JP2002072926A - オーガニックｌｅｄディスプレイの構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素の発光の均一度を高めるオーガニックＬ
ＥＤディスプレイの構造の提供。 【解決手段】 オーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造を提供する。この画素構造はＴＦＴのソースに直列
抵抗を連接することにより、ディスプレイの各画素の発
光の均一度を増す。この画素構造は、二つのＴＦＴ、一
つのコンデンサ、一つの抵抗、及び一つのＯＥＬ素子を
包括する。この抵抗と第２ＴＦＴのソースが直列に連接
されて負帰還ループを形成し、このオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの各一つの画素の発光の均一度を改善す
る。本発明の好ましい実施例によると、第２ＴＦＴはｐ
型或いはｎ型ＴＦＴとされる。本発明中、多種クラスの
直列抵抗をＴＦＴのソースに連接することにより第２Ｔ
ＦＴのドレインの電流と第２ＴＦＴのゲートの電圧の間
の関係を分析する。直列抵抗が百万オームのクラスであ
るとき、電流−電圧の特性は線形の関係を呈し、輝度グ
レーレベルの切り換えも比較的容易である。
ＥＤディスプレイの構造の提供。 【解決手段】 オーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造を提供する。この画素構造はＴＦＴのソースに直列
抵抗を連接することにより、ディスプレイの各画素の発
光の均一度を増す。この画素構造は、二つのＴＦＴ、一
つのコンデンサ、一つの抵抗、及び一つのＯＥＬ素子を
包括する。この抵抗と第２ＴＦＴのソースが直列に連接
されて負帰還ループを形成し、このオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの各一つの画素の発光の均一度を改善す
る。本発明の好ましい実施例によると、第２ＴＦＴはｐ
型或いはｎ型ＴＦＴとされる。本発明中、多種クラスの
直列抵抗をＴＦＴのソースに連接することにより第２Ｔ
ＦＴのドレインの電流と第２ＴＦＴのゲートの電圧の間
の関係を分析する。直列抵抗が百万オームのクラスであ
るとき、電流−電圧の特性は線形の関係を呈し、輝度グ
レーレベルの切り換えも比較的容易である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種のＬＥＤの構造
に係り、特に、オーガニックＬＥＤディスプレイの構造
に関する。
に係り、特に、オーガニックＬＥＤディスプレイの構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】市場での潜在能力を有するディスプレイ
の技術の条件は、高解析度、高輝度レベルでのフルカラ
ー表示が行えることと、競争性のある価格などの多方面
の能力を有することである。現在あるディジタル式ディ
スプレイの技術には、ＣＲＴ、プラズマディスプレイ、
ＬＥＤ、薄膜電子発光ディスプレイなどがある。
の技術の条件は、高解析度、高輝度レベルでのフルカラ
ー表示が行えることと、競争性のある価格などの多方面
の能力を有することである。現在あるディジタル式ディ
スプレイの技術には、ＣＲＴ、プラズマディスプレイ、
ＬＥＤ、薄膜電子発光ディスプレイなどがある。
【０００３】伝統的な受動式オーガニックＬＥＤディス
プレイは、製造コストがリーズナブルで、製造工程が簡
単であるが、解析度が不良で、小サイズ、低解析度のデ
ィスプレイとされうるのみである。アクティブドライブ
オーガニックＬＥＤディスプレイは、ＴＦＴでアクティ
ブドライブの形式を構成した場合、高解析度、低消耗電
力などの特徴を有する。オーガニック薄膜材質は発光装
置製造において相当大きな進歩を有する技術発展上の一
つの代表であることが証明されている。このようなオー
ガニック発光表示装置は十分な輝度、十分な色彩の範
囲、十分な耐用年数、及び低温製造、低電圧駆動の長所
を有している。
プレイは、製造コストがリーズナブルで、製造工程が簡
単であるが、解析度が不良で、小サイズ、低解析度のデ
ィスプレイとされうるのみである。アクティブドライブ
オーガニックＬＥＤディスプレイは、ＴＦＴでアクティ
ブドライブの形式を構成した場合、高解析度、低消耗電
力などの特徴を有する。オーガニック薄膜材質は発光装
置製造において相当大きな進歩を有する技術発展上の一
つの代表であることが証明されている。このようなオー
ガニック発光表示装置は十分な輝度、十分な色彩の範
囲、十分な耐用年数、及び低温製造、低電圧駆動の長所
を有している。
【０００４】２ターミナル（ｔｗｏ−ｔｅｒｍｉｎａ
ｌ）の技術にあって、オーガニック表示媒体は行と列の
垂直配列された電極の間に介在し、オーガニック発光
（ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｓｅｓｃ
ｅｎｔ；ＯＥＬ）素子は表示と切り換え（ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）の機能を兼ね備えている。このようなダイオー
ドＯＥＬ素子自身の必要とする電流は、行と列のバスに
より供給される。この瞬間高電流のため、このバスに沿
った電位降下（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｄｒｏｐ）とＯＥ
Ｌ素子の駆動電圧の比較を明らかに表示できる。ＯＥＬ
素子の輝度−電圧は非線形関係の特性を有し、このため
このバスに沿ったポテンシャルエネルギーに差異がある
時、画素の発光に不均一な現象が現出する。
ｌ）の技術にあって、オーガニック表示媒体は行と列の
垂直配列された電極の間に介在し、オーガニック発光
（ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｓｅｓｃ
ｅｎｔ；ＯＥＬ）素子は表示と切り換え（ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）の機能を兼ね備えている。このようなダイオー
ドＯＥＬ素子自身の必要とする電流は、行と列のバスに
より供給される。この瞬間高電流のため、このバスに沿
った電位降下（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｄｒｏｐ）とＯＥ
Ｌ素子の駆動電圧の比較を明らかに表示できる。ＯＥＬ
素子の輝度−電圧は非線形関係の特性を有し、このため
このバスに沿ったポテンシャルエネルギーに差異がある
時、画素の発光に不均一な現象が現出する。
