JP2002367770A - 表示素子 - Google Patents
表示素子Info
- Publication number
- JP2002367770A JP2002367770A JP2001170128A JP2001170128A JP2002367770A JP 2002367770 A JP2002367770 A JP 2002367770A JP 2001170128 A JP2001170128 A JP 2001170128A JP 2001170128 A JP2001170128 A JP 2001170128A JP 2002367770 A JP2002367770 A JP 2002367770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- emitting layer
- light emitting
- peak wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自発光型の表示素子において、ホワイトの視
野角依存性を減少させる。 【解決手段】 第１電極１２と第２電極１５との間に発
光層１３ｃが挟持されるとともに、第１電極１２及び第
２電極１５のうちの光が取り出される方のもの及び発光
層１３ｃの少なくとも一方がこの発光層１３ｃで発光し
た光を共振させる共振器構造の共振部となるように構成
された表示素子において、発光層１３ｃの内部発光スペ
クトルのピーク波長と共振部による多重干渉フィルタス
ペクトルのピーク波長とを互いにずらし、このずれ量に
より、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバ
ランスを調整する。
野角依存性を減少させる。 【解決手段】 第１電極１２と第２電極１５との間に発
光層１３ｃが挟持されるとともに、第１電極１２及び第
２電極１５のうちの光が取り出される方のもの及び発光
層１３ｃの少なくとも一方がこの発光層１３ｃで発光し
た光を共振させる共振器構造の共振部となるように構成
された表示素子において、発光層１３ｃの内部発光スペ
クトルのピーク波長と共振部による多重干渉フィルタス
ペクトルのピーク波長とを互いにずらし、このずれ量に
より、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバ
ランスを調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表示素子に関
し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子のような
自発光型の表示素子に関する。
し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子のような
自発光型の表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機材料のエレクトロルミネッセンス
（Electroluminescence)を利用した素子（以下「有機Ｅ
Ｌ素子」という。）は、第１電極と第２電極との間に、
有機正孔輸送層や有機発光層を積層させてなる有機層を
設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な
自発光型の表示素子として注目されている。
（Electroluminescence)を利用した素子（以下「有機Ｅ
Ｌ素子」という。）は、第１電極と第２電極との間に、
有機正孔輸送層や有機発光層を積層させてなる有機層を
設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な
自発光型の表示素子として注目されている。
【０００３】図８に、このような有機ＥＬ素子のうち、
透過型の有機ＥＬ素子の要部断面図を示す。図８に示す
ように、この有機ＥＬ素子は、透明な基板１上に、透明
電極２、有機バッファ層３、有機正孔輸送層４、有機発
光層５及び金属電極６を下層から順に積層してなり、有
機発光層５において発生した光ｈが基板１側から取り出
される。
透過型の有機ＥＬ素子の要部断面図を示す。図８に示す
ように、この有機ＥＬ素子は、透明な基板１上に、透明
電極２、有機バッファ層３、有機正孔輸送層４、有機発
光層５及び金属電極６を下層から順に積層してなり、有
機発光層５において発生した光ｈが基板１側から取り出
される。
【０００４】しかし、この図８に示した有機ＥＬ素子で
は、各発光色を有する有機発光層５で発生して取り出さ
れる各色の光ｈのスペクトルが、図９に示すようにピー
ク幅が広く、特に赤色の光ｈに関してはピーク波長がよ
り低波長よりである。このため、この有機ＥＬ素子を用
いてカラー表示が可能な表示装置を構成した場合、例え
ば、テレビ画像を表示させる程度に十分な色再現範囲を
得ることができなかった。
は、各発光色を有する有機発光層５で発生して取り出さ
れる各色の光ｈのスペクトルが、図９に示すようにピー
ク幅が広く、特に赤色の光ｈに関してはピーク波長がよ
り低波長よりである。このため、この有機ＥＬ素子を用
いてカラー表示が可能な表示装置を構成した場合、例え
ば、テレビ画像を表示させる程度に十分な色再現範囲を
得ることができなかった。
【０００５】そこで、この問題を解決するために、基板
１と透明電極２との間に誘電体ミラー層（図示せず）を
設けることで、誘電体ミラー層、透明電極２、有機バッ
ファ層３、有機正孔輸送層４、有機発光層５及び金属電
極６からなる共振器構造を設けることが考えられた。こ
の共振器構造を備えた有機ＥＬ素子では、有機発光層５
で発生した光ｈが誘電体ミラー層と金属電極６との間を
往復し、共振波長の光だけが増幅されて基板１側から取
り出される。このため、ピーク強度が高く幅が狭いスペ
クトルを有する光ｈを取り出すことができ、この有機Ｅ
Ｌ素子で構成される表示装置の色再現範囲を拡大するこ
とが可能になる。
１と透明電極２との間に誘電体ミラー層（図示せず）を
設けることで、誘電体ミラー層、透明電極２、有機バッ
ファ層３、有機正孔輸送層４、有機発光層５及び金属電
極６からなる共振器構造を設けることが考えられた。こ
の共振器構造を備えた有機ＥＬ素子では、有機発光層５
で発生した光ｈが誘電体ミラー層と金属電極６との間を
往復し、共振波長の光だけが増幅されて基板１側から取
り出される。このため、ピーク強度が高く幅が狭いスペ
クトルを有する光ｈを取り出すことができ、この有機Ｅ
Ｌ素子で構成される表示装置の色再現範囲を拡大するこ
とが可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な共振器構造を備えた有機ＥＬ素子のように、取り出さ
れる光ｈのスペクトルのピーク幅が狭くなると、発光面
を斜め方向から見た場合に、光ｈの波長が大きくシフト
したり発光強度が低下する等、発光特性の視野角依存性
が高くなる。このため、有機ＥＬ素子から取り出される
光のスペクトルの幅は、狭くなりすぎないようにする必
要がある。しかし、この有機ＥＬ素子においては、上述
したような視野角依存性を考慮した設計がなされておら
ず、広い視野角において、十分な色再現範囲を維持する
ことができなかった。
な共振器構造を備えた有機ＥＬ素子のように、取り出さ
れる光ｈのスペクトルのピーク幅が狭くなると、発光面
を斜め方向から見た場合に、光ｈの波長が大きくシフト
したり発光強度が低下する等、発光特性の視野角依存性
が高くなる。このため、有機ＥＬ素子から取り出される
光のスペクトルの幅は、狭くなりすぎないようにする必
要がある。しかし、この有機ＥＬ素子においては、上述
したような視野角依存性を考慮した設計がなされておら
ず、広い視野角において、十分な色再現範囲を維持する
ことができなかった。
【０００７】このような視野角依存性は、知覚上非常に
認識されやすいホワイト（白色）について特に深刻な問
題となる。図１０にホワイトの色度の視野角依存性の計
算例を示す。例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の画
面内色ずれの許容範囲はΔｕｖ＝０．０１５程度以内で
あるが、図１０に示すように視野角が３０°のときには
Δｕｖ＝０．００６と小さいものの、視野角が６０°の
ときにはΔｕｖ＝０．０１７８にもなり、色ずれが非常
に大きくなって許容範囲を超えてしまうことがわかる。
この計算は、図１１に示す多重干渉フィルタスペクトル
のピーク波長と図１２において点線で示す内部発光スペ
クトル（発光層で発光させた光を多重干渉させずに取り
出した光のスペクトル）のピーク波長（より正確には光
のエネルギー利用効率を最大にするピーク波長）とを一
致させた場合のものである。この場合、光エネルギー取
り出し効率は最大となる。内部発光スペクトルと多重干
渉フィルタスペクトルとを掛け合わせることにより、取
り出される光のスペクトルが図１３において実線で示す
ように得られる。
認識されやすいホワイト（白色）について特に深刻な問
題となる。図１０にホワイトの色度の視野角依存性の計
算例を示す。例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の画
面内色ずれの許容範囲はΔｕｖ＝０．０１５程度以内で
あるが、図１０に示すように視野角が３０°のときには
Δｕｖ＝０．００６と小さいものの、視野角が６０°の
ときにはΔｕｖ＝０．０１７８にもなり、色ずれが非常
に大きくなって許容範囲を超えてしまうことがわかる。
この計算は、図１１に示す多重干渉フィルタスペクトル
のピーク波長と図１２において点線で示す内部発光スペ
クトル（発光層で発光させた光を多重干渉させずに取り
出した光のスペクトル）のピーク波長（より正確には光
のエネルギー利用効率を最大にするピーク波長）とを一
致させた場合のものである。この場合、光エネルギー取
り出し効率は最大となる。内部発光スペクトルと多重干
渉フィルタスペクトルとを掛け合わせることにより、取
り出される光のスペクトルが図１３において実線で示す
ように得られる。
【０００８】従って、この発明が解決しようとする課題
は、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバラ
ンスを調整し、ホワイトの視野角依存性を減少させるこ
とができる自発光型の表示素子を提供することにある。
は、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバラ
ンスを調整し、ホワイトの視野角依存性を減少させるこ
とができる自発光型の表示素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明の第１の発明は、第１電極と第２電極との
間に発光層が挟持されるとともに、第１電極及び第２電
極のうちの光が取り出される方のもの及び発光層の少な
くとも一方が発光層で発光した光を共振させる共振器構
造の共振部となるように構成された表示素子において、
発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部によ
る多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互いに
ずらしたことを特徴とするものである。
に、この発明の第１の発明は、第１電極と第２電極との
間に発光層が挟持されるとともに、第１電極及び第２電
極のうちの光が取り出される方のもの及び発光層の少な
くとも一方が発光層で発光した光を共振させる共振器構
造の共振部となるように構成された表示素子において、
発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部によ
る多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互いに
ずらしたことを特徴とするものである。
【００１０】この発明の第２の発明は、光反射材料から
なる第１電極と透明材料からなる第２電極との間に発光
層が挟持されるとともに、第２電極及び発光層の少なく
とも一方が発光層で発光した光を共振させる共振器構造
の共振部となるように構成された表示素子において、発
光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部による
多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互いにず
らしたことを特徴とするものである。
なる第１電極と透明材料からなる第２電極との間に発光
層が挟持されるとともに、第２電極及び発光層の少なく
とも一方が発光層で発光した光を共振させる共振器構造
の共振部となるように構成された表示素子において、発
光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部による
多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互いにず
らしたことを特徴とするものである。
【００１１】この発明の第３の発明は、基板上に光反射
材料からなる第１電極、発光層及び透明材料からなる第
２電極が順次積層されるとともに、第２電極及び発光層
の少なくとも一方が発光層で発光した光を共振させる共
振器構造の共振部となるように構成された表示素子にお
いて、発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振
部による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを
互いにずらしたことを特徴とするものである。
材料からなる第１電極、発光層及び透明材料からなる第
２電極が順次積層されるとともに、第２電極及び発光層
の少なくとも一方が発光層で発光した光を共振させる共
振器構造の共振部となるように構成された表示素子にお
いて、発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振
部による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを
互いにずらしたことを特徴とするものである。
【００１２】この発明において、表示素子は、発光層で
発生した光が共振部の両端で反射する際に生じる位相シ
フトをΦラジアン、共振部の光学的距離をＬ、発光層で
発生した光のうちの取り出したい光のスペクトルのピー
ク波長をλmax とした場合、下記の式（１）を満たすよ
うに構成される。 ２Ｌ／λmax ＋Φ／２π＝ｍ （ただし、ｍは整数） （１） このような構成の表示素子では、共振部の光学的距離Ｌ
が式（１）を満たしていることから、この共振部におい
て波長λmax 近傍の光が多重干渉を起こす。この発明に
おいて、好適には、発光層の内部発光スペクトルのピー
ク波長と共振部による多重干渉フィルタスペクトルのピ
ーク波長とを互いにずらすことにより、視野角が６０°
のときのホワイトの色ずれΔｕｖを０．０１５以下とす
る。
発生した光が共振部の両端で反射する際に生じる位相シ
フトをΦラジアン、共振部の光学的距離をＬ、発光層で
発生した光のうちの取り出したい光のスペクトルのピー
ク波長をλmax とした場合、下記の式（１）を満たすよ
うに構成される。 ２Ｌ／λmax ＋Φ／２π＝ｍ （ただし、ｍは整数） （１） このような構成の表示素子では、共振部の光学的距離Ｌ
が式（１）を満たしていることから、この共振部におい
て波長λmax 近傍の光が多重干渉を起こす。この発明に
おいて、好適には、発光層の内部発光スペクトルのピー
ク波長と共振部による多重干渉フィルタスペクトルのピ
ーク波長とを互いにずらすことにより、視野角が６０°
のときのホワイトの色ずれΔｕｖを０．０１５以下とす
る。
【００１３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、内部発光スペクトルのピーク波長に対する多重干渉
フィルタスペクトルのピーク波長のずれ量により、視野
角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバランスを調
整することができる。
ば、内部発光スペクトルのピーク波長に対する多重干渉
フィルタスペクトルのピーク波長のずれ量により、視野
角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢバランスを調
整することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。ここでは、この発明を
有機ＥＬ素子に適用した表示素子の実施形態を説明す
る。なお、実施形態の全図において、同一または対応す
る部分には同一の符号を付す。
て図面を参照しながら説明する。ここでは、この発明を
有機ＥＬ素子に適用した表示素子の実施形態を説明す
る。なお、実施形態の全図において、同一または対応す
る部分には同一の符号を付す。
【００１５】図１はこの発明の第１の実施形態による有
機ＥＬ素子を示す。この図１に示す有機ＥＬ素子は、い
わゆる上面発光型の有機ＥＬ素子であり、基板１１上
に、下層から順に第１電極１２、有機層１３、半透明反
射層１４及び第２電極１５が順次積層された構成になっ
ている。
機ＥＬ素子を示す。この図１に示す有機ＥＬ素子は、い
わゆる上面発光型の有機ＥＬ素子であり、基板１１上
に、下層から順に第１電極１２、有機層１３、半透明反
射層１４及び第２電極１５が順次積層された構成になっ
ている。
【００１６】基板１１は、例えば、透明ガラス基板や半
導体基板等で構成され、フレキシブルなものであっても
よい。第１電極１２は、反射層を兼ねたアノード電極と
して用いられるもので、例えば白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）等の
光反射材料で構成されている。また、この第１電極１２
は、膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲に設定されて
いることが好ましい。
導体基板等で構成され、フレキシブルなものであっても
よい。第１電極１２は、反射層を兼ねたアノード電極と
して用いられるもので、例えば白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）等の
光反射材料で構成されている。また、この第１電極１２
は、膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲に設定されて
いることが好ましい。
【００１７】有機層１３は、例えば、バッファ層１３
ａ、正孔輸送層１３ｂ及び電子輸送層を兼ねた有機発光
層１３ｃを下層から順次積層してなる。なお、電子輸送
層は有機発光層１３ｃとは別の層として設けてもよい。
バッファ層１３ａはリークを防止するための層であり、
例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4',4"-tris(3-methylpheny
lphenylamino)triphenylamine 〕、２−ＴＮＡＴＡ〔4,
4',4"-tris(2-naphtylphenylamino)triphenylamine〕等
で構成される。なお、バッファ層１３ａはリークが支障
のないレベルであれば省略してもよい。また、正孔輸送
層１３ｂは、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-
N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕で
構成される。そして、有機発光層１３ｃは、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの発光色を有する各発光材
料で構成され、例えばＧの発光色を有する発光材料とし
てはＡｌｑ３（トリスキノリノールアルミニウム錯体）
を用いる。
ａ、正孔輸送層１３ｂ及び電子輸送層を兼ねた有機発光
層１３ｃを下層から順次積層してなる。なお、電子輸送
層は有機発光層１３ｃとは別の層として設けてもよい。
バッファ層１３ａはリークを防止するための層であり、
例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4',4"-tris(3-methylpheny
lphenylamino)triphenylamine 〕、２−ＴＮＡＴＡ〔4,
4',4"-tris(2-naphtylphenylamino)triphenylamine〕等
で構成される。なお、バッファ層１３ａはリークが支障
のないレベルであれば省略してもよい。また、正孔輸送
層１３ｂは、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-
N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕で
構成される。そして、有機発光層１３ｃは、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの発光色を有する各発光材
料で構成され、例えばＧの発光色を有する発光材料とし
てはＡｌｑ３（トリスキノリノールアルミニウム錯体）
を用いる。
【００１８】有機層１３を構成するこれらの各層は、バ
ッファ層１３ａが１５ｎｍ〜３００ｎｍ、正孔輸送層１
３ｂが１５ｎｍ〜１００ｎｍ、有機発光層１３ｃが１５
ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。
ただし、有機層１３及びこれを構成する各層の膜厚は、
その光学的膜厚が後に説明する値になるように設定され
る。
ッファ層１３ａが１５ｎｍ〜３００ｎｍ、正孔輸送層１
３ｂが１５ｎｍ〜１００ｎｍ、有機発光層１３ｃが１５
ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。
ただし、有機層１３及びこれを構成する各層の膜厚は、
その光学的膜厚が後に説明する値になるように設定され
る。
【００１９】そして、半透明反射層１４は、カソード電
極を構成するもので、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や
銀（Ａｇ）、あるいはそれらの合金等で構成されてい
る。この半透明反射層１４は、膜厚が５ｎｍ〜５０ｎｍ
の範囲に設定されていることが好ましい。
極を構成するもので、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や
銀（Ａｇ）、あるいはそれらの合金等で構成されてい
る。この半透明反射層１４は、膜厚が５ｎｍ〜５０ｎｍ
の範囲に設定されていることが好ましい。
【００２０】さらに、第２電極１５は、例えば酸化イン
ジウムスズ（Indium Tin Oxide: ＩＴＯ）やインジウム
と亜鉛の酸化物等、一般的に透明電極として用いられて
いる材料で構成される。この第２電極１５は、膜厚が３
０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とする。また、この第２電
極１５上には、透明誘電体からなるパッシベーション膜
（図示せず）が設けられている。この透明誘電体は、好
ましくは第２電極１５を構成する材料と同程度の屈折率
を有するものとする。このような材料として、酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を用いる
ことができ、例えば５００ｎｍ〜１００００ｎｍの膜厚
で成膜される。
ジウムスズ（Indium Tin Oxide: ＩＴＯ）やインジウム
と亜鉛の酸化物等、一般的に透明電極として用いられて
いる材料で構成される。この第２電極１５は、膜厚が３
０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とする。また、この第２電
極１５上には、透明誘電体からなるパッシベーション膜
（図示せず）が設けられている。この透明誘電体は、好
ましくは第２電極１５を構成する材料と同程度の屈折率
を有するものとする。このような材料として、酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等を用いる
ことができ、例えば５００ｎｍ〜１００００ｎｍの膜厚
で成膜される。
【００２１】この有機ＥＬ素子では、光反射材料からな
る第１電極１２と有機層１３と半透明反射層１４とで共
振器構造が構成されており、有機層１３が共振部となっ
ている。そして、第１電極１２と半透明反射層１４との
間の光学的距離、すなわち有機層１３からなる共振部の
光学的膜厚をＬ、有機発光層１３ｃで発生した光ｈが第
１電極１２及び半透明反射層１４で反射する際に生じる
位相シフトをΦラジアン、有機発光層１３ｃで発光する
光ｈの波長をλとすると、多重干渉の１回分の位相遅れ
量δは、 δ＝２π・２Ｌ／λ＋Φ （２） である。ここで、 δ＝２π・ｍ （ただし、ｍは整数） （３） の成り立つλが、狭帯域フィルタである多重干渉フィル
タのピーク波長となる。これをλmax とすると、式
（２）、（３）から ２Ｌ／λmax ＋Φ／２π＝ｍ （４） が得られる。Ｌはこの式（４）を満たすように設定され
る。
る第１電極１２と有機層１３と半透明反射層１４とで共
振器構造が構成されており、有機層１３が共振部となっ
ている。そして、第１電極１２と半透明反射層１４との
間の光学的距離、すなわち有機層１３からなる共振部の
光学的膜厚をＬ、有機発光層１３ｃで発生した光ｈが第
１電極１２及び半透明反射層１４で反射する際に生じる
位相シフトをΦラジアン、有機発光層１３ｃで発光する
光ｈの波長をλとすると、多重干渉の１回分の位相遅れ
量δは、 δ＝２π・２Ｌ／λ＋Φ （２） である。ここで、 δ＝２π・ｍ （ただし、ｍは整数） （３） の成り立つλが、狭帯域フィルタである多重干渉フィル
タのピーク波長となる。これをλmax とすると、式
（２）、（３）から ２Ｌ／λmax ＋Φ／２π＝ｍ （４） が得られる。Ｌはこの式（４）を満たすように設定され
る。
【００２２】そして、有機層１３を構成する各層の膜厚
はこれを満たすように設定されている。ここで、共振部
の光学的距離Ｌは、有機層１３を構成する各層（この第
１の実施形態においては、バッファ層１３ａ、正孔輸送
層１３ｂ及び有機発光層１３ｃ）の各屈折率ｎ１，ｎ
２，…，ｎｋと膜厚ｄ１，ｄ２，…，ｄｋとから、下記
の式（５）のように求められる。 Ｌ＝ｎ１×ｄ１＋ｎ２×ｄ２＋…＋ｎｋ×ｄｋ （５）
はこれを満たすように設定されている。ここで、共振部
の光学的距離Ｌは、有機層１３を構成する各層（この第
１の実施形態においては、バッファ層１３ａ、正孔輸送
層１３ｂ及び有機発光層１３ｃ）の各屈折率ｎ１，ｎ
２，…，ｎｋと膜厚ｄ１，ｄ２，…，ｄｋとから、下記
の式（５）のように求められる。 Ｌ＝ｎ１×ｄ１＋ｎ２×ｄ２＋…＋ｎｋ×ｄｋ （５）
【００２３】Ｌの計算例を挙げると、バッファ層１３ａ
が２−ＴＮＡＴＡ、正孔輸送層１３ｂがα−ＮＰＤ、有
機発光層１３ｃがＡｌｑ３からなり、それらの厚さがそ
れぞれｄ１＝３２ｎｍ、ｄ２＝３０ｎｍ、ｄ３＝５０ｎ
ｍであり、λ＝５３５ｎｍとすると、ｎ１＝１．９、ｎ
２＝１．８、ｎ３＝１．７であるから、 Ｌ＝１．９×３２＋１．８×３０＋１．７×５０＝２０
０ｎｍ となる。
が２−ＴＮＡＴＡ、正孔輸送層１３ｂがα−ＮＰＤ、有
機発光層１３ｃがＡｌｑ３からなり、それらの厚さがそ
れぞれｄ１＝３２ｎｍ、ｄ２＝３０ｎｍ、ｄ３＝５０ｎ
ｍであり、λ＝５３５ｎｍとすると、ｎ１＝１．９、ｎ
２＝１．８、ｎ３＝１．７であるから、 Ｌ＝１．９×３２＋１．８×３０＋１．７×５０＝２０
０ｎｍ となる。
【００２４】Φは次のようにして導出される。すなわ
ち、まず、基板（例えば、Ｓｉ基板）上に反射層（Ｃｒ
等）または半透明反射層（Ｍｇ、Ａｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金
等）を２００ｎｍ以上の膜厚に成膜し、分光エリプソメ
トリー測定装置（例えば、ＳＯＰＲＡ社製のもの等）を
用いてこれらの反射層または半透明反射層の屈折率ｎ及
び吸収係数ｋを求める。
ち、まず、基板（例えば、Ｓｉ基板）上に反射層（Ｃｒ
等）または半透明反射層（Ｍｇ、Ａｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金
等）を２００ｎｍ以上の膜厚に成膜し、分光エリプソメ
トリー測定装置（例えば、ＳＯＰＲＡ社製のもの等）を
用いてこれらの反射層または半透明反射層の屈折率ｎ及
び吸収係数ｋを求める。
【００２５】反射層側の位相シフトは、そのｎ、ｋと、
この反射層と接している有機層の屈折率ｎとを用いて計
算することができる（例えば、Principles of Optics,
MaxBorn and Emil Wolf,1974(PERGAMON PRESS) 等参
照）。
この反射層と接している有機層の屈折率ｎとを用いて計
算することができる（例えば、Principles of Optics,
MaxBorn and Emil Wolf,1974(PERGAMON PRESS) 等参
照）。
【００２６】また、半透明反射層側の位相シフトも同様
に、そのｎ、ｋと、この半透明反射層と接している有機
層の屈折率ｎ、半透明反射層の膜厚、その上方の各透明
膜の屈折率及び膜厚とを用いて計算することができる。
なお、有機層、各透明膜の屈折率も分光エリプソメトリ
ー測定装置を用いて測定可能である。
に、そのｎ、ｋと、この半透明反射層と接している有機
層の屈折率ｎ、半透明反射層の膜厚、その上方の各透明
膜の屈折率及び膜厚とを用いて計算することができる。
なお、有機層、各透明膜の屈折率も分光エリプソメトリ
ー測定装置を用いて測定可能である。
【００２７】上記の２つの位相シフトの和がΦである。
Φの値の一例を挙げると、λ＝５３５ｎｍに対してΦ＝
−４．７ラジアンである。
Φの値の一例を挙げると、λ＝５３５ｎｍに対してΦ＝
−４．７ラジアンである。
【００２８】図２は内部発光スペクトルのピーク波長と
多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを一致させ
たときの緑色発光色の取り出される光のスペクトルの視
野角依存性を計算したものである。ただし、ｍ＝０であ
る。図２からわかるように、視野角が大きくなるに従っ
て、取り出される光のスペクトルのピークは短波長側に
シフトし、ピーク強度も減少している。一方、図３は多
重干渉フィルタスペクトルのピークを内部発光スペクト
ルのピークよりも２５ｎｍ長波長側にシフトした場合に
取り出される光のスペクトルの視野角依存性を計算した
ものである。ただし、ｍ＝０である。図３より、視野角
が大きくなると、ピーク強度はいったん増加し、その後
減少していくことがわかる。
多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを一致させ
たときの緑色発光色の取り出される光のスペクトルの視
野角依存性を計算したものである。ただし、ｍ＝０であ
る。図２からわかるように、視野角が大きくなるに従っ
て、取り出される光のスペクトルのピークは短波長側に
シフトし、ピーク強度も減少している。一方、図３は多
重干渉フィルタスペクトルのピークを内部発光スペクト
ルのピークよりも２５ｎｍ長波長側にシフトした場合に
取り出される光のスペクトルの視野角依存性を計算した
ものである。ただし、ｍ＝０である。図３より、視野角
が大きくなると、ピーク強度はいったん増加し、その後
減少していくことがわかる。
【００２９】表１はそのときの輝度変動量を計算したも
のである。これより、ピークシフトしていないものは、
視野角が大きくなるに従って輝度が低下しているが、２
５ｎｍ長波長側にピークシフトしたものはいったん輝度
が上昇して、その後減少していくことがわかる。シフト
量を様々に変えることにより、輝度変動量も変化させる
ことができる。
のである。これより、ピークシフトしていないものは、
視野角が大きくなるに従って輝度が低下しているが、２
５ｎｍ長波長側にピークシフトしたものはいったん輝度
が上昇して、その後減少していくことがわかる。シフト
量を様々に変えることにより、輝度変動量も変化させる
ことができる。
【００３０】 表１ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ピーク波長の 視野角 シフト量 ０° ３０° ６０° −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ０ｎｍ １．０ ０．９５ ０．７６ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＋２５ｎｍ １．０ １．０３ ０．９５ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００３１】一方、ホワイトの色度は、ＲＧＢ単色の色
度と、ホワイト輝度バランスとが与えられて決定され
る。すなわち、ＲＧＢ単色の色度をそれぞれ、Ｒ：（ｘ
r ，ｙ r ）、Ｇ：（ｘg ，ｙg ）、Ｂ：（ｘb ，ｙb ）
とし、ホワイト輝度バランスをＹr ：Ｙg ：Ｙb （ただ
し、Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ＝１）とすると、ホワイトの色度
（ｘw ，ｙw ）は、 ｘw ＝ｘw ´／（ｘw ´＋１＋ｚw ´） ｙw ＝１／（ｘw ´＋１＋ｚw ´） ただし、 ｘw ´＝ｘr ×Ｙr ／ｙr ＋ｘg ×Ｙg ／ｙg ＋ｘb ×
Ｙb ／ｙb ｚw ´＝（１−ｘr −ｙr ）×Ｙr ／ｙr ＋（１−ｘg
−ｙg ）×Ｙg ／ｙg＋（１−ｘb −ｙb ）×Ｙb ／ｙb で計算することができる。
度と、ホワイト輝度バランスとが与えられて決定され
る。すなわち、ＲＧＢ単色の色度をそれぞれ、Ｒ：（ｘ
r ，ｙ r ）、Ｇ：（ｘg ，ｙg ）、Ｂ：（ｘb ，ｙb ）
とし、ホワイト輝度バランスをＹr ：Ｙg ：Ｙb （ただ
し、Ｙr ＋Ｙg ＋Ｙb ＝１）とすると、ホワイトの色度
（ｘw ，ｙw ）は、 ｘw ＝ｘw ´／（ｘw ´＋１＋ｚw ´） ｙw ＝１／（ｘw ´＋１＋ｚw ´） ただし、 ｘw ´＝ｘr ×Ｙr ／ｙr ＋ｘg ×Ｙg ／ｙg ＋ｘb ×
Ｙb ／ｙb ｚw ´＝（１−ｘr −ｙr ）×Ｙr ／ｙr ＋（１−ｘg
−ｙg ）×Ｙg ／ｙg＋（１−ｘb −ｙb ）×Ｙb ／ｙb で計算することができる。
【００３２】視野角が変わったときには、単色の色度
（ｘr ，ｙr ）、（ｘg ，ｙg ）、（ｘb ，ｙb ）が短
波長側に変化するとともに、輝度も変動して、ホワイト
輝度バランスＹr ：Ｙg ：Ｙb が変化し、上式に従って
ホワイトの色度がずれる。
（ｘr ，ｙr ）、（ｘg ，ｙg ）、（ｘb ，ｙb ）が短
波長側に変化するとともに、輝度も変動して、ホワイト
輝度バランスＹr ：Ｙg ：Ｙb が変化し、上式に従って
ホワイトの色度がずれる。
【００３３】そこで、内部発光スペクトルのピーク波長
と多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とのシフト
量を変えることで、視野角があるときの輝度変動量を変
化させて、ホワイト輝度バランスの変化量を調整するこ
とにより、ホワイトの色ずれを改善することができる。
と多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とのシフト
量を変えることで、視野角があるときの輝度変動量を変
化させて、ホワイト輝度バランスの変化量を調整するこ
とにより、ホワイトの色ずれを改善することができる。
【００３４】その改善結果の一例を示す。すなわち、図
４に示すような内部発光スペクトル及び取り出される光
のスペクトルの場合、赤（Ｒ）の多重干渉フィルタスペ
クトルのピーク波長を＋１０ｎｍ、緑（Ｇ）の多重干渉
フィルタスペクトルのピーク波長を＋４ｎｍ、青（Ｂ）
の多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長を−１０ｎ
ｍずらすことにより、図５に示すように、ホワイトの色
ずれを３０°でΔｕｖ＝０．００２、６０°でΔｕｖ＝
０．００４３と、図１１に示す従来例に比べて大幅に減
少させることができた。
４に示すような内部発光スペクトル及び取り出される光
のスペクトルの場合、赤（Ｒ）の多重干渉フィルタスペ
クトルのピーク波長を＋１０ｎｍ、緑（Ｇ）の多重干渉
フィルタスペクトルのピーク波長を＋４ｎｍ、青（Ｂ）
の多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長を−１０ｎ
ｍずらすことにより、図５に示すように、ホワイトの色
ずれを３０°でΔｕｖ＝０．００２、６０°でΔｕｖ＝
０．００４３と、図１１に示す従来例に比べて大幅に減
少させることができた。
【００３５】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長を内部発
光スペクトルのピーク波長とずらしていることにより、
輝度変動量のＲＧＢバランスを調整することができ、そ
れによってホワイトの視野角依存性を大幅に減少させる
ことができる。また、多重干渉フィルタピーク波長をＲ
で長波長側、Ｂで短波長側にずらすことにより、両色の
色度をより深い色にすることができる。
ば、多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長を内部発
光スペクトルのピーク波長とずらしていることにより、
輝度変動量のＲＧＢバランスを調整することができ、そ
れによってホワイトの視野角依存性を大幅に減少させる
ことができる。また、多重干渉フィルタピーク波長をＲ
で長波長側、Ｂで短波長側にずらすことにより、両色の
色度をより深い色にすることができる。
【００３６】図６はこの発明の第２の実施形態による有
機ＥＬ素子を示す。この図６に示す有機ＥＬ素子は、図
１に示す第１の実施形態による有機ＥＬ素子において、
半透明反射層１４と第２電極１５と、第２電極１５の上
端界面（例えば、大気層との界面）とで共振器構造を構
成したものである。第２電極１５の端面と大気層との界
面での反射率は１０％程度と大きく、ここでは、透明材
料からなる第２電極１５を共振部とした共振器の効果を
利用する。
機ＥＬ素子を示す。この図６に示す有機ＥＬ素子は、図
１に示す第１の実施形態による有機ＥＬ素子において、
半透明反射層１４と第２電極１５と、第２電極１５の上
端界面（例えば、大気層との界面）とで共振器構造を構
成したものである。第２電極１５の端面と大気層との界
面での反射率は１０％程度と大きく、ここでは、透明材
料からなる第２電極１５を共振部とした共振器の効果を
利用する。
【００３７】このため、大気層と半透明反射層１４との
間の距離、すなわち第２電極１５からなる共振部の光学
的距離がＬ（ここでは、第１の実施形態と区別してＬ2
とする）となる。
間の距離、すなわち第２電極１５からなる共振部の光学
的距離がＬ（ここでは、第１の実施形態と区別してＬ2
とする）となる。
【００３８】なお、第２電極１５上に、この第２電極１
５と同等の屈折率を有する透明誘電体からなるパッシベ
ーション膜が設けられている場合には、このパッシベー
ション膜と第２電極１５とが共振部となる。
５と同等の屈折率を有する透明誘電体からなるパッシベ
ーション膜が設けられている場合には、このパッシベー
ション膜と第２電極１５とが共振部となる。
【００３９】その他のことは第１の実施形態と同様であ
るので、説明を省略する。この第２の実施形態によって
も、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
るので、説明を省略する。この第２の実施形態によって
も、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【００４０】図７はこの発明の第３の実施形態による有
機ＥＬ素子を示す。この図７に示す有機ＥＬ素子は、第
１電極１２を光反射材料からなるカソード電極とし、第
２電極１５を透明電極からなるアノード電極とし、第１
電極１２側から順次有機発光層１３ｃ、正孔輸送層１３
ｂ及びバッファ層１３ｃを積層したものである。この場
合、有機層１３と第２電極１５とを合わせて一つの共振
部とし、有機発光層１３ｃで発生した光を有機層１３の
下端（第１電極１２との境界面）と第２電極１４の上端
（大気層との境界面）とで反射させる。有機層１３と第
２電極１５との光学的距離がＬとなる。
機ＥＬ素子を示す。この図７に示す有機ＥＬ素子は、第
１電極１２を光反射材料からなるカソード電極とし、第
２電極１５を透明電極からなるアノード電極とし、第１
電極１２側から順次有機発光層１３ｃ、正孔輸送層１３
ｂ及びバッファ層１３ｃを積層したものである。この場
合、有機層１３と第２電極１５とを合わせて一つの共振
部とし、有機発光層１３ｃで発生した光を有機層１３の
下端（第１電極１２との境界面）と第２電極１４の上端
（大気層との境界面）とで反射させる。有機層１３と第
２電極１５との光学的距離がＬとなる。
【００４１】なお、第２電極１５上に、この第２電極１
５と同等の屈折率を有する透明誘電体からなるパッシベ
ーション膜が設けられている場合には、このパッシベー
ション膜と第２電極１５とが共振部となる。
５と同等の屈折率を有する透明誘電体からなるパッシベ
ーション膜が設けられている場合には、このパッシベー
ション膜と第２電極１５とが共振部となる。
【００４２】その他のことは第１の実施形態と同様であ
るので、説明を省略する。この第３の実施形態によって
も、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
るので、説明を省略する。この第３の実施形態によって
も、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【００４３】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００４４】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値、構造、形状、材料等はあくまでも例にすぎず、必要
に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料等を
用いてもよい。
値、構造、形状、材料等はあくまでも例にすぎず、必要
に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料等を
用いてもよい。
【００４５】具体的には、上述の第１の実施形態におい
ては、アノード電極を、高仕事関数の金属膜からなる第
１電極１２で構成したが、アノード電極は、誘電体多層
膜やアルミニウム（Ａｌ）等の反射膜の上部に透明導電
膜を重ねた２層構造にしてもよい。この場合、この反射
膜がこの発明における第１電極となる。そして、透明導
電膜は、共振部の一部を構成するものとなる。
ては、アノード電極を、高仕事関数の金属膜からなる第
１電極１２で構成したが、アノード電極は、誘電体多層
膜やアルミニウム（Ａｌ）等の反射膜の上部に透明導電
膜を重ねた２層構造にしてもよい。この場合、この反射
膜がこの発明における第１電極となる。そして、透明導
電膜は、共振部の一部を構成するものとなる。
【００４６】また、上述の第３の実施形態において、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｃｒ等の高仕事関数を有する材料からなる半
透明反射層（図示せず）を、有機層１３と第２電極１５
との間に設けてもよい。この場合は、共振部の構造は、
第１の実施形態及び第２の実施形態と同様になる。
ｔ、Ａｕ、Ｃｒ等の高仕事関数を有する材料からなる半
透明反射層（図示せず）を、有機層１３と第２電極１５
との間に設けてもよい。この場合は、共振部の構造は、
第１の実施形態及び第２の実施形態と同様になる。
【００４７】さらに、上述の第１〜第３の実施形態にお
いては、この発明を上面発光型の有機ＥＬ素子に適用し
た場合について説明したが、この発明は、透明な基板１
１を用いた透過型の有機ＥＬ素子に適用することも可能
である。また、基板１１上の薄膜トランジスタに接続さ
れた有機ＥＬ素子にも適用することが可能である。
いては、この発明を上面発光型の有機ＥＬ素子に適用し
た場合について説明したが、この発明は、透明な基板１
１を用いた透過型の有機ＥＬ素子に適用することも可能
である。また、基板１１上の薄膜トランジスタに接続さ
れた有機ＥＬ素子にも適用することが可能である。
【００４８】また、必要に応じて、上記の各実施形態を
組み合わせて有機ＥＬ素子を構成することも可能であ
る。例えば、第２の実施形態を第１の実施形態と組み合
わせて有機ＥＬ素子を構成してもよい。また、第２の実
施形態で説明した共振部の構成は、有機層１３からなる
共振部にも適用可能である。しかし、第２の実施形態で
説明した共振部は、その膜厚が比較的厚くなることを考
慮すると、膜厚が厚くなる方向への自由度が比較的高い
第２電極１５を共振部とする構成に好適である。また、
第１の実施形態で説明した共振部の構造は、第２電極１
５（及びその上部のパッシベーション膜）からなる共振
部にも適用可能である。
組み合わせて有機ＥＬ素子を構成することも可能であ
る。例えば、第２の実施形態を第１の実施形態と組み合
わせて有機ＥＬ素子を構成してもよい。また、第２の実
施形態で説明した共振部の構成は、有機層１３からなる
共振部にも適用可能である。しかし、第２の実施形態で
説明した共振部は、その膜厚が比較的厚くなることを考
慮すると、膜厚が厚くなる方向への自由度が比較的高い
第２電極１５を共振部とする構成に好適である。また、
第１の実施形態で説明した共振部の構造は、第２電極１
５（及びその上部のパッシベーション膜）からなる共振
部にも適用可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部
による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互
いにずらしていることにより、このピーク波長のずれ量
により、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢ
バランスを調整することができ、それによってホワイト
の視野角依存性を減少させることができる。
ば、発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と共振部
による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長とを互
いにずらしていることにより、このピーク波長のずれ量
により、視野角依存性があるときの輝度変動量のＲＧＢ
バランスを調整することができ、それによってホワイト
の視野角依存性を減少させることができる。
【図１】図１はこの発明の第１の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子を示す要部断面図である。
Ｌ素子を示す要部断面図である。
【図２】図２はこの発明の第１の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子との比較例の有機ＥＬ素子（Ｇ発光）の視野角依
存性を示す略線図である。
Ｌ素子との比較例の有機ＥＬ素子（Ｇ発光）の視野角依
存性を示す略線図である。
【図３】図３はこの発明の第１の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子の視野角依存性を示す略線図である。
Ｌ素子の視野角依存性を示す略線図である。
【図４】図４はこの発明の第１の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子における内部発光スペクトル及び取り出される光
のスペクトルを示す略線図である。
Ｌ素子における内部発光スペクトル及び取り出される光
のスペクトルを示す略線図である。
【図５】図５はこの発明の第１の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子のＵＶ色度図を示す略線図である。
Ｌ素子のＵＶ色度図を示す略線図である。
【図６】図６はこの発明の第２の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子を示す要部断面図である。
Ｌ素子を示す要部断面図である。
【図７】図７はこの発明の第３の実施形態による有機Ｅ
Ｌ素子を示す要部断面図である。
Ｌ素子を示す要部断面図である。
【図８】図８は従来の有機ＥＬ素子の構成を示す要部断
面図である。
面図である。
【図９】図９は従来の有機ＥＬ素子から取り出された各
色のスペクトルを示す略線図である。
色のスペクトルを示す略線図である。
【図１０】図１０は従来の有機ＥＬ素子のＵＶ色度図を
示す略線図である。
示す略線図である。
【図１１】図１１は従来の有機ＥＬ素子における多重干
渉フィルタスペクトルを示す略線図である。
渉フィルタスペクトルを示す略線図である。
【図１２】図１２は従来の有機ＥＬ素子における内部発
光スペクトルを示す略線図である。
光スペクトルを示す略線図である。
１２・・・第１電極、１３・・・有機層、１３ｃ・・・
有機発光層、１４・・・半透明反射層、１５・・・第２
電極
有機発光層、１４・・・半透明反射層、１５・・・第２
電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年５月７日（２００２．５．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (6)
- 【請求項１】 第１電極と第２電極との間に発光層が挟
持されるとともに、上記第１電極及び上記第２電極のう
ちの光が取り出される方のもの及び上記発光層の少なく
とも一方が当該発光層で発光した光を共振させる共振器
構造の共振部となるように構成された表示素子におい
て、 上記発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と上記共
振部による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長と
を互いにずらしたことを特徴とする表示素子。 - 【請求項２】 上記発光層の内部発光スペクトルのピー
ク波長と上記共振部による多重干渉フィルタスペクトル
のピーク波長とを互いにずらすことにより、視野角が６
０°のときのホワイトの色ずれΔｕｖを０．０１５以下
とすることを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項３】 光反射材料からなる第１電極と透明材料
からなる第２電極との間に発光層が挟持されるととも
に、上記第２電極及び上記発光層の少なくとも一方が当
該発光層で発光した光を共振させる共振器構造の共振部
となるように構成された表示素子において、 上記発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と上記共
振部による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長と
を互いにずらしたことを特徴とする表示素子。 - 【請求項４】 上記発光層の内部発光スペクトルのピー
ク波長と上記共振部による多重干渉フィルタスペクトル
のピーク波長とを互いにずらすことにより、視野角が６
０°のときのホワイトの色ずれΔｕｖを０．０１５以下
とすることを特徴とする請求項３記載の表示素子。 - 【請求項５】 基板上に光反射材料からなる第１電極、
発光層及び透明材料からなる第２電極が順次積層される
とともに、上記第２電極及び上記発光層の少なくとも一
方が当該発光層で発光した光を共振させる共振器構造の
共振部となるように構成された表示素子において、 上記発光層の内部発光スペクトルのピーク波長と上記共
振部による多重干渉フィルタスペクトルのピーク波長と
を互いにずらしたことを特徴とする表示素子。 - 【請求項６】 上記発光層の内部発光スペクトルのピー
ク波長と上記共振部による多重干渉フィルタスペクトル
のピーク波長とを互いにずらすことにより、視野角が６
０°のときのホワイトの色ずれΔｕｖを０．０１５以下
とすることを特徴とする請求項５記載の表示素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170128A JP3508741B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 表示素子 |
| US10/159,343 US6831409B2 (en) | 2001-06-05 | 2002-05-31 | Display device with minimal color deviation for various view angles |
| SG200203292A SG104335A1 (en) | 2001-06-05 | 2002-06-03 | Display device |
| KR1020020031254A KR100872729B1 (ko) | 2001-06-05 | 2002-06-04 | 디스플레이 소자 |
| CNB021224080A CN1332586C (zh) | 2001-06-05 | 2002-06-05 | 显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170128A JP3508741B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367770A true JP2002367770A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3508741B2 JP3508741B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=19012101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001170128A Expired - Fee Related JP3508741B2 (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 表示素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831409B2 (ja) |
| JP (1) | JP3508741B2 (ja) |
| KR (1) | KR100872729B1 (ja) |
| CN (1) | CN1332586C (ja) |
| SG (1) | SG104335A1 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005031251A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Hitachi Ltd | 発光型表示装置 |
| JP2005116516A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2005353589A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2007012370A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | 有機発光素子および有機発光装置 |
| JP2007052971A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その設計方法および電子機器 |
| JP2007103039A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kyocera Corp | 電界発光装置 |
| JP2007115679A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Kyocera Corp | Ｅｌ装置 |
| JP2007520862A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-26 | イーストマン コダック カンパニー | 緑色発光マイクロキャビティｏｌｅｄ |
| JP2007265638A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2007316611A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Canon Inc | 多色表示装置 |
| JP2007335347A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置、画像形成装置、表示装置および電子機器 |
| WO2008149617A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置 |
| US7554265B2 (en) | 2004-06-25 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2009170127A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| US7622865B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-11-24 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, image forming apparatus, display device, and electronic apparatus |
| WO2010058787A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
| WO2010143232A1 (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| WO2010143231A1 (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| JP2010287524A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Sony Corp | 表示素子および表示装置 |
| US7973319B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-07-05 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same |
| JP2011134726A (ja) * | 2005-09-26 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | Ｅｌ装置 |
| US8188500B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting element and light-emitting device using the same |
| JP2013214365A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置用の色変化補正フィルタ |
| KR101451099B1 (ko) | 2011-08-12 | 2014-10-15 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로루미네슨스 소자, 및 이 소자를 각각 사용한 발광장치, 화상형성장치, 발광소자 어레이, 표시장치 및 촬상장치 |
| KR101496789B1 (ko) | 2011-08-12 | 2015-02-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기ｅｌ소자, 및 이 유기ｅｌ소자를 사용한 발광장치, 화상형성장치, 표시장치 및 촬상장치 |
| US9530828B2 (en) | 2013-06-12 | 2016-12-27 | Joled Inc. | Organic EL display unit |
| JP2024083574A (ja) * | 2018-05-18 | 2024-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1403939B1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-03-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting device, display and lighting unit |
| JP3879651B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2007-02-14 | ソニー株式会社 | 積層配線基板、タッチパネル及びこれらの製造方法 |
| JP4350996B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 |
| US20040140757A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED devices |
| US7030554B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
| US7180238B2 (en) * | 2004-04-08 | 2007-02-20 | Eastman Kodak Company | Oled microcavity subpixels and color filter elements |
| US7208863B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-04-24 | Eastman Kodak Company | Light emitting devices with patterned angular color dependency |
| KR20070042153A (ko) * | 2004-07-22 | 2007-04-20 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 컬러 발광 장치 |
| JP4384107B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子アレイ |
| JP4693593B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2011-06-01 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| US7309956B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-12-18 | Eastman Kodak Company | Top-emitting OLED device with improved-off axis viewing performance |
| US7960908B2 (en) * | 2005-07-15 | 2011-06-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Organic EL display |
| FR2893215A1 (fr) * | 2005-11-04 | 2007-05-11 | Thomson Licensing Sa | Diode organique electroluminescente a cavite optique de resonnance et a extracteur servant de filtre spatial de lumiere |
| JP2008059791A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子アレイ |
| US7728512B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-06-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having an external microcavity |
| JP2008310974A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2009032553A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009175198A (ja) | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sony Corp | Ｅｌ表示パネル及び電子機器 |
| JP2009231274A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Canon Inc | 有機発光素子及び表示装置 |
| JP2009289592A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Canon Inc | 表示装置 |
| CN104851985B (zh) * | 2009-06-11 | 2017-05-17 | 日本先锋公司 | 发光元件和显示装置 |
| JP5407908B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
| JP5407907B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、照明装置および表示装置 |
| JP5407909B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、照明装置および表示装置 |
| JP5407910B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-05 | ソニー株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置 |
| JP2012195226A (ja) | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Sony Corp | 発光素子、照明装置および表示装置 |
| JP2012204256A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 発光素子、照明装置および表示装置 |
| US8847216B2 (en) * | 2011-12-23 | 2014-09-30 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| TWI501439B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-09-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 影像顯示系統 |
| KR20140043551A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자, 이를 포함하는 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시패널의 제조방법 |
| US8933478B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-01-13 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
| JP2015026560A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| KR102156345B1 (ko) * | 2014-05-14 | 2020-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN109417082B (zh) * | 2016-03-18 | 2023-08-01 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件以及包括半导体器件的显示装置 |
| US10026863B2 (en) * | 2016-07-13 | 2018-07-17 | Dpix, Llc | Method of manufacturing a sensor array |
| CN111180607B (zh) * | 2018-11-12 | 2024-07-19 | 天马日本株式会社 | 显示装置 |
| KR102781848B1 (ko) * | 2019-02-25 | 2025-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283271A (ja) | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Ricoh Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP3276745B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2002-04-22 | 株式会社日立製作所 | 可変波長発光素子とその制御方法 |
| JP2846571B2 (ja) | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5478658A (en) | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
| JP3420399B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2003-06-23 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
| JP3528470B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2004-05-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 微小光共振器型有機電界発光素子 |
| US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| US5949187A (en) * | 1997-07-29 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device with plural microcavities |
| JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH11288786A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振型有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6091197A (en) * | 1998-06-12 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode |
| GB2351840A (en) * | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
| EP2154737A3 (en) | 1999-11-22 | 2012-06-20 | Sony Corporation | Display device |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001170128A patent/JP3508741B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-31 US US10/159,343 patent/US6831409B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-03 SG SG200203292A patent/SG104335A1/en unknown
- 2002-06-04 KR KR1020020031254A patent/KR100872729B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-05 CN CNB021224080A patent/CN1332586C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101060074B1 (ko) | 2003-07-09 | 2011-08-29 | 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈 | 발광형 표시 장치 |
| JP2005031251A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Hitachi Ltd | 発光型表示装置 |
| US10916593B2 (en) | 2003-09-19 | 2021-02-09 | Sony Corporation | Display unit |
| JP2005116516A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US7973319B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-07-05 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same |
| US9123666B2 (en) | 2003-09-19 | 2015-09-01 | Sony Corporation | Display unit |
| US9373672B2 (en) | 2003-09-19 | 2016-06-21 | Sony Corporation | Display unit |
| US9627453B2 (en) | 2003-09-19 | 2017-04-18 | Sony Corporation | Display unit |
| US9911792B2 (en) | 2003-09-19 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Display unit |
| US10347697B2 (en) | 2003-09-19 | 2019-07-09 | Sony Corporation | Display unit |
| JP2007520862A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-26 | イーストマン コダック カンパニー | 緑色発光マイクロキャビティｏｌｅｄ |
| US7629739B2 (en) | 2004-06-09 | 2009-12-08 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device and method of preparing the same |
| JP2005353589A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US7554265B2 (en) | 2004-06-25 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2007012370A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | 有機発光素子および有機発光装置 |
| JP2007052971A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その設計方法および電子機器 |
| JP2011134726A (ja) * | 2005-09-26 | 2011-07-07 | Kyocera Corp | Ｅｌ装置 |
| JP2007115679A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Kyocera Corp | Ｅｌ装置 |
| JP2007103039A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kyocera Corp | 電界発光装置 |
| JP2007265638A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2007316611A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Canon Inc | 多色表示装置 |
| JP2007335347A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置、画像形成装置、表示装置および電子機器 |
| US7622865B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-11-24 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, image forming apparatus, display device, and electronic apparatus |
| US7994704B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-08-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device, image forming apparatus, display device, and electronic apparatus |
| WO2008149617A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置 |
| JP2009170127A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| WO2010058787A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US8188500B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting element and light-emitting device using the same |
| US8513874B2 (en) | 2009-06-11 | 2013-08-20 | Pioneer Corporation | Light emitting element and display apparatus |
| US8541941B2 (en) | 2009-06-11 | 2013-09-24 | Pioneer Corporation | Light emitting element |
| US8339033B2 (en) | 2009-06-11 | 2012-12-25 | Pioneer Corporation | Light emitting element and display device |
| WO2010143231A1 (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| WO2010143232A1 (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| JP4880092B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2012-02-22 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| JP4880093B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2012-02-22 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| US20130045553A1 (en) * | 2009-06-15 | 2013-02-21 | Sony Corporation | Display device, display apparatus and method of adjusting a color shift of white light in same |
| US8350281B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-01-08 | Sony Corporation | Display device, display apparatus and method of adjusting a color shift of white light in same |
| JP2010287524A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Sony Corp | 表示素子および表示装置 |
| KR101451099B1 (ko) | 2011-08-12 | 2014-10-15 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 일렉트로루미네슨스 소자, 및 이 소자를 각각 사용한 발광장치, 화상형성장치, 발광소자 어레이, 표시장치 및 촬상장치 |
| KR101496789B1 (ko) | 2011-08-12 | 2015-02-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기ｅｌ소자, 및 이 유기ｅｌ소자를 사용한 발광장치, 화상형성장치, 표시장치 및 촬상장치 |
| JP2013214365A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置用の色変化補正フィルタ |
| US9530828B2 (en) | 2013-06-12 | 2016-12-27 | Joled Inc. | Organic EL display unit |
| JP2024083574A (ja) * | 2018-05-18 | 2024-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100872729B1 (ko) | 2008-12-08 |
| JP3508741B2 (ja) | 2004-03-22 |
| CN1396791A (zh) | 2003-02-12 |
| KR20020092821A (ko) | 2002-12-12 |
| CN1332586C (zh) | 2007-08-15 |
| US6831409B2 (en) | 2004-12-14 |
| US20030034938A1 (en) | 2003-02-20 |
| SG104335A1 (en) | 2004-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3508741B2 (ja) | 表示素子 | |
| JP4174989B2 (ja) | 表示装置 | |
| US8350281B2 (en) | Display device, display apparatus and method of adjusting a color shift of white light in same | |
| JP5407907B2 (ja) | 発光素子、照明装置および表示装置 | |
| JP4655959B2 (ja) | 表示素子 | |
| US20040056590A1 (en) | Organic electroluminescent device using optical resonance effect | |
| JP4731211B2 (ja) | エレクトロルミネッセンスパネル | |
| KR101528242B1 (ko) | 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치 | |
| CN102461334B (zh) | 发光元件和显示装置 | |
| JP2002373776A (ja) | 表示装置 | |
| KR101344256B1 (ko) | 표시장치 | |
| JP2013051155A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2012038555A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP4548404B2 (ja) | 表示装置 | |
| WO2011013168A1 (ja) | 発光素子及び表示装置 | |
| CN104602380B (zh) | 发光元件和显示装置 | |
| JP6868311B2 (ja) | 発光装置、表示装置および照明装置 | |
| CN104681699B (zh) | 发光元件和显示装置 | |
| JP2011141965A (ja) | 有機ｅｌ素子および表示装置 | |
| CN104619060B (zh) | 发光元件和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031215 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3508741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |