号線から
の走査信号に基づいて、自発光素子に電流を供給するた
めの複数の電流供給経路を切り換える経路切換スイッチ
ング素子が接続されていることで、電流供給経路の切換
制御が自発光素子（画素）単位で可能となる。

【００４０】これにより、例えば、走査選択時の画素に
電流を供給する電流供給経路と、走査非選択時の画素に
電流を供給する電流供給経路とを異ならせることがで
き、この結果、走査非選択時であっても画素に電流が流
れるようになる。このため、パッシブマトリクス型表示
装置のような、走査非選択時に画素に電流が流れないよ
うな場合に比べて、高い瞬間輝度が必要なくなるので、
高電圧を画素に印加する必要がなくなり、表示装置全体
の発光効率を向上させることができる。

【００４１】さらに、走査選択時の画素に電流を供給す
る電流供給経路と、走査非選択時の画素に電流を供給す
る電流供給経路とを異ならせることで、例えば、走査選
択時の画素に電流を供給する電流供給経路にのみ電流測
定回路や各画素に流れる電流値の総和を調整するための
補正回路を付与すれば、非走査選択状態の画素の発光状
態に関わり無く、走査選択時の画素への供給電流の測定
および補正を行うことができる。

【００４２】この場合、上記電流測定回路や補正回路を
列電極（映像情報信号線）単位で設けることができる。
したがって、従来のアクティブマトリクス型表示装置の
ように、画素毎に該画素に流れる電流を測定する電流測
定回路や補正回路を設ける必要がなくなるので、電流測
定回路や補正回路による画素の開口率の低下を防止する
ことができる。これにより、画素毎に電流測定回路や補
正回路を設ける場合に比べて、低い電圧で明るい表示画
像を得ることができる。

【００４３】つまり、上記構成の表示装置においては、
上記複数の電流供給経路の少なくとも一つには、電流を
測定する電流測定回路が接続されていてもよいし、上記
映像情報信号線には、上記電流測定回路によって測定さ
れた電流測定値に応じて、該映像情報信号線の印加電圧
の設定を行うための電圧設定回路が接続されていてもよ
い。

【００４４】また、上記駆動用スイッチング素子が１つ
または複数の電界効果トランジスタで構成され、上記電
界効果トランジスタのソース端子またはドレイン端子の
何れか一方の端子が上記自発光素子に接続され、上記ソ
ース端子またはドレイン端子の他方の端子が上記経路切
換スイッチング素子に接続されていてもよい。

【００４５】さらに、上記経路切換スイッチング素子
が、複数の電界効果トランジスタから構成されていても
よい。

【００４６】この複数の電界効果トランジスタには、Ｎ
型電界効果トランジスタとＰ型電界効果トランジスタが
少なくとも一つずつ含まれているのが好ましい。

【００４７】また、上記経路切換スイッチング素子を構
成する複数の電界効果トランジスタのソース端子または
ドレイン端子の何れか一方の端子が上記駆動用スイッチ
ング素子に接続され、上記ソース端子またはドレイン端
子の他方の端子が上記電流供給経路に接続されていても
よい。

【００４８】また、上記経路切換スイッチング素子を構
成する複数の電界効果トランジスタのゲート端子が、上
記走査信号線に接続されていてもよい。

【００４９】上記駆動用スイッチング素子には、映像情
報信号を保持するための信号保持手段が接続され、上記
信号保持手段が保持容量よりなっていてもよく、この保
持容量が、上記駆動用スイッチング素子を構成する上記
電界効果トランジスタのゲート端子に接続されているの
が好ましい。

【００５０】本発明に適用し得る上記自発光素子として
は、有機エレクトロルミネッセンス素子であっても、Ｆ
ＥＤ（フィールドエミッションデバイス）であってもよ
く、電流の供給により自ら発光するものであれば、上記
の有機エレクトロルミネッセンス素子やＦＥＤ以外であ
ってもよい。

【００５１】上記表示装置の駆動方法は、発光素子を走
査する走査期間と、それ以外の期間とで、自発光素子へ
の電流の供給経路である電流供給経路を異ならせること
を特徴としている。

【００５２】これにより、走査期間と非走査期間ともに
電流を自発光素子に供給することが可能となる。例えば
走査選択時の画素に電流を供給する電流供給経路と、走
査非選択時の画素に電流を供給する電流供給経路とを異
ならせることができ、この結果、走査非選択時であって
も画素に電流が流れるようになる。このため、パッシブ
マトリクス型表示装置のような、走査非選択時に画素に
電流が流れないような場合に比べて、高い瞬間輝度が必
要なくなるので、高電圧を画素に印加する必要がなくな
り、表示装置全体の発光効率を向上させることができ
る。

【００５３】上記走査期間には、電流測定用の電流供給
経路を通じて、上記自発光素子に電流を供給し、上記走
査期間以外の期間には、上記電流測定用の電流供給経路
以外の電流供給経路を通じて、上記自発光素子に電流を
供給するようにしてもよい。

【００５４】また、上記走査期間には、電流測定用の電
流供給経路を通じて自発光素子に供給される電流の測定
値に基づいて、該電流の測定値が、映像情報信号に対応
した値となるように、映像情報信号線に印加する電圧を
調整するようにしてもよい。

【００５５】一般に、アクティブマトリクス型表示装置
では、走査電極線が非選択状態でも走査されていない画
素も、自発光素子に電流が流れるようになっている。こ
のため、信号線毎にまとめて電流を測定する手段では、
各自発光素子を流れる電流を測定することはできない。
また、列電極毎に切換スイッチを設けて電流測定時の電
流経路と発光時の電流経路を切り換える手段を用いて
も、同じ理由から各自発光素子を流れる電流は測定でき
ない。

【００５６】そのため、アクティブマトリクス型表示装
置では、各画素に電流測定手段を配置するか、書込み選
択モード、書込み非選択モードを経て発光モードに至る
構成にすることが必要であった。前者の場合、画素毎に
電流測定手段を配置するため、各画素のＴＦＴの集積度
が下がることや、パネルの開口率が下がることが予想さ
れる。また、後者の場合、１走査フレーム期間中に非発
光期間が生じて、輝度の低下につながる。

【００５７】これに対して、本発明では、アクティブマ
トリクス型表示装置において、各画素の光学素子への電
流供給経路（電流注入経路）を複数配置し、また、その
経路切換スイッチングを各画素毎に配置することによ
り、電流注入経路の制御（切換）が、画素単位で可能と
なる。すなわち、走査選択時の画素に電流を注入する電
流注入経路と、非選択時の画素に電流を注入する電流注
入経路とを異ならせ、例えば走査選択時の画素に電流を
注入する電流注入経路にのみ電流測定、補正回路を付与
することにより、非選択時の画素の発光状態に関わり無
く、選択時の画素への注入電流の測定、補正を行うこと
ができる。

【００５８】この場合、電流測定、補正回路は、従来の
アクティブマトリクス型の表示装置のように、各画素毎
に電流測定手段を設ける必要は無く、各列電極ごとに設
ければよい。また、パッシブマトリクス型の表示装置の
ような１走査フレーム内で非発光期間は、殆ど発生しな
い。

