JP2002141488A - 固体撮像装置及び固体撮像システム - Google Patents
固体撮像装置及び固体撮像システムInfo
- Publication number
- JP2002141488A JP2002141488A JP2000337900A JP2000337900A JP2002141488A JP 2002141488 A JP2002141488 A JP 2002141488A JP 2000337900 A JP2000337900 A JP 2000337900A JP 2000337900 A JP2000337900 A JP 2000337900A JP 2002141488 A JP2002141488 A JP 2002141488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- protective film
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 82
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードの受光感度の低下や、光シ
ェーディングの発生を防止する。 【解決手段】 光を電荷に変換する光電変換手段と、前
記光電変換手段を保護する保護膜と、前記保護膜上に接
するように設けられ入射光を前記光電変換手段上に集め
るマイクロレンズとを備え、前記保護膜の表面を平坦化
し、平坦化した面に前記マイクロレンズを設ける。
ェーディングの発生を防止する。 【解決手段】 光を電荷に変換する光電変換手段と、前
記光電変換手段を保護する保護膜と、前記保護膜上に接
するように設けられ入射光を前記光電変換手段上に集め
るマイクロレンズとを備え、前記保護膜の表面を平坦化
し、平坦化した面に前記マイクロレンズを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、ディジ
タルカメラに用いる固体撮像装置及び固体撮像システム
に関する。
タルカメラに用いる固体撮像装置及び固体撮像システム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、平面上に、同一チップ上に形成し
たフォトダイオードを有する複数の画素の各々にマイク
ロレンズを備え、各マイクロレンズにより被写体からの
光を、フォトダイオードに集めて、各画素からの出力信
号を、画像処理部において処理して画像を形成する固体
撮像装置がある。
たフォトダイオードを有する複数の画素の各々にマイク
ロレンズを備え、各マイクロレンズにより被写体からの
光を、フォトダイオードに集めて、各画素からの出力信
号を、画像処理部において処理して画像を形成する固体
撮像装置がある。
【０００３】図６は、従来のＣＣＤ撮像素子を用いた固
体撮像装置のフォトダイオード及びマイクロレンズの周
辺の断面図である。図６には、シリコンなどからなる基
板２１と、基板２１上に設けられたフォトダイオード２
２と、フォトダイオード２２が設けられた基板２１上に
形成した酸化膜２９と、フォトダイオード２２で変換さ
れた電荷などを転送するためのクロック信号が伝送され
るポリシリコンなどからなる３層の配線２３と、主とし
て配線２３の下に設けられている電荷転送用の垂直ＣＣ
ＤレジスタＶCCDを遮光するタングステンなどからなる
遮光層２４と、フォトダイオード２２などを外気
（Ｏ2，Ｈ2Ｏ）、不純物イオン（Ｋ+，Ｎａ+）などから
保護するＳｉＯ2などからなる第１保護膜２５及びＳｉ
ＯＮ系などの第２保護膜３０と、第２保護膜３０の凹凸
を少なくする有機材料からなる平坦化層２６と、フォト
ダイオード２２に被写体からの光を集める平坦化層２６
上に設けられたマイクロレンズ２７とを示している。
体撮像装置のフォトダイオード及びマイクロレンズの周
辺の断面図である。図６には、シリコンなどからなる基
板２１と、基板２１上に設けられたフォトダイオード２
２と、フォトダイオード２２が設けられた基板２１上に
形成した酸化膜２９と、フォトダイオード２２で変換さ
れた電荷などを転送するためのクロック信号が伝送され
るポリシリコンなどからなる３層の配線２３と、主とし
て配線２３の下に設けられている電荷転送用の垂直ＣＣ
ＤレジスタＶCCDを遮光するタングステンなどからなる
遮光層２４と、フォトダイオード２２などを外気
（Ｏ2，Ｈ2Ｏ）、不純物イオン（Ｋ+，Ｎａ+）などから
保護するＳｉＯ2などからなる第１保護膜２５及びＳｉ
ＯＮ系などの第２保護膜３０と、第２保護膜３０の凹凸
を少なくする有機材料からなる平坦化層２６と、フォト
ダイオード２２に被写体からの光を集める平坦化層２６
上に設けられたマイクロレンズ２７とを示している。
【０００４】図６に示すような固体撮像装置は、基板２
１上にイオン注入などによりフォトダイオード２２を形
成し、層間絶縁層を介して３層の配線２３を形成する。
さらに、層間絶縁層を介して遮光層２４を形成する。こ
こで、遮光層２４は、配線２３を覆うように形成するこ
とで、垂直ＣＣＤレジスタＶCCDに光が入射しないよう
にしている。
１上にイオン注入などによりフォトダイオード２２を形
成し、層間絶縁層を介して３層の配線２３を形成する。
さらに、層間絶縁層を介して遮光層２４を形成する。こ
こで、遮光層２４は、配線２３を覆うように形成するこ
とで、垂直ＣＣＤレジスタＶCCDに光が入射しないよう
にしている。
【０００５】つづいて、その上にフォトダイオード２２
などを外気や水分から保護するために、第１保護膜２５
を形成する。それから、その上に第２保護膜３０を形成
する。第２保護膜３０は、遮光層２４の形状に応じて高
低差が７０００Å程度の凹凸ができるので、この凹凸を
少なくするように平坦化層２６を形成する。平坦化層２
６は、具体的には、第２保護膜３０条に有機材料を塗布
し、この有機材料を熱によるリフロー等によって平坦化
することで第２保護膜３０の凸部からの厚さが１μｍ程
度の平坦化層２６を形成する。
などを外気や水分から保護するために、第１保護膜２５
を形成する。それから、その上に第２保護膜３０を形成
する。第２保護膜３０は、遮光層２４の形状に応じて高
低差が７０００Å程度の凹凸ができるので、この凹凸を
少なくするように平坦化層２６を形成する。平坦化層２
６は、具体的には、第２保護膜３０条に有機材料を塗布
し、この有機材料を熱によるリフロー等によって平坦化
することで第２保護膜３０の凸部からの厚さが１μｍ程
度の平坦化層２６を形成する。
【０００６】このように形成された平坦化層２６の上面
と、フォトダイオード２２の上面との距離は、４〜６μ
ｍ程度となる。それから、平坦化層２６の上に、マイク
ロレンズ２７を設けることによって、図６に示すような
固体撮像装置が製造される。
と、フォトダイオード２２の上面との距離は、４〜６μ
ｍ程度となる。それから、平坦化層２６の上に、マイク
ロレンズ２７を設けることによって、図６に示すような
固体撮像装置が製造される。
【０００７】図７は、ＭＯＳ型撮像素子を用いた固体撮
像装置のフォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の
断面図である。図７において、３２はフォトダイオード
２２で変換された電荷の転送先であるフローティングデ
ィフュージョン領域、３１はフォトダイオード２２で変
換された電荷の転送を制御する転送ゲート、３３は隣接
する撮像素子との分離を行う選択酸化膜である。
像装置のフォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の
断面図である。図７において、３２はフォトダイオード
２２で変換された電荷の転送先であるフローティングデ
ィフュージョン領域、３１はフォトダイオード２２で変
換された電荷の転送を制御する転送ゲート、３３は隣接
する撮像素子との分離を行う選択酸化膜である。
【０００８】なお、図７において図６に示した部分と同
様の部分には、同一符号を付しているが、配線２３は１
層だけ形成しており、遮光層２４はアルミニウムで形成
している。図７に示す固体撮像装置は、図６と同様の手
順によって製造されている。
様の部分には、同一符号を付しているが、配線２３は１
層だけ形成しており、遮光層２４はアルミニウムで形成
している。図７に示す固体撮像装置は、図６と同様の手
順によって製造されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＣＣＤ
撮像素子を用いた固体撮像装置は、遮光層の上面から酸
化膜の上面までの厚さが７０００Å程度もあるので、マ
イクロレンズに対して斜めに光が入射すると、この光が
フォトダイオード上でなく、遮光層上に集められる場合
があった。マイクロレンズによって光がフォトダイオー
ド上に集められないと、フォトダイオードの受光感度が
低下したり、光シェーディングが発生する場合がある。
撮像素子を用いた固体撮像装置は、遮光層の上面から酸
化膜の上面までの厚さが７０００Å程度もあるので、マ
イクロレンズに対して斜めに光が入射すると、この光が
フォトダイオード上でなく、遮光層上に集められる場合
があった。マイクロレンズによって光がフォトダイオー
ド上に集められないと、フォトダイオードの受光感度が
低下したり、光シェーディングが発生する場合がある。
【００１０】また、従来のＭＯＳ型撮像素子を用いた固
体撮像装置は、ＣＣＤ撮像素子を用いたものに比して画
素サイズが大きく、フォトダイオードの一辺の幅を広く
することができるので、マイクロレンズに対して斜めに
光が入射しても、この光がフォトダイオード上に集めら
れていた。ところが、近年ＣＭＯＳセンサの画素の微細
化の要求に伴い、フォトダイオードが従来のものよりも
小さいものも形成されつつあり、具体的には、フォトダ
イオードの各辺の長さは３μｍ程度から１．５μｍにま
で狭められている。フォトダイオードが小さくなると、
ＣＣＤ撮像素子を用いた固体撮像装置と同様に、マイク
ロレンズによって光が遮光層上に集められ、フォトダイ
オードの受光感度の低下や、光シェーディングの発生が
想定される。
体撮像装置は、ＣＣＤ撮像素子を用いたものに比して画
素サイズが大きく、フォトダイオードの一辺の幅を広く
することができるので、マイクロレンズに対して斜めに
光が入射しても、この光がフォトダイオード上に集めら
れていた。ところが、近年ＣＭＯＳセンサの画素の微細
化の要求に伴い、フォトダイオードが従来のものよりも
小さいものも形成されつつあり、具体的には、フォトダ
イオードの各辺の長さは３μｍ程度から１．５μｍにま
で狭められている。フォトダイオードが小さくなると、
ＣＣＤ撮像素子を用いた固体撮像装置と同様に、マイク
ロレンズによって光が遮光層上に集められ、フォトダイ
オードの受光感度の低下や、光シェーディングの発生が
想定される。
【００１１】そこで、本発明は、ＭＯＳ型撮像素子を備
えた固体撮像装置におけるフォトダイオードの受光感度
の低下や、光シェーディングの発生を防止することを課
題とする。
えた固体撮像装置におけるフォトダイオードの受光感度
の低下や、光シェーディングの発生を防止することを課
題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光を電荷に変換する光電変換手段と、前
記光電変換手段を保護する保護膜と、前記保護膜上に接
するように設けられ被写体からの光を前記光電変換手段
上に集めるマイクロレンズとを備え、前記保護膜の表面
を平坦化し、平坦化した面に前記マイクロレンズを設け
る。
に、本発明は、光を電荷に変換する光電変換手段と、前
記光電変換手段を保護する保護膜と、前記保護膜上に接
するように設けられ被写体からの光を前記光電変換手段
上に集めるマイクロレンズとを備え、前記保護膜の表面
を平坦化し、平坦化した面に前記マイクロレンズを設け
る。
【００１３】また、本発明の固体撮像システムは、上記
固体撮像装置と、前記固体撮像装置へ光を結像する光学
系と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号
処理回路とを有する。
固体撮像装置と、前記固体撮像装置へ光を結像する光学
系と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号
処理回路とを有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１５】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の固体撮像装置のフォトダイオードなどの光電変換手
段及びマイクロレンズの周辺の断面図である。図１に