【０００５】米国パテント第５，５５０，０６６号にお
いて、オーガニック薄膜材料を発光媒体とするアクティ
ブドライブ４ターミナルＴＦＴディスプレイが記載され
ている。このようなＴＦＴディスプレイは、バスに沿っ
た電位降下がそれほど明らかでなく、画素発光不均一の
現象も明らかにはディスプレイサイズの影響を受けな
い。
いて、オーガニック薄膜材料を発光媒体とするアクティ
ブドライブ４ターミナルＴＦＴディスプレイが記載され
ている。このようなＴＦＴディスプレイは、バスに沿っ
た電位降下がそれほど明らかでなく、画素発光不均一の
現象も明らかにはディスプレイサイズの影響を受けな
い。
【０００６】図１はこの周知のアクティブドライブオー
ガニック発光ディスプレイの単一画素構造の簡単な回路
図である。そのうち、ＴＦＴがアクティブマトリクスド
ライブ素子とされている。図１において、このオーガニ
ック発光ディスプレイの単一画素の構造１００は、二つ
のＴＦＴ１０１、１０２、一つのコンデンサ１０３及び
一つのＯＥＬ素子１０４を包括する。ＴＦＴ１０２のド
レインはＯＥＬパッドに連接し、ソースは接地バス１０
７に連接し、ゲートはコンデンサ１０３に連接してい
る。ＴＦＴ１０１はソースバスをデータ線１０５とし、
ゲートバスをゲート線１０６としている。ＴＦＴ１０１
のドレインとＴＦＴ１０２のゲートは電性連接してい
る。このゲートとコンデンサ１０３が電性連接し、こう
してＴＦＴ１０２がほぼ定電流をＯＥＬ素子１０４に提
供することができる。
ガニック発光ディスプレイの単一画素構造の簡単な回路
図である。そのうち、ＴＦＴがアクティブマトリクスド
ライブ素子とされている。図１において、このオーガニ
ック発光ディスプレイの単一画素の構造１００は、二つ
のＴＦＴ１０１、１０２、一つのコンデンサ１０３及び
一つのＯＥＬ素子１０４を包括する。ＴＦＴ１０２のド
レインはＯＥＬパッドに連接し、ソースは接地バス１０
７に連接し、ゲートはコンデンサ１０３に連接してい
る。ＴＦＴ１０１はソースバスをデータ線１０５とし、
ゲートバスをゲート線１０６としている。ＴＦＴ１０１
のドレインとＴＦＴ１０２のゲートは電性連接してい
る。このゲートとコンデンサ１０３が電性連接し、こう
してＴＦＴ１０２がほぼ定電流をＯＥＬ素子１０４に提
供することができる。
【０００７】しかし、ＯＥＬ素子自身は電流により駆動
されるため、もしＴＦＴにより電流をＯＥＬ素子に提供
し、アクティブドライブの素子とし、アクティブマトリ
クスドライブの形式を構成すると、ＴＦＴ自身を駆動す
る電流のディスプレイのガラス基板上にあっての均一度
が非常に重要となる。現在使用されている低温ポリシリ
コン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴは、駆動電圧の制御が不良であ
る状況では、オーガニックＬＥＤディスプレイの各一つ
の画素の発光が非常に不均一となる現象を発生した。
されるため、もしＴＦＴにより電流をＯＥＬ素子に提供
し、アクティブドライブの素子とし、アクティブマトリ
クスドライブの形式を構成すると、ＴＦＴ自身を駆動す
る電流のディスプレイのガラス基板上にあっての均一度
が非常に重要となる。現在使用されている低温ポリシリ
コン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴは、駆動電圧の制御が不良であ
る状況では、オーガニックＬＥＤディスプレイの各一つ
の画素の発光が非常に不均一となる現象を発生した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の周知の
オーガニックＬＥＤディスプレイの、画素の発光が不均
一な現象を有するという欠点を克服する。その主要な目
的の一つは、オーガニックＬＥＤディスプレイの画素構
造を提供することにある。この有機発光ダイオードディ
スプレイの画素構造はＴＦＴのソースに直列抵抗を連接
することにより、この有機発光ダイオードディスプレイ
の各一つの画素の発光の均一度を高める。
オーガニックＬＥＤディスプレイの、画素の発光が不均
一な現象を有するという欠点を克服する。その主要な目
的の一つは、オーガニックＬＥＤディスプレイの画素構
造を提供することにある。この有機発光ダイオードディ
スプレイの画素構造はＴＦＴのソースに直列抵抗を連接
することにより、この有機発光ダイオードディスプレイ
の各一つの画素の発光の均一度を高める。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上層
と下層表面を具えた一片の基板の上層表面上に連結及び
製造される有機発光ダイオードディスプレイの画素構造
において、該画素構造が、基板の上層表面にインプラン
トされた一つのブラックマトリクス領域と、該ブラック
マトリクス領域の上方にインプラントされ、第１ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域、第２ＴＦＴのソース領域
とドレイン領域、コンデンサ及び抵抗を包括し、該抵抗
が第２ＴＦＴのソース領域と隣接し、並びに該コンデン
サと電性連結されている、バッファ層と、該バッファ層
の上方にインプラントされ、第１ＴＦＴのゲートと第２
ＴＦＴのゲートを含むゲート層を含む、中間層と、該中
間層の上方にインプラントされた隔離層と、該隔離層の
上方にインプラントされたＯＥＬ素子と、を包括したこ
とを特徴とする、オーガニックＬＥＤディスプレイの画
素構造としている。請求項２の発明は、前記抵抗が能動
式の抵抗とされ、ゲート、ソース、ドレインを包括する
一つのトランジスタで形成されたことを特徴とする、請
求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造としている。請求項３の発明は、前記抵抗が一つの
能動式抵抗とされ、トランジスタが利用されるか、或い
はゲートを信号制御に用い、線形領域にバイアスし、ソ
ーストドレインを抵抗とする構造により実現されること
を特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤデ
ィスプレイの画素構造としている。請求項４の発明は、
前記抵抗が一つの受動式の抵抗とされ、該抵抗が受動式
の抵抗とされ、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン
膜、或いはちっ化タンタルを包括することを特徴とす
る、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイ
の画素構造としている。請求項５の発明は、前記抵抗
が、その抵抗値が百万から数千万オームのクラスのもの
とされたことを特徴とする、請求項１に記載のオーガニ
ックＬＥＤディスプレイの画素構造としている。請求項
６の発明は、前記抵抗が、第２ＴＦＴのソースと直列に
連接されたことを特徴とする、請求項１に記載のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造としている。請求
項７の発明は、前記第２ＴＦＴがｎ型ＴＦＴとされたこ
とを特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの画素構造としている。請求項８の発明
は、前記抵抗が第２ＴＦＴのソースと直列に連接された
第１端と、接地端に連結された第２端を具えたことを特
徴とする、請求項７に記載のオーガニックＬＥＤディス
プレイの画素構造としている。請求項９の発明は、前記
第２ＴＦＴがｐ型ＴＦＴとされたことを特徴とする、請
求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造としている。請求項１０の発明は、前記抵抗が第２
ＴＦＴのソースと直列に連接された第１端と、接地端に
連結された第２端を具えたことを特徴とする、請求項９
に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素構造と
している。請求項１１の発明は、前記抵抗が第２ＴＦＴ
のソースと直列に連接された第１端前記ＯＥＬ素子がさ
らに、前記隔離層の上方にインプラントされた一層の透
明材質層と、該透明材質層の上方と前記隔離層の上方に
インプラントされた一層の発光特質を有する有機半導体
と、該一層の発光特質を有する有機半導体の上方にイン
プラントされた陰極金属層と、を包括することを特徴と
する、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレ
イの画素構造としている。請求項１２の発明は、前記発
光特質を有する有機半導体がオーガニックＬＥＤとされ
たことを特徴とする、請求項１１に記載のオーガニック
ＬＥＤディスプレイとしている。請求項１３の発明は、
前記透明材質層がＩＴＯの陽極層とされたことを特徴と
する、請求項１１に記載のオーガニックＬＥＤディスプ
レイとしている。
と下層表面を具えた一片の基板の上層表面上に連結及び
製造される有機発光ダイオードディスプレイの画素構造
において、該画素構造が、基板の上層表面にインプラン
トされた一つのブラックマトリクス領域と、該ブラック
マトリクス領域の上方にインプラントされ、第１ＴＦＴ
のソース領域とドレイン領域、第２ＴＦＴのソース領域
とドレイン領域、コンデンサ及び抵抗を包括し、該抵抗
が第２ＴＦＴのソース領域と隣接し、並びに該コンデン
サと電性連結されている、バッファ層と、該バッファ層
の上方にインプラントされ、第１ＴＦＴのゲートと第２
ＴＦＴのゲートを含むゲート層を含む、中間層と、該中
間層の上方にインプラントされた隔離層と、該隔離層の
上方にインプラントされたＯＥＬ素子と、を包括したこ
とを特徴とする、オーガニックＬＥＤディスプレイの画
素構造としている。請求項２の発明は、前記抵抗が能動
式の抵抗とされ、ゲート、ソース、ドレインを包括する
一つのトランジスタで形成されたことを特徴とする、請
求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造としている。請求項３の発明は、前記抵抗が一つの
能動式抵抗とされ、トランジスタが利用されるか、或い
はゲートを信号制御に用い、線形領域にバイアスし、ソ
ーストドレインを抵抗とする構造により実現されること
を特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤデ
ィスプレイの画素構造としている。請求項４の発明は、
前記抵抗が一つの受動式の抵抗とされ、該抵抗が受動式
の抵抗とされ、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン
膜、或いはちっ化タンタルを包括することを特徴とす
る、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイ
の画素構造としている。請求項５の発明は、前記抵抗
が、その抵抗値が百万から数千万オームのクラスのもの
とされたことを特徴とする、請求項１に記載のオーガニ
ックＬＥＤディスプレイの画素構造としている。請求項
６の発明は、前記抵抗が、第２ＴＦＴのソースと直列に
連接されたことを特徴とする、請求項１に記載のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造としている。請求
項７の発明は、前記第２ＴＦＴがｎ型ＴＦＴとされたこ
とを特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの画素構造としている。請求項８の発明
は、前記抵抗が第２ＴＦＴのソースと直列に連接された
第１端と、接地端に連結された第２端を具えたことを特
徴とする、請求項７に記載のオーガニックＬＥＤディス
プレイの画素構造としている。請求項９の発明は、前記
第２ＴＦＴがｐ型ＴＦＴとされたことを特徴とする、請
求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造としている。請求項１０の発明は、前記抵抗が第２
ＴＦＴのソースと直列に連接された第１端と、接地端に
連結された第２端を具えたことを特徴とする、請求項９
に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素構造と
している。請求項１１の発明は、前記抵抗が第２ＴＦＴ
のソースと直列に連接された第１端前記ＯＥＬ素子がさ
らに、前記隔離層の上方にインプラントされた一層の透
明材質層と、該透明材質層の上方と前記隔離層の上方に
インプラントされた一層の発光特質を有する有機半導体
と、該一層の発光特質を有する有機半導体の上方にイン
プラントされた陰極金属層と、を包括することを特徴と
する、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレ
イの画素構造としている。請求項１２の発明は、前記発
光特質を有する有機半導体がオーガニックＬＥＤとされ
たことを特徴とする、請求項１１に記載のオーガニック
ＬＥＤディスプレイとしている。請求項１３の発明は、
前記透明材質層がＩＴＯの陽極層とされたことを特徴と
する、請求項１１に記載のオーガニックＬＥＤディスプ
レイとしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のオーガニックＬＥＤディ
スプレイの画素構造は、第１と第２のＴＦＴ、一つのコ
ンデンサ、一つの抵抗、及び一つのＯＥＬ素子を包括
し、この抵抗は第２ＴＦＴのソースに直列に連接し、受
動式或いは能動式（ａｃｔｉｖｅ）の抵抗とされうる。
スプレイの画素構造は、第１と第２のＴＦＴ、一つのコ
ンデンサ、一つの抵抗、及び一つのＯＥＬ素子を包括
し、この抵抗は第２ＴＦＴのソースに直列に連接し、受
動式或いは能動式（ａｃｔｉｖｅ）の抵抗とされうる。
【００１１】本発明によると、ＴＦＴのソースに直列に
抵抗を連接することにより、負帰還ループ（ｎｅｇａｔ
ｉｖｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌｏｏｐ）を形成し、この
オーガニックＬＥＤディスプレイの各一つの画素の発光
の均一度を改善する。
抵抗を連接することにより、負帰還ループ（ｎｅｇａｔ
ｉｖｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌｏｏｐ）を形成し、この
オーガニックＬＥＤディスプレイの各一つの画素の発光
の均一度を改善する。
【００１２】本発明の望ましい実施例において、第２Ｔ
ＦＴはｐ型或いはｎ型ＴＦＴとされる。本発明中、多種
クラスの直列抵抗がＴＦＴのソースに連接されることに
より、第２ＴＦＴのドレインの電流と第２ＴＦＴのゲー
トの電圧の間の関係を分析する。オーガニックＬＥＤの
電流がマイクロアンペアのクラスであるとき、且つ、直
列抵抗の等級が百万Ωのクラスであるとき、電流−電圧
の特性は比較的線形の関係を呈し、輝度グレーレベルの
切り換えも比較的容易である。
ＦＴはｐ型或いはｎ型ＴＦＴとされる。本発明中、多種
クラスの直列抵抗がＴＦＴのソースに連接されることに
より、第２ＴＦＴのドレインの電流と第２ＴＦＴのゲー
トの電圧の間の関係を分析する。オーガニックＬＥＤの
電流がマイクロアンペアのクラスであるとき、且つ、直
列抵抗の等級が百万Ωのクラスであるとき、電流−電圧
の特性は比較的線形の関係を呈し、輝度グレーレベルの
切り換えも比較的容易である。
【００１３】
【実施例】図２、３はそれぞれ本発明のオーガニックＬ
ＥＤディスプレイの単一画素構造の第１及び第２実施例
の概要回路図である。図２に示されるように、抵抗と直
列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴである。図３中
では、抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴ
である。
ＥＤディスプレイの単一画素構造の第１及び第２実施例
の概要回路図である。図２に示されるように、抵抗と直
列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴである。図３中
では、抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴ
である。
【００１４】図２を参照されたい。本発明の有機発光ダ
イオードディスプレイの単一画素構造２００は、第１Ｔ
ＦＴ２０２、第２ＴＦＴ２０４、一つのコンデンサ２０
６、一つのＯＥＬ素子２０８、及び一つの抵抗２１０を
包括する。ＯＥＬ素子２０８の基本組成は、一層の透明
陽極層と一層の陰極金属層の間に、発光特質を有する一
層の有機半導体を挟んでなる。第１ＴＦＴ２０２は、ド
レインｄ1 、ソースｓ 1 及びゲートｇ1 を包括する。第
２ＴＦＴ２０４は、ドレインｄ2 、ソースｓ2及びゲー
トｇ2 を包括する。第１ＴＦＴ２０２のドレインｄ1 と
第２ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 は電性連結され、ソース
ｓ1 とデータ線２１２が連結され、ゲートｇ1 とゲート
線２１４が連結されている。抵抗２１０のもう一端は電
源電圧Ｖｄｄとコンデンサ２０６に連結されている。Ｏ
ＥＬ素子２０８のもう一端は接地端に連結されている。
図３に示されるように、第２ＴＦＴ２０４のソースに直
列に抵抗２１０が連接され、負帰還ループを形成してい
る。第２ＴＦＴのスレショルド電圧制御不良の状況でも
たらされるＯＥＬ素子の駆動電流−電圧特性の不均一性
は、明らかは表れない。こうしてオーガニックＬＥＤデ
ィスプレイの各一つの画素の発光の均一度を改善してい
る。
イオードディスプレイの単一画素構造２００は、第１Ｔ
ＦＴ２０２、第２ＴＦＴ２０４、一つのコンデンサ２０
６、一つのＯＥＬ素子２０８、及び一つの抵抗２１０を
包括する。ＯＥＬ素子２０８の基本組成は、一層の透明
陽極層と一層の陰極金属層の間に、発光特質を有する一
層の有機半導体を挟んでなる。第１ＴＦＴ２０２は、ド
レインｄ1 、ソースｓ 1 及びゲートｇ1 を包括する。第
２ＴＦＴ２０４は、ドレインｄ2 、ソースｓ2及びゲー
トｇ2 を包括する。第１ＴＦＴ２０２のドレインｄ1 と
第２ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 は電性連結され、ソース
ｓ1 とデータ線２１２が連結され、ゲートｇ1 とゲート
線２１４が連結されている。抵抗２１０のもう一端は電
源電圧Ｖｄｄとコンデンサ２０６に連結されている。Ｏ
ＥＬ素子２０８のもう一端は接地端に連結されている。
図３に示されるように、第２ＴＦＴ２０４のソースに直
列に抵抗２１０が連接され、負帰還ループを形成してい
る。第２ＴＦＴのスレショルド電圧制御不良の状況でも
たらされるＯＥＬ素子の駆動電流−電圧特性の不均一性
は、明らかは表れない。こうしてオーガニックＬＥＤデ
ィスプレイの各一つの画素の発光の均一度を改善してい
る。
【００１５】図３中、抵抗２１０と直列に連接された第
２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされ、その回路図の設計は図２
のものと違いがある。説明に都合がよいように、以下に
回路の連結の異なる部分に対してのみ補充説明を行う。
図３に示されるように、ＯＥＬ素子２０８の一端と第２
ＴＦＴ２０４のドレインｄ2 は電性連結され、もう一端
は電源電圧Ｖｄｄに連結されている。抵抗２１０の一端
と第２ＴＦＴ２０４のソースｓ2 が直列に連接され、も
う一端は接地端に連結されている。コンデンサ２０６の
一端と第２ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 が電性連結され、
もう一端は接地端に連結されている。第１ＴＦＴ２０２
のソースｓ1 はコンデンサ２０６に連結され、且つ第２
ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 と電性連結されている。ドレ
インｄ1はデータ線２１２と連結され、ゲートｇ1 とゲ
ート線２１４が連結されている。
２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされ、その回路図の設計は図２
のものと違いがある。説明に都合がよいように、以下に
回路の連結の異なる部分に対してのみ補充説明を行う。
図３に示されるように、ＯＥＬ素子２０８の一端と第２
ＴＦＴ２０４のドレインｄ2 は電性連結され、もう一端
は電源電圧Ｖｄｄに連結されている。抵抗２１０の一端
と第２ＴＦＴ２０４のソースｓ2 が直列に連接され、も
う一端は接地端に連結されている。コンデンサ２０６の
一端と第２ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 が電性連結され、
もう一端は接地端に連結されている。第１ＴＦＴ２０２
のソースｓ1 はコンデンサ２０６に連結され、且つ第２
ＴＦＴ２０４のゲートｇ2 と電性連結されている。ドレ
インｄ1はデータ線２１２と連結され、ゲートｇ1 とゲ
ート線２１４が連結されている。
【００１６】本発明のオーガニックＬＥＤディスプレイ
は、上層と下層表面を具えた一片の基板の上層表面上に
連結及び製造される。図４は本発明のオーガニックＬＥ
Ｄディスプレイの単一画素構造の平面概要図である。図
４に示されるように、第２ＴＦＴ２０４は抵抗２１０の
一端に連結され、抵抗２１０のもう一端はコンデンサ２
０６に連結されている。
は、上層と下層表面を具えた一片の基板の上層表面上に
連結及び製造される。図４は本発明のオーガニックＬＥ
Ｄディスプレイの単一画素構造の平面概要図である。図
４に示されるように、第２ＴＦＴ２０４は抵抗２１０の
一端に連結され、抵抗２１０のもう一端はコンデンサ２
０６に連結されている。
【００１７】本発明によると、抵抗２１０は線形或いは
非線形の抵抗、受動式或いは能動式の抵抗とされうる。
受動式の抵抗は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
膜、ポリシリコン膜、或いはちっ化タンタルを含む。図
５は受動式抵抗の概要回路図である。能動式の抵抗は、
トランジスタ、例えばゲート、ソース及びドレインを含
む構造により実現される。図６及び図７はそれぞれ一般
のｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴの概要回路図である。或い
は、ゲートを信号制御に用い、線形領域にバイアスし、
ソースとドレインを抵抗とする構造により実現され、こ
れは図８と図９に示されるとおりである。図６から図９
において、ｇはゲート、ｓはソース、ｄはドレインを示
す。
非線形の抵抗、受動式或いは能動式の抵抗とされうる。
受動式の抵抗は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
膜、ポリシリコン膜、或いはちっ化タンタルを含む。図
５は受動式抵抗の概要回路図である。能動式の抵抗は、
トランジスタ、例えばゲート、ソース及びドレインを含
む構造により実現される。図６及び図７はそれぞれ一般
のｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴの概要回路図である。或い
は、ゲートを信号制御に用い、線形領域にバイアスし、
ソースとドレインを抵抗とする構造により実現され、こ
れは図８と図９に示されるとおりである。図６から図９
において、ｇはゲート、ｓはソース、ｄはドレインを示
す。
【００１８】図１０は図４の断面構造表示図である。そ
のうち、受動式抵抗の第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされ
る。図１０の断面図を参照されたいが、本発明のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造は、基板の上層表
面にインプラントされた一つのブラックマトリクス領域
５０２とブラックマトリクス領域５０２の上方にインプ
ラントされ第１ＴＦＴ２０２のソースｓ1 領域とドレイ
ンｄ1 領域、第２ＴＦＴ２０４のソースｓ2 領域とドレ
インｄ2 領域、コンデンサ２０６を内含し、この抵抗２
１０とソースｓ2 領域が隣り合い（本図中において抵抗
２１０はソースｓ2 領域の右側にある）、並びにコンデ
ンサ２０６と電性連結されている、バッファ層５０４
と、バッファ層５０４の上方にインプラントされ、第１
ＴＦＴ２０２のゲートｇ1と第２ＴＦＴ２０４のゲート
ｇ2 を含む、中間層５０６と、中間層５０６の上方にイ
ンプラントされた隔離層５０８と、隔離層５０８の上方
にインプラントされた一層の透明材質層５１０と、該透
明材質層５１０の上方と該隔離層の上方にインプラント
されたオーガニックＬＥＤ材質の素子５１２と、オーガ
ニックＬＥＤ材質の素子５１２の上方にインプラントさ
れた陰極金属層５１４と、を包括する。
のうち、受動式抵抗の第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされ
る。図１０の断面図を参照されたいが、本発明のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造は、基板の上層表
面にインプラントされた一つのブラックマトリクス領域
５０２とブラックマトリクス領域５０２の上方にインプ
ラントされ第１ＴＦＴ２０２のソースｓ1 領域とドレイ
ンｄ1 領域、第２ＴＦＴ２０４のソースｓ2 領域とドレ
インｄ2 領域、コンデンサ２０６を内含し、この抵抗２
１０とソースｓ2 領域が隣り合い（本図中において抵抗
２１０はソースｓ2 領域の右側にある）、並びにコンデ
ンサ２０６と電性連結されている、バッファ層５０４
と、バッファ層５０４の上方にインプラントされ、第１
ＴＦＴ２０２のゲートｇ1と第２ＴＦＴ２０４のゲート
ｇ2 を含む、中間層５０６と、中間層５０６の上方にイ
ンプラントされた隔離層５０８と、隔離層５０８の上方
にインプラントされた一層の透明材質層５１０と、該透
明材質層５１０の上方と該隔離層の上方にインプラント
されたオーガニックＬＥＤ材質の素子５１２と、オーガ
ニックＬＥＤ材質の素子５１２の上方にインプラントさ
れた陰極金属層５１４と、を包括する。
【００１９】本発明によると、透明材質層５１０はＩＴ
Ｏの陽極層とされる。
Ｏの陽極層とされる。
【００２０】図１１は図４の断面構造表示図である。そ
のうち、受動式抵抗に直列に連接された第２ＴＦＴはｎ
型ＴＦＴとされる。ゆえに、図１０と異なる部分につい
て補充説明を行う。図１１に示されるように、抵抗２１
０とソースｓ2 領域は隣り合い（図１１中、抵抗２１０
はソースｓ2 領域の左側に胃する）、並びに接地端に連
結されている。
のうち、受動式抵抗に直列に連接された第２ＴＦＴはｎ
型ＴＦＴとされる。ゆえに、図１０と異なる部分につい
て補充説明を行う。図１１に示されるように、抵抗２１
０とソースｓ2 領域は隣り合い（図１１中、抵抗２１０
はソースｓ2 領域の左側に胃する）、並びに接地端に連
結されている。
【００２１】図１２は図４の断面構造表示図である。そ
のうち能動式抵抗が直列に連接する第２ＴＦＴはｐ型Ｔ
ＦＴとされる。ゆえに、図１０の受動式抵抗と異なる部
分について補充説明を行う。図１２に示されるように、
能動式抵抗は、ドレインｄ3、ゲートｇ3 、ソースｓ3
を具えたＴＦＴ６０２とされる。本実施例では、第２Ｔ
ＦＴ２０４のソースｓ2 領域とドレインｄ3 が電性連結
されている。本発明によると、第２ＴＦＴ２０４のソー
スｓ2 領域はＴＦＴ６０２のソースｓ3 と電性連結する
設計も可能である。
のうち能動式抵抗が直列に連接する第２ＴＦＴはｐ型Ｔ
ＦＴとされる。ゆえに、図１０の受動式抵抗と異なる部
分について補充説明を行う。図１２に示されるように、
能動式抵抗は、ドレインｄ3、ゲートｇ3 、ソースｓ3
を具えたＴＦＴ６０２とされる。本実施例では、第２Ｔ
ＦＴ２０４のソースｓ2 領域とドレインｄ3 が電性連結
されている。本発明によると、第２ＴＦＴ２０４のソー
スｓ2 領域はＴＦＴ６０２のソースｓ3 と電性連結する
設計も可能である。
【００２２】図１３は図４の断面構造表示図である。そ
のうち能動式抵抗が直列に連接する第２ＴＦＴはｎ型Ｔ
ＦＴとされる。ゆえに、図１１の受動式抵抗と異なる部
分について補充説明を行う。図１３に示されるように、
能動式抵抗は、ＴＦＴ６０２とされ、第２ＴＦＴ２０４
のソースｓ2 領域とＴＦＴ６０２のソースｓ3 が電性連
結され、コンデンサ２０６とＴＦＴ６０２のドレインｄ
3 が電性連結されている。第２ＴＦＴ２０４のソースｓ
2 領域は或いはＴＦＴ６０２のドレインｄ3 と電性連結
されて、コンデンサ２０６が即ちＴＦＴ６０２のソース
ｓ3 と電性連結された設計が可能である。
のうち能動式抵抗が直列に連接する第２ＴＦＴはｎ型Ｔ
ＦＴとされる。ゆえに、図１１の受動式抵抗と異なる部
分について補充説明を行う。図１３に示されるように、
能動式抵抗は、ＴＦＴ６０２とされ、第２ＴＦＴ２０４
のソースｓ2 領域とＴＦＴ６０２のソースｓ3 が電性連
結され、コンデンサ２０６とＴＦＴ６０２のドレインｄ
3 が電性連結されている。第２ＴＦＴ２０４のソースｓ
2 領域は或いはＴＦＴ６０２のドレインｄ3 と電性連結
されて、コンデンサ２０６が即ちＴＦＴ６０２のソース
ｓ3 と電性連結された設計が可能である。
【００２３】図１４は本発明のオーガニックＬＥＤディ
スプレイの画素構造による、直列抵抗のクラスが異なる
オームクラスの時の電流−電圧の特性関係図である。図
１４中、横軸は本発明の第２ＴＦＴのゲート電圧Ｖg
（単位はボルト）であり、横軸は本発明の第２ＴＦＴの
ドレイン電流Ｉd （単位はアンペア）を代表する。
Ｌ1、Ｌ2 、Ｌ3 、Ｌ4 はそれぞれ抵抗値が１００万オ
ームより小さい時、１００万オームの時、２５０万オー
ムに等しい時及び５００万オームに等しい時の、ドレイ
ン電流Ｉd のゲート電圧Ｖg に対する特性の関係曲線を
表示する。図１４に示されるように、直列抵抗のクラス
が１００万オームクラスの時、Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ 3 、Ｌ4
は比較的線形の関係を呈する。
スプレイの画素構造による、直列抵抗のクラスが異なる
オームクラスの時の電流−電圧の特性関係図である。図
１４中、横軸は本発明の第２ＴＦＴのゲート電圧Ｖg
（単位はボルト）であり、横軸は本発明の第２ＴＦＴの
ドレイン電流Ｉd （単位はアンペア）を代表する。
Ｌ1、Ｌ2 、Ｌ3 、Ｌ4 はそれぞれ抵抗値が１００万オ
ームより小さい時、１００万オームの時、２５０万オー
ムに等しい時及び５００万オームに等しい時の、ドレイ
ン電流Ｉd のゲート電圧Ｖg に対する特性の関係曲線を
表示する。図１４に示されるように、直列抵抗のクラス
が１００万オームクラスの時、Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ 3 、Ｌ4
は比較的線形の関係を呈する。
【００２４】第２ＴＦＴが飽和領域において操作され、
ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖgの特性が呈する非線
形の関係は、高輝度グレーレベルの時に各グレーレベル
で異なる電圧が、低輝度グレーレベルの時より小さくな
ければならない。このため、駆動システムグレーレベル
切り換え回路の困難度が高くなる。図１５はＴＦＴが飽
和領域にあって操作され、トランジスタのスレショルド
電圧に差異がある時、高グレーレベルの画素の間の均一
問題が、低グレーレベル時より非常に厳重となる。図１
５中、曲線Ｌ5 はスレショルド電圧に差異がない時、ド
レイン電流Ｉd対ゲート電圧Ｖg の特性を示し、曲線Ｌ6
はスレショルド電圧の差異が０．３ボルトの時の、ド
レイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖg の特性を示している。
ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖgの特性が呈する非線
形の関係は、高輝度グレーレベルの時に各グレーレベル
で異なる電圧が、低輝度グレーレベルの時より小さくな
ければならない。このため、駆動システムグレーレベル
切り換え回路の困難度が高くなる。図１５はＴＦＴが飽
和領域にあって操作され、トランジスタのスレショルド
電圧に差異がある時、高グレーレベルの画素の間の均一
問題が、低グレーレベル時より非常に厳重となる。図１
５中、曲線Ｌ5 はスレショルド電圧に差異がない時、ド
レイン電流Ｉd対ゲート電圧Ｖg の特性を示し、曲線Ｌ6
はスレショルド電圧の差異が０．３ボルトの時の、ド
レイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖg の特性を示している。
【００２５】図１６は本発明のオーガニックＬＥＤディ
スプレイの画素構造により、抵抗を加えたことのＴＦＴ
のスレショルド電圧に対する影響を説明する図である。
図１６中、Ｌ3 は本発明のオーガニックＬＥＤディスプ
レイの画素構造に係り、抵抗値が２５０万オームの時
の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖg の特性関係を示
す曲線である。曲線Ｌ7 はスレショルド電圧の差異が
０．３ボルトの時の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖ
g の特性を示し、曲線Ｌ8 はスレショルド電圧に差異−
０．３ボルトがある時の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電
圧Ｖg の特性関係を示す曲線である。図１６に示される
ように、トランジスタんそスレショルド電圧に差異があ
っても、Ｌ3 、Ｌ7 及びＬ8 の３本の曲線の間の差異は
もはや明らかでなく、いずれも比較的線形の関係を呈
し、高グレーレベルでの画素の間の均一度もますます常
数値に近づく。ゆえに、輝度グレーレベルの切り換えも
比較的容易であり、並びに画素発光不均一の現象も改善
する。
スプレイの画素構造により、抵抗を加えたことのＴＦＴ
のスレショルド電圧に対する影響を説明する図である。
図１６中、Ｌ3 は本発明のオーガニックＬＥＤディスプ
レイの画素構造に係り、抵抗値が２５０万オームの時
の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖg の特性関係を示
す曲線である。曲線Ｌ7 はスレショルド電圧の差異が
０．３ボルトの時の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電圧Ｖ
g の特性を示し、曲線Ｌ8 はスレショルド電圧に差異−
０．３ボルトがある時の、ドレイン電流Ｉd 対ゲート電
圧Ｖg の特性関係を示す曲線である。図１６に示される
ように、トランジスタんそスレショルド電圧に差異があ
っても、Ｌ3 、Ｌ7 及びＬ8 の３本の曲線の間の差異は
もはや明らかでなく、いずれも比較的線形の関係を呈
し、高グレーレベルでの画素の間の均一度もますます常
数値に近づく。ゆえに、輝度グレーレベルの切り換えも
比較的容易であり、並びに画素発光不均一の現象も改善
する。
【００２６】以上は本発明の望ましい実施例に係る説明
であって、本発明の請求範囲を限定するものではなく、
本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いず
れも本発明の請求範囲に属するものとする。
であって、本発明の請求範囲を限定するものではなく、
本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いず
れも本発明の請求範囲に属するものとする。
【００２７】
【発明の効果】本発明は周知のオーガニックＬＥＤディ
スプレイの、画素の発光が不均一な現象を有するという
欠点を克服する。本発明は、オーガニックＬＥＤディス
プレイの画素構造を提供する。この有機発光ダイオード
ディスプレイの画素構造はＴＦＴのソースに直列抵抗を
連接することにより、この有機発光ダイオードディスプ
レイの各一つの画素の発光の均一度を高める。
スプレイの、画素の発光が不均一な現象を有するという
欠点を克服する。本発明は、オーガニックＬＥＤディス
プレイの画素構造を提供する。この有機発光ダイオード
ディスプレイの画素構造はＴＦＴのソースに直列抵抗を
連接することにより、この有機発光ダイオードディスプ
レイの各一つの画素の発光の均一度を高める。
【図１】周知のアクティブドライブオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの単一画素構造の簡易回路図である。
ディスプレイの単一画素構造の簡易回路図である。
【図２】本発明のオーガニックＬＥＤディスプレイの単
一画素構造の第１実施例の概要回路図であり、そのうち
抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされ
る。
一画素構造の第１実施例の概要回路図であり、そのうち
抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされ
る。
【図３】本発明のオーガニックＬＥＤディスプレイの単
一画素構造の第２実施例の概要回路図であり、そのうち
抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされ
る。
一画素構造の第２実施例の概要回路図であり、そのうち
抵抗と直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされ
る。
【図４】本発明のオーガニックＬＥＤディスプレイの単
一画素構造の平面概要図である。
一画素構造の平面概要図である。
【図５】本発明中の受動式抵抗の概要回路図である。
【図６】本発明中の能動式抵抗の概要回路図である。
【図７】本発明中の能動式抵抗の別の設計の概要回路図
である。
である。
【図８】本発明中の能動式抵抗のさらに別の設計の概要
回路図である。
回路図である。
【図９】本発明中の能動式抵抗のさらにまた別の設計の
概要回路図である。
概要回路図である。
【図１０】図４の断面構造表示図であり、受動式抵抗と
直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされる。
直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされる。
【図１１】図４の断面構造表示図であり、受動式抵抗と
直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされる。
直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされる。
【図１２】図４の断面構造表示図であり、能動式抵抗と
直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされる。
直列に連接された第２ＴＦＴはｐ型ＴＦＴとされる。
【図１３】図４の断面構造表示図であり、能動式抵抗と
直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされる。
直列に連接された第２ＴＦＴはｎ型ＴＦＴとされる。
【図１４】本発明のオーガニックＬＥＤディスプレイの
画素構造に係り、直列抵抗のクラスがそれぞれ異なるオ
ームクラスにある時の、電流−電圧の特性の関係図であ
る。
画素構造に係り、直列抵抗のクラスがそれぞれ異なるオ
ームクラスにある時の、電流−電圧の特性の関係図であ
る。
【図１５】ＴＦＴを飽和領域にあって操作する時、トラ
ンジスタのスレショルド電圧に差異がある時、高グレー
レベルの画素の間の均一度の問題が低グレーレベルの時
より厳重とんる状況を示す図である。
ンジスタのスレショルド電圧に差異がある時、高グレー
レベルの画素の間の均一度の問題が低グレーレベルの時
より厳重とんる状況を示す図である。
【図１６】本発明の有機発光ダイオードディスプレイの
画素構造に係り、抵抗の増設のＴＦＴのスレショルド電
圧に対する影響説明図である。
画素構造に係り、抵抗の増設のＴＦＴのスレショルド電
圧に対する影響説明図である。
１００ アクティブドライブオーガニックＬＥＤディス
プレイの単一画素の構造 １０１、１０２ ＴＦＴ １０３ コンデンサ １０４ ＯＥＬ素子 １０５ データ線 １０６ ゲート線 １０７ 接地バス ２００ 画素構造 ２０２ 第１ＴＦＴ ２０４ 第２ＴＦＴ ２０６ コンデンサ ２０８ ＯＥＬ素子 ２１０ 抵抗 ２１２ データ線 ２１４ ゲート線 ｄ1 、ｄ2 ドレイン ｓ、ｓ1 、ｓ2 ソース ｇ、ｇ1 、ｇ2 ゲート ５０２ ブラックマトリクス領域 ５０４ バッファ
層 ５０６ 中間層 ５０８ 隔離層 ５１０ 透明材質層 ５１２ オーガニックＬＥＤ材質の素子 ５１４ ＣＲＴ ６０２ ＴＦＴ
プレイの単一画素の構造 １０１、１０２ ＴＦＴ １０３ コンデンサ １０４ ＯＥＬ素子 １０５ データ線 １０６ ゲート線 １０７ 接地バス ２００ 画素構造 ２０２ 第１ＴＦＴ ２０４ 第２ＴＦＴ ２０６ コンデンサ ２０８ ＯＥＬ素子 ２１０ 抵抗 ２１２ データ線 ２１４ ゲート線 ｄ1 、ｄ2 ドレイン ｓ、ｓ1 、ｓ2 ソース ｇ、ｇ1 、ｇ2 ゲート ５０２ ブラックマトリクス領域 ５０４ バッファ
層 ５０６ 中間層 ５０８ 隔離層 ５１０ 透明材質層 ５１２ オーガニックＬＥＤ材質の素子 ５１４ ＣＲＴ ６０２ ＴＦＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 GA04 5C094 AA03 BA03 BA25 CA19 EA04 EA07 EB05 5F041 AA05 AA21 BB31 CA45 DB08 FF01
Claims (13)
- 【請求項１】 上層と下層表面を具えた一片の基板の上
層表面上に連結及び製造される有機発光ダイオードディ
スプレイの画素構造において、該画素構造が、 基板の上層表面にインプラントされた一つのブラックマ
トリクス領域と、 該ブラックマトリクス領域の上方にインプラントされ、
第１ＴＦＴのソース領域とドレイン領域、第２ＴＦＴの
ソース領域とドレイン領域、コンデンサ及び抵抗を包括
し、該抵抗が第２ＴＦＴのソース領域と隣接し、並びに
該コンデンサと電性連結されている、バッファ層と、 該バッファ層の上方にインプラントされ、第１ＴＦＴの
ゲートと第２ＴＦＴのゲートを含むゲート層を含む、中
間層と、 該中間層の上方にインプラントされた隔離層と、 該隔離層の上方にインプラントされたＯＥＬ素子と、を
包括したことを特徴とする、オーガニックＬＥＤディス
プレイの画素構造。 - 【請求項２】 前記抵抗が能動式の抵抗とされ、ゲー
ト、ソース、ドレインを包括する一つのトランジスタで
形成されたことを特徴とする、請求項１に記載のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造。 - 【請求項３】 前記抵抗が一つの能動式抵抗とされ、ト
ランジスタが利用されるか、或いはゲートを信号制御に
用い、線形領域にバイアスし、ソーストドレインを抵抗
とする構造により実現されることを特徴とする、請求項
１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素構
造。 - 【請求項４】 前記抵抗が一つの受動式の抵抗とされ、
該抵抗が受動式の抵抗とされ、アモルファスシリコン
膜、ポリシリコン膜、或いはちっ化タンタルを包括する
ことを特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥ
Ｄディスプレイの画素構造。 - 【請求項５】 前記抵抗が、その抵抗値が百万から数千
万オームのクラスのものとされたことを特徴とする、請
求項１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイの画素
構造。 - 【請求項６】 前記抵抗が、第２ＴＦＴのソースと直列
に連接されたことを特徴とする、請求項１に記載のオー
ガニックＬＥＤディスプレイの画素構造。 - 【請求項７】 前記第２ＴＦＴがｎ型ＴＦＴとされたこ
とを特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの画素構造。 - 【請求項８】 前記抵抗が第２ＴＦＴのソースと直列に
連接された第１端と、接地端に連結された第２端を具え
たことを特徴とする、請求項７に記載のオーガニックＬ
ＥＤディスプレイの画素構造。 - 【請求項９】 前記第２ＴＦＴがｐ型ＴＦＴとされたこ
とを特徴とする、請求項１に記載のオーガニックＬＥＤ
ディスプレイの画素構造。 - 【請求項１０】 前記抵抗が第２ＴＦＴのソースと直列
に連接された第１端と、接地端に連結された第２端を具
えたことを特徴とする、請求項９に記載のオーガニック
ＬＥＤディスプレイの画素構造。 - 【請求項１１】 前記抵抗が第２ＴＦＴのソースと直列
に連接された第１端前記ＯＥＬ素子がさらに、 前記隔離層の上方にインプラントされた一層の透明材質
層と、 該透明材質層の上方と前記隔離層の上方にインプラント
された一層の発光特質を有する有機半導体と、 該一層の発光特質を有する有機半導体の上方にインプラ
ントされた陰極金属層と、 を包括することを特徴とする、請求項１に記載のオーガ
ニックＬＥＤディスプレイの画素構造。 - 【請求項１２】 前記発光特質を有する有機半導体がオ
ーガニックＬＥＤとされたことを特徴とする、請求項１
１に記載のオーガニックＬＥＤディスプレイ。 - 【請求項１３】 前記透明材質層がＩＴＯの陽極層とさ
れたことを特徴とする、請求項１１に記載のオーガニッ
クＬＥＤディスプレイ。
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| US6351078B1 (en) | 2002-02-26 |
| TW463393B (en) | 2001-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030520 |