JP2002193952A - 新規含窒素へテロ環化合物、発光素子材料およびそれらを使用した発光素子 - Google Patents
新規含窒素へテロ環化合物、発光素子材料およびそれらを使用した発光素子Info
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Abstract
よびそれらの化合物を用いた発光素子材料、並びに色純
度に優れた発光素子を提供する。 【解決手段】 下記一般式(I)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化1】 式中、R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪族炭
化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R1お
よびR2は、それぞれ水素原子またはアミノ基を含まな
い置換基を表す。Lは連結基を表す。
Description
フィルター用染料、色変換フィルター、写真感光材料染
料、増感色素、パルプ染色用染料、レーザー色素、医療
診断用蛍光薬剤、光通信デバイス等として用いるに適し
た化合物および、それらを用いた発光素子に関するもの
である。
中で活発に行われているが、その中で有機電界発光(E
L)素子は、超薄型・軽量性、高速応答性、広視野角
性、低電圧駆動などの特長を有しており、有望な発光素
子として注目されている。一般に有機EL素子は、発光層
及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されており、
陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が再
結合し、生成した励起子からの発光を利用するものであ
る。
子はTangらにより示された積層構造を有するもので
ある(アプライド フィジックス レターズ、51巻、
913頁、1987年)。この素子は電子輸送兼発光材
料と正孔輸送材料を積層させることにより高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で、輝度は数千c
d/m2まで達している。しかし、フルカラーディスプ
レイ、光源としての利用を考えると、実用上は三原色あ
るいは白色発光が必要であるが、上記素子では発光材料
として8−キノリノールのアルミニウム錯体を用いてお
り、発光色は緑色に限られるため、他の色に発光する素
子の開発が望まれている。これまで緑色以外でも種々の
発光材料が開発されているが、発光輝度、発光効率が低
い、耐久性が低いなどの問題があった。
は電荷輸送材料中に蛍光性色素を微量ドープしたもので
あり、製造上、素子特性の再現性に問題があることや、
色素の耐久性が低いために長時間使用した場合に輝度の
低下、色変化が起こるなどの問題があった。これを解決
する手段として電荷輸送機能と発光機能を兼ね備えた材
料の開発が望まれているが、これまで開発された材料で
は蛍光性色素を高濃度で用いると、会合等により輝度が
低下する等の問題があった。
実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層し
ている素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面
積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。
しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子は発光輝
度、発光効率の点において、蒸着方式で作製した素子よ
り劣っており、高輝度、高効率発光化が大きな課題とな
っていた。
ィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用
染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、有機発光素
子材料、光通信デバイス等に蛍光を有する物質が種々用
いられ、その需要が高まっているが、青色の色純度が高
く、且つ蛍光強度の強い化合物はあまりなく、新たな材
料開発が望まれていた。
は、蛍光強度の強い青色蛍光発光を示す化合物およびそ
れらの化合物を用いた発光素子材料、並びに色純度に優
れた発光素子の提供である。本発明の第二の目的は、低
電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能で、繰り返し使
用時での安定性の優れた発光素子材料および発光素子の
提供である。
て達成された。
物であることを特徴とする発光素子材料。
原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基
を表す。R1およびR2は、それぞれ水素原子またはアミ
ノ基を含まない置換基を表す。Lは連結基を表す。) [2] 下記一般式(II)で表される化合物であること
を特徴とする発光素子材料。
素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環
基を表す。R1およびR2は、それぞれ水素原子またはア
ミノ基を含まない置換基を表す。Arはアリーレン基ま
たは二価のヘテロ環基を表す。) [3] 下記一般式(III)で表される化合物。
素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環
基を表す。R1、R2はそれぞれ水素原子またはアミノ基
を含まない置換基を表す。R31、R32、R33およびR34
は、それぞれ水素原子または置換基を表す。) [4] 下記一般式(III)で表される化合物であるこ
とを特徴とする発光素子材料。
素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環
基を表す。R1、R2はそれぞれ水素原子またはアミノ基
を含まない置換基を表す。R31、R32、R33およびR34
は、それぞれ水素原子または置換基を表す。) [5] 下記一般式(IV)で表される化合物。
原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基
を表す。R31、R32、R33、R34は、それぞれ水素原子
または置換基を表す。X1、X2、X3、X4、X5、X6、
X7、X8、X9およびX10は、それぞれ水素原子または
アミノ基を含まない置換基を表す。) [6] 下記一般式(IV)で表される化合物であること
を特徴とする発光素子材料。
原子、脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基
を表す。R31、R32、R33、R34は、それぞれ水素原子
または置換基を表す。X1、X2、X3、X4、X5、X6、
X7、X8、X9およびX10は、それぞれ水素原子または
アミノ基を含まない置換基を表す。) [7] 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物層を形成した発光素子において、[1]
〜[6]のいずれかに記載の一般式(I)〜(IV)で表
される化合物の少なくとも一種を、該有機化合物層の少
なくとも一層以上に含有することを特徴とする発光素
子。
施方法を詳細に説明する。なお、本明細書において
「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値お
よび最大値として含む範囲を示す。
ついて説明する。R11およびR12は、同一でも異なって
いてもよく、水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール
基、またはヘテロ環基を表す。また、可能な場合はR11
とR12、R11とL、R12とLはそれぞれ互いに連結して
環を形成しても良い。
は、直鎖、分岐または環状のアルキル基(好ましくは炭
素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、更に好
ましくは炭素数1〜12であり、例えば、メチル、エチ
ル、iso−プロピル、n−ブチル、tert−ブチ
ル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シ
クロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが
挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜
30、より好ましくは炭素数2〜20、更に好ましくは
炭素数2〜12であり、例えば、ビニル、アリル、2−
ブテニル、3−ペンテニル等が挙げられる。)、アルキ
ニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭
素数2〜20、更に好ましくは炭素数2〜12であり、
例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられ
る。)であり、好ましくはアルキル基、アルケニル基で
あり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、アリル基、R11、R12がLと結合して縮
合環(例えばユロリジン環等)を形成したものである。
は好ましくは炭素数6〜30の単環または多環のアリー
ル基(例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナ
ントリル、ピレニル等が挙げられる。)であり、より好
ましくは炭素数6〜20のフェニル基または炭素数10
〜24のナフチル基であり、更に好ましくは炭素数6〜
12のフェニル基または炭素数10〜16のナフチル
基、炭素数14〜20のアントリル基、フェナントリル
基である。
N、OまたはS原子を少なくとも一つ含む3ないし10
員環の飽和もしくは不飽和のヘテロ環基であり、これら
は単環であっても良いし、更に他の環と縮合環を形成し
ていても良い。ヘテロ環基として好ましくは、窒素原
子、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子を少なくとも
一つ含む3ないし10員環の芳香族へテロ環基であり、
より好ましくは5ないし6員環の芳香族へテロ環基であ
り、更に好ましくは、N原子またはS原子を含む5ない
し6員環の芳香族へテロ環基である。
おけるヘテロ環の具体例としては、例えばピロリジン、
ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、
セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラ
ゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジ
ン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾ
ール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾー
ル、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、
キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、
キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、
アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾ
ール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベン
ゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン
等が挙げられる。ヘテロ環として好ましくは、チオフェ
ン、トリアゾール、オキサゾール、ピリジン、ピリミジ
ン、ピラジン、トリアジン、キノリンであり、より好ま
しくはチオフェン、ピリジン、ピリミジン、トリアジ
ン、キノリンである。更に好ましくはチオフェンであ
る。
アリール基およびヘテロ環基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては、例えばアルキル基(好ましくは炭
素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好
ましくは炭素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、
iso−プロピル、tert−ブチル、n−オクチル、
n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シク
ロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。)、アル
ケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは
炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、
例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル
等が挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数
2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好まし
くは炭素数2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペ
ンチニル等が挙げられる。)、アリール基(好ましくは
炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に
好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p
−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。)、アミ
ノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素
数0〜12、特に好ましくは炭素数0〜6であり、例え
ばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げら
れる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数
1〜8であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等
が挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素
数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ま
しくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、
2−ナフチルオキシ等が挙げられる。)、アシル基(好
ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜1
6、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセ
チル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられ
る。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2
〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましく
は炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、
エトキシカルボニル等が挙げられる。)、アリールオキ
シカルボニル基(好ましくは炭素数7〜20、より好ま
しくは炭素数7〜16、特に好ましくは炭素数7〜10
であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げら
れる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜2
0、より好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭
素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオ
キシ等が挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは
炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、特に
好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミ
ノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。)、アルコキシ
カルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より
好ましくは炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜
12であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げ
られる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ま
しくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜1
6、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。)、スル
ホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ま
しくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数1〜12
であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスル
ホニルアミノ等が挙げられる。)、スルファモイル基
(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0
〜16、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えば
スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスル
ファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられ
る。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモ
イル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等
が挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数
1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチル
チオ等が挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは
炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、特に
好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオ
等が挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数
1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシル等が
挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1
〜20、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましく
は炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、
ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。)、ウレイド基
(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1
〜16、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えば
ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げ
られる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フ
ェニルリン酸アミド等が挙げられる。)、ヒドロキシ
基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ス
ルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好
ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜1
2であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素
原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミ
ダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピ
ペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイ
ミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル、アゼピ
ニル等が挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数
3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好まし
くは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、
トリフェニルシリル等が挙げられる。)等が挙げられ
る。これらの置換基は更に置換されても良い。また置換
基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良
い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成して
いても良い。
ルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。電荷
輸送材料兼発光材料(非ドープ型)として用いる場合、
R11、R12として好ましくはアリール基、芳香族へテロ
環基であり、より好ましくはアリール基(好ましくは炭
素数6〜30の単環またはた環のアリール基であり、よ
り好ましくは炭素数6〜20のフェニル基または炭素数
10〜24のナフチル基であり、更に好ましくは炭素数
6〜12のフェニル基または炭素数10〜16のナフチ
ル基、炭素数14〜20のアントリル基、フェナントリ
ル基である。)であり、ドープ型発光材料として用いる
場合、R11、R12として好ましくは水素原子、アルキル
基、Lと連結して環を形成するアルキレン基であり、よ
り好ましくはアルキル基、Lと連結して環を形成するア
ルキレン基であり、更に好ましくは炭素数1〜8のアル
キル基、Lと連結して6員環を形成するアルキレン基で
あり、特に好ましくはメチル基、エチル基、Lと連結し
て6員環を形成するアルキレン基(トリメチレン基、
3,3−ジメチルトリメチレン基)である。
含まない置換基を表す。R1およびR2で表される置換基
としては、例えばアルキル基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭
素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso−プ
ロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシ
ル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル基
(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2
〜12、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばビ
ニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル等が挙げ
られる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜2
0、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭
素数2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニ
ル等が挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数
6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好まし
くは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチ
ルフェニル、ナフチル等が挙げられる。)、アルコキシ
基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数
1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8であり、例えば
メトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。)、ア
リールオキシ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ま
しくは炭素数6〜16、特に好ましくは炭素数6〜12
であり、例えばフェニルオキシ、2−ナフチルオキシ等
が挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホ
ルミル、ピバロイル等が挙げられる。)、アルコキシカ
ルボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましく
は炭素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜12であ
り、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等
が挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ま
しくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜1
6、特に好ましくは炭素数7〜10であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオ
キシ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭
素数2〜16、特に好ましくは炭素数2〜10であり、
例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられ
る。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙
げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜
20、より好ましくは炭素数6〜16、特に好ましくは
炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオ等が挙げら
れる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメシル、トシル等が挙げられ
る。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、
より好ましくは炭素数1〜16、特に好ましくは炭素数
1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼン
スルフィニル等が挙げられる。)、ヒドロキシ基、メル
カプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カ
ルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィ
ノ基、ヒドラジノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1
〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ
原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を
含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジ
ル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホ
リノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベン
ゾチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニル等が挙げられ
る。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好
ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜2
4であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリ
ル等が挙げられる。)等が挙げられる。これらの置換基
は更にアミノ基を含まない置換基により置換されても良
い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっ
ていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環
を形成していても良い。
リール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはア
ルキル基、アリール基であり、更に好ましくはアリール
基である。
て好ましくは、アルキル基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭
素数1〜8であり、例えばメチル、エチル、iso−プ
ロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシ
ル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル等が挙げられる。)、アルケニル基
(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは2〜1
2、特に好ましくは炭素数2〜8であり、例えばビニ
ル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル等が挙げら
れる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、
より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数
2〜8であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニル等
が挙げられる。)であり、より好ましくはアルキル基で
ある。
の単環または縮環のアリール基(好ましくは炭素数6〜
30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは
炭素数6〜12のアリール基)であり、例えばフェニ
ル、p−メチルフェニル、p−メトキシフェニル、m−
トリフルオロメチルフェニル、ペンタフルオロフェニ
ル、1−ナフチル、2−ナフチル等が挙げられる。
単環または縮環のヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜2
0、より好ましくは炭素数1〜12、更に好ましくは炭
素数2〜10のヘテロ環基)であり、好ましくは窒素原
子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つ
を含む芳香族へテロ環基である。Rで表されるヘテロ環
基の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、
ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェ
ン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピ
リジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾ
ール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリ
ン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサ
ゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、
イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリ
ン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジ
ン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベ
ンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾ
ール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン等が挙げ
られ、好ましくは、フラン、チオフェン、ピリジン、ピ
ラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリ
ン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾ
リンであり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピリ
ジン、キノリンである。
して好ましくは、単結合、C、N、O、S、Se、T
e、Si、Geなどで形成される連結基であり、より好
ましくは単結合、アルキレン、アルケニレン、アルキニ
レン、アリーレン、二価のヘテロ環(好ましくは芳香族
へテロ環であり、より好ましくはアジン、アゾール、チ
オフェン、フラン環から形成される芳香族へテロ環など
である。)およびNとこれらの組み合わせから成る基で
あり、さらに好ましくはアリーレン、二価の芳香族へテ
ロ環およびNとこれらの組み合わせから成る基である。
結合の他、例えば以下の構造が列挙できる。
もよく、置換基としては例えばR11、R12で表される基
の置換基として挙げたものが適用できる。Lの置換基と
して好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル
基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基で
あり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族
へテロ環基である。
ましくは下記一般式(II)で表される化合物である。
れ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好
ましい範囲も同様である。Arはアリーレンまたは二価
の芳香族へテロ環基を表す。 Arで表されるアリーレ
ンまたは二価の芳香族へテロ環基は置換基を有していて
もよく、置換基としては例えばR11、R12で表される基
の置換基として挙げたものが適用できる。 Arの置換
基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、
シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ
環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、
芳香族へテロ環基である。
に好ましくは下記一般式(III)で表される化合物であ
る。
れ一般式(I)におけるそれらと同義であり、また、好
ましい範囲も同様である。R31、R32、R33およびR34
は水素原子または置換基を表し、置換基としては一般式
(I)におけるR11、R12の置換基として挙げたものが
適用でき、R31、R32、R33およびR34として好ましく
は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル
基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へ
テロ環基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル
基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、特に好まし
くは水素原子、アルキル基である。
に好ましくは下記一般式(IV)で表される化合物であ
る。
びR34はそれぞれ一般式(I)におけるそれらと同義で
あり、また、好ましい範囲も同様である。X1〜X10は
水素原子または置換基を表し、置換基としては一般式
(I)におけるR1、R2の置換基として挙げたものが適
用でき、X1〜X10として好ましくは、水素原子、アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、ハロゲン原
子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ま
しくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ環基であり、更
に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、芳香
族へテロ環基であり、特に好ましくは水素原子、アルキ
ル基である。
低分子であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続さ
れた高分子量化合物(好ましくは質量平均分子量100
0〜5000000、より好ましくは5000〜200
0000、更に好ましくは10000〜100000
0)もしくは、本発明の化合物を主鎖に持つ高分子量化
合物(好ましくは質量平均分子量1000〜50000
00、より好ましくは5000〜2000000、更に
好ましくは10000〜1000000)であっても良
い。高分子量化合物の場合はホモポリマーであっても良
いし、他のポリマーとの共重合体であっても良く、共重
合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロッ
ク共重合体であっても良い。本発明で用いる化合物とし
ては、好ましくは低分子量化合物である。
合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
い。
物の合成法について具体例を示して説明する。 合成例1.例示化合物1の合成
ル−1,3,5−トリアジンは日本特許第306787
8号に記載の既知の合成法で合成した。 1−1.化合物aの合成 1,4−ジブロモベンゼン2.64g(11.21ミリ
モル)を乾燥テトラヒドロフラン30ミリリットルに溶
解させ、−70℃に冷却した。この溶液に、n−ブチル
リチウムのヘキサン溶液(1.6M)7.4ミリリット
ル(11.77ミリモル)をゆっくりと滴下し、−70
℃で30分間攪拌した。次に、この混合物に対し、2−
クロロ−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン
3.0g(11.21ミリモル)のテトラヒドロフラン
溶液を−70℃で滴下し、−70℃で30分間攪拌した
後、徐々に室温まで昇温し、さらに1.5時間攪拌し
た。得られた混合物を酢酸エチルで抽出し、有機相を
水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー(展開溶媒/クロロホルム:ヘキサン=1
0:90)にて精製することにより化合物aを1.48
g(3.81ミリモル)得た。収率34%。
シレン20ミリリットルに溶解させ、ナトリウムブトキ
シド78mg(0.017モル)、触媒量の酢酸パラジ
ウム(II)とトリ−t−ブチルホスフィンを加えて攪拌
した。次に化合物a300mg(0.77ミリモル)を
加え、4時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した
後、不溶物を濾過により取り除き、濾液を酢酸エチルか
ら抽出した。有機相を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒:ク
ロロホルム)にて精製した後、クロロホルム/ヘキサン
より再結晶し、例示化合物1を1.5g(0.40ミリ
モル)得た。収率52%。融点:179℃
ル)をキシレン30ミリリットルに溶解させ、ナトリウ
ムブトキシド186mg(1.94ミリモル)、および
触媒量の酢酸パラジウム(II)とトリ−t−ブチルホス
フィンを加えて攪拌した。次に化合物a500mg
(1.29ミリモル)を加え、1.5時間加熱還流し
た。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により
取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を
水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムク
ロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製し
た後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合
物2を373mg(0.79ミリモル)得た。収率61
%。融点:263℃
7ミリモル)をキシレン15ミリリットルに溶解させ、
ナトリウムブトキシド55mg(0.569ミリモル)
および触媒量の酢酸パラジウム(II)とトリ−t−ブチ
ルホスフィンを加えて攪拌した。次に化合物a200m
g(0.515ミリモル)を加え、4時間加熱還流し
た。反応液を室温まで冷却した後、不溶物を濾過により
取り除き、濾液を酢酸エチルから抽出した。有機相を
水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムク
ロマトグラフィ(展開溶媒:クロロホルム)にて精製し
た後、クロロホルム/ヘキサンより再結晶し、例示化合
物3を128mg(0.232ミリモル)得た。収率4
5%。融点:298℃
て説明する。本発明の化合物を含有する発光素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法な
どの方法が用いられ、特性面、製造面を考えると抵抗加
熱蒸着、コーティング法が好ましい。
いた場合、ホール注入・輸送層、電子注入・輸送層、発
光層のいずれに用いても良いが、発光層として用いるこ
とが好ましい。
電極間に発光層、もしくは発光層を含む複数の有機化合
物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入
層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層など
を有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能
を備えたものであっても良い。各層の形成にはそれぞれ
種々の材料を用いることができる。
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)などの導電性
金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合
物、または積層物、ヨウ化銅、留化銅などの無機導電性
物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールな
どの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物
などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であ
り、特に、生産性、高伝導性、透明性などの観点からI
TOが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能
であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好まし
く、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ま
しくは100nm〜500nmである。
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは機械
的強度を保つのに充分な厚みであれば特に制限はない
が、ガラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好
ましくは0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製に
は材料によって種々の方法が用いられるが、例えばIT
Oの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱
蒸着法、化学反応法(ゾル−ゲル法など)、ITO分散
物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他
の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高め
ることも可能である。例えばITOの場合、UV−オゾ
ン処理、プラズマ処理などが効果的である。
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの陰極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性などを考慮して選ばれる。陰極
の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化
合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体
例としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs
など)またはそのフッ化物、アルカリ土類金属(例えば
Mg、Caなど)またはそのフッ化物、金、銀、鉛、ア
ルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、またはそれら
の混合金属、リチウム−アルミニウム合金、またはそれ
らの混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテルビウムなどの希土類金
属が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金、またはそれらの混合金属などである。陰極の
膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm
〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50
nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μ
mである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリン
グ法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用
いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同
時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時
に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、また
あらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陽極およ
び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以
下が好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
なんでも良い。発光層に用いる化合物としては本発明の
化合物の他、具体的に下記に挙げる化合物等を用いるこ
とができる。
ダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリ
フェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタ
ジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノ
ン、オキサジアゾール、アルダジン、シクロペンタジエ
ン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロ
ピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエ
ン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ピ
レン、およびこれらの誘導体など。 (b) 8−キノリノールおよびその誘導体の金属錯体や
希土類錯体に代表される各種金属錯体など。 (c) ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフルオレ
ン、ポリフェニレンビニレン、およびこれらの置換され
たポリマー化合物など (d) オルトメタル化金属錯体またはポルフィリン金属
錯体など。
いが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは1
0nm〜500nmである。
はないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリン
グ、分子積層法、コーティング法(スピンコート法、キ
ャスト法、ディップ法など)、LB法、インクジェット
法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは
抵抗加熱蒸着法、コーティング法である。
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであれば良い。その具体例としては、カルバゾー
ル、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピ
ラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミ
ノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノ
ン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、およびこれら
の誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン
化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン
系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカル
バゾール)誘導体、アニリン系共重合体、チオフェン化
合物、ポリチオフェン、置換および無置換ポリチオフェ
ン−ポリスチレンスルホン酸混合物等の導電性高分子オ
リゴマー等が挙げられ、またこれらの混合物であっても
よい。
り特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μm
の範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μ
mであり、更に好ましくは10nm〜500nmであ
る。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種また
は2種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組
成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても
良い。
は、真空蒸着法やLB法、インクジェット法、印刷法、
転写法、前記正孔注入材料、正孔輸送材料を溶媒に溶
解、または分散させてコーティングする方法(スピンコ
ート法、キャスト法、ディップコート法など)が用いら
れる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解また
は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ
塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメ
チルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビ
ニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェ
ノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニ
ル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂などが挙げられる。
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有してい
るものであれば良い。具体例としては、ピリジン、ピラ
ジン、キノリン、キノキサリン、フェナンスロリン、ト
リアジン、チエノピラジン、ベンズイミダゾール、ベン
ズオキサゾール、ベンゾトリアゾール、フェナントリジ
ン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジ
フェニルキノン、チオピランジオキシド、カルビジイミ
ド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フ
タロシアニン、およびこれらの誘導体、ナフタレンペリ
レン等の複素環テトラカルボン酸無水物、8−キノリノ
ール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾ
オキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする各種金
属錯体等が挙げられる。混合物またはポリマーとして使
用してもよい。
されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のも
のが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、
更に好ましくは10nm〜500nmである。電子注入
層、電子輸送層は上述した材料の1種または2種以上か
らなる単層構造であっても良いし、同一組成または異種
組成の複数層からなる多層構造であっても良い。
は、真空蒸着法やLB法、インクジェット法、印刷法、
転写法、前記電子注入材料、電子輸送材料を溶媒に溶
解、または分散させてコーティングする方法(スピンコ
ート法、キャスト法、ディップコート法など)が用いら
れる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解また
は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔
注入・輸送層の場合に例示したものが適用できる。
子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能
を有しているものであれば良い。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
iなどの金属、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、
GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、
TiO2などの金属酸化物、MgF2、LiF、Al
F3、CaF2などの金属フッ化物、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、
ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なく
とも1種のコモノマーを含むモノマー混合物を共重合さ
せて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する
含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水
率0.1%以下の防湿性物質などが挙げられる。
く、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパ
ッタリング法、MBE(分子線エピタキシー)法、クラ
スターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラ
ズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プ
ラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガス
ソースCVD法、コーティング法、インクジェット法、
印刷法、転写法を適用できる。
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
Oを150nmの厚さで製膜したもの(東京三容真空
(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持基板を
エッチング、洗浄後、NPD(N,N'−ビス(1−ナ
フチル)− N,N'−ジフェニルベンジジン)を約40
nm、 青色発光材料B1を約20nmおよび電子輸送材
料ETM1を約40nmの膜厚として、順に10-3〜1
0-4Paの真空中で、約0.4nm/秒の蒸着速度で基
板温度室温の条件下蒸着した。次いで有機薄膜上にパタ
ーニングしたマスク(発光面積が5mm×5mmとなる
マスク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウム:銀=1
0:1を250nm共蒸着した後、銀300nmを蒸着
し、素子を作成した。東陽テクニカ製ソースメジャーユ
ニット2400を用いて、直流定電圧をEL素子に印加
し、発光させてその輝度をトプコン社の輝度計BM−
8、発光波長とCIE色度座標のそれぞれを浜松ホトニ
クス社製スペクトルアナライザーPMA−11により用
いて測定した。その結果、発光波長が457nm、半値
幅が93nm、CIE色度座標が(0.19,0.3
1)の青緑色発光が得られ、14Vで1950cd/m
2の輝度が得られた。2週間後の素子は白濁し、発光し
なかった。
m、青色発光材料B2を約20nmおよび電子輸送材料
ETM1を約40nmの膜厚に蒸着し、陰極を蒸着して
素子を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結
果、発光波長が487nm、半値幅が102nm、CI
E色度座標が(0.24, 0.29)の青色発光が得
られ、12Vで1410cd/m2の輝度が得られた。
2週間後も素子は白濁せず、同様の発光が得られた。
m、例示化合物1を約20nmおよび電子輸送材料ET
M1を約40nmの膜厚に蒸着し、陰極を蒸着して素子
を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、
発光波長が477nm、半値幅が65nm、CIE色度
座標が(0.14,0.24)の青色発光が得られ、1
2Vで7790cd/ m2の輝度が得られた。2週間後
も素子は白濁せず、同様の青色発光が得られた。
m、例示化合物2を約20nmおよび電子輸送材料ET
M1を約40nmの膜厚に蒸着し、陰極を蒸着して素子
を作製した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、
発光波長が434nm、半値幅が71nm、CIE色度
座標が(0.17,0.16)の青色発光が得られ、1
3Vで2200cd/ m2の輝度が得られた。2週間後
も素子は白濁せず、同様の青色発光が得られた。
例示化合物3約20nmおよび電子輸送材料ETM1を
約40nmの膜厚に蒸着し、陰極を蒸着して素子を作製
した。比較例1と同様に素子評価を行った結果、発光波
長が462nm、半値幅が85nm、CIE色度座標が
(0.16,0.18)の青色発光が得られ、14Vで
2920cd/ m2の輝度が得られた。2週間後も素子
は白濁せず、同様の青色発光が得られた。
したときの性能を評価するために、1000cd/m2
を得るために必要な印加電圧を比較したところ、表1の
ような結果が得られた。
素子では、低印加電圧で高輝度の発光が得られ、非ドー
プ型であるにもかかわらず、青色領域に高輝度な発光を
有すると共に、従来と比較して半値幅の非常に狭いシャ
ープなスペクトルを有しており、かつ青色純度に優れた
発光を示すことが分かった。
(N−ビニルカルバゾール)を40mg、PBD(2−
(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)を12m
g、例示化合物1を0.5mg、1,2−ジクロロエタ
ン3mlに溶解させてスピンコートにより塗布した。生
成した有機薄膜の膜厚は約120nmであった。有機薄
膜上にパターニングしたマスク(発光面積が5mm×5
mmとなるマスク)を設置し、蒸着装置内でマグネシウ
ム:銀=10:1を250nm共蒸着した後、銀300
nmを蒸着して発光素子を作製した。比較例1と同様に
素子評価を行った結果、発光波長が468nm、CIE
色度座標が(0.16,0.15)の青色発光が得ら
れ、17Vで1820cd/ m2の輝度が得られた。
しくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光
素子において、本発明の化合物の少なくとも一種をポリ
マー中に分散して、該有機化合物層の少なくとも一層以
上に含有する発光素子では、通常発光輝度の低い塗布型
素子でも、蒸着型素子と比較して同等程度の高輝度発光
が可能であり、非常に色純度の高い青色発光素子が得ら
れることが分かった。
特に優れ、高輝度な発光を示す非ドープ型青色発光素子
を得ることができた。
Claims (7)
- 【請求項1】 下記一般式(I)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化1】 (式中、R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪族
炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R1
およびR2は、それぞれ水素原子またはアミノ基を含ま
ない置換基を表す。Lは連結基を表す。) - 【請求項2】 下記一般式(II)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化2】 (式中、 R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪
族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R
1およびR2は、それぞれ水素原子またはアミノ基を含ま
ない置換基を表す。Arはアリーレン基または二価のヘ
テロ環基を表す。) - 【請求項3】 下記一般式(III)で表される化合物。 【化3】 (式中、 R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪
族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R
1、R2はそれぞれ水素原子またはアミノ基を含まない置
換基を表す。R31、R32、R33およびR34は、それぞれ
水素原子または置換基を表す。) - 【請求項4】 下記一般式(III)で表される化合物で
あることを特徴とする発光素子材料。 【化4】 (式中、 R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪
族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。R
1、R2は、それぞれ水素原子またはアミノ基を含まない
置換基を表す。R31、R32、R33およびR34は、それぞ
れ水素原子または置換基を表す。) - 【請求項5】 下記一般式(IV)で表される化合物。 【化5】 (式中、 R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪族
炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。
R31、R32、R33、R34は、それぞれ水素原子または置
換基を表す。X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、
X8、X9およびX10は、それぞれ水素原子またはアミノ
基を含まない置換基を表す。) - 【請求項6】 下記一般式(IV)で表される化合物であ
ることを特徴とする発光素子材料。 【化6】 (式中、 R11およびR12は、それぞれ水素原子、脂肪族
炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基を表す。
R31、R32、R33、R34は、それぞれ水素原子または置
換基を表す。X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、
X8、X9およびX10は、それぞれ水素原子またはアミノ
基を含まない置換基を表す。) - 【請求項7】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、
請求項1〜6のいずれかに記載の一般式(I)〜(IV)
で表される化合物の少なくとも一種を、該有機化合物層
の少なくとも一層以上に含有することを特徴とする発光
素子。
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