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JP2002100875A - Printed wiring board and capacitor - Google Patents

Printed wiring board and capacitor

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JP2002100875A
JP2002100875A JP2000266287A JP2000266287A JP2002100875A JP 2002100875 A JP2002100875 A JP 2002100875A JP 2000266287 A JP2000266287 A JP 2000266287A JP 2000266287 A JP2000266287 A JP 2000266287A JP 2002100875 A JP2002100875 A JP 2002100875A
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chip capacitor
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靖 稲垣
Touto O
東冬 王
Hideo Yahashi
英郎 矢橋
Seiji Shirai
誠二 白井
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board which incorporates capacitors with which appropriate connection is provided. SOLUTION: Chip capacitors 20 are housed in a core substrate 30. The chip capacitors 20 is electrically connected to first the second electrodes 21 and 22 coated with a copper plating film 29 through via holes 46 plated with copper. Thanks to the copper plating film 29, the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smooth and no resin residue is left out when a non- through hole 43 is opened at a connection layer 40, for raised connection reliability between the via holes 46 and the chip capacitors 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】ICチップなどの電子部品を
載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵
するプリント配線板に関するのもである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board on which electronic components such as IC chips are mounted, and more particularly to a printed wiring board having a built-in capacitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、電源からICチップの電源/アースまでのルー
プインダクタンスを低減するため、チップコンデンサを
表面実装することがある。しかし、ループインダクタン
スのリアクタンス分は周波数に依存する。このため、I
Cチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサ
を実装させても、ループインダクタンスのリアクタンス
分を性能的に要求されるだけ低減することができなくな
った。
2. Description of the Related Art At present, in a printed wiring board for a package substrate, a chip capacitor is sometimes mounted on a surface in order to reduce a loop inductance from a power supply to a power supply / ground of an IC chip. However, the reactance of the loop inductance depends on the frequency. Therefore, I
With an increase in the driving frequency of the C chip, even if a chip capacitor is mounted, the reactance of the loop inductance cannot be reduced as much as required in performance.

【0003】このため、本発明者は、プリント配線板内
にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コン
デンサを基板に埋め込む技術としては、特開平6−32
6472号、特開平7−263619号、特開平10−
256429号、特開平11−45955号、特開平1
1−126978号、特開平11−312868号等が
ある。
For this reason, the present inventor has an idea of accommodating a chip capacitor in a printed wiring board. As a technique for embedding a capacitor in a substrate, see Japanese Unexamined Patent Publication No.
6472, JP-A-7-263619, JP-A-10-
No. 256429, JP-A-11-45555, JP-A-1
1-112678 and JP-A-11-31868.

【0004】特開平6−326472号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平7−
263619号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a resin substrate made of glass epoxy. With this configuration, power supply noise is reduced, and a space for mounting a chip capacitor is not required, and the size of the insulating substrate can be reduced. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 263619 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate made of ceramic, alumina, or the like. With this configuration, by connecting between the power supply layer and the ground layer, the wiring length is shortened and the wiring inductance is reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短
くできず、ICチップの更なる高周波数領域において
は、現在必要とされるようにインダクタンスを低減する
ことができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ
配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、
樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の
違いから、チップコンデンサの端子とバイアホールとの
間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で
剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り
高い信頼性を達成することができなかった。
However, the above-described technique cannot shorten the distance of the capacitor from the IC chip so much, and in the higher frequency region of the IC chip, the inductance is reduced as required at present. I couldn't do that. In particular, in a multilayer build-up wiring board made of resin, a capacitor made of ceramic,
Due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate made of resin and the interlayer resin insulation layer, disconnection between the terminal of the chip capacitor and the via hole, peeling between the chip capacitor and the interlayer resin insulation layer, cracks in the interlayer resin insulation layer And high reliability could not be achieved over a long period of time.

【0006】本発明は上述した課題を解決するためなさ
れたものであり、その目的とするところは、ループイン
ダクタンスを低減できるプリント配線板を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board capable of reducing loop inductance.

【0007】また、本発明の目的は、コンデンサを内蔵
すると共に高い信頼性を達成できるプリント配線板、及
び、コンデンサを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a printed wiring board which incorporates a capacitor and which can achieve high reliability and a capacitor.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項1は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路と
を積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板
内にコンデンサを収容させたことを技術的特徴とする。
According to one aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein a capacitor is provided in the core substrate. Is a technical feature.

【0009】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。
A circuit formed by a build-up method in which an interlayer resin insulating layer is provided on a core substrate, a via hole or a through hole is formed in the interlayer resin insulating layer, and a conductive circuit as a conductive layer is formed. I have. They include
Either a semi-additive method or a full-additive method can be used.

【0010】請求項1では、プリント配線板内にコンデ
ンサを配置するため、ICチップとコンデンサとの距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することがで
きる。また、厚みの厚いコア基板内にコンデンサを収容
するため、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを
積層してもプリント配線板を厚くすることがない。
According to the first aspect, since the capacitor is arranged in the printed wiring board, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, and the loop inductance can be reduced. Further, since the capacitor is accommodated in the thick core substrate, the printed wiring board does not become thick even if the interlayer resin insulating layer and the conductive circuit are laminated on the core substrate.

【0011】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。
It is desirable to fill the void with a resin. By eliminating the gap between the capacitor and the core substrate, the built-in capacitor is less likely to behave, and even if a stress originating from the capacitor is generated, the stress can be reduced by the filled resin. The resin also has the effect of reducing adhesion and migration between the capacitor and the core substrate.

【0012】請求項2は、コア基板に樹脂絶縁層と導体
回路とを積層してなるプリント配線板であって、チップ
コンデンサの電極の被覆層を少なくとも一部を露出させ
て、前記プリント配線板に収容し、前記被覆層から露出
した電極にめっきにより電気的接続を取ったことを技術
的特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board formed by laminating a resin insulating layer and a conductor circuit on a core substrate, wherein at least a part of a coating layer of an electrode of a chip capacitor is exposed. And electrically connecting the electrodes exposed from the coating layer by plating.

【0013】請求項2、3では、チップコンデンサの電
極の被覆層から、少なくとも一部を露出させてプリント
配線板に収容し、被覆層から露出した電極にめっきによ
り電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出
した金属は、主成分がCuであるものであることが望ま
しい。その理由としては露出した金属に、めっきを形成
した際の接続性が高くなり、電気特性の差がなく、接続
抵抗を低減することができる。
According to the second and third aspects, at least a part of the electrode of the chip capacitor is exposed from the coating layer and housed in the printed wiring board, and the electrode exposed from the coating layer is electrically connected by plating. At this time, it is desirable that the metal exposed from the coating layer is a metal whose main component is Cu. The reason for this is that the connectivity when plating is formed on the exposed metal is increased, there is no difference in electrical characteristics, and the connection resistance can be reduced.

【0014】請求項4は、コア基板に樹脂絶縁層と導体
回路とを積層してなるプリント配線板であって、チップ
コンデンサの電極に金属膜を形成させて、前記プリント
配線板に収容し、前記金属膜を形成させた電極へめっき
により電気的接続を取ったことを技術的特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board formed by laminating a resin insulating layer and a conductive circuit on a core substrate, wherein a metal film is formed on an electrode of a chip capacitor and housed in the printed wiring board. A technical feature is that an electrical connection is made to the electrode on which the metal film is formed by plating.

【0015】請求項4、5では、金属膜を形成したチッ
プコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホールで
電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの
電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属
膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成するた
め、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹
脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性を
高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。
In the fourth and fifth aspects, the electrodes of the chip capacitor on which the metal film is formed are electrically connected to the via holes formed by plating. Here, the electrode of the chip capacitor is made of metallized and has irregularities on the surface, but the surface is smoothed by the metal film and the via hole is formed, so when the through hole is formed in the resin coated on the electrode As a result, no resin residue remains, and the connection reliability between the via hole and the electrode can be improved. Furthermore, since the via hole is formed by plating on the plated electrode, the connectivity between the electrode and the via hole is high, and even if a heat cycle test is performed, disconnection between the electrode and the via hole may occur. Absent.

【0016】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することもできる。
It is desirable that the metal film of the electrode of the capacitor is provided with any one of copper, nickel and noble metal. This is because a layer of tin or zinc in the built-in capacitor easily induces migration at a connection portion with the via hole. Therefore, occurrence of migration can be prevented.

【0017】請求項6では、外縁の内側に電極の形成さ
れたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経
て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメント
の許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
According to the sixth aspect of the present invention, since a chip capacitor having an electrode formed inside the outer edge is used, a large external electrode can be obtained even when conduction is established through a via hole, and the allowable range of alignment is widened. Disappears.

【0018】請求項7では、マトリクス状に電極が形成
されたチップコンデンサを用いるので、大判のチップコ
ンデンサをコア基板に収容することが容易になる。さら
に、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが
発生し難くなる。
In the seventh aspect, since the chip capacitors having the electrodes formed in a matrix are used, it becomes easy to accommodate the large-sized chip capacitors in the core substrate. Further, even after various thermal histories, the printed wiring board is less likely to warp.

【0019】請求項8では、コンデンサとして、多数個
取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いる、
即ち、大判のチップコンデンサを用いるため、容量の大
きなチップコンデンサを用いることができる。さらに、
種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生
し難くなる。
According to the present invention, a plurality of chip capacitors for multi-cavity are connected and used as the capacitor.
That is, since a large-sized chip capacitor is used, a large-capacity chip capacitor can be used. further,
Even after various thermal histories, the printed wiring board is less likely to warp.

【0020】請求項9は、コア基板に樹脂絶縁層と導体
回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コ
ア基板内にコンデンサを収容させて、かつ、前記プリン
ト配線板の表面にコンデンサを実装したことを技術的特
徴とする。
A ninth aspect of the present invention is a printed wiring board formed by laminating a resin insulating layer and a conductive circuit on a core substrate, wherein a capacitor is accommodated in the core substrate, and a printed circuit board is provided on a surface of the printed wiring board. A technical feature is that the capacitor is mounted.

【0021】請求項9では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ICチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。
In the ninth aspect, a capacitor is provided on the surface in addition to the capacitor housed in the substrate. Since the capacitor is housed in the printed wiring board, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, the loop inductance is reduced, and power can be supplied instantaneously. Because a capacitor is provided, a large-capacity capacitor can be attached.
Large power can be easily supplied to the IC chip.

【0022】請求項10では、表面のコンデンサの静電
容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、
高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のIC
チップの動作が確保される。
According to the tenth aspect, since the capacitance of the capacitor on the surface is larger than the capacitance of the capacitor in the inner layer,
There is no shortage of power supply in the high frequency range, and the desired IC
The operation of the chip is ensured.

【0023】請求項11では、表面のコンデンサのイン
ダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上
であるため、高周波領域における電源供給の不足がな
く、所望のICチップの動作が確保される。
According to the eleventh aspect, since the inductance of the capacitor on the surface is equal to or greater than the inductance of the capacitor in the inner layer, there is no shortage of power supply in a high frequency region, and a desired operation of the IC chip is ensured.

【0024】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施すこともできる。これにより、セラミックから成る
チップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁
層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても
界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生すること
がない。
Further, the surface of the chip capacitor may be subjected to a roughening treatment. As a result, the adhesion between the ceramic chip capacitor and the resin adhesive layer and the interlayer resin insulating layer is high, and the adhesive layer and the interlayer resin insulating layer are peeled off at the interface even when the heat cycle test is performed. There is no.

【0025】請求項12のプリント配線板の内蔵用のコ
ンデンサは、チップコンデンサのメタライズ電極の表面
に銅めっき膜を被覆したことを技術的特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a capacitor for incorporating a printed wiring board, which is characterized in that a surface of a metallized electrode of a chip capacitor is coated with a copper plating film.

【0026】請求項12では、チップコンデンサの電極
に金属膜と形成し表面を平滑にしてあるため、プリント
配線板内に収容され、電極上に被覆された樹脂に通孔を
形成した際に、樹脂残さが残らないため、バイアホール
と電極との接続信頼性を高めることができる。
In the twelfth aspect, since a metal film is formed on the electrode of the chip capacitor and the surface is smoothed, when a through hole is formed in the resin accommodated in the printed wiring board and coated on the electrode, Since no resin residue remains, the connection reliability between the via hole and the electrode can be improved.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について図6、図7を参照し
て説明する。図6は、プリント配線板10の断面を示
し、図7は、図6に示すプリント配線板10にICチッ
プ90を搭載し、ドータボード94側へ取り付けた状態
を示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 shows a cross section of the printed wiring board 10, and FIG. 7 shows a state where the IC chip 90 is mounted on the printed wiring board 10 shown in FIG.

【0028】図6に示すようにプリント配線板10は、
チップコンデンサ20と、チップコンデンサ20を収容
するコア基板30と、ビルドアップ層80A、80Bを
構成する層間樹脂絶縁層60とからなる。コア基板30
は、コンデンサ20を収容する収容層31と接続層40
とからなる。接続層40には、バイアホール46及び導
体回路48が形成され、層間樹脂絶縁層60には、バイ
アホール66及び導体回路68が形成されている。本実
施形態では、ビルドアップ層が1層の層間樹脂絶縁層6
0からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁
層からなることができる。
As shown in FIG. 6, the printed wiring board 10
The chip capacitor 20 includes a core substrate 30 that houses the chip capacitor 20, and an interlayer resin insulation layer 60 that forms the build-up layers 80A and 80B. Core substrate 30
Are a housing layer 31 for housing the capacitor 20 and a connection layer 40
Consists of Via holes 46 and conductor circuits 48 are formed in the connection layer 40, and via holes 66 and conductor circuits 68 are formed in the interlayer resin insulation layer 60. In the present embodiment, the build-up layer has one interlayer resin insulation layer 6.
However, the build-up layer may include a plurality of interlayer resin insulation layers.

【0029】チップコンデンサ20は、図9(A)に示
すように第1電極21と第2電極22と、該第1、第2
電極に挟まれた誘電体23とから成り、該誘電体23に
は、第1電極21側に接続された第1導電膜24と、第
2電極22側に接続された第2導電膜25とが複数枚対
向配置されている。第1電極21及び第2電極22は、
銅メタライズからなる金属層26に、半田等の被覆層2
8が被されている。本実施形態では、第1電極21及び
第2電極22にめっきからなるバイアホール46で接続
を取る。第1実施形態のプリント配線板では、図9
(B)に示すように、チップコンデンサ20の第1電極
21および第2電極22の上面の被覆層28から金属層
26を露出させている。このため、図6に示すように、
第1、第2電極21,22とめっきからなるバイアホー
ル46との接続性が高くなり、また、接続抵抗を低減す
ることができる。
The chip capacitor 20 includes a first electrode 21 and a second electrode 22 as shown in FIG.
A first conductive film 24 connected to the first electrode 21 side and a second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side. Are arranged facing each other. The first electrode 21 and the second electrode 22
The metal layer 26 made of copper metallization is coated with
8 are covered. In the present embodiment, the first electrode 21 and the second electrode 22 are connected via via holes 46 made of plating. In the printed wiring board of the first embodiment, FIG.
As shown in (B), the metal layer 26 is exposed from the coating layer 28 on the upper surfaces of the first electrode 21 and the second electrode 22 of the chip capacitor 20. For this reason, as shown in FIG.
The connectivity between the first and second electrodes 21 and 22 and the via holes 46 made of plating is increased, and the connection resistance can be reduced.

【0030】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ20と樹脂からなる接着層40との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接着層40の剥
離が発生することがない。この粗化層23aは、焼成後
に、チップコンデンサ20の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。
Further, a roughened layer 23a is provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 20. Therefore, the adhesion between the chip capacitor 20 made of ceramic and the adhesive layer 40 made of resin is high, and the adhesive layer 40 does not peel off at the interface even when the heat cycle test is performed. The roughened layer 23a can be formed by polishing the surface of the chip capacitor 20 after firing, or by performing a roughening process before firing.

【0031】図7に示すように上側のビルドアップ層8
0Aのバイアホール66には、ICチップ90のパッド
92S1、92S2、92P1,92P2へ接続するた
めのバンプ76が形成されている。一方、下側のビルド
アップ層80Bのバイアホール66には、ドータボード
94のパッド96S1、96S2、96P1、96P2
へ接続するためのバンプ76が配設されている。コア基
板30にはスルーホール36が形成されている。
As shown in FIG. 7, the upper build-up layer 8
Bumps 76 for connecting to pads 92S1, 92S2, 92P1, and 92P2 of IC chip 90 are formed in via hole 66 of 0A. On the other hand, pads 96S1, 96S2, 96P1, 96P2 of the daughter board 94 are provided in the via holes 66 of the lower buildup layer 80B.
A bump 76 is provided for connection to the substrate. A through hole 36 is formed in the core substrate 30.

