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JP2000164504A - ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 - Google Patents

ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法

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JP2000164504A
JP2000164504A JP10339789A JP33978998A JP2000164504A JP 2000164504 A JP2000164504 A JP 2000164504A JP 10339789 A JP10339789 A JP 10339789A JP 33978998 A JP33978998 A JP 33978998A JP 2000164504 A JP2000164504 A JP 2000164504A
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JP
Japan
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stage
measurement
wafer
movable
exposure
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JP10339789A
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Tetsuo Taniguchi
哲夫 谷口
Saburo Kamiya
三郎 神谷
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Priority to AU16828/99A priority patent/AU1682899A/en
Priority to PCT/JP1998/005705 priority patent/WO1999031462A1/ja
Priority to US09/593,800 priority patent/US6897963B1/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージの移動範囲を、そのステージの位置
を計測する干渉計の計測範囲よりも大きくし、かつその
ステージの位置を高精度に計測する。 【解決手段】 ウエハステージWSTが、側面の移動鏡
22X,22Yにレーザ干渉計15X1,15X2,1
5Yからのレーザビームが照射されない位置から移動し
て、レーザ干渉計15X1,15X2,15Yの計測範
囲内に入った際に、基準マークMAの位置をウエハアラ
イメントセンサにより計測し、この計測結果に基づいて
レーザ干渉計15X1,15X2,15Yの計測値の補
正を行う。また、計測用ステージ14が、レーザ干渉計
15X1,15X2,15Yの計測範囲内に入った際に
も、同様に基準マークMBの位置をウエハアライメント
センサにより計測し、この計測結果に基づいてレーザ干
渉計15X1,15X2,15Yの計測値の補正を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば加工対象物
等を位置決めするためのステージ装置、及びそのステー
ジ装置を備え、半導体素子、液晶表示素子、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程でマスク
パターンを基板上に転写する際に使用される露光装置に
関し、特に結像特性計測機構等の種々の機構を備えた露
光装置に使用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に使用される
一括露光型(ステッパー型)、又は走査露光型(ステッ
プ・アンド・スキャン方式等)の露光装置には高い露光
精度が要求されている。そのため、従来より露光装置に
おいては、マスクとしてのレチクルを載置して位置決め
するレチクルステージ、又は基板としてのウエハを載置
して2次元移動するウエハステージには、それぞれその
側面に移動鏡が固定されており、レーザ干渉計等の干渉
計からその移動鏡に計測ビームを照射することによっ
て、当該ステージの移動量が常時連続的に測定され、こ
の測定値に基づいて高精度にステージの位置決めが行え
るようになっている。このようなステージ装置において
は通常は、可動ステージの2次元方向の移動成分、及び
回転成分という3自由度の変位計測を3軸の干渉計によ
り実現している。
【0003】ところが、このような従来のステージ装置
では、可動ステージの最大移動範囲(可動範囲)の全て
の領域で各干渉計からの測定ビームが常に移動鏡にそれ
ぞれ照射されている必要があるため、移動鏡は、可動ス
テージが移動しても各干渉計からの測定ビームを反射し
続けるように、その寸法は可動範囲より大きくしておく
必要があった。
【0004】このため、可動ステージの可動範囲を広げ
ようとすると、大型の移動鏡が必要になり、それに伴っ
てステージ全体の形状も大きくならざるを得ず、そのた
めステージが重くなってしまい高速で移動させることが
困難になるという問題が生じる。また、大型の移動鏡を
所定の平面度で加工するには多大な技術的困難が伴い、
さらに、大きな移動鏡に撓みを生じさせずに可動ステー
ジの側面に固定することも技術的には多大の困難があ
る。ところが、移動鏡の平面度の低下は、干渉計による
ステージの位置決め精度の低下に直接的につながるた
め、最終的に可動ステージの可動範囲を制限せざるを得
ないという問題が生じている。
【0005】このような問題を解決するためのステージ
装置として、例えば特開平7−253304号公報に開
示されているものがある。この開示されたステージ装置
は、可動ステージの変位の自由度の数(例えば、3自由
度とする)よりも多い数の干渉計(例えば、4軸)を設
置することによって、一の干渉計からの測定ビームが移
動鏡の測定範囲から外れても、残りの干渉計により当該
ステージの移動の自由度分の測定ができるようにしてい
る。そして、移動鏡から外れたその一の干渉計の測定範
囲内に再度移動鏡が入ったら、残りの干渉計での測定値
をその一の干渉計の初期値として設定することにより、
その一の干渉計により可動ステージの移動量を測定でき
るようにして、移動鏡の大きさを可動ステージの可動範
囲よりも小さくしている。
【0006】また、これらの露光装置では、常に適正な
露光量で、且つ高い結像特性を維持した状態で露光を行
う必要があるため、レチクルの位置決めを行うレチクル
ステージ、又はウエハの位置決めを行うウエハステージ
には、露光光の照度等の状態、及び投影倍率等の結像特
性を計測するための計測装置が備えられている。例えば
ウエハステージに備えられている計測装置としては、投
影光学系に対する露光光の入射エネルギーを計測するた
めの照射量モニタ、及び投影像の位置やコントラスト等
を計測するための空間像検出系等がある。一方、レチク
ルステージ上に備えられている計測装置としては、例え
ば投影光学系の結像特性計測用に用いられる指標マーク
が形成された基準板がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く従来の露光
装置においては、レチクルステージ、又はウエハステー
ジに設けられた計測装置を用いて、露光量の適正化が図
られると共に、高い結像特性が維持されていた。これに
対して、最近の露光装置には、半導体素子等を製造する
際の露光工程のスループット(生産性)を高めることも
要求されている。スループットを向上させるための方法
としては、単位時間当たりの露光エネルギーを増加させ
る方法の他に、ステージの駆動速度を大きくして、一括
露光型ではステッピング時間を短縮し、走査露光型では
ステッピング時間及び走査露光時間を短縮する方法があ
る。
【0008】このようにステージの駆動速度を向上させ
るには、ステージ系が同じ大きさである場合にはより大
きい出力の駆動モータを使用すればよく、逆に従来と同
じ出力の駆動モータで駆動速度を向上させるには、ステ
ージ系を小型化、軽量化する必要がある。ところが、前
者のようにより大きい出力の駆動モータを使用すると、
その駆動モータから発生する熱量が増大する。このよう
に増大する熱量は、ステージ系の微妙な熱変形を生じ
て、露光装置で要求されている高い位置決め精度が得ら
れなくなる恐れがある。そこで、位置決め精度の劣化を
防止して、駆動速度を向上するには、後者のようにステ
ージ系をできるだけ小型化、軽量化することが望まれ
る。
【0009】特に、走査露光型の露光装置では、駆動速
度の向上によって走査露光時間も短縮されてスループッ
トが大きく改善されると共に、ステージ系の小型化によ
ってレチクルとウエハとの同期精度も向上して、結像性
能や重ね合わせ精度も向上するという大きな利点があ
る。ところが、従来のようにレチクルステージ、又はウ
エハステージに各種計測装置が備えられている場合に
は、ステージを小型化するのは困難である。
【0010】更に、レチクルステージ、又はウエハステ
ージに露光光の状態、又は結像特性等を計測するための
計測装置が備えられている場合、その計測装置には通常
アンプ等の熱源が付属していると共に、計測中に露光光
の照射によってその計測装置の温度が次第に上昇する。
その結果、レチクルステージ、又はウエハステージが微
妙に熱変形して、位置決め精度や重ね合わせ精度等が劣
化する恐れもある。現状では、計測装置の温度上昇によ
る位置決め精度等の劣化は僅かなものであるが、今後、
半導体素子等の回路パターンが一層微細化するにつれ
て、計測装置の温度上昇の影響を抑制する必要性が高ま
ると予想される。
【0011】これに関して、前述の特開平7−2533
04号公報に開示されたステージ装置を使用することに
よって、可動ステージの可動範囲に比べて移動鏡の長さ
を小さくすることができるが、この場合でも可動ステー
ジ自体の小型化にはあまり寄与できない。従って、露光
工程のスループットの向上、及び露光光の照射熱の影響
の軽減を図るためには、更に別の工夫が必要である。
【0012】また、露光装置、特に投影露光装置では、
スループット向上の他に解像度、焦点深度(DOF:De
pth of Forcus )、及び線幅制御精度等を向上させるこ
とも求められている。ここで、露光波長をλとし、投影
光学系の開口数をN.A.とすると、解像度Rはλ/
N.A.に比例し、焦点深度DOFはλ/(N.A.)
2 に比例する。このため、解像度Rを向上させる(Rの
値を小さくする)ために、単に露光波長λを小さくし
て、開口数N.A.を大きくすると、焦点深度DOFが
小さくなり過ぎてしまう。
【0013】これに関して、デバイスを製造するために
は、ライン・アンド・スペース(L/S)パターンのよ
うな周期的パターン、及びコンタクトホール(CH)パ
ターンのような孤立的パターン等が組み合わさったパタ
ーンをウエハ上に形成する必要がある。そして、最近、
例えば周期的パターンに関しては、特開平4−2255
14号公報に開示されているように、いわゆる変形照明
法によって焦点深度を狭くすることなく、解像度を向上
させる技術が開発されている。また、位相シフトレチク
ル法も開発されている。同様に、孤立的パターンに関し
ても、例えば照明光のコヒーレンスファクタを制御する
等の方法で実質的に焦点深度等を向上させる技術が開発
されている。
【0014】このような技術動向を背景にして、実質的
に焦点深度を浅くし過ぎることなく解像度を向上させる
方法として、二重露光法が見直されている。即ち、二重
露光法を適用すれば、或るレイヤ用のレチクルパターン
を種類に応じて複数のレチクルパターンに分割し、それ
ぞれを最適な照明条件、及び露光条件で重ねて露光する
ことによって、全体として広い焦点深度、及び高い解像
度が得られる。最近では、この二重露光法をKrFエキ
シマレーザ、更にはArFエキシマレーザを露光光とし
て用いる投影露光装置に適用して、例えば線幅が0.1
μmまでのL/Sパターンを含むデバイスのパターンを
露光しようという試みも検討されている。
【0015】ところが、この二重露光法を1台のウエハ
ステージを持つ投影露光装置に適用しようとすると、ア
ライメントや露光等の工程をシリアルに繰り返して実行
する必要があるために、スループットが大幅に劣化する
という不都合がある。そこで、スループットを高めるた
めに、ウエハステージを複数台設けて、アライメントと
露光とを並列に実行できるようにした投影露光装置も提
案されている。しかしながら、このように複数台のウエ
ハステージを設ける場合、各ウエハステージの可動ステ
ージの位置を単に干渉計で計測するものとすると、各可
動ステージが大きく移動する際に、対応する干渉計の計
測ビームが途切れるために、各可動ステージを例えば交
互に露光位置に位置決めする際に、各可動ステージを迅
速に再現性を持つ状態で位置決めするのが困難であると
いう不都合があった。
【0016】本発明は斯かる点に鑑み、複数の機能を有
するステージ装置において、それらの複数の機能を実行
できる状態で可動部を小型化して、その可動部を高速に
移動できると共に、その可動部の位置を再現性を有する
状態で高精度に計測できるステージ装置を提供すること
を第1の目的とする。また、本発明は、二重露光等を行
うために、複数の可動部を設けた場合に、各可動部をそ
れぞれ目標とする位置に再現性を有する状態で迅速に位
置決めできるステージ装置を提供することを第2の目的
とする。
【0017】更に、本発明は、そのようなステージ装置
を備え、レチクルのパターンを転写する際の特性、又は
投影光学系の結像特性等を計測する機能を維持した状態
で、レチクル、又はウエハを位置決めするための可動部
を小型化できる露光装置を提供することを第3の目的と
する。更に本発明は、そのようなステージ装置を備え、
高いスループットで二重露光法等を実施できる露光装置
を提供することを第4の目的とする。
【0018】また、本発明はそのようなステージ装置を
用いて迅速に位置決めを行うことができる位置決め方法
を提供することをも目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明による第1のステ
ージ装置は、所定の移動面に沿って互いに独立に移動自
在に配置された複数の可動ステージ(WST,14)
と、その複数の可動ステージの内の一つの可動ステージ
の位置を所定の計測範囲内で計測する第1測定系(15
X1,15X2,15Y)とを備えたステージ装置であ
って、その複数の可動ステージのそれぞれに対して、こ
の可動ステージのその計測範囲内の所定の基準位置から
の位置ずれ量、又はその基準位置に対する合致度を計測
する第2測定系(16,17A,17B)を備え、その
第2測定系の計測結果に基づいてその第1測定系の計測
値の補正を行うものである。
【0020】斯かる本発明の第1のステージ装置によれ
ば、例えば露光、及び特性計測等の複数の機能を実行す
る場合に、各機能毎(又は複数の機能群毎)に可動ステ
ージを割り当てて複数の可動ステージ(可動部)を設け
る。これによって、各可動ステージは小型化できるた
め、それぞれ高速に駆動できるようになる。ところが、
単に複数の可動ステージを設けて、その第1測定系とし
て相対変位測定系、例えば一軸のレーザ干渉計を設けた
場合には、各可動ステージが大きく移動すると、レーザ
干渉計の計測ビームが途切れるために、何等かの原点設
定動作が必要になる。そこで、本発明では、一種の絶対
値測定系としてその第2測定系(16,17A,17
B)を設けた。
【0021】そして、その複数の可動ステージの内の一
つの可動ステージ(WST)が、その第1測定系の計測
範囲の外部からその計測範囲内に入った際に、その第2
測定系(絶対値測定系)によりその可動ステージのその
計測範囲内の所定の基準位置からの位置ずれ量を計測
し、例えばこの位置ずれ量をその第1測定系の計測値に
プリセットすることで、その第1測定系の計測値がその
可動ステージの位置を再現性を有する形で正確に示すよ
うになる。又は、その第2測定系が合致度(例えば2つ
のランダムパターン同士の合致度)を計測する場合に
は、その合致度が所定のレベル以上となった場合に、そ
の第1測定系の計測値をリセットするか、若しくは所定
値にプリセットすればよい。これによって、各可動ステ
ージは迅速に再現性を有する状態で高精度に位置決めさ
れる。
【0022】次に、本発明による第2のステージ装置
は、所定の移動面に沿って互いに独立に移動自在に配置
された複数の可動ステージ(WST1,WST2)と、
その複数の可動ステージの内の一つの可動ステージの位
置を所定の第1の計測範囲内で計測する第1測定系(8
7Y3)とを備えたステージ装置であって、その複数の
可動ステージのそれぞれに対して、その第1の計測範囲
と部分的に重複する第2の計測範囲内で位置を連続的に
計測する第2測定系(87Y2,87Y4)と、その第
1及び第2測定系の計測結果に基づいてこの2つの測定
系の計測結果を補正する制御系(38)と、を設けたも
のである。
【0023】斯かる本発明の第2のステージ装置によれ
ば、例えば二重露光を行うために複数の可動ステージ
(WST1,WST2)が設けられる。この結果、その
第1測定系として、例えば相対変位測定系としての1軸
のレーザ干渉計を使用すると、各可動ステージを大きく
移動させた場合に、そのレーザ干渉計の計測ビームから
外れてしまうため、如何にして再現性を有する形で各可
動ステージを位置決めするかが問題となる。これに対し
て、本発明ではその第1測定系としても例えば相対変位
測定系としての1軸(又は複数軸)のレーザ干渉計を使
用する。そして、その複数の可動ステージの内の一つの
可動ステージが、例えばその第1の計測範囲側からその
第2の計測範囲内に入る際には、その第1測定系及び第
2測定系によって同時にその可動ステージの位置を計測
し、その第1測定系の計測値をその可動ステージの回転
角に応じて補正した値をその第2測定系の計測値にプリ
セットすることによって、その第1測定系の測定値がそ
の第2測定系に受け渡される。これ以降は、その第2測
定系を用いてその可動ステージを再現性を有する状態で
高精度に位置決めできる。
【0024】この場合、その第1測定系、及び第2測定
系はそれぞれ干渉の次数(整数)N1,N2、位相(r
ad)φ1,φ2(これはヘテロダイン干渉方式では例
えば参照信号と測定信号との位相差に相当する)、及び
計測ビームの波長λの関数f(λ)を用いて、f(λ)
{N1+φ1/(2π)}及びf(λ){N2+φ2/
(2π)}の形で可動ステージの位置を計測するように
してもよい。そして、その第2測定系の計測が可能とな
って、その第1測定系及び第2測定系によって同時にそ
の可動ステージの位置を計測したときには、その第1測
定系の計測値、及びその可動ステージの回転角よりその
第2測定系の干渉の次数N2’、及び位相φ2’を推定
し、その次数N2’、位相φ2’、及びその第2測定系
で計測される位相φ2より、その第2測定系の次数N2
のプリセット値を決定することが望ましい。この後はそ
の第2測定系の計測値をf(λ){N2+φ2/(2
π)}とすることで、その可動ステージの回転角の計測
誤差等が或る程度生じても、その第2測定系の固有の再
現精度でその可動ステージの位置を計測できる。また、
関数f(λ)は、一例として2以上の整数mを用いてλ
/mである。
【0025】次に、本発明による第1の露光装置は、本
発明のステージ装置を備えた露光装置であって、そのス
テージ装置のその複数の可動ステージ(RST1,RS
T2)に互いに異なるパターンが形成されたマスク(R
1,R2)を載置し、その複数の可動ステージ上のマス
クのパターンを交互に位置決めを行いながら基板(W
1)上に転写するものである。
【0026】斯かる本発明の第1の露光装置によれば、
二重露光法を用いて露光を行うことができ、解像度、及
び焦点深度の向上を図ることができる。また、本発明の
ステージ装置を備えているため、例えばレーザ干渉計に
よりその可動ステージの位置を計測する場合には、その
可動ステージに設置する移動鏡をその可動ステージの移
動範囲よりも小さくすることができ、その可動ステージ
の重量を小さくすることができる。従って、その可動ス
テージを高速に移動させることが容易になり、スループ
ットの向上を図ることができる。
【0027】次に、本発明による第2の露光装置は、本
発明のステージ装置を備えた露光装置であって、そのス
テージ装置のその複数の可動ステージ(RST,5)の
第1の可動ステージ(RST)上にマスク(R)を載置
し、第2の可動ステージ(5)上にそのマスクのパター
ンを転写する際の特性を計測するための特性計測装置
(6)を載置し、そのマスク(R)のパターンを基板
(W)上に転写するものである。
【0028】斯かる本発明の第2の露光装置によれば、
本来の露光に使用するその第1の可動ステージ(RS
T)には露光に必要な最小限の機能のみを持たせること
によって、その第1の可動ステージの大きさは必要最小
限にできるため、ステージの小型化、軽量化を行いスル
ープットの向上を図ることできる。一方、露光に直接必
要がなく、そのマスク(R)のパターンを転写する際の
特性を計測するための特性計測装置(6)は、別の第2
の可動ステージ(5)に搭載されるため、そのマスクの
パターンを転写する際の特性を計測することもできる。
また、本発明のステージ装置を備えているため、その複
数の可動ステージの位置を高精度に計測することができ
る。
【0029】次に、本発明による第3の露光装置は、本
発明のステージ装置を備えた露光装置であって、そのス
テージ装置のその複数の可動ステージ(WST1,WS
T2)上にそれぞれ基板(W1,W2)を載置し、その
複数の可動ステージを交互に露光位置に位置決めしなが
ら、その複数の基板上に交互に所定のマスクパターンを
露光するものである。
【0030】斯かる本発明の第3の露光装置によれば、
その複数の可動ステージ(WST1,WST2)の内の
一方の可動ステージ(WST1)で露光動作を行いなが
ら、別の可動ステージ(WST2)では基板の搬入搬出
及びアライメント動作を行うことができ、スループット
の向上を図ることができる。また、本発明のステージ装
置を備えているため、その複数の可動ステージの位置を
高精度に計測することができる。
【0031】次に、本発明による第4の露光装置は、本
発明のステージ装置と、投影光学系(PL)とを備えた
露光装置であって、そのステージ装置のその複数の可動
ステージ(WST,14)の第1の可動ステージ(WS
T)上に基板(W)を載置し、第2の可動ステージ(1
4)上にその投影光学系の結像特性を計測するための特
性計測装置(20)を載置し、その第1の可動ステージ
上の基板上に所定のマスクパターンをその投影光学系を
介して露光するものである。
【0032】斯かる本発明の第4の露光装置によれば、
本来の露光に使用するその第1の可動ステージ(WS
T)には露光に必要な最小限の機能のみを持たせること
によって、その第1の可動ステージ(WST)の小型
化、軽量化を行いスループットの向上を図ることができ
る。一方、露光に直接必要がなく、その投影光学系の結
像特性を計測するための特性計測装置(20)は、別の
第2の可動ステージ(14)に搭載されるため、結像特
性も計測できる。また、本発明のステージ装置を備えて
いるため、その複数の可動ステージの位置を高精度に計
測することができる。
【0033】次に、本発明による第1の位置決め方法
は、本発明のステージ装置を用いた位置決め方法であっ
て、その複数の可動ステージ(WST,14)の内の一
つの可動ステージ(WST)がその第1測定系の計測範
囲内に入った際に、この可動ステージのその計測範囲内
の所定の基準位置からの位置ずれ量、又はその基準位置
に対する合致度をその第2測定系により計測し、この計
測結果に基づいてその第1測定系の計測値の補正を行う
ものである。斯かる位置決め方法によれば、その複数の
可動ステージをそれぞれ容易に再現性を有する状態で高
精度に位置決めできる。
【0034】次に、本発明による第2の位置決め方法
は、本発明のステージ装置を用いた位置決め方法であっ
て、その複数の可動ステージ(WST1,WST2)の
内の一つの可動ステージがその第2の計測範囲側からそ
の第1の計測範囲内に入る際に、その第1及び第2測定
系によって同時にその可動ステージの位置を計測し、こ
の計測結果に基づいてその第1測定系の計測結果をその
第2測定系の計測結果に合わせるものである。斯かる位
置決め方法によれば、その複数の可動ステージをそれぞ
れ容易に再現性を有する状態で高精度に位置決めでき
る。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
につき図1〜図4を参照して説明する。本例はステップ
・アンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用
したものである。図1は、本例の投影露光装置を示し、
この図1において、露光時には、露光光源、ビーム整形
光学系、照度分布均一化用のフライアイレンズ、光量モ
ニタ、可変開口絞り、視野絞り、及びリレーレンズ系等
を含む照明系1から射出された露光光ILは、ミラー
2、及びコンデンサレンズ3を介してレチクルRのパタ
ーン面(下面)のスリット状の照明領域を照明する。露
光光ILとしては、KrF(波長248nm)、若しく
はArF(波長193nm)等のエキシマレーザ光、Y
AGレーザの高調波、又は水銀ランプのi線(波長36
5nm)等が使用できる。照明系1内の可変開口絞りを
切り換えることによって、通常の照明方法、輪帯照明、
いわゆる変形照明、及び小さいコヒーレンスファクタ
(σ値)の照明等の内の所望の照明方法を選択できるよ
うに構成されている。露光光源がレーザ光源である場合
には、その発光タイミング等は装置全体の動作を統轄制
御する主制御系10が、不図示のレーザ電源を介して制
御する。
【0036】レチクルRのその露光光ILによる照明領
域9(図3参照)内のパターンの像は、投影光学系PL
を介して投影倍率β(βは、1/4倍、又は1/5倍
等)で縮小されて、フォトレジストが塗布されたウエハ
(wafer)W上のスリット状の露光領域12に投影され
る。以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取
り、Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルR及び
ウエハWの走査方向に直交する非走査方向(即ち、図1
の紙面に垂直な方向)に沿ってX軸を取り、走査方向
(即ち、図1の紙面に平行な方向)に沿ってY軸を取っ
て説明する。
【0037】まず、レチクルRは、レチクルステージR
ST上に真空吸着によって保持され、レチクルステージ
RSTは、平行に配置された2本のガイド4A及び4B
上にエアーベアリングを介してY方向に移動自在に載置
されている。更に本例では、ガイド4A及び4B上に、
レチクルステージRSTとは独立にエアーベアリングを
介してY方向に移動自在に計測用ステージ5が載置され
ている。
【0038】図3は、レチクルステージRST及び計測
用ステージ5を示す平面図であり、この図3において、
Y方向(走査方向)に伸びたガイド4A及び4Bに沿っ
て、それぞれ不図示のリニアモータ等によってY方向に
駆動されるようにレチクルステージRST、及び計測用
ステージ5が載置されている。ガイド4A,4Bの長さ
は、走査露光時のレチクルステージRSTの移動ストロ
ークよりも、少なくとも計測用ステージ5の幅分だけ長
く設定されている。また、レチクルステージRSTは、
Y方向に移動する粗動ステージと、この粗動ステージ上
で2次元的な位置が微調整できる微動ステージとを組み
合わせて構成されている。更に、レチクルマークステー
ジRST上には、レチクルRをX方向に挟むような位置
関係で1対の基準マーク板17C1,17C2が固定さ
れ、基準マーク板17C1,17C2にそれぞれ二次元
の例えば十字型の基準マークMC1,MC2が形成され
ている。基準マークMC1,MC2とレチクルRの原版
パターンとの位置関係は予め高精度に計測されて、主制
御系10の記憶部に記憶されている。
【0039】そして、計測用ステージ5上にX方向に細
長いガラス板よりなる基準板6が固定され、基準板6上
に投影光学系PLの結像特性計測用の複数の指標マーク
IMが所定配置で形成されている。基準板6は、レチク
ルRに対する露光光のスリット状の照明領域9、より正
確には投影光学系PLのレチクルR側の視野のX方向の
幅を覆うことができるだけの大きさを備えている。基準
板6を使用することで、結像特性計測用の専用レチクル
を用意しておく必要がなく、且つ、実露光用のレチクル
Rとその専用レチクルとの交換時間も不要となるため、
結像特性を高頻度に計測でき、投影光学系PLの経時変
化に正確に追従することができる。また、計測用ステー
ジ5にも、X方向(非計測方向)に対する微小範囲での
位置決め機構が備えられていると共に、計測用ステージ
5上に、基準板6をX方向に挟むように1対の基準マー
ク板17D1,17D2が固定され、基準マーク板17
D1,17D2にそれぞれ二次元の例えば十字型の基準
マークMD1,MD2が形成されている。基準マークM
D1,MD2と複数の指標マークIMとの位置関係も予
め正確に計測されて、主制御系10の記憶部に記憶され
ている。
【0040】このように本例では、基準板6用の計測用
ステージ5が独立に設けられ、本来のレチクルステージ
RST上には、レチクルRの他に計測用の部材は搭載さ
れていない。即ち、レチクルステージRSTは、走査露
光のために必要最小限の走査、及び位置決め機能のみを
備えればよいため、レチクルステージRSTの小型化、
軽量化が実現されている。従って、レチクルステージR
STをより高速に走査できるため、露光工程のスループ
ットが向上する。特に縮小投影の場合には、レチクルス
テージRSTの走査速度はウエハステージの走査速度の
1/β倍(例えば4倍、5倍等)になるため、走査速度
の上限はレチクルステージでほぼ決定されることがあ
り、この場合には本例では特にスループットが大きく向
上する。
【0041】また、ガイド4A,4Bに対して+Y方向
に設置されたレーザ干渉計7YからレチクルステージR
STの+Y方向の側面の移動鏡24Yにレーザビームが
照射され、+X方向に設置された2軸のレーザ干渉計7
X1,7X2からレチクルステージRSTの+X方向の
側面の移動鏡24Xにレーザビームが照射され、レーザ
干渉計7Y,7X1,7X2によってレチクルステージ
RSTのX座標、Y座標、及び回転角が計測され、計測
値が図1の主制御系10に供給され、主制御系10はそ
の計測値に基づいてリニアモータ等を介してレチクルス
テージRSTの速度や位置を制御する。また、ガイド4
A,4Bに対して−Y方向に設置されたレーザ干渉計8
Yから計測用ステージ5の−Y方向の側面の移動鏡25
Yにレーザビームが照射され、レーザ干渉計8Yによっ
て計測される計測用ステージ5のY座標が主制御系10
に供給されている。Y軸のレーザ干渉計7Y及び8Yの
光軸は、それぞれY方向に沿って照明領域9の中心、即
ち投影光学系PLの光軸AXを通過しており、レーザ干
渉計7Y及び8Yは、それぞれ常時レチクルステージR
ST及び計測用ステージ5の走査方向の位置を計測して
いる。
【0042】なお、レチクルステージRSTの直交する
側面を鏡面加工しておき、これらの鏡面を移動鏡24
X,24Yとみなしてもよく、計測用ステージ5の直交
する側面を鏡面加工しておき、これらの鏡面を移動鏡2
5X,25Yとみなしてもよい。更に、本例では図1に
示すように、レチクルRの上方に、レチクルR上に形成
されたアライメントマーク(レチクルマーク)と、対応
するウエハステージ上の基準マーク(不図示)との位置
ずれ量を検出するための1対のレチクルアライメント顕
微鏡RA及びRBが配置されている。レチクルアライメ
ント顕微鏡RA,RBの検出中心を通る直線はX軸に平
行であり、それらの検出中心の中心は、光軸AXに合致
している。本例では、本発明の第2測定系(絶対値測定
系)に対応するレチクルアライメント顕微鏡RA,RB
を用いて、図3に示すレチクルステージRST上の基準
マークMC1,MC2、及び計測用ステージ5上の基準
マークMD1,MD2の位置を検出する。
【0043】そして、結像特性の計測時に、レチクルス
テージRSTを+Y方向に待避させて、基準板6がほぼ
照明領域9を覆うように計測用ステージ5をY方向に移
動すると、レーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビ
ームがレチクルステージRSTの側面から外れて計測用
ステージ5の+X方向の移動鏡25Xに照射されるよう
になる。このとき、レチクルアライメント顕微鏡RA,
RBにより基準板6上の基準マークMD1,MD2の検
出中心(視野の中心)からの位置ずれ量をそれぞれ検出
し、図1の主制御系10は、基準マークMD1,MD2
の中心がそれぞれ対応する検出中心に対して対称に、か
つ最も位置ずれ量が小さくなるように計測用ステージ5
を位置決めする。そして、この状態で、X軸のレーザ干
渉計7X1,7X2の計測値をそれぞれリセットする。
なお、それらの計測値を例えば所定の値にプリセットし
てもよい。
【0044】この後は、レーザ干渉計7X1,7X2に
より計測用ステージ5のX方向の位置、及び回転角が再
現性を有する状態で高精度に計測され、計測用ステージ
5のY方向の位置はレーザ干渉計8Yによって常時高精
度に計測されている。従って、これらの計測値に基づい
て主制御系10は、リニアモータ等を介して計測用ステ
ージ5の位置を高精度に制御することができる。なお、
上記のように基準マークMD1,MD2の位置ずれ量を
最小にする代わりに、それらの位置ずれ量に基づいて、
レーザ干渉計7X1,7X2の計測値をそれぞれ対応す
る値にプリセットするようにしてもよい。
【0045】一方、計測中には、レチクルステージRS
Tの非走査方向の位置は計測されないが、露光のために
レチクルステージRSTが照明領域9下に達すれば、再
びレーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビームがレ
チクルステージRSTの移動鏡24Xに照射されるよう
になる。そして、計測用ステージ5の場合と同様に、レ
チクルアライメント顕微鏡RA,RBを用いてレチクル
ステージRST上の基準マークMC1,MC2の位置ず
れ量を検出し、主制御系10は、それらの位置ずれ量が
対称に、かつ最も小さくなるようにレチクルステージR
STを位置決めした状態で、レーザ干渉計7X1,7X
2の計測値を所定の値にプリセットする。この後は、再
現性のある状態でレチクルステージRSTのX方向の位
置、及び回転角の計測が行われ、Y方向の位置はレーザ
干渉計7Yによって常時計測されているため、レチクル
ステージRSTを高精度に所望の位置に位置決めするこ
とができる。従って、レーザ干渉計7X1,7X2から
のレーザビームが途切れることの不都合は無い。
【0046】図1に戻り、ウエハWは不図示のウエハホ
ルダを介してウエハステージWST上に保持され、ウエ
ハステージWSTは定盤13上にエアーベアリングを介
してX方向、Y方向に移動自在に載置されている。ウエ
ハステージWSTには、ウエハWのZ方向の位置(フォ
ーカス位置)、及び傾斜角を制御するフォーカス・レベ
リング機構も組み込まれている。また、定盤13上にウ
エハステージWSTとは別体でエアーベアリングを介し
てX方向、Y方向に移動自在に各種の計測装置が備えら
れた計測用ステージ14が載置されている。計測用ステ
ージ14にも、その上面のフォーカス位置を制御する機
構が組み込まれている。
【0047】図2は、ウエハステージWST、及び計測
用ステージ14を示す平面図であり、この図2におい
て、定盤13の表面の内部には例えば所定の配列でコイ
ル列が埋め込まれ、ウエハステージWSTの底面、及び
計測用ステージ14の底面にはそれぞれヨークと共に磁
石列が埋め込まれ、そのコイル列、及び対応する磁石列
によってそれぞれ平面モータが構成され、この平面モー
タによってウエハステージWST、及び計測用ステージ
14のX方向、Y方向の位置、及び回転角が互いに独立
に制御されている。なお、平面モータについては、例え
ば特開平8−51756号公報においてより詳細に開示
されている。
【0048】本例のウエハステージWSTは、露光に必
要な最小限の機能のみを備えている。即ち、ウエハステ
ージWSTは、フォーカス・レベリング機を備えると共
に、ウエハステージWST上には、ウエハWを吸着保持
するウエハホルダ(ウエハWの底面側)と、ウエハステ
ージWSTの位置計測用の基準マークMAが形成された
基準マーク板17Aとが設置されている。基準マーク板
17A上には、レチクルアライメント用の基準マーク
(不図示)も形成されている。
【0049】また、図1に示すように、ウエハWのアラ
イメント用のオフ・アクシス方式で画像処理方式のウエ
ハアライメントセンサ16が投影光学系PLに隣接して
設けられており、ウエハアライメントセンサ16の検出
信号が主制御系10内のアライメント処理系に供給され
ている。ウエハアライメントセンサ16は、ウエハW上
の各ショット領域に付設されたアライメントマーク(ウ
エハマーク)の位置計測用のセンサである。本例では、
ウエハアライメントセンサ16を用いて、ウエハステー
ジWST上の基準マークMA等の位置検出を行う。即
ち、ウエハアライメントセンサ16は、本発明の第2測
定系(絶対値測定系)に対応している。
【0050】また、計測用ステージ14の表面は、ウエ
ハステージWST上のウエハWの表面とほぼ同じ高さに
設定されている。そして、図2において、計測用ステー
ジ14には、投影光学系PLを通過した露光光の全部の
単位時間当たりのエネルギー(入射エネルギー)を計測
するための光電センサよりなる照射量モニタ18、投影
光学系PLによるスリット状の露光領域12内での照度
分布を計測するための光電センサよりなる照度むらセン
サ19、結像特性測定用のスリット21X,21Yが形
成された測定板20、及び位置基準となる基準マークM
Bが形成された基準マーク板17Bが固定されている。
基準マークMBと照度むらセンサ19等との位置関係は
予め高精度に計測されて、図1の主制御系10の記憶部
に記憶されている。基準マークMBの位置もウエハアラ
イメントセンサ16によって計測される。
【0051】測定板20のX軸のスリット21X、及び
Y軸のスリット21Yの底面側にはそれぞれ集光レン
ズ、及び光電センサが配置され、測定板20、及び光電
センサ等より空間像検出系が構成されている。なお、そ
のスリット21X,21Yの代わりに、矩形開口のエッ
ジを使用してもよい。そして、照射量モニタ18の受光
面は、露光領域12を覆う大きさに形成されると共に、
照度むらセンサ19の受光部はピンホール状となってお
り、照射量モニタ18及び照度むらセンサ19の検出信
号は図1の主制御系10に供給されている。
【0052】また、測定板20の底部の光電センサの検
出信号は図1の結像特性演算系11に供給されている。
この場合、投影光学系PLの結像特性の計測時には、図
3のレチクル側の計測用ステージ5上の基準板6が照明
領域9に移動され、基準板6に形成されている指標マー
クIMの像がウエハステージ側に投影され、その像を計
測板20上のスリット21X,21YでそれぞれX方
向、Y方向に走査しつつ、底部の光電センサからの検出
信号を結像特性演算系11で取り込む。結像特性演算系
11では、その検出信号を処理してその指標マークIM
の像の位置、及びコントラスト等を検出し、この検出結
果より投影像の像面湾曲、ディストーション、ベストフ
ォーカス位置等の結像特性を求めて主制御系10に出力
する。更に、不図示であるが、投影光学系PL内の所定
のレンズを駆動して所定のディストーション等の結像特
性を補正する機構も設けられており、主制御系10はこ
の補正機構を介して投影光学系PLの結像特性を補正で
きるように構成されている。
【0053】図2において、計測用ステージ14に備え
られている照射量モニタ18、照度むらセンサ19、及
び測定板20の底部の光電センサ等のセンサには、何れ
もアンプ等の発熱源、及び電源や通信用の信号ケーブル
が接続されている。従って、それらのセンサが露光用の
ウエハステージWSTに搭載されていると、センサに付
随する熱源や信号ケーブルの張力によって位置決め精度
等が劣化する恐れがある。また、結像特性等の計測中の
露光光の照射による熱エネルギーも位置決め精度の悪化
等を招く恐れがある。これに対して本例では、それらの
センサが露光用のウエハステージWSTから分離された
計測用ステージ14に設けられているため、ウエハステ
ージWSTを小型化、軽量化できると共に、計測用のセ
ンサの熱源や計測中の露光光の熱エネルギーによる位置
決め精度の低下が防止できる利点がある。更に、ウエハ
ステージWSTの小型化によって、ウエハステージWS
Tの移動速度や制御性が向上し、露光工程のスループッ
トが高まると共に、位置決め精度等がより向上する。
【0054】また、定盤13に対して+Y方向に設置さ
れたレーザ干渉計15YからウエハステージWSTの+
Y方向の側面の移動鏡22Yにレーザビームが照射さ
れ、−X方向に設置された2軸のレーザ干渉計15X
1,15X2からウエハステージWSTの−X方向の側
面の移動鏡22Xにレーザビームが照射され、レーザ干
渉計15Y,15X1,15X2によってウエハステー
ジWSTのX座標、Y座標、及び回転角が計測され、計
測値が図1の主制御系10に供給され、主制御系10は
その計測値に基づいて平面モータを介してウエハステー
ジWSTの速度や位置を制御する。同様に、計測用ステ
ージ14の側面にもX軸の移動鏡23X、及びY軸の移
動鏡23Yが取り付けられている。なお、ウエハステー
ジWSTの直交する側面を鏡面加工して、これらの鏡面
を移動鏡22X,22Yとみなしてもよく、同様に計測
用ステージ14の側面の鏡面を移動鏡23X,23Yと
みなしてもよい。
【0055】そして、露光光の入射エネルギー等の計測
時には、それらの位置計測用のレーザビームは計測用ス
テージ14の移動鏡23X,23Yに照射される。図4
は、露光光の入射エネルギー等の計測時のウエハステー
ジWST、及び計測用ステージ14の配置の一例を示
し、このようにウエハステージWSTを露光領域12か
ら離れた位置に待避させて、露光領域12にかかるよう
に計測用ステージ14を移動すると、レーザ干渉計15
X1,15X2,15Yからのレーザビームが、ウエハ
ステージWSTの移動鏡22X,22Yから外れて計測
用ステージ14の移動鏡23X,23Yに照射されるよ
うになる。このときに、計測用ステージ14上の基準マ
ークMBが、図1のウエハアライメントセンサ16の視
野16a内に入るように計測用ステージ14を移動し
て、かつ2軸のX軸のレーザ干渉計15X1,15X2
の計測値が同一の値となるように、計測用ステージ14
の回転角を制御した状態で、基準マークMBの検出中心
からの位置ずれ量を検出する。そして、主制御系10
は、この位置ずれ量のX成分、及びY成分をそれぞれレ
ーザ干渉計15X1,15X2、及びレーザ干渉計15
Yの計測値にプリセットする。この後は、レーザ干渉計
15X1,15X2,15Yにより再現性を有する状態
で高精度に計測用ステージ14の位置が計測され、この
計測値に基づいて主制御系10は、平面モータを介して
計測用ステージ14の位置を高精度に制御することがで
きる。
【0056】一方、露光時には、図2に示すように、計
測用ステージ14を待避させて、ウエハステージWST
の移動鏡22X,22Yにレーザ干渉計15X1,15
X2,15Yからのレーザビームが照射されるようにし
て、基準マークMAをウエハアライメントセンサ16の
視野16a内に移動して、レーザ干渉計15X1,15
X2の計測値を一致させた状態で、基準マークMAの位
置ずれ量を計測し、この計測値に基づいてレーザ干渉計
15X1,15X2,15Yの計測値のプリセットを行
う。この後は、再現性を有する状態で高精度にウエハス
テージWSTの位置決めが行われる。なお、平面モータ
をオープンループで駆動することによってもウエハステ
ージWST、及び計測用ステージ14の位置は大まかに
制御できるため、レーザビームが照射されていない状態
では、主制御系10はウエハステージWST、及び計測
用ステージ14の位置を平面モータを用いてオープンル
ープ方式で駆動する。
【0057】図1に戻り、不図示であるが、投影光学系
PLの側面には、ウエハWの表面のフォーカス位置を計
測するための斜入射方式の焦点位置検出系(AFセン
サ)が配置され、この検出結果に基づいて、走査露光中
のウエハWの表面が投影光学系PLの像面に合焦され
る。次に、本例の投影露光装置の動作につき説明する。
まず、ウエハステージ側の計測用ステージ14を用いて
投影光学系PLに対する露光光ILの入射光量を計測す
る。この場合、レチクルRがロードされた状態での入射
光量を計測するために、図1において、レチクルステー
ジRST上に露光用のレチクルRがロードされ、レチク
ルRが露光光ILの照明領域上に移動する。その後、図
4に示すように、ウエハステージWSTは定盤13上で
例えば+Y方向に待避し、計測用ステージ14が投影光
学系PLによる露光領域12に向かって移動する。その
後、上記のようにレーザ干渉計15X1,15X2,1
5Yの計測値のプリセットを行った後、計測用ステージ
14上の照射量モニタ18の受光面が露光領域12を覆
う位置で計測用ステージ14が停止し、この状態で照射
量モニタ18を介して露光光ILの光量が計測される。
【0058】主制御系10では、その計測された光量を
結像特性演算系11に供給する。この際に、例えば照明
系1内で露光光ILから分岐して得られる光束を検出し
て得られる計測値も結像特性演算系11に供給されてお
り、結像特性演算系11では、2つの計測値に基づい
て、照明系1内でモニタされる光量から投影光学系PL
に入射する光量を間接的に演算するための係数を算出し
て記憶する。この間に、ウエハステージWSTにはウエ
ハWがロードされる。その後、図2に示すように、計測
用ステージ14は露光領域12から離れた位置に待避
し、ウエハステージWSTが露光領域12に向かって移
動する。ウエハステージWSTが待避中であるときに
は、図4に示すように、レーザ干渉計15Y,15X
1,15X2からのレーザビームは照射されないため、
例えば平面モータをオープンループ方式で駆動すること
によって位置制御が行われている。
【0059】そして、計測用ステージ14を露光領域1
2から待避させて、ウエハステージWSTを露光領域1
2にかかる位置に移動させて、上記のようにレーザ干渉
計15Y,15X1,15X2の計測値のプリセットを
行った後、ウエハステージWST上の基準マーク部材1
7A上のレチクル用の基準マーク(不図示)の中心が、
光軸AX(露光領域12の中心)付近に位置するように
ウエハステージWSTの移動が行われる。その後、レチ
クルアライメント顕微鏡RA,RBを用いて、レチクル
R上のレチクルマークと、基準マーク板17A上の対応
する基準マークとの位置ずれ量が所定の許容範囲内にな
るように、図1のレチクルステージRSTを駆動するこ
とによって、レチクルRのアライメントが行われる。こ
れとほぼ同時に、その基準マーク板17A上の別の基準
マークMAの位置を再び図1のウエハアライメントセン
サ16で検出することによって、そのセンサの検出中心
とレチクルRの投影像の中心との間隔(ベースライン
量)が正確に検出される。
【0060】次に、ウエハアライメントセンサ16を介
してウエハW上の所定のショット領域(サンプルショッ
ト)に付設されたウエハマークの位置を検出することに
よって、ウエハWの各ショット領域の配列座標が求めら
れる。その後、その配列座標、及び上記のベースライン
量に基づいて、ウエハWの露光対象のショット領域とレ
チクルRのパターン像との位置合わせを行いながら、走
査露光が行われる。ウエハW上の各ショット領域への走
査露光時には、図1において、露光光ILの照明領域9
(図3参照)に対して、レチクルステージRSTを介し
てレチクルRが+Y方向(又は−Y方向)に速度VRで
走査されるのに同期して、露光領域12に対してウエハ
ステージWSTを介してウエハWが−X方向(又は+X
方向)に速度β・VR(βは投影倍率)で走査される。
【0061】また、露光中には、例えば照明系1内で露
光光ILから分岐した光束の光量が常時計測されて結像
特性演算系11に供給され、結像特性演算系11では、
供給される光量の計測値、及び予め求めてある係数に基
づいて投影光学系PLに入射する露光光ILの光量を算
出し、露光光ILの吸収によって発生する投影光学系P
Lの結像特性(投影倍率、ディストーション等)の変化
量を計算し、この計算結果を主制御系10に供給する。
主制御系10では、例えば投影光学系PL内の所定のレ
ンズを駆動することによって、その結像特性の補正を行
う。
【0062】以上が、通常の露光であるが、本例の投影
露光装置のメンテナンス等で装置状態を計測するときに
は、計測用ステージ14を露光領域12側に移動して計
測を行う。例えば、露光領域12内の照度均一性を測定
するときは、レチクルRをレチクルステージRSTから
除いた後、図4において、照度むらセンサ19を露光領
域12内でX方向、Y方向に微動しながら照度分布を計
測する。
【0063】次に、レチクルステージ側の計測用ステー
ジ5、及びウエハステージ側の計測用ステージ14を用
いて、投影光学系PLの結像測定を測定する動作につき
説明する。この場合、図3において、レチクルステージ
RSTは+Y方向に待避して、計測用ステージ5上の基
準板6が照明領域9内に移動する。このとき、計測用ス
テージ5には非走査方向のレーザ干渉計7X1,7X2
からのレーザビームも照射されるようになり、レチクル
アライメント顕微鏡RA,RBを用いて上記のように計
測値のリセット(又はプリセット)が行われる。その
後、レーザ干渉計7X1,7X2,8Yの計測値に基づ
いて計測用ステージ5は高精度に位置決めされる。
【0064】このときに、既に説明したように、ウエハ
ステージ側には複数の指標マークIMの像が投影光学系
PLを介して投影される。この状態で、図4において、
計測用ステージ14を駆動して、測定板20上のスリッ
トでその指標マークIMの像をX方向、Y方向に走査
し、測定板20の底部の光電センサの検出信号を結像特
性演算系11で処理することによって、それらの像の位
置、及びコントラストが求められる。また、測定板20
のフォーカス位置を所定量ずつ変えながら、それらの像
の位置、及びコントラストが求められる。これらの測定
結果より、結像特性演算系11は、投影光学系PLの投
影像のベストフォーカス位置、像面湾曲、ディストーシ
ョン(倍率誤差を含む)といった結像特性の変動量を求
める。この変動量は主制御系10に供給され、その変動
量が許容範囲を超える場合には、主制御系10は投影光
学系PLの結像特性を補正する。
【0065】以上のように、本例の投影露光装置では、
ウエハアライメントセンサ16によって基準マークM
A,MBの位置を検出して、この位置情報に基づいてレ
ーザ干渉計15X1,15X2,15Yのプリセットを
行うため、レーザ干渉計15X1,15X2,15Yに
よりウエハステージWST、又は計測用ステージ14の
位置を高い再現性で高精度に計測して制御することがで
きる。同様に、レチクルアライメント顕微鏡RA,RB
により基準マークMC1,MC2又はMD1,MD2の
位置を検出して、レーザ干渉計7X1,7X2のリセッ
ト等を行うことにより、レチクルステージRST、又は
計測用ステージ5の位置を高い再現性で高精度に計測し
て制御することができる。
【0066】次に、本発明の第2の実施の形態につき図
5〜図12を参照して説明する。本例は、二重露光法に
より露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の投影
露光装置に本発明を適用したものである。図5は、本例
の投影露光装置の概略構成を示し、この図5において、
本例の投影露光装置は、ベース盤86を感応基板として
のウエハW1,W2をそれぞれ保持して独立して2次元
方向に移動する複数の可動ステージとしてのウエハステ
ージWST1,WST2を備えたステージ装置、このス
テージ装置の上方に配置された投影光学系PL1、投影
光学系PL1の上方でマスクとしてのレチクルR1又は
R2(図6参照)を所定の走査方向に駆動するレチクル
駆動機構、レチクルR1,R2を上方から照明する照明
系、及びこれら各部を制御する制御系等を備えている。
以下、投影光学系PL1の光軸AX1に平行にZ軸を取
り、Z軸に垂直な平面内で図5の紙面に平行にX軸を、
図5の紙面に垂直にY軸を取って説明する。本例では、
Y軸に平行な方向(Y方向)が走査方向である。
【0067】まず、ステージ装置は、ベース盤86上に
不図示の空気軸受けを介して浮上支持され、X方向及び
Y方向に独立して移動自在な2つのウエハステージWS
T1,WST2と、これらのウエハステージWST1,
WST2を駆動するウエハステージ駆動系81Wと、ウ
エハステージWST1,WST2の位置を計測する干渉
計システムとを備えている。
【0068】これをさらに詳述すると、ウエハステージ
WST1,WST2の底面には不図示のエアパッド(例
えば、真空予圧型空気軸受け)が複数箇所に設けられて
おり、このエアパッドの空気噴き出し力と真空予圧力と
のバランスにより例えば数μmの間隔を保った状態で、
ウエハステージWST1,WST2はベース盤86上に
浮上支持されている。
【0069】図7は、ウエハステージWST1,WST
2の駆動機構を示し、この図7において、ベース盤86
上には、X方向に延びる2本のX軸リニアガイド95
A,95Bが平行に設けられている。X軸リニアガイド
95A,95Bに沿ってそれぞれリニアモータ用の1組
の永久磁石が固定されており、これらのX軸リニアガイ
ド95A及び95Bに沿って移動自在にそれぞれ2つの
移動部材93A,93C及び2つの移動部材93B,9
3Dが取り付けられている。これら4つの移動部材93
A〜93Dの底面部には、X軸リニアガイド95A又は
95Bを上方及び側方から囲むように不図示の駆動コイ
ルがそれぞれ取り付けられており、これらの駆動コイル
とX軸リニアガイド95A又は95Bとによって、各移
動部材93A〜93DをX方向に駆動するムービングコ
イル型のリニアモータがそれぞれ構成されている。そこ
で、以下の説明では、便宜上、これらの移動部材93A
〜93Dを「X軸リニアモータ」と呼ぶものとする。
【0070】この内2つのX軸リニアモータ93A,9
3Bは、Y方向に延びるY軸リニアガイド94Aの両端
に設けられ、残り2つのX軸リニアモータ93C,93
Dも、Y方向に延びるY軸リニアガイド94Bの両端に
固定されている。Y軸リニアガイド94A,94Bには
それぞれY方向に沿ってリニアモータ用の1組の駆動コ
イルが固定されている。従って、Y軸リニアガイド94
Aは、X軸リニアモータ93A,93BによってX軸リ
ニアガイド95A,95Bに沿ってX方向に駆動され、
Y軸リニアガイド94Bは、X軸リニアモータ93C,
93DによってX軸リニアガイド95A,95Bに沿っ
てX方向に駆動される。
【0071】一方、ウエハステージWST1の底部に
は、一方のY軸リニアガイド94Aを上方及び側方から
囲む不図示の1組の永久磁石が設けられており、この永
久磁石とY軸リニアガイド94Aとによってウエハステ
ージWST1をY方向に駆動するムービングマグネット
型のリニアモータが構成されている。同様に、ウエハス
テージWST2の底部に設けられた不図示の1組の永久
磁石と、Y軸リニアガイド94Bとによってウエハステ
ージWST2をY方向に駆動するムービングマグネット
型のリニアモータが構成されている。
【0072】即ち、本例では、上述したX軸リニアガイ
ド95A,95B、X軸リニアモータ93A〜93D、
Y軸リニアガイド94A,94B及びウエハステージW
ST1,WST2の底部の不図示の永久磁石等によっ
て、ウエハステージWST1,WST2を独立してXY
平面上で2次元駆動するステージ系が構成されている。
これらのウエハステージWST1,WST2は、図5の
ステージ駆動系81Wを介してステージ制御装置38に
よって制御される。ステージ制御装置38の動作は主制
御装置90によって制御されている。
【0073】なお、Y軸リニアガイド94Aの両端に設
けられた一対のX軸リニアモータ93A,93Bの推力
のバランスを若干変化させることで、ウエハステージW
ST1に微少なヨーイングを発生させたり、除去するこ
とも可能である。同様に、一対のX軸リニアモータ93
C,93Dの推力のバランスを若干変化させることで、
ウエハステージWST2に微少なヨーイングを発生させ
たり、除去することもできる。これらのウエハステージ
WST1,WST2上には、不図示のウエハホルダを介
してそれぞれウエハW1,W2が真空吸着等により固定
されている。ウエハホルダは、不図示のZ・θ駆動機構
によってZ方向及びθ方向(Z軸の回りの回転方向)に
微小駆動されるようになっている。
【0074】また、ウエハステージWST1の−X方向
及び+Y方向の側面は、鏡面仕上げがなされた反射面8
4X,84Y(図6参照)となっており、同様に、ウエ
ハステージWST2の+X方向及び+Y方向の側面は、
鏡面仕上げがなされた反射面85X,85Yとなってい
る。これらの反射面が移動鏡に対応しており、これらの
反射面に、後述する干渉計システムを構成する各レーザ
干渉計からレーザビームよりなる計測ビーム92X2,
92X5,92Y1〜92Yが投射され、その反射光を
各レーザ干渉計で受光することにより、各反射面の基準
面(一般には投影光学系側面やアライメント光学系の側
面に参照ミラーを配置し、そこを基準面とする)からの
変位を計測し、これにより、ウエハステージWST1,
WST2の2次元位置がそれぞれ計測されるようになっ
ている。なお、干渉計システムの構成については、後に
詳述する。
【0075】図5において、投影光学系PL1として
は、Z方向の共通の光軸を有する複数枚のレンズエレメ
ントから成り、両側テレセントリックで所定の縮小倍
率、例えば1/5を有する屈折光学系が使用されてい
る。なお、投影光学系PL1として反射屈折系や反射系
を使用してもよい。この投影光学系PL1のX方向の両
側には、図5に示すように、互いに同じ機能を持ったオ
フ・アクシス(off-axis)方式のアライメント系88
A,88Bが、投影光学系PL1の光軸AX1(レチク
ルパターンの投影像の中心と一致する)よりそれぞれ同
一距離だけ離れた位置に設置されている。これらのアラ
イメント系88A,88Bは、スリット状のレーザビー
ムを用いるLSA(Laser StepAlignment)系、画像処
理方式のFIA( Field Image Alignment)系、例えば
2本のヘテロダインビームの回折光を検出するLIA
(Laser InterferometricAlignment )系の3種類のア
ライメントセンサを有しており、基準マーク板上の基準
マーク及びウエハ上のアライメントマークの2次元方向
(X方向及びY方向)の位置計測を行うことができる。
本例では、これら3種類のアライメントセンサを、適宜
目的に応じて使い分け、ウエハ上の3点の一次元マーク
の位置を検出してウエハの概略位置計測を行ういわゆる
サーチアライメントや、ウエハ上の各ショット領域の正
確な位置計測を行うファインアライメント等を行ってい
る。
【0076】この場合、一方のアライメント系88A
は、ウエハステージWST1上に保持されたウエハW1
上のアライメントマークの位置計測等に用いられる。ま
た、他方のアライメント系88Bは、ウエハステージW
ST2上に保持されたウエハW2上のアライメントマー
クの位置計測等に用いられる。これらのアライメント系
88A,88Bを構成する各アライメントセンサからの
検出信号は、アライメント制御装置80に供給され、ア
ライメント制御装置80では供給された検出信号をA/
D(アナログ/デジタル)変換し、デジタル化した波形
信号を演算処理してマーク位置を検出する。この検出結
果が主制御装置90に送られ、主制御装置90からその
検出結果に応じてステージ制御装置38に対して露光時
の位置補正情報等が出力されるようになっている。
【0077】また、図示省略したが、投影光学系PL
1、及びアライメント系88A,88Bのそれぞれに
は、ウエハW1(又はW2)の露光面のベストフォーカ
ス位置からのデフォーカス量を検出するためのオートフ
ォーカス/オートレベリング計測機構(以下、「AF/
AL系」という)が設けられている。この内、投影光学
系PL1のAF/AL系としては、いわゆる斜入射方式
の多点AF系が使用されている。そして、アライメント
系88A,88Bにも同様なAF/AL系が設けられて
いる。即ち、本例では、露光時のデフォーカス量の検出
に用いられるAF/AL系とほぼ同一の計測領域に対し
て、アライメントシーケンス時に用いられるAF/AL
系によっても検出ビームが照射できる構成となってい
る。このため、アライメント系88A,88Bを使用し
たアライメントシーケンス時にも、露光時と同程度の合
焦精度で高精度にアライメントマークの位置計測を行う
ことができる。換言すれば、露光時とアライメント時と
の間で、ステージの姿勢によるオフセット(誤差)が発
生しなくなる。
【0078】次に、レチクル駆動機構について、図5及
び図6を参照して説明する。このレチクル駆動機構は、
レチクルベース盤79上をレチクルR1を保持してXY
平面の2次元方向に移動可能なレチクルステージRST
1と、同じ移動面に沿ってレチクルR2を保持して2次
元方向に移動可能なレチクルステージRST2と、これ
らのレチクルステージRST1,RST2を駆動する不
図示のリニアモータと、これらのレチクルステージRS
T1,RST2の位置を管理するレチクル干渉計システ
ムとを備えている。
【0079】これを更に詳述すると、図6に示されるよ
うに、これらのレチクルステージRST1,RST2は
走査方向(Y方向)に直列に設置されており、不図示の
空気軸受を介してレチクルベース盤79上に浮上支持さ
れ、レチクルステージ駆動機構81R(図5参照)によ
りX方向の微小駆動、θ方向の微小回転及びY方向の走
査駆動がなされるように構成されている。なお、レチク
ルステージ駆動機構81Rは、ウエハ用のステージ装置
と同様のリニアモータを駆動源としているが、図5では
説明の便宜上から単なるブロックとして示しているもの
である。このため、レチクルステージRST1,RST
2上のレチクルR1,R2が例えば二重露光の際に選択
的に使用され、何れのレチクルR1,R2についてもウ
エハW1,W2と同期走査できる様な構成となってい
る。
【0080】これらのレチクルステージRST1,RS
T2上には、+X方向の側面に、レチクルステージRS
T1,RST2と同じ素材(例えばセラミックス等)か
ら成る移動鏡82A,82BがそれぞれY方向に延設さ
れており、これらの移動鏡82A,82Bの+X方向の
反射面に向けてレーザ干渉計(以下、単に「干渉計」と
いう)83X1〜83X5からレーザビームよりなる計
測ビーム91X1〜91X5が照射され、干渉計83X
1〜83X5ではその反射光を受光して所定の基準面に
対する相対変位を計測することにより、レチクルステー
ジRST1,RST2のX方向の位置を計測している。
ここで、干渉計83X3からの計測ビーム91X3は、
実際にはそれぞれ独立に変位計測できるY方向に離れた
2本の計測ビームを有しており、これらの2つの計測値
よりレチクルステージRST1,RST2のX方向の位
置とヨーイング量(Z軸の回りの回転角)とを計測する
ことができる。
【0081】本例では、計測ビーム91X1〜91X5
のY方向の間隔は、移動鏡82A,82BのY方向の幅
よりも短く設定されており、これによって移動鏡82
A,82Bには常時何れかの計測ビーム91X1〜91
X5が照射されている。また、或る時点で隣接する2本
の計測ビーム(例えば91X1,91X2)が同一の移
動鏡(例えば82B)に同時に照射されるようになり、
この状態を対応する干渉計83X1,83X2が部分的
に計測範囲を重複しているとみなすことができる。これ
によって、後述のように干渉計83X1〜83X4の計
測値を順次干渉計83X2〜83X5の計測値に高精度
に受け渡すことができる。干渉計83X1〜83X5の
計測値は図5のステージ制御装置38に供給され、これ
らの計測値に基づいてステージ制御装置38は、ウエハ
ステージWST1,WST2との同期誤差を補正するた
めに、レチクルステージ駆動機構81Rを介してレチク
ルステージRST1,RST2の回転制御やX方向の位
置制御を行なう。
【0082】一方、図6において、第1のレチクルステ
ージRST1の走査方向に沿った−Y方向の端部には、
一対の移動鏡としてのコーナーキューブ89A,89B
が設置されている。そして、一対のダブルパス方式の干
渉計(不図示)から、これらのコーナーキューブ89
A,89Bに対して、それぞれ2本のレーザビームより
なる計測ビーム(図6では、1本の計測ビームで代表し
ている)91Y1,91Y2が照射され、その不図示の
一対の干渉計によって所定の基準面に対してレチクルス
テージRST1のY方向の相対変位が計測される。ま
た、第2のレチクルステージRST2の+Y方向の端部
にも、一対のコーナーキューブ89C,89Dが設置さ
れ、一対のダブルパス方式の干渉計83Y3,83Y4
からこれらのコーナーキューブ89C,89Dに対して
計測ビーム91Y3,91Y4(実際にはそれぞれ2本
のレーザビームよりなる)が照射され、干渉計83Y
3,83Y4によってそれぞれレチクルステージRST
2のY方向の変位が計測されている。
【0083】これらのダブルパス方式の干渉計の計測値
も、図5のステージ制御装置38に供給され、その計測
値に基づいてレチクルステージRST1,RST2のY
方向の位置が制御される。即ち、本例では、計測ビーム
91X1〜91X5を有する干渉計83X1〜83X5
と、計測ビーム91Y1,91Y2及び計測ビーム91
Y3,91Y4を有する2対のダブルパス方式の干渉計
とによってレチクルステージ用の干渉計システムが構成
されている。なお、干渉計83X1〜83X5が図5で
は干渉計83で表され、移動鏡82A,82B及び計測
ビーム91X1〜91X5がそれぞれ図5では移動鏡8
2及び計測ビーム91Xで表されている。
【0084】次に、ウエハステージWST1,WST2
の位置を管理する干渉計システムについて図5〜図7を
参照して説明する。図5〜図7に示すように、投影光学
系PL1の投影像の中心(光軸AX1)と、アライメン
ト系88A,88Bのそれぞれの検出中心とを通りX軸
に平行な軸に沿って、ウエハステージWST1の−X方
向の側面の反射面84Xには、干渉計87X2から3軸
のレーザビームよりなる計測ビーム92X2が照射され
ている。同様に、ウエハステージWST2の+X方向の
側面の反射面85Xには、干渉計87X5から3軸のレ
ーザビームよりなる計測ビーム92X5が照射されてい
る。干渉計87X2,87X5ではそれらの反射光を受
光することにより、各反射面の基準位置からのX方向へ
の相対変位を計測している。
【0085】この場合、図6に示すように、計測ビーム
92X2及び92X5は、それぞれ互いに独立に変位計
測を行うことができる3軸のレーザビームであるため、
対応する干渉計87X2,87X5は、それぞれウエハ
ステージWST1,WST2のX方向の位置を計測する
以外に、各ステージのチルト角(Y軸の回りの回転角)
計測、及びヨーイング角(Z軸回りの回転角)の計測を
することができる。この場合、本例のウエハステージW
ST1及びWST2には、図6に示すようにそれぞれウ
エハW1及びW2のZ方向への微小駆動、傾斜角の駆
動、及びZ軸の回りの回転駆動を行うためのZ・レベリ
ングステージLS1及びLS2が設けられているが、Z
・レベリングステージLS1及びLS2は実際には反射
面84X,85Xよりも低い部分にある。従って、ウエ
ハW1,W2のチルト角制御、及びヨーイング角制御の
際の駆動量は全て、これらの干渉計87X2,87X5
によりモニタすることができる。
【0086】なお、X軸の計測ビーム92X2,92X
5は、ウエハステージWST1,WST2の移動範囲の
全域で常にウエハステージWST1,WST2の反射面
84X,85Xに照射されるようになっている。従っ
て、X方向については、投影光学系PL1を用いた露光
時、又はアライメント系88A,88Bの使用時等の何
れの場合にも、ウエハステージWST1,WST2のX
方向の位置は計測ビーム92X2,92X5を用いた計
測値に基づいて管理される。
【0087】また、図6及び図7に示すように、ウエハ
ステージWST1,WST2の+Y方向の側面が移動鏡
としての反射面84Y及び85Yに加工されており、投
影光学系PL1の光軸AX1を通りY軸に平行な計測ビ
ーム92Y3が干渉計87Y3から反射面84Y,85
Yに照射されている。また、アライメント系88A,8
8Bのそれぞれの検出中心を通りY軸に平行な計測ビー
ム92Y1,92Y5をそれぞれ有する干渉計87Y
1,87Y5も設けられている。本例の場合、投影光学
系PL1を用いた露光時のウエハステージWST1,W
ST2のY方向の位置計測には、計測ビーム92Y3を
持つ干渉計87Y3の計測値が用いられ、アライメント
系88A、又は88Bの使用時のウエハステージWST
1、又はWST2のY方向の位置計測には、それぞれ干
渉計87Y1又は87Y5の計測値が用いられる。
【0088】従って、各使用条件により、Y軸の干渉計
87Y1,87Y3,87Y5の計測ビームがウエハス
テージWST1,WST2の反射面84Y,85Yより
外れる場合がある。そのため、本例では、干渉計87X
1及び87Y3の間にY軸に平行な計測ビーム92Y2
を持つ干渉計87Y2を設け、干渉計87Y3及び87
Y5の間にY軸に平行な計測ビーム92Y4を持つ干渉
計87Y4を設けることにより、ウエハステージWST
1,WST2の反射面84Y,85Yに常時、少なくと
も一つの干渉計からの計測ビームが照射されるようにし
ている。このために、移動鏡としての反射面84Y及び
85YのX方向の幅をDX1とすると、計測ビーム92
Y1,92Y2,…,92Y5のX方向の間隔DX2を
幅DX1よりも狭く設定している。この結果、計測ビー
ム92Y1〜92Y5中の隣接する2つの計測ビームが
同時に反射面84Y,85Y上に照射される場合が必ず
生じる(部分的に重複する計測範囲を有する)ため、後
述のようにその状態で第1の干渉計から第2の干渉計に
計測値の受け渡しを行っている。これによって、ウエハ
ステージWST1,WST2はY方向においても、高い
再現性で高精度に位置決めが行われる。
【0089】なお、Y方向の位置計測用の計測ビーム9
2Y1,92Y3,92Y5は、それぞれZ方向に離れ
て独立に位置計測を行うことができる2軸のレーザビー
ムよりなるため、対応する干渉計87Y1,87Y3,
87Y5は、それぞれ計測対象の反射面84Y,85Y
のY方向の位置の他に、X軸の回りの傾斜角(チルト
角)の計測も行うことができる。本例では、干渉計87
X2,87X5,87Y1〜87Y5の合計7つの干渉
計によって、ウエハステージWST1,WST2の2次
元の座標位置を管理する干渉計システムが構成されてい
る。本例では、後述するように、ウエハステージWST
1,WST2の内の一方が露光シーケンスを実行してい
る間、他方はウエハ交換、及びウエハアライメントシー
ケンスを実行するが、この際に両ステージの機械的な干
渉がないように、各干渉計の計測値に基づいてステージ
制御装置38が、ウエハステージWST1,WST2の
位置及び速度制御を行っている。
【0090】次に、本例の照明系及び制御系について、
図5に基づいて説明する。図5において、露光光源であ
るKrF、ArF、又はF2 等のエキシマレーザ光源と
減光システム(減光板等)とよりなる光源部40から射
出されたパルスレーザ光よりなる露光光は、シャッタ4
2を透過した後、ミラー44により偏向されて、ビーム
エキスパンダ46,48により適当なビーム径に整形さ
れ、第1フライアイレンズ50に入射する。この第1フ
ライアイレンズ50から射出された露光光は、レンズ5
2、振動ミラー54、レンズ56を介して第2フライア
イレンズ58に入射する。この第2フライアイレンズ5
8より射出された露光光は、レンズ60を経て、レチク
ルR1(又はR2)と共役な位置に設置された固定ブラ
インド62に達し、ここで所定形状にその断面形状が規
定された後、レチクルとの共役面から僅かにデフォーカ
スした位置に配置された可動ブラインド64を通過し
て、リレーレンズ66,68を経て均一な照度分布の光
として、レチクルR1上の所定形状、ここでは矩形スリ
ット状の照明領域IA(図6参照)を照明する。
【0091】次に、本例の制御系は、装置全体を統轄的
に制御する主制御装置90を中心に、この主制御装置9
0の管轄下にある露光量制御装置70及びステージ制御
装置38等から構成されている。例えばレチクルR1の
パターンをウエハW1に露光する場合には、露光量制御
装置70は、レチクルR1とウエハW1との同期走査が
開始されるのに先立って、シャッタ駆動装置72に指示
してシャッタ駆動部74を駆動させてシャッタ42をオ
ープンする。
【0092】この後、ステージ制御装置38により、主
制御装置90の指示に応じてレチクルR1とウエハW
1、即ちレチクルステージRST1とウエハステージW
ST1との同期走査(走査制御)が開始される。この同
期走査は、前述したウエハステージ用の干渉計システム
の計測ビーム92Y3,92X2及びレチクルステージ
用の干渉計システムの計測ビーム91Y1,91Y2,
91X3の計測値をモニタしつつ、ステージ制御装置3
8によってステージ駆動系81W、及びレチクルステー
ジ駆動機構81Rを制御することにより行われる。
【0093】そして、両ステージRST1,WST1が
所定の同期誤差以内で投影倍率比を速度比として、それ
ぞれ等速度駆動された時点で、露光量制御装置70で
は、レーザ制御装置76に指示してパルス発光を開始さ
せる。これにより、露光光によってレチクルR1の矩形
の照明領域IA(図6参照)が照明され、その照明領域
IA内のパターンの像が投影光学系PL1により1/5
倍に縮小され、その表面にフォトレジストが塗布された
ウエハW1上に投影露光される。ここで、図6からも明
らかなように、レチクルR1上のパターン領域に比べ照
明領域IAの走査方向の幅は狭く、レチクルR1とウエ
ハW1とを同期走査することで、パターン領域の全面の
像がウエハ上のショット領域に順次転写される。この露
光の際に、露光量制御装置70は、ミラー駆動装置78
に指示して振動ミラー54を駆動させることで、2つの
フライアイレンズ50,58で発生する干渉縞による照
度むらの低減を行う。
【0094】また、走査露光中にウエハW1上の各ショ
ット領域のエッジ部の近傍に、レチクルR1上のパター
ン領域の外部(遮光帯の外部)を通過した露光光が漏れ
ないように、レチクルR1とウエハW1との走査に同期
して可動ブラインド64がブラインド制御装置39によ
って駆動制御されており、これらの一連の同期動作がス
テージ制御装置38により管理されている。更に、主制
御装置90では、例えば、走査露光時に同期走査を行う
レチクルステージとウエハステージとの助走開始位置等
を補正する場合、各ステージを移動制御するステージ制
御装置38に対してステージ位置の補正値を指示する。
【0095】次に、上記のように本例のレチクルステー
ジRST1,RST2、及びウエハステージWST1,
WST2にはそれぞれ部分的に計測範囲が重複している
複数の干渉計が配置されており、干渉計の計測値が順次
受け渡されるように構成されている。以下では、図7の
ウエハステージWST2、及び2つのY軸の干渉計87
Y3及び87Y4を例に取って、干渉計の計測値の受け
渡し動作、即ち干渉計の計測値のプリセット動作につき
図7〜図10を参照して説明する。
【0096】まず、図7の位置にあるウエハステージW
ST2が−X方向に移動すると、この移動の途中で計測
ビーム92Y4が、ウエハステージWST2の移動鏡と
しての反射面85Yに入射しなくなる。逆に、ウエハス
テージWST2が+X方向に移動すると、この移動の途
中で計測ビーム92Y3が、反射面85Yに入射しなく
なる。そこで、干渉計87Y4と干渉計87Y3との間
で、計測値の受け渡しを高精度に行って、干渉計87Y
4,87Y3の何れかを用いて再現性の有る状態でウエ
ハステージWST2のY座標の計測を行う必要がある。
このため、本例では、次のような工夫をしている。
【0097】図8(a)は、図7のウエハステージWS
T2を示す平面図であり、この図8(a)において、ウ
エハステージWST2のX方向の変位は、X軸の干渉計
87X5によって、また、ウエハステージWST2のY
方向の変位は、2つの干渉計87Y3,87Y4によっ
て測定されている。干渉計87Y3,87Y4の計測ビ
ーム92Y3,92Y4のX方向の間隔DX2は、ウエ
ハステージWST2の反射面85YのX方向の幅DX1
より狭くなっている。
【0098】ここで、本例の干渉計87Y4,87Y3
はそれぞれヘテロダイン干渉方式のレーザ干渉計であ
り、計測ビームの光源としては共通の不図示の2周波数
発振レーザ(例えばゼーマン効果型の波長633nmの
He−Neレーザ光源)が使用されている。この2周波
数発振レーザからは互いに偏光方向が直交し、所定の周
波数差Δf(例えば2MHz程度)を有する第1、及び
第2の光束が同軸にヘテロダインビームとして射出され
ており、先ずこのヘテロダインビームを例えば1/10
程度分岐して検光子で混合させた干渉光を光電変換する
ことで周波数Δfの参照信号SRが生成され、この参照
信号SRが干渉計87Y4,87Y3内のそれぞれの位
相比較器26(図9参照)に供給されている。
【0099】また、上記のヘテロダインビームをそれぞ
れ1/10程度分岐して得られた第1、及び第2のヘテ
ロダインビームが干渉計87Y3,87Y4に供給され
ており、干渉計87Y4は第2のヘテロダインビームの
偏光方向が直交する2光束の一方を計測ビーム92Y4
として、他方を参照ビーム(不図示)として、参照ビー
ムは不図示の参照鏡で反射される。そして、反射された
参照ビームと、反射面85Yで反射された計測ビーム9
2Y4とを検光子で混合させた干渉光を光電変換するこ
とで周波数Δfで、かつ位相が変化する測定信号S2が
生成されて図9の位相比較器26に供給され、位相比較
器26において、上記の参照信号SRと測定信号S2と
の位相差φ2が所定の分解能(例えば2π/100(r
ad))で検出されて積算器27に供給される。
【0100】この際に、計測ビーム92Y3,92Y4
の波長をλとして、1以上の整数mを用いて、反射面8
5YがY方向にλ/m(本例のようにシングルパス方式
ではm=2、一方、ダブルパス方式ではm=4)だけ移
動したときに、その位相差φ2が2π(rad)変化す
る。また、位相差φ2の範囲は0≦φ2<2πであり、
図9の積算器27では、位相差φ2が2πを+方向に横
切る際に所定の整数(干渉の次数に相当する)N2に1
を加算して、位相差φ2が0を−方向に横切る際にその
整数N2から1を減算する。そして、計測中は積算器2
7は{N1+φ2/(2π)}にλ/mを乗じた計測値
P2をウエハステージWST2のY方向の絶対位置とし
てステージ制御装置38に送る。
【0101】同様に、干渉計87Y3においても、計測
ビーム92Y3から得られる測定信号S1と上記の参照
信号SRとの位相差φ1、この位相差φ1が2π、又は
0を横切る毎に増減する整数N1、及びλ/mから算出
される計測値P1をステージ制御装置38に送る。即
ち、干渉計87Y3,87Y4はそれぞれウエハステー
ジWST2のY方向の位置を、λ/mの幅内では絶対位
置として計測している。
【0102】そして、本例のX軸の干渉計87X5は、
図6に示すようにY方向に離れた2つのレーザビームを
備えているため、これら2つのレーザビームによる反射
面85XのX座標の計測値の差分より、ウエハステージ
WST2の回転角θW2を計測できる。そこで、予め図
8(a)の状態でその回転角θW2が0となるようにウ
エハステージWST2を静止させた「初期状態」で、干
渉計87Y4,87Y3における整数N2,N1を0に
リセットすると共に、計測される位相差φ2,φ1に
{1/(2π)}(λ/m)を乗じて得られる計測値
(初期値)P20,P10をステージ制御装置38に取
り込む。
【0103】そして、ステージ制御装置38では、干渉
計87Y4,87Y3の計測値のオフセットをそれぞれ
−P20,−P10として、この後は干渉計87Y4,
87Y3から供給される計測値P2,P1にそのオフセ
ット(−P20,−P10)を加算した値を、干渉計8
7Y4,87Y3の実際の計測値P2’,P1’とす
る。即ち、この計測値P2’,P1’は、上記の初期状
態からのウエハステージWST2のY方向への変位量を
正確に表すことになる。その計測値の初期値(P20,
P10)は記憶されている。
【0104】さて、図8(a)において、ウエハステー
ジWST2が−X方向に更に移動して、図8(b)に示
す位置に達したとする。図8(b)では、干渉計87Y
4の計測ビーム92Y4が移動鏡としての反射面85Y
から外れている。この状態では、ウエハステージWST
2のY座標は、干渉計87Y3によって計測されている
ものとする。この状態から再び図8(a)に示す位置に
向かってウエハステージWST2が+X方向に移動を始
め、反射面85Yが干渉計87Y4の計測ビーム92Y
4の照射範囲(測定範囲)内に入った際に、干渉計87
Y4の計測値を以下のようにして設定(プリセット)す
る。
【0105】まず、X軸の干渉計87X5の計測ビーム
92X5(2本のレーザビーム)によってウエハステー
ジWST2の回転角θW2(ほぼ0に近い微小量(ra
d)である)を計測する。この状態で、図8(a)にお
いて、計測ビーム92Y3を用いる干渉計87Y3によ
るY座標の計測値P1を求める。ただし、この計測値P
1は、オフセット補正を行う前の直接の計測値である。
そして、例えばステージ制御装置38において、その計
測値P1より干渉計87Y4の干渉の次数N2(N2は
整数)と、端数ε2/(2π)との推定値を求める。こ
の端数ε2は、上記のφ2に対応する値である。
【0106】即ち、ステージ制御装置38内の演算部
は、計測ビーム92Y3,92Y4の間隔DX2、ウエ
ハステージWST2の回転角の計測値θW2、干渉計8
7Y3の計測値P1、及び干渉計87Y4,87Y3の
計測値の初期値の差分(=P20−P10)より、干渉
計87Y4のオフセット補正前の計測値P2の推定値P
2’を次のように算出する。 P2’=P1+DX2・θW2+(P20−P10)
【0107】例えば回転角の計測値θW2の計測精度が
高い場合には、この推定値P2’をそのまま干渉計87
Y4の現在の計測値P2の値としてプリセットしてもよ
い。しかしながら、計測値θW2には或る程度の計測誤
差が含まれていることがあるため、干渉計87Y4は幅
λ/m単位で絶対位置を計測できることを利用して、そ
の演算部はその指定値P2’を整数分と端数分とに分解
する。従って、干渉計87Y4の計測値の推定値P2’
の中で長さλ/mのN2倍の残りの値が端数ε2/(2
π)となる。即ち、ステージ制御装置38は次のように
整数N2、及び端数ε2を算出(推定)する。
【0108】 N2=g{P2’/(λ/m)} (1) ε2={P2’/(λ/m)−N2}(2π) (2) ここで、g{X}は、Xを超えない最大の整数を与える
関数である。後に詳述するようにステージ制御装置38
では、計測値P1から得られる干渉の次数及び端数の推
定値(N2,ε2)と、干渉計87Y4で実際に計測さ
れる位相差(絶対位相)φ2とから、干渉計87Y4の
整数(次数)N2のプリセット値を決定する。
【0109】図9は、本例のステージ制御装置38の一
部、及び干渉計87Y4の一部を示し、図9に示すよう
に、干渉計87Y4は、例えばレーザ光源から出力され
た参照信号SRと測定信号S2(計測ビームと参照ビー
ムとの干渉光の光電変換信号)とが入力される位相比較
器26を有している。位相比較器26は、参照信号SR
と測定信号S2との位相差φ2を検出し、検出された位
相差φ2は積算器27に出力されると共に、ステージ制
御装置38内の計算処理装置28にも出力されている。
なお、他の干渉計もそれぞれ位相比較器26、及び積算
器27を備えている。
【0110】積算器27は、計測時には上記のようにそ
の位相差φ2の変化より整数N2を積算して、{N2+
φ2/(2π)}に(λ/m)を乗じて得られる計測値
P2を、移動鏡(本例では反射面85Y)の移動量を示
す情報としてステージ制御装置38に出力している。但
し、今のように計測値の受け渡しを行うときには、計算
処理装置28では、位相比較器26から入力された位相
差φ2と、上記の演算部から入力された端数の推定値ε
2とを比較する。この比較は、推定された位相差の推定
値ε2が0(ゼロ)又は2πに近い場合、推定した干渉
の次数を示す整数N2が±1の範囲でずれている可能性
があるので、その検証のために行うものである。この比
較の動作を図10を参照しつつ説明する。便宜上、図1
0では、N2の推定値を次数Nとしている。
【0111】図10(a)〜(c)において、横軸は参
照信号と計測信号との位相差を表し、特に干渉の次数k
=N−1,k=N,k=N+1の範囲の位相差を図示し
ている。1つの次数内で位相差は2π変化している。図
10(a)は、実際の位相差φ2と位相差の推定値ε2
との差の絶対値がπより小さい(|φ2−ε2|<π)
場合を示している。この場合は図示の通り実際の位相差
φ2は次数N内にあるので、干渉の次数は推定値通りN
であり、次数のプリセット値N’=Nとする。図10
(b)は、実際の位相差φ2から位相の推定値ε2を減
じた値がπより大きい(φ2−ε2>π)場合を示して
いる。この場合は図示の通り実際の位相差φ2は次数N
−1内にあるので、プリセット値N’は、N’=N−1
とする。また、図10(c)は、実際の位相差φ2から
位相の推定値ε2を減じた値が−πより小さい(φ2−
ε2<−π)場合を示している。この場合は図示の通り
実際の位相差φ2は次数N+1内にあるので、N’=N
+1とする。
【0112】計算処理装置28では、以上のようにして
求めたプリセット値N’を、図9の積算器27に対する
プリセット値REとして出力する。積算器27では、プ
リセット値RE(即ちN’)を整数N2のプリセット値
として設定し、位相比較器26からの位相差φ2とその
整数N’とから次のようにY座標の計測値P2を算出し
て、ステージ制御装置38に供給し、後は通常の計測動
作を行う。 P2=(λ/m)・N’+(λ/m)(φ2/2π) (3) これによって、干渉計87Y4の計測値P2は、実質的
に元の値に復帰したことになると共に、干渉計87Y3
の計測値が干渉計87Y4に正確に受け渡されたことに
なる。
【0113】以上のように本例では、鏡面からの反射光
が再び得られるようになった第1の干渉計にプリセット
値を設定する際には、他の第2の干渉計の測定値から算
出される測定値をその第1の干渉計の干渉の次数(N
1、又はN2)を決定するための推定値として利用し、
推定された干渉の次数とその第1の干渉計で測定した位
相差(絶対位相)φとに基づいて、その第1の干渉計の
干渉の次数(N1、又はN2)のプリセット値、ひいて
は干渉計の計測値のプリセット値を決定するようにして
いる。この際には、測定ビームが鏡面から一旦外れてい
るため、干渉の次数N2又はN1が不明であるが、他の
干渉計の測定値から計算で干渉の次数が求められるた
め、その干渉計のプリセット値はその干渉計固有の精度
で設定することができる。
【0114】なお、装置立ち上げ時や、何らかの原因で
全ての測定値に計測誤差が混入し、全ての干渉計の計測
値をリセットする必要が生じた場合には、図9におい
て、計算処理装置28に次数N2=0を送り、同じく計
算処理装置28の出力(プリセット値)RE(=0)を
積算器27に設定するようにしておく必要がある。この
場合は、結局のところ位相差(絶対位相)φ2に対応す
る値だけが積算器27(干渉計87Y4)に設定される
ことになる。同様に干渉計87Y3の初期値も位相差φ
1に対応する値となる。
【0115】また、積算器27の出力P2が必要に応じ
て計算処理装置18にフィードバックされるようしても
よい。この場合、積算器27を例えばリセットした後、
計算処理装置28からリセット値が積算器27に設定さ
れるまでの間のウエハステージの変位量までを含めて積
算器27にプリセット値として設定することができる。
この際には、ウエハステージからの反射光が受光可能に
なったときから、プリセット値RE2が積算器27に設
定されるまでの間のウエハステージの変位量まで考慮し
たより精密な初期値の設定を行うことができるようにな
る。
【0116】また、本例ではウエハステージWST2が
移動する際には、ウエハステージWST2の側面85Y
に干渉計87Y3〜87Y5からの計測ビームの内何れ
か1本の計測ビームが照射されている必要がある。その
ため、本例では、各計測ビーム間の間隔(例えば、図8
に示す計測ビーム92Y3,92Y4の間隔DX2)
が、ウエハステージWST2のX方向の幅DX1よりも
短くなるように干渉計を配置している。
【0117】また、図6のレチクルステージRST1,
RST2の位置計測を行うための干渉計83X1〜83
X5においても、同様にして干渉計の初期値(プリセッ
ト値)設定が行われ、これに基づいて計測値の受け渡し
が行われる。次に、本例の投影露光装置では、ウエハス
テージWST1及びWST2との間でそれぞれウエハの
交換を行う第1及び第2の搬送システムが設けられてい
る。
【0118】第1の搬送システムは、図11に示すよう
に、左側のウエハローディング位置にあるウエハステー
ジWST1との間で後述するようにしてウエハ交換を行
う。この第1の搬送システムは、Y軸方向に延びる第1
のローディングガイド96A、このローディングガイド
96Aに沿って移動する第1及び第2のスライダ97
A,97C、第1のスライダ97Aに取り付けられたア
ンロードアーム98A、第2のスライダ97Cに取り付
けられたロードアーム98C等を含んで構成される第1
のウエハローダと、ウエハステージWST1上に設けら
れた3本の上下動部材から成る第1のセンターアップ9
9とから構成される。
【0119】この第1の搬送システムによるウエハ交換
の動作について、簡単に説明する。ここでは、図11に
示すように、左側のウエハローディング位置にあるウエ
ハステージWST1上にあるウエハW1’と第1のウエ
ハローダにより搬送されてきたウエハW1とが交換され
る場合について説明する。まず、主制御装置90では、
ウエハステージWST1上の不図示のウエハホルダの真
空吸着をオフにしてウエハW1’の吸着を解除する。次
に、主制御装置90では、不図示のセンターアップ駆動
系を介してセンターアップ99を所定量上昇させる。こ
れにより、ウエハW1’が所定位置まで持ち上げられ
る。この状態で、主制御装置90では、不図示のウエハ
ローダ制御装置を介してアンロードアーム98Aをウエ
ハW1’の真下に移動させる。この状態で、主制御装置
90では、センターアップ99を所定位置まで下降駆動
させて、ウエハW1’をアンロードアーム98Aに受け
渡した後、アンロードアーム98Aの真空吸着を開始さ
せる。次に、主制御装置90では、ウエハローダ制御装
置にアンロードアーム98Aの退避とロードアーム98
Cの移動開始を指示する。これにより、アンロードアー
ム98Aが図11の−Y方向への移動を開始し、ウエハ
W1を保持したロードアーム98CがウエハステージW
ST1の上方に来たとき、ウエハローダ制御装置により
ロードアーム98Cの真空吸着が解除され、続いてセン
ターアップ99を上昇駆動することで、ウエハW1がウ
エハステージWST1上に受け渡される。
【0120】また、ウエハステージWST2との間でウ
エハの受け渡しを行う第2の搬送システムは、図12に
示すように、第1の搬送システムと対称に、第2のロー
ディングガイド96B、この第2のローディングガイド
96Bに沿って移動するスライダ97B及び97D、第
3のスライダ97Bに取り付けられたアンロードアーム
98B、第4のスライダ97Dに取り付けられたロード
アーム98D等を含んで構成されている。ロードアーム
98Dには次に露光されるウエハW2’が保持されてい
る。
【0121】次に、本例の投影露光装置の2つのウエハ
ステージWST1,WST2による並行処理について図
11及び図12を参照して説明する。図11には、ウエ
ハステージWST2上のウエハW2に投影光学系PL1
を介して露光を行っている間に、左側ローディング位置
にて上述の様にしてウエハステージWST1と第1の搬
送システムとの間でウエハの交換が行われている状態の
平面図が示されている。この場合、ウエハステージWS
T1上では、ウエハ交換に引き続いて後述するようにし
てアライメント動作が行われる。なお、図11におい
て、露光動作中のウエハステージWST2の位置制御
は、干渉計システムの計測ビーム92X5,92Y3の
計測値に基づいて行われ、ウエハ交換とアライメント動
作とが行われるウエハステージWST1の位置制御は、
干渉計システムの計測ビーム92X2,92Y1の計測
値に基づいて行われる。このため、図5の主制御装置9
0ではステージ制御装置38に指示して、ウエハ交換と
アライメント動作とをする前に、後述する干渉計の計測
値の初期値設定(プリセット)を実施している。
【0122】ウエハ交換、及び干渉計の初期値設定に引
き続いて、サーチアライメントが行われる。ウエハ交換
後に行われるサーチアライメントとは、ウエハW1の搬
送中になされるプリアライメントだけでは位置誤差が大
きいため、ウエハステージWST1上で再度行われるプ
リアライメントのことである。具体的には、ステージW
ST1上に載置されたウエハW1上に形成された3つの
サーチアライメントマーク(不図示)の位置を図5のア
ライメント系88AのLSA系のセンサ等を用いて計測
し、その計測結果に基づいてウエハW1のX方向、Y方
向、及びθ方向の位置合わせを行う。このサーチアライ
メントの際の各部の動作は、主制御装置90により制御
される。
【0123】このサーチアライメントの終了後、ウエハ
W1上の各ショット領域の配列をここではEGA(エン
ハンスト・グローバル・アライメント)方式で求めるフ
ァインアライメントが行われる。具体的には、干渉計シ
ステム(計測ビーム92X2,92Y1)により、ウエ
ハステージWST1の位置を管理しつつ、設計上のショ
ット配列データ(アライメントマーク位置データ)をも
とに、ウエハステージWST1を順次移動させつつ、ウ
エハW1上の所定のショット領域(サンプルショット)
のアライメントマーク位置を図5のアライメント系88
AのFIA系のセンサ等で計測し、この計測結果とショ
ット配列の設計座標データに基づいて最小自乗法による
統計演算により、全てのショット配列データを算出す
る。なお、このEGA方式のファインアライメントの際
の各部の動作は図5の主制御装置90により制御され、
上記の演算は主制御装置90により行われる。
【0124】そして、ウエハステージWST1側で、ウ
エハ交換、及びアライメント動作が行われている間に、
ウエハステージWST2側では、2枚のレチクルR1,
R2を使い、露光条件を変えながら連続してステップ・
アンド・スキャン方式により二重露光が行われる。具体
的には、前述したウエハW1側と同様にして、事前にE
GA方式によるファインアライメントが行われており、
この結果得られたウエハW2上のショット配列データに
基づいて、順次ウエハW2上のショット領域を投影光学
系PL1の光軸下方に移動させた後、各ショット領域の
露光の都度、図6のレチクルステージRST1(又はR
ST2)とウエハステージWST2とを走査方向に同期
走査させることにより、走査露光が行われる。このよう
なウエハW2上の全ショット領域に対する露光がレチク
ル交換後にも連続して行われる。具体的な二重露光の露
光順序としては、ウエハW2の各ショット領域にレチク
ルR2を使って順次走査露光を行った後、レチクルステ
ージRST1,RST2を+Y方向に所定量移動してレ
チクルR1を助走開始位置に設定した後、走査露光を行
う。このとき、レチクルR2とレチクルR1とでは露光
条件(輪帯照明、変形照明等の照明条件、及び露光量
等)や透過率が異なるので、予め露光データ等に基づい
て各条件の変更を行う必要がある。このウエハW2の二
重露光中の各部の動作も主制御装置90によって制御さ
れる。
【0125】上述した図11に示す2つのウエハステー
ジWST1,WST2上で並行して行われる露光シーケ
ンスとウエハ交換・アライメントシーケンスとは、先に
終了したウエハステージの方が待ち状態となり、両方の
動作が終了した時点で図12に示す位置までウエハステ
ージWST1,WST2が移動制御される。そして、露
光シーケンスが終了したウエハステージWST2上のウ
エハW2は、右側ローディングポジションでウエハ交換
がなされ、アライメントシーケンスが終了したウエハス
テージWST1上のウエハW1は、投影光学系PL1の
下で露光シーケンスが行われる。図12に示される右側
ローディングポジションでは、左側ローディングポジシ
ョンと同様に、前述のウエハ交換動作とアライメントシ
ーケンスとが実行されることとなる。
【0126】上記のように本例では、2つのウエハステ
ージWST1,WST2を独立して2次元方向に移動さ
せながら、各ウエハステージ上のウエハW1,W2に対
して露光シーケンスとウエハ交換・アライメントシーケ
ンスとを並行して行うことにより、スループットの向上
を図っている。ところが、2つのウエハステージを使っ
て2つの動作を同時並行処理する場合は、一方のウエハ
ステージ上で行われる動作が外乱要因として、他方のウ
エハステージで行われる動作に影響を与える場合があ
る。また、逆に、一方のウエハステージ上で行われる動
作が他方のウエハステージで行われる動作に影響を与え
ない動作もある。そこで、本例では、並行処理する動作
の内、外乱要因となる動作とならない動作とに分けて、
外乱要因となる動作同士、あるいは外乱要因とならない
動作同士が同時に行われるように、各動作のタイミング
調整が図られる。
【0127】例えば、走査露光中は、ウエハW1とレチ
クルR1,R2とを等速で同期走査させることから外乱
要因とならない上、他からの外乱要因を極力排除する必
要がある。このため、一方のウエハステージWST1上
での走査露光中は、他方のウエハステージWST2上の
ウエハW2で行われるアライメントシーケンスにおいて
静止状態となるようにタイミング調整がなされる。即
ち、アライメントシーケンスにおける計測は、ウエハス
テージWST2を静止させた状態で行われるため、走査
露光にとって外乱要因とならず、走査露光中に並行して
マーク計測を行うことができる。一方、アライメントシ
ーケンスにおいても、走査露光中は、等速運動なので外
乱とはならず高精度計測が行えることになる。
【0128】また、ウエハ交換時においても同様のこと
が考えられる。特に、ロードアームからウエハをセンタ
ーアップに受け渡す際に生じる振動等は、外乱要因とな
り得るため、走査露光前、あるいは、同期走査が等速度
で行われるようになる前後の加減速時(外乱要因とな
る)に合わせてウエハの受け渡しをするようにしても良
い。なお、これらのタイミング調整は、主制御装置90
によって行われる。
【0129】更に、本例では、複数枚のレチクルを使っ
て二重露光を行うことから、高解像度とDOF(焦点深
度)の向上効果が得られる。しかし、この二重露光法
は、露光工程を少なくとも2度繰り返さなければならな
いため、単一のウエハステージを用いる場合には、露光
時間が長くなって大幅にスループットが低下する。しか
しながら、本例の2台のウエハステージを備えた投影露
光装置を用いることにより、スループットが大幅に改善
できると共に、高解像度と焦点深度DOFの向上効果と
が得られる。
【0130】なお、本発明の適用範囲がこれに限定され
るものではなく、一重露光法により露光する場合にも本
発明は好適に適用できるものである。2台のウエハステ
ージを使用することによって、1つのウエハステージを
使って一重露光法を実施する場合に比べてほぼ倍の高ス
ループットを得ることができる。なお、この第2の実施
の形態において、第1の実施の形態のように、露光光の
状態又は結像特性を計測するための計測用ステージを更
に設けるようにしてもよい。また、本例では、1次元モ
ータの組み合わせによってウエハステージを駆動してい
るが、第1の実施の形態のように、平面モータによって
2次元的に駆動するようにしてもよい。
【0131】本実施の形態の投影露光装置は、多数の機
械部品からなるレチクルステージRST(RST1,R
ST2)、ウエハステージWST(WST1,WST
2)を組み立てるとともに、複数のレンズから構成され
る投影光学系PL(PL1)の光学調整を行い、更に、
総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより製
造することができる。なお、投影露光装置の製造は温度
及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うこ
とが望ましい。
【0132】また、上記の実施の形態では、ステップ・
アンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用し
たが、本発明はこれに限られず、ステップ・アンド・リ
ピート方式の投影露光装置、プロキシミティ方式の露光
装置、あるいは、X線等のEUV光を露光ビームとする
露光装置や電子線(エネルギ線)を光源(エネルギ線)
とする荷電粒子線露光装置であっても同様に適用するこ
とができる。また、露光装置のみならず、ウエハ等を位
置決めするためのステージを使用する検査装置、又はリ
ペア装置等に用いてもよい。
【0133】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。
【0134】
【発明の効果】本発明の第1のステージ装置によれば、
個別の機能毎、又は所定の複数の機能群毎にそれぞれ可
動ステージを設けることによって、各可動ステージを小
型化させて、高速にかつ高精度に駆動することができ
る。また、複数の可動ステージをそれぞれ第1測定系の
計測範囲よりも大きい範囲で移動させることができ、更
に、各可動ステージがその第1測定系の計測範囲内に入
った際には、第1測定系によりその可動ステージの位置
を高い再現性で高精度に計測することができる。
【0135】次に、本発明の第2のステージ装置によれ
ば、その複数の可動ステージの位置をそれぞれ広い計測
範囲で、かつ高い再現性で高精度に計測できる。また、
その第1測定系の計測結果をその第2測定系の計測結果
に合わせるのみでその可動ステージの位置を第1測定系
により高精度に計測できるため、スループットの向上を
図ることができる。
【0136】次に、本発明の第1の露光装置によれば、
本発明のステージ装置を備えているため、例えば干渉計
によりその可動ステージの位置を計測する場合には、移
動鏡をその可動ステージの移動範囲よりも小さくするこ
とができ、その可動ステージの重量を小さくすることが
できる。従って、その可動ステージを高速に移動させる
ことが容易になり、高いスループットで二重露光法等を
用いて露光を行うことができ、解像度、及び焦点深度の
向上を図ることができる。
【0137】次に、本発明の第2の露光装置によれば、
本来の露光に使用するその第1の可動ステージには露光
に必要な最小限の機能のみを持たせることによって、そ
の第1の可動ステージの大きさは必要最小限にできるた
め、ステージの小型化、軽量化を行いスループットの向
上を図ることできる。一方、露光に直接必要がなく、そ
のマスクのパターンを転写する際の特性を計測するため
の特性計測装置は、別の第2の可動ステージに搭載され
るため、そのマスクのパターンを転写する際の特性を計
測することもできる。また、本発明のステージ装置を備
えているため、その複数の可動ステージの位置を高精度
に計測することができる。
【0138】次に、本発明の第3の露光装置によれば、
例えばその複数の可動ステージの内の一方の可動ステー
ジで露光動作を行いながら、別の可動ステージでは基板
の搬入搬出及びアライメント動作を行うことができ、ス
ループットの向上を図ることができる。次に、本発明の
第4の露光装置によれば、本来の露光に使用するその第
1の可動ステージには露光に必要な最小限の機能のみを
持たせることによって、その第1の可動ステージの小型
化、軽量化を行いスループットの向上を図ることができ
る。一方、露光に直接必要がなく、その投影光学系の結
像特性を計測するための特性計測装置は、別の第2の可
動ステージに搭載されるため、結像特性も計測できる。
【0139】次に、本発明の第1の位置決め方法によれ
ば、迅速にその複数の可動ステージの位置を高精度に計
測して位置決めすることができる。同様に、本発明の第
2の位置決め方法によれば、迅速にその複数の可動ステ
ージの位置を高精度に計測して位置決めすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態の投影露光装置の
概略構成図である。
【図2】 図1のウエハステージWST、及び計測用ス
テージ14を示す平面図である。
【図3】 図1のレチクルステージRST、及び計測用
ステージ5を示す平面図である。
【図4】 第1の実施の形態において、計測用ステージ
14を用いて露光光の状態等を計測する場合の説明に供
する平面図である。
【図5】 本発明の第2の実施の形態の投影露光装置の
概略構成図である。
【図6】 図5の実施の形態の2つのウエハステージW
ST1,WST2と、2つのレチクルステージRST
1,RST2と、投影光学系PL1と、アライメント系
88A,88Bとの位置関係を示す斜視図である。
【図7】 図5のウエハステージの駆動機構の構成を示
す平面図である。
【図8】 本発明の第2の実施の形態において実施され
る干渉計の計測値設定を説明するための図である。
【図9】 本発明の第2の実施の形態の干渉計システム
に用いられる信号処理系の一部の概略構成を示す図であ
る。
【図10】 本発明の第2の実施の形態の干渉計システ
ムにおける信号処理の一例を示す図である。
【図11】 2つのウエハステージWST1,WST2
を使用してウエハ交換・アライメントシーケンスと露光
シーケンスとが行われている状態を示す平面図である。
【図12】 図11のウエハ交換・アライメントシーケ
ンスと露光シーケンスと切り換えを行った状態を示す図
である。
【符号の説明】
MA,MB,MC1,MC2,MD1,MD2…基準マ
ーク、R,R1,R2…レチクル、RA,RB…レチク
ルアライメント顕微鏡、RST,RST1,RST2…
レチクルステージ、W,W1,W2…ウエハ、WST,
WST1,WST2…ウエハステージ、5…計測用ステ
ージ、7X1,7X2,7Y,8Y,15X1,15X
2,15Y…レーザ干渉計、10…主制御系、11…結
像特性演算系、13…定盤、14…計測用ステージ、1
6…ウエハアライメントセンサ、26…位相比較器、2
7…積算器、28…計算処理装置、38…ステージ制御
装置、83X1〜83X5,83Y1〜83Y4,87
X2,87X5,87Y1〜87Y5…干渉計、88
A,88B…アライメント系、90…主制御装置
フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 AA12 BA01 KA03 KA28 KA38 LA10 5F046 AA13 CC01 CC02 CC13 CC16 CC17 DB05 DB10 DC05 DC12

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の移動面に沿って互いに独立に移動
    自在に配置された複数の可動ステージと、 前記複数の可動ステージの内の一つの可動ステージの位
    置を所定の計測範囲内で計測する第1測定系と、を備え
    たステージ装置であって、 前記複数の可動ステージのそれぞれに対して、該可動ス
    テージの前記計測範囲内の所定の基準位置からの位置ず
    れ量、又は前記基準位置に対する合致度を計測する第2
    測定系、を備え、 前記第2測定系の計測結果に基づいて前記第1測定系の
    計測値の補正を行うことを特徴とするステージ装置。
  2. 【請求項2】 所定の移動面に沿って互いに独立に移動
    自在に配置された複数の可動ステージと、 前記複数の可動ステージの内の一つの可動ステージの位
    置を所定の第1の計測範囲内で計測する第1測定系と、
    を備えたステージ装置であって、 前記複数の可動ステージのそれぞれに対して、前記第1
    の計測範囲と部分的に重複する第2の計測範囲内で位置
    を連続的に計測する第2測定系と、 前記第1及び第2測定系の計測結果に基づいて該2つの
    測定系の計測結果を補正する制御系と、を設けたことを
    特徴とするステージ装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のステージ装置であって、 前記第1測定系は干渉計であり、 前記第2測定系は、順次部分的に重複する計測範囲を有
    する複数の干渉計であることを特徴とするステージ装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1、2、又は3記載のステージ装
    置を備えた露光装置であって、 前記ステージ装置の前記複数の可動ステージに互いに異
    なるパターンが形成されたマスクを載置し、前記複数の
    可動ステージ上のマスクのパターンを交互に位置決めを
    行いながら基板上に転写することを特徴とする露光装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1、2、又は3記載のステージ装
    置を備えた露光装置であって、 前記ステージ装置の前記複数の可動ステージの第1の可
    動ステージ上にマスクを載置し、第2の可動ステージ上
    に前記マスクのパターンを転写する際の特性を計測する
    ための特性計測装置を載置し、 前記マスクのパターンを基板上に転写することを特徴と
    する露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1、2、又は3記載のステージ装
    置を備えた露光装置であって、 前記ステージ装置の前記複数の可動ステージ上にそれぞ
    れ基板を載置し、 前記複数の可動ステージを交互に露光位置に位置決めし
    ながら、前記複数の基板上に交互に所定のマスクパター
    ンを露光することを特徴とする露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項1、2、又は3記載のステージ装
    置と、投影光学系と、を備えた露光装置であって、 前記ステージ装置の前記複数の可動ステージの第1の可
    動ステージ上に基板を載置し、第2の可動ステージ上に
    前記投影光学系の結像特性を計測するための特性計測装
    置を載置し、 前記第1の可動ステージ上の基板上に所定のマスクパタ
    ーンを前記投影光学系を介して露光することを特徴とす
    る露光装置。
  8. 【請求項8】 請求項1記載のステージ装置を用いた位
    置決め方法であって、 前記複数の可動ステージの内の一つの可動ステージが前
    記第1測定系の計測範囲内に入った際に、該可動ステー
    ジの前記計測範囲内の所定の基準位置からの位置ずれ
    量、又は前記基準位置に対する合致度を前記第2測定系
    により計測し、該計測結果に基づいて前記第1測定系の
    計測値の補正を行うことを特徴とするステージ装置を用
    いた位置決め方法。
  9. 【請求項9】 請求項2、又は3記載のステージ装置を
    用いた位置決め方法であって、 前記複数の可動ステージの内の一つの可動ステージが前
    記第2の計測範囲側から前記第1の計測範囲内に入る際
    に、前記第1及び第2測定系によって同時に前記可動ス
    テージの位置を計測し、該計測結果に基づいて前記第1
    測定系の計測結果を前記第2測定系の計測結果に合わせ
    ることを特徴とするステージ装置を用いた位置決め方
    法。
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