JP2003133801A - 高周波回路モジュール - Google Patents
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Abstract
送損失を低減する高周波回路モジュールを実現する。 【解決手段】金属層が、マイクロストリップ線路配線層
17と、DC/IF信号線層10、DC/IF信号線の上下
に配置するシールド用接地金属層9、11として利用する
硬質多層基板を用い、周期構造のスルービアを用いた伝
送路や同軸構造のスルービア16を用いて接地導体9、11
間を平行に伝搬する電磁波を封じ込み、ミリ波RF回路
5とアンテナ1を低損失の接続線路を実現する。更に、M
MICや単層コンデンサ、チップ部品、コネクタは硬質
多層基板片面にリフロー実装で組みたる。 【効果】基板内層にDC/IF信号用金属層を接地用金属層
でシールドするので、ミリ波信号のDC/IF信号へのクロ
ストーク緩和と、モジュール面積縮小による機械的応力
破壊耐性が向上する。小型薄型で、低コストの車載レー
ダモジュールを実現できる。
Description
ール、更に詳しく言えば、多層誘電体基板の上面及び下
面にそれぞれモノリシックマイクロ波集積回路(以下MM
ICと略称)等の高周波回路部あるいはアンテナが設けら
れた高周波回路モジュールに係り、特に、ミリ波を使用
する車載レーダモジュールに適した高周波回路モジュー
ルに関する。
排ガス・騒音等の環境問題、石油エネルギーの大量消費
による資源問題等の対策とした交通のインテリジェント
化(高度道路情報システム:Intelligent Transport Sy
stem:ITS)の最喪有効な装置として、ミリ波レーダが
開発されている。より多くの車両にミリ波レーダを装備
するためには、ミリ波レーダの小型薄型による車両搭載
レイアウトの自由度向上と、信頼性と低コストを兼ね備
えた車載レーダモジュールの実現が望まれている。
ールとして、金属層を介在させた多層誘電体基板の表及
び裏面にそれぞれアンテナ及びMMICが設けられた高周波
回路モジュールが知られている。
数の金属層30〜33を介在させたセラミック多層基板
38の表面及び裏面にそれぞれアンテナ28及びMMIC2
9が設けられ、アンテナ28とMMIC29間の高周波伝送
路にはマイクロストリップ線路34、35や電磁結合ス
ロット36、47を用いる。この種の電磁結合スロット
を用いた技術を開示したものとして、公開特許公報、特
開平9−237867号及び特開平8−250913号
がある。この実装例では、伝送線路長を最短にするため
直上に同構造のスロットを形成すると、スロット間にλ
/2前後のマイクロストリップ線路が残り共振器として
働く。しかしながらそのストリップ線路上下に電磁結合
スロットを設けると、上下のスロット金属層間で電位差
が生じる。このためスロット金属層間を平行に伝播する
電磁波が生じて、この電磁波のエネルギー分が損失とな
り、低損失の伝送路を実現することが難しい。従って、
電磁結合スロット間の距離をλ/2以上に空けることに
よって、それぞれのスロット間干渉を防ぎ、伝送路での
損失を最低限に抑えている。このような構造のため、電
磁結合スロットを用いた実装方法は、スロット部に長さ
2λ以上の実装面積を必要とし、スロット結合部の伝送
モードと干渉しないよう上下の電子部品の配置を配慮し
なければならない。
数の導体層30〜33、39をもつ多層誘電体基板38
の内部の導体層31と33間の接続を、(R・r)/(2・
h)≦L≦(5・R・r)/h(ここでR、r、Lは図(c)に
示すサイズ、hは導体層31と33間の距離)の条件を
満たすビアホールで構成した技術が知られている。この
条件を満たすビアホールで形成した多層基板の導体層間
接続は、伝送する信号がミリ波帯の場合には、ビアホー
ルを介する接地層が1層の場合のみ低損失の接続法とし
て用いることが可能である。しかし、複数層の接地層間
を伝搬する電磁波の発生を抑えることはできないため、
ミリ波帯での低損失の導体間接続法になり得ない。
として、図11(従来例3)に示すように、金属のベース
プレート42の表裏にMMIC43とアンテナ44を設け、
それらの接続にベースプレート42に作り込んだ同軸構
造45を用いるものがある。本構造はMMIC43を含むRF
回路基板とアンテナを同軸構造で接続するため、薄型、
小型なミリ波レーダを比較的容易に作製することができ
る。尚、同図において、46、47、48、49、50
及び51葉夫々回路基板、絶縁物、外部端子、絶縁物、ボ
ンディングワイヤ及び送受信回路カバーを示す。
は、製造の容易性、製造コスト、回路特性上問題があ
る。特に車輌用ミリ波レーダに使用するには、ミリ波レ
ーダは車両内室外部に搭載する機器であり、温度湿度振
動等の使用環境が厳しいため、一般的にRF回路は外気と
遮断するハーメテック構造を用いる。ミリ波帯での伝送
路通過損失はマイクロ波帯に較べ格段に大きいため極力
伝送線路長を短く設計すべきであり、RF回路部をアンテ
ナと基板同一面に実装することによって線路長を短縮す
ることは可能であるが、RF回路部の有限な大きさとハー
メテック構造により同一面に実装することは困難であ
る。
力接して実装するには、実装基板両面それぞれにRF回路
部とアンテナを重ねるよう実装し、伝送線路長が最小に
なるようRF回路部の発振器や増幅器を配置すべきであ
る。しかしながら、ミリ波帯の実装基板は伝送路放射損
を抑えるために誘電体厚み0.2mm以下の薄い基板を使用
するため、ミリ波レーダには図11に示すように機械的
強度を保証するためのベースプレート44を必要とし
た。よって組立加工コストが高価になる構造を取らざる
を得なかった。
一般に両面2層基板を使用することが多く、ミリ波信号
用伝送路と電源供給用配線及び低周波信号用伝送路が同
一面に作製することになる。高周波、低周波信号用伝送
路と電源用配線は互いに交差できないため、ボンディン
グワイヤ等の空中配線が必要となり、周波数が高い信号
ほど放射しやすく他の線路にクロストークとして結合す
るため、ミリ波レーダの不安定要因となる。また、2層
基板ではRF回路のレイアウト設計の自由度が制限される
ため、コスト高なRF回路部の基板面積縮小によるコスト
低減に限界があった。
ロ波用MMIC及び平面アンテナ等の高周波回路部品を多層
誘電体基に実装し、電磁波のエネルギー分が損失を少な
くしかつ低コストで実現できる高周波回路モジュールを
実現すること、更に、車両への搭載デザイン自由度の高
い小型軽量薄型の車載レーダモジュールを提供すること
である。
め、本発明の高周波回路(以下RF回路と略称)モジュー
ルは、硬質多層誘電体基板の両面にRF回路部品が搭載さ
れたRF回路モジュールにおいて、上記両面の設けられ
たRF回路部品の結合伝送線路が、上記多層誘電体基板に
垂直で、周期構造を含むビアホール群又は同軸構造のビ
アホールによって構成される。
中心胴体の周囲に複数のビアホールの相互間隔が一定以
下の間隔で周期的に分布したビアホール群で構成され
る。特に、複数のビアホールの相互間隔が上記結合部伝
送信号の波長の1/4以下で分布して構成される。ま
た、同軸構造のビアホールとは中心導体との周りに、上
記硬質多層誘電体基板内に形成される複数の接地層間に
結合される円筒導体を配して同軸伝送線路を構成する。
用いた車載用レーダモジュールのRF回路部において、
上記硬質多層誘電体基板の一面のRF回路部品が発振器な
どのMMICであり、他方の面のRF回路部品がアンテナであ
る場合であるが、本発明は車載用レーダモジュールに限
らず、硬質多層誘電体基板の両面にRF回路部品が搭載さ
れたマイクロ波、ミリ波のRF回路装置にも適用でき
る。
ジュールの一実施例の構成を示す側断面図である。本実
施例は、後述するように、ミリ波を使用した車載レーダ
に使用される。
の硬質誘電体層2−1、2−2、2−3及び2−4と、
層2−1上面及び各層に、金属層9、10及び11が形
成され、上面層に形成される金属パターン17、硬質誘
電体層2−1及び金属層9でマイクロストリップ線路等
の伝送線路が形成される。金属層10は電源配線用線路
と低周波信号用伝送路を構成し、金属層11は接地金属
層として利用する。硬質誘電体層2−1の表層にはMMIC
等のRF回路部品5が実装される。誘電体層2−4の外
層(裏面)IにはRF回路部品の1つであるアンテナを形
成する金属パターン1が形成されている。
誘電体基板2の平面に垂直方向のミリ波伝送路16が結
合伝送線路として形成される。ミリ波伝送路16は後で
述べる周期構造のスルービアを用いた伝送路や同軸構造
のスルービアで構成され、アンテナの金属パターン1と
RF回路部品5間でミリ波信号を伝送する。アンテナの金
属パターン1はRF回路モジュール裏面のミリ波伝送ビア
の形状に合わせて加工される。
5−1、5−2の他に単層コンデンサ13、チップ部品
14、マイクロストリップ線を構成する金属パターン等
のRF回路部品が実装され、これらのRF回路部品を気密封
止用蓋4によって気密封止してRF回路モジュールを構成
する。気密封止用蓋4の外側で多層誘電体基板2の上面
には入出力用コネクタ15が設けられている。
した絶縁体を用い、ミリ波MMIC5などから構成されるミ
リ波RF回路の温度環境や湿度環境による劣化を抑えるた
め、硬質多層誘電体基板2と共晶ハンダ等でシーリング
されて気密封止されている。また、より高周波な電磁波
ほど空中に放射されやすいため、特にミリ波RF回路内の
クロストークを避ける目的で電磁波吸収量が10dB以上
の電波吸収体や、突起周期λ/2の突起構造を気密封止用
蓋内面上部に設けている。
面にベアチップ又はフリップチップ接続される。ベアチ
ップ実装の場合には回路面が表層にあるため、電気信号
の伝送線路にワイヤボンディングを用いることもでき
る。
直方向に形成されたミリ波伝送線路(以下、垂直伝送線
路とも略称)16部の一実施形態の構成を説明のための
図である。図(a)及び(b)は、それぞれ垂直伝送線路16
部の斜視図及び部分断面図である。簡単のため、各層は
正方形で示しているが横に広がりをもつ。最上層17に
は、表層金属層で作製する金属パターン17−1が形成
され、MMIC(図示せず)と接続する。金属パターン17−
1は対向電極である接地用金属層9とその間の誘電体基
板2−1と共にマイクロストリップ伝送線路が形成され
る。
線が配線されるで金属パターンであり、金属層11はDC
/IF信号線シールドする金属パターンである。円筒状金
属18は接地用金属層9及び10を互いに接続する筒状
の金属パターンである。円筒状金属パターン18は、中
心の中心導体19と共に同軸構造のビアホールを構成す
る。
焼結後、金属層11の裏面方向からレーザ光線を照射
し、金属層9まで穴をあける。その後、部分埋め込み蒸
着により形成する。中心導体となるビアホール19と表
層のランドパターン18は金属層9乃至11のランドパ
ターンより大きく、金属パターン9及び11のランド逃
げパターンは波長の1/4以下で設計し、金属層パター
ン10のランド逃げは、同軸構造の特性インピーダンス
が表層の伝送線路17−1の特性インピーダンスと同程
度の場合の外径サイズで設計することにより、良好な伝
送損失が得られる同軸構造のビアホールが実現できる。
施形態の構成説明のための図である。図(a)、(b)及び
(c)はそれぞれ垂直伝送線路16部の斜視図、一層の平
面図及び(a)の断面図を示す。最上層17には、表層
金属層で作製する金属パターン17−1が形成され、MM
IC(図示せず)と接続する。最上層17、接地用金属層の
金属パターン9、DC/IF信号線の配線される金属パター
ン10及び金属パターン11の機能は、図2の同じ番号
で示す部分の機能と同じである。
続するビアホール群である。ビアホール群20は相隣る
ビアホールの間隔が伝送信号の波長λの1/4以下の周
期で配置される。ビアホール群20で、中心導体となる
ビアホール20cを囲うことにより、電磁波壁として働
き、金属層9−10、10−11間を平行に伝搬する電
磁波を封じ込める。よって図2の方向垂直伝送線路と同
程度の良好な伝送損失が得られる。なお、図3の実施形
態は、ビアホール20の群はビアホール20が正方形状
に分布した場合を示したが、図4(a)、(b)に示す
ように正四角形以上の多角形、あるいは円形状に分布さ
せてもよい。
密封止用蓋4を取り除いた斜視図を示す。多層誘電体基
板2上に、発振器のMMIC21、電力増幅器のMMIC22、
受信器のMMIC23、24、入出力コネクタ15、気密封
止用シーリングパターン25、ミリ波垂直伝送線路3-
1、3−2、3−3、単層コンデンサ27、チップ部品
26等のRF回路部品が実装されている。このRF回路
部品は、図6に示すミリ波レーダの送受信回路を構成す
る。ミリ波垂直伝送線路3-1、3−2、3−3は、図2
又は図3で示した同軸線19又はビアホール群20で構
成され、裏面のアンテナ(図示せず)に接続される。
成を示すブロック図である。同図において、図5のRF
回路部品との対応を容易にするため、各ブロックは図5
のMMICと同じ番号を付している。22は電力増幅器MMI
C、23、24は受信器MMIC、3-1,3-2,3-3はミリ
波層方向垂直伝送線路である。発振器21によって生成
されたミリ波信号は電力増幅器22と受信器23及び2
4に分配さる。電力増幅器22で増幅された信号は後、
送信アンテナへ送信されるべくミリ波層方向垂直伝送線
路3−1へ出力される。垂直伝送線路3−2及び3−3
からドップラシフトを受けたミリ波受信信号はそれぞれ
受信器23及び24に加えられる。受信器23及び24
では、入力されたミリ波信号と発振器21からの信号を
局部信号として混合し、中間周波数信号を得る。
プ実装もしくはフリップチップ実装もしくはペースト材
によるリフローにより実装する。多層誘電体基板2は片
面表面実装であるため、コネクタや単層コンデンサ及び
チップ部品を自動マウンタで搭載でき、かつ一括リフロ
ー処理で実装できる。これは多層誘電体基板2の外形が
小さくともフラットな面であることとが重要である。MM
ICをダイボンド実装する場合はボンディングワイヤ配線
後であるが、図5の状態でRF回路部は動作することが可
能であるため、機能試験を容易に実施可能であり、故障
個所がある場合には再度リフローにて容易に交換可能で
ある。RF回路部機能試験後、気密封止用蓋を設けてハー
メテック処理することで、ミリ波RF回路部の組立実装は
終了するため、ミリ波レーダモジュールにおいても、シ
リコン半導体モジュールの実装法のように大幅な価格低
減が可能となる。シーリングパターン25は気密封止用
蓋4と共晶ハンダや銀ペースト等が容易に接着できるよ
う金属メッキを行う。蓋4と接地用金属層25でミリ波
RF回路を囲うことにより、ミリ波垂直伝送線路3を除い
てミリ波信号は外部に漏れ出さない構造になっている。
電体基板2は金属層を5層設けることによって、すなわ
ち、誘電体基板2−1上面の金属パターン17−1、内
層にDC/IF信号用金属層10、その上下にDC/IF信号シー
ルド対策接地用金属層9、11、裏面のアンテナよう金
属パターン1を、一度に形成でき、部品コストと組立コ
ストの低減が図ることが可能である。また、多層構造に
することにより、機械的応力モーメント耐性向上ができ
る。また、多層基板2の1層当りの誘電体厚みがその波
長に較べ無視できない厚さの場合には、多層基板内を垂
直に高周波信号を伝送させると、多層基板の各金属層の
電位が異なるため、金属層を通過するごとに金属層平面
と平行に移動する電磁波が生じるが、本実施例は、垂直
伝送線路16によって、この横方向の電磁波を抑圧する
同軸構造や周期構造の電磁波防波壁18ができる。
れぞれのMMICに供給する電力は、入出力端子パターンか
ら外部と送受されるが、これら低周波の信号は全て接地
用金属層9及び11によってシールドされた金属層10
によって配線し、RF回路部と空間的に遮断されているた
め、金属層7で伝送されるミリ波信号がクロストークと
して混信することはない。
号及び電力信号線路に分割することによって、それらの
伝送線路が互いに交差することがなくなり、立体配線を
行うためのボンディングワイヤを削減できる。よって、
ミリ波伝送線路は不要な取り回しを行わずとも直線的に
配線でき、かつRF回路全体の占有面積を縮小することが
可能となる。従って、多層誘電体基板の全体サイズをよ
り小さく設計することによる原価低減と、機械的応力モ
ーメントによる破壊耐性向上による基板寿命が拡大され
る。
は金属層10及び全て入出力端子用パターンを介して接
続されるため、シーリングパターン25を横切る電気配
線はなく、気密封止用蓋4や多層誘電体基板の接触する
部位の構造はシンプルな平らな面であることから、蓋4
や多層基板の部品加工コスト上昇分は最小限に抑えるこ
とができ、かつ気密寿命も向上する。
の他の実施例の側断面図を示す。
基板2、機密封止用蓋4、ミリ波伝送線路部6の構成は
上述のRF回路モジュールの実施例の構成と実質的に同
じである。平面アンテナ1の平面形状が、RF回路モジ
ュール(硬質多層基板2)の面積に比べ大きいため、平面
アンテナ基板1上で上記RF回路モジュールの外周部に
アンテナの機械強度を保証するサポートプレート3が配
置されている。更に、ミリ波MMIC5の発熱を効率よく硬
質多層基板2に放熱するため、放熱をアンテナ1及びサ
ポートプレートに行うようにサーマルビアホール7が形
成されている。
失を抑えるためにテフロン材などの比誘電率5以下の両
面2層基板を用いる。硬質多層誘電体基板2は、捻れや
反り返りなどの機械的応力に耐えられるよう一片の長さ
は5cm以下、厚みは0.5mm以上である。この多層
基板の1層当り誘電体厚みは150μm以下のガラスセラ
ミックやアルミナセラミック等のセラミック材を用い
る。硬質多層誘電体基板2の表面にミリ波MMIC5を搭載
し、硬質多層誘電体基板2の裏面には、ビアホールを用
いたミリ波伝送線路16を介してアンテナ1とミリ波信
号を送受するため、アンテナ1を張りつける。
合わせることによってアンテナ1の機械的強度補強と硬
質多層誘電体基板内の熱を放射する放熱板の効果を有す
る。特に、熱伝導率が重要な場合には金属板を用い、放
熱効果を上げるためにハニカム構造の穴を設けて表面積
を稼ぐと同時に、サポートプレートの軽量化を図ること
もできる。またコスト低減のため、ハニカム構造とH断
面を有する1mm以下の鋼板をプレス加工によって作る
プレス材でも利用可能である。また、硬質プラスチック
材や電子基板によく利用されるガラエポ基板などの有機
基板でサポートプレートを作製した場合、サポートプレ
ート上に電子回路を搭載し、硬質多層誘電体基板から得
られるIF信号の処理回路や電源回路を形成することが
可能である。
ンテナ1にRF回路モジュール2を位置合わせして、搭載
し、その後、RF回路モジュールを囲うようサポートプレ
ート3を張り合わせる構造である。硬質多層基板2を用
いることにより、RF回路モジュールの機械的強度を向上
し、サポートプレート3を付加することによりアンテナ
1の機械的強度を維持する構造である。RF回路モジュー
ルは、ミリ波用高周波信号用伝送路を表面に、電源配線
用線路と低周波信号用伝送路を接地層の中間層に配置す
ることにより、ミリ波信号のクロストークを低減すると
共に、線路の多層配線が可能となるために配線レイアウ
ト設計の自由度が増して占有面積を縮小し、より小型安
価なRF回路モジュールが作製できる。ミリ波レーダのミ
リ波信号は周期構造のスルービアを用いた伝送路や同軸
構造のスルービアを介してRF回路モジュール2裏面へ、
電源配線用線路と低周波信号用伝送路を接地層の中間層
を介して、再度RF回路モジュール2の表面に配線するた
め、ハーメテック構造を行う蓋4は信号線路を跨ぐこと
はなく、安全に気密封じを行うことができる。
の更に他の実施例の側断面図を示す。本実施例は、図7
に示した実施例のサポートプレート3の上面(アンテナ
導体パターン1と反対側)にRF回路モジュール以外の
信号所処理回路(ベースバンド信号処理回路)の部品を
付加して実装したものである。上記ベースバンド信号処
理回路の構成は従来知られているものであり、図9に示
すように、RF回路モジュール4からのIF信号を処理
するアナログ回路A、アナログ回路Aの出力をデジタル
信号に変換するA/D変換回路C、A/D変換回路の出力を処
理したり、RF回路に制御信号を与えるデジタル回路
D、デジタル回路Dとデータを授受する記録回路R、記
録回路Rを制御する入出力端子15、上記各部に電源を
供給する電源回路Vを含む。図8では、図9の各回路部
に対応する回路部品に対応する図8の部品と同じ符号を
付している。なお、サポートプレート3の上面は更に上
記各部品間の結合線路が形成されるが、図面の簡明のた
めに省略している。
質多層誘電体基板内に伝送損失の小さいミリ波層方向垂
直伝送線路を設け、基板内層にDC/IF信号用金属層を接
地用金属層でシールドする多層構成にすることにより、
ミリ波信号のDC/IF信号へのクロストークが緩和され、
さらにRF回路の多層配線によるRF回路占有面積縮小が可
能となり、多層基板の機械的応力モーメントによる歪破
壊耐性が向上する。さらに多層積層誘電体基板表面が平
坦で、組立加工が片面リフロー実装によって容易に行え
ることから、小型薄型で、低コストの経済的なRF回路
モジュールが実現できる。特に、経済性、体振動性に優
れ、かつ高性能が要求される車載レーダモジュールの実
現に有効である。
形態を示す側断面図である。
第1の実施の形態を説明する図である。
第2の実施の形態を説明する図である。
第3の実施の形態を説明する図である。
の斜視図である。
ク図である。
例の側断面図である。
例の斜視図である。
ック図である。
る。
る。
る。
ートプレート、4:気密封止用蓋、 5:MMIC、 6:
層方向垂直伝送線路、7:サーマルビア、 9:ミリ波
RF回路伝送線路対向電極用接地金属層、10:DC/IF信
号線路用金属層、 11:DC/IF信号線路シールド用金
属層 13:単層コンデンサ、 14:チップ部品、 15:
コネクタ、17:ミリ波RF回路伝送線路用金属層、 1
8:垂直伝送路用同軸導体の外導体 20:周期構造のビアホール群、 21:発振器、2
2:電力増幅器、23、24:受信器、 25:気密封
止用シーリングパターン、26:チップ部品、 27:
単層コンデンサ。
Claims (10)
- 【請求項1】多層誘電体基板の両面にRF回路部品が搭載
され、上記両面のRF回路部品間の結合伝送線路が上記多
層誘電体基板の垂直方向に設けられた周期構造を含むビ
アホール群又は同軸構造のビアホールで構成されたこと
を特徴とする高周波回路モジュール。 - 【請求項2】上記周期構造を含むビアホール群は中心導
体の周囲に複数のビアホールの相互間隔が上記結合部伝
送信号の波長の1/4以下で分布して構成されたことを
特徴とする請求項1記載の高周波回路モジュール。 - 【請求項3】上記同軸構造のビアホールは中心導体と、
上記中心導体を囲み、上記多層誘電体基板内に介在する
接地導体層間に接続された円筒導体で形成されたことを
特徴とする請求項1記載の高周波回路モジュール。 - 【請求項4】上記多層誘電体基板の一方の面に設けられ
た高周波回路部はアンテナであることを特徴とする請求
項1、2又は3記載の高周波回路モジュール。 - 【請求項5】上記多層誘電体基板は、3個以上の誘電体
基板層からなり、第1層の表面金属層のパターンと、第
1層と第2層間の金属層とでミリ波回路部のマイクロス
トリップ線路の伝送線路が形成され、前記誘電体基板の
他の中間層に形成された金属層に上記ミリ波回路路部で
発生した中間周波信号を接続する伝送線路を有すること
を特徴とする請求項1ないし4の一つに記載の高周波回
路モジュール。 - 【請求項6】請求項5記載の高周波回路モジュールであ
って、上記多層誘電体基板の第1層と反対側の最終層
は、上記多層誘電体基板の複数の他の誘電体基板より大
きい面積の両面2層誘電体基板で、その一面にアンテナ
パターンの金属層が形成され、上記最終層の他面で、上
記他の誘電体基板が積層されていない部分にサポートプ
レートが形成されたたことを特徴とする高周波回路モジ
ュール。 - 【請求項7】上記多層誘電体基板は、ミリ波回路用伝送
線路である表層金属層で作製したマイクロストリップ線
路の対向電極として用いる接地用金属層の下位層に一層
の接地用金属層が設られ、上記接地用金属層の間に、表
層のミリ波信号のクロストークを避け中間周波信号伝送
用金属層及びミリ波回路電源供給線路用金属層が設けら
れたことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1つに記
載の高周波回路モジュール。 - 【請求項8】上記多層誘電体基板が、中間周波信号や高
周波回路電力を上記接地用金属層の中間に配置され、前
記多層誘電体基板の上記気密封止用蓋とのシーリング部
を跨がないように構成されたことを特徴とする請求項5
乃至7の何れか1つに記載の高周波回路モジュール。 - 【請求項9】請求項8記載の高周波回路モジュールであ
って、上記複数の他の誘電体基板はガラスセラミック又
はアルミナセラミックを用いた多層基板であり、上記両
面2層誘電体基板は誘電率が上記複数の他の誘電体基板
の誘電率より低いテフロン(登録商標)材を用いた両面
2層基板であり、上記サポートプレートは金属板、放熱
効率を上げるための穴開き金属板、硬質有機基板、穴開
き硬質有機基板、熱伝導率を上げるための金属メッキ処
理をした穴開き硬質有機基板の何れかであることを特徴
とする高周波回路モジュール。 - 【請求項10】上記両面の高周波回路部品の一方がアン
テナであり、上記両面の高周波回路部品の他方が発振回
路と、上記発振回路の出力の一部を電力増幅して上記結
合伝送線路を介して上記アンテナに供給する電力増幅器
と、上記アンテナからの受信信号を上記結合伝送線路介
して入力された信号と上記発振回路の出力とを混合し中
間周波信号を得て受信処理する受信回路を有する請求項
1ないし9の何れか1つに記載の高周波回路モジュール
を用いたことを特徴する車載レーダモジュール。
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