は、シリコンなどからなる基板２１と、基板２１上に設
けられたフォトダイオード２２と、フォトダイオード２
２で変換された電荷の転送先であるフローティングディ
フュージョン領域３２と、フォトダイオード２２で変換
された電荷の転送を制御する転送ゲート３１と、隣接す
るＭＯＳ型撮像素子との分離を行う選択酸化膜３３と、
基板２１上に形成した酸化膜２９と、フォトダイオード
２２で変換された電荷などを伝送するポリシリコンやア
ルミニウムなどから配線２３と、フローティングディフ
ュージョン領域３２，選択酸化膜３３及びトランジスタ
を遮光するアルミニウムなどからなる遮光層２４と、フ
ォトダイオード２２などを主として外気や水分や不純物
イオン（Ｋ+，Ｎａ+，Ｈ2Ｏ等の不純物汚染）から保護
するＳｉＯ2などの無機材料（無機化合物）からなる第
１保護膜２５及びＳｉＮやＳｉＯＮなどの無機材料（無
機化合物）からなる保護膜であるところの第２保護膜３
０と、第２保護膜３０上に設けられフォトダイオード２
２に被写体からの光を集めるマイクロレンズ２７とを示
している。
１の固体撮像装置のフォトダイオードなどの光電変換手
段及びマイクロレンズの周辺の断面図である。図１に
は、シリコンなどからなる基板２１と、基板２１上に設
けられたフォトダイオード２２と、フォトダイオード２
２で変換された電荷の転送先であるフローティングディ
フュージョン領域３２と、フォトダイオード２２で変換
された電荷の転送を制御する転送ゲート３１と、隣接す
るＭＯＳ型撮像素子との分離を行う選択酸化膜３３と、
基板２１上に形成した酸化膜２９と、フォトダイオード
２２で変換された電荷などを伝送するポリシリコンやア
ルミニウムなどから配線２３と、フローティングディフ
ュージョン領域３２，選択酸化膜３３及びトランジスタ
を遮光するアルミニウムなどからなる遮光層２４と、フ
ォトダイオード２２などを主として外気や水分や不純物
イオン（Ｋ+，Ｎａ+，Ｈ2Ｏ等の不純物汚染）から保護
するＳｉＯ2などの無機材料（無機化合物）からなる第
１保護膜２５及びＳｉＮやＳｉＯＮなどの無機材料（無
機化合物）からなる保護膜であるところの第２保護膜３
０と、第２保護膜３０上に設けられフォトダイオード２
２に被写体からの光を集めるマイクロレンズ２７とを示
している。
【００１６】図１に示す固体撮像装置は、フローティン
グディフュージョン領域３２，選択酸化膜３３及びＭＯ
Ｓトランジスタに光が入射しないように遮光膜２４を設
けているので、その上に第１保護膜２５を形成すると、
第１保護膜２５には、遮光層２４の形状に応じて高低差
が７０００Å程度の凹凸が生じる。
グディフュージョン領域３２，選択酸化膜３３及びＭＯ
Ｓトランジスタに光が入射しないように遮光膜２４を設
けているので、その上に第１保護膜２５を形成すると、
第１保護膜２５には、遮光層２４の形状に応じて高低差
が７０００Å程度の凹凸が生じる。
【００１７】そのため、マイクロレンズ２７を平らな面
に載置するため、上面が平らな第２保護膜３０を形成す
る。第２保護膜３０は、具体的には第１保護膜２５上に
ＳｉＯＮ系材料を塗布し、これの表面を化学的機械的研
磨（Chemical Mechanical Polish：ＣＭＰ）などによっ
て、平坦化することで第１保護膜２５の凸部からの厚さ
が２０００Å程度、第１保護膜２５の凹部からの厚さが
９０００Å程度の第２保護膜３０を形成する。
に載置するため、上面が平らな第２保護膜３０を形成す
る。第２保護膜３０は、具体的には第１保護膜２５上に
ＳｉＯＮ系材料を塗布し、これの表面を化学的機械的研
磨（Chemical Mechanical Polish：ＣＭＰ）などによっ
て、平坦化することで第１保護膜２５の凸部からの厚さ
が２０００Å程度、第１保護膜２５の凹部からの厚さが
９０００Å程度の第２保護膜３０を形成する。
【００１８】このように形成した第２保護膜３０の上面
からフォトダイオード２２の上面までの厚さは、２．５
〜３．５μｍ程度となる。それから、第２保護膜３０の
上に、マイクロレンズ２７を設けることによって、図１
に示すような固体撮像装置を製造する。
からフォトダイオード２２の上面までの厚さは、２．５
〜３．５μｍ程度となる。それから、第２保護膜３０の
上に、マイクロレンズ２７を設けることによって、図１
に示すような固体撮像装置を製造する。
【００１９】以上説明したように、本実施形態では、第
２保護膜３０をＳｉＯＮ系の材料を用いていることに鑑
みて、これをＣＭＰによって平坦化することで、特に、
平坦化層を設けることなく、斜めに入射した光を、フォ
トダイオード２２上に集めるようにしている。
２保護膜３０をＳｉＯＮ系の材料を用いていることに鑑
みて、これをＣＭＰによって平坦化することで、特に、
平坦化層を設けることなく、斜めに入射した光を、フォ
トダイオード２２上に集めるようにしている。
【００２０】（実施形態２）図２は、本発明の実施形態
２の固体撮像装置のフォトダイオード及びマイクロレン
ズの周辺の断面図である。図２において、２８はＳｉＯ
系等の無機材料（無機化合物）からなる保護膜であると
ころの第３保護膜である。なお、図２において、図１と
同様の部分には同一の符号を付している。
２の固体撮像装置のフォトダイオード及びマイクロレン
ズの周辺の断面図である。図２において、２８はＳｉＯ
系等の無機材料（無機化合物）からなる保護膜であると
ころの第３保護膜である。なお、図２において、図１と
同様の部分には同一の符号を付している。
【００２１】図２に示す固体撮像装置は、図１と同様
に、第１保護膜２５を形成した後に、この上に、第２保
護膜３０をたとえば２０００Å程度の厚さで形成する。
それから、この上に第３保護膜２８を形成している。第
３保護膜２８は、具体的には、第２保護膜３０上にＳｉ
Ｏ系の材料を塗布して、これをＣＭＰによって、平坦化
することで第２保護膜３０の凸部からの厚さが２０００
Å程度、第２保護膜３０の凹部からの厚さが９０００Å
程度の第３保護膜２８を形成する。
に、第１保護膜２５を形成した後に、この上に、第２保
護膜３０をたとえば２０００Å程度の厚さで形成する。
それから、この上に第３保護膜２８を形成している。第
３保護膜２８は、具体的には、第２保護膜３０上にＳｉ
Ｏ系の材料を塗布して、これをＣＭＰによって、平坦化
することで第２保護膜３０の凸部からの厚さが２０００
Å程度、第２保護膜３０の凹部からの厚さが９０００Å
程度の第３保護膜２８を形成する。
【００２２】このように形成した第３保護膜２８の上面
からフォトダイオード２２の上面までの距離は、２．７
〜３．７μｍ程度となる。それから、第３保護膜２８上
に、マイクロレンズ２７を設けることによって、図２に
示すような固体撮像装置を製造する。
からフォトダイオード２２の上面までの距離は、２．７
〜３．７μｍ程度となる。それから、第３保護膜２８上
に、マイクロレンズ２７を設けることによって、図２に
示すような固体撮像装置を製造する。
【００２３】以上説明したように、本実施形態では、Ｃ
ＭＰによって第３保護膜２８を形成するこによって、フ
ォトダイオード２２の一辺の長さが１．５μｍ程度の固
体撮像装置に対して斜めに入射した光を、フォトダイオ
ード２２上に集めるようにしている。
ＭＰによって第３保護膜２８を形成するこによって、フ
ォトダイオード２２の一辺の長さが１．５μｍ程度の固
体撮像装置に対して斜めに入射した光を、フォトダイオ
ード２２上に集めるようにしている。
【００２４】上記実施形態１，２で記載したＳｉＯＮ系
又はＳｉＯ系の材料として、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＯ2，プラズマＳｉＯＮ，プラズマＳｉＮ,プラズマＳ
ｉＯ等がある。
又はＳｉＯ系の材料として、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＯ2，プラズマＳｉＯＮ，プラズマＳｉＮ,プラズマＳ
ｉＯ等がある。
【００２５】（実施形態３）図３は、実施形態１，２の
固体撮像装置として、特に有効な構成の固体撮像装置の
示す模式図である。図３に示す固体撮像装置は、同一半
導体チップ上に形成されている。図３において、９０５
は光電変換手段を有する画素、９０１〜９０４は画素９
０５が２次元に配列されそれぞれ像を結像させるＲ，Ｇ
１，Ｇ２，Ｂの各撮像領域であり、４つの撮像領域９０
１〜９０４は、２次元状に配列されている。
固体撮像装置として、特に有効な構成の固体撮像装置の
示す模式図である。図３に示す固体撮像装置は、同一半
導体チップ上に形成されている。図３において、９０５
は光電変換手段を有する画素、９０１〜９０４は画素９
０５が２次元に配列されそれぞれ像を結像させるＲ，Ｇ
１，Ｇ２，Ｂの各撮像領域であり、４つの撮像領域９０
１〜９０４は、２次元状に配列されている。
【００２６】また、図３において、９０６ａ〜９０６ｄ
はそれぞれ各撮像領域９０１〜９０４に配列されている
各画素９０５から電荷に基づく増幅信号を読み出すため
の制御信号を供給するタイミングを制御する垂直シフト
レジスタ、９０９は制御信号を各画素９０５へ供給する
水平信号線、９１２は各画素９０５から読み出された増
幅信号を伝送する垂直信号線、９１１ａ〜９１１ｄはそ
れぞれ各撮像領域９０１〜９０４の垂直信号線９１２に
読み出された増幅信号を順次外部の処理回路への転送を
制御する水平シフトレジスタである。
はそれぞれ各撮像領域９０１〜９０４に配列されている
各画素９０５から電荷に基づく増幅信号を読み出すため
の制御信号を供給するタイミングを制御する垂直シフト
レジスタ、９０９は制御信号を各画素９０５へ供給する
水平信号線、９１２は各画素９０５から読み出された増
幅信号を伝送する垂直信号線、９１１ａ〜９１１ｄはそ
れぞれ各撮像領域９０１〜９０４の垂直信号線９１２に
読み出された増幅信号を順次外部の処理回路への転送を
制御する水平シフトレジスタである。
【００２７】なお、Ｒ，Ｇ１，Ｂ，Ｇ２の各撮像領域９
０１〜９０４は、光学設計上たとえばＲフィルタが設け
られたＲ撮像領域９０１とＢフィルタが設けられたＢ撮
像領域９０４とが対角に配置され、Ｇ１フィルタが設け
られたＧ１撮像領域９０２とＧ２フィルタが設けられた
Ｇ２撮像領域９０３とが対角に配置されている。
０１〜９０４は、光学設計上たとえばＲフィルタが設け
られたＲ撮像領域９０１とＢフィルタが設けられたＢ撮
像領域９０４とが対角に配置され、Ｇ１フィルタが設け
られたＧ１撮像領域９０２とＧ２フィルタが設けられた
Ｇ２撮像領域９０３とが対角に配置されている。
【００２８】図４は、各画素９０５の構成を示す等価回
路図であり、図１，図２は、それぞれ各画素９０５の断
面図を示すものである。図４において、９２１は入射光
を光電変換するフォトダイオード（光電変換手段）、９
２２は電気信号をフローティングディフュージョン領域
に転送する転送スイッチ（転送手段）、９２４はフロー
ティングディフュージョン領域の電荷をリセットするリ
セットスイッチ（リセット手段）、９２３は増幅信号を
得るためのＭＯＳトランジスタ（増幅手段）、９２５は
ＭＯＳトランジスタから選択的に増幅信号を読み出すた
めの選択スイッチである。
路図であり、図１，図２は、それぞれ各画素９０５の断
面図を示すものである。図４において、９２１は入射光
を光電変換するフォトダイオード（光電変換手段）、９
２２は電気信号をフローティングディフュージョン領域
に転送する転送スイッチ（転送手段）、９２４はフロー
ティングディフュージョン領域の電荷をリセットするリ
セットスイッチ（リセット手段）、９２３は増幅信号を
得るためのＭＯＳトランジスタ（増幅手段）、９２５は
ＭＯＳトランジスタから選択的に増幅信号を読み出すた
めの選択スイッチである。
【００２９】上記で説明した転送スイッチ、リセットス
イッチ、ＭＯＳトランジスタ、及び選択スイッチは、垂
直シフトレジスタ９０６から供給される信号によって制
御される。
イッチ、ＭＯＳトランジスタ、及び選択スイッチは、垂
直シフトレジスタ９０６から供給される信号によって制
御される。
【００３０】つぎに、図３，図４の動作を説明する。ま
ず、被写体像は撮像レンズによって４つの像に分割さ
れ、各撮像領域９０１〜９０４に集光される。そして、
Ｒ，Ｇ１，Ｇ２，Ｂの各撮像領域９０１〜９０４内の対
応する位置に配置されている各フォトダイオード９２１
に光が入射すると、電荷が生成される。その後、各転送
スイッチ９２２がオンされると、各フォトダイオード９
２１内の電荷は、各フローティングディフュージョン領
域に転送される。これにより、これらの電荷によって各
ＭＯＳトランジスタ９２３のゲートがオンされる。
ず、被写体像は撮像レンズによって４つの像に分割さ
れ、各撮像領域９０１〜９０４に集光される。そして、
Ｒ，Ｇ１，Ｇ２，Ｂの各撮像領域９０１〜９０４内の対
応する位置に配置されている各フォトダイオード９２１
に光が入射すると、電荷が生成される。その後、各転送
スイッチ９２２がオンされると、各フォトダイオード９
２１内の電荷は、各フローティングディフュージョン領
域に転送される。これにより、これらの電荷によって各
ＭＯＳトランジスタ９２３のゲートがオンされる。
【００３１】つぎに、垂直シフトレジスタ９０６ａ〜９
０６ｄからの制御信号が各水平信号線９０９を通じて増
幅信号の読み出しが選択された選択スイッチ９２５のゲ
ートをオンすると、係るＭＯＳトランジスタ９２３によ
って得られた増幅信号が、各垂直信号線９１２に読み出
される。なお、増幅信号が読み出された各画素９０５で
は、各リセットスイッチ９２４がオンされ、各フローテ
ィングディフュージョン領域及び各フォトダイオード９
２１の電位がリセットされる。
０６ｄからの制御信号が各水平信号線９０９を通じて増
幅信号の読み出しが選択された選択スイッチ９２５のゲ
ートをオンすると、係るＭＯＳトランジスタ９２３によ
って得られた増幅信号が、各垂直信号線９１２に読み出
される。なお、増幅信号が読み出された各画素９０５で
は、各リセットスイッチ９２４がオンされ、各フローテ
ィングディフュージョン領域及び各フォトダイオード９
２１の電位がリセットされる。
【００３２】一方、各垂直信号線９１２に読み出された
増幅信号は、各水平シフトレジスタ９１１の制御に従っ
て、順次、図示しない処理回路へたとえばＲ撮像領域９
０１，Ｇ１撮像領域９０２，Ｂ撮像領域９０４，Ｇ２撮
像領域９０３の各画素９０５の順に転送される。
増幅信号は、各水平シフトレジスタ９１１の制御に従っ
て、順次、図示しない処理回路へたとえばＲ撮像領域９
０１，Ｇ１撮像領域９０２，Ｂ撮像領域９０４，Ｇ２撮
像領域９０３の各画素９０５の順に転送される。
【００３３】図３に示すように、本実施形態の固体撮像
装置は、各撮像領域９０１〜９０４毎に、垂直シフトレ
ジスタ９０６ａ〜９０６ｄと水平シフトレジスタ９１１
ａ〜９１１ｄとをそれぞれ設けて、各垂直シフトレジス
タ９０６ａ〜９０６から対応する位置の各画素９０５に
対して同時に制御信号を供給し、さらに、水平シフトレ
ジスタ９１１ａ〜９１１ｄによって、各画素９０５から
読み出された増幅信号を処理回路へ転送している。そし
て、本実施形態では、それぞれの撮像領域９０１〜９０
４に形成されているカラーフィルタは、マイクロレンズ
上部（マイクロレンズよりも光の入射側）であって、マ
イクロレンズが形成されている半導体チップとは別に配
置されている。
装置は、各撮像領域９０１〜９０４毎に、垂直シフトレ
ジスタ９０６ａ〜９０６ｄと水平シフトレジスタ９１１
ａ〜９１１ｄとをそれぞれ設けて、各垂直シフトレジス
タ９０６ａ〜９０６から対応する位置の各画素９０５に
対して同時に制御信号を供給し、さらに、水平シフトレ
ジスタ９１１ａ〜９１１ｄによって、各画素９０５から
読み出された増幅信号を処理回路へ転送している。そし
て、本実施形態では、それぞれの撮像領域９０１〜９０
４に形成されているカラーフィルタは、マイクロレンズ
上部（マイクロレンズよりも光の入射側）であって、マ
イクロレンズが形成されている半導体チップとは別に配
置されている。
【００３４】（実施形態４）図５は、実施形態１〜３に
おいて説明した固体撮像装置を用いた固体撮像システム
の構成図である。図５において、１はレンズのプロテク
トとメインスイッチを兼ねるバリア、２は被写体の光学
像を固体撮像素子４に結像させるレンズ、３はレンズを
通った光量を可変するための絞り、４はレンズ２で結像
された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像
素子、５は固体撮像素子４から出力される画像信号に各
種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路、
６は固体撮像素子４より出力される画像信号のアナログ
／ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、７はＡ／Ｄ変換
器６より出力された画像データに各種の補正を行ったり
データを圧縮する信号処理部、８は固体撮像素子４，撮
像信号処理回路５，Ａ／Ｄ変換器６，信号処理部７に各
種タイミング信号を出力するタイミング発生部、９は各
種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・
演算部、１０は画像データを一時的に記憶するためのメ
モリ部、１１は記録媒体に記録又は読み出しを行うため
の記録媒体制御インターフェース部、１２は画像データ
の記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱
可能な記録媒体、１３は外部コンピュータ等と通信する
ための外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）部である。
おいて説明した固体撮像装置を用いた固体撮像システム
の構成図である。図５において、１はレンズのプロテク
トとメインスイッチを兼ねるバリア、２は被写体の光学
像を固体撮像素子４に結像させるレンズ、３はレンズを
通った光量を可変するための絞り、４はレンズ２で結像
された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像
素子、５は固体撮像素子４から出力される画像信号に各
種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路、
６は固体撮像素子４より出力される画像信号のアナログ
／ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、７はＡ／Ｄ変換
器６より出力された画像データに各種の補正を行ったり
データを圧縮する信号処理部、８は固体撮像素子４，撮
像信号処理回路５，Ａ／Ｄ変換器６，信号処理部７に各
種タイミング信号を出力するタイミング発生部、９は各
種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・
演算部、１０は画像データを一時的に記憶するためのメ
モリ部、１１は記録媒体に記録又は読み出しを行うため
の記録媒体制御インターフェース部、１２は画像データ
の記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱
可能な記録媒体、１３は外部コンピュータ等と通信する
ための外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）部である。
【００３５】つぎに、図５の動作について説明する。バ
リア１がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎ
にコントロール系の電源がオンし、さらに、Ａ／Ｄ変換
器６などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、
露光量を制御するために、全体制御・演算部９は絞り３
を開放にし、固体撮像素子４から出力された信号は、撮
像信号処理回路５をスルーしてＡ／Ｄ変換器６へ出力さ
れる。Ａ／Ｄ変換器６は、その信号をＡ／Ｄ変換して、
信号処理部７に出力する。信号処理部７は、そのデータ
を基に露出の演算を全体制御・演算部９で行う。
リア１がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎ
にコントロール系の電源がオンし、さらに、Ａ／Ｄ変換
器６などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、
露光量を制御するために、全体制御・演算部９は絞り３
を開放にし、固体撮像素子４から出力された信号は、撮
像信号処理回路５をスルーしてＡ／Ｄ変換器６へ出力さ
れる。Ａ／Ｄ変換器６は、その信号をＡ／Ｄ変換して、
信号処理部７に出力する。信号処理部７は、そのデータ
を基に露出の演算を全体制御・演算部９で行う。
【００３６】この測光を行った結果により明るさを判断
し、その結果に応じて全体制御・演算部９は絞りを制御
する。つぎに、固体撮像素子４から出力された信号をも
とに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を
全体制御・演算部９で行う。その後、レンズを駆動して
合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したとき
は、再びレンズを駆動し測距を行う。
し、その結果に応じて全体制御・演算部９は絞りを制御
する。つぎに、固体撮像素子４から出力された信号をも
とに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を
全体制御・演算部９で行う。その後、レンズを駆動して
合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したとき
は、再びレンズを駆動し測距を行う。
【００３７】そして、合焦が確認された後に本露光が始
まる。露光が終了すると、固体撮像素子４から出力され
た画像信号は、撮像信号処理回路５において補正等がさ
れ、さらにＡ／Ｄ変換器６でＡ／Ｄ変換され、信号処理
部７を通り全体制御・演算９によりメモリ部１０に蓄積
される。その後、メモリ部１０に蓄積されたデータは、
全体制御・演算部９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部
を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体１２に記録
される。また外部Ｉ／Ｆ部１３を通り直接コンピュータ
等に入力して画像の加工を行ってもよい。
まる。露光が終了すると、固体撮像素子４から出力され
た画像信号は、撮像信号処理回路５において補正等がさ
れ、さらにＡ／Ｄ変換器６でＡ／Ｄ変換され、信号処理
部７を通り全体制御・演算９によりメモリ部１０に蓄積
される。その後、メモリ部１０に蓄積されたデータは、
全体制御・演算部９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部
を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体１２に記録
される。また外部Ｉ／Ｆ部１３を通り直接コンピュータ
等に入力して画像の加工を行ってもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明は、平坦
化した保護膜上に接するようにマイクロレンズを設けて
いるので、マイクロレンズとフォトダイオードとの間を
薄くすることが可能となり、フォトダイオードの受光感
度の低下や、光シェーディングの発生を防止することが
できる。
化した保護膜上に接するようにマイクロレンズを設けて
いるので、マイクロレンズとフォトダイオードとの間を
薄くすることが可能となり、フォトダイオードの受光感
度の低下や、光シェーディングの発生を防止することが
できる。
【図１】本発明の実施形態１の固体撮像装置のフォトダ
イオード及びマイクロレンズの周辺の断面図である。
イオード及びマイクロレンズの周辺の断面図である。
【図２】本発明の実施形態２の固体撮像装置のフォトダ
イオード及びマイクロレンズの周辺の断面図である。
イオード及びマイクロレンズの周辺の断面図である。
【図３】本発明の実施形態３の固体撮像装置を示す図で
ある。
ある。
【図４】図３の固体撮像装置の１画素の等価回路を表す
図である。
図である。
【図５】本発明の実施形態４の固体撮像システムの構成
図である。
図である。
【図６】従来のＣＣＤ撮像素子を用いた固体撮像装置の
フォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の断面図で
ある。
フォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の断面図で
ある。
【図７】従来のＭＯＳ型撮像素子を用いた固体撮像装置
のフォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の断面図
である。
のフォトダイオード及びマイクロレンズの周辺の断面図
である。
