[go: up one dir, main page]

JP2003017751A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

Info

Publication number
JP2003017751A
JP2003017751A JP2001195961A JP2001195961A JP2003017751A JP 2003017751 A JP2003017751 A JP 2003017751A JP 2001195961 A JP2001195961 A JP 2001195961A JP 2001195961 A JP2001195961 A JP 2001195961A JP 2003017751 A JP2003017751 A JP 2003017751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting element
phosphor
emitted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001195961A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Hideyuki Nakano
英幸 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2001195961A priority Critical patent/JP2003017751A/ja
Priority to US10/179,372 priority patent/US6900587B2/en
Publication of JP2003017751A publication Critical patent/JP2003017751A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8514Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8515Wavelength conversion means not being in contact with the bodies

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子の光を蛍光体の表面または裏面で反
射させて外部放射させることで、発光素子の光、励起光
(蛍光)ともに外部放射効率を高めること。 【解決手段】 LED1においては、1対のリード3
a,3bを通じて青色発光素子2に電力が供給される
と、青色発光素子2の上面から光が上方に発せられると
ともに側面及び下面からも光が放射されて蛍光体5に照
射され、蛍光体5の表面あるいは高反射材料としての凹
状の反射鏡3cで反射されて、励起光(蛍光)あるいは
照射光として上方に放射される。凹状の反射鏡3cの上
方は凸レンズ7の放射面となっているために、発せられ
た励起光及び照射光は集光されて高い外部放射効率で外
部放射される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子の発する
光によって蛍光材料を励起させて蛍光を発する発光ダイ
オード(以下、「LED」とも略する。)に関するもの
である。なお、本明細書中ではLEDチップそのものは
「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載したパッケー
ジ樹脂またはレンズ系等の光学装置を含む発光装置全体
を「発光ダイオード」または「LED」と呼ぶこととす
る。
【0002】
【従来の技術】従来、青色光を発する発光素子を青色光
により黄色光が励起される蛍光体あるいは同蛍光体を含
有させた樹脂で覆うことにより、発光素子が発する青色
光と青色光により蛍光体で励起される黄色光とにより、
白色に視認される光を外部放射できるものがある。この
ような発光ダイオードの具体例として、図9に示される
ようなものがある。図9は、従来例の発光ダイオードの
全体構成を示す縦断面図である。
【0003】この発光ダイオード81は、青色発光素子
82に電力を供給する銀メッキされた1対のリード83
a,83bのうち、一方のリード83aの上端部にカッ
プ83cを設けて、このカップ83cの底面に青色発光
素子82をマウントしている。青色発光素子82の表面
の2つの電極と、1対のリード83a,83bとは、2
本のワイヤ84a,84bによってそれぞれボンディン
グされて電気的接続がとられている。カップ83c内に
は青色発光素子82を覆って、青色光により黄色光が励
起される蛍光体85が充填されている。これらの青色発
光素子82、蛍光体85等が、透明エポキシ樹脂86に
よって封止されるとともに、凸レンズ87の放射面がモ
ールドされている。かかる構成によって、青色発光素子
82から青色光が放射されると蛍光体85内をそのまま
通過してきた青色光と、青色光によって蛍光体85が励
起されて発せられた黄色光とが透明エポキシ樹脂86内
で混ざり合って外部放射され、白色光として視認される
ことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成においては、青色発光素子82から発した青色
光及び蛍光体85で励起された黄色光の外部放射効率が
良くなかった。即ち、青色光は蛍光体層85を透過した
光のみが外部放射されるが、蛍光体層85では散乱が生
じるので、外部への平均光路が長く、蛍光体層85内で
の吸収損失が大きい。また、蛍光体層85内での散乱光
の一部は青色発光素子82内へ再入射するが、発光素子
材料の屈折率は大きく、外部へ放射されにくく吸収率が
高いので、青色発光素子82内での吸収損失も大きい。
一方、黄色の励起光は青色光が通過する蛍光体層85内
全体で生じるが、青色光密度の高い青色発光素子82近
傍での発光量が大きい。このため、青色光同様、蛍光体
層85内、青色発光素子82内での吸収損失が大きい。
このように、発光素子が発する光を蛍光体層を透過させ
るとともに、蛍光体層による励起光を発光させ、外部放
射する構造では吸収損失が大きいという問題があった。
【0005】そこで、本発明は、発光素子から発せられ
る光、励起光(蛍光)ともに外部放射効率を高めること
ができる発光ダイオードを提供することを課題とするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかる
発光ダイオードは、発光素子と、無機または有機材料の
1以上からなる蛍光材料を含む蛍光体を高反射材料の上
に塗布して形成した蛍光面とを備え、前記蛍光面の前記
発光素子によって照射される側から光を外部に取出すも
のである。
【0007】かかる構成のLEDにおいては、発光素子
から発せられる光を蛍光体の表面あるいは裏面で反射さ
せて外部に放射させることになる。一般に、蛍光面の表
面付近において、発光素子から照射される光の反射及び
その光を吸収することによる蛍光材料の励起・蛍光の発
光ともに最も多く起こるので、これらの表面で反射した
照射光及び励起光は蛍光体による吸収を受けることな
く、効率良く外部放射される。一方、蛍光面の裏面まで
達して高反射材料で反射される光は、蛍光材料の中を往
復して通過することになるので、大部分の励起光と一部
の照射光が混合されて外部照射される。このように、蛍
光面の表面と裏面で反射される光が合わせられることに
よって、外部照射効率は従来に比べて著しく向上する。
【0008】このようにして、発光素子から発せられる
光を蛍光体の表面あるいは裏面で反射させて外部放射さ
せることによって、発光素子が発する光、励起光(蛍
光)ともに外部放射効率を高めることができる発光ダイ
オードとなる。
【0009】請求項2の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1の構成において、前記発光素子の側面に前
記高反射材料の上に形成された蛍光面を有するものであ
る。
【0010】このように、発光素子の側面にも高反射材
料の上に形成された蛍光面を設けることによって、発光
素子の側面から発せられた光をも反射して励起光及び照
射光として外部放射することができるので、外部放射効
率をさらに向上させることができる。
【0011】請求項3の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1または請求項2のいずれか1つの構成にお
いて、前記発光素子に対向して前記蛍光面を設けたもの
である。
【0012】かかる構成のLEDにおいては、発光素子
の発光面から発せられた光の大部分が蛍光面で反射され
るので、蛍光面の表面及び裏面で反射される光量も著し
く増加し、励起光及び照射光として外部放射されるの
で、外部放射効率を飛躍的に向上させることができる。
【0013】このようにして、発光素子に対向して高反
射材料の上に形成された蛍光面を設けたことによって、
励起光及び照射光の外部放射効率を飛躍的に向上させる
ことができる発光ダイオードとなる。
【0014】請求項4の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成におい
て、前記発光素子は紫外線を照射するものであり、前記
蛍光体は紫外線の照射によって発光する無機または有機
材料の1以上からなる蛍光材料が前記高反射材料の上に
塗布されて形成されたものである。
【0015】紫外線の照射によって発光する蛍光材料に
は様々な色の蛍光を発するものがあり、これによって蛍
光面からは様々な色の光を外部放射することができる。
そして、人の目には見えない紫外線を照射して蛍光を発
光させているために、照射光と励起光との色分離の問題
が起きることがない。さらに、紫外線の照射によって発
光する蛍光材料には、赤、緑、青の光の三原色をそれぞ
れ強力に発するものがあることから、これらの蛍光材料
を最適な割合で混合して蛍光体とすることによって、明
るい白色を発するLEDを作成することができる。
【0016】このようにして、紫外線を発する発光素子
と紫外線の照射によって発光する蛍光材料とを組み合わ
せることによって、様々な色を発する発光ダイオードを
色分離の問題なく作成することができ、さらには明るい
白色を発する発光ダイオードを作成することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【0018】実施の形態1 まず、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を
参照して説明する。図1は本発明の実施の形態1にかか
る発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。図
2は本発明の実施の形態1にかかる発光ダイオードの変
形例の全体構成を示す縦断面図である。
【0019】図1に示されるように、本実施の形態1の
LED1は、青色発光素子2に電力を供給する銀メッキ
された1対のリード3a,3bのうち、一方のリード3
aの上端部に凹状の反射鏡3cを設けて、この凹状の反
射鏡3cの凹面に蛍光材料を含んだ蛍光体5が均一な厚
さで塗布され、その底部に透明ペーストを介して青色発
光素子2がマウントされている。青色発光素子2と1対
のリード3a,3bとは、ワイヤ4a,4bによってそ
れぞれボンディングされて電気的接続がとられている。
これらの青色発光素子2、1対のリード3a,3bの先
端部分、凹状の反射鏡3c、ワイヤ4,4b及び蛍光体
5が、透明エポキシ樹脂6によって封止されるととも
に、凸レンズ7の放射面がモールドされている。
【0020】かかる構成を有するLED1においては、
1対のリード3a,3bを通じて青色発光素子2に電力
が供給されると、青色発光素子2の上面から光が上方に
発せられるとともに側面及び下面からも光が放射されて
蛍光体5に照射される。蛍光体5の表面付近において、
青色発光素子2から照射される光の反射及びその光を吸
収することによる蛍光材料の励起・蛍光の発光ともに最
も多く起こるので、これらの表面で反射した青色光及び
黄色光は蛍光体5による吸収を受けることなく、上方へ
照射される。凹状の反射鏡3cの上方は凸レンズ7の放
射面となっているために、発せられた青色光及び黄色光
は透明エポキシ樹脂6内で混ぜ合わされ、白色光となっ
て集光されて外部放射される。
【0021】一方、青色光が蛍光体5内を通過して高反
射材料としての凹状の反射鏡3cで反射されて、再び蛍
光体5表面に戻ってくるまでに黄色の励起光が青色光の
光路全体に亘って生じるが、高反射材料としての凹状の
反射鏡3cがあるために蛍光体5内における吸収損失が
小さくなり、青色光と黄色光のかなりの部分が蛍光体5
内から上方に放射される。ここで、高反射材料としての
凹状の反射鏡3cで反射される光は蛍光体5の中を往復
して通過するために、蛍光体の厚さが従来の透過型の1
/2で済み、大部分の励起光と一部の照射光が混合され
て外部照射される。そして、蛍光材料の中を往復して通
過することによって、蛍光面作成時における蛍光体5の
塗布厚さを薄くすることができるので、コストダウンに
つながる。
【0022】このように、図9に示される従来例と異な
り、青色発光素子2から発せられた青色光は上面から発
せられた大部分の光が蛍光体5内を透過することなく直
接凸レンズ7で集光されて外部放射される。また、青色
発光素子2の側面及び下面から発せられて蛍光体5に当
たった青色光は、蛍光体5の表面付近が反射及び青色光
を吸収することによる黄色光の発光ともに最も多く起こ
るので、これらの表面で反射した青色光及び黄色光は蛍
光体5による吸収を受けることなく、上方へ照射され凸
レンズ7で集光されて外部放射される。さらに、蛍光体
5の内部に進入した青色光によって黄色光が励起される
が、これらのうちには散乱して蛍光体5の表面へ出るも
のもあり、高反射材料としての凹状の反射鏡3cまで達
して反射されて蛍光体5の内部を進むうちに一部は吸収
され、その他は蛍光体5の表面へ達して外部放射され
る。
【0023】このようにして、本実施の形態1のLED
1においては、青色発光素子2から発せられる光を蛍光
体5の表面あるいは裏面(凹状の反射鏡3c)で反射さ
せて外部放射される光が合わさることによって、発光素
子が発する青色光、励起光(黄色光)ともに外部放射効
率を高めることができる。
【0024】次に、本実施の形態1の変形例について、
図2を参照して説明する。なお、図1と同一の部分に
は、同一の符号を付して説明を省略する。図2に示され
るように、本実施の形態1の変形例のLED11がLE
D1と異なるのは、凹状の反射鏡3cの上方において、
透明エポキシ樹脂6に拡散剤8が混入されていることで
ある。これによって、青色発光素子2からの照射光と照
射光によって励起された黄色光が拡散剤8で拡散されて
良く混ざり合い、青色光と黄色光が混ざり合って白色に
ならずにそのまま別々に青色光と黄色光として出てしま
う色分離の現象を大幅に低減することができる。
【0025】このようにして、本実施の形態1の変形例
のLED11においては、拡散剤8を混入したことによ
って、照射光と励起光とが良く混ざり合って色分離の現
象が大幅に低減され、所望の色の光を外部放射させるこ
とができる。
【0026】実施の形態2 次に、本発明の実施の形態2について、図3及び図4を
参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2にかか
る発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。図
4は本発明の実施の形態2にかかる発光ダイオードの変
形例の全体構成を示す縦断面図である。
【0027】図3に示されるように、本実施の形態2の
LED21は、回路パターンの形成された円板状の白色
基板16上に発光素子2がマウントされ、発光素子2の
周囲にはドーナツ形の白色反射枠17が白色基板16上
に固定されている。発光素子2を囲む白色基板16及び
白色反射枠17には、蛍光材料を含む蛍光体15が全面
に均一な厚さで塗布されて蛍光面を形成している。蛍光
面内の中空部分には透明エポキシ樹脂18が充填される
とともに、上面に放射面19を形成している。
【0028】発光素子2の上面から発せられた光は、あ
るものは透明エポキシ樹脂18を通過して放射面19か
ら直接外部放射され、あるものは側面の蛍光面の蛍光体
15に当たって蛍光体15の表面、または裏面の高反射
材料としての白色反射枠17で反射されて蛍光材料を励
起して励起光として放射面19から放射される。このL
ED21では、蛍光面が発光素子2に対して大きな立体
角をもつため、励起光に変換される割合が大きくなる。
また、屈折率n=1.5の透明エポキシ樹脂18とn=
1.0の空気との界面19で反射された光は再度蛍光面
へ至り、励起光に変換されて放射される。また、発光素
子2の側面から発せられた光は側面または底面の蛍光面
の蛍光体15に当たって、蛍光材料を励起して励起光と
なり、蛍光面の間を反射しながら上方へ上がって放射面
19から放射される。
【0029】このようにして、本実施の形態2のLED
21においては、高反射材料としての白色基板16及び
白色反射枠17に蛍光体15を塗布することによって蛍
光面を形成し、発光素子2から発光された照射光とその
照射光が蛍光面の表側及び裏側で反射されることによっ
て励起された励起光とが混ざり合って上面の放射面19
から外部放射される。
【0030】次に、本実施の形態2の変形例について、
図4を参照して説明する。なお、図3と同一の部分に
は、同一の符号を付して説明を省略する。図4に示され
るように、本実施の形態2の変形例のLED31がLE
D21と異なるのは、円筒形の透明エポキシ樹脂18に
よる充填部分が放射面側から円錐形に削り取られている
点である。これによって、放射面29は凹状の円錐形と
なり、発光素子2から放射面29へ直接照射された光は
全て反射されて透明エポキシ樹脂28の周囲の蛍光面へ
照射されるので、発光素子2から発せられた光の全てが
1度は蛍光体25に照射されることになる。これによっ
て、放射面29から外部放射される光は全て照射光と励
起光が均一に混合したものとなり、色分離のないLED
とすることができる。
【0031】実施の形態3 次に、本発明の実施の形態3について、図5を参照して
説明する。図5(a)は本発明の実施の形態3にかかる
発光ダイオードの平面図、(b)は発光ダイオードの全
体構成を示す縦断面図である。
【0032】図5(a),(b)に示されるように、本
実施の形態3のLED41は、円形の放射面に突き出た
白色基板43aの下面に発光素子42をマウントし、こ
れと対向して白色反射基板46の上面を発光素子42を
焦点とする回転放物面形状に形成して、この回転放物面
上に蛍光体44を均一な厚さで塗布して蛍光面を形成し
たものである。そして、発光素子42と蛍光体44の間
の中空部分には透明エポキシ樹脂45が充填されてい
る。かかる構成によって、LED41においては発光素
子42から発せられた光のほぼ全てが蛍光面に照射され
る。この際、発光素子42から直接光は外部放射され
ず、発光素子42からの光は必ず蛍光体44に一度は至
った後に、外部放射される。また、蛍光体44は、高反
射材料である白色反射基板46上に形成されているの
で、蛍光体44の厚さが従来の透過型の1/2で済む。
【0033】このようにして、本実施の形態3のLED
41においては、照射光と励起光とが混ざり合った状態
で全ての反射光が同一方向(図5(b)の上方向)へ照
射されるので、色分離の問題もなく、また外部放射効率
が高くなって光量が大きくなり、明るい発光ダイオード
となる。
【0034】実施の形態4 次に、本発明の実施の形態4について、図6及び図7を
参照して説明する。図6は本発明の実施の形態4にかか
る発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。図
7は本発明の実施の形態4にかかる発光ダイオードの変
形例の全体構成を示す縦断面図である。
【0035】図6に示されるように、本実施の形態4の
LED51は白色基板53の下面にマウントされた発光
素子52に対向して高反射材料としての金属板54が配
置されている。この金属板54は、実施の形態3と同じ
く発光素子52を焦点とする回転放物面に形成されてお
り、金属板54の上面には蛍光材料を含む蛍光体55が
均一な厚さで塗布されて蛍光面が形成されている。これ
らの金属板54、蛍光体55、発光素子52及び白色基
板53の先端が、透明エポキシ樹脂56で封止されると
ともに発光素子2の背面側に放射面57が形成されてい
る。
【0036】かかる構成を有するLED51において
は、発光素子52の発する光のほぼ全てが蛍光面に照射
される。この際、発光素子52から直接光は外部放射さ
れず、発光素子52からの光は必ず蛍光体55に一度は
至った後に、外部放射される。また、蛍光体55は、高
反射材料である金属板54上に形成されているので、蛍
光体55の厚さが従来の透過型の1/2で済む。即ち、
放射面57に略垂直に上方へ外部放射されるので、本実
施の形態4のLED51においては、照射光と励起光と
が混ざり合った状態で全ての反射光が同一方向(図6の
上方向)へ照射されるので、色分離の問題もなく、また
外部放射効率が高くなって光量が大きくなり、明るいL
EDとなる。
【0037】次に、本実施の形態4の変形例について、
図7を参照して説明する。図7に示されるように、本実
施の形態4の変形例のLED61は、白色基板63の下
面にマウントされた発光素子62が透明エポキシ樹脂6
4によって封止されるとともに、発光素子62に対向す
る底面64aが回転放物面状に形成される。この底面6
4aの下側に蛍光材料を含む蛍光体65が均一な厚さで
塗布され、さらに蛍光体65の下側に高反射材料として
の銀の薄膜66が蒸着されて、その下の空間は透明エポ
キシ樹脂67で充填される。
【0038】このようにして作成されたLED61は、
発光素子62に対向して高反射材料としての銀の薄膜6
6が回転放物面状に形成され、その上に蛍光体65から
なる蛍光面が形成され、全体が透明エポキシ樹脂64,
67によって封止されるとともに、上面に放射面68が
形成されており、結果としては本実施の形態4のLED
51と同様の構成になっている。したがって、発光素子
62の発する光のほぼ全てが蛍光面に放射される。この
際、発光素子62から直接光は外部放射されず、発光素
子62からの光は必ず蛍光体65に一度は至った後に、
外部放射される。また、蛍光体65は、高反射材料であ
る銀の薄膜66上に形成されているので、蛍光体65の
厚さが従来の透過型の1/2で済む。即ち、放射面68
に略垂直に上方へ外部放射されるので、LED61にお
いては、照射光と励起光とが混ざり合った状態で全ての
反射光が同一方向へ照射されるので、色分離の問題もな
く、また外部放射効率が高くなって光量が大きくなり、
明るいLEDとなる。
【0039】このようにして、本実施の形態4の変形例
のLED61においては、LED51と全く異なった作
成方法によって同様の構成とすることができ、同様の作
用効果を得ることができる。
【0040】実施の形態5 次に、本発明の実施の形態5について、図8を参照して
説明する。図8は本発明の実施の形態5にかかる発光ダ
イオードの全体構成を示す縦断面図である。
【0041】図8に示されるように、本実施の形態5の
LED71は、白色基板73の下面にマウントされた発
光素子72に対向して高反射材料としての金属板74が
配置されており、この金属板74は発光素子72を焦点
とする回転放物面状に形成されている。金属板74の上
面には蛍光材料を含む蛍光体75が均一な厚さで塗布さ
れており、これによって蛍光面が形成されている。これ
らの発光素子72、白色基板73の先端部分、金属板7
4及び蛍光体75が透明エポキシ樹脂76によって封止
されるとともに、上方が凸レンズとなった放射面77が
形成されている。これによって、発光素子72から発せ
られた光はほぼ全て蛍光面で反射されて、照射光と励起
光が混ざり合った状態で上方へ向かう。この際、発光素
子72から直接光は外部放射されず、発光素子72から
の光は必ず蛍光体75に一度は至った後に、外部放射さ
れる。また、蛍光体75は、高反射材料である金属板7
4上に形成されているので、蛍光体75の厚さが従来の
透過型の1/2で済む。そして、凸レンズの放射面77
で集光されて外部放射される。
【0042】このようにして、本実施の形態5のLED
71においては、照射光と励起光とが混ざり合った状態
で全ての反射光が同一方向へ照射されるので、色分離の
問題もなく、また外部放射効率が高くなって光量が大き
くなり、さらに凸レンズの放射面77を設けたことによ
って集光放射させることが可能になる。
【0043】上記各実施の形態においては、可視光を発
する発光素子と可視光によって励起されて可視光の蛍光
を発する蛍光材料を含む蛍光体を用いた場合について説
明し、その一例として青色発光素子と青色発光素子の照
射によって黄色蛍光を発する蛍光材料を挙げたが、紫外
線を発する発光素子と紫外線の照射によって励起されて
可視光の蛍光を発する蛍光材料を含む蛍光体を用いるこ
ともできる。紫外線の照射によって発光する蛍光材料に
は様々な色の蛍光を発するものがあり、これによって蛍
光面からは様々な色の光を外部放射することができる。
そして、人の目には見えない紫外線を照射して蛍光を発
光させているために、照射光と励起光との色分離の問題
が起きることがない。さらに、紫外線の照射によって発
光する蛍光材料には、赤、緑、青の光の三原色をそれぞ
れ強力に発するものがあることから、これらの蛍光材料
を最適な割合で混合して蛍光体とすることによって、明
るい白色を発するLEDを作成することができる。但
し、この場合には銀は紫外領域では反射率が低いので、
紫外領域でも反射率の高いアルミニウムでリードフレー
ムや金属板、薄膜を作成する必要がある。
【0044】また、上記各実施の形態においては、封止
材料として透明エポキシ樹脂を用いているが、硬化前の
流動性・充填性、硬化後の透明性・強度等の条件を満た
すものであれば、どのような封止材料を用いても良い。
【0045】さらに、上記各実施の形態においては、発
光素子及び蛍光体を樹脂封止した例について説明してい
るが、必ずしも樹脂封止しなくても構わない。
【0046】発光ダイオードのその他の部分の構成、形
状、数量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記
各実施の形態に限定されるものではない。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
かかる発光ダイオードは、発光素子と、無機または有機
材料の1以上からなる蛍光材料を含む蛍光体を高反射材
料の上に塗布して形成した蛍光面とを備え、前記蛍光面
の前記発光素子によって照射される側から光を外部に取
出すものである。
【0048】かかる構成のLEDにおいては、発光素子
から発せられる光を蛍光体の表面あるいは裏面で反射さ
せて外部に放射させることになる。一般に、蛍光面の表
面付近において、発光素子から照射される光の反射及び
その光を吸収することによる蛍光材料の励起・蛍光の発
光ともに最も多く起こるので、これらの表面で反射した
照射光及び励起光は蛍光体による吸収を受けることな
く、効率良く外部放射される。一方、蛍光面の裏面まで
達して高反射材料で反射される光は、蛍光材料の中を往
復して通過することになるので大部分の励起光と一部の
照射光が混合されて外部照射される。このように、蛍光
面の表面と裏面で反射される光が合わせられることによ
って、外部照射効率は従来に比べて著しく向上する。
【0049】このようにして、発光素子から発せられる
光を蛍光体の表面あるいは裏面で反射させて外部放射さ
せることによって、発光素子が発する光、励起光(蛍
光)ともに外部放射効率を高めることができる発光ダイ
オードとなる。
【0050】請求項2の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1の構成において、前記発光素子の側面に前
記高反射材料の上に形成された蛍光面を有するものであ
る。
【0051】このように、発光素子の側面にも高反射材
料の上に形成された蛍光面を設けることによって、請求
項1に記載の効果に加えて、発光素子の側面から発せら
れた光をも反射して励起光及び照射光として外部放射す
ることができるので、外部放射効率をさらに向上させる
ことができる。
【0052】請求項3の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1または請求項2のいずれか1つの構成にお
いて、前記発光素子に対向して前記蛍光面を設けたもの
である。
【0053】かかる構成のLEDにおいては、請求項1
または請求項2に記載の効果に加えて、発光素子の発光
面から発せられた光の大部分が蛍光面で反射されるの
で、蛍光面の表面及び裏面で反射される光量も著しく増
加し、励起光及び照射光として外部放射されるので、外
部放射効率を飛躍的に向上させることができる。
【0054】このようにして、発光素子に対向して高反
射材料の上に形成された蛍光面を設けたことによって、
励起光及び照射光の外部放射効率を飛躍的に向上させる
ことができる発光ダイオードとなる。
【0055】請求項4の発明にかかる発光ダイオード
は、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成におい
て、前記発光素子は紫外線を照射するものであり、前記
蛍光体は紫外線の照射によって発光する無機または有機
材料の1以上からなる蛍光材料が前記高反射材料の上に
塗布されて形成されたものである。
【0056】請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記
載の効果に加えて、紫外線の照射によって発光する蛍光
材料には様々な色の蛍光を発するものがあり、これによ
って蛍光面からは様々な色の光を外部放射することがで
きる。そして、人の目には見えない紫外線を照射して蛍
光を発光させているために、照射光と励起光との色分離
の問題が起きることがない。さらに、紫外線の照射によ
って発光する蛍光材料には、赤、緑、青の光の三原色を
それぞれ強力に発するものがあることから、これらの蛍
光材料を最適な割合で混合して蛍光体とすることによっ
て、明るい白色を発するLEDを作成することができ
る。
【0057】このようにして、紫外線を発する発光素子
と紫外線の照射によって発光する蛍光材料とを組み合わ
せることによって、様々な色を発する発光ダイオードを
色分離の問題なく作成することができ、さらには明るい
白色を発する発光ダイオードを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明の実施の形態1にかかる発光ダ
イオードの全体構成を示す縦断面図である。
【図2】 図2は本発明の実施の形態1にかかる発光ダ
イオードの変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図3】 図3は本発明の実施の形態2にかかる発光ダ
イオードの全体構成を示す縦断面図である。
【図4】 図4は本発明の実施の形態2にかかる発光ダ
イオードの変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図5】 図5(a)は本発明の実施の形態3にかかる
発光ダイオードの平面図、(b)は発光ダイオードの全
体構成を示す縦断面図である。
【図6】 図6は本発明の実施の形態4にかかる発光ダ
イオードの全体構成を示す縦断面図である。
【図7】 図7は本発明の実施の形態4にかかる発光ダ
イオードの変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図8】 図8は本発明の実施の形態5にかかる発光ダ
イオードの全体構成を示す縦断面図である。
【図9】 図9は、従来例の発光ダイオードの全体構成
を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1,11,21,31,41,51,61,71 発光
ダイオード 2,42,52,62,72 発光素子 3c,16,17,46,54,66,74 高反射材
料 5,15,25,44,55,65,75 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F041 AA06 AA11 DA07 DA16 DA19 DA20 DA26 DA44 DA75 DA78 EE23 EE25

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、無機または有機材料の1以
    上からなる蛍光材料を含む蛍光体を高反射材料の上に塗
    布して形成した蛍光面とを備え、 前記蛍光面の前記発光素子によって照射される側から光
    を外部に取出すことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 【請求項2】 前記発光素子の側面に前記高反射材料の
    上に形成された蛍光面を有することを特徴とする請求項
    1に記載の発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記発光素子に対向して前記高反射材料
    の上に形成された蛍光面を設けたことを特徴とする請求
    項1または請求項2に記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項4】 前記発光素子は紫外線を照射するもので
    あり、前記蛍光体は紫外線の照射によって発光する無機
    または有機材料の1以上からなる蛍光材料が前記高反射
    材料の上に塗布されて形成されたものであることを特徴
    とする請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の発
    光ダイオード。
JP2001195961A 2001-06-28 2001-06-28 発光ダイオード Withdrawn JP2003017751A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001195961A JP2003017751A (ja) 2001-06-28 2001-06-28 発光ダイオード
US10/179,372 US6900587B2 (en) 2001-06-28 2002-06-26 Light-emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001195961A JP2003017751A (ja) 2001-06-28 2001-06-28 発光ダイオード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003017751A true JP2003017751A (ja) 2003-01-17

Family

ID=19033850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001195961A Withdrawn JP2003017751A (ja) 2001-06-28 2001-06-28 発光ダイオード

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6900587B2 (ja)
JP (1) JP2003017751A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092430A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2005302988A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Mitsubishi Electric Corp 発光装置
JP2005347467A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
WO2006003931A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
WO2007138696A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、発光素子パッケージ体、表示装置及び照明装置
JP2007536743A (ja) * 2004-05-05 2007-12-13 レンゼラー ポリテクニック インスティテュート 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源
JP2009064999A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 He Shan Lide Electronic Enterprise Co Ltd 低色温度光を生成する方法及びその方法を用いた光放出装置
JP2010537420A (ja) * 2007-08-23 2010-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射型波長変換層を含む光源
US8095309B2 (en) * 2007-06-05 2012-01-10 GM Global Technology Operations LLC GPS assisted vehicular longitudinal velocity determination
WO2012046661A1 (ja) * 2010-10-07 2012-04-12 シャープ株式会社 発光素子、発光装置、及び表示装置
WO2012131792A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP2012190991A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8960953B2 (en) 2004-05-05 2015-02-24 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting source using solid state emitter and phosphor materials

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10250540B3 (de) * 2002-10-29 2004-07-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteiles
US20040145312A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
KR20050103200A (ko) * 2003-01-27 2005-10-27 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 인광계 광원 요소와 제조 방법
US7091661B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
CN100379040C (zh) * 2003-01-27 2008-04-02 3M创新有限公司 具有柔性短通反射器的基于荧光粉的光源
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US20040159900A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7211831B2 (en) 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
WO2004112153A2 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Firecomms Limited A resonant cavity light emitting diode
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US20050077534A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Yang Bing Lin Light-emitting diode and method of manufacturing the light-emitting diode
US7450311B2 (en) * 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US7172323B1 (en) 2004-04-08 2007-02-06 Genlyte Thomas Group Llc Light emitting diode light spreader
US20060013003A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. High illumination light emitting diode
US20060012298A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED chip capping construction
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US20060038188A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060043400A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Erchak Alexei A Polarized light emitting device
US20060087828A1 (en) * 2004-10-26 2006-04-27 Ming-Der Lin Light-emitting diode lamp with high heat dissipation
DE102004053116A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
US7731395B2 (en) * 2005-01-26 2010-06-08 Anthony International Linear lenses for LEDs
CN100477302C (zh) * 2005-02-23 2009-04-08 李洲科技股份有限公司 多波长发光二极体及其发光晶片构造
CN100585268C (zh) * 2005-03-07 2010-01-27 日亚化学工业株式会社 面状照射光源及面状照射装置
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
JP4640248B2 (ja) * 2005-07-25 2011-03-02 豊田合成株式会社 光源装置
US7598663B2 (en) * 2005-08-04 2009-10-06 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Multi-wavelength LED provided with combined fluorescent materials positioned over and underneath the LED component
US7196354B1 (en) 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US20080099777A1 (en) * 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
WO2007081719A2 (en) * 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
KR20090064474A (ko) * 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Led 시스템 및 방법
WO2008045927A2 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US8110425B2 (en) * 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
DE102008012316B4 (de) * 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
DE102007056874A1 (de) * 2007-11-26 2009-05-28 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Beleuchtungsvorrichtung mit Konversionsreflektor
WO2009100358A1 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN102265401B (zh) * 2008-09-24 2016-11-09 发光装置公司 包括可独立电寻址区段的发光器件
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TW201215817A (en) * 2010-10-05 2012-04-16 Advanced Connectek Inc Complementary color light source device
US20120106156A1 (en) * 2010-12-28 2012-05-03 Bridgelux, Inc. Street light led
US8602577B2 (en) 2011-04-25 2013-12-10 Osram Sylvania Inc. Side-emitting solid state light source modules with funnel-shaped phosphor surface
WO2014080441A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-30 Empire Technology Development Llc Backlight system
TWI559577B (zh) * 2014-11-06 2016-11-21 Sinogerman Entpr Co Ltd SMT type LED package element, its manufacturing method and light emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2947344B2 (ja) 1997-08-19 1999-09-13 サンケン電気株式会社 発光ダイオード装置
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11274572A (ja) 1998-03-23 1999-10-08 Nec Corp Led表示素子および表示装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092430A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2005302988A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Mitsubishi Electric Corp 発光装置
US8960953B2 (en) 2004-05-05 2015-02-24 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting source using solid state emitter and phosphor materials
US9447945B2 (en) 2004-05-05 2016-09-20 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting source using solid state emitter and phosphor materials
JP2007536743A (ja) * 2004-05-05 2007-12-13 レンゼラー ポリテクニック インスティテュート 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源
US11028979B2 (en) 2004-05-05 2021-06-08 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting source using solid state emitter and phosphor materials
JP2005347467A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
WO2006003931A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
US7737623B2 (en) 2004-06-30 2010-06-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device
US8030840B2 (en) 2004-06-30 2011-10-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device and display device
US7977696B2 (en) 2006-05-31 2011-07-12 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate, light-emitting element package, display device, and illumination device
WO2007138696A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、発光素子パッケージ体、表示装置及び照明装置
US8095309B2 (en) * 2007-06-05 2012-01-10 GM Global Technology Operations LLC GPS assisted vehicular longitudinal velocity determination
JP2010537420A (ja) * 2007-08-23 2010-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 反射型波長変換層を含む光源
JP2009064999A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 He Shan Lide Electronic Enterprise Co Ltd 低色温度光を生成する方法及びその方法を用いた光放出装置
WO2012046661A1 (ja) * 2010-10-07 2012-04-12 シャープ株式会社 発光素子、発光装置、及び表示装置
JP2012190991A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8872213B2 (en) 2011-03-31 2014-10-28 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device
WO2012131792A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20030002272A1 (en) 2003-01-02
US6900587B2 (en) 2005-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003017751A (ja) 発光ダイオード
JP4172196B2 (ja) 発光ダイオード
JP3910517B2 (ja) Ledデバイス
JP5899507B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
CN100587982C (zh) 光电子器件
CN101315966B (zh) 光半导体器件
JP5515992B2 (ja) 発光装置
US20070096113A1 (en) Led device
JP2003124521A (ja) ケース付半導体発光装置
EP1938392B1 (en) Light diffusion type light emitting diode
JP6253949B2 (ja) Led発光装置
CN1455462A (zh) 发光二极管
EP1686630A2 (en) Led device having diffuse reflective surface
CN113204138B (zh) 发光模块、面状光源以及发光模块的制造方法
JP2014146784A (ja) 複数の青色発光ダイオードによる白光パッケージ
JP3177113U (ja) 混光効果を向上させる白色ダイオードのパッケージ改良構造
JP5082427B2 (ja) 発光装置
JP2010225791A (ja) 半導体発光装置
JP5332960B2 (ja) 発光装置
JP2010225754A (ja) 半導体発光装置
JP2008205170A (ja) 発光半導体デバイス
JP2002280615A (ja) 発光ダイオード
JP3126565U (ja) Ledを具えた発光部品の輝度向上構造
JP6583673B2 (ja) 発光装置、及び照明装置
JP2002299692A (ja) 反射型led光源

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050802

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20050930