【0032】ICチップ90の信号用のパッド92S2
は、バンプ76−導体回路68−バイアホール66−ス
ルーホール36−バイアホール66−バンプ76を介し
て、ドータボード94の信号用のパッド96S2に接続
されている。一方、ICチップ90の信号用のパッド9
2S1は、バンプ76−バイアホール66−スルーホー
ル36−バイアホール66−バンプ76を介して、ドー
タボード94の信号用のパッド96S1に接続されてい
る。
Signal pad 92S2 of IC chip 90
Are connected to the signal pad 96S2 of the daughter board 94 via the bump 76, the conductor circuit 68, the via hole 66, the through hole 36, the via hole 66, and the bump 76. On the other hand, the signal pad 9 of the IC chip 90
2S1 is connected to a signal pad 96S1 of the daughter board 94 via a bump 76-via hole 66-through hole 36-via hole 66-bump 76.

【0033】ICチップ90の電源用パッド92P1
は、バンプ76−バイアホール66−導体回路48−バ
イアホール46を介してチップコンデンサ20の第1電
極21へ接続されている。一方、ドータボード94の電
源用パッド96P1は、バンプ76−バイアホール66
−スルーホール36−導体回路48−バイアホール46
を介してチップコンデンサ20の第1電極21へ接続さ
れている。
Power supply pad 92P1 of IC chip 90
Is connected to the first electrode 21 of the chip capacitor 20 via the bump 76-via hole 66-conductor circuit 48-via hole 46. On the other hand, the power supply pad 96P1 of the daughter board 94 is connected to the bump 76-via hole 66.
-Through hole 36-Conductor circuit 48-Via hole 46
To the first electrode 21 of the chip capacitor 20.

【0034】ICチップ90の電源用パッド92P2
は、バンプ76−バイアホール66−導体回路48−バ
イアホール46を介してチップコンデンサ20の第2電
極22へ接続されている。一方、ドータボード94の電
源用パッド96P2は、バンプ76−バイアホール66
−スルーホール36−導体回路48−バイアホール46
を介してチップコンデンサ20の第2電極22へ接続さ
れている。
Power supply pad 92P2 of IC chip 90
Is connected to the second electrode 22 of the chip capacitor 20 via a bump 76-via hole 66-conductor circuit 48-via hole 46. On the other hand, the power supply pad 96P2 of the daughter board 94 is connected to the bump 76 and the via hole 66.
-Through hole 36-Conductor circuit 48-Via hole 46
Is connected to the second electrode 22 of the chip capacitor 20 via the.

【0035】本実施形態のプリント配線板10では、I
Cチップ90の直下にチップコンデンサ20を配置する
ため、ICチップとコンデンサとの距離が短くなり、電
力を瞬時的にICチップ側へ供給することが可能にな
る。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さ
を短縮することができる。
In the printed wiring board 10 of this embodiment, I
Since the chip capacitor 20 is disposed immediately below the C chip 90, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, so that power can be instantaneously supplied to the IC chip. That is, the loop length that determines the loop inductance can be reduced.

【0036】更に、チップコンデンサ20とチップコン
デンサ20との間にスルーホール36を設け、チップコ
ンデンサ20を信号線が通過しない。このため、コンデ
ンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝
搬遅延を防ぐことができる。
Further, a through hole 36 is provided between the chip capacitors 20 so that a signal line does not pass through the chip capacitor 20. For this reason, it is possible to prevent reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance that occurs when passing through the capacitor, and propagation delay due to passage through the high dielectric substance.

【0037】また、プリント配線板の裏面側に接続され
る外部基板(ドータボード)94とコンデンサ20の第
1端子21,第2端子22とは、ICチップ側の接続層
40に設けられたバイアホール46及びコア基板に形成
されたスルーホール36を介して接続される。即ち、心
材を備え加工が困難な収容層31に通孔を形成してコン
デンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続
信頼性を高めることができる。
An external board (daughter board) 94 connected to the back side of the printed wiring board and the first terminal 21 and the second terminal 22 of the capacitor 20 are connected to via holes formed in the connection layer 40 on the IC chip side. 46 and through a through hole 36 formed in the core substrate. That is, since a through hole is formed in the housing layer 31 having the core material and which is difficult to process, and the terminal of the capacitor is not directly connected to the external substrate, the connection reliability can be improved.

【0038】また、本実施形態では、図6に示すように
コア基板30の通孔37の下面とチップコンデンサ20
との間に接着剤32を介在させ、通孔37の側面とチッ
プコンデンサ20との間に樹脂充填剤32aを充填して
ある。ここで、接着剤32及び樹脂充填剤32aの熱膨
張率を、コア基板30及び接着層40よりも小さく、即
ち、セラミックからなるチップコンデンサ20に近いよ
うに設定してある。このため、ヒートサイクル試験にお
いて、コア基板及び接着層40とチップコンデンサ20
との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板
及び接着層40にクラック、剥離等が生じ難く、高い信
頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防
止することもできる。
In this embodiment, as shown in FIG. 6, the lower surface of the through hole 37 of the core substrate 30 and the chip capacitor 20
An adhesive 32 is interposed therebetween, and a resin filler 32 a is filled between the side surface of the through hole 37 and the chip capacitor 20. Here, the thermal expansion coefficients of the adhesive 32 and the resin filler 32a are set to be smaller than those of the core substrate 30 and the adhesive layer 40, that is, close to the chip capacitor 20 made of ceramic. Therefore, in the heat cycle test, the core substrate and the adhesive layer 40 and the chip capacitor 20
Even if internal stress is generated due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate and the adhesive layer 40, cracks, peeling, and the like hardly occur, and high reliability can be achieved. In addition, the occurrence of migration can be prevented.

【0039】第1実施形態のプリント配線板の製造工程
について、図1〜図6を参照して説明する。先ず、心材
にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ35を4枚積層
してなる積層板31αにチップコンデンサ収容用の通孔
37を形成し、一方、プリプレグ35を2枚積層してな
る積層板31βを用意する(図1(A))。ここで、プ
リプレグとして、エポキシ以外でも、BT、フェノール
樹脂あるいはガラスクロスなどの強化材を含有したもの
を用い得る。しかし、コア基板をセラミックやAINな
どの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加
工性が悪く、コンデンサを収容することができないこと
があり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためで
ある。次に、積層板31αと積層板31βとを重ね収容
層31を形成した後、通孔37内に図9(B)を参照し
て上述したように第1、第2電極21,22の上面の被
覆28を剥いだチップコンデンサ20を収容させる(図
1(B))。ここで、該通孔37とチップコンデンサ2
0との間に接着剤32を介在させることが好適である。
なお、本願に用いられる樹脂及び層間樹脂絶縁層は、融
点が300℃以下であり、350℃以上の温度を加える
と、溶解、軟化もくしは炭化してしまう。
The manufacturing process of the printed wiring board according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. First, a through hole 37 for accommodating a chip capacitor is formed in a laminated plate 31α formed by laminating four prepregs 35 in which a core material is impregnated with an epoxy resin, and a laminated plate 31β formed by laminating two prepregs 35 is formed. Prepare (FIG. 1A). Here, as the prepreg, a material containing a reinforcing material such as BT, phenol resin or glass cloth other than epoxy can be used. However, a substrate made of ceramic, AIN, or the like cannot be used as the core substrate. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and may cause voids even when filled with resin. Next, after stacking the laminated plate 31α and the laminated plate 31β to form the accommodation layer 31, the upper surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are formed in the through holes 37 as described above with reference to FIG. The chip capacitor 20 from which the coating 28 has been peeled off is accommodated (FIG. 1B). Here, the through hole 37 and the chip capacitor 2
It is preferable that an adhesive 32 is interposed between the first and second adhesive layers.
The melting point of the resin and the interlayer resin insulating layer used in the present application is 300 ° C. or less, and when a temperature of 350 ° C. or more is applied, the resin is melted, softened, or carbonized.

【0040】次に、上記チップコンデンサ20を収容す
る積層板31α及び積層板31βからなる収容層の両面
に、樹脂フィルム(接続層)40αを積層させる(図1
(C))。そして、両面からプレスして表面を平坦にす
る。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデ
ンサ20を収容する収容層31と接続層40とからなる
コア基板30を形成する(図1(D))。本実施形態で
は、コンデンサ20を収容した収容層31と接続層40
とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板30を形
成するため、表面が平坦化される。これにより、後述す
る工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層6
0及び導体回路68を積層することができる。
Next, a resin film (connecting layer) 40α is laminated on both sides of a laminated layer composed of the laminated plate 31α and the laminated plate 31β for accommodating the chip capacitor 20 (FIG. 1).
(C)). And it presses from both surfaces and makes a surface flat. Thereafter, the core substrate 30 including the housing layer 31 housing the chip capacitor 20 and the connection layer 40 is formed by heating and curing (FIG. 1D). In the present embodiment, the housing layer 31 housing the capacitor 20 and the connection layer 40
The pressure is applied to both surfaces to form the core substrate 30, so that the surface is flattened. Thereby, in a process described later, the interlayer resin insulating layer 6 is formed so as to have high reliability.
0 and the conductor circuit 68 can be stacked.

【0041】なお、コア基板の通孔37の側面に樹脂充
填剤32aを充填して、気密性を高めることが好適であ
る。また、ここでは、樹脂フィルム40αには、金属層
のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を
配設した樹脂フィルム(RCC)を用いてもよい。即
ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フ
ィルムを用いることができる。
It is preferable that the side surface of the through hole 37 of the core substrate is filled with the resin filler 32a to improve the airtightness. Further, here, the resin film 40α is laminated without using a metal layer, but a resin film (RCC) having a metal layer disposed on one side may be used. That is, a double-sided plate, a single-sided plate, a resin plate having no metal film, and a resin film can be used.

【0042】次に、層間樹脂絶縁層40,コア基板及び
層間樹脂絶縁層40に対して、ドリルでスルーホール用
の300〜500μmの通孔33を穿設する(図2
(A))。そして、CO2レーザ、YAGレーザ、エキ
シマレーザ又はUVレーザにより上面側の層間樹脂絶縁
層40にチップコンデンサ20の第1電極21及び第2
電極22へ至る非貫通孔43を穿設する(図2
(B))。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させ
て通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエ
リア加工を行ってもよい。更に、バイアホールの大きさ
や径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによ
って形成させてもよい。
Next, a through hole 33 of 300 to 500 μm for a through hole is formed in the interlayer resin insulating layer 40, the core substrate and the interlayer resin insulating layer 40 by a drill (FIG. 2).
(A)). Then, the first electrode 21 and the second electrode 21 of the chip capacitor 20 are applied to the interlayer resin insulation layer 40 on the upper surface side by a CO2 laser, a YAG laser, an excimer laser, or a UV laser.
A non-through hole 43 is formed to reach the electrode 22 (see FIG. 2).
(B)). In some cases, an area mask having a through hole may be placed in correspondence with the position of the non-through hole to perform the area processing with a laser. Further, in the case where via holes having different sizes and diameters are formed, they may be formed by a mixed laser.

【0043】その後、デスミヤ処理を施す。引き続き、
表面のパラジウム触媒を付与した後、無電解めっき液に
コア基板30を浸漬し、均一に無電解銅めっき膜44を
析出させる(図2(C))。無電解銅めっき膜44の表
面に粗化層を形成することもできる。粗化層はRa(平
均粗度高さ)=0.01〜5μmである。特に望ましい
のは、0.5〜3μmの範囲である。
Thereafter, a desmear process is performed. Continued
After applying the palladium catalyst on the surface, the core substrate 30 is immersed in the electroless plating solution to uniformly deposit the electroless copper plating film 44 (FIG. 2C). A roughened layer can be formed on the surface of the electroless copper plating film 44. The roughened layer has Ra (average roughness height) = 0.01 to 5 μm. Particularly desirable is a range of 0.5 to 3 μm.

【0044】そして、無電解めっき膜44の表面に感光
性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光
・現像処理し、所定パターンのレジスト51を形成する
(図3(A))。ここでは、無電解めっきを用いている
が、スパッタにより銅、ニッケル等の金属膜を形成する
ことも可能である。スパッタはコスト的には不利である
が、樹脂との密着性を改善できる利点がある。そして、
電解めっき液にコア基板30を浸漬し、無電解めっき膜
44を介して電流を流し電解銅めっき膜45を析出させ
る(図3(B))。そして、レジスト51を5%のKOH
で剥離した後、レジスト51下の無電解めっき膜44を
硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、層間
樹脂絶縁層40の非貫通孔43にバイアホール46、接
続層40の表面に導体回路48を、コア基板30の通孔
33にスルーホール36を形成する(図3(C))。
Then, a photosensitive dry film is stuck on the surface of the electroless plating film 44, a mask is placed, exposure and development are performed, and a resist 51 having a predetermined pattern is formed (FIG. 3A). Here, electroless plating is used, but it is also possible to form a metal film of copper, nickel, or the like by sputtering. Sputtering is disadvantageous in cost, but has the advantage of improving the adhesion to the resin. And
The core substrate 30 is immersed in the electrolytic plating solution, and a current is passed through the electroless plating film 44 to deposit the electrolytic copper plating film 45 (FIG. 3B). Then, the resist 51 is replaced with 5% KOH
Then, the electroless plating film 44 under the resist 51 is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, the non-through hole 43 of the interlayer resin insulating layer 40 is provided with the via hole 46, and the surface of the connection layer 40 is provided. In the conductor circuit 48, a through hole 36 is formed in the through hole 33 of the core substrate 30 (FIG. 3C).

【0045】導体回路48、バイアホール46及びスル
ーホール36の導体層の表面に粗化層を設ける。酸化
(黒化)−還元処理、Cu−Ni−Pからなる合金など
の無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩か
らなるエッチング液などのエッチング処理によって粗化
層を施す。粗化層はRa(平均粗度高さ)=0.01〜
5μmである。特に望ましいのは、0.5〜3μmの範
囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗
化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フ
ィルムを貼り付けることも可能である。
A roughened layer is provided on the surface of the conductor layer of the conductor circuit 48, the via hole 46, and the through hole 36. The roughened layer is formed by an oxidation (blackening) -reduction treatment, an electroless plating film of an alloy made of Cu-Ni-P, or an etching treatment of an etching solution containing a cupric complex and an organic acid salt. The roughened layer has Ra (average roughness height) = 0.01 to
5 μm. Particularly desirable is a range of 0.5 to 3 μm. Although the roughened layer is formed here, it is also possible to directly fill the resin and attach a resin film as described later without forming the roughened layer.

【0046】引き続き、スルーホール36内に樹脂層3
8を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹
脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペー
ストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場
合は、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率
を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として
充填させる。スルーホール36への樹脂38の充填後、
樹脂フィルム60αを貼り付ける(図4(A))。な
お、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布す
ることも可能である。樹脂フィルム60αを貼り付けた
後、フォト、レーザにより、絶縁層60αに開口径20
〜250μmであるバイアホール63を形成してから熱
硬化させる(図4(B))。その後、コア基板に触媒付
与し、無電解めっきへ浸積して、層間樹脂絶縁層60の
表面に均一に厚さ0.9μmの無電解めっき膜64を析
出させ、その後、所定のパターンをレジスト70で形成
させる(図4(C))。
Subsequently, the resin layer 3 is formed in the through hole 36.
8 is filled. As the resin layer, either a resin having no conductivity such as a resin such as an epoxy resin as a main component or a conductive resin containing a metal paste such as copper may be used. In this case, the thermosetting epoxy resin is filled with a material such as silica which is included for matching the coefficient of thermal expansion as a resin filler. After filling the through hole 36 with the resin 38,
The resin film 60α is attached (FIG. 4A). Note that a resin may be applied instead of attaching a resin film. After attaching the resin film 60α, the opening diameter 20 is formed in the insulating layer 60α by photo and laser.
A via hole 63 having a thickness of about 250 μm is formed and then thermally cured (FIG. 4B). Thereafter, a catalyst is applied to the core substrate, and the core substrate is immersed in the electroless plating to uniformly deposit an electroless plating film 64 having a thickness of 0.9 μm on the surface of the interlayer resin insulating layer 60. 70 (FIG. 4C).

【0047】電解めっき液に浸漬し、無電解めっき膜6
4を介して電流を流してレジスト70の非形成部に電解
銅めっき膜65を形成する(図5(A))。レジスト7
0を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めっき
膜64を溶解除去し、無電解めっき膜64及び電解銅め
っき膜65からなるの導体回路68及びバイアホール6
6を得る(図5(B))。
Immersion in the electrolytic plating solution, and the electroless plating film 6
A current is passed through the substrate 4 to form an electrolytic copper plating film 65 on the non-formed portion of the resist 70 (FIG. 5A). Resist 7
Then, the electroless plating film 64 under the plating resist is dissolved and removed, and the conductor circuit 68 including the electroless plating film 64 and the electrolytic copper plating film 65 and the via hole 6 are removed.
6 is obtained (FIG. 5B).

【0048】第2銅錯体と有機酸とを含有するエッチン
グ液により、導体回路68及びバイアホール66の表面
に粗化面(図示せず)を形成し、さらにその表面にSn置
換を行ってもよい。
A roughened surface (not shown) is formed on the surface of the conductor circuit 68 and the via hole 66 by using an etching solution containing a second copper complex and an organic acid, and the surface is further substituted with Sn. Good.

【0049】上述したプリント配線板にはんだバンプを
形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗
布し、乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパター
ン)が描画されたフォトマスクフィルム(図示せず)を
密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そ
してさらに、加熱処理し、はんだパッド部分(バイアホ
ールとそのランド部分を含む)の開口部72aを有する
ソルダーレジスト層(厚み20μm)72を形成する(図
5(C))。
A solder bump is formed on the above-mentioned printed wiring board. After applying a solder resist composition to both sides of the substrate and performing a drying process, a photomask film (not shown) on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact with the substrate, and is exposed to ultraviolet light. And developing. Further, a heat treatment is further performed to form a solder resist layer (thickness: 20 μm) 72 having an opening 72a in a solder pad portion (including a via hole and a land portion thereof) (FIG. 5C).

【0050】そして、ソルダーレジスト層72の開口部
72aに、半田ペーストを充填する(図示せず)。その
後、開口部72aに充填された半田を 200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76を形成する
(図6参照)。なお、耐食性を向上させるため、開口部
72aにNi、Au、Ag、Pdなどの金属層をめっ
き、スパッタにより形成することも可能である。
Then, the solder paste is filled into the openings 72a of the solder resist layer 72 (not shown). Thereafter, the solder filled in the opening 72a is reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 76 (see FIG. 6). In order to improve corrosion resistance, a metal layer such as Ni, Au, Ag, or Pd may be formed in the opening 72a by plating or sputtering.

【0051】次に、該プリント配線板へのICチップの
載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図7を
参照して説明する。完成したプリント配線板10の半田
バンプ76にICチップ90の半田パッド92S1、9
2S2、92P1、92P2が対応するように、ICチ
ップ90を載置し、リフローを行うことで、ICチップ
90の取り付けを行う。同様に、プリント配線板10の
半田バンプ76にドータボード94のパッド96S1、
96S2、96P1、96P2をリフローすることで、
ドータボード94へプリント配線板10を取り付ける。
Next, mounting of the IC chip on the printed wiring board and mounting on the daughter board will be described with reference to FIG. Solder pads 92S1, 9 of IC chip 90 are applied to solder bumps 76 of completed printed wiring board 10.
The IC chip 90 is mounted so that the 2S2, 92P1, and 92P2 correspond to each other, and the IC chip 90 is attached by performing reflow. Similarly, the pads 96S1 of the daughter board 94 are attached to the solder bumps 76 of the printed wiring board 10,
By reflowing 96S2, 96P1, 96P2,
The printed wiring board 10 is attached to the daughter board 94.

【0052】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。
The resin film described above includes a hardly soluble resin,
Contains soluble particles, hardeners and other components.
Each is described below.

【0053】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
The resin film used in the production method of the present invention comprises particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble particles”) in a resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as a “slightly soluble resin”). It is dispersed. The terms “sparingly soluble” and “soluble” as used in the present invention, when immersed in a solution containing the same acid or oxidizing agent for the same time, have a relatively high dissolution rate and are called “soluble” for convenience. Those having a relatively low dissolution rate are referred to as "poorly soluble" for convenience.

【0054】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble resin particles”), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble inorganic particles”), and an acid or an oxidizing agent. Soluble metal particles (hereinafter referred to as “soluble metal particles”) and the like. These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.

【0055】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
The shape of the soluble particles is not particularly limited.
Spherical, crushed and the like. The shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.

【0056】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
The average particle size of the above-mentioned soluble particles is 0.1.
1 to 10 μm is desirable. Within this particle size range, 2
More than one kind of particles having different particle sizes may be contained. That is, it contains soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and soluble particles having an average particle size of 1 to 3 μm.
Thereby, a more complicated roughened surface can be formed,
Excellent adhesion to conductor circuits. In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.

【0057】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
Examples of the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent, the soluble resin particles have a higher dissolution rate than the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation. Specific examples of the soluble resin particles include, for example, those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like, and may be made of one of these resins. Alternatively, it may be composed of a mixture of two or more resins.

【0058】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
Further, as the soluble resin particles, resin particles made of rubber can be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the soluble resin particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the soluble resin particles using an oxidizing agent, permanganese having a relatively weak oxidizing power is used. Acid salts can also be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid or the oxidizing agent does not remain on the resin surface, and as described later, when a catalyst such as palladium chloride is applied after forming the roughened surface, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. Or not.

【0059】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
Examples of the soluble inorganic particles include particles made of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.

【0060】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples of the potassium compound include potassium carbonate.Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate.Examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0061】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
The soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.

【0062】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
When two or more of the above-mentioned soluble particles are used in combination, the combination of the two types of soluble particles is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the resin film can be ensured, and thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and no crack occurs in the interlayer resin insulation layer made of the resin film. This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.

【0063】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
The hardly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins may be used. By using a photosensitive resin, an opening for a via hole can be formed in an interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes. Among these, those containing a thermosetting resin are desirable. Thereby, the shape of the roughened surface can be maintained even by the plating solution or various heat treatments.

【0064】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を併用してもよい。さらには、1分子中
に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
Specific examples of the hardly-soluble resin include, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin,
Examples thereof include polyphenylene resin, polyolefin resin, and fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the above-described roughened surface be formed, but also excellent in heat resistance, etc., even under heat cycle conditions, stress concentration does not occur in the metal layer, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.

【0065】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
Examples of the epoxy resin include cresol novolak epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, alkylphenol novolak epoxy resin, biphenol F epoxy resin, and naphthalene epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【0066】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。
In the resin film used in the present invention, the soluble particles are desirably substantially uniformly dispersed in the poorly soluble resin. It is possible to form a roughened surface with unevenness of uniform roughness, and even if via holes and through holes are formed in the resin film, it is possible to secure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon. Because you can. Alternatively, a resin film containing soluble particles only in the surface layer forming the roughened surface may be used. Thereby,
Since the portions other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【0067】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
In the above resin film, the amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is preferably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the amount of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities. If the amount exceeds 40% by weight, the soluble particles may be dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, there is a case where the resin film is melted to a deep portion of the resin film and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.

【0068】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
The resin film desirably contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the hardly soluble resin. As the curing agent, for example,
Imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and microcapsules of these curing agents, and organic materials such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium, and tetraphenylborate. Phosphine compounds and the like can be mentioned.

【0069】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If the amount is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidizing agent into the resin film is increased, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.

【0070】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
The other components include, for example, fillers such as inorganic compounds and resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.

【0071】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
Further, the resin film may contain a solvent. As the solvent, for example, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.

【0072】引き続き、本発明の第1実施形態の第1改
変例に係るプリント配線板について、図8を参照して説
明する。第1改変例のプリント配線板10は、導電性ピ
ン84が配設され、該導電性ピン84を介してドータボ
ードとの接続を取るように形成されている。また、コア
基板30が、通孔37を有する収容層31と、該収容層
31の両面に配設された接続層40とからなる。そし
て、収容層31の両面に配設された接続層40に、チッ
プコンデンサ20の電極21,22と接続するバイアホ
ール46が配設され、ICチップ90、及び、導電性ピ
ン84へ接続されている。この第1改変例では、図9
(C)に示すように、チップコンデンサ20の電極2
1,22の被覆は完全に除去されている。
Next, a printed wiring board according to a first modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The printed wiring board 10 according to the first modification has conductive pins 84 provided thereon, and is formed so as to be connected to a daughter board via the conductive pins 84. The core substrate 30 includes a housing layer 31 having a through hole 37 and connection layers 40 provided on both surfaces of the housing layer 31. The via holes 46 connected to the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor 20 are provided in the connection layers 40 provided on both sides of the housing layer 31, and are connected to the IC chip 90 and the conductive pins 84. I have. In this first modification, FIG.
As shown in (C), the electrode 2 of the chip capacitor 20
1,2 coatings have been completely removed.

【0073】上述した第1実施形態では、コア基板30
に収容されるチップコンデンサ20のみを備えていた
が、第1改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコ
ンデンサ86が実装されている。
In the first embodiment described above, the core substrate 30
Although only the chip capacitor 20 accommodated in the first embodiment is provided, a large-capacity chip capacitor 86 is mounted on the front and back surfaces in the first modification.

【0074】ICチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ICチップ側に大電力
を供給するために、第1改変例では、プリント配線板に
電源用のチップコンデンサ20及びチップコンデンサ8
6を備えてある。このチップコンデンサによる効果につ
いて、図18を参照して説明する。
The IC chip instantaneously consumes a large amount of power and performs complicated arithmetic processing. Here, in order to supply large power to the IC chip side, in the first modified example, the chip capacitor 20 and the chip capacitor 8 for power supply are mounted on the printed wiring board.
6 is provided. The effect of the chip capacitor will be described with reference to FIG.

【0075】図18は、縦軸にICチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線C
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Aは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Cと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Bは、図6を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板30に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Eは、図8を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ20を、また表面に大容量のチップコンデン
サ86を実装する第1改変例のプリント配線板の電圧変
動を示している。ICチップの近傍にチップコンデンサ
20を、また、大容量(及び相対的に大きなインダクタ
ンス)のチップコンデンサ86を備えることで、電圧変
動を最小に押さえている。
FIG. 18 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis. Here, the two-dot chain line C
Indicates voltage fluctuation of a printed wiring board without a power supply capacitor. When the power supply capacitor is not provided, the voltage greatly decreases. A broken line A indicates a voltage fluctuation of a printed wiring board having a chip capacitor mounted on the surface. Although the voltage does not drop much as compared with the two-dot chain line C, the rate-limiting power supply cannot be performed sufficiently because the loop length is long. That is, the voltage drops at the start of power supply. A two-dot chain line B indicates a voltage drop of the printed wiring board including the chip capacitor described above with reference to FIG. Although the loop length has been shortened,
Since a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 30, the voltage fluctuates. here,
A solid line E indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board of the first modification in which the chip capacitor 20 in the core substrate described above with reference to FIG. 8 and the large-capacity chip capacitor 86 are mounted on the surface. By providing the chip capacitor 20 near the IC chip and the chip capacitor 86 having a large capacity (and a relatively large inductance), the voltage fluctuation is suppressed to the minimum.

【0076】次に、第2改変例に係るプリント配線板に
ついて、図10及び図11を参照して説明する。この第
2改変例の構成は、上述した第1実施形態とほぼ同様で
ある。但し、上述した第1実施形態では、チップコンデ
ンサ20の電極21,22の被覆を一部剥いで金属層2
6の表面を露出させた。これに対して、第2改変例で
は、チップコンデンサ20は、図11(A)に示すよう
に金属層26の被覆を完全に剥いだ後、図11(B)に
示すように、金属層26の表面に銅めっき膜29を被覆
してある。めっき膜の被覆は、電解めっき、無電解めっ
きなどのめっきで形成されている。そして、図10に示
すように銅めっき膜29を被覆した第1、第2電極2
1,22に銅めっきよりなるバイアホール46で電気的
接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極2
1,22は、メタライズからなり表面に凹凸がある。こ
のため、第1実施形態の図2(B)に示す接続層40に
非貫通孔43を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が
残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第
1、第2電極21,22とバイアホール46との接続不
良が発生することがある。一方、第2改変例では、銅め
っき膜29によって第1、第2電極21,22の表面が
平滑になり、電極上に被覆された接続層40に非貫通孔
43を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール
46を形成した際の電極21,22との接続信頼性を高
めることができる。
Next, a printed wiring board according to a second modification will be described with reference to FIGS. The configuration of the second modification is substantially the same as that of the first embodiment. However, in the first embodiment described above, the coating of the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor 20 is partially removed to remove the metal layer 2.
The surface of No. 6 was exposed. On the other hand, in the second modification, the chip capacitor 20 completely removes the coating of the metal layer 26 as shown in FIG. 11A, and then, as shown in FIG. Is coated with a copper plating film 29. The coating of the plating film is formed by plating such as electrolytic plating and electroless plating. Then, the first and second electrodes 2 covered with the copper plating film 29 as shown in FIG.
Electrical connections are made to the first and second via holes 46 made of copper plating. Here, the electrode 2 of the chip capacitor
Nos. 1 and 22 are metallized and have irregularities on the surface. Therefore, in the step of forming the non-through holes 43 in the connection layer 40 shown in FIG. 2B of the first embodiment, resin may remain on the irregularities. In this case, the resin residue may cause a connection failure between the first and second electrodes 21 and 22 and the via hole 46. On the other hand, in the second modified example, when the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smoothed by the copper plating film 29 and the non-through holes 43 are formed in the connection layer 40 coated on the electrodes, There is no resin residue, and the connection reliability with the electrodes 21 and 22 when the via hole 46 is formed can be improved.

【0077】更に、銅めっき膜29の形成された電極2
1、22に、めっきによりバイアホール46を形成する
ため、電極21、22とバイアホール46との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極21、2
2とバイアホール46との間で断線が生じることがな
い。
Further, the electrode 2 on which the copper plating film 29 is formed
Since the via holes 46 are formed by plating on the first and second electrodes 22, the connectivity between the electrodes 21 and 22 and the via holes 46 is high.
No disconnection occurs between 2 and via hole 46.

【0078】なお、ここでは、プリント配線板への収容
の段階で、被覆層28を取って、銅めっき膜29を設け
たが、チップコンデンサ20の製造段階で、金属層26
の上に直接銅めっき膜29を被覆することも可能であ
る。即ち、第2改変例では、レーザにて電極の銅めっき
膜29へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、
バイアホールを銅めっきにより形成する。従って、銅め
っき膜29の表面に酸化膜が形成されていても、上記レ
ーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、適正
に接続を取ることができる。
In this case, the covering layer 28 was removed and the copper plating film 29 was provided at the stage of accommodation in the printed wiring board.
It is also possible to cover the copper plating film 29 directly on the substrate. That is, in the second modified example, after providing an opening to the copper plating film 29 of the electrode with a laser, a desmear treatment or the like is performed,
Via holes are formed by copper plating. Therefore, even if an oxide film is formed on the surface of the copper plating film 29, the oxide film can be removed by the laser and desmear treatments, so that proper connection can be established.

【0079】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ20と樹脂からなる接着層40との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接着層40の剥
離が発生することがない。
Further, a roughened layer 23a is provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 20. Therefore, the adhesion between the chip capacitor 20 made of ceramic and the adhesive layer 40 made of resin is high, and the adhesive layer 40 does not peel off at the interface even when the heat cycle test is performed.

【0080】引き続き、第3改変例に係るプリント配線
板の構成について図12及び図13を参照して説明す
る。この第3改変例のプリント配線板10の構成は、上
述した第1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板
30への収容されるチップコンデンサ120が異なる。
図13は、チップコンデンサの平面図を示している。図
13(A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデン
サを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上
述した第3実施形態のプリント配線板では、図13
(B)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。図13
(C)は、第3改変例の多数個取り用の裁断前のチップ
コンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示して
いる。第3改変例のプリント配線板では、図13(D)
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。
Next, the configuration of the printed wiring board according to the third modification will be described with reference to FIGS. The configuration of the printed wiring board 10 of the third modification is substantially the same as that of the above-described first embodiment. However, the chip capacitors 120 housed in the core substrate 30 are different.
FIG. 13 shows a plan view of the chip capacitor. FIG. 13A shows a chip capacitor before cutting for multi-cavity production, and a dashed line in the drawing shows a cutting line. In the printed wiring board of the third embodiment described above, FIG.
As shown in the plan view of FIG. 2B, a first electrode 21 and a second electrode 22 are provided on the side edges of the chip capacitor. FIG.
(C) shows the chip capacitor for multi-cavity before cutting in the third modified example, and a dashed line in the drawing shows a cutting line. In the printed wiring board of the third modification, FIG.
As shown in the plan view, a first electrode 21 and a second electrode 22 are provided inside the side edge of the chip capacitor.

【0081】この第3改変例のプリント配線板では、外
縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ120を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。なお、第3改変例でも、チップコンデンサ
の表面は粗化処理が施されている。
In the printed wiring board of the third modified example, since the chip capacitor 120 having the electrode formed inside the outer edge is used, a large-capacity chip capacitor can be used. In the third modification, the surface of the chip capacitor is roughened.

【0082】引き続き、本発明の第4改変例に係るプリ
ント配線板の構成について図14及び図15を参照して
説明する。図14は、第4改変例のプリント配線板10
の断面を示し、図15は、該プリント配線板10のコア
基板30に収容されるチップコンデンサ220の平面図
を示している。上述した第1実施形態では、複数個の小
容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第4
改変例では、マトリクス状に電極を形成した大容量の大
判のチップコンデンサ220をコア基板30に収容して
ある。ここで、チップコンデンサ220は、第1電極2
1と第2電極22と、誘電体23と、第1電極21へ接
続された第1導電膜24と、第2電極22側に接続され
た第2導電膜25と、第1導電膜24及び第2導電膜2
5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続
用の電極27とから成る。この電極27を介してICチ
ップ側とドータボード側とが接続されている。
Next, the configuration of a printed wiring board according to a fourth modification of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 14 shows a printed wiring board 10 according to a fourth modification.
FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor 220 housed in the core substrate 30 of the printed wiring board 10. In the above-described first embodiment, a plurality of small-capacity chip capacitors are accommodated in the core substrate.
In the modification, a large-capacity large-sized chip capacitor 220 having electrodes formed in a matrix is accommodated in the core substrate 30. Here, the chip capacitor 220 is connected to the first electrode 2
The first conductive film 24 connected to the first and second electrodes 22, the dielectric 23, the first electrode 21, the second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side, and the first conductive film 24. Second conductive film 2
5 and connection electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor which are not connected to the chip capacitor 5. The IC chip side and the daughter board side are connected via the electrodes 27.

【0083】この第4改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ220を用いるため、容量の大き
なチップコンデンサを用いることができる。また、大判
のチップコンデンサ220を用いるため、ヒートサイク
ルを繰り返してもプリント配線板10に反りが発生する
ことがない。なお、第4改変例でも、チップコンデンサ
の表面は粗化処理が施されている。
In the printed wiring board of the fourth modification, a large-sized chip capacitor 220 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 220 is used, the printed wiring board 10 does not warp even when the heat cycle is repeated. In the fourth modification, the surface of the chip capacitor is subjected to a roughening treatment.

【0084】図16及び図17を参照して第5改変例に
係るプリント配線板について説明する。図16は、該プ
リント配線板の断面を示している。図17(A)は、多
数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で
一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図17(B)は、チ
ップコンデンサの平面図を示している。図17(B)に
示すように、この改変例では、多数個取り用のチップコ
ンデンサを複数個(図中の例では3枚)連結させて大判
で用いている。
A printed wiring board according to a fifth modification will be described with reference to FIGS. FIG. 16 shows a cross section of the printed wiring board. FIG. 17A shows a chip capacitor before cutting for multi-cavity, in which a dashed line indicates a normal cutting line, and FIG. 17B is a plan view of the chip capacitor. . As shown in FIG. 17B, in this modification, a large number of chip capacitors (three in the example in the figure) are connected and used in large format.

【0085】この第5改変例では、大判のチップコンデ
ンサ20を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
20を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板10に反りが発生することがない。なお、第
5改変例でも、チップコンデンサの表面は粗化処理が施
されている。
In the fifth modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 20 is used, the printed wiring board 10 does not warp even when the heat cycle is repeated. In the fifth modification, the surface of the chip capacitor is roughened.

【0086】図19を参照して第6改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図19は、該プリント配線
板の断面を示している。図6を参照して上述した第1実
施形態では、コア基板30の凹部32にチップコンデン
サ20が1個収容された。これに対して、第6改変例で
は、凹部32に複数個のチップコンデンサ20が収容さ
れている。この第6改変例では、チップコンデンサの高
密度で内蔵させることができる。なお、第6改変例で
も、チップコンデンサの表面は粗化処理が施されてい
る。
A printed wiring board according to a sixth modification will be described with reference to FIG. FIG. 19 shows a cross section of the printed wiring board. In the first embodiment described above with reference to FIG. 6, one chip capacitor 20 is accommodated in the recess 32 of the core substrate 30. On the other hand, in the sixth modification, a plurality of chip capacitors 20 are accommodated in the recess 32. In the sixth modification, chip capacitors can be built in at a high density. In the sixth modification, the surface of the chip capacitor is roughened.

【0087】上述した実施形態では、チップコンデンサ
をプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの
代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状の
コンデンサを用いることも可能である。また、上述した
実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹
脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの
表面にシランカップリング処理を施すことも可能であ
る。
In the above-described embodiment, the chip capacitor is built in the printed wiring board. However, instead of the chip capacitor, it is also possible to use a plate-like capacitor in which a conductive film is provided on a ceramic plate. Further, in the above-described embodiment, the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment to improve the adhesiveness with the resin, but instead, the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment.

【0088】ここで、第2改変例のプリント配線板につ
いて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ20の
インダクタンスと、プリント配線板の裏面(ドータボー
ド側の面)に実装したチップコンデンサのインダクタン
スとを測定した値を示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 137pH 裏面実装形 287pH コンデンサを8個並列に接続した場合 埋め込み形 60pH 裏面実装形 72pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
Here, with respect to the printed wiring board of the second modification, the inductance of the chip capacitor 20 embedded in the core substrate and the inductance of the chip capacitor mounted on the back surface (the surface on the daughter board side) of the printed wiring board were measured. The following values are shown. In case of single capacitor Embedded type 137pH Backside mounted type 287pH When 8 capacitors are connected in parallel Embedded type 60pH Backside mounted type 72pH As shown above, when using a single capacitor, it is connected in parallel to increase the capacity In addition, the inductance can be reduced by incorporating a chip capacitor.

【0089】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第2改変例のプリント配線板におい
て、1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定
した。 静電容量変化率 (測定周波数100Hz) (測定周波数1kHz) Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
Next, the result of the reliability test will be described. Here, in the printed wiring board of the second modified example, the change rate of the capacitance of one chip capacitor was measured. Capacitance change rate (measuring frequency 100Hz) (measuring frequency 1kHz) Steam 168 hours: 0.3% 0.4% HAST 100 hours: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%

【0090】Steam試験は、蒸気に当て湿度100%に
保った。また、HAST試験では、相対湿度100%、
印加電圧1.3V、温度121℃で100時間放置し
た。TS試験では、−125℃で30分、55℃で30
分放置する試験を1000回線り返した。
In the Steam test, steam was applied and the humidity was kept at 100%. In the HAST test, the relative humidity was 100%,
It was left at an applied voltage of 1.3 V and a temperature of 121 ° C. for 100 hours. In the TS test, 30 minutes at -125 ° C and 30 minutes at 55 ° C
The test of standing for 1000 minutes was repeated 1000 times.

【0091】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、TS試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とバイアホール
との間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との
間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期
に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
In the above reliability test, it was found that a printed wiring board having a built-in chip capacitor could achieve the same reliability as the existing surface mount type capacitor. As described above, in the TS test,
Due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic capacitor and the core substrate made of resin and the interlayer resin insulation layer, even if internal stress occurs, disconnection between the terminal of the chip capacitor and the via hole, It was found that peeling from the insulating layer and cracking of the interlayer resin insulating layer did not occur, and high reliability could be achieved for a long period of time.

【0092】[0092]

【発明の効果】本願発明の構造により、インダクタンス
を起因とする電気特性の低下することはない。また、信
頼性条件下においても、電気特性やプリント配線板に剥
離やクラックなどを引き起こさない。そのため、コンデ
ンサとバイアホール間での不具合が生じないからであ
る。また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填され
ているので、コンデンサなどが起因する応力が発生して
も緩和されるし、マイグレーションの発生がない。その
ために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への
剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験
を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合に
も、マイグレーションの発生を防止することができる。
According to the structure of the present invention, the electric characteristics caused by the inductance do not decrease. Further, even under the reliability condition, the electrical characteristics and the printed wiring board do not cause peeling or cracking. Therefore, no problem occurs between the capacitor and the via hole. Further, since the resin is filled between the core substrate and the capacitor, even if stress caused by the capacitor or the like is generated, the stress is reduced and migration does not occur. Therefore, there is no influence such as peeling or melting of the connection portion between the electrode of the capacitor and the via hole. Therefore, desired performance can be maintained even if a reliability test is performed.
Also, even when the capacitor is covered with copper, the occurrence of migration can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】第1実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment.

【図7】第1実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment.

【図8】第1実施形態の第1改変例に係るプリント配線
板の断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to a first modification of the first embodiment.

【図9】(A)、(B)、第1実施形態のチップコンデ
ンサの断面図であり、(C)は、第1改変例のチップコ
ンデンサの断面図である。
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views of the chip capacitor of the first embodiment, and FIG. 9C is a cross-sectional view of the chip capacitor of the first modification.

【図10】第1実施形態の第2改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to a second modification of the first embodiment.

【図11】(A)、(B)は、第2改変例のチップコン
デンサの断面図である。
FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views of a chip capacitor of a second modification.

【図12】第1実施形態の第3改変例に係るプリント配
線板の断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to a third modification of the first embodiment.

【図13】(A)、(B)、(C)、(D)は、チップ
コンデンサの平面図である。
FIGS. 13A, 13B, 13C, and 13D are plan views of a chip capacitor.

【図14】本発明の第4改変例に係るプリント配線板の
断面図である。
FIG. 14 is a sectional view of a printed wiring board according to a fourth modification of the present invention.

【図15】第4改変例に係るプリント配線板のチップコ
ンデンサの平面図である。
FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fourth modification.

【図16】第5改変例の改変例に係るプリント配線板の
断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to a modification of the fifth modification.

【図17】第5改変例に係るプリント配線板のチップコ
ンデンサの平面図である。
FIG. 17 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fifth modification.

【図18】ICチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。
FIG. 18 is a graph showing a change in supply voltage to an IC chip and time.

【図19】第6改変例に係るプリント配線板の断面図で
ある。
FIG. 19 is a sectional view of a printed wiring board according to a sixth modification.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 プリント配線板 20 チップコンデンサ 21 第1電極 22 第2電極 26 金属層 28 被覆層 29 銅めっき膜 30 コア基板 31 収容層 36 スルーホール 37 通孔 40 接続層 43 非貫通孔 46 バイアホール 48 導体回路 60 層間樹脂絶縁層 66 バイアホール 68 導体回路 84 導電性ピン 90 ICチップ 94 ドータボード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Printed wiring board 20 Chip capacitor 21 First electrode 22 Second electrode 26 Metal layer 28 Coating layer 29 Copper plating film 30 Core substrate 31 Enclosure layer 36 Through hole 37 Through hole 40 Connection layer 43 Non-through hole 46 Via hole 48 Conductor circuit Reference Signs List 60 interlayer resin insulation layer 66 via hole 68 conductive circuit 84 conductive pin 90 IC chip 94 daughter board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/38 H05K 3/32 Z H05K 1/18 H01G 1/035 C 3/32 E 4/38 A (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E082 AA01 AB03 BC39 CC07 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 GG10 GG28 HH02 HH08 HH25 HH28 HH47 HH48 JJ08 JJ09 JJ11 JJ15 JJ23 KK07 LL13 MM28 5E319 AA03 AA10 AB06 AC02 AC16 BB20 CC70 CD04 CD15 CD26 GG20 5E336 AA08 AA13 AA16 BB03 BB15 BC15 BC26 BC31 CC32 CC37 CC53 DD23 DD39 EE15 GG01 GG11 5E346 AA04 AA12 AA15 AA25 AA32 AA43 AA51 BB03 BB04 BB07 BB11 BB16 BB20 CC02 CC08 CC32 DD22 DD33 DD44 DD47 EE06 EE07 EE09 EE13 EE31 FF04 FF07 FF12 FF45 GG15 GG17 GG18 GG22 GG25 GG28 HH06 HH08 HH11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 4/38 H05K 3/32 Z H05K 1/18 H01G 1/035 C 3/32 E 4/38 A ( 72) Inventor Wang East Winter 1-1, Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture, Japan Ogaki-Kita Plant (72) Inventor Eiro Yabashi 1-1, Ibikawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture, Ogaki-Kita Plant (72) Inventor Seiji Shirai 1-1 North of Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu F-term (reference) in the Ogaki-Kita Plant of Ibiden Co., Ltd. JJ08 JJ09 JJ11 JJ15 JJ23 KK07 LL13 MM28 5E319 AA03 AA10 AB06 AC02 AC16 BB20 CC70 CD04 CD15 CD26 GG20 5E336 AA08 AA13 AA16 BB03 BB15 BC15 BC26 BC31 CC32 CC37 CC53 DD23 DD3 9 EE15 GG01 GG11 5E346 AA04 AA12 AA15 AA25 AA32.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板内にコンデンサを収容させたことを特徴と
するプリント配線板。
1. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductor circuit laminated on a core substrate, wherein a capacitor is housed in the core substrate.
【請求項2】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 チップコンデンサの電極の被覆層を少なくとも一部を露
出させて、前記プリント配線板に収容し、前記被覆層か
ら露出した電極にめっきにより電気的接続を取ったこと
を特徴とするプリント配線板。
2. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein at least a part of a coating layer of an electrode of a chip capacitor is exposed and accommodated in the printed wiring board. A printed wiring board, wherein the electrodes exposed from the coating layer are electrically connected by plating.
【請求項3】 前記チップコンデンサから露出した電極
は、銅を主とする金属であることを特徴とする請求項2
に記載のプリント配線板。
3. An electrode exposed from the chip capacitor is a metal mainly composed of copper.
A printed wiring board according to claim 1.
【請求項4】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 チップコンデンサの電極に金属膜を形成させて前記プリ
ント配線板に収容し、前記金属膜を形成させた電極へめ
っきにより電気的接続を取ったことを特徴とするプリン
ト配線板。
4. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductor circuit laminated on a core substrate, wherein a metal film is formed on an electrode of a chip capacitor and accommodated in the printed wiring board. A printed wiring board characterized in that the formed electrodes are electrically connected by plating.
【請求項5】 前記チップコンデンサの電極に形成した
金属膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とす
る請求項4に記載のプリント配線板。
5. The printed wiring board according to claim 4, wherein the metal film formed on the electrode of the chip capacitor is a plating film mainly composed of copper.
【請求項6】 前記コンデンサとして、外縁の内側に電
極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴と
する請求項1〜4の内1に記載のプリント配線板。
6. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having an electrode formed inside an outer edge is used as the capacitor.
【請求項7】 前記チップコンデンサとして、マトリク
ス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたこと
を特徴とする請求項1〜6の内1に記載のプリント配線
7. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having electrodes formed in a matrix is used as said chip capacitor.
【請求項8】 前記コンデンサとして、多数個取り用の
チップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴
とする請求項1〜7の内1に記載のプリント配線板。
8. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of chip capacitors for multi-cavity are connected and used as said capacitor.
【請求項9】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板内にチップコンデンサを収容させて、か
つ、前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装した
ことを特徴とするプリント配線板。
9. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein a chip capacitor is accommodated in the core substrate, and a capacitor is provided on a surface of the printed wiring board. A printed wiring board characterized by being mounted.
【請求項10】 前記表面のチップコンデンサの静電容
量は、コア基板内のチップコンデンサの静電容量以上で
あることを特徴とする請求項9に記載のプリント配線
板。
10. The printed wiring board according to claim 9, wherein the capacitance of the chip capacitor on the front surface is equal to or larger than the capacitance of the chip capacitor in the core substrate.
【請求項11】 前記表面のチップコンデンサのインダ
クタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス
以上であることを特徴とする請求項9に記載のプリント
配線板。
11. The printed wiring board according to claim 9, wherein the inductance of the chip capacitor on the surface is equal to or greater than the inductance of the chip capacitor in the inner layer.
【請求項12】 チップコンデンサのメタライズ電極の
表面に銅めっき膜を被覆したことを特徴とするプリント
配線板の内蔵用のコンデンサ。
12. A built-in capacitor for a printed wiring board, wherein a surface of a metallized electrode of a chip capacitor is coated with a copper plating film.
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