[go: up one dir, main page]

CN100477302C - 多波长发光二极体及其发光晶片构造 - Google Patents

多波长发光二极体及其发光晶片构造 Download PDF

Info

Publication number
CN100477302C
CN100477302C CNB200510008580XA CN200510008580A CN100477302C CN 100477302 C CN100477302 C CN 100477302C CN B200510008580X A CNB200510008580X A CN B200510008580XA CN 200510008580 A CN200510008580 A CN 200510008580A CN 100477302 C CN100477302 C CN 100477302C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
luminescent wafer
wavelength
emitting chip
reflection material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB200510008580XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1825635A (zh
Inventor
李明顺
孙平如
何昌纬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Oasis Technology Co Ltd
Original Assignee
Taiwan Oasis Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Oasis Technology Co Ltd filed Critical Taiwan Oasis Technology Co Ltd
Priority to CNB200510008580XA priority Critical patent/CN100477302C/zh
Publication of CN1825635A publication Critical patent/CN1825635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100477302C publication Critical patent/CN100477302C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明是在发光晶片的底部至少设有一个具既定波长的荧光层,可将此发光晶片定置在载体上,由金线构成发光晶片的电路联结,以及在封装材的已获下,构成一种可让发光晶片的光源与荧光层的波长结合,借以产生预期光色的多波长发光二极体。

Description

多波长发光二极体及其发光晶片构造
技术领域
本发明是涉及发光二极体的光色表现技术,旨在提供一种可产生正确光色,以及有效提升亮度表现效果的发光二极体以及其发光晶片结构。
背景技术
按,一般发光二极体的基本构造,是由相关的封装材将发光晶片包复,并且利用金线构成发光晶片电极与相关电路的连结,以在发光晶片通电作用下,今发光晶片产生光源,其光源并且经由所包复的封装材向外照射,并且进一步让发光晶片用的光源与封装材当中的荧光材波长结合,借以形成预期的光色。
如图1所示,是为目前所普遍习用的一种直接利用基板10做为发光晶片20截体的发光二极体结构,此类型的发光二极体是在基板10的既定位置设有深入基板10表面的凹座11,由此凹座11做为发光晶片20定置以及填充封装材30的空间,于实施时是在发光晶片20与基板10(或类似的载体)之间涂布有固晶材40,以达到将发光晶片20定置的目的。
然而,如此的做法将使发光晶片20底部的部分区段埋入固晶材40当中,进而降低整体发光二极体的亮度表现效果;再者,虽然可以在固晶材40当中混入荧光材,使发光晶片20的光源能够与荧光材的波长结合以成为预期的光色,但由于固晶材40的成分比例、涂布范围、涂布份量不容易控制,而无法准确控制整体发光二极体所呈现的光色品质。
发明内容
有鉴于此,本发明即在发光晶片的底部至少设有一个具既定波长的荧光层,可将此发光晶片定置在载体上,由金线构成发光晶片的电路联结,以及在封装材的包复下,构成一种可让发光晶片的光源与荧光层的波长结合借以产生预期光色的多波长发光二极体。
其中,由于荧光层是预先固定在发光晶片的底部,因此得以有效控制其涂布范围以及涂布的份量,而能够准确控制透过荧光层所产生的光色品质;甚至于,可在最下层的荧光层设置反射材,以有效提升发光二极体的亮度表现效果。
附图说明
图1是为一种习用发光二极体的结构剖视图;
图2是为本发明第一实施例的发光晶片外观立体图;
图3是为本发明第一实施例的发光二极体结构剖视图;
图4是为本发明第二实施例的发光二极体结构剖视图;
图5是为本发明第三实施例的发光二极体结构剖视图;
图6是为本发明第四实施例的发光二极体结构剖视图;
图7是为本发明第五实施例的发光二极体结构剖视图;
图8是为本发明第六实施例的发光二极体结构剖视图。
【图号说明】
10基板
11凹座
20发光晶片
30封装材
40固晶材
50荧光层
60金线
70反射材
具体实施方式
为能使贵审查员清楚本发明的组成,以及实施方式,兹配合图式说明如下:
本发明多波长发光二极体及其发光晶片构造旨在提供一种可产生正确光色,以及有效提升亮度表现效果的发光二极体以及其发光晶片结构,如图2所示,主要是在发光晶片20的底部至少设有一个具既定波长的荧光层50,再如图3所示,将此发光晶片20定置在基板10所预设的空间中(或是类似功能的载体中),由金线60构成发光晶片20的电路联结,以及在封装材30的包复下,构成一种可让发光晶片20的光源与荧光层50的波长结合,借以产生预期光色的多波长发光二极体。
由于荧光层50是预先固定在发光晶片20的底部,因此得以有效控制其涂布范围以及涂布的份量,而能够准确控制透过荧光层50所产生的光色品质。
在具体实施时,本发明的多波长发光二极体是可以如第图4所示,借由在每一个发光晶片20的底部设置若干具有既定波长的荧光层50,以构成更多波长的结合作用,产生较符合预期的光色;当然,亦可以如图5所示,在一个发光二极体当中设置若干个发光晶片20,并且在各发光晶片20的底部至少设有一个具既定波长的荧光层50,或者是在封装材30当中混入既定比例的至少一种具既定波长的荧光材,以构成更多波长的结合作用,产生较符合预期的光色。
甚至于,可以如图6所示,在发光晶片20最下层的荧光层50设置反射材70,以提升发光二极体的亮度表现效果,此反射材70是可以为设在荧光层50底部的平板状天然结晶体,或者是为如图7所示,为表面具有既定反射纹路的天然结晶体;当然,亦可为如图8所示,直接混入荧光层50当中的反射粒子,以形成让发光二极体的光源朝向既定方向照射的作用,以提升其亮度表现效果。
如上所述,本发明提供一种可产生正确光色,以及有效提升亮度表现效果的发光二极体以及其发光晶片结构,于是依法提呈发明专利的申请;然而,以上的实施说明及固式所示,是本发明较佳实施例者,并非以此局限本发明,是以,举凡与本实用新型的构造、装置、特征等近似、雷同,均应属本实用新型的创作目的及申请专利范围的内。

Claims (15)

1、一种发光晶片,其特征在于:是在发光晶片的底部至少设有一个具既定波长的荧光层,该荧光层是预先固定于发光晶片的底部。
2、如权利要求1所述的发光晶片,其中,该发光晶片最下层的荧光层设有反射材。
3、如权利要求2所述的发光晶片,其中,该反射材是设在荧光层底部。
4、如权利要求3所述的发光晶片,其中,该反射材是为平板状天然结晶体。
5、如权利要求3所述的发光晶片,其中,该反射材是为表面具有既定反射纹路的天然结晶体。
6、如权利要求2所述的发光晶片,其中,该反射材是混入荧光层当中。
7、如权利要求6所述的发光晶片,其中,该反射材是为反射粒子。
8、一种多波长发光二极体,其特征在于:是在载体上设有至少一个发光晶片,另有金线构成发光晶片的电路联结,以及由封装材将各发光晶片包覆,各发光晶片的底部至少设有一个具既定波长的荧光层,该荧光层是预先固定于发光晶片的底部。
9、如权利要求8所述的多波长发光二极体,其中,该封装材是混入既定比例的至少一种具既定波长的荧光材。
10、如权利要求8所述的多波长发光二极体,其中,该发光晶片最下层的荧光层设有反射材。
11、如权利要求10所述的多波长发光二极体,其中,该反射材是设在荧光层底部。
12、如权利要求10所述的多波长发光二极体,其中,该反射材是为平板状天然结晶体。
13、如权利要求10所述的多波长发光二极体,其中,该反射材是为表面具有既定反射纹路的天然结晶体。
14、如权利要求10所述的多波长发光二极体,其中,该反射材是混入荧光层当中。
15、如权利要求14所述的多波长发光二极体,其中,该反射材是为反射粒子。
CNB200510008580XA 2005-02-23 2005-02-23 多波长发光二极体及其发光晶片构造 Expired - Fee Related CN100477302C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB200510008580XA CN100477302C (zh) 2005-02-23 2005-02-23 多波长发光二极体及其发光晶片构造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB200510008580XA CN100477302C (zh) 2005-02-23 2005-02-23 多波长发光二极体及其发光晶片构造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1825635A CN1825635A (zh) 2006-08-30
CN100477302C true CN100477302C (zh) 2009-04-08

Family

ID=36936159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510008580XA Expired - Fee Related CN100477302C (zh) 2005-02-23 2005-02-23 多波长发光二极体及其发光晶片构造

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100477302C (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1315057A (zh) * 1999-06-23 2001-09-26 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
GB2373368A (en) * 2001-03-12 2002-09-18 Arima Optoelectronics Corp White light emitting LED devices
US20030002272A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-02 Yoshinobu Suehiro Light-emitting diode
US20040256974A1 (en) * 2003-03-17 2004-12-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1315057A (zh) * 1999-06-23 2001-09-26 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
GB2373368A (en) * 2001-03-12 2002-09-18 Arima Optoelectronics Corp White light emitting LED devices
US20030002272A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-02 Yoshinobu Suehiro Light-emitting diode
US20040256974A1 (en) * 2003-03-17 2004-12-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN1825635A (zh) 2006-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI380483B (en) Led device and method of packaging the same
TWI289947B (en) Bendable solid state planar light source, a flexible substrate therefor, and a manufacturing method therewith
US8735913B2 (en) Light emitting semiconductor structure
TWI446590B (zh) 發光二極體封裝結構及其製作方法
CN105789406B (zh) 一种led封装结构
TWI449221B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN104752592B (zh) 发光二极体封装结构及发光二极体模组
CN106025040B (zh) 一种单面出光的发光元器件及其生产方法
TW200941758A (en) LED-based surface light-source device
JP2011096740A (ja) 発光装置
CN101684933B (zh) 一种白光发光二极管封装结构及其封装方法
CN100477302C (zh) 多波长发光二极体及其发光晶片构造
CN203218332U (zh) 高反射率的高照度led光源模块
CN105826447A (zh) 封装结构及其制法
TWI425613B (zh) Led燈條結構及其製造方法
US8378364B2 (en) Multi-chip light emitting diode and method for fabricating the same
CN202111091U (zh) Led集成封装结构
TWI569473B (zh) 封裝結構及其製法
CN205335256U (zh) 集成led封装结构
TW201616687A (zh) 覆晶式led封裝體
TWI305424B (zh)
CN204481044U (zh) Led发光装置
CN101814558B (zh) 发光二极管封装结构
CN2854813Y (zh) 发光二极管的封装结构改良
JP2008300577A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: DONGGUAN OASIS ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Assignor: TAIWAN OASIS TECHNOLOGY CO.,LTD.

Contract fulfillment period: 2009.6.1 to 2016.5.30

Contract record no.: 2009990001298

Denomination of invention: Multi-wavelength light-emitting bipolar body and light-emitting wafter structure

Granted publication date: 20090408

License type: Exclusive license

Record date: 20091130

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.6.1 TO 2016.5.30; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: DONGGUAN LIZHOU ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY

Effective date: 20091130

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090408

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee