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JP2002280283A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2002280283A
JP2002280283A JP2001075652A JP2001075652A JP2002280283A JP 2002280283 A JP2002280283 A JP 2002280283A JP 2001075652 A JP2001075652 A JP 2001075652A JP 2001075652 A JP2001075652 A JP 2001075652A JP 2002280283 A JP2002280283 A JP 2002280283A
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axis
stages
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浩太郎 堆
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圭司 江本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターン配置を測定する処理と加工処理を並
列処理し、２個の基板ステージ位置の精確な把握を維持
可能とし、配管配線のからまるのを防止する。 【解決手段】 基板２ａ，２ｂにおけるパターン配置を
測定するアライメント系１と、アライメント系１とは別
に設けられ、基板２ａ，２ｂに加工処理する処理系５
と、基板を保持し、ｘｙ平面上を動くことのできる第１
の基板ステージ４ａ及び第２の基板ステージ４ｂと、両
基板ステージ４ａ，４ｂの位置を計測する位置計測手段
４０ｘａ〜４０ｘｄ，４０ｙａ〜４０ｙｃ，４２ｙａ〜
４２ｙｃとを備え、該位置計測手段はｘ軸方向の位置を
計測するための４箇所、及びｙ軸方向の位置を計測する
ための３箇所にあって、ｙ軸方向の位置を計測するため
の１箇所は両基板ステージ４ａ，４ｂに関して逆側に配
置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の基板上
の各チップの位置を高精度に検出して処理する基板処理
装置に関するものである。この装置は、例えばレチクル
のパターン像を投影光学系を介してウエハ上に順次縮小
投影し露光する投影露光装置等に適用して好適なもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】投影露光装置におけるレチクル等の原板
とウエハ等の露光体との位置合わせについては従来より
さまざまな方式が提案されている。その中で代表的なも
のは、オフアキシスグローバルアライメント（以下OAAA
と略記する）とスルーザレンズ（Through The Lens）ダ
イバイダイアライメント（以下TTLAA と略記する）であ
る。
【０００３】OAAAは、１枚のウエハ上の複数のアライメ
ントマークの位置を投影光学系とは別の光学系により検
出し、そのマークを基準とし「所定の間隔」ずつずらす
ことにより各チップを露光する。「所定の間隔」とはウ
エハのアライメントマークを基準としたウエハ上の各チ
ップの相対位置であり、焼き付けるパターンにより予め
定めておく。通常、ウエハのアライメントマークに対す
る第１ショットの相対位置、第１ショット位置に対する
第２ショットの相対位置、第２ショット位置に対する第
３ショットの相対位置、．．．というように順次ステッ
プする相対位置間隔が定められており、そのステップす
る間隔が「所定の間隔」ということになる。OAAAでは、
１枚のウエハに対しアライメントが少ないため、アライ
メント時間が短く、ウエハの露光処理は高速である。し
かしながら、半導体製造のプロセス中において、ウエハ
のアライメントマークと各チップとの間隔や各チップ間
の間隔がサブミクロンのオーダで変化してくることがあ
る。この場合、OAAAではその誤差を補正することができ
ない。一方、TTLAA は各ショット毎に投影光学系を使用
してレチクルとウエハのアライメントを行う。TTLAA に
よれば、前記OAAAの欠点を補うことが可能となる。しか
しながら各ショット毎にアライメントを行うことによ
り、アライメント時間が多くかかり、露光装置としての
スループットが悪化する。
【０００４】以上のようなアライメント方式に関わる問
題を解決する従来の方式として、例えばUSP 5,715,064
に開示されるような基板処理装置がある。図７を使っ
て、この基板処理装置を説明する。１１１は露光処理
部、１２１はアライメント等を含む基板計測部である。
基板計測部１２１において、１０１はオフアキシスなア
ライメント光学系、１０２ａはウエハ、１０３ａはウエ
ハを搭載し、真空吸着により保持するところのウエハチ
ャックである。露光処理部１１１において、１０５はレ
チクル１０６の像をウエハ１０２ｂへ投影する投影露光
系、１０７はTTL アライメント光学系、１０８は照明光
学系である。１０９は中央処理装置である。１１０は真
空吸引用のホースである。基板計測部１２１において
は、ウエハチャック１０３ａに対するウエハ１０２ａの
各ショット相対位置であるところの前述の「所定の間
隔」を検出する。次に計測したウエハを載せた状態で露
光処理部１１１に移動する。基板処理装置は２個以上の
同一なるステージ１０４ａ，１０４ｂを有し、これらの
ステージはそれぞれチャック１０３ａ，１０３ｂを搭載
し、基板計測部１２１および露光処理部１１１を行き来
する。従来例はその計測手段を開示しており、具体的に
は、図７のように基板計測部１２１および露光処理部１
１１の並び方向に２個の干渉計１４０ａ，１４０ｂを配
置する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例において、以下の問題が生じる。 （１）複数のステージが、基板計測部、露光処理部を交
互に回りながら、ウエハ供給、計測、露光、回収の１連
の流れを行う。しかし、上述した並び方向と直交方向
（紙面垂直方向）に複数ステージが並んだとき、干渉計
２個だけでは、必ずレーザビームが途切れてしまう。そ
の結果、ステージの交差時にステージの位置計測が困難
となってしまう。 （２）複数のステージは、ウエハを真空吸着するために
ホース配管や各センサの配線１１０を有している。そし
て、ステージが配管・配線類を引きずったまま基板計測
部および露光処理部をぐるぐる回ることは、配線・配管
等をからませることになる。
【０００６】本発明の目的は、パターン配置を測定する
処理と、基板の加工処理とをする基板処理装置におい
て、２個の基板ステージ位置の精確な把握を維持するこ
とができ、または、配管配線もからまることのない高速
高精度な基板処理装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決するために、基板におけるパターン配置を測定する
アライメント系と、前記アライメント系とは別に設けら
れ、基板の加工処理をする処理系と、前記アライメント
系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アライメント系の光軸
をｚ軸、これらの両軸と直交する方向をｘ軸としたとき
に、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を動くことのできる
第１の基板ステージと、基板を保持し、前記ｘｙ平面上
を動くことのできる第２の基板ステージと、前記第１お
よび第２の両基板ステージの位置を計測する位置計測シ
ステムとを備えており、前記位置計測システムはｘ軸方
向の位置を計測するための少なくとも３箇所、およびｙ
軸方向の位置を計測するための少なくとも３箇所にあっ
て、ｙ軸方向の位置を計測するための少なくとも１箇所
は前記両基板ステージに関して逆側に配置されることを
特徴としている。
【０００８】また、本発明は、基板におけるパターン配
置を測定するアライメント系と、前記アライメント系と
は別に設けられ、基板の加工処理をする処理系と、前記
アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アライメ
ント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交する方向をｘ
軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を動く
ことのできる第１の基板ステージと、基板を保持し、前
記ｘｙ平面上を動くことのできる第２の基板ステージ
と、前記第１および第２の両基板ステージのｘ方向位置
およびｙ方向位置を計測する複数のビームを有する位置
計測システムとを備えており、前記両基板ステージのい
ずれにおいても、アライメント系から処理系に移動する
際、上記位置計測システムの複数のビームが切れないよ
うにビームの受け渡しをすることを特徴としてもよい。
【０００９】また、前記両基板ステージのどちらか一方
に保持された基板に対する前記アライメント系における
位置計測動作と、前記両基板ステージの他方に保持され
た別の基板に対する前記処理系における加工処理動作と
を並行して行うことが望ましく、前記両基板ステージが
ｘ方向に並ぶ時において、その並びが常に同一であるこ
とが望ましく、前記両基板ステージが、アライメント系
および処理系にそれぞれ移動する時において、ｚ軸に対
して時計回りと、反時計回りとを交互に繰り返すことが
好ましい。
【００１０】また、ｘ軸方向の位置を計測する前記位置
計測システムは、前記両基板ステージの両側のそれぞれ
複数箇所に配置されてもよく、前記両基板ステージに関
して両側の複数箇所に配置されてもよい。ｘ軸方向の位
置を計測する前記位置計測システムが前記両基板ステー
ジに関して両側の複数箇所に配置され、前記ビームが反
射する複数の反射面のうちｘ軸方向の位置を計測する前
記位置計測システムに面する反射面はｙ軸方向に沿って
張り出した部分を有する長尺反射面として設定されてい
ること、または前記ビームが反射する複数の反射面のう
ちの一部はｙ軸方向に沿って張り出した部分を有する長
尺反射面として設定され、該長尺反射面に面した片側に
のみ前記位置計測システムを配置することが好ましい。
【００１１】また、本発明に係る基板処理装置は、基板
のパターン配置を測定するアライメント系と、前記アラ
イメント系とは別に設けられ、基板の加工処理をする処
理系と、前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ
軸、アライメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交
する方向をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ
平面上を動くことのできる第１の基板ステージと、基板
を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２の基
板ステージと、前記第１および第２の両基板ステージの
位置を計測する位置計測システムとを備え、前記第１お
よび第２の基板ステージがアライメント領域と処理領域
との間を移動する場合に、両基板ステージがｘ方向に並
ぶ時において、その並びが同一であることを特徴として
もよい。
【００１２】また、本発明に係る基板処理装置は、基板
のパターン配置を測定するアライメント系と、前記アラ
イメント系とは別に設けられ、基板の加工処理をする処
理系と、前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ
軸、アライメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交
する方向をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ
平面上を動くことのできる第１の基板ステージと、基板
を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２の基
板ステージと、前記第１および第２の両基板ステージの
位置を計測する位置計測システムとを備え、前記第１お
よび第２の基板ステージがアライメント領域と処理領域
との間を移動する場合に、ｚ軸方向に対して時計回りと
反時計回りとを交互に繰り返すことを特徴としてもよ
い。
【００１３】また、前記両基板ステージを駆動する二次
元駆動手段は平面モータであってもよく、基板を吸着す
るための吸着力供給源は前記両基板ステージの互いに点
対称な位置に接続されていることが好ましい。
【００１４】本発明によれば、常に選択的なビームの照
射によって、２個の基板ステージ位置の精確な把握を維
持することができ、かつ配管配線もからまることはなく
なり、高速高精度なアライメントおよび加工の並列処理
が可能となる。また、本発明は上記いずれかの基板処理
装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に適
用することができる。また、本発明は、上記いずれかの
基板処理装置としての露光装置を含む各種プロセス用の
製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造
装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイス
を製造する工程とを有する半導体デバイス製造方法にも
適用可能である。この場合、前記製造装置群をローカル
エリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエ
リアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネット
ワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関
する情報をデータ通信する工程とをさらに有することが
望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供
するデータベースに前記外部ネットワークを介してアク
セスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報を
得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造
工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信
して生産管理を行うことが好ましい。
【００１５】また、本発明は、上記いずれかの基板処理
装置としての露光装置を含む各種プロセス用の製造装置
群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワ
ークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外
部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有
し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信することを可能にした半導体製造工場に適用し
てもよい。
【００１６】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた上記いずれかに記載の基板処理装置としての露光装
置の保守方法であって、前記露光装置のベンダもしくは
ユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続さ
れた保守データベースを提供する工程と、前記半導体製
造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守デ
ータベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守デ
ータベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワー
クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
露光装置の保守方法に適用してもよい。
【００１７】また、本発明は、上記いずれかの基板処理
装置としての露光装置において、ディスプレイと、ネッ
トワークインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェ
アを実行するコンピュータとをさらに有し、露光装置の
保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通
信することを可能にした露光装置に適用してもよい。こ
の場合、前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光
装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前
記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する保守デー
タベースにアクセスするためのユーザインタフェースを
前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを
介して該データベースから情報を得ることを可能にする
ことが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞図１に本発明
の第１の実施形態に係る基板処理装置を示す。本実施形
態において、基板はウエハであり、加工処理は所定のパ
ターンを転写することである。１は、オフアキシスなア
ライメント光学系である。アライメント光学系１は、ウ
エハ上に新たなパターンを精度よく重ね合わせ転写する
ため、過去にウエハ上に転写されたパターンの位置を計
測する。５はパターン転写するところの投影光学系であ
る。なお、図に示される通り、アライメント系と投影光
学系を結ぶ軸をｙ、平面内において、それと直交する軸
をｘ、さらにｘ、ｙと直交する軸をｚとする。
【００１９】（ステージの構成の説明）２ａ，２ｂはウ
エハ、４ａ，４ｂはほぼ同一なる２個のウエハステージ
である。ウエハステージ２ａ、２ｂは、ウエハ２ａおよ
び２ｂそれぞれをチャック機構を介して吸着保持しなが
らＸＹ平面内を移動することができる。また、ウエハス
テージ２ａ、２ｂは、互いにアライメント光学系１と投
影光学系５の領域をそれぞれ行き来できる。１０ａ，１
０ｂは、ウエハを吸着する機構が真空チャックである場
合はホース、静電チャックの場合は電線、さらには照度
むら測定器の配線なども含んだ一般的な配線・配管類と
する。
【００２０】図１に示すステージ装置の構成において
は、ウエハステージ４ａ，４ｂをｘｙ平面内にて駆動す
る二次元駆動機構５０ａ，５０ｂは、多関節ロボットで
ある。図１において、二次元駆動機構の物理的制約か
ら、ウエハステージ４ａと４ｂが同じ回転方向に回り続
けることはできない。したがって、ウエハステージ２
ａ、２ｂへのそれぞれの配線・配管１０ａ、１０ｂが、
からむことはない。
【００２１】なお、本実施形態におけるステージの二次
元駆動機構は、上記の多関節ロボットに限られるもので
はない。例えば、二次元駆動機構が平面モータ５１であ
り、高速高精度なウエハステージの移動が可能である。
すなわち、複数のウエハステージ４ａ、４ｂが、アライ
メント系領域と露光領域との間で移動可能であれば良
い。
【００２２】ただし、図２の二次元駆動機構の構成で
は、ウエハステージ４ａ、４ｂが同じ回転方向に回りつ
づけることができるが、そうすると配線・配管１０ａ、
１０ｂが、からむこととなる。したがって、たとえ二次
元駆動機構の構成が、ウエハステージ４ａ、４ｂを同じ
方向に回り続けることを許容する構成であっても、同じ
方向に回るのは、続けない方が良い。具体的には図１、
および図２に示すように、ウエハステージ４ｂがアライ
メント光学系１の領域に、ウエハステージ４ａが投影光
学系５の領域にある状態（状態１）から、ウエハステー
ジ４ｂは投影光学系５へ、ウエハステージ４ａはアライ
メント光学系１へという状態（状態２）まで、ともに上
方より見て左回り（反時計回り）で移動することにな
る。さらに、その次の状態（状態３は状態１と同じ）で
ある、ウエハステージ４ｂがアライメント光学系１に、
ウエハステージ４ａが投影光学系５までに、ともに右回
り（時計回り）にて移動することになり、それを交互に
繰り返す。
【００２３】以上のことを言い換えると、２個のステー
ジ４ａ，４ｂが入れ替わる過渡期（両ステージがｘ方向
に並ぶ時）において、ステージ４ｂはステージ４ａより
必ずｘのプラス側（右側）にあるといった具合に、ステ
ージのｘ方向の並びが常に同一である。
【００２４】さらに上記のような動きをするために２個
のウエハステージ４ａ，４ｂに接続される配線配管１０
ａ，１０ｂは２個のステージを挟んで点対称配置される
ことが最も望ましい。また、６０は２個のウエハステー
ジに対しウエハを供給、回収するハンドである。
【００２５】（ステージの位置計測の説明）ウエハステ
ージのｘｙ平面における位置は、ウエハステージに固定
された反射ミラーと、干渉計とを用いて計測される。ウ
エハステージ４ａにおいては側面の４面、ウエハステー
ジ４ｂにおいては側面３面に反射ミラーが固定されてい
る。反射ミラーに対して、レーザビームが選択的に照射
される。反射ミラーに照射されたレーザビームの戻り光
と、参照光からの戻り光とを干渉計において干渉させる
ことにより、きわめて精確に計測される。
【００２６】処理系を構成する投影光学系５の領域にあ
るウエハステージ４ａの位置を計測するため、ｘ方向に
おいてｘ干渉計４０ｘａ、ｙ方向においてｙ干渉計４０
ｙａ、さらにはｚ軸回転方向位置も計測するためｙ干渉
計４２ｙａが図中左奥に配置されている。また、アライ
メント光学系１の領域にあるウエハステージ４ｂの位置
を計測するため、ｘ方向においてｘ干渉計４０ｘｂ、ｙ
方向においてｙ干渉計４０ｙｂ、さらにはｚ軸回転方向
位置も計測するためｙ干渉計４２ｙｂが図中右側に配置
されている。
【００２７】ｚ軸回転方向の精度が問題にならなけれ
ば、ｙ干渉計４２ｙａ，４２ｙｂは必ずしも必要ではな
いし、あるいはｘ軸回転およびｙ軸回転も精度よく計測
したい場合は、例えば市販されている測角干渉計もしく
は３軸干渉計をｘ干渉計４０ｘａ、４０ｘｂ，４０ｘ
ｃ，４０ｘｄや、ｙ干渉計４０ｙａ，４０ｙｂ，４０ｙ
ｃと置き換え、配置することになる。
【００２８】図１は、ウエハステージ４ａ上のすでに計
測されたウエハ２ａが投影光学系５において露光処理さ
れており、さらにそれと並行して、ウエハステージ４ｂ
上の新たなウエハ２ｂがアライメント光学系１において
パターンの位置計測さらには平坦度などが計測されてい
る状態を示している。ここで、『アライメント光学系１
の領域にウエハステージがある』とは、アライメント光
学系がウエハ上のパターンの位置を計測できる位置にウ
エハステージがある状態をいう。また、『投影光学系の
領域にウエハステージがある』とは、ウエハステージに
搭載されたウエハに対して露光処理を行える位置にウエ
ハステージがある状態をいう。
【００２９】アライメント光学系１において計測された
ウエハ２ｂが、投影光学系５において、速やかに露光処
理に入るためには、精度よく投影光学系５に移動するこ
とが望ましく、そのためには、レーザ干渉計で常に位置
をモニターできるようにしておくこと、すなわち選択的
に照射しているレーザビームの戻り光が干渉計に戻って
こないといけない。図に示した、ｙ干渉計４０ｙｃやｘ
干渉計４０ｘｃ，４０ｘｄは、ステージ過渡状態におい
て、レーザ干渉計計測値の受け渡しをする役割を果たし
ている。
【００３０】次に複数レーザビームの選択方法を、図３
にて説明する。図３は、２個のウエハステージ４ａと４
ｂ、および計測システムのみの平面配置を示した図であ
る。１はアライメント光学系、５は投影光学系である。
図３（ａ）において、ウエハステージ４ａに搭載された
ウエハ２ａは露光処理されている一方で、ウエハステー
ジ４ｂに搭載されたウエハ２ｂはアライメント光学系１
にてパターンの位置計測がなされている。つまり、図３
（ａ）では、ウエハステージ４ａは投影光学系の領域に
あり、ウエハステージ４ｂはアライメント光学系の領域
にある。図３（ｄ）は、ウエハステージ４ｂは投影光学
系の領域にあり、ウエハステージ４ａは、露光したウエ
ハをハンド６０によって取り出し、露光するウエハをハ
ンド６０によって受けるための受渡し位置にある。な
お、図３（ｄ）において、ウエハステージ４ａがウエハ
の受渡しが終わった後は、ウエハステージ４ａは、アラ
イメント光学系の領域に移動することとなる。なお、図
３（ｂ）（ｃ）は、図３（ａ）の状態から図３（ｄ）の
状態の間におけるステージの過渡状態での位置計測の状
態を示している。
【００３１】図３において、ｘ干渉計４０ｘａ〜４０ｘ
ｃは、両ステージ４ａ，４ｂの紙面右側に設けられてい
る。３つのｘ干渉計４０ｘａ〜４０ｘｃは、ｘ反射ミラ
ー４５ｘｒａの長さよりも短い間隔を置いてｙ軸方向に
配置されている。ｘ干渉計ｘｄは、両ステージ４ａ，４
ｂに関して逆側に設けられており、ｘ干渉計４０ｘｃに
対向配置されている。同様に、ｙ干渉計４０ｙａ、４２
ｙａおよびｙ干渉計４０ｙｃ、４２ｙｃは、ステージ４
ａ，４ｂの紙面上側に設けられている。ｙ干渉計４０ｙ
ａ、４２ｙａとｙ干渉計４０ｙｃ、４２ｙｃとは、ｙ反
射ミラー４５ｙｕａの長さよりも短い間隔を置いてｘ軸
方向に配置されている。ｙ干渉計４０ｙｂ、４２ｙｂ
は、両ステージ４ａ，４ｂに関して逆側に設けられてお
り、ｙ干渉計４０ｙａ，４２ｙａに対向配置されてい
る。ｘ干渉計４０ｘａ〜４０ｘｃは、必ずしも等間隔で
なくてもよい。
【００３２】まず図３（ａ）において、ウエハステージ
４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ反射ミラー４５ｘｒ
ａにほぼ直角に照射され反射されたビームと、固定鏡よ
り反射されたビームをｘ干渉計４０ｘａにて干渉させる
ことにより計測される（以下、図面において、位置計測
に用いられている干渉計は、斜線を施す）。また、ｙ方
向およびｚ軸回転方向（以後θで表す）はｙ反射ミラー
４０ｙｕａにほぼ直角に照射され反射された複数ビーム
４１ｙａ、４３ｙａと、固定鏡より反射されたビームを
複数のｙ干渉計４０ｙａ、４２ｙａにて干渉させること
により計測される。
【００３３】ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ反射ミラー４５ｘｒｂにほぼ直角に照射され反
射されたビームと、固定鏡より反射されたビームをｘ干
渉計４０ｘｂにて干渉させることにより計測される。ま
た、ｙ方向およびθはｙ反射ミラー４０ｙｄｂにほぼ直
角に照射され反射された複数ビーム４１ｙｂ，４３ｙｂ
と、固定鏡より反射されたビームを複数のｙ干渉計４０
ｙｂ，４２ｙｂにて干渉させることにより計測される。
【００３４】次に図３（ｂ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが反時計回りに動く（ウエハステージ４ｂは右
上方に移動し、ウエハステージ４ａは左下方に移動す
る）過程において、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方
向に関して、ｘ干渉計４０ｘｂからｘ干渉計４０ｘｃに
て受け渡され、計測される。また、ｙ方向およびθはｙ
反射ミラー４０ｙｄｂにほぼ直角に照射され反射された
複数ビーム４１ｙｂ，４３ｙｂと、固定鏡より反射され
たビームを複数のｙ干渉計４０ｙｂ，４２ｙｂにて干渉
させることにより計測される。
【００３５】ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ干渉計４０ｘａからｘ干渉計４０ｘｄに受け渡
され、計測される。また、ｙ方向およびθはｙ反射ミラ
ー４５ｙｕａにほぼ直角に照射され反射された複数ビー
ムと、固定鏡より反射されたビームを干渉させる複数の
ｙ干渉計４０ｙｃ，４２ｙｃに受け渡されて、計測され
る。
【００３６】次に図３（ｃ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが左回りに動く（ウエハステージ４ａは下方に
移動し、ウエハステージ４ｂは上方に移動する）過程に
おいて、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関し
て、ｘ干渉計４０ｘｃからｘ干渉計４０ｘａに受け渡さ
れて、計測される。また、ｙ方向およびθはｙ反射ミラ
ー４５ｙｕｂにほぼ直角に照射され反射された複数ビー
ムと、固定鏡より反射されたビームを干渉させる複数の
ｙ干渉計４０ｙａ，４２ｙａに受け渡されて、計測され
る。
【００３７】ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ干渉計４０ｘｄからｘ干渉計４０ｘｂに受け渡
され、計測される。また、ｙ方向およびθはｙ反射ミラ
ー４５ｙｕａにほぼ直角に照射され反射された複数ビー
ムと、固定鏡より反射されたビームを複数のｙ干渉計４
０ｙｃ，４２ｙｃにて、計測される。
【００３８】最後に図３（ｄ）の状態にて、ウエハステ
ージ４ｂは投影光学系にて露光処理され、並行してウエ
ハステージ４ａよりすでに露光処理を終えたウエハ２ａ
は回収ハンド６０により回収され、新たなウエハを供給
された後のウエハステージ４ａはアライメント光学系１
にてパターンの位置計測がなされる。パターン位置計測
されるときは、図示していないが、ウエハステージ４ａ
のｙ方向およびθはｙ反射ミラー４５ｙｄａにほぼ直角
に照射され反射された複数ビームと、固定鏡より反射さ
れたビームを干渉させる複数のｙ干渉計４０ｙｂ，４２
ｙｂに受け渡される。
【００３９】さらに次の処理においては図３にて説明し
た順を逆向きの流れ（図３（ｄ）→（ｃ）→（ｂ）→
（ａ））のように時計回りに移動することになる。つま
り、反時計回りの移動と時計回りの移動を交互に繰り返
す。なお、次の処理において、上記と同様に図３（ａ）
→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の反時計回りの移動を繰り返
さないのは、それぞれのステージの配線・配管をからま
せないためである。
【００４０】以上のような移動方法をとることにより、
常に選択的なレーザビームの照射によって、２個のウエ
ハステージ位置の精確な把握を維持することができ、か
つ配管配線もからまることはなくなる。
【００４１】＜第２の実施形態＞図４に本発明の第２の
実施形態における２個のウエハステージおよび計測シス
テムの平面配置を示す。ウエハステージのｘｙ平面にお
ける位置は、ウエハステージ４ａにおいては側面３面、
ウエハステージ４ｂにおいては側面３面に固定された反
射ミラーにレーザビームを選択的に照射し、その戻り光
と、参照光からの戻り光とを干渉計において干渉させる
ことにより、きわめて精確に計測されている。ｙ方向の
干渉計配置は第１の実施形態と同一であるが、ｘ方向の
干渉計配置は第１の実施形態と異なっており、投影光学
系位置におけるｘ干渉計４４ｘａ，４０ｘａ、アライメ
ント光学系位置におけるｘ干渉計４４ｘｂ，４０ｘｂ、
さらに切り替え時の受け渡し用の干渉計４４ｘｃ，４０
ｘｃと計６セット配置されている。
【００４２】図４において、右側のｘ干渉計４０ｘａ〜
４０ｘｃと左側のｘ干渉計４４ｘａ〜４４ｘｃは、それ
ぞれ対応するものを対向させて配置されている。ｘ干渉
計４０ｘａ〜４０ｘｃとｘ干渉計４４ｘａ〜４４ｘｃ
は、ｘ反射ミラー４５ｘｌａ，４５ｘｒｂの長さよりも
短い間隔でｙ軸方向に等間隔にて配置されている。な
お、これらは必ずしも等間隔でなくてもよい。
【００４３】以下において、図４を参照しながら位置計
測動作および加工処理動作について説明する。この場
合、ｙ方向の計測は第１の実施形態と同じなので説明を
省略する。まず図４（ａ）において、ウエハステージ４
ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ反射ミラー４５ｘｌａ
にほぼ直角に照射され反射されたビームと、固定鏡より
反射されたビームをｘ干渉計４４ｘａにて干渉させるこ
とにより計測される。
【００４４】ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ反射ミラー４５ｘｒｂにほぼ直角に照射され反
射されたビームと、固定鏡より反射されたビームをｘ干
渉計４０ｘｂにて干渉させることにより計測される。
【００４５】次に図４（ｂ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが反時計回りに動く（ウエハステージ４ｂは右
方に移動し、ウエハステージ４ａは左下方に移動する）
過程において、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に
関して、依然ｘ干渉計４０ｘｂにて、計測される。ま
た、ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方向に関して、依
然ｘ干渉計４４ｘａにて、計測される。
【００４６】次に図４（ｃ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが左回りに動く（ウエハステージ４ａは下方に
移動し、ウエハステージ４ｂは上方に移動する）過程に
おいて、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関し
て、ｘ干渉計４０ｘｂからｘ干渉計４０ｘｃに受け渡さ
れて、計測される。ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方
向に関して、ｘ干渉計４４ｘａからｘ干渉計４４ｘｃに
受け渡され、計測される。
【００４７】最後に図４（ｄ）の状態にて、ウエハステ
ージ４ｂの位置は、ｘ方向に関して、ｘ干渉計４０ｘｃ
からｘ干渉計４０ｘａに受け渡されて、計測される。ウ
エハステージ４ｂは投影光学系にて露光処理され、並行
してウエハステージ４ａよりすでに露光処理を終えたウ
エハ２ａは回収ハンド６０により回収され、新たなウエ
ハを供給されウエハステージ４ａはアライメント光学系
１にてパターンの位置計測がなされる。ウエハステージ
４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ干渉計４４ｘｃから
ｘ干渉計４４ｘｂに受け渡され、計測される。パターン
位置計測されるときは、図示していないが、ウエハステ
ージ４ａのｙ方向およびθはｙ反射ミラー４５ｙｄａに
ほぼ直角に照射され反射された複数ビームと、固定鏡よ
り反射されたビームを干渉させる複数のｙ干渉計４０ｙ
ｂ，４２ｙｂに受け渡される。
【００４８】さらに次の処理においては図４にて説明し
た順を逆向きの流れ（図４（ｄ）→（ｃ）→（ｂ）→
（あ））のように時計回りに移動することになる。つま
り、反時計回りの移動と時計回りの移動を交互に繰り返
す。なお、次の処理において、上記と同様に図４（ａ）
→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の反時計回りの移動を繰り返
さないのは、それぞれのステージの配線・配管をからま
せないためである。本実施形態によれば、ステージ４
ａ，４ｂに固定するミラーがいずれも３面ですみ、それ
ぞれのミラーの配置を対照的に設けることができる。こ
れにより、半導体デバイスの安定的な製造を行うことが
できる。
【００４９】＜第３の実施形態＞図５は本発明の第３の
実施形態を示す平面図である。ウエハステージのｘｙ平
面における位置は、ウエハステージ４ａにおいては側面
３面、ウエハステージ４ｂにおいては側面３面に固定さ
れた反射ミラーにレーザビームを選択的に照射し、その
戻り光と、参照光からの戻り光とを干渉計において干渉
させることにより、きわめて精確に計測されている。そ
れぞれのｘ反射ミラー５５ｘｌａ，５５ｘｒｂはｙ軸方
向に沿って両側に張り出した部分を有する長尺である。
【００５０】ｙ方向の干渉計配置は第１の実施形態と同
一であるが、ｘ方向の干渉計配置は、投影光学系位置に
おけるｘ干渉計４４ｘａ，４０ｘａ、アライメント光学
系位置におけるｘ干渉計４４ｘｂ、４０ｘｂがそれぞれ
対向して配置されている。ｘ干渉計４０ｘａと４０ｘ
ｂ、およびｘ干渉計４４ｘａと４４ｘｂは、ｘ反射ミラ
ー５５ｘｌａ，５５ｘｒｂの長さよりも短い間隔でｙ軸
方向に配置されている。
【００５１】第３の実施形態において、ｘ反射ミラーは
長尺なため、投影光学系、アライメント光学系位置にお
けるそれぞれの干渉計が同時に有効な領域が存在する
（図５（ｂ）におけるステージ４ｂ、図５（ｃ）におけ
るステージ４ａ）。以下において、図５を参照しながら
位置計測動作および加工処理動作について説明する。こ
の場合、ｙ軸方向の計測は第１の実施形態と同じなので
説明を省略する。
【００５２】まず図５（ａ）において、ウエハステージ
４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ反射ミラー５５ｘｌ
ａにほぼ直角に照射され反射されたビームと、固定鏡よ
り反射されたビームをｘ干渉計４４ｘａにて干渉させる
ことにより計測される。
【００５３】ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ反射ミラー５５ｘｒｂにほぼ直角に照射され反
射されたビームと、固定鏡より反射されたビームをｘ干
渉計４０ｘｂにて干渉させることにより計測される。
【００５４】次に図５（ｂ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが反時計回りに動く（ウエハステージ４ｂは右
上方に移動し、ウエハステージ４ａは左方に移動する）
過程において、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に
関して、ｘ干渉計４０ｘｂからｘ干渉計４０ｘａに受け
渡されて、計測される。また、ウエハステージ４ａの位
置は、ｘ方向に関して、引き続きｘ干渉計４４ｘａに
て、計測される。
【００５５】次に図５（ｃ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが左回りに動く（ウエハステージ４ａは下方に
移動し、ウエハステージ４ｂは上方に移動する）過程に
おいて、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関し
て、引き続きｘ干渉計４０ｘａにて、計測される。ウエ
ハステージ４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ干渉計４
４ｘａからｘ干渉計４４ｘｂに受け渡され、計測され
る。
【００５６】最後に図４（ｄ）の状態にて、ウエハステ
ージ４ｂの位置は、ｘ方向に関して、引き続きｘ干渉計
４０ｘａで、計測される。ウエハステージ４ｂは投影光
学系にて露光処理され、並行してウエハステージ４ａよ
りすでに露光処理を終えたウエハ２ａは回収ハンド６０
により回収され、新たなウエハを供給された後ウエハス
テージ４ａはアライメント光学系１にてパターンの位置
計測がなされる。ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方向
に関して、引き続きｘ干渉計４４ｘｂにて、計測され
る。パターン位置計測されるときは、ウエハステージ４
ａのｙ方向およびθはｙ反射ミラー４５ｙｄａにほぼ直
角に照射され反射された複数ビームと、固定鏡より反射
されたビームを干渉させる複数のｙ干渉計４０ｙｂ，４
２ｙｂに受け渡される。
【００５７】さらに次の処理においては図５にて説明し
た順を逆向きの流れ（図５（ｄ）→（ｃ）→（ｂ）→
（ａ））のように時計回りに移動することになる。つま
り、反時計回りの移動と時計回りの移動を交互に繰り返
す。なお、次の処理において、上記と同様に図５（ａ）
→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の反時計回りの移動を繰り返
さないのは、それぞれのステージの配線・配管をからま
せないためである。本実施形態によれば、前述の実施形
態と比較してｘ干渉計の数を減らすことができ、ｘ干渉
計が４セットですむ。
【００５８】＜第４の実施形態＞図６に本発明の第４の
実施形態を示す。ウエハステージのｘｙ平面における位
置は、ウエハステージ４ａにおいては側面３面、ウエハ
ステージ４ｂにおいては側面３面に固定された反射ミラ
ーにレーザビームを選択的に照射し、その戻り光と、参
照光からの戻り光とを干渉計において干渉させることに
より、きわめて精確に計測されている。ウエハステージ
４ａのｘ反射ミラー５５ｘｒａは、ウエハステージ４ｂ
のｙ方向長さよりも十分長い。ｙ方向の干渉計配置は第
１の実施形態と同一であるが、ｘ方向の干渉計配置は、
投影光学系位置におけるｘ干渉計４０ｘａ、アライメン
ト光学系位置におけるｘ干渉計４０ｘｂ、および受け渡
しにおける４０ｘｃと計３セット配置されている。第４
の実施形態において、ウエハステージ４ａのｘ反射ミラ
ー５５ｘｒａは両端のｘ干渉計４０ｘａと干渉計４０ｘ
ｃとの間隔よりも大きく寸法設定されて十分長尺であ
る。また、両ｘ干渉計４０ｘａ，４０ｘｃの間隔は反射
ミラー４５ｘｒｂよりも広くとってあるため、２個のス
テージが入れ替わる過渡期（ｘ方向に並ぶ時）において
もウエハステージ４ａのｘ方向を計測するレーザは有効
である（図６（ｂ）におけるステージ４ａ、図６（ｃ）
におけるステージ４ａ）。
【００５９】以下において、図６を参照しながら位置計
測動作および加工処理動作について説明する。この場
合、ｙ方向の計測は第１の実施形態と同じなので説明を
省略する。まず図６（ａ）において、ウエハステージ４
ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ反射ミラー５５ｘｒａ
にほぼ直角に照射され反射されたビームと、固定鏡より
反射されたビームをｘ干渉計４０ｘａにて干渉させるこ
とにより計測される。
【００６０】ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関
して、ｘ反射ミラー４５ｘｒｂにほぼ直角に照射され反
射されたビームと、固定鏡より反射されたビームをｘ干
渉計４０ｘｂにて干渉させることにより計測される。
【００６１】次に図６（ｂ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが反時計回りに動く（ウエハステージ４ｂは右
上方に移動し、ウエハステージ４ａは左下方に移動す
る）過程において、ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方
向に関して、引き続きｘ干渉計４０ｘａにて、計測され
る。また、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関し
て、ｘ干渉計４０ｘｂから干渉計４０ｘｃに受け渡さ
れ、計測される。
【００６２】次に図６（ｃ）のようにそれぞれのウエハ
ステージが左回りに動く（ウエハステージ４ａは下方に
移動し、ウエハステージ４ｂは上方に移動する）過程に
おいて、ウエハステージ４ｂの位置は、ｘ方向に関し
て、依然干渉計４０ｘｃにて、計測される。ウエハステ
ージ４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ干渉計４０ｘａ
からｘ干渉計４０ｘｂに受け渡され、計測される。
【００６３】最後に図６（ｄ）の状態にて、ウエハステ
ージ４ｂの位置は、ｘ方向に関して、ｘ干渉計４０ｘｃ
からｘ干渉計４０ｘａに受け渡されて、計測される。そ
してウエハステージ４ｂは投影光学系にて露光処理さ
れ、並行してウエハステージ４ａよりすでに露光処理を
終えたウエハ２ａは回収ハンド６０により回収され、新
たなウエハを供給された後のウエハステージ４ａはアラ
イメント光学系１にてパターンの位置計測がなされる。
ウエハステージ４ａの位置は、ｘ方向に関して、ｘ反射
ミラー５５ｘｒａにほぼ直角に照射され反射されたビー
ムと、固定鏡より反射されたビームを干渉させるｘ干渉
計４０ｘｂにより計測される。パターン位置計測される
ときは、ウエハステージ４ａのｙ方向およびθはｙ反射
ミラー４５ｙｄａにほぼ直角に照射され反射された複数
ビームと、固定鏡より反射されたビームを干渉させる複
数のｙ干渉計４０ｙｂ，４２ｙｂに受け渡される。
【００６４】さらに次の処理においては図６にて説明し
た順を逆向きの流れ（図６（ｄ）→（ｃ）→（ｂ）→
（ａ））のように時計回りに移動することになる。つま
り、反時計回りの移動と時計回りの移動を交互に繰り返
す。なお、次の処理において、上記と同様に図６（ａ）
→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の反時計回りの移動を繰り返
さないのは、それぞれのステージの配線・配管をからま
せないためである。本実施形態によれば、ｘ干渉計の和
を減らすことができ、ｘ干渉計が３セットですむ。
【００６５】＜半導体生産システムの実施形態＞次に、
本発明に係る基板処理装置としての露光装置を用いた半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。
【００６６】図８は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
【００６７】一方、１１０２〜１１０４は、製造装置の
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜
１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インター
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者
からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【００６８】さて、図９は本実施形態の全体システムを
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０
３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図９
では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実際は
複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内
の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。
【００６９】一方、露光装置メーカ１２１０、レジスト
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
【００７０】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００７１】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００７２】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した基板処理装置とし
ての露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに
焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像し
たレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レ
ジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジ
ストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守シス
テムによって保守がなされているので、トラブルを未然
に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が
可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向
上させることができる。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
常に選択的なビームの照射によって、２個の基板ステー
ジ位置の精確な把握を維持することができ、かつ配管配
線もからまることはなくなり、高速高精度なアライメン
トおよび加工の並列処理が可能となる。結果的に、高
速、高精度な基板処理装置を提供することができる。
【００７４】また、位置計測システムが２個の基板ステ
ージの両側のそれぞれ複数箇所に配置されることによ
り、反射ミラーの必要数を少なくすることができ、ビー
ムが反射する複数の反射面のうちのｘ軸方向の位置を計
測する位置計測システムに面する反射面がｙ軸方向に沿
って張り出した長尺反射面として設定されていることに
より、位置計測システムの必要数を減らすことができ、
長尺反射面に面した片側にのみ位置計測システムを配置
することにより、位置計測システムの必要数をさらに減
らすことができる。
【００７５】なお本発明は以上説明したように投影露光
装置に好適であるが、２箇所を交互に入れ替わる高精度
な２個のステージの位置を保障するものであり、適用は
投影露光装置に限らない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す
斜視図である。
【図２】 本発明の別の実施形態に係る基板処理装置の
斜視図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態に係る複数レーザビ
ームの選択方法を示す平面図である。
【図４】 本発明の第２の実施形態を示す平面図であ
る。
【図５】 本発明の第３の実施形態を示す平面図であ
る。
【図６】 本発明の第４の実施形態を示す平面図であ
る。
【図７】 従来の基板処理装置を示す概略構成図であ
る。
【図８】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
【図１２】 ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１：オフアキシスなアライメント光学系、２ａ，２ｂ：
ウエハ、４ａ ,４ｂ：ウエハステージ、５：投影光学系
（処理系を構成する）、４０ｘａ，４０ｘｂ，４０ｘ
ｃ，４０ｘｄ，４４ｘａ，４４ｘｂ：ｘ干渉計、４０ｙ
ａ，４０ｙｂ，４０ｙｃ，４２ｙａ，４２ｙｂ，４２ｙ
ｃ：ｙ干渉計、４５ｘｌａ，４５ｘｒａ，４５ｘｒｂ，
４５ｙｄａ，４５ｙｄｂ，４５ｙｕａ，４５ｙｕｂ，５
５ｘｌａ，５５ｘｒａ，５５ｘｒｂ…反射ミラー、５０
ａ，５０ｂ：二次元駆動手段、５１：平面モータ、６
０：ハンド、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，１
１０３，１１０４：製造工場、１１０５：インターネッ
ト、１１０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管理
システム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システム、
１１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（Ｌ
ＡＮ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１１：
工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１２０
０：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザの製
造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト処理
装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場のホス
ト管理システム、１２０６：工場のローカルエリアネッ
トワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、１２
１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、
１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レジス
ト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、１２
３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカの事
業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の機
種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブル
の件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４０
６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４１
０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｂ 11/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ａ Ｆターム(参考） 2F065 AA03 BB02 CC00 FF51 GG04 HH04 JJ05 PP12 2F069 AA03 BB40 GG04 GG07 HH09 MM03 MM24 MM34 5F031 CA02 GA24 GA30 GA43 HA01 HA13 HA16 HA53 HA57 HA60 JA02 JA06 JA14 JA17 JA19 JA32 MA27 PA06 5F046 AA17 CC01 CC03 CC05 CC13 DB05 DB10 FC04 FC05

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板におけるパターン配置を測定するア
    ライメント系と、 前記アライメント系とは別に設けられ、基板の加工処理
    をする処理系と、 前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アラ
    イメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交する方向
    をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を
    動くことのできる第１の基板ステージと、 基板を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２
    の基板ステージと、 前記第１および第２の両基板ステージの位置を計測する
    位置計測システムとを備えており、 前記位置計測システムはｘ軸方向の位置を計測するため
    の少なくとも３箇所、およびｙ軸方向の位置を計測する
    ための少なくとも３箇所にあって、ｙ軸方向の位置を計
    測するための少なくとも１箇所は前記両基板ステージに
    関して逆側に配置されることを特徴とする基板処理装
    置。
  2. 【請求項２】 基板におけるパターン配置を測定するア
    ライメント系と、 前記アライメント系とは別に設けられ、基板の加工処理
    をする処理系と、 前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アラ
    イメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交する方向
    をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を
    動くことのできる第１の基板ステージと、 基板を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２
    の基板ステージと、 前記第１および第２の両基板ステージのｘ方向位置およ
    びｙ方向位置を計測する複数のビームを有する位置計測
    システムとを備えており、 前記両基板ステージのいずれにおいても、アライメント
    系から処理系に移動する際、上記位置計測システムの複
    数のビームが切れないようにビームの受け渡しをするこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記両基板ステージのどちらか一方に保
    持された基板に対する前記アライメント系における位置
    計測動作と、前記両基板ステージの他方に保持された別
    の基板に対する前記処理系における加工処理動作とを並
    行して行うことを特徴とする請求項１または２に記載の
    基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記両基板ステージがｘ方向に並ぶ時に
    おいて、その並びが常に同一であることを特徴とする請
    求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 前記両基板ステージが、アライメント系
    および処理系にそれぞれ移動する時において、ｚ軸に対
    して時計回りと、反時計回りとを交互に繰り返すことを
    特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装
    置。
  6. 【請求項６】 ｘ軸方向の位置を計測する前記位置計測
    システムは前記両基板ステージの両側のそれぞれ複数箇
    所に配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
    かに記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 ｘ軸方向の位置を計測する前記位置計測
    システムは前記両基板ステージに関して両側の複数箇所
    に配置され、前記ビームが反射する複数の反射面のうち
    ｘ軸方向の位置を計測する前記位置計測システムに面す
    る反射面はｙ軸方向に沿って張り出した部分を有する長
    尺反射面として設定されていることを特徴とする請求項
    ２に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記ビームが反射する複数の反射面のう
    ちの一部はｙ軸方向に沿って張り出した部分を有する長
    尺反射面として設定され、該長尺反射面に面した片側に
    のみ前記位置計測システムを配置したことを特徴とする
    請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 基板のパターン配置を測定するアライメ
    ント系と、 前記アライメント系とは別に設けられ、基板の加工処理
    をする処理系と、 前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アラ
    イメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交する方向
    をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を
    動くことのできる第１の基板ステージと、 基板を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２
    の基板ステージと、 前記第１および第２の両基板ステージの位置を計測する
    位置計測システムとを備え、 前記第１および第２の基板ステージがアライメント領域
    と処理領域との間を移動する場合に、両基板ステージが
    ｘ方向に並ぶ時において、その並びが同一であることを
    特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 基板のパターン配置を測定するアライ
    メント系と、 前記アライメント系とは別に設けられ、基板の加工処理
    をする処理系と、 前記アライメント系と前記処理系を結ぶ軸をｙ軸、アラ
    イメント系の光軸をｚ軸、これらの両軸と直交する方向
    をｘ軸としたときに、前記基板を保持し、ｘｙ平面上を
    動くことのできる第１の基板ステージと、 基板を保持し、前記ｘｙ平面上を動くことのできる第２
    の基板ステージと、 前記第１および第２の両基板ステージの位置を計測する
    位置計測システムとを備え、 前記第１および第２の基板ステージがアライメント領域
    と処理領域との間を移動する場合に、ｚ軸方向に対して
    時計回りと反時計回りとを交互に繰り返すことを特徴と
    する基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記両基板ステージを駆動する二次元
    駆動手段が平面モータであることを特徴とする請求項１
    〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 基板を吸着するための吸着力供給源が
    前記両基板ステージの互いに点対称な位置に接続されて
    いることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の
    基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の基
    板処理装置を用いてデバイスを製造することを特徴とす
    るデバイス製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１〜１２のいずれかに記載の基
    板処理装置としての露光装置を含む各種プロセス用の製
    造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装
    置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを
    製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイ
    ス製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
    請求項１４に記載の半導体デバイス製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
    が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
    てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
    情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１５
    に記載の半導体デバイス製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１〜１２のいずれかに記載の基
    板処理装置としての露光装置を含む各種プロセス用の製
    造装置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネ
    ットワークと、該ローカルエリアネットワークから工場
    外の外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェ
    イを有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情
    報をデータ通信することを可能にしたことを特徴とする
    半導体製造工場。
  18. 【請求項１８】 半導体製造工場に設置された請求項１
    〜１２のいずれかに記載の基板処理装置としての露光装
    置の保守方法であって、前記露光装置のベンダもしくは
    ユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続さ
    れた保守データベースを提供する工程と、前記半導体製
    造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守デ
    ータベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守デ
    ータベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワー
    クを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有する
    ことを特徴とする露光装置の保守方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１〜１２のいずれかに記載の基
    板処理装置としての露光装置において、ディスプレイ
    と、ネットワークインタフェースと、ネットワーク用ソ
    フトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、露
    光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介して
    データ通信することを可能にしたことを特徴とする露光
    装置。
  20. 【請求項２０】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
    保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
    ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
    ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
    能にすることを特徴とする請求項１９に記載の露光装
    置。
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