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JP2002207213A - 液晶表示素子又はそれを用いた表示装置 - Google Patents

液晶表示素子又はそれを用いた表示装置

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Publication number
JP2002207213A
JP2002207213A JP2001003186A JP2001003186A JP2002207213A JP 2002207213 A JP2002207213 A JP 2002207213A JP 2001003186 A JP2001003186 A JP 2001003186A JP 2001003186 A JP2001003186 A JP 2001003186A JP 2002207213 A JP2002207213 A JP 2002207213A
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JP
Japan
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liquid crystal
degrees
crystal display
display device
angle
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001003186A
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English (en)
Inventor
Shoichi Hirota
昇一 廣田
Katsuhide Aoto
勝英 青砥
Makoto Tsumura
津村　　誠
Kayao Takemoto
一八男 竹本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Priority to EP01119717.5A priority patent/EP1223459B1/en
Priority to US09/938,618 priority patent/US6501523B2/en
Priority to TW90121222A priority patent/TW574518B/zh
Priority to KR10-2001-0052333A priority patent/KR100426750B1/ko
Priority to CNB01125873XA priority patent/CN1182425C/zh
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高速応答性を備えかつ高コントラストな液晶表
示素子及びそれを用いた表示装置を実現する。 【解決手段】反射型液晶ライトバルブを用いた表示装置
であって，例えば偏光ビームスプリッタのような偏光素
子と反射型液晶ライトバルブとの間に設けた位相差板の
位相差を概ね入射光の波長に対し４分の１波長とし，か
つ前記位相差板の光学軸（遅相軸ないし進相軸）と入射
偏光の偏光方向とを０度より僅かに大きくずらして配置
したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子、及び
液晶表示素子を用いた液晶表示装置、例えば液晶プロジ
ェクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ネマティック液晶を用いた反射型液晶ラ
イトバルブ用の液晶表示モードに大きく分けて３種類の
方式がある。傾斜ホメオトロピックＥＣＢ(Electricall
yControlled Birefringence）モード，ホモジニアスＥ
ＣＢモード，反射型ツイストネマティックモードであ
る。
【０００３】傾斜ホメオトロピックＥＣＢモードとは斜
方蒸着法等を用いて液晶分子を基板垂直方向から僅かに
傾けて配置させる配向方式であり、例えばアプライド・
フィジックス・レターズ ２０，１９９（１９７２年）
に記載されている。
【０００４】ホモジニアスＥＣＢモードとは液晶分子を
基板に対し略平行に配向させる方式であり、例えば特開
平１−７０２１号公報に記載されている。
【０００５】反射型ツイストネマティックモードとは、
液晶分子を基板に対し略平行に配向させると同時に液晶
分子を挟持する２つの基板近傍での配向方向を捩じれの
位置関係とする方式である。なお、ツイストネマティッ
クモードにはさらにいくつかの方式が提案されており、
例としてＨＦＥ(Hybrid Field Effect）モード，ＴＮ−
ＥＣＢ（Twisted Nematic - Electrically Controlled
Birefringence）モード，ＳＣＴＮ（Self-Compensated
Twisted Nematic)モード、ＭＴＮ(MixedmodeTwisted Ne
matic)モード等がある。
【０００６】ＴＮ−ＥＣＢモードについてはジャパン・
ディスプレイ‘８９，ｐ.１９２(１９８９年）に、ＳＣ
ＴＮモードについては特開平１０−０９０７３１号公報
に、ＭＴＮモードについてはアプライド・フィジックス
・レターズ６８，ｐ.１４５５（１９９６年）にそれぞ
れ記載されている。また上記反射型ツイストネマティッ
クモード全体についての包括的な解析がプロシーディン
グ・オブ・エス・ピー・アイ・イー３６３５，ｐ.８７
(１９９９年）及びプロシーディング・オブ・アイ・デ
ィー・ダブリュー‘９９，ｐ.９８５(１９９９年）に記
載されている。
【０００７】なお、このうちＨＦＥモードは電圧０Ｖｒ
ｍｓのときには黒（暗）表示となり電圧を印加したとき
には白（明）表示となる、いわゆるノーマリブラック型
の表示モードである。他の３モードは電圧０Ｖｒｍｓの
ときには白（明）表示となり電圧を印加したときに黒
（暗）表示となる、いわゆるノーマリホワイト型の表示
モードである。
【０００８】そしてこれら反射型液晶ライトバルブを用
いた光学系として代表的なものは偏光ビームスプリッタ
を用いた光学系であり例えば特開昭６１−１３８８５号
公報に記載されている。また他の例として、主たる光学
軸を液晶ライトバルブの鉛直方向に対して斜めとする光
学系が特開平４−３１９９１０号公報に記載されてい
る。
【０００９】なお反射型液晶ライトバルブと位相差板と
を組み合わせた技術として、偏光ビームスプリッタと１
／４波長板と反射型液晶ライトバルブとを組み合わせ、
かつ１／４波長板の進相軸または遅相軸が偏光ビームス
プリッタの入射光軸と反射光軸とを含む平面に直交する
ように配置する技術が特開平２−２５００２６号公報及
びＵＳＰ5,327,270 に、偏光ビームスプリッタと組み合
わせる位相差板のリターデーションを０.２５(すなわち
１／４波長)以上とする技術がＵＳＰ5,576,854にそれぞ
れ開示されている。また特開平１−７０２１号公報には
複屈折物質層を備えた偏光制御装置についての記載があ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】プロシーディング・オ
ブ・エス・ピー・アイ・イー ３６３５，ｐ.８７(1999
年）は、ノーマリホワイト型の反射型のツイストネマテ
ィックモードの中においてＭＴＮモードを含む条件が光
利用効率，色度特性，駆動電圧(コントラスト比)の各特
性のバランスにおいて最も優れていると報告する。
【００１１】しかし、液晶の高速応答特性を重視すると
ＴＮ−ＥＣＢモードを含む条件がより望ましい。液晶分
子の高速応答特性の重要性についてパーソナルコンピュ
ータのディスプレイに使用される場合を例に挙げ、述べ
る。
【００１２】パーソナルコンピュータにおける画像信号
は通常１秒当り少なくとも６０フレーム以上の画像信号
により構成される。即ちパーソナルコンピュータのディ
スプレイに画像を表示する場合、表示が画像信号へ確実
に追随するためには１フレームに対応する時間以下すな
わち１／６０秒＝１６.７ ミリ秒以下で液晶が応答する
必要がある。もし液晶の応答時間が１フレームに対応す
る時間以上であると、画像信号とは異なった画像がディ
スプレイに表示され、画像の移動方向後方に本来は見え
ないはずの残像として認識されることとなってしまう。
これは特に動画像において顕著であり画像の品質を著し
く低下させることとなる。従って良好な画像品質の液晶
ディスプレイを実現するためには液晶応答が高速である
液晶の表示モードを選択する必要がある。
【００１３】そして一般的に液晶の応答時間は液晶層の
厚みの自乗に比例することが知られているため、厚みが
薄いほど高速な応答が期待できる。この点においてＴＮ
−ＥＣＢモードを含む条件はＭＴＮモードを含む条件よ
りもより所望の規格化リターデーションが小さいので、
同じ液晶材料を用いた場合であってもＭＴＮモードを含
む条件より液晶層の厚みを狭くすることができる。よっ
てＭＴＮモードよりも液晶の応答時間の短縮（すなわち
液晶応答の高速化）を図ることができる。
【００１４】さらに、透過型液晶ライトバルブよりも反
射型液晶ライトバルブを用いることで応答時間を短縮で
きる。以下説明する。
【００１５】ライトバルブにおける光の変調に寄与する
成分として、リターデーションがある。リターデーショ
ンは液晶層の厚みｄと、液晶の屈折率異方性Δｎと、の
積で与えられる。
【００１６】透過型液晶ライトバルブの場合はリターデ
ーションはｄΔｎで与えられるが、反射型液晶ライトバ
ルブの場合は反射ミラーにより光路が折り返されるため
液晶層を入射光が往復する。つまり反射型液晶ライトバ
ルブの場合は光の変調に寄与するリターデーションが２
倍の２ｄΔｎとなり、同じ液晶層の厚みでも透過型液晶
ライトバルブの２倍のリターデーションを得ることがで
きる。即ち、反射型液晶ライトバルブでは同じ屈折率異
方性の液晶材料を用いた場合であっても、所望のリター
デーションを得るために必要な液晶層の厚みを透過型液
晶ライトバルブの概ね２分の１にすることができる。よ
って反射型液晶ライトバルブが大幅な高速応答性が期待
できる。
【００１７】以上、本発明の主な目的の一つは高速応答
が可能な液晶表示装置を提案することにある。
【００１８】また、透過型の液晶ライトバルブにおいて
は僅かな直流電圧の重畳によるフリッカの発生を防止す
るために隣接画素の印加電圧が互いに逆極性となる駆動
をする。しかし印加電圧の極性の異なる隣接画素間の領
域には横電界が生じるため、この領域では液晶の配向が
乱れる。これは例えば光り漏れによるコントラスト比の
低下につながる。
【００１９】そのため透過型液晶ライトバルブにおいて
は液晶配向の乱れた領域を遮光することでコントラスト
比の低下を防止している。しかし、これは１画素におけ
る開口部の占める割合である開口率を大幅に低下させて
しまうという課題を残す。
【００２０】一方反射型ライトバルブは反射画素電極に
より画素のほぼ全域を覆うことができるため、１００％
に限りなく近い開口率を実現できるという大きな特徴を
有している。但し、もちろん上記の隣接画素間領域に生
じる横電界に起因する液晶配向の乱れをできるだけ避け
る必要がある。そのため反射型ライトバルブにおいては
一フレーム毎に印加電圧の極性を反転するフレーム反転
駆動を行うことにより隣接画素同志が互いに逆極性にな
らないようにしている。それでも例えば白画像と黒画像
の境界部の隣接画素間には横電界が生じる場合がある。
【００２１】この横電界によって液晶配向が乱れないよ
うにするためには基板と液晶分子とのなす角度であるい
わゆるプレチルト角度を適切に調整する必要がある。
【００２２】ホメオトロピック配向において、隣接画素
間の横電界による液晶配向の乱れを防止するためには、
基板界面の液晶分子の角度を基板鉛直方向から数度傾け
る必要がある。しかし液晶分子を傾けると位相差を生じ
るためコントラスト比が低下する。即ち耐横電界性とコ
ントラスト比とはトレードオフの関係にある。従ってこ
れらを考慮し最も適切な関係を求める必要がある。
【００２３】本発明の他の目的は、コントラスト比が高
い液晶表示装置を提案することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては、透明電極と反射電極とに挟持され
た液晶層と、液晶層を駆動する複数の画素回路とを備え
た反射型の液晶ライトバルブと、位相差板とを備えた液
晶表示素子において、前記位相差板を、位相差板の光学
軸（遅相軸ないし進相軸）と位相差板への入射偏光の偏
光方向とを僅かにずらして配置したことを特徴とする液
晶表示素子を提供する。
【００２５】さらに前記液晶表示素子における位相差板
のリターデーションが、位相差板への入射光の波長の概
ね４分の１であることを特徴とする液晶表示素子を提供
する。
【００２６】本発明の液晶表示素子における液晶層に好
適な例はツイストネマティック配向の液晶である。ツイ
スト角度を概ね５０度から９０度の範囲内とし、かつ位
相差板角度を０度よりも大きく１０度以下とすることに
より高コントラスト比が実現できる。
【００２７】あるいはまた、ツイスト角度を概ね５０度
から９０度の範囲内とし、かつ位相差板角度を９０度よ
りも小さく８０度以上とすることにより高コントラスト
比が実現できる。
【００２８】本発明の液晶表示素子における液晶層の他
の好適な例はホメオトロピック配向の液晶である。第一
の液晶配向方向が４５度であるとき、位相差板角度を０
度よりも小さく−１０度以上とすることにより高コント
ラスト比が実現できる。
【００２９】あるいはまた、位相差板角度を９０度より
も大きく１００度以下とすることにより高コントラスト
比が実現できる。
【００３０】あるいはまた、上記課題を解決するために
本発明においては、透明電極と反射電極とに挟持された
液晶層と、液晶層を駆動する複数の画素回路とを備えた
反射型の液晶ライトバルブと、位相差板とを備えた液晶
表示素子と、偏光光学素子と、光源を備えた液晶表示装
置において、前記位相差板は前記液晶ライトバルブと前
記偏光光学素子との間に配置され、前記位相差板のリタ
ーデーションは前記位相差板への入射光の波長の概ね４
分の１であり、前記位相差板の光学軸と前記偏光光学素
子の偏光軸とのなす角度の絶対値が小さくとも０度より
も大きく、かつ１０度以下であることを特徴とする液晶
表示装置を提供する。
【００３１】さらに前記液晶表示装置における液晶表示
素子が、上記の液晶表示素子の何れかであることを特徴
とする液晶表示装置を提供する。
【００３２】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１は本発明の液晶
表示装置における各光学素子の光学軸の関係を示した図
である。
【００３３】なお、この液晶表示装置は、液晶プロジェ
クタや液晶テレビ等の製品に適用出来る。
【００３４】図１は簡単のため、反射型の液晶ライトバ
ルブ１０９，位相差板１０４，偏光ビームスプリッタ１
０２のみで記述する。
【００３５】尚、液晶ライトバルブ１０９はこのライト
バルブを駆動する液晶駆動ドライバ（図示せず）に接続
され、液晶駆動ドライバは入力される画像情報に応じて
適切に液晶層を駆動する。
【００３６】偏光ビームスプリッタ１０２は偏光子兼検
光子の偏光素子として用いられており、構造としては２
つのプリズムを張り合わせたものである。これにより偏
光ビームスプリッタ１０２は張り合わせ界面１０３にお
いて、偏光成分に応じ透過又は反射するという特性を有
する。
【００３７】位相差板１０４は液晶ライトバルブ１０９
と偏光ビームスプリッタ１０２との間に配置される。位
相差板１０４の材料としては例えばポリカーボネートフ
ィルムを延伸して複屈折性を持たせた材料が好適であ
る。他の材料としてはポリビニルアルコールフィルム，
ポリスチレンフィルム，ノルボルネンフィルム等も好適
である。尚、ここで挙げる材料は好適な材料の一例であ
り上記の材料のみに限定されるものではない。また、位
相差板１０４において、偏光ビームスプリッタ１０２の
張り合わせ界面１０３に対するｓ偏光の偏光面と平行な
軸を光学軸105，ｐ偏光の偏光面と平行な軸を光学軸１
０６とする。尚、光学軸には進相軸と遅相軸とがあるが
ここでは便宜的に進相軸を１０８，遅相軸を１０７とす
る。また進相軸と遅相軸との関係は入れ替えてもよく、
他の実施例においても同様とする。
【００３８】次にこの各光学素子の配置における作用に
ついて説明する。
【００３９】光源(図示せず)が発した光１０１は偏光ビ
ームスプリッタ１０２に入射する。入射した光１０１の
うち、偏光ビームスプリッタ１０２の張り合わせ界面１
０３（以下、単に「界面１０３」という。）に対するｓ
偏光の成分が位相差板１０４の方向へ反射する。そして
この反射したｓ偏光は位相差板１０４を透過し、液晶ラ
イトバルブ１０９に到達する。そして液晶ライトバルブ
１０９で反射を受け、再度位相差板１０４を透過し、偏
光ビームスプリッタ１０２に入射する。尚この場合ｓ偏
光成分の光は位相差板１０４及び液晶ライトバルブ１０
９を透過する際に位相変調を受けている。よって偏光ビ
ームスプリッタ１０２に再び入射する光は位相変調によ
り界面１０３に対するｐ偏光成分を生じており、このｐ
偏光成分が界面１０３を透過して出射光１１２となり、
投写レンズ系（図示せず）を介し、スクリーン上（図示
せず）に画像を形成することとなる。一方、張り合わせ
界面１０３に対するｓ偏光成分は張り合わせ界面１０３
で光源（図示せず）の方向へ反射され、スクリーンへ投
写されることはない。尚、液晶ライトバルブ１０９を駆
動することで光源へ戻る光とスクリーンへ向かう光との
強度比を調整することが可能である。つまりスクリーン
へ向かう光の強度が最大になるときが白(明)表示状態で
あり、逆にランプへの戻り光の強度が最大になるときが
黒（暗）表示状態である。
【００４０】図２は本発明の液晶表示素子の断面図であ
り、液晶ライトバルブ１０９及び位相差板１０４の断面
を示す。
【００４１】液晶ライトバルブ１０９は、ガラス基板１
３０と液晶層１３１とアクティブマトリクス基板１３２
とを有して構成される。
【００４２】実施例１ではアクティブマトリクス基板１
３２として単結晶シリコン基板が用いられている。アク
ティブマトリクス基板１３２はｎ型基板１３３上にｐ型
井戸１３４，ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor）トラ
ンジスタ１３５，保持容量１３６，各トランジスタ間の
配線，絶縁膜，反射電極１３７とその保護膜１４０等を
有している。また、プロジェクタ用ライトバルブは高強
度光にさらされるため、光がＭＯＳトランジスタ１３５
の領域に侵入しないよう遮光層１４１をも有している。
【００４３】ガラス基板１３０は透明電極１３８を備え
ており、アクティブマトリクス基板１３２とガラス基板
１３０との間には液晶層１３１，支柱１３９が設けられ
ている。尚、支柱１３９は液晶層１３１の厚みを一定に
保つ。
【００４４】位相差板１０４は液晶ライトバルブ１０９
のガラス基板１３０側に配置されている。実施例１にお
いては液晶ライトバルブ１０９と離して配置されている
が、ガラス基板１３０上に貼付けてもよい。また位相差
板１０４には光利用効率の低下やコントラスト比の低下
を防止するための反射防止コーティングを施しておくこ
とも望ましい。
【００４５】なお、位相差板１０４のリターデーション
は概ね位相差板へ入射する光の波長の４分の１程度であ
ればよい。「概ね位相差板への入射光の波長の４分の１
程度であればよい」とは可視光の波長領域である４００
ｎｍから７００ｎｍの４分の１である１００ｎｍから１
７５ｎｍの範囲内にあればよいということを意味する。
これは他の実施例においても同様である。 （実施例２）実施例２では液晶層にツイストネマティッ
ク配向を適用している。
【００４６】まず図３を用いて光学配置について説明す
る。
【００４７】図３はパネルにおける鉛直方向から見たと
きの各光学軸の相対関係を示した図であり、透明基板を
手前側、反射基板を奥側としている。ここで透明基板上
の液晶配向方向を第１の液晶配向方向１２０，反射基板
上の液晶配向方向を第２の液晶配向方向１２１，第１及
び第２の液晶配向方向とのなす角度であって、液晶のね
じれ角度をツイスト角度１２２、とそれぞれ定義する。
尚、ツイスト角度122の符号は反時計周りを正、時計周
りを負とし、他の図面においても同様とする。
【００４８】第１の液晶配向方向１２０と光学軸１０５
若しくは１０６とのなす角度であって、何れか小さいほ
うの角度を液晶配向角度（θ）１２３と定義する。図３
においては第１の液晶配向方向１２０と光学軸１０５と
のなす角度で記述している。尚、配向角度１２３の符号
は時計周りを正、反時計周りを負とし、他の図面におい
ても同様とする。
【００４９】位相差板１０４の遅相軸１０７又は進相軸
１０８と、光学軸１０５又は１０６のうち液晶配向角度
１２３を定義した光学軸とのなす角度のうち鋭角の方を
位相差板角度（θｐ）１２４ａと定義する。尚、図３に
おいては遅相軸１０７と光学軸１０５とのなす角度で記
述しているが、遅相軸１０７の代りに進相軸１０８であ
ってもかまわない。
【００５０】また位相差板１０４の遅相軸１０７又は進
相軸１０８と、光学軸１０５又は１０６とのなす角度で
あって、最も小さい角度を絶対位相差板角度１２４ｂと
定義する。尚、絶対位相差板角度１２４ｂの符号は正の
みである。
【００５１】以下、液晶層１３１及び位相差板１０４の
具体的なパラメータについて説明していく。まず液晶層
１３１のパラメータについて述べる。
【００５２】ツイストネマティック液晶層はｎ層の複屈
折媒体を光学軸をφ／ｎずつずらしながら積層したモデ
ルによりよく記述されることが知られている。特にｎ＝
∞の時の伝播行列はジョーンズ行列と呼ばれ次式で与え
られる。
【００５３】
【数１】
【００５４】ただし、
【００５５】
【数２】
【００５６】
【数３】
【００５７】
【数４】
【００５８】
【数５】
【００５９】である。ここでφはツイスト角度、ｄはセ
ルギャップ、Δｎは屈折率異方性、λは波長である。さ
らに、反射型液晶ライトバルブの場合、光は反射を受け
かつ液晶層を２回通過することとなるため、伝播行列は
以下のように記述できる。
【００６０】
【数６】
【００６１】ここでＲ（φ）は回転行列、Ｒｅは反転行
列である。これを用いて偏光配置が直交ニコルの場合の
反射率Ｒを計算すると以下のようになる。
【００６２】
【数７】
【００６３】ここで、θは液晶配向角度である。そして
反射率Ｒを最大（Ｒ＝１）にするためには数７において
各自乗項を０とすればよい。
【００６４】図４（ａ）は数７においてＲ＝１とした場
合に、ツイスト角度φとｄΔｎ／λの関係を示した図で
あり、図中の実線はＲ＝１を満たす解を示す線である。
図４（ａ）の実線を見る限りにおいて、Ｒ＝１即ち反射
効率が１００％となる条件が存在するのはツイスト角度
７３度以下に限られることが分かる（実線はφ＝７３度
を最大値とする曲線である）。尚、ツイスト角度φ＜７
３度の領域では、１つのツイスト角φに対するｄΔｎ／
λの最適条件が２つの値を有している、即ち二つのブラ
ンチＢ１，Ｂ２に分岐している。一方ツイスト角度φ＞
７３°での効率最大の最適条件は、
【００６５】
【数８】
【００６６】
【数９】
【００６７】を解くことにより求めることができ、この
解を図４（ａ）中の点線（Ｂ３）に示す。また図４
（ｂ）に図４（ａ）に示す各条件から導かれる液晶配向
角度θのツイスト角度φ依存性を示しておく。これは図
４（ｂ）中のＢ１，Ｂ２及びＢ３は各々図４（ａ）中の
Ｂ１，Ｂ２及びＢ３と対応するものである。
【００６８】次に代表するパラメータ条件としてツイス
ト角度が５０度，６０度，７０度，８０度，９０度のと
きのパラメータを用いて位相差板１０４の位相差板角度
124aと液晶ライトバルブの反射率との関係について述べ
る。尚、各パラメータ条件は図４（ａ）及び図４（ｂ）
における白丸２０１から２１０の条件に該当する。尚、
ツイスト角を９０度以下としたのは反射率が実用的なレ
ベルとして８０％が望ましいためであり、５０度以上と
したのは、黒（暗）表示時における可視領域の光の反射
率を１％以下（コントラスト比約１００）に抑えるため
に望ましいからである。まず、ツイスト角度が５０度の
場合について、図５（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
図５（ａ），（ｂ）は白（明）表示時の反射スペクトル
を、様々な位相差板１０４の角度θｐ（位相差板角度１
２４ａ）について示した図である。尚、縦軸は反射率
を、横軸は波長を表している。また、印加電圧は０Ｖｒ
ｍｓである。
【００６９】図５（ａ）では、位相差板角度θｐ＝０の
ときの反射率を基準として、θｐを大きくしていくと反
射率が小さくなっていく様子が分かる。一方図５（ｂ）
では、θｐ＝９０度のときの反射率を基準として、θｐ
を小さくしていくと反射率の最大値がほぼ同等でやや短
波長側にピークがシフトしていくことが分かる。
【００７０】次にこのときの黒（暗）表示時の反射スペ
クトルを図６（ａ），（ｂ）に示す。印加電圧は５Ｖｒ
ｍｓである。
【００７１】図６（ａ）では、位相板角度θｐ＝０度の
ときの反射率を基準としてθｐを大きくしていくと反射
率が小さくなることが分かる。特に可視領域の中心であ
り、コントラストに大きく関係する波長０.５５μｍ 近
傍に着目すると、θｐが５度から６度近傍のときに反射
率が最小となり、さらにθｐを大きくすると逆に反射率
が大きくなることがわかる。従って、位相差板角度１２
４ａ（θｐ）は０度よりも大きく１０度以下程度である
と言える。また図６（ｂ）に示すようにθｐ＝９０度の
反射率を基準としてθｐを小さくしていくと反射率が小
さくなることが分かる。先ほどと同様に波長０.５５μ
ｍ 近傍に着目するとθｐが８５度近傍のときに反射率
が最小となり、さらにθｐを小さくすると逆に反射率が
大きくなることがわかる。従って位相差板角度１２４ａ
（θｐ）は９０度よりも小さくかつ８０度以上程度であ
るといえる。
【００７２】次に、ツイスト角度が６０度の場合につい
て、図７（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図７
（ａ），（ｂ）は白（明）表示時の反射スペクトルを、
様々な位相差板１０４の角度θｐ（位相差板角度１２４
ａ）について示した図である。尚、縦軸は反射率を、横
軸は波長を表している。また、印加電圧は０Ｖｒｍｓで
ある。
【００７３】図７（ａ）では、位相差板角度θｐ＝０の
ときの反射率を基準として、θｐを大きくしていくと反
射率が小さくなっていく様子が分かる。一方図７（ｂ）
では、θｐ＝９０度のときの反射率を基準として、θｐ
を小さくしていくと反射率の最大値がほぼ同等でやや短
波長側にピークがシフトしていくことが分かる。
【００７４】次にこのときの黒（暗）表示時の反射スペ
クトルを図８（ａ），（ｂ）に示す。印加電圧は５Ｖｒ
ｍｓである。
【００７５】図８（ａ）では、位相板角度θｐ＝０度の
ときの反射率を基準としてθｐを大きくしていくと反射
率が小さくなることが分かる。特に可視領域の中心であ
り、コントラストに大きく関係する波長０.５５μｍ 近
傍に着目すると、θｐが５度近傍のときに反射率が最小
となり、さらにθｐを大きくすると逆に反射率が大きく
なることがわかる。従って、位相差板角度１２４ａ（θ
ｐ）は０度よりも大きく１０度以下程度であると言え
る。また図８（ｂ）に示すようにθｐ＝９０度の反射率
を基準としてθｐを小さくしていくと反射率が小さくな
ることが分かる。先ほどと同様に波長０.５５μｍ 近傍
に着目するとθｐが８６度近傍のときに反射率が最小と
なり、さらにθｐを小さくすると逆に反射率が大きくな
ることがわかる。従って位相差板角度１２４ａ（θｐ）
は９０度よりも小さくかつ８０度以上程度であるといえ
る。
【００７６】また、ツイスト角度が７０度の場合につい
て、図９（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図９
（ａ），（ｂ）は白（明）表示時の反射スペクトルを、
様々な位相差板１０４の角度θｐ（位相差板角度１２４
ａ）について示した図である。尚、縦軸は反射率を、横
軸は波長を表している。また、印加電圧は０Ｖｒｍｓで
ある。
【００７７】図９（ａ）では、位相差板角度θｐ＝０の
ときの反射率を基準として、θｐを大きくしていくと反
射率が小さくなっていく様子が分かる。一方図９（ｂ）
では、θｐ＝９０度のときの反射率を基準として、θｐ
を小さくしていくと反射率の最大値がほぼ同等でやや短
波長側にピークがシフトしていくことが分かる。
【００７８】次にこのときの黒（暗）表示時の反射スペ
クトルを図１０（ａ），（ｂ）に示す。印加電圧は５Ｖ
ｒｍｓである。
【００７９】図１０（ａ）では、位相板角度θｐ＝０度
のときの反射率を基準としてθｐを大きくしていくと反
射率が小さくなることが分かる。特に可視領域の中心で
あり、コントラストに大きく関係する波長０.５５μｍ
近傍に着目すると、θｐが３度から４度近傍のときに反
射率が最小となり、さらにθｐを大きくすると逆に反射
率が大きくなることがわかる。従って、位相差板角度１
２４ａ（θｐ）は０度よりも大きく１０度以下程度であ
ると言える。また図１０（ｂ）に示すようにθｐ＝９０
度の反射率を基準としてθｐを小さくしていくと反射率
が小さくなることが分かる。先ほどと同様に波長０.５
５μｍ 近傍に着目するとθｐが８７度近傍のときに反
射率が最小となり、さらにθｐを小さくすると逆に反射
率が大きくなることがわかる。従って位相差板角度１２
４ａ（θｐ）は９０度よりも小さくかつ８０度以上程度
であるといえる。
【００８０】さらに、ツイスト角度が８０度の場合につ
いて、図１１（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１１
（ａ），（ｂ）は白（明）表示時の反射スペクトルを、
様々な位相差板１０４の角度θｐ（位相差板角度１２４
ａ）について示した図である。尚、縦軸は反射率を、横
軸は波長を表している。また、印加電圧は０Ｖｒｍｓで
ある。
【００８１】図１１（ａ）では、位相差板角度θｐ＝０
のときの反射率を基準として、θｐを大きくしていくと
反射率が小さくなっていく様子が分かる。一方図１１
（ｂ）では、θｐ＝９０度のときの反射率を基準とし
て、θｐを小さくしていくと反射率の最大値がほぼ同等
でやや短波長側にピークがシフトしていくことが分か
る。
【００８２】次にこのときの黒（暗）表示時の反射スペ
クトルを図１２（ａ），（ｂ）に示す。印加電圧は５Ｖ
ｒｍｓである。
【００８３】図１２（ａ）では、位相板角度θｐ＝０度
のときの反射率を基準としてθｐを大きくしていくと反
射率が小さくなることが分かる。特に可視領域の中心で
あり、コントラストに大きく関係する波長０.５５μｍ
近傍に着目すると、θｐが３度近傍のときに反射率が最
小となり、さらにθｐを大きくすると逆に反射率が大き
くなることがわかる。従って、位相差板角度１２４ａ
（θｐ）は０度よりも大きく１０度以下程度であると言
える。また図１２（ｂ）に示すようにθｐ＝９０度の反
射率を基準としてθｐを小さくしていくと反射率が小さ
くなることが分かる。先ほどと同様に波長０.５５μｍ
近傍に着目するとθｐが８８度から８７度近傍のときに
反射率が最小となり、さらにθｐを小さくすると逆に反
射率が大きくなることがわかる。従って位相差板角度１
２４ａ（θｐ）は９０度よりも小さくかつ８０度以上程
度であるといえる。
【００８４】さらに、ツイスト角度が９０度の場合につ
いて、図１３（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１３
（ａ），（ｂ）は白（明）表示時の反射スペクトルを、
様々な位相差板１０４の角度θｐ（位相差板角度１２４
ａ）について示した図である。尚、縦軸は反射率を、横
軸は波長を表している。また、印加電圧は０Ｖｒｍｓで
ある。
【００８５】図１３（ａ）では、位相差板角度θｐ＝０
のときの反射率を基準として、θｐを大きくしていくと
反射率が小さくなっていく様子が分かる。一方図１３
（ｂ）では、θｐ＝９０度のときの反射率を基準とし
て、θｐを小さくしていくと反射率の最大値がほぼ同等
でやや短波長側にピークがシフトしていくことが分か
る。
【００８６】次にこのときの黒（暗）表示時の反射スペ
クトルを図１４（ａ），（ｂ）に示す。印加電圧は５Ｖ
ｒｍｓである。
【００８７】図１４（ａ）では、位相板角度θｐ＝０度
のときの反射率を基準としてθｐを大きくしていくと反
射率が小さくなることが分かる。特に可視領域の中心で
あり、コントラストに大きく関係する波長０.５５μｍ
近傍に着目すると、θｐが0.5度から１度近傍のときに
反射率が最小となり、さらにθｐを大きくすると逆に反
射率が大きくなることがわかる。従って、位相差板角度
１２４ａ（θｐ）は０度よりも大きく１０度以下程度で
あると言える。また図１４（ｂ）に示すようにθｐ＝９
０度の反射率を基準としてθｐを小さくしていくと反射
率が小さくなることが分かる。先ほどと同様に波長０.
５５μｍ近傍に着目するとθｐが８９.５度から８９度
近傍のときに反射率が最小となり、さらにθｐを小さく
すると逆に反射率が大きくなることがわかる。従って位
相差板角度１２４ａ（θｐ）は９０度よりも小さくかつ
８０度以上程度であるといえる。
【００８８】以上をまとめると、ツイスト角度が小さい
ほど、黒（暗）表示時の反射率を最低にするために大き
な絶対位相差板角度１２４ｂを必要とする。しかし、た
とえツイスト角度が５０度のときであっても５度から６
度程度であり、１０度を越えることは無いといえる。
【００８９】よって、実施例２は位相差板角度１２４ａ
が０度よりも大きくかつ１０度以下であるか、あるいは
８０度以上でかつ９０度よりも小さいことを特徴とす
る。言い換えれば絶対位相差板角度１２４ｂが０度より
大きくかつ１０度以下であることを特徴とする。
【００９０】尚、図４からも分かる通り、ツイスト角度
が小さければ表示に必要な波長規格化リターデーション
も小さくなることが分かる。つまり、同じ液晶材料を用
いた場合において、ツイスト角度が小さいほど液晶層の
厚みを狭くすることができ、高速応答化を図ることがで
きる。ただし、図５から図１０を比較すれば分かるよう
にツイスト角度が７０度以下ではツイスト角度が小さい
ほど黒（暗）表示の反射率を最低にしたときの白（明）
表示の反射率が低くなってしまうことは考慮すべき点で
ある。また図９から図１４を比較すれば分かるようにツ
イスト角度が７０度以上ではツイスト角度が大きいほど
黒（暗）表示の反射率を最低にしたときの白（明）表示
の反射率が低いことも考慮すべき点である。実用的な白
（明）表示の反射率を８０％とするならばツイスト角度
は概ね５０度から９０度の範囲内にすることが望まし
く、最大の白（明）表示の反射率を得るためにはツイス
ト角度を７０度近傍とすることがより望ましい。さら
に、可視領域の中心である０.５５μｍ の波長における
最小の反射率に注目すると、θｐは０.５度 から６度の
間であることも望ましい。 （実施例３）実施例３では液晶層として傾斜ホメオトロ
ピック配向を適用している。
【００９１】図１５は実施例３の具体的な光学配置を示
しておく。図１５は図３と同様、パネルに対して鉛直方
向から見たときの各光学軸の相対関係を示す。実施例３
においてツイスト角度は０度であり、配向角度１２３は
概ね４５度である。
【００９２】まず、図１６を用いて隣接画素間の横電界
による液晶配向の乱れの問題について述べる。
【００９３】図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は液晶ライ
トバルブの断面図であり、液晶ライトバルブそれぞれの
液晶層に面するガラス基板１３０には透明電極１３８
が、アクティブマトリクス基板１３２の液晶層に面する
側には反射電極１３７が形成されている。また、透明電
極１３８には共通電圧Ｖｃｏｍが印加されている。図１
６（ａ）では隣接する反射電極１３７（画素に相当）に
等しい電圧（Ｖ１）が、図１６（ｂ）では隣接する反射
電極１３７間に異なる電圧（一方にＶ１、他方にＶ２，
Ｖ１＞Ｖ２）が印加されている場合を示している。尚、
図１６（ａ），（ｂ）のそれぞれにおいて等電位線１６
０を示す。
【００９４】図１６（ａ）においては隣接画素間の横電
界（縦方向の等電位線）がほとんど無いのに対し、図１
６（ｂ）においては隣接画素間において横電界が発生す
る。したがって、図１６（ａ）では液晶層１３１におけ
る液晶分子１５０の傾き方向が概ね一定であるのに対
し、図１６（ｂ）では隣接反射電極間における液晶分子
１５０の傾く方向が他の領域と比較して反転してしまう
領域が生じる。このような領域は液晶の応答が非常に遅
く、表示に悪影響を及ぼすこととなる。この問題を防止
するためには基板界面での液晶分子の傾き角を適切に制
御する必要がある。
【００９５】図１７に基板１５１界面における液晶分子
１５０の配向の模式図を示す。ここでは基板界面での液
晶分子の傾き角、即ち基板１５１の鉛直方向と液晶分子
150の長軸方向とのなす角度をθｔと定義する。液晶分
子の傾く方向の反転を防止する、つまり横電界への耐性
を確保するためにはθｔは４度から６度が望ましい。し
かしθｔを大きくすると黒（暗）表示時の反射率が増加
し、コントラスト比が低下しまうという問題が生じる。
すなわち隣接反射電極間の横電界への耐性とコントラス
ト比とがトレードオフの関係となっている。図１８にθ
ｔを２度，４度，６度としたときの印加電圧−反射率特
性を示す。図１８（ａ）はリニアプロットであり、図１
８（ａ）は同じ図の対数プロットである。図中におい
て、θｔが増加しても白（明）表示時(約３.５Ｖ付近）
の反射率は同程度であるのに対し、黒（暗）表示時（約
０Ｖ付近）の反射率は増加傾向を示している。コントラ
スト比は白（明）表示時の反射率を黒（暗）表示時の反
射率で割った値で与えられるため、図１８（ａ），
（ｂ）からはθｔの増加に対するコントラスト比の低下
の様子が分かる。
【００９６】図１９は位相差板１０４の角度に対する黒
（暗）表示時の反射スペクトルを示す図である。図１９
（ａ）はθｐが０度近傍である場合の反射スペクトル
を、図１９（ｂ）はθｐが９０度近傍である場合の反射
スペクトルをそれぞれ示している。
【００９７】図１９（ａ）は、位相差板角度１２４ｂた
るθｐを０度より小さくしていくと反射率が小さくなる
様子を示している。特に可視領域の中心であり、コント
ラストに大きく関係する波長０.５５μｍ 近傍に着目す
ると、θｐが−１度から−１.５ 度の間で反射率が最小
となり、さらにθｐ小さくすると逆に反射率が大きくな
ることがわかる。したがって、位相差板角度１２４ａは
０度よりも小さく−１０度以上である必要があると言え
る。また図１９（ｂ）に示すように、θｐ＝９０度の場
合に比べθｐを大きくしていくと反射率が小さくなる様
子が分かる。またここでも波長０.５５μｍ近傍に着目
するとθｐが９１度から９１.５度の間で反射率が最小
となり、さらにθｐを大きくすると逆に反射率が大きく
なることがわかる。従って、位相差板角度１２４ａは９
０度よりも大きく１００度以下である必要があると言え
る。よって言い換えると、実施例３の特徴は絶対位相差
板角度１２４ｂが小さくとも０度より大きく１０度以下
であることである。
【００９８】図２０は位相差板１０４の角度に対する白
（明）表示時の反射スペクトルを示す。図２０は、位相
差板角度１２４ａであるθｐを０度から−２度、又は９
０度から９２度としても反射スペクトルには大きな変化
がなく、コントラスト比における許容範囲内であること
が分かる。
【００９９】よって位相差板角度１２４ａであるθｐを
−１度から−１.５ 度、又は９１度から９１.５ 度とす
ることによりコントラスト比が大幅に向上する。言い換
えれば絶対位相差板角度１２４ｂを１度から１.５度 と
することによりコントラスト比が大幅に向上する。 （実施例４）実施例１の液晶ライトバルブを用いた液晶
プロジェクタの実施例について図２１を用いて説明す
る。実施例４の液晶プロジェクタは白色光源３０１と、
偏光ビームスプリッタ１０２と、ダイクロイックミラー
３０２，３０３と、実施例１の液晶ライトバルブ１０９
Ｒ，１０９Ｇ，１０９Ｂと、位相差板１０４Ｒ，104G，
１０４Ｂと、投写レンズ３０４等を有して構成される。
【０１００】白色光源３０１から出射した光はまず偏光
ビームスプリッタ１０２に入射する。そして偏光ビーム
スプリッタ１０２では紙面に垂直な偏光成分の光のみが
反射する。反射した光はダイクロイックミラー３０２及
び３０３で赤色，青色，緑色の三原色光に分離された後
それぞれの液晶ライトバルブ１０９Ｒ，１０９Ｇ，１０
９Ｂに入射する。各液晶ライトバルブに入射した光は夫
々の液晶層により位相変調を受け、画素電極により反射
し、再びダイクロイックミラー３０２及び３０３によっ
て色合成される。その後紙面に平行な偏光成分のみが偏
光ビームスプリッタ１０２を透過し、投写レンズ３０４
を通じてスクリーン（図２１では図示せず）へと投写さ
れる。
【０１０１】ここでは実施例１の液晶表示素子を用いて
いるためコントラスト比が高くかつ液晶の応答時間が短
い液晶プロジェクタ、具体的にいうと動画像表示を非常
に滑らかに行うことができる液晶プロジェクタが実現で
きる。
【０１０２】尚、各色毎の位相差板１０４Ｒ，１０４
Ｇ，１０４Ｂの位相差板角度１２４ａは色毎に最適化す
ることが望ましいことは言うまでもない。付け加えて言
えば図５から図１４から分かるように位相差板１０４の
絶対位相差板角度１２４ｂは何れの色においても０度よ
り大きくかつ大きくとも１０度以下が望ましい。
【０１０３】実施例４では偏光ビームスプリッタ１０２
と位相差板１０４との間にダイクロイックミラー３０
２，３０３を設けたが、ダイクロイックミラーの代りに
プリズムで構成してもよい。なぜなら偏光素子である偏
光ビームスプリッタと液晶ライトバルブとの間に配置し
た位相差板の光学軸の角度である位相差板角度と偏光ビ
ームスプリッタの偏光軸とをずらして配置することが本
発明の本質だからである。
【０１０４】また同様な理由により実施例４においては
偏光ビームスプリッタ１０２と位相差板１０４との間に
ダイクロイックミラー３０２，３０３を設けたが、白色
光源３０１からの光１０１をダイクロイックミラーなど
によりあらかじめ三原色に分離した後に偏光ビームスプ
リッタに入射する構成としてもよい。この場合には三原
色の各色毎に偏光ビームスプリッタが必要である。
【０１０５】あるいはまた同様な理由により、その他エ
ス・アイ・ディー ２０００ダイジェスト，ｐ.９２ に
記載されているような色偏光フィルターと偏光ビームス
プリッタとを組み合わせた光学系においても本発明は有
効である。
【０１０６】さらに、実施例４では実施例１において説
明した液晶ライトバルブを用いているが、もちろん実施
例２，３において説明した液晶ライトバルブを用いるこ
とが可能であることはいうまでもない。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、コントラスト比の高い
液晶表示素子又はそれを用いた表示装置を実現すること
が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示素子の説明図。
【図２】本発明の液晶表示素子の断面図。
【図３】液晶層としてツイストネマティック配向を採用
したときの各光学軸の関係。
【図４】ツイスト角度と波長規格化リターデーション及
び液晶配向角度との関係。
【図５】ツイスト角度５０度の時の白表示。
【図６】ツイスト角度５０度の時の黒表示。
【図７】ツイスト角度６０度の時の白表示。
【図８】ツイスト角度６０度の時の黒表示。
【図９】ツイスト角度７０度の時の白表示。
【図１０】ツイスト角度７０度の時の黒表示。
【図１１】ツイスト角度８０度の時の白表示。
【図１２】ツイスト角度８０度の時の黒表示。
【図１３】ツイスト角度９０度の時の白表示。
【図１４】ツイスト角度９０度の時の黒表示。
【図１５】液晶層としてホメオトロピック配向を採用し
たときの各光学軸の関係。
【図１６】画素間横電界の影響の説明図。
【図１７】θｔの定義の説明図。
【図１８】ホメオトロピック配向の時の電圧−反射率特
性。
【図１９】ホメオトロピック配向の時の黒表示。
【図２０】ホメオトロピック配向の時の白表示。
【図２１】液晶プロジェクタの実施例。
【符号の説明】
１０２…偏光ビームスプリッタ、１０４…位相差板、１
０９…液晶ライトバルブ、１２０…第１の液晶配向方
向、１２１…第２の液晶配向方向、１２２…ツイスト角
度、１２３…液晶配向角度θ、１２４ａ…位相差板角
度、１２４ｂ…絶対位相差板角度、１３０…ガラス基
板、１３１…液晶層、１３２…アクティブマトリクス基
板、１５０…液晶分子、３０１…白色光源、３０２，３
０３…ダイクロイックミラー、３０４…投写レンズ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ (72)発明者 津村 誠 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 竹本 一八男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA05 BA07 BB03 BC22 2H091 FA08X FA10X FA11X FA14Y FA41X FD10 HA07 KA02 KA10 LA17 LA30 MA07 5G435 BB12 BB16 CC09 FF05

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一対の基板と、該一対の基板のいずれか一
    方に形成される透明電極と、前記一対の基板の他の一方
    に形成される反射電極と、前記一対の基板に挟持される
    液晶層と、を有する液晶ライトバルブと、位相差板と、
    を有する液晶表示素子と、 偏光光学素子と、 光源と、を有する液晶表示装置であって、 前記位相差板は前記液晶ライトバルブと前記偏光光学素
    子との間に配置され、 前記位相差板のリターデーションは１００ｎｍから１７
    ５ｎｍの範囲内であり、 前記位相差板の光学軸（進相軸または遅相軸）と前記偏
    光光学素子の偏光軸とがずらして配置され、かつ前記位
    相差板の光学軸と前記偏光光学素子の偏光軸とのなす角
    度の絶対値が１０度以下である液晶表示装置。
  2. 【請求項２】一対の基板と、該一対の基板のいずれか一
    方に形成される透明電極と、前記一対の基板の他の一方
    に形成される反射電極と、前記一対の基板に挟持される
    液晶層と、を有する液晶ライトバルブと、位相差板と、
    を有する液晶表示素子と、 前記液晶表示素子へ入射する光を供給する光源と、 前記液晶表示素子と前記光源との間に配置される偏光光
    学素子と、を有する液晶表示装置であって、 前記位相差板の光学軸（進相軸または遅相軸）と前記位
    相差板へ入射する偏光の偏光方向とがずらして配置され
    る液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記液晶表示素子における前記位相差板の
    リターデーションが、 １００ｎｍから１７５ｎｍの範囲内にある請求項２記載
    の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記液晶表示素子における前記液晶層はツ
    イストネマティック配向の液晶層である請求項２又は３
    記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記液晶表示素子における前記液晶層のツ
    イスト角度が５０度から９０度の範囲内にあり、前記位
    相差板の光学軸と前記偏光光学素子の偏光軸とのなす角
    度の絶対値が０度よりも大きく１０度以下である請求項
    ４記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記液晶表示素子における前記液晶層のツ
    イスト角度が５０度から９０度の範囲内にあり、前記位
    相差板の光学軸と前記偏光光学素子の偏光軸とのなす角
    度の絶対値が９０度よりも小さく８０度以上である請求
    項４記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記液晶表示素子における前記液晶層がホ
    メオトロピック配向の液晶である請求項２又は３記載の
    液晶表示装置。
  8. 【請求項８】前記液晶表示素子における前記第一の液晶
    配向方向が４５度であり、前記位相差板の光学軸と前記
    偏光光学素子の偏光軸とのなす角度が０度よりも小さく
    −10度以上である請求項７記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】前記液晶表示素子における前記第一の液晶
    配向方向が４５度であり、前記位相差板の光学軸と前記
    偏光光学素子の偏光軸とのなす角度の絶対値が９０度よ
    りも大きく１００度以下である請求項７記載の液晶表示
    装置。
  10. 【請求項１０】一対の基板と、該一対の基板のいずれか
    一方に形成される透明電極と、前記一対の基板の他の一
    方に形成される反射電極と、前記一対の基板に挟持され
    る液晶層と、を有する液晶ライトバルブと、位相差板
    と、を有する液晶表示素子と、偏光光学素子と、 光源と、を有する液晶表示装置であって、 前記位相差板は前記液晶ライトバルブと前記偏光光学素
    子との間に配置され、 前記位相差板のリターデーションは前記位相差板への入
    射光の波長の概ね４分の１であり、 前記位相差板の光学軸と前記偏光光学素子の偏光軸との
    なす角度の絶対値が０度より大きく１０度以下である液
    晶表示装置。
  11. 【請求項１１】前記液晶表示素子は、請求項４から８の
    何れかに記載の液晶表示素子である請求項１１記載の液
    晶表示装置。
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