JP2002175703A - 高圧放電ランプ装置および照明装置 - Google Patents
高圧放電ランプ装置および照明装置Info
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Abstract
きる透光性セラミックス放電容器を備えることにより、
共振周波数以下の範囲内において点灯回路手段の動作周
波数を高くして小形化を図った高圧放電ランプ装置およ
びこれを用いた照明装置を提供する。 【解決手段】放電空間を包囲する真球度が0.6〜1.
0かつ最大内径2.0〜5.5mmのほぼ球形をなして
いる包囲部1aを備えた透光性セラミックス放電容器
1、その包囲部1aに臨在する一対の電極2を備え、包
囲部1a内に放電媒体を封入したランプ電力が50W以
下の高圧放電ランプ11と、 高圧放電ランプを動作周
波数f(kHz)、内径a(mm)としたときa/fが
0.4以内となる高周波で点灯する点灯回路手段12と
を具備している。
Description
ス放電容器を備えた高圧放電ランプおよびこの高圧放電
ランプを点灯する点灯回路手段を備えた高圧放電ランプ
装置、ならびにこれを用いた照明装置に関する。
いる。
ランプ自体を小形化することは可能であるが、ランプを
点灯する点灯回路手段が大きくなるために、一般的には
点灯回路手段を一体化したランプ装置として見た場合に
は、小形の光源としては蛍光ランプに劣る。しかし、高
圧放電ランプを高周波点灯することができれば、ランプ
電力50W程度までの場合、点灯回路手段の小形化が期
待できる。ところが、高圧放電ランプの場合、音響的共
鳴現象によるアークのちらつきや、立ち消えの問題があ
るために、充分に小形化された形での実用化は困難であ
った。たとえば、特表平11−509680号公報に
は、シェルと、シェル内に配置された放電デバイスと、
放電デバイスからの光を反射するシェル内に配置された
反射面と、シェル内に配置されたバラストとを構成要素
として具備した一体形のHID反射ランプが開示されて
いる。この一体形のHID反射ランプは、各構成要素が
以下の構造である。すなわち、シェルは、合成樹脂を成
形して、逆切頭円錐形のカップ状部分と切頭部から一体
に突出した基底部分とを一体に備えていて、基底部分に
ねじ込み式口金を備えている。放電デバイスは、酸化ア
ルミニウムの多結晶体からなる透光性セラミックス放電
容器の内径3mm、長さ3mmの円筒状をなす発光部の
内部に一対の電極を電極間距離2mmになるように配設
し、2.3mgの水銀と、モル比が90:1.4:8.
6である3.5mgのNaI、DyI3およびTlIの
ハロゲン化物と、始動ガスおよび緩衝ガスとしてNe3
%−Arを封入している。
開口面がガラス製レンズで内部をシールした構造であ
る。そして、反射面の焦点に発光中心を一致させて放電
デバイスを反射面の内部に配置するとともに、反射面の
内部にKrおよびN2を封入している。さらに、反射面
をシェルのカップ状部分の開口部に固定している。
リーブで覆うことにより放射した紫外線がスリーブで遮
断される。
フブリッジ形のDC−ACインバータで高周波に変換
し、LCネットワークからなる共振出力回路を介して高
圧放電ランプに印加して点灯する構成で、さらに制御回
路および繰り返し周波数400msの点弧パルスを50
msの間発生する停止回路を備えている。そうして、上
述した従来技術においては、放電デバイスの最低共振周
波数が30kHz以上で、また公称ランプ電力が20W
である。これに対して、バラストの基本的なランプ電流
の動作周波数を可聴周波数である19kHzより高い
が、最低共振周波数よりは明らかに低い24kHzに選
択している。その結果、音響的共振を回避して、放電デ
バイスは点灯し、入力電力22W、全光束1320lm
/W、発光効率60lm/Wで点灯する旨記載されてい
る。また、この一体形のHID反射ランプは、赤外反射
形ハロゲン電球の発光部を有する既知の60WのPAR
38ランプおよび90WのハロゲンPAR38ランプの
外形にほぼ納まる寸法になる旨記載されている。
技術の一体形のHID反射ランプは、その開口径がPA
R38形のランプに近似した135mm、管長が135
mmであり、また重量は約1kgに達すると推定される
ことから、大形で、しかも重量がすこぶる大である。店
舗などにおけるスポットライトおよびダウンライトを用
いた照明には、さらに小形で、かつ軽量の光源が要求さ
れていて、たとえば反射鏡付きのハロゲン電球の場合、
定格消費電力65〜75W、全光束1250lm程度で
も反射鏡の開口径は50mmのものが使用されている。
高圧放電ランプ装置においても、これに見合うような小
形化が実現することにより、多様な照明を、しかも手軽
に行える。ところが、前述の従来技術においては、動作
周波数が低いために、バラストのさらなる小形化および
軽量化は不可能である。なぜなら、放電デバイスの最低
共振周波数が30kHz以上であるから、音響的共鳴現
象を回避するためには、動作周波数を共振周波数より明
らかに低い値にせざるを得ない。
デバイスの最低共振周波数が低いのは、その透光性セラ
ミックス放電容器が円筒状をなしていることが原因して
いることが分かった。すなわち、透光性セラミックス放
電ランプが円筒状をなしていると、共振周波数のモード
が複雑になり、その結果最低共振周波数が低くなる。
波数に対して、たとえば10倍程度の十分に高い周波数
で高圧放電ランプを点灯すれば、音響共鳴の問題を回避
できることが知られている。しかし、このように動作周
波数が非常に高くなると、放射ノイズおよびラインノイ
ズが極めて強くなる。これを電波シールドによって対応
すると、結局高圧放電ランプ装置が大形化してしまうと
いう問題がある。
あって、しかも高くなる透光性セラミックス放電容器を
備えることにより、共振周波数以下の範囲内において点
灯回路手段の動作周波数を高くして小形化を図った高圧
放電ランプ装置およびこれを用いた照明装置を提供する
ことを目的とする。
電ランプ装置は、真球度が0.6〜1.0のほぼ球形を
なしていて放電空間を包囲する最大内径aが2.0〜
5.5mmの包囲部を備えた透光性セラミックス放電容
器、透光性セラミックス放電容器の包囲部に臨在する一
対の電極、ならびに透光性セラミックス放電容器内に封
入された放電媒体を備え、ランプ電力が50W以下の高
圧放電ランプと;高圧放電ランプを動作周波数f(kH
z)、最大内径a(mm)としたときa/fが0.4以
内となる高周波で点灯する点灯回路手段と;を具備して
いる。
指定しない限り用語の定義および技術的意味は次によ
る。
も放電空間を包囲する包囲部を備えていて、包囲部が透
光性セラミックスによって形成されている。なお、「透
光性」とは、放電によって発生した光を透過して外部に
導出できる程度に光透過性であることをいい、透明ばか
りでなく、光拡散性であってもよい。また、透光性セラ
ミックス放電容器が包囲部以外にたとえば小径筒部など
を備えている場合であっても、少なくとも包囲部が透光
性を備えていればよく、要すれば小径筒部などは遮光性
であってもよい。また、「透光性セラミックス」とは、
単結晶の金属酸化物たとえばサファイヤと、多結晶の金
属酸化物たとえば半透明の気密性アルミニウム酸化物、
イットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG)、
イットリウム酸化物(YOX)と、多結晶非酸化物たと
えばアルミニウム窒化物(AlN)と、のような光透過
性および耐熱性を備えた材料をいう。
主として陽光柱を包囲する。また、包囲部は、真球度が
0.6〜1.0かつ最大内径aが2.0〜5.5mmの
球状をなしている。以下、真球度について図1を参照し
て説明する。
透光性セラミックス放電容器の包囲部の真球度を説明す
る説明図である。
器、1aは包囲部、1bは小径筒部、xは中心軸,yは
中心軸に直角な軸である。
ミックスを成形して形成されていて、全長はLである。
の中央部に配設されていて、所与の真球度Rbを有する
ほぼ球状をなしている。そして、包囲部1aは、中心軸
xに直角な軸yに沿った最大内径a、最大外径Oaと、
中心軸xに沿った軸長bとを有している。本発明におい
て、最大内径aとはランプ軸に対して直角方向の長さを
いう。
沿った両端からそれぞれ一体的に突出して形成されてい
て、内部には中心軸に沿った連通孔1b1が形成されて
いて、それぞれ長さL1、L2を有している。なお、連
通孔1b1は、その内端が包囲部1aに連通し、外端が
外部に連通している。
る電極が挿通されることにより、その内面と電極との間
にキャピラリーとも称されるわずかな隙間を形成すると
ともに、透光性セラミックス放電容器を封止するために
用いることができる。
+L2は、透光性セラミックス放電容器1の全長Lから
包囲部1aの軸長bを差し引いた値である。そうして、
包囲部1aの軸長bは、軸yおよび包囲部1aの内面の
交点P1と、包囲部1aと小径筒部1bとの境界部のア
ール部分の内面P2との間を結ぶ直線lの延長部が中心
軸xと交差する点をP3としたときに、左右のP3とP
3との間の距離をいうものとする。真球度RBは、包囲
部1aの最大内径aおよび軸長bから下式により与えら
れる。
1.0かつ最大内径2.0〜5.5mmに設定されてい
るのが特徴的構成である。真球度RBの値は、透光性セ
ラミックス放電容器1の包囲部1aと小径筒部1bとの
境界部すなわち内面P2が角張っていて、かつ小径筒部
1bの通孔1b1の内径が小さく、しかも包囲部1aが
完全な真球でれば、1に接近する。しかし、真球度RB
は、その定義からすれば、内面P2のアールの大きさお
よび小径筒部1bの内径の大きさによって影響される。
そして、内面P2のアールの大きさは、透光性セラミッ
クス放電容器の製造方法により影響を受けて変化し得
る。また、小径筒部1bの通孔1b1の内径は、電極の
径およびわずかな隙間のギャップサイズがランプ設計に
より影響を受ける。さらに、これらの如何は共振周波数
にそれほど大きな影響がないので、本発明においては真
球度RBを多少の設計の裕度を考慮して上記のように規
定している。また、本発明において、透光性セラミック
ス放電容器の包囲部の形状は、真球度RBが0.65の
場合、一般的には軸方向に長軸がある回転楕円形にやや
類似した多少横長であるが、ほぼ球形の形状であること
を含む。さらに、真球度RBは、1を超えた値であって
も図一におけるx軸方向よりはy軸方向に多少膨らんだ
ほぼ球形をなす範囲が存在する。このため、真球度RB
は、一般的には1.2程度、好適には1.1まで許容さ
れる。
クス放電容器の内容積は制限されるものではないが、小
形の高圧放電ランプを得るためには、透光性セラミック
ス放電容器を0.04cc以下、好適には0.03cc
以下にするとよい。
Hz)とした場合、a/fが0.4以内であると、音響
共鳴は少なくなる。
囲部に臨在していて、材料にタングステンまたはドープ
ドタングステンを用いている。なお、「臨在」とは、包
囲部内に放電を形成するように配設されている状態を意
味する。したがって、電極は、少なくともその主要部が
包囲部の内部に位置している状態が好適であるが、要す
れば小径筒部内に位置しているなど要すれば包囲部内に
直接位置していない構成であってもよい。
およびハロゲン原子を含むものとし、点灯中約1気圧以
上の圧力を呈するように透光性セラミックス放電容器内
に封入される。ディスプロシウムは発光金属としてよく
用いられるスカンジウムに比べて原子量が大きいことか
ら、音速を低下させる分子量を増加させる作用をもたら
す。その結果として、音響共鳴周波数を下げることがで
き、広範囲の点灯周波数特性を実現することが可能とな
る。
ラミックス放電容器を封止してするのに好適な構成は、
以下に示す給電導体を用いることである。
加し、電極に電流を供給し、かつ透光性セラミックス放
電容器を封止するために機能する導体で、先端が電極の
基端部に接続し、基端が透光性放電容器の外部に導出さ
れている。なお、「透光性放電容器の外部に導出されて
いる」とは、透光性放電容器から外部へ突出していても
よいし、また突出していなくてもよいが、接続導体を介
して外部から給電できる程度に外部に臨んでいることを
意味する。
下好ましくは15〜25Wに規定される。点灯回路手段
を極小形化できるのは、せいぜい50W以下までの小電
力の場合に限定されるからである。なお、本発明におい
て「ランプ電力」とは、高圧放電ランプ装置を定格電圧
の電源に接続した場合に、高圧放電ランプを点灯するた
めに付設されている点灯回路手段によって高圧放電ラン
プが点灯した際に、高圧放電ランプの部分で消費される
電力をいう。
0とするのが望ましい。
波数15〜30kHzの高周波で点灯するのであれば、
その余の構成は問わない。すなわち、音響的共鳴現象を
回避しながら動作周波数を従来技術より明らかに高い高
周波で点灯することが可能になり、これにより従来技術
に比較して著しい小形化、軽量化を図ることができる。
は、どのようなものであってもよい。たとえば、ハーフ
ハーフブリッジ形インバータ、フルブリッジ形インバー
タ、並列インバータ、一石式インバータたとえばブロッ
キング発振形インバータなどを主体とする回路構成であ
ってもよい。しかし、ハーフブリッジ形インバータは、
回路構成が簡単で使用する回路部品の数も少なくてよい
ので、小形、軽量で、しかも安価な点灯回路手段を得る
ためには、好適である。
電容器の包囲部を真球度0.6〜1.0かつ最大内径a
(mm)を2.0〜5.5mmのほぼ球形にして、a/
fを0.4以下としたたことにより、透光性セラミック
ス放電容器の共振周波数がほぼ単一モード化するととも
に、高くなる。これにより点灯回路手段の動作周波数f
が15〜30kHzでも音響的共鳴現象を生じることな
く、充分安定に高圧放電ランプを点灯することができ
る。
により、バルブ形状およびサイズの工業的規模における
製作ばらつきが極めて少なくなる。また上記周波数で点
灯するので、周波数のばらつきがたとえば±1〜3kH
z程度まで少なくなるため、安全な範囲でなるべく共振
周波数に接近させて点灯することがきる。このことは点
灯回路手段の動作周波数を高めることにつながり、小形
化に貢献する。通常の安価な点灯回路であると動作周波
数の+−10%程度ばらつくことが考えられるが、本発
明であればこのばらつきを十分許容することができる。
率が高くて、寿命が長い高圧放電ランプ装置が得られ
る。
真球度が0.6〜1.0のほぼ球形をなしていて放電空
間を包囲する最大内径aが2.0〜5.5mmの包囲部
を備えた透光性セラミックス放電容器、透光性セラミッ
クス放電容器の包囲部に臨在する一対の電極、ならびに
透光性セラミックス放電容器内に封入されたディスプロ
シウムおよびハロゲン原子を含む放電媒体を備え、ラン
プ電力が15〜25Wの高圧放電ランプと;高圧放電ラ
ンプを動作周波数f(kHz)、最大内径a(mm)と
したときa/fが0.37以下となる高周波で点灯する
点灯回路手段と;を具備している。
ている。
請求項1または2記載の高圧放電ランプ装置において、
点灯回路手段は、LC共振形の高周波インバータを主体
として構成されていることを特徴としている。
安価な点灯回路手段として好適な構成を規定している。
としては、ハーフブリッジ形インバータ、一石式インバ
ータたとえばブロッキング発振形インバータ、並列イン
バータなどがある。
LC共振回路を備え、比較的簡単な回路構成によって安
定器の出力電圧を所望に変化させることができる。たと
えば、発振周波数が一定の態様の場合、LC共振回路の
共振周波数が状況に応じて変化するように構成すること
によって、安定器の出力電圧を制御することができる。
すなわち、無負荷時にLC共振回路のインダクタLが飽
和してそのインダクタンスが小さくなり、共振周波数が
高くなって発振周波数に接近するために、安定器の出力
電圧が高くなる。負荷時には、ランプ電流に応じてLC
共振回路のインダクタの飽和がなくなって、共振周波数
が発振周波数から離れていき、これに伴って出力電圧が
低減する。
にも、出力電圧を所望に変化させることができる。すな
わち、始動時にはLC共振回路の共振周波数に発振周波
数を接近させれば、安定器の出力電圧が高くなって、2
次開放電圧を高圧放電ランプの放電開始電圧に接近させ
ることができる。点灯後には、発振周波数をLC共振回
路の共振周波数から離せば、出力電圧が低下する。
ることにより、出力電圧の波形を正弦波にすることがで
きる。
体と;照明装置本体に支持された請求項3記載の高圧放
電ランプ装置と;を具備していることを特徴とする照明
装置。
ンプ装置の発光を何らかの目的で用いるあらゆる装置を
含む広い概念である。たとえば、照明器具、移動体用前
照灯、光ファイバー用光源装置、画像投射装置、光化学
装置、指紋判別装置などに適用することができる。な
お、照明装置本体とは、上記照明装置から高圧放電ラン
プ装置を除いた残余の部分をいう。なお、「電球形高圧
放電ランプ」とは、高圧放電ランプと、その安定器とを
一体化し、さらに受電用の口金を付設してなり、口金に
適応するランプソケットに装着することにより、白熱電
球を点灯するような感覚で使用することができるように
構成した照明装置を意味する。また、照明器具は、電球
形高圧放電ランプを装着した構成のものである。
参照して説明する。
1の実施形態を示す中央断面正面図である。
した状態を示す高圧放電ランプの縦断面図である。
圧放電ランプ11およびこれに一体化された点灯回路手
段12を必須構成要素として備えている。この他に、反
射鏡13、ケース14および受電手段15を備えてい
る。以下、構成要素別に説明する。
に、透光性セラミックス放電容器1、一対の電極2、給
電導体3、第1のシール4、セラミックスワッシャ5、
外部リード線6、第2のシール7および図面に現れない
放電媒体を備えている。なお、図3は、構成を理解しや
すくするために、上側のみを組み立て封止した状態を示
しているが、実際は上下対称構造になっている。
おいて説明したように、ほぼ球形の包囲部1a、一対の
円筒状の小径筒部1b、1bを一体成形により備えてい
る。電極2は、後述する給電導体3に支持されて先端が
包囲部1a内に突出し、小間隔を隔てて対向し、図示し
ていないが、一対の電極2の間に所定の電極間距離を設
定している。また、電極2と小径筒部1bの内面との間
にはキャピラリーと称されるわずかな隙間gが形成され
ている。
から中間部まで透光性セラミックス放電容器1の小径筒
部1b内に挿通され、後述する第1のシール4により封
止されるとともに、固定され、基端がわずかに外部に露
出している。また、給電導体3の先端には、電極2の基
端を溶接して一体に支持している。
電導体3の間に介在して透光性セラミックス放電容器1
を気密に封止するとともに、電極2を所定の位置に固定
している。そして、第1のシール4を形成するには、セ
ラミックス封止用コンパウンドを小径筒部1bの端面に
おいて、小径筒部1bから外部に突出している給電導体
3の周りに施与し、加熱溶融させて給電導体3および小
径筒部1bの内面の間の隙間に進入させて小径筒部1b
内に挿入されている給電導体3の全体を被覆するととも
に、さらに電極2の基端部をも被覆する。セラミックス
ワッシャ5は、中央の貫通孔5aを備え、給電導体3お
よび外部リード線6の接続部を包囲している。外部リー
ド線6は、耐酸化性金属からなり、給電導体3の基端に
溶接され、給電導体3と同一方向に延在している。第2
のシール7は、セラミックスワッシャ6の貫通孔6a内
を中心に給電導体3の小径筒部1bから外部に露出して
いる基端部を包囲している。したがって、給電導体3
は、第1および第2のシール4、7によって完全に被覆
されている。放電媒体として、発光金属のハロゲン化
物、水銀および希ガスが封入されている。
1の実施形態における点灯回路手段を示す回路図であ
る。以下、点灯回路手段12について図4を参照して説
明する。本実施形態は、ハーフブリッジ形高周波インバ
ータを主体とする蛍光ランプ用の点灯回路手段を用いて
いる。
過電流ヒューズ、NFはノイズフィルタ、RDは整流化
直流電源、Q1は第1のスイッチング手段、Q2は第2
のスイッチング手段、GDはゲートドライブ回路、ST
は始動回路、GPはゲート保護回路、LCは負荷回路で
ある。低周波交流電源ASは、100V商用電源であ
る。過電流ヒューズfは、配線基板に一体に形成したパ
ターンヒューズであり、過電流が流れた際に溶断して回
路が焼損しないように保護する。
よびコンデンサC1からなり、高周波インバータの動作
に伴って発生する高周波を電源側に流出しないように除
去する。
路BRおよび平滑コンデンサC2からなり、ブリッジ形
整流回路BRの交流入力端がノイズフィルタNFおよび
過電流ヒューズfを介して低周波交流電源ASに接続
し、また直流出力端が平滑コンデンサC2の両端に接続
していて、平滑化直流を供給する。第1のスイッチング
手段Q1は、Nチャンネル形MOSFETからなり、そ
のドレインが平滑コンデンサC2のプラス側に接続して
いる。第2のスイッチング手段Q2は、Pチャンネル形
MOSFETからなり、そのソースが第1のスイッチン
グ手段Q1のソースに接続し、ドレインが平滑コンデン
サC2のマイナス側に接続している。
グ手段Q1、Q2は、順方向に直列接続されて、その両
端が整流化直流電源RDの出力端間に接続していること
になる。
C、直列共振回路SRCおよびゲート電圧出力回路GO
からなる。
タL2に磁気結合している補助巻線からなる。直列共振
回路SRCは、インダクタL3およびコンデンサC3の
直列回路からなり、その両端は帰還手段FBCに接続し
ている。ゲート電圧出力手段GOは、直列共振回路SR
CのコンデンサC3の両端に現れる共振電圧をコンデン
サC4を介して取り出すように構成されている。そし
て、コンデンサC4の一端は、コンデンサC3とインダ
クタL3との接続点に接続し、コンデンサC4の他端は
第1および第2のスイッチング手段Q1、Q2のそれぞ
れのゲートに接続している。さらに、コンデンサC3の
他端が第1および第2のスイッチング手段Q1、Q2の
ソースに接続している。その結果、コンデンサC3の両
端に現れた共振電圧は、ゲート電圧出力回路GOを介し
て第1および第2のスイッチング手段Q1、Q2のゲー
ト・ソース間に印加される。
からなる。抵抗器R2は、その一端が平滑コンデンサC
2のプラス側に接続し、他端が第1のスイッチング手段
Q1のゲートに接続しているとともに、抵抗器R2の一
端およびゲートドライブ回路GDのゲート電圧出力回路
GOのゲート側の出力端すなわちコンデンサC4の他端
に接続している。抵抗器R2の他端は、直列共振回路S
RCのインダクタL3および帰還回路FBCの接続点に
接続している。抵抗器R3は、その一端が第1および第
2のスイッチング手段Q1、Q2の接続点すなわちそれ
ぞれのソースおよびゲート電圧出力回路GOのソース側
に接続し、他端が平滑コンデンサC2のマイナス側に接
続している。ゲート保護回路GPは、一対のツェナーダ
イオードを逆直列接続してなり、ゲート電圧出力回路G
Oに並列接続している。
限流インダクタL2および直流カットコンデンサC5の
直列回路と、高圧放電ランプHPLに並列接続した共振
コンデンサC6とからなり、一端が第1および第2のス
イッチング手段Q1、Q2の接続点に、他端が第2のス
イッチング手段Q2のドレインに接続している。高圧放
電ランプHPLは、図3に示す構成を備えている。限流
インダクタL2と共振コンデンサC6とは、直列共振回
路を形成する。なお、直流カットコンデンサC5は、容
量が大きいので、直列共振に大きくは影響しない。Q2
のドレイン・ソース間に接続されたコンデンサC7は、
第2のスイッチング手段Q2のスイッチング中の負荷を
軽減する。
を集光するために用いられていて、図2に示すように、
基体13a、反射面13bおよび頂部開口12cを備え
ている。
ていて、内面が回転放物面形状をなしている。
部分にアルミニウム蒸着により形成されている。
1が形成されていて、この段部13c1を利用して後述
するケース14に固定されている。
6aおよび16bを絶縁体17を介して固定し、接続導
体16aに高圧放電ランプ11の一方の外部リード線6
を接続し、接続導体16bに他方の外部リード線6を接
続することにより、高圧放電ランプ11は、反射鏡13
の光軸に沿って軸が位置して装着されている。
12の高周波出力端間に接続している。
の合成樹脂を成形して中空の手榴弾形状に形成されてい
る。また、ケース14は、上部体14aおよび下部体1
4bの2つ割り構成になっていて、内部に点灯回路手段
12を収納している。上部体14aは、後述する受電体
15を支持しているが、そのために上端に筒状部14a
1を一体に突出している。また、下部体14bは、高圧
放電ランプ11および反射鏡13を支持しているが、そ
のために下端に開口14b1が形成されている。そし
て、反射鏡13の頂部13cに形成した段部13c1を
開口14b1に挿入し、接着することによって反射鏡1
3をケース14に固定している。
は、E26形ねじ口金からなり、ケース14の上部体1
4aの筒状部14a1に装着されている。また、受電体
15は、その一対の受電端子が点灯回路手段12の入力
端に接続している。
光性アルミナセラミックス製、全長−23mm
m、真球度は0.8、軸長b(図1参照)が7.0mm
7mm(肉厚0.5mm)、長さ9mm
0.25mm、長さ7.5mm、電極間距離3mm
m、長さ4mm、小径筒部1bへの挿入深さ3mm
金、直径0.64mm、長さ5.5mm
O2−Dy2O3系のセラミックス封止用コンパウンド
すなわちチフリットガラス、融点1500゜C
ラミックス
SiO系の結合用ガラスすなわちフリットガラス、融点
1045゜C
でNe3%+Ar97%の混合ガスを150torr
nの沃化物重量比を0.42:1:1.25:1で2m
g
とした場合、a/fが0.37以内となるように周波数
は、例えば20KHzとした。
対のスイッチング手段をコンプリメンタリ接続したハー
フブリッジ形の高周波インバータを主体とする。
2の実施形態を示す縦断面図である。
一符号を付して説明は省略する。
8を用いている点で主として異なる。
ほぼ半球状をなし、その開口端がケース14の蓋体14
cの周縁に形成した周溝14c1に係合し、かつ耐熱性
接着剤によって固着されている。
の間に熱反射体19および空気断熱層20が配設されて
いる。
接して蓋体14cに凹窪部14c2を形成することによ
り、蓋体14cと熱反射体19との間に形成されてい
る。
4c3,14c3が形成されている。一方、高圧放電ラ
ンプ11は、横置きされ、接続導体16c、16dの先
端に接続されることにより、支持されている。接続導体
16c、16dは、蓋体14cの挿通孔14c3に挿通
され、基端が敗戦基盤12aに接続されることにより、
点灯回路手段12の高周波出力端に接続されている。
3の実施形態における高圧放電ランプを示す正面図であ
る。
面図である。
符号を付して説明は省略する。
8内に収納した点で異なる。
り、開口端にピンチシール部8aを形成している。モリ
ブデン線からなる接続導体9a、9bをピンチシール部
8aに挟持させることにより、高圧放電ランプ11は外
管8内に固定されている。
スを低圧封入している。
接続導体9a、9bの端部を突出させることにより、外
部接続端子9a1、9b1として用いることができる。
口金Bが取付けられてもよく、この場合にはピンチシー
ル部の露出幅は、口金Bの端部から2.5mm以下であ
れば、照明器具は小形の反射鏡のものを使用することが
できる。また、電極間距離が4mm以下で口金の受電部
先端から発光中心までの距離を50mm以下であっても
同様である。また、電極間距離が4mm以下で口金のラ
ンプ側端部から発光中心までの距離を45mm以下であ
っても同様である。 一方、口金の最大外径分の電極間
距離を0.5以内にすれば照明器具にランプを装着する
際に、位置ずれがしにくい。一方、高圧放電ランプ11
は、大気に曝されないので、給電導体3の基端部を延長
して小径筒部1bから突出させている。
間距離gEが設定されている。
4の実施形態における高圧放電ランプ組み立ての主要部
を示す正面図である。
一符号を付して説明は省略する。また、10は始動補助
導体である。
補助導体10を配設した点が特徴的構成である。
らなり、基端が接続導体9aに溶接により接続し、先端
が下方の電極(図示しない。)の周囲を包囲する小径筒
部1bの中間部に巻回されている。そして、その先端
は、他の部分よりも放電しないように巻回部分よりも気
密容器から遠ざかるように、折り曲げてもよい。
に図において下方の電極と始動補助導体10との間に点
灯回路手段の高周波の出力電圧が印加されるので、それ
らの間の電界強度が大きくなり、放電媒体の絶縁破壊が
促進される。その結果、相対的に低い電圧でも高圧放電
ランプは始動する。
は、図6に示ような外管8内に収納される。
5の実施形態を示す正面図である。図10は、同じく縦
断面図である。図11は、同じく高圧放電ランプの拡大
正面図である。図12は、同じく拡大要部断面図であ
る。
については同一符号を付して説明は省略する。
鏡13に対して横置き、すなわち反射鏡13の光軸に対
して透光性セラミックス放電容器1の軸が直交している
とともに、反射鏡13の周囲を包囲する保護手段21を
備え、さらに反射鏡13の前面に前面保護板22を配設
している点で異なる。
2に示すように、接続導体16c、16dが高圧放電ラ
ンプ11の軸に対して直交方向に導出されている。この
ため、セラミックスワッシャ5には、中心軸に沿う貫通
孔5aに連通する放射方向のスリット5bを形成し、外
部接続導体16c、16dを挿通している。
から一体に形成されている。
を一体に備えているとともに、反射面13bに一対の挿
通孔13eが形成されている。
おいて、反射鏡13の光軸と直交する直線を中心として
反射鏡13の両側面に形成されており、高圧放電ランプ
11の透光性セラミックス放電容器1の小径筒部1bが
挿通するためのものである。
13にその焦点が電極2,2間に位置するように配設さ
れる。この状態で高圧放電ランプ11の両端の小径筒部
1bが挿通孔13eを挿通して、反射鏡13の外部であ
る背面側に露出する。支持部13dは、基体13aの背
面において環状に一体成形されていて、反射鏡13を支
持する際に用いられる。ケース14の蓋体14cは、耐
熱性合成樹脂などの耐熱性物質からなり、盤状をなして
いるとともに、その前面中央に反射鏡13の支持部13
dを受け入れる支持溝14c4が形成されている。そし
て、支持溝14c4に嵌合された反射鏡13の支持部1
3dは、無機接着剤Bによって固着される。
14cの外周から一体に起立して筒状に形成されてい
る。そして、保護手段21は、反射鏡13および反射鏡
13から外部へ露出している高圧放電ランプ11の露出
部を保護する。高圧放電ランプ11に接続している外部
接続導体16c、16dは、蓋体14cの導体挿通孔1
4c3を貫通して蓋体14cの裏側へ導出されている。
り、反射鏡13の投光開口に耐熱性接着剤によって接着
されて、投光開口を閉塞している。
としてのスポットライトを示す正面図である。図におい
て、図9と同一部分についは同一符号を付して説明は省
略する。31は照明器具本体、32は高圧放電ランプ装
置である。照明器具本体31は、基台31a、支柱31
bおよび灯体31cを備えている。基台31aは、天井
に直付けまたはライティングダクトを介して天井に吊り
下げるように構成されている。支柱31bは、基台31
aから垂下して灯体31cを支持している。内部に基体
31aに接続する絶縁被覆導線(図示しない。)を挿通
している。灯体31cは、内部にランプソケット(図示
しない。)を収納している。ランプソケットは、絶縁被
覆導線に接続している。
ものと同一であり、ランプソケットに着脱自在に装着さ
れる。
高圧放電ランプ装置32の口金を装着すれば、高圧放電
ランプ装置32が高輝度で点灯し、反射鏡13により集
光されるので、所望のシャープな配光特性を得て被照体
を良好に照明することができる。
れば、真球度が0.6〜1.0かつ最大内径2.0〜
5.5mmのほぼ球形をなしていて放電空間を包囲する
包囲部を備えた透光性セラミックス放電容器を備えたラ
ンプ電力が50W以下の高圧放電ランプと高圧放電ラン
プを動作周波数f(kHz)、内径a(mm)としたと
きa/fが0.4以内となる高周波で点灯する点灯回路
手段とを具備しているから、共振周波数がほぼ単一モー
ドになるとともに高くできるので、これに伴って点灯回
路手段の動作周波数を高くすることができ、このため小
形化を図った高圧放電ランプ装置を提供することができ
る。
プロシウムおよびハロゲン原子を含む放電媒体、高圧放
電ランプのランプ電力が15〜20Wで、a/fを0.
37以下としたので、一層小形化を図った高圧放電ラン
プ装置を提供することができる。
手段がLC共振形の高周波インバータを主体として構成
されていることにより、回路構成が簡単で、小形、かつ
安価な高圧放電ランプ装置を提供することができる。
を有する照明装置を提供することができる。
セラミックス放電容器の包囲部の真球度を説明する説明
図
態を示す中央断面正面図
示す高圧放電ランプの縦断面図
態を示す縦断面図
態に置ける高圧放電ランプを示す正面図
施形態における高圧放電ランプ組み立ての主要部を示す
正面図
施形態を示す正面図
ポットライトを示す正面図
Claims (4)
- 【請求項1】真球度が0.6〜1.0のほぼ球形をなし
ていて放電空間を包囲する最大内径aが2.0〜5.5
mmの包囲部を備えた透光性セラミックス放電容器、透
光性セラミックス放電容器の包囲部に臨在する一対の電
極、ならびに透光性セラミックス放電容器内に封入され
た放電媒体を備え、ランプ電力が50W以下の高圧放電
ランプと;高圧放電ランプを動作周波数f(kHz)、
内径a(mm)としたときa/fが0.4以内となる高
周波で点灯する点灯回路手段と;を具備していることを
特徴とする高圧放電ランプ装置。 - 【請求項2】真球度が0.6〜1.0のほぼ球形をなし
ていて放電空間を包囲する最大内径aが2.0〜5.5
mmの包囲部を備えた透光性セラミックス放電容器、透
光性セラミックス放電容器の包囲部に臨在する一対の電
極、ならびに透光性セラミックス放電容器内に封入され
たディスプロシウムおよびハロゲン原子を含む放電媒体
を備え、ランプ電力が15〜25Wの高圧放電ランプ
と;高圧放電ランプを動作周波数f(kHz)、内径a
(mm)としたときa/fが0.37以内となる高周波
で点灯する点灯回路手段と;を具備していることを特徴
とする高圧放電ランプ装置。 - 【請求項3】点灯回路手段は、LC共振形の高周波イン
バータを主体として構成されていることを特徴とする請
求項1または2のいずれか一記載の高圧放電ランプ装
置。 - 【請求項4】照明装置本体と;照明装置本体に支持され
た請求項3記載の高圧放電ランプ装置と;を具備してい
ることを特徴とする照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001091132A JP2002175703A (ja) | 2000-09-27 | 2001-03-27 | 高圧放電ランプ装置および照明装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000293775 | 2000-09-27 | ||
JP2000-293775 | 2000-09-27 | ||
JP2001091132A JP2002175703A (ja) | 2000-09-27 | 2001-03-27 | 高圧放電ランプ装置および照明装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002175703A true JP2002175703A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=26600807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001091132A Pending JP2002175703A (ja) | 2000-09-27 | 2001-03-27 | 高圧放電ランプ装置および照明装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002175703A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177151A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-07-31 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 高圧放電ランプ、高圧放電ランプ点灯装置および照明装置 |
JP2008262728A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高圧放電ランプ |
JP2008311238A (ja) * | 2008-08-28 | 2008-12-25 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明器具 |
US8390390B2 (en) | 2009-10-01 | 2013-03-05 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Oven controlled crystal oscillator |
KR101264677B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2013-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 램프 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001091132A patent/JP2002175703A/ja active Pending
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