【００５９】以上のことから、本発明は、開口率を下げ
ることなしに電流測定手段を配置することが可能とな
り、表示むらが無く、また、開口率の低下や非発光期間
のほとんど生じない表示装置を実現することが可能とな
る。

【００６０】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について説明すれば、以下の通りである。なお、
本実施の形態では、自発光デバイスとして有機ＥＬ素子
を用いた有機ＥＬ表示装置について説明するが、これに
限定されるものではなく、例えばフィールドエミッショ
ンディスプレイ（ＦＥＤ）のような、素子電流値に応じ
て輝度を調節する電気光学素子を用いた表示装置であれ
ば、本発明を適用することができる。

【００６１】また、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装
置として、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に
ついて説明する。これは、既に述べた通り、有機ＥＬ素
子のような、その発光輝度が素子を流れる電流密度に比
例する電流駆動光学素子においては、パッシブ（単純）
マトリクス型よりも、能動素子を各画素に配置したアク
ティブマトリクス型の方が、発光効率、低電圧化の面で
有利であるからである。

【００６２】さらに、アクティブマトリクス型の場合、
駆動ドライバ等を薄膜トランジスタを用いて表示素子と
同一基板上に形成することもでき、省体積化、低コスト
化の面でも有利である。

【００６３】本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置で
は、図２に示すように、複数の走査信号線１２と複数の
映像情報信号線６とが互いに交差する方向に複数配置さ
れ、これら信号線が交差する位置に対応するように、電
流駆動光学素子と能動素子を含む画素Ｐ１１〜Ｐｎｍが
形成されている。

【００６４】図２に示す有機ＥＬ表示装置では、走査信
号線１２は２本で１組となっており、画素Ｐ１１、Ｐ１
２、…Ｐ１ｍに対応する走査信号線１２をそれぞれ、Ｓ
ａ１、Ｓｂ１とし、画素Ｐｎ１、Ｐｎ２、…Ｐｎｍに対
応する走査信号線１２をそれぞれ、Ｓａｎ、Ｓｂｎとし
ている。同様に、画素Ｐ１１、Ｐ２１、…Ｐｎ１に対応
する映像情報信号線６をＤ１とし、画素Ｐ１ｍ、Ｐ２
ｍ、…Ｐｎｍに対応する映像情報信号線６をＤｍとして
いる。上記映像情報信号線６は、電圧設定回路９を通じ
て、電圧供給回路２２に接続され、上記走査信号線１２
は、走査回路２３に接続されている。

【００６５】また、各画素には、電流供給用電源１３に
接続された２本の電流注入経路３ａ及び３ｂが接続され
ている。このうち、電流注入経路３ａは、電流供給用電
源１３と画素の間に、電流測定回路８が接続されてい
る。この電流測定回路８で測定された電流値は電圧値に
変換されて、電圧設定回路９に送られる。電圧設定回路
９では、上記電流値に応じた電圧値と、映像情報信号生
成回路２４からの映像情報信号電圧値とを比較する。電
流測定回路８からの電流値情報（電圧値）が、走査中の
画素の映像情報信号に応じた値となるまで、電圧供給回
路２２から映像情報信号線６への印加電圧を調整する。

【００６６】ここで、画素Ｐ１１、Ｐ２１、…Ｐｎ１に
対応する電流測定回路８をＭ１とし、画素Ｐ１ｍ、Ｐ２
ｍ、…Ｐｎｍに対応する電流測定回路８をＭｍとしてい
る。同様に、画素Ｐ１１、Ｐ２１、…Ｐｎ１に対応する
電圧設定回路９をＴ１とし、画素Ｐ１ｍ、Ｐ２ｍ、…Ｐ
ｎｍに対応する電圧設定回路９をＴｍとしている。つま
り、上記電流測定回路８および電圧設定回路９は、映像
情報信号線６と同じ数だけ設けられている。

【００６７】上記の走査回路２３、電圧供給回路２２、
映像情報信号生成回路２４は、コントローラ２５によっ
て制御される。本実施の形態では、走査回路２３、電圧
供給回路２２、電圧設定回路９、電流測定回路８、映像
情報信号生成回路２４、コントローラ２５は、画素の形
成された基板とは別に用意し、基板と接続する形で用い
ている。しかしながら、これらのすべてまたは一部を、
薄膜トランジスタ技術を用いて画素形成基板上に形成し
てもよい。

【００６８】ここで、上記有機ＥＬ表示装置に用いられ
る画素の構造の詳細を、図１を参照しながら以下に説明
する。

【００６９】上記画素は、図１に示すように、電気光学
素子１として有機ＥＬ素子が配置され、それとは直列
に、駆動用スイッチング素子２が、Ｐ型ＦＥＴ１０を用
いて形成されている。駆動用スイッチング素子２には、
電位保持手段５（保持容量１４）が接続されている。ま
た、走査信号線１２による走査に応じて映像情報信号線
６からの映像情報信号を電位保持手段５に与える走査用
スイッチング素子７が、Ｎ型ＦＥＴを用いて形成され、
上記電位保持手段５と上記駆動用スイッチング素子２に
接続されている。

【００７０】画素への電流注入経路３ａ、３ｂは、経路
切換スイッチング素子４により切り換えられるようにな
っている。つまり、電流注入経路３ａ、３ｂは、切り換
え可能に設けられていることになる。

【００７１】上記電流注入経路３ａには、図２に示すよ
うに、電流供給用電源１３及び電流測定回路８が接続さ
れており、一方、電流注入経路３ｂには、電流供給用電
源１３が接続されている。また、映像情報信号線６に
は、電圧設定回路９が接続されており、この電圧設定回
路９によって、上記電流測定回路８からの電流測定値
と、映像情報信号生成回路２４からの各画素に対応する
映像情報信号電圧とが比較され、該映像情報信号線６へ
の印加電圧設定が行われる。

【００７２】図１において、駆動用スイッチング素子２
を構成するＰ型ＦＥＴ１０のドレイン端子は上記電気光
学素子１に、ソース端子は経路切換スイッチング素子４
に、ゲート電極は上記電位保持手段５及び走査用スイッ
チング素子７に接続されている。

【００７３】上記経路切換スイッチング素子４は、２つ
のＮ型トランジスタ（ＦＥＴ）１１ａ、１１ｂからなっ
ている。なお、この経路切換スイッチング素子４を構成
するＦＥＴは、少なくとも切換対象となる電流注入経路
の数だけ設ける必要があるので、図１に示す例では、２
つの電流注入経路３ａ、３ｂを切り換えるために、２つ
のＦＥＴにて経路切換スイッチング素子４を構成してい
る。

【００７４】上記ＦＥＴ１１ａ、１１ｂのドレイン端子
は、上記駆動用スイッチング素子２に接続され、ソース
端子は電流注入経路３ａ、３ｂに接続され、ゲート端子
は、上記走査信号線１２ａ、１２ｂに接続されている。
図１では、ＦＥＴ１１ａのソース端子、ゲート端子がそ
れぞれ電流注入経路３ａ、走査信号線１２ａに、ＦＥＴ
１１ｂのソース端子、ゲート端子がそれぞれ電流注入経
路３ｂ、走査信号線１２ｂに接続されている。

【００７５】電気光学素子１として用いられる有機ＥＬ
層は、薄膜トランジスタを構成したガラス基板の上にＩ
ＴＯ等の透明陽極を形成し、その上に有機多膜層、更に
その上にＡｌ等の陰極を形成した構成となっている。こ
の有機多膜層にはいくつかの構造があるが、本実施の形
態では正孔注入層（または陽極バッファ層）（ＣｕＰ
ｃ）と、発光層（緑：Ａｌｑ、赤：ＤＣＭをドーパント
したＡｌｑ、青：Ｚｎ（ｏｘｚ）２）と、正孔輸送層
（ＴＰＤ）と、電子輸送層（Ａｌｑ）をこの順番で積層
した構成を用いた。それぞれの構造を図３に示す。

【００７６】ここでは、ガラス基板側に透明電極を設
け、発光をガラス基板側から観察する構成としている
が、これとは逆に、薄膜トランジスタを構成した基板上
に不透明電極（金属電極）、有機多膜層、更にその上に
透明電極という構成として、発光を基板とは反対方向か
ら観察する構成としても構わない。

【００７７】電流測定回路８では、電流注入経路３ａに
流れる電流を電圧の形で測定する。電流量をそれに対応
する電圧に変換するために、抵抗素子とＯＰアンブを設
け、抵抗素子を流れる電流による電圧降下をモニタする
構成となっている。その出力電圧は、電圧設定回路９へ
と送られる。

【００７８】上記電圧設定回路９の動作を図４を参照に
以下に説明する。

【００７９】電圧設定回路９では、図４に示すように、
映像情報信号生成回路２４からの、選択されている画素
Ｐｎｍの映像情報信号（階調信号）に対応する電圧Ｖｄ
ａｔと、電流測定回路８からの、選択されている画素Ｐ
ｎｍに流れる電流量に対応する電圧Ｖｍｅｓとを比較
し、電圧供給回路２２から供給される電圧の調整、すな
わち、対応画素Ｐｎｍの映像情報信号線６への印加電圧
Ｖａｐｐを調整している。

【００８０】ここでは、電圧設定回路９は、論理回路を
用いて構成されており、その動作フローを図５に示す。
基本的な動作は、画素を流れる電流に対応する電圧Ｖｍ
ｅｓが、映像情報信号に対応する電圧Ｖｄａｔと等しく
なるまで、対応画素の映像情報信号線６への印加電圧Ｖ
ａｐｐを調整し続ける。

【００８１】まず、図５に示すように、Ｖａｐｐをリセ
ット状態Ｖ０（今回の例では０）とする（ステップＳ
１）。次いで、映像情報信号生成回路２４からＶｄａｔ
を入手し（ステップＳ２）、電流測定回路８からＶｍｅ
ｓを入手する（ステップＳ３）。

【００８２】そして、Ｖｄａｔ≦Ｖｍｅｓの関係が成り
立つか否かを判断する（ステップＳ４）。ここで、Ｖｄ
ａｔ≦Ｖｍｅｓの関係が成り立てば、処理を終了して、
ＶｄａｔをＶａｐｐとして映像情報信号線６に印加す
る。

【００８３】一方、ステップＳ４において、Ｖｄａｔ≦
Ｖｍｅｓの関係が成り立たなければ、Ｖａｐｐを所定の
電圧値△Ｖだけ増加させ（ステップＳ５）、再び、Ｖｄ
ａｔとＶｍｅｓとを比較する。その際に、ステップＳ６
において、Ｖａｐｐ≧Ｖｍａｘの関係が成り立つか否か
を判断する。ここで、Ｖｍａｘは、画素の最大輝度を与
えるときのＶａｐｐである。

【００８４】ステップＳ６において、Ｖａｐｐ≧Ｖｍａ
ｘの関係が成り立てば、処理を終了して、ＶｍａｘをＶ
ａｐｐとして映像情報信号線６に印加する。

【００８５】一方、ステップＳ６において、Ｖａｐｐ≧
Ｖｍａｘの関係が成り立たなければ、ステップＳ３に移
行して、再度、電流測定回路８からのＶｍｅｓを入手す
る。そして、この動作を、Ｖｄａｔ≦Ｖｍｅｓなる関係
が成立するまで繰り返す。この場合、△Ｖが小さい程、
Ｖａｐｐの細かい調整が可能となるが、一般的には、表
示装置が表現しようとする階調数に応じて決めれば良
い。例えば画素毎に２５６階調表示を行うのであれば、
（Ｖｍａｘ−Ｖ０）／２５６／２程度が好ましい。

【００８６】このようにして、映像情報信号に応じた電
流値が画素に流れるように、対応画素の映像情報信号線
６への印加電圧Ｖａｐｐを設定できる。

【００８７】図１および２に示す有機ＥＬ表示装置の駆
動波形は、例えば、図６に示すようになる。図６中のＳ
ａ１、Ｓａ２、Ｓａｎは、図２における走査信号線１２
のＳａ１、Ｓａ２、Ｓａｎに印加される走査信号電圧を
表している。同様に、図６中のＳｂ１、Ｓｂ２、Ｓｂｎ
は、図２における走査信号線１２のＳｂ１、Ｓｂ２、Ｓ
ｂｎに印加される走査信号電圧を表している。

【００８８】上記構成の有機ＥＬ表示装置は、１走査フ
レーム中に、走査信号線Ｓａ１、Ｓａ２、…Ｓａｎ及び
走査信号線Ｓｂ１、Ｓｂ２、…Ｓｂｎは順次走査選択さ
れる。走査選択時に、走査信号線Ｓａ１、Ｓａ２、…Ｓ
ａｎはハイレベルに、走査信号線Ｓｂ１、Ｓｂ２、…Ｓ
ｂｎはロウレベルに、また、非選択時には逆に、走査信
号線Ｓａ１、Ｓａ２、…Ｓａｎはロウレベルに、走査信
号線Ｓｂ１、Ｓｂ２、…Ｓｂｎはハイレベルに設定され
る。

【００８９】図６では、期間ｔ１において、Ｓａ１及び
Ｓｂ１が走査選択され（すなわち、画素Ｐ１１、Ｐ１
２、…Ｐ１ｍが走査選択され）、残りの走査信号線は非
選択となる。この期間が、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１
ｍにとっての走査期間となる。

【００９０】また、図６に示す期間ｔ１からｔ２の期間
（画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍにとっての走査期間）
では、Ｓａ１がハイレベルに、Ｓｂ１がロウレベルとな
り、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍでは、図１に示すＦ
ＥＴ１１ａが導通状態、ＦＥＴ１１ｂが非導通状態とな
る。すなわち、駆動用スイッチング素子２と電気光学素
子１は、電流注入経路３ａを通じて、電流供給用電源１
３に接続される。

【００９１】一方、Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍ以外の画
素では、ＦＥＴ１１ａが非導通、ＦＥＴ１１ｂが導通状
態となるため、駆動用スイッチング素子２と電気光学素
子１は、電流注入経路３ｂを通じて電流供給用電源１３
に接続される。

【００９２】電流注入経路３ａには、電流測定回路８が
接続されているため、走査選択されている画素の電流値
を順次測定することができる。このとき、非選択状態の
画素へは異なる電流注入経路３ｂを通じて電流が供給さ
れているため、非選択状態の画素に流れる電流の影響を
受けずに、走査選択されている画素の電流値を順次測定
することができる。

【００９３】また、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍの走
査用スイッチング素子７のみが導通状態となり、映像情
報信号線６からの印加電圧を、駆動用スイッチング素子
２へ印加可能とする。その他の画素では走査用スイッチ
ング素子７は非導通状態であり、映像情報信号線６から
は電気的に切り離されている。

【００９４】この期間ｔ１からｔ２の間に、走査選択さ
れているＰ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍの各画素への映像情
報の書込み、保持を行う。

【００９５】上記の構成の有機ＥＬ表示装置では、図１
および２に示すように、電圧供給回路２２から、各画素
に対応する電圧設定回路９を経て、各画素へ対応する映
像情報信号線６へ信号電圧が印加される。このとき、電
流注入経路３ａを通じて画素に流れる電流値を、順次、
電流測定回路８によって測定、電圧に変換し、電圧設定
回路９へ送る。

【００９６】電圧設定回路９では、この値と映像情報信
号として映像情報信号生成回路２４より与えられる映像
情報電圧とを比較し、画素に流れる電流が映像情報信号
に対応した値となるように、映像情報信号線６への印加
電圧を設定する。この印加電圧は、導通状態となってい
る走査用スイッチング素子７を通じて、駆動用スイッチ
ング素子２のゲート端子に印加され、電気光学素子１ヘ
の注入電流を制御する。

【００９７】このように、画素に流れる電流値を参照し
ながら、映像情報信号線６への印加電圧を設定するた
め、画素を構成するスイッチング素子や電気光学素子１
の特性ばらつき、劣化状態に関わらず、映像情報信号に
対応した一定の輝度に設定できる。なお、このとき、映
像情報信号線６への印加電圧は、走査用スイッチング素
子７を通じて、駆動用スイッチング素子２に印加される
だけではなく、電位保持手段５にも蓄えられる。

【００９８】引き続き、図６に示すｔ２からｔ３の期間
は、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍのための走査期間に
充てられる。この期間には、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ
２ｍに対応する走査信号線Ｓａ２及びＳｂ２が走査選択
され、その他の走査信号線は非選択となる。すなわち、
Ｓａ２はハイレベルに、Ｓａｘ（ｘ＝１〜ｎ、ただし、
ｘ≠２）はロウレベルと設定され、Ｓｂ２はロウレベル
に、Ｓｂｘ（ｘ＝１〜ｎ、ただし、ｘ≠２）はハイレベ
ルに設定される。

【００９９】このとき、先に走査選択された画素Ｐ１
１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍでは、走査用スイッチング素子７
が非導通状態となるため、映像情報信号線６から画素へ
の電圧印加が途絶える。しかしながら、期間ｔ１からｔ
２の間に電位保持手段５に蓄えられた電荷により、駆動
用スイッチング素子２の導通状態は保持されている。画
素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍでは、ＦＥＴ１１ａが非導
通、ＦＥＴ１１ｂが導通となるため、電流注入経路３ｂ
から、駆動用スイッチング素子２の導通状態に応じた電
流が電気光学素子１に流される。

【０１００】このようにして、Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１
ｍでは、走査選択されたときに設定された画素電流が、
非選択期間においても引き続き流されることとなり、次
のフレームの走査期間まで、ほぼ一定の電流値（すなわ
ち輝度）を保持することができる。

【０１０１】一方、この期間（ｔ２からｔ３の期間）、
画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍでは、ＦＥＴ１１ａが導
通状態、ＦＥＴ１１ｂが非導通状態となり、その他の画
素では、ＦＥＴ１１ａが非導通、ＦＥＴ１１ｂが導通状
態となる。すなわち、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍで
は、駆動用スイッチング素子２と電気光学素子１は、電
流注入経路３ａを通じて電流供給用電源１３に接続さ
れ、その他の画素では、電流注入経路３ｂを通じて電流
供給用電源１３に接続される。そのため、走査選択され
ている画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍでは、電流注入経
路３ａ、電流測定回路８を通じて、非選択画素とは独立
に、画素の電流値を測定できる。

【０１０２】このとき、先のｔ１からｔ２の期間と同様
に、走査選択されているＰ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍの各
画素に対して、電圧供給回路２２から、各画素に対応す
る電圧設定回路９を経て、各画素へ対応する映像情報信
号線６へ信号電圧が印加される。このとき、電流注入経
路３ａを通じて画素に流れる電流値を、順次、電流測定
回路８によって測定、電圧に変換し、電圧設定回路９へ
送る。電圧設定回路９では、この値と、映像情報信号生
成回路２４からの各画素の映像情報信号電圧とを比較
し、各画素に流れる電流が映像情報信号に対応した値と
なるように、映像情報信号線６への印加電圧を設定す
る。このときの映像情報信号線６への印加電圧は、走査
用スイッチング素子７を通じて、駆動用スイッチング素
子２に印加され、電気光学素子１に流れる電流を制御す
る。また、同時に、映像情報信号線６への印加電圧は電
位保持手段５に蓄えられる。

【０１０３】期間ｔ３では、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ
２ｍに対応する走査信号線Ｓａ２、Ｓｂ２は非選択とな
り、上記画素は映像情報信号線６から切り離されるが、
画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍと同様に、電位保持手段
５に蓄えられた電荷が駆動用スイッチング素子２を制御
し続けるため、電気光学素子１の輝度は、所定値に保た
れつづける。

【０１０４】同様に、順次、期間ｔ３からは、Ｐ３１、
Ｐ３２、…Ｐ３ｍが、期間ｔ４からは、Ｐ４１、Ｐ４
２、…Ｐ４ｍが走査選択され、期間ｔｎからは、Ｐｎ
１、Ｐｎ２、…Ｐｎｍが走査選択されることにより、全
画素への映像情報の書込みが終了し、１走査フレームが
終了する。走査フレームが繰り返されることにより、映
像が形成され続ける。

【０１０５】上記のような有機ＥＬ表示装置、およびそ
の駆動方法を用いることにより、表示むらの無い明るい
画像が実現できた。

【０１０６】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施
の形態では、前記実施の形態１と同様に、アクティブマ
トリクス型の有機ＥＬ表示装置について説明する。した
がって、前記実施の形態１で説明した部材と同一の機能
を有する部材については、同一の符号を付記し、その説
明は省略する。

【０１０７】本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、
図７に示すように、前記実施の形態１の図２に示す有機
ＥＬ表示装置と同様に、複数の走査信号線１２と複数の
映像情報信号線６が互いに交差する方向に複数配置され
ている。それらの交差する位置に対応するように、電気
光学素子１と能動素子を含む画素Ｐ１１〜Ｐｎｍが形成
されている。

【０１０８】上記有機ＥＬ表示装置は、図７に示すよう
に、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍに対応する走査信号
線１２をＳ１、画素Ｐｎ１、Ｐｎ２、…Ｐｎｍに対応す
る走査信号線１２をＳｎとしている。同様に、画素Ｐ１
１、Ｐ２１、…Ｐｎ１に対応する映像情報信号線６をＤ
１とし、画素Ｐ１ｍ、Ｐ２ｍ、…Ｐｎｍに対応する映像
情報信号線６をＤｍとしている。なお、前記実施の形態
１の有機ＥＬ表示装置では、各画素に２本の走査信号線
１２が接続されていたが、本実施の形態の有機ＥＬ表示
装置では、各画素に１本の走査信号線１２が接続されて
いる。

【０１０９】映像情報信号線６は、電圧設定回路９を通
じて、電圧供給回路２２に接続され、走査信号線１２
は、走査回路２３に接続されている。各画素には、電流
供給用電源１３に接続された２本の電流注入経路３ａ及
び３ｂが接続されている。このうち、電流注入経路３ａ
は電流供給用電源Ｖｄｄと画素の間に、電流測定回路８
が接続されている。

【０１１０】電流測定回路８で測定された電流値は電圧
値に変換されて、電圧設定回路９に送られる。電圧設定
回路９では、上記電流値に応じた電圧値と、映像情報信
号生成回路２４からの映像情報信号電圧値とを比較す
る。電流測定回路８からの電流値情報が、走査中の画素
の映像情報信号に応じた値となるまで、電圧供給回路２
２から映像情報信号線６への印加電圧を調整する。

【０１１１】上記走査回路２３、電圧供給回路２２、映
像情報信号生成回路２４は、コントローラ２５によって
制御される。本実施の形態では、走査回路２３、電圧供
給回路２２、電圧設定回路９、電流測定回路８、映像情
報信号生成回路２４、コントローラ２５は、画素の形成
された基板とは別に用意し、基板と接続する形で用いて
いるが、これらのすべてまたは一部を、薄膜トランジス
タ技術を用いて画素形成基板上に形成してもよい。

【０１１２】上記有機ＥＬ表示装置の画素の構成につい
て以下に説明する。

【０１１３】上記画素は、図８に示すように、電気光学
素子１として有機ＥＬ素子が配置され、それとは直列
に、駆動用スイッチング素子２が、Ｐ型ＦＥＴ１０を用
いて形成されている。駆動用スイッチング素子２には、
電位保持手段５（保持容量１４）が接続されている。ま
た、走査信号線１２による走査に応じて映像情報信号線
６からの映像情報信号を電位保持手段５に与える走査用
スイッチング素子７が、Ｎ型ＦＥＴを用いて形成され、
上記電位保持手段５と上記駆動用スイッチング素子２に
接続されている。画素への電流注入経路３は、３ａ及び
３ｂの２つ存在し、経路切換スイッチング素子４により
電流注入経路を切り換え可能である。

【０１１４】上記電流注入経路３ａは、図７に示すよう
に、電流供給用電源１３及び電流測定回路８が接続され
ており、一方、電流注入経路３ｂには電流供給用電源１
３が接続されている。また、映像情報信号線６には電圧
設定回路９が接続されており、上記電流測定回路８から
の電流測定値と、映像情報信号生成回路２４からの各画
素に対応する映像情報信号電圧とを比較し、映像情報信
号線６への印加電圧設定を行う。

【０１１５】図８において、駆動用スイッチング素子２
を構成するＰ型ＦＥＴ１０のドレイン端子は上記電気光
学素子１に、ソース端子は経路切換スイッチング素子４
に、ゲート電極は上記電位保持手段５及び走査用スイッ
チング素子７に接続されている。

【０１１６】また、上記経路切換スイッチング素子４
は、複数のＦＥＴ１１より構成されている。なお、図８
に示す例では、経路切換スイッチング素子４は、Ｎ型Ｆ
ＥＴ１１ａとＰ型ＦＥＴ１１ｂ’からなっている。ＦＥ
Ｔ１１ａ、１１ｂ’のドレイン端子は上記駆動用スイッ
チング素子２に接続され、ソース端子はそれぞれ電流注
入経路３ａ、３ｂに接続され、ゲート端子は上記走査信
号線１２に接続されている。

【０１１７】電気光学素子１として用いられる有機ＥＬ
層は、前記実施の形態１の場合と同様に、薄膜トランジ
スタを構成したガラス基板の上にＩＴＯ等の透明陽極を
形成し、その上に有機多膜層、更にその上にＡｌ等の陰
極を形成した構成である。正孔注入層（または陽極バッ
ファ層）（ＣｕＰｃ）と、発光層（緑：Ａｌｑ、赤：Ｄ
ＣＭをドーパントしたＡｌｑ、青：Ｚｎ（ｏｘｚ）２）
と、正孔輸送層（ＴＰＤ）と、電子輸送層（Ａｌｑ）を
この順番で積層した構成を用いている。

【０１１８】ここでは、ガラス基板側に透明電極を設
け、発光をガラス基板側から観察する構成としている
が、これとは逆に、薄膜トランジスタを構成した基板上
に不透明電極（金属電極）、有機多膜層、更にその上に
透明電極という構成として、発光を基板とは反対方向か
ら観察する構成としても構わない。

【０１１９】電流測定回路８及び電圧設定回路９は、前
記実施の形態１で述べたものと同様の構成である。図
７、８に示す表示装置の駆動波形の例を図９に示す。図
９中のＳ１、Ｓ２、Ｓｎは、図６における走査信号線１
２のＳ１、Ｓ２、Ｓｎに印加される走査信号電圧を表し
ている。

【０１２０】１走査フレーム中に、走査信号線Ｓ１、Ｓ
２、…Ｓｎは順次走査選択される。走査信号線Ｓ１、Ｓ
２、…Ｓｎは、走査選択時にハイレベルに、非選択時に
は逆にロウレベルに設定される。期間ｔ１において、Ｓ
１が走査選択され（すなわち、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…
Ｐ１ｍが走査選択され）、残りの走査信号線は非選択と
なる。１フレーム内において、この期間が、画素Ｐ１
１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍにとっての走査期間となる。

【０１２１】図９での時刻ｔ１からｔ２の期間（画素Ｐ
１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍにとっての走査期間）では、Ｓ
１がハイレベルとなり、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍ
では、図８のＦＥＴ１１ａが導通状態、ＦＥＴ１１ｂ’
が非導通状態となる。すなわち、駆動用スイッチング素
子２と電気光学素子１は、電流注入経路３ａを通じて、
電流供給用電源１３に接続される。一方、Ｐ１１、Ｐ１
２、…Ｐ１ｍ以外の画素では、ＦＥＴ１１ａが非導通、
ＦＥＴ１１ｂ’が導通状態となるため、駆動用スイッチ
ング素子２と電気光学素子１は、電流注入経路３ｂを通
じて電流供給用電源１３に接続される。

【０１２２】電流注入経路３ａには、電流測定回路８が
接続されているため、走査選択されている画素の電流値
を順次測定することができる。このとき、非選択状態の
画素へは異なる電流注入経路３ｂを通じて電流が供給さ
れているため、非選択状態の画素に流れる電流の影響を
受けずに、走査選択されている画素の電流値を順次測定
することができる。

【０１２３】また、画素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍの走
査用スイッチング素子７のみが導通状態となり、映像情
報信号線６からの印加電圧を、駆動用スイッチング素子
２へ印加可能とする。その他の画素では走査用スイッチ
ング素子７は非導通状態であり、映像情報信号線６から
は電気的に切り離されている。

【０１２４】この時刻ｔ１からｔ２の間に、走査選択さ
れているＰ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍの各画素への映像情
報の書込み、保持を行う。電圧供給回路２２から、各画
素に対応する電圧設定回路９を経て、各画素へ対応する
映像情報信号線６へ信号電圧が印加される。このとき、
電流注入経路３ａを通じて画素に流れる電流値を、順
次、電流測定回路８によって測定、電圧に変換し、電圧
設定回路９へ送る。

【０１２５】電圧設定回路９では、この値と映像情報信
号として映像情報信号生成回路２４より与えられる映像
情報電圧とを比較し、画素に流れる電流が映像情報信号
に対応した値となるように、映像情報信号線６への印加
電圧を設定する。この印加電圧は、導通状態となってい
る走査用スイッチング素子７を通じて、駆動用スイッチ
ング素子２のゲート端子に印加され、電気光学素子１へ
の注入電流を制御する。

【０１２６】このように、画素に流れる電流値を参照し
ながら、映像情報信号線６への印加電圧を設定するた
め、画素を構成するスイッチング素子や電気光学素子１
の特性ばらつき、劣化状態に関わらず、映像情報信号に
対応した一定の輝度に設定できる。なお、このとき、映
像情報信号線６への印加電圧は、走査用スイッチング素
子７を通じて、駆動用スイッチング素子２に印加される
だけではなく、電位保持手段５にも蓄えられる。

【０１２７】引き続き図９のｔ２からｔ３の期間は、画
素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍのための走査期間に充てら
れる。この期間には、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍに
対応する走査信号線Ｓ２が走査選択され、その他の走査
信号線は非選択となる。すなわち、Ｓ２はハイレベル
に、Ｓｘ（ｘ＝１〜ｎ、ただし、ｘ≠２）はロウレベル
と設定される。

【０１２８】このとき、先に走査選択された画素Ｐ１
１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍでは、走査用スイッチング素子７
が非導通状態となるため、映像情報信号線６から画素へ
の電圧印加が途絶える。しかしながら、時刻ｔ１からｔ
２の間に電位保持手段５に蓄えられた電荷により、駆動
用スイッチング素子２の導通状態は保持されている。画
素Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１ｍでは、ＦＥＴ１１ａが非導
通、ＦＥＴ１１ｂ’が導通となるため、電流注入経路３
ｂから、駆動用スイッチング素子２の導通状態に応じた
電流が電気光学素子１に流される。

【０１２９】このようにして、Ｐ１１、Ｐ１２、…Ｐ１
ｍでは、走査選択されたときに設定された画素電流が、
非選択期間においても引き続き流されることとなり、次
のフレームの走査期間まで、ほぼ一定の電流値（すなわ
ち輝度）を保持する。

【０１３０】一方、この期間（ｔ２からｔ３の期間）、
画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍでは、ＦＥＴ１１ａが導
通状態、ＦＥＴ１１ｂが非導通状態となり、その他の画
素では、ＦＥＴ１１ａが非導通、ＦＥＴ１１ｂが導通状
態となる。すなわち、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍで
は、駆動用スイッチング素子２と電気光学素子１は、電
流注入経路３ａを通じて電流供給用電源１３に接続さ
れ、その他の画素では、電流注入経路３ｂを通じて電流
供給用電源１３に接続される。

【０１３１】そのため、走査選択されている画素Ｐ２
１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍでは、電流注入経路３ａ、電流測
定回路８を通じて、非選択画素とは独立に、画素の電流
値を測定できる。このとき、先のｔ１からｔ２の期間と
同様に、走査選択されているＰ２１、Ｐ２２、…Ｐ２ｍ
の各画素に対して、電圧供給回路２２から、各画素に対
応する電圧設定回路９を経て、各画素へ対応する映像情
報信号線６へ信号電圧が印加される。このとき、電流注
入経路３ａを通じて画素に流れる電流値を、順次、電流
測定回路８によって測定、電圧に変換し、電圧設定回路
９へ送る。

【０１３２】電圧設定回路９では、この値と、映像情報
信号生成回路２４からの各画素の映像情報信号電圧とを
比較し、各画素に流れる電流が映像情報信号に対応した
値となるように、映像情報信号線６への印加電圧を設定
する。このときの映像情報信号線６への印加電圧は、走
査用スイッチング素子７を通じて、駆動用スイッチング
素子２に印加され、電気光学素子１に流れる電流を制御
する。また、同時に、映像情報信号線への印加電圧は電
位保持手段５に蓄えられる。

【０１３３】期間ｔ３では、画素Ｐ２１、Ｐ２２、…Ｐ
２ｍに対応する走査信号線Ｓ２は非選択となり、上記画
素は映像情報信号線６から切り離されるが、画素Ｐ１
１、Ｐ１２、…Ｐｌｍと同様に、電位保持手段５に蓄え
られた電荷が駆動用スイッチング素子２を制御し続ける
ため、電気光学素子１の輝，度は、所定値に保たれつづ
ける。

【０１３４】同様に、順次、ｔ３からはＰ３１、Ｐ３
２、…Ｐ３ｍが、ｔ４からはＰ４１、Ｐ４２、…Ｐ４ｍ
が走査選択され、ｔｎからＰｎ１、Ｐｎ２、…Ｐｎｍが
走査選択されることにより、全画素への映像情報の書込
みが終了し、１走査フレームが終了する。走査フレーム
が繰り返されることにより、映像が形成され続ける。

【０１３５】上記のような表示装置、駆動方法を用いる
ことにより、表示むらの無い明るい画像が実現できた。

【０１３６】なお、上記の実施の形態では、電流注入経
路毎にＦＥＴを１個設ける構成、すなわちＦＥＴの数が
電流注入経路の数と同じ構成としているが、これに限定
されるものではない。

【０１３７】例えば、ＦＥＴのＯＦＦ抵抗が悪いときに
は、１つの電流注入経路にＦＥＴを直列に複数個設けれ
ばよく、また、ＦＥＴのＯＮ抵抗が悪いときには、１つ
の電流注入経路にＦＥＴを並列に複数個配置すればよ
い。

【０１３８】したがって、ＦＥＴのＯＮ抵抗およびＯＦ
Ｆ抵抗の何れの特性も良好な場合に、ＦＥＴの数が電流
注入経路の数と同じでよいことになる。

【０１３９】また、本発明の表示装置は、電気光学素子
１が画素として複数配置された表示装置であって、複数
の電気光学素子１を順次走査する走査信号線１２と、映
像情報信号を与える映像情報信号線６が配置されてお
り、上記電気光学素子１の各々と直列に駆動用スイッチ
ング素子２が接続され、上記駆動用スイッチング素子２
の各々には、映像情報信号に対応する電位を保持する電
位保持手段５が接続されており、上記電位保持手段５の
各々には、上記走査信号線１２による走査に応じて上記
映像情報信号線６からの映像情報信号を上記電位保持手
段５に与える走査用スイッチング素子７が接続されてお
り、上記電気光学素子１及び駆動用スイッチング素子２
を通る電流の電流経路３が複数存在し、各々の電気光学
素子１毎に対応して設けられた経路切換スイッチング素
子４によって複数の電流注入経路３が選択可能であるこ
とを特徴としている。

【０１４０】上記複数の電流注入経路３の少なくとも一
つは、電流測定回路８が接続されていることを特徴とし
ている。

【０１４１】上記映像情報信号線６には電圧設定回路９
が接続されており、上記電流測定回路８からの電流測定
値に応じて、映像情報信号線６への印加電圧設定を行な
うことを特徴としている。

【０１４２】上記駆動用スイッチング素子２が１つまた
は複数のＦＥＴ１０から構成され、そのソースまたはド
レイン端子の一方の端子が上記電気光学素子１に接続さ
れ、ソースまたはドレイン端子の他方の端子が上記経路
切換スイッチング素子４に接続されていることを特徴と
している。

【０１４３】上記経路切換スイッチング素子４が、複数
のＦＥＴ１１から構成されていることを特徴としてい
る。

【０１４４】上記複数のＦＥＴ１１には、Ｎ型ＦＥＴと
Ｐ型ＦＥＴが少なくとも一つずつ含まれていることを特
徴としている。

【０１４５】上記経路切換スイッチング素子４を構成す
る複数のＦＥＴ１１のソースまたはドレイン端子の一方
の端子が上記駆動用スイッチング素子２に接続され、ソ
ースまたはドレイン端子の他方の端子が電流注入経路３
に接続されていることを特徴としている。

【０１４６】上記経路切換スイッチング素子４を構成す
る複数のＦＥＴ１１のゲート端子が、上記走査信号線１
２に接続されていることを特徴としている。

【０１４７】上記電位保持手段５が保持容量１４よりな
ることを特徴としている。

【０１４８】上記保持容量１４が、上記駆動用スイッチ
ング素子２を構成する上記ＦＥＴ１０のゲート端子と接
続されていることを特徴としている。

【０１４９】上記電気光学素子１が、有機エレクトロル
ミネッセンス素子であることを特徴としている。

【０１５０】上記構成の表示装置の駆動方法であって、
上記電位保持手段５に映像情報信号に対応した電位を書
込むための走査期間と、それ以外の期間とで、上記複数
の電流経路３を異ならせることを特徴としている。

【０１５１】上記走査期間には上記電流測定回路８が接
続されている電流経路３を通じて、上記電気光学素子１
及び駆動用スイッチング素子２に電流を流し、上記走査
期間以外の期間では、上記電流測定回路８が接続されて
いない電流経路３を通じて、上記電気光学素子１及び駆
動用スイッチング素子２に電流を流すことを特徴として
いる。

【０１５２】上記走査期間では、上記電流測定回路８を
用いて、上記電気光学素子１及び駆動用スイッチング素
子２への電流値を電圧値としてモニターし、電流値が、
映像情報信号に対応した所定の電流値となるように、上
記電圧設定回路９により映像情報信号線６への印加電圧
を設定することを特徴としている。

【０１５３】一般に、アクティブマトリクス型表示装置
では、例えば特開平１０−２５４４１０で開示の構成の
アクティブマトリクス型表示装置のように、走査電極線
が非選択状態でも走査されていない画素も、有機ＥＬ素
子に電流が流れている。そのため、特開２０００−１８
７４６７で開示のような信号線側毎にまとめて電流を測
定する手段では、各有機ＥＬ素子を流れる電流は測定で
きない。特開平１１−３３８５６１で開示の、列電極毎
に切換スイッチを設けて電流測定時の電流経路と発光時
の電流経路を切り換える手段を用いても、同じ理由から
各有機ＥＬ素子を流れる電流は測定できない。

【０１５４】そのため、アクティブマトリクス型表示装
置では、特開１０−２５４４１０で開示のように、各画
素に電流測定手段を配置するか、特開平１０−３１９９
０８で開示のように、書込み選択モード、書込み非選択
モードを経て発光モードに至る構成にすることが必要で
あった。前者の場合、画素毎に電流測定手段を配置する
ため、各画素のＴＦＴの集積度が下がることや、パネル
の開口率が下がることが予想される。また、後者の場
合、１走査フレーム期間中に非発光期間が生じて、輝度
の低下につながる。本発明では、アクティブマトリクス
型表示装置において、各画素の光学素子への電流注入経
路を複数配置し、また、その経路切換スイッチングを各
画素毎に配置することにより、電流注入経路の制御（切
換）が、画素単位で可能となる。すなわち、走査選択時
の画素に電流を注入する電流注入経路と、非選択時の画
素に電流を注入する電流注入経路とを異ならせ、例えば
走査選択時の画素に電流を注入する電流注入経路にのみ
電流測定、補正回路を付与することにより、非選択時の
画素の発光状態に関わり無く、選択時の画素への注入電
流の測定、補正を行うことができる。この場合、電流測
定、補正回路は、特開１０−２５４４１０で開示のよう
に各画素毎に電流測定手段を設ける必要は無く、各列電
極ごとに設ければよい。また、特開平１０−３１９９０
８で開示の技術とは異なり、１走査フレーム内で非発光
期間がほとんど生じない。

【０１５５】すなわち、本発明は、開口率を下げること
なしに電流測定手段を配置することが可能となり、表示
むらが無く、また、開口率の低下や非発光期間のほとん
ど生じない表示装置を実現することが可能となる。

【０１５６】

【発明の効果】本発明の表示装置は、以上のように、電
流が供給されることにより自ら発光する自発光素子が画
素として複数配置された表示装置であって、各自発光素
子を順次走査する走査信号線と、各自発光素子に映像情
報信号を与える映像情報信号線と、自発光素子毎に設け
られ、上記映像情報信号線から供給される映像情報信号
に対応する電流を、上記自発光素子に供給する駆動用ス
イッチング素子と、上記自発光素子に電流を供給するた
めの複数の電流供給経路と、上記各駆動用スイッチング
素子に接続され、上記走査信号線からの走査信号に基づ
いて、上記各電流供給経路を切り換える経路切換スイッ
チング素子とを備えている構成である。

【０１５７】それゆえ、電流供給経路の切換制御が自発
光素子（画素）単位で可能となるので、例えば、走査選
択時の画素に電流を供給する電流供給経路と、走査非選
択時の画素に電流を供給する電流供給経路とを異ならせ
ることができ、この結果、走査非選択時であっても画素
に電流が流れるようになる。このため、パッシブマトリ
クス型表示装置のような、走査非選択時に画素に電流が
流れないような場合に比べて、高い瞬間輝度が必要なく
なるので、高電圧を画素に印加する必要がなくなり、表
示装置全体の発光効率を向上させることができる。

【０１５８】さらに、走査選択時の画素に電流を供給す
る電流供給経路と、走査非選択時の画素に電流を供給す
る電流供給経路とを異ならせることで、例えば、走査選
択時の画素に電流を供給する電流供給経路にのみ電流測
定回路や各画素に流れる電流値の総和を調整するための
補正回路を付与すれば、非走査選択状態の画素の発光状
態に関わり無く、走査選択時の画素への供給電流の測定
および補正を行うことができる。この場合、映像情報信
号線毎に、電流測定等を行うことができるので、上記電
流測定回路や補正回路を映像情報信号線単位、すなわち
列電極単位で設けることができる。

【０１５９】したがって、従来のアクティブマトリクス
型表示装置のように、画素毎に該画素に流れる電流を測
定する電流測定回路や補正回路を設ける必要がなくなる
ので、電流測定回路や補正回路による画素の開口率の低
下を防止することができる。これにより、画素毎に電流
測定回路や補正回路を設ける場合に比べて、低い電圧で
明るい表示画像を得ることができるという効果を奏す
る。

【０１６０】本発明の表示装置の駆動方法は、以上のよ
うに、発光素子を走査する走査期間と、それ以外の期間
とで、自発光素子への電流の供給経路である電流供給経
路を異ならせる構成である。

【０１６１】これにより、走査期間と非走査期間ともに
電流を自発光素子に供給することが可能となる。例えば
走査選択時の画素に電流を供給する電流供給経路と、走
査非選択時の画素に電流を供給する電流供給経路とを異
ならせることができ、この結果、走査非選択時であって
も画素に電流が流れるようになる。このため、パッシブ
マトリクス型表示装置のような、走査非選択時に画素に
電流が流れないような場合に比べて、高い瞬間輝度が必
要なくなるので、高電圧を画素に印加する必要がなくな
り、表示装置全体の発光効率を向上させることができる
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置を構成する画素の概略構成図
である。

【図２】図１に示す画素近傍の構成を有する表示装置の
概略構成ブロック図である。

【図３】図１に示す画素の電気光学素子の各構成要素の
構造式である。

【図４】図１に示す画素への電圧および情報信号の供給
のための回路構成を示す説明図である。

【図５】図４に示す各回路の動作の流れを示すフローチ
ャートである。

【図６】図２に示す表示装置における走査信号電圧の波
形図である。

【図７】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の概略
構成ブロック図である。

【図８】図７に示す表示装置を構成する画素の概略構成
図である。

【図９】図７に示す表示装置における走査信号電圧の波
形図である。

【図１０】従来の表示装置における画素の概略構成図で
ある。

【図１１】従来の表示装置の概略構成ブロック図であ
る。

【図１２】図１１に示す表示装置に備えられた電流検出
回路の概略構成ブロック図である。

【図１３】従来の表示装置の概略構成ブロック図であ
る。

【図１４】従来の表示装置の概略構成ブロック図であ
る。

【図１５】従来の表示装置に備えられた画素の概略構成
図である。

【符号の説明】

１電気光学素子（自発光素子）２駆動用スイッチング素子３電流注入経路（電流供給経路）３ａ電流注入経路（電流供給経路）３ｂ電流注入経路（電流供給経路）４経路切換スイッチング素子５電位保持手段（信号保持手段）６映像情報信号線７走査用スイッチング素子８電流測定回路９電圧設定回路１０ＦＥＴ１１ＦＥＴ１１ａＦＥＴ１１ｂＦＥＴ１２走査信号線１２ａ走査信号線１２ｂ走査信号線１３電流供給用電源１４保持容量２２電圧供給回路２３走査回路２４映像情報信号生成回路２５コントローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ａ６４２Ｄ 3/22 3/22 ＥＨ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 ＡＦターム(参考） 3K007 AB11 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 EE28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ07 5C094 AA03 AA06 AA53 BA03 BA27 CA19 CA24 DA09 DA13 EA05 FB01 FB16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電流が供給されることにより自ら発光する
自発光素子が画素として複数配置された表示装置であっ
て、各自発光素子を順次走査する走査信号線と、各自発光素子に映像情報信号を与える映像情報信号線
と、自発光素子毎に設けられ、上記映像情報信号線から供給
される映像情報信号に対応する電流を、上記自発光素子
に供給する駆動用スイッチング素子と、上記自発光素子に電流を供給するための複数の電流供給
経路と、上記各駆動用スイッチング素子に接続され、上記走査信
号線からの走査信号に基づいて、上記各電流供給経路を
切り換える経路切換スイッチング素子とを備えているこ
とを特徴とする表示装置。
【請求項２】上記複数の電流供給経路の少なくとも一つ
には、流れる電流の大きさを測定する電流測定回路が接
続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。
【請求項３】上記映像情報信号線には、上記電流測定回
路によって測定された電流測定値に応じて、該映像情報
信号線の印加電圧の設定を行うための電圧設定回路が接
続されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装
置。
【請求項４】上記駆動用スイッチング素子が１つまたは
複数の電界効果トランジスタで構成され、上記電界効果トランジスタのソース端子またはドレイン
端子の何れか一方の端子が上記自発光素子に接続され、
上記ソース端子またはドレイン端子の他方の端子が上記
経路切換スイッチング素子に接続されていることを特徴
とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の表示装
置。
【請求項５】上記経路切換スイッチング素子が、複数の
電界効果トランジスタから構成されていることを特徴と
する請求項１ないし４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】上記複数の電界効果トランジスタには、Ｎ
型電界効果トランジスタとＰ型電界効果トランジスタが
少なくとも一つずつ含まれていることを特徴とする請求
項５に記載の表示装置。
【請求項７】上記経路切換スイッチング素子を構成する
複数の電界効果トランジスタのソース端子またはドレイ
ン端子の何れか一方の端子が上記駆動用スイッチング素
子に接続され、上記ソース端子またはドレイン端子の他
方の端子が上記電流供給経路に接続されていることを特
徴とする請求項５または６の何れかに記載の表示装置。
【請求項８】上記経路切換スイッチング素子を構成する
複数の電界効果トランジスタのゲート端子が、上記走査
信号線に接続されていることを特徴とする請求項５ない
し７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】上記駆動用スイッチング素子には、映像情
報信号を保持するための信号保持手段が接続され、上記信号保持手段が保持容量よりなることを特徴とする
請求項１ないし８の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】上記保持容量が、上記駆動用スイッチン
グ素子を構成する上記電界効果トランジスタのゲート端
子に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の
表示装置。
【請求項１１】上記自発光素子が、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子であることを特徴とする請求項１ないし
１０の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】請求項１ないし１１の何れか１項に記載
の表示装置の駆動方法であって、自発光素子を走査する走査期間と、それ以外の期間と
で、自発光素子への電流の供給経路である電流供給経路
を異ならせることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１３】上記走査期間には、電流測定用の電流供
給経路を通じて、上記自発光素子に電流を供給し、上記
走査期間以外の期間には、上記電流測定用の電流供給経
路以外の電流供給経路を通じて、上記自発光素子に電流
を供給することを特徴とする請求項１２に記載の表示装
置の駆動方法。
【請求項１４】上記走査期間には、電流測定用の電流供
給経路を通じて自発光素子に供給される電流の測定値に
基づいて、該電流の測定値が、映像情報信号に対応した
値となるように、映像情報信号線に印加する電圧を調整
することを特徴とする請求項１２または１３に記載の表
示装置の駆動方法。