１ バリア ２ レンズ ３ 絞り ４ 固体撮像素子 ５ 撮像信号処理回路 ６ Ａ／Ｄ変換器 ７ 信号処理部 ８ タイミング発生部 ９ 全体制御・演算部 １０ メモリ部 １１ 記録媒体制御インターフェース（Ｉ／Ｆ）部 １２ 記録媒体 １３ 外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）部 ２１ 基板 ２２ フォトダイオード ２３ 配線 ２４ 遮光層 ２５ 第１保護膜 ２６ 平坦化層 ２７ マイクロレンズ ２８ 第３保護膜 ２９ 酸化膜 ３０ 第２保護膜 ３１ 転送ゲート ３２ フローティングディフュージョン領域 ３３ 選択酸化膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AA05 AB01 BA10 BA14 CA03 CA33 CA34 CA40 CB14 DD04 DD09 EA01 FA06 GB11 GC08 GD04 5C024 CX35 CX41 CY47 EX43 GX03 GY31 5F049 MA02 MB03 NA17 NA20 NB05 QA01 QA11 SZ12 SZ13 TA12
Claims (8)
- 【請求項１】 光を電荷に変換する光電変換手段と、前
記光電変換手段を保護する保護膜と、前記保護膜上に接
するように設けられ入射光を前記光電変換手段上に集め
るマイクロレンズとを備え、 前記保護膜の表面を平坦化し、平坦化した面に前記マイ
クロレンズを設ける固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記保護膜は、無機材料からなることを
特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記保護膜は、化学的機械的研磨によっ
て平坦化される請求項１又は２記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記保護膜は、化学的機械的研磨を行え
る材料からなる請求項１から３のいずれか１項記載の固
体撮像装置。 - 【請求項５】 前記保護膜は、ＳｉＯＮ系又はＳｉＯ系
の材料からなる請求項１から４のいずれか１項記載の固
体撮像装置。 - 【請求項６】 前記光電変換手段を含む撮像素子は、Ｍ
ＯＳ型撮像素子である請求項１から５のいずれか１項記
載の固体撮像装置。 - 【請求項７】 カラーフィルタを前記マイクロレンズよ
りも光の入射側に設けることを特徴とする請求項１から
６のいずれか１項記載の固体撮像装置。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項記載の固
体撮像装置と、 前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、 前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回
路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000337900A JP2002141488A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
| US09/976,096 US7139028B2 (en) | 2000-10-17 | 2001-10-15 | Image pickup apparatus |
| EP01308790A EP1198126B1 (en) | 2000-10-17 | 2001-10-16 | Image pickup apparatus |
| EP03077185A EP1365581B1 (en) | 2000-10-17 | 2001-10-16 | Image pickup apparatus |
| DE60140845T DE60140845D1 (de) | 2000-10-17 | 2001-10-16 | Bildaufnahmegerät |
| CNB011357673A CN1159904C (zh) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | 图象摄取设备 |
| CNB2004100036264A CN100362665C (zh) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | 图象摄取设备 |
| KR10-2001-0063880A KR100488371B1 (ko) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | 촬상 장치 |
| KR10-2003-0066464A KR100506440B1 (ko) | 2000-10-17 | 2003-09-25 | 촬상 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000337900A JP2002141488A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141488A true JP2002141488A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18813207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000337900A Pending JP2002141488A (ja) | 2000-10-17 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141488A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236013A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| JP2006157004A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサのマイクロレンズ及びその形成方法 |
| US7119319B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device |
| KR100677040B1 (ko) | 2003-04-30 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 외부렌즈로 인한 특성열화를 보정한 시모스 이미지센서 |
| CN100382328C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-04-16 | 株式会社东芝 | 固态成像装置和电子静止照相机 |
| JP2008153677A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-07-03 | Canon Inc | 固体撮像装置及びカメラ |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000337900A patent/JP2002141488A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100677040B1 (ko) | 2003-04-30 | 2007-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 외부렌즈로 인한 특성열화를 보정한 시모스 이미지센서 |
| CN100382328C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-04-16 | 株式会社东芝 | 固态成像装置和电子静止照相机 |
| JP2005236013A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| US8159010B2 (en) | 2004-02-19 | 2012-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pick-up device and imaging system using the same |
| US7119319B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device |
| CN100403545C (zh) * | 2004-04-08 | 2008-07-16 | 佳能株式会社 | 固体摄像元件及其设计支持方法及摄像装置 |
| JP2006157004A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサのマイクロレンズ及びその形成方法 |
| JP2008153677A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-07-03 | Canon Inc | 固体撮像装置及びカメラ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100506440B1 (ko) | 촬상 장치 | |
| TWI636557B (zh) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
| JP4826111B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法および画像撮影装置 | |
| JP5045012B2 (ja) | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 | |
| JP6060851B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| CN108810430B (zh) | 一种成像系统及其形成方法 | |
| US9269734B2 (en) | Method of manufacturing solid-state imaging device | |
| JP2002252338A (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
| CN102082156A (zh) | 固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置 | |
| JP2004311594A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4270105B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN212323001U (zh) | 图像传感器像素和图像传感器像素阵列 | |
| JP4495949B2 (ja) | ２板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
| JP2002141488A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像システム | |
| JPH10189936A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2002110953A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2006080480A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP4378108B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2011109033A (ja) | 層内レンズおよびその製造方法、カラーフィルタおよびその製造方法、固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子情報機器 | |
| JP2007294667A (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
| JP3326940B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2009129931A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 | |
| JP2004055669A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2006202907A (ja) | 撮像素子 | |
| JP2006073886A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |