JP2003040981A

JP2003040981A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP2003040981A
Application number: JP2001229255A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Umiga; 文広海賀
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2001-07-30
Filing date: 2001-07-30
Publication date: 2003-02-13
Anticipated expiration: 2021-07-30
Also published as: JP5098125B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の難燃剤を用いなくとも難燃性に優れ、
成形性、耐半田クラック性に優れた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を得る。【解決手段】一般式（１）のエポキシ樹脂、（Ｂ）一
般式（２）のフェノール樹脂、（Ｃ）一般式（３）〜一
般式（５）のフェノール樹脂の群から選択される１種以
上のフェノール樹脂、硬化促進剤、及び無機充填材を必
須成分とし、（Ｂ）と（Ｃ）との重量比［（Ｂ）／
（Ｃ）］が１〜１０であることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田クラック性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来からダイオード、トランジスタ、集
積回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物を用い
て封止されている。特に集積回路では、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、及び溶融シリカ、結晶シリカ等の無機
充填材を配合した耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂
組成物が用いられている。ところが近年、電子機器の小
型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素
子の高集積化が年々進み、又半導体装置の表面実装化が
促進されるなかで、半導体素子の封止に用いられている
エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなって
きている。特に半導体装置の表面実装化が一般的になっ
てきている現状では、吸湿した半導体装置が半田リフロ
ー処理時に高温にさらされ、半導体素子やリードフレー
ムとエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生
し、ひいては半導体装置にクラックを生じる等、半導体
装置の信頼性を大きく損なう不良が生じ、これらの不良
の防止、即ち耐半田クラック性の向上が大きな課題とな
っている。

【０００３】更に、環境負荷物質の撤廃の一環として、
鉛を含まない半田への代替が進められている。鉛を含ま
ない半田では、従来の半田に比べ融点が高いため表面実
装時のリフロー温度は、従来より２０℃程度高く、２６
０℃が必要とされる。鉛を含まない半田対応のための半
田リフロー温度の変更によって、エポキシ樹脂組成物の
硬化物とパッドとの界面での剥離、半導体素子と半導体
樹脂ペーストとの界面での剥離に起因する半導体装置の
クラックの問題が生じてきた。これら、半田クラックや
剥離は、半田リフロー処理前の半導体装置自身が吸湿
し、半田リフロー処理時の高温下でその水分が水蒸気爆
発を起こすことによって生じると考えられており、それ
を防ぐためにエポキシ樹脂組成物に低吸湿性を付与する
等の手法がよく用いられ、その低吸湿化の手法の一つと
して、例えば低吸湿性の一般式（１）で示されるエポキ
シ樹脂及び低吸湿性の一般式（２）で示されるフェノー
ル樹脂を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物の低吸湿
化を図る方法がある。しかしながら、低吸湿性の樹脂成
分を使用したエポキシ樹脂組成物といえども、鉛を含ま
ない半田に対応のエポキシ樹脂組成物としては不十分で
あった。このため２６０℃表面実装時の耐半田クラック
性向上を目的として様々な改良が進められてきたが、そ
のいずれにおいても、完全な解決策とはならず、更なる
改良が望まれている。

【０００４】又、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性を
付与するために臭素含有化合物等のハロゲン系難燃剤、
及びアンチモン化合物が配合されている。近年、地球環
境に配慮した企業活動の重視によって有害性のおそれの
ある物質の削減・撤廃の動きがあり、ハロゲン系難燃
剤、アンチモン化合物を使用しないで、難燃性に優れた
エポキシ樹脂組成物の開発が要求されている。これらに
代わる環境対応の難燃剤としては、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物や赤燐を含む
エポキシ樹脂組成物が提案されているが、これらの難燃
剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の耐湿
信頼性、高温保管性を低下させ、更には成形性、硬化性
共、十分に満足させるエポキシ樹脂組成物が得られない
という問題があり、全ての要求に対応することができな
かった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び従来の難燃
剤を含まなくとも難燃性に優れ、かつ耐半田クラック性
に優れた環境対応の半導体装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、
（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）
一般式（３）で示されるフェノール樹脂、一般式（４）
で示されるフェノール樹脂、一般式（５）で示されるフ
ェノール樹脂の群から選択される１種以上のフェノール
樹脂、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）無機充填材を必須
成分とし、（Ｂ）と（Ｃ）との重量比［（Ｂ）／(Ｃ)］
が１〜１０であることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物、

【化６】（式中のＲ₁は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）

【０００７】

【化７】（式中のＲ₂は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）

【０００８】

【化８】（式中のＲ₃は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）

【０００９】

【化９】（式中のＲ₄は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）

【００１０】

【化１０】（式中のＲ₅は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）［２］第［１］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装
置、である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる一般式（１）
で示されるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２
個以上有し、各エポキシ基間に疎水性構造を有すること
を特徴とする。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を
用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、疎水性の構造を
多く含むことから吸湿率が低く、又架橋密度が低いため
ガラス転移温度を越えた高温域での弾性率が低いという
特徴があり、表面実装の半田付け時における熱応力を低
減し、耐半田クラック性、半田処理後のリードフレーム
等の基材との密着性に優れるという特徴を有している。
一方、エポキシ基間の疎水性構造が剛直なビフェニル骨
格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低下
が少ないという特徴を有する。一般式（１）で示される
エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いても２種類以上を
併用してもよい。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものでな
い。

【化１１】（式中のｎは平均値で、１〜５の正数）

【００１２】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂の特
徴を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用しても
よい。併用できるエポキシ樹脂としては、分子内にエポ
キシ基を有するモノマー、オリゴマー、及びポリマー全
般を言う。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフ
トールノボラック型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有
するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール
アラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニ
ル骨格等を有する）、ジシクロペンタジエン変性フェノ
ール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポ
キシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いて
も２種類以上を併用してもよい。一般式（１）で示され
るエポキシ樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に
７０重量％以上が好ましい。７０重量％未満だと、燃焼
しやすくなったり、吸湿率が高くなったり、弾性率が高
くなったりして、耐半田クラック性が低下する可能性が
ある。

【００１３】本発明で用いられる一般式（２）で示され
るフェノール樹脂は、１分子中にフェノール性水酸基を
２個以上有し、各フェノール性水酸基間に疎水性構造を
有することを特徴とする。一般式（２）で示されるフェ
ノール樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、疎
水性の構造を多く含むことから吸湿率が低く、又架橋密
度が低いためガラス転移温度を越えた高温域での弾性率
が低いという特徴があり、表面実装の半田付け時におけ
る熱応力を低減し、耐半田クラック性、半田処理後の基
材との密着性に優れるという特徴を有している。一方、
フェノール性水酸基間の疎水性構造が剛直なビフェニル
骨格であることから、架橋密度が低い割には耐熱性の低
下が少ないという特徴を有する。一般式（２）で示され
るフェノール樹脂は、１種類を単独で用いても２種類以
上を併用してもよい。一般式（２）で示されるフェノー
ル樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるも
のでない。

【化１２】（式中のｎは平均値で、１〜５の正数）

【００１４】近年の鉛を含まない半田への対応材では、
一般式（２）のフェノール樹脂を用いただけでは十分に
対応することが困難であることが多く、更に本発明で用
いられる一般式（３）で示されるフェノール樹脂、一般
式（４）で示されるフェノール樹脂、一般式（５）で示
されるフェノール樹脂の群から選択される１種以上を併
用することが好ましい。一般式（３）〜一般式（５）で
示される低粘度・低分子量・高強度型のフェノール樹脂
を、一般式（２）で示されるフェノール樹脂と併用する
ことにより、一般式（２）で示されるフェノール樹脂の
みを使用したエポキシ樹脂組成物よりも更に加熱時の溶
融粘度が低いエポキシ樹脂組成物となるため、エポキシ
樹脂組成物の流動性が良くなり、無機充填材を更に高充
填化することができ、エポキシ樹脂組成物の硬化物の更
なる低吸湿化が可能となり、ひいては更に高い強度を得
ることができる。半田リフロー処理時に生じる半導体装
置のクラックは、エポキシ樹脂組成物の硬化物とリード
フレームとの界面での剥離又はエポキシ樹脂組成物の硬
化物と半導体素子との界面での剥離に起因しており、低
吸湿、高強度のエポキシ樹脂組成物を得ることにより、
これらの剥離が低減し、半導体装置の耐半田クラック性
を著しく向上させることができる。更に本発明の様に、
一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、一般式（２）で
示されるフェノール樹脂、及び一般式（３）〜一般式
（５）で示されるフェノール樹脂を組み合わせて用いる
と、吸湿後の半田処理での耐半田クラック性、難燃性等
の点で最も高い効果が得られる。一般式（２）で示され
るフェノール樹脂（Ｂ）と、一般式（３）で示されるフ
ェノール樹脂、一般式（４）で示されるフェノール樹
脂、一般式（５）で示されるフェノール樹脂の群から選
択される１種以上（Ｃ）との重量比［（Ｂ）／（Ｃ）］
としては、１〜１０が好ましい。１未満だとエポキシ樹
脂組成物の硬化物の低吸湿化ができず、又硬化物の難燃
性が低下し、一方、１０を越えると無機充填材の高充填
化ができず低吸湿化及び高強度化が図れないため好まし
くない。一般式（３）〜一般式（５）で示されるフェノ
ール樹脂を２種類以上併用する場合は、予め混合或いは
溶融混合して用いてもよい。

【００１５】又本発明では、一般式（２）で示されるフ
ェノール樹脂、及び一般式（３）〜一般式（５）で示さ
れるフェノール樹脂の特徴を損なわない範囲で、他のフ
ェノール樹脂を併用してもよい。併用できるフェノール
樹脂としては、分子内にフェノール性水酸基を有するモ
ノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言う。例え
ば、ナフトールアラルキル樹脂（ビフェニル骨格等を有
する）、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、トリフ
ェノールメタン型樹脂等が挙げられ、これらは１種類を
単独で用いても２種類以上を併用してもよい。一般式
（３）で示されるフェノール樹脂、一般式（４）で示さ
れるフェノール樹脂、一般式（５）で示されるフェノー
ル樹脂の群から選択される１種以上と、一般式（２）で
示されるフェノール樹脂との合計量としては、全フェノ
ール樹脂中に７０重量％以上が好ましい。７０重量％未
満だと、燃焼しやすくなったり、吸湿率が高くなった
り、弾性率が高くなったりして、耐半田クラック性が低
下する可能性がある。全エポキシ樹脂中のエポキシ基数
と全フェノール樹脂中のフェノール性水酸基数の比（当
量比）としては、（エポキシ基数）／（フェノール性水
酸基数）＝０．７〜１．５が好ましく、この範囲を外れ
ると、エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下、或いは硬化
物のガラス転移温度の低下、耐湿信頼性の低下等が生じ
る可能性がある。

【００１６】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進さ
せるものであればよく、一般に封止材料に使用されてい
るものを広く使用することができる。例えば、トリブチ
ルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウン
デセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導
体、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のア
ミン系化合物、テトラフェニルホスホニウム・テトラナ
フトイックアシッドボレート、トリフェニルホスフィン
等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイ
ミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。これらの硬化促進剤は１種類を単独で
用いても２種類以上を併用してもよい。これらの内で
は、特に１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７が、各種基材に対する密着性の向上のために有
効であり、更にテトラフェニルホスホニウム・テトラナ
フトイックアシッドボレートは、エポキシ樹脂組成物の
常温保管特性を大幅に向上させる効果がある。

【００１７】本発明で用いられる無機充填材としては、
一般に封止材料に使用されているものを広く使用するこ
とができ、例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリ
カ、２次凝集シリカ、多孔質シリカ、２次凝集シリカ又
は多孔質シリカを粉砕したシリカ、アルミナ、窒化珪素
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用して
もよい。特に、溶融シリカ、結晶シリカが好ましい。又
無機充填材の形状としては、破砕状でも球状でもかまわ
ないが、耐半田クラック性を向上させるために高充填す
る点や、流動性、機械強度及び熱的特性のバランスの点
から球状溶融シリカが好ましい。最大粒径としては７５
μｍ以下が好ましく、平均粒径としては５〜２５μｍが
好ましい。粒度分布としては広いものが、成形時のエポ
キシ樹脂組成物の溶融粘度を低減するために有効であ
る。更にシランカップリング剤等で予め表面処理をした
ものを用いてもよい。無機充填材の配合量としては、全
エポキシ樹脂組成物中に６５〜９５重量％が好ましい。
６５重量％未満だと、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸
湿量が増大し、しかも半田処理温度での強度が低下して
しまうため、半田処理時に半導体装置にクラックが生じ
やすくなり、一方、９５重量％を越えると、エポキシ樹
脂組成物の成形時の流動性が低下し、未充填や半導体素
子のパッドシフトが発生し易くなる可能性がある。無機
充填材はなるべく多く配合した方が、エポキシ樹脂組成
物の硬化物の吸湿率が減少し、耐半田クラック性が向上
するので、成形時の流動性が許容される範囲内でなるべ
く多く配合した方が好ましい。

【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂等の
ハロゲン含有難燃剤、酸化アンチモン等のアンチモン化
合物を含有することは差し支えないが、半導体装置の１
５０〜２６０℃の高温下での電気特性の安定性が要求さ
れる用途ではハロゲン原子、アンチモン原子の含有量が
それぞれ全エポキシ樹脂組成物中に０．１重量％以下で
あることが好ましく、完全に含まれない方がより好まし
い。ハロゲン原子、アンチモン原子のいずれかが０．１
重量％を越えると、高温下に放置したときに半導体装置
の抵抗値が時間と共に増大し、最終的には半導体素子の
金線が断線する不良が発生する可能性がある。又、環境
保護の観点からも、ハロゲン原子、アンチモン原子のそ
れぞれの含有量が０．１重量％以下で、極力含有されて
いないことが望ましい。

【００１９】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分の他、必要に応じて酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級
脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型
剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができ
る。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて常温混
合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で加熱混練
し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組
成物は、電気部品或いは電子部品であるトランジスタ、
集積回路等の被覆・絶縁・封止等に適用することができ
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子
等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、ト
ランスファーモールド、コンプレッションモールド、イ
ンジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すれば
よい。

【００２０】

【実施例】以下に、本発明の実施例を挙げて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。各
成分の配合割合は重量％とする。＜実施例１＞式（１２）で示されるエポキシ樹脂ａ（軟化点６０℃、１５０℃でのＩＣＩ溶融粘度０．８×１０²ｍＰａ・ｓ、エポキシ当量２７０）５．８０重量％

【化１３】

【００２１】式（１３）で示されるフェノール樹脂ｃ（軟化点６５℃、１５０℃でのＩＣＩ溶融粘度１．０×１０²ｍＰａ・ｓ、水酸基当量２０３）４．２０重量％

【化１４】

【００２２】式（１４）で示されるフェノール樹脂ｄ（軟化点６０℃、１５０℃でのＩＣＩ溶融粘度０．７×１０²ｍＰａ・ｓ、水酸基当量１６２）０．５０重量％

【化１５】１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）０．２０重量％球状溶融シリカ（平均粒径２２μｍ）８８．００重量％カーボンブラック０．３０重量％カルナバワックス０．３０重量％その他の添加剤０．７０重量％をミキサーを用いて常温で混合し、７０〜１１０℃でロ
ールを用いて混練し、冷却後粉砕し、タブレット化して
エポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物を
以下の方法で評価した。結果を表１に示す。

【００２３】評価方法・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５
℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０ｓで測定し
た。単位はｃｍ。・熱時曲げ強度・熱時曲げ弾性率：低圧トランスファー
成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間１２０ｓで試験片を成形し、ポストキュ
アとして１７５℃で８時間処理した後、熱時曲げ強度、
又は熱時曲げ弾性率をＪＩＳＫ６９１１に準じて
（２６０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／ｍｍ²。・吸湿率：低圧トランスファー成形機を用いて金型温度
１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０ｓで
直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状試験片を成形し、ポ
ストキュアとして１７５℃で８時間処理した。試験片の
吸湿処理前と、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６
８時間吸湿処理した後の重量変化を測定し、試験片の吸
湿率を百分率で示した。単位は％。・耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用い
て金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間
１２０ｓで１６０ｐＬＱＦＰ（厚さ１．４ｍｍ、チップ
サイズ７ｍｍ×７ｍｍ）を成形した。ポストキュアとし
て１７５℃で８時間処理したパッケージ５個を、８５
℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間処理した後、
ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。処理後の内部
の剥離又はクラックの有無を超音波探傷装置で観察し、
不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数
がｎ個であるとき、ｎ／５と表示する。・難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温
度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０ｓ
で試験片を成形し、ポストキュアとして１７５℃で８時
間処理した後、ＵＬ−９４垂直試験（試験片厚さ１／８
ｉｎｃｈ）を行い、難燃性を判定した。

【００２４】＜実施例２〜８、比較例１〜１３＞実施例
１以外で用いた材料を以下に示す。フェノール樹脂ｅ
（式（１４）で示されるフェノール樹脂と式（１５）で
示されるフェノール樹脂とを溶融したもの。軟化点６５
℃、１５０℃でのＩＣＩ溶融粘度０．７×１０²ｍＰａ
・ｓ、水酸基当量１４０）、

【化１６】

【００２５】式（１５）で示されるフェノール樹脂ｆ
（軟化点７５℃、１５０℃でのＩＣＩ溶融粘度０．６×
１０²ｍＰａ・ｓ、水酸基当量１１２）、式（１６）で
示されるフェノール樹脂ｇ（軟化点７０℃、１５０℃で
のＩＣＩ溶融粘度０．７×１０²ｍＰａ・ｓ、水酸基当
量１７０）、

【化１７】

【００２６】式（１７）で示される化合物を主成分とす
るエポキシ樹脂ｂ（融点１０５℃、１５０℃でのＩＣＩ
溶融粘度０．２×１０²ｍＰａ・ｓ、エポキシ当量１８
５）。

【化１８】

【００２７】表１、表２の処方に従い実施例１と同様に
してエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして
評価した。結果を表１、表２に示す。

【表１】

【００２８】

【表２】

【００２９】

【発明の効果】本発明に従うと、従来の難燃剤を用いな
くとも難燃性に優れ、かつ成形性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いると耐半田ク
ラック性に優れた半導体装置を得ることができる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC04X CC043 CC053 CD06W DE147 DJ007 DJ017 EN026 EU116 EU136 EW136 EW176 FA087 FD017 FD090 FD14X FD143 FD156 FD160 GQ05 4J033 CA02 CA05 CA09 CA11 CA12 CA22 CA28 4J036 AF06 AF36 DA02 DA06 DC05 DC06 DC40 DC46 DD07 FA01 FB08 GA04 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 CA22 EA03 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB13 EB18 EB19 EC03 EC20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂、一般式
（４）で示されるフェノール樹脂、一般式（５）で示さ
れるフェノール樹脂の群から選択される１種以上のフェ
ノール樹脂、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）無機充填材
を必須成分とし、（Ｂ）と（Ｃ）との重量比［（Ｂ）／
(Ｃ)］が１〜１０であることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。【化１】（式中のＲ₁は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正
数）。【化２】（式中のＲ₂は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正
数）。【化３】（式中のＲ₃は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正
数）。【化４】（式中のＲ₄は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）【化５】（式中のＲ₅は、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる基であり、互いに同一であっても、異なっていても
良い。ｍは０〜４の整数、ｎは平均値で１〜５の正数）
【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用
いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体
装置。