JP2003108033A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 60
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- COHCXWLRUISKOO-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ba] Chemical compound [AlH3].[Ba] COHCXWLRUISKOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】表示品質を損なうことなく製造コストを低減す
る 【解決手段】表示装置は複数の走査線Yと、複数の信号
線Xと、複数の走査線Yおよび複数の信号線Xとの交差
位置近傍にそれぞれ配置される複数の表示画素PXとを
備え、各表示画素PXは駆動電流に対応して発光する有
機EL素子OLED、走査線Yの電圧レベルに応じて信号線
X上の映像信号を取り込む薄膜トランジスタN11、薄膜
トランジスタN11を介して取り込まれた映像信号の電圧
を保持するコンデンサC11、および一対の電源線Vdd,
Vss間において有機EL素子OLEDと直列に接続されコン
デンサC11に保持された映像信号の電圧に応じて有機E
L素子OLEDに供給される駆動電流量を制御する薄膜トラ
ンジスタP11を含む。特に、薄膜トランジスタP11は有
機EL素子OLEDの発光色毎に異なる電流駆動能力を持
つ。
る 【解決手段】表示装置は複数の走査線Yと、複数の信号
線Xと、複数の走査線Yおよび複数の信号線Xとの交差
位置近傍にそれぞれ配置される複数の表示画素PXとを
備え、各表示画素PXは駆動電流に対応して発光する有
機EL素子OLED、走査線Yの電圧レベルに応じて信号線
X上の映像信号を取り込む薄膜トランジスタN11、薄膜
トランジスタN11を介して取り込まれた映像信号の電圧
を保持するコンデンサC11、および一対の電源線Vdd,
Vss間において有機EL素子OLEDと直列に接続されコン
デンサC11に保持された映像信号の電圧に応じて有機E
L素子OLEDに供給される駆動電流量を制御する薄膜トラ
ンジスタP11を含む。特に、薄膜トランジスタP11は有
機EL素子OLEDの発光色毎に異なる電流駆動能力を持
つ。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機EL(Electro
Luminescence)素子のような自己発光素子を用いて構成
される複数の表示画素を備える表示素子に関し、例えば
各自己発光素子が薄膜トランジスタ(薄膜トランジス
タ:Thin Film Transistor)からの駆動電流により駆動さ
れる表示装置に関する。
Luminescence)素子のような自己発光素子を用いて構成
される複数の表示画素を備える表示素子に関し、例えば
各自己発光素子が薄膜トランジスタ(薄膜トランジス
タ:Thin Film Transistor)からの駆動電流により駆動さ
れる表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置に代表される平面表示装置
は、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末或いはテレ
ビジョン等の表示装置として広く利用されている。その
中で、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、薄型、
軽量かつ低消費電力等の特長を活かし、年々利用範囲は
増加しつつある。典型的なアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、マトリクス上に配置される複数の表示画
素、これら表示画素の行に沿って配置される複数の走査
線、これら表示画素の列に沿って配置される複数の信号
線、これら走査線および信号線の交差部近傍にそれぞれ
配置される複数の画素スイッチング素子を備えた画像を
表示する液晶表示パネル、並びに液晶表示パネルの端部
にドライバICチップとして実装され、この液晶表示パ
ネルの動作を制御する表示制御回路により構成されてい
る。近年では、液晶表示パネルの製造コストを低減する
ため、上述のドライバICチップを実装する代わりに表
示制御回路を画素スイッチング素子と同様に例えばMO
S薄膜トランジスタで構成して、液晶表示パネルと一体
形成する駆動回路内蔵型液晶表示パネルが製品化されて
いる。通常、このMOS薄膜トランジスタには、チャネ
ル部を流れるキャリアが電子のトランジスタをNチャネ
ル型薄膜トランジスタ、チャネル部を流れるキャリアが
正孔のトランジスタをPチャネル型薄膜トランジスタが
あり、両者の利点を活かした相補的な組み合わせで回路
が構成される。
は、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末或いはテレ
ビジョン等の表示装置として広く利用されている。その
中で、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、薄型、
軽量かつ低消費電力等の特長を活かし、年々利用範囲は
増加しつつある。典型的なアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、マトリクス上に配置される複数の表示画
素、これら表示画素の行に沿って配置される複数の走査
線、これら表示画素の列に沿って配置される複数の信号
線、これら走査線および信号線の交差部近傍にそれぞれ
配置される複数の画素スイッチング素子を備えた画像を
表示する液晶表示パネル、並びに液晶表示パネルの端部
にドライバICチップとして実装され、この液晶表示パ
ネルの動作を制御する表示制御回路により構成されてい
る。近年では、液晶表示パネルの製造コストを低減する
ため、上述のドライバICチップを実装する代わりに表
示制御回路を画素スイッチング素子と同様に例えばMO
S薄膜トランジスタで構成して、液晶表示パネルと一体
形成する駆動回路内蔵型液晶表示パネルが製品化されて
いる。通常、このMOS薄膜トランジスタには、チャネ
ル部を流れるキャリアが電子のトランジスタをNチャネ
ル型薄膜トランジスタ、チャネル部を流れるキャリアが
正孔のトランジスタをPチャネル型薄膜トランジスタが
あり、両者の利点を活かした相補的な組み合わせで回路
が構成される。
【0003】また、近年、有機EL素子のような自己発
光素子を用いた表示装置が注目され、盛んに研究・開発
が行われている。液晶表示素子が印加電圧に応じた光透
過率で光を透過する受動型素子であるのに対し、有機E
L素子は電流供給量に応じた発光輝度で発光する能動型
素子である。有機EL表示装置はこのように能動型の有
機EL素子を用いるため、平面表示装置として一般的な
液晶表示装置よりも優れた次のような長所を持つ。すな
わち、第1に、バックライトを必要としないのでより薄
型・軽量化できる。第2に、高速に応答するので動画再
生に適している。第3に、低温で輝度低下しないので寒
冷地でも使用できる。
光素子を用いた表示装置が注目され、盛んに研究・開発
が行われている。液晶表示素子が印加電圧に応じた光透
過率で光を透過する受動型素子であるのに対し、有機E
L素子は電流供給量に応じた発光輝度で発光する能動型
素子である。有機EL表示装置はこのように能動型の有
機EL素子を用いるため、平面表示装置として一般的な
液晶表示装置よりも優れた次のような長所を持つ。すな
わち、第1に、バックライトを必要としないのでより薄
型・軽量化できる。第2に、高速に応答するので動画再
生に適している。第3に、低温で輝度低下しないので寒
冷地でも使用できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の有機
ELパネルにおいて白色画像を表示させる場合、有機E
L素子の駆動電流が例えば赤・緑・青という発光色によ
って異なる有機EL素子の発光効率を考慮してそれぞれ
調整される。具体的には、基準電圧を抵抗分割して複数
の階調電圧を得る複数の映像信号作成用ドライバICが
それぞれの発光色について設けられ、赤・緑・青用映像
信号Vsigを例えば図9に示すように互いに異なる電圧
範囲にそれぞれ調整する。このため、製造コストが大幅
に上昇してしまう。
ELパネルにおいて白色画像を表示させる場合、有機E
L素子の駆動電流が例えば赤・緑・青という発光色によ
って異なる有機EL素子の発光効率を考慮してそれぞれ
調整される。具体的には、基準電圧を抵抗分割して複数
の階調電圧を得る複数の映像信号作成用ドライバICが
それぞれの発光色について設けられ、赤・緑・青用映像
信号Vsigを例えば図9に示すように互いに異なる電圧
範囲にそれぞれ調整する。このため、製造コストが大幅
に上昇してしまう。
【0005】本発明はこのような事情に鑑みなさられた
もので、表示品質を損なうことなく製造コストを低減で
きる表示装置を提供することを目的とする。
もので、表示品質を損なうことなく製造コストを低減で
きる表示装置を提供することを目的とする。
【0006】本発明によれば、複数の走査線と、複数の
信号線と、複数の走査線および複数の信号線との交差位
置近傍にそれぞれ配置される複数の表示画素とを備え、
各表示画素は駆動電流に対応して発光する自己発光素
子、走査線の電圧レベルに応じて信号線上の映像信号を
取り込むスイッチ素子、このスイッチ素子を介して取り
込まれた映像信号の電圧を保持する容量素子、および一
対の電源線間において自己発光素子と直列に接続され容
量素子に保持された映像信号の電圧に応じて自己発光素
子に供給される駆動電流量を制御する電流駆動素子を含
み、電流駆動素子は自己発光素子の発光色毎に異なる電
流駆動能力を持つ表示装置が提供される。
信号線と、複数の走査線および複数の信号線との交差位
置近傍にそれぞれ配置される複数の表示画素とを備え、
各表示画素は駆動電流に対応して発光する自己発光素
子、走査線の電圧レベルに応じて信号線上の映像信号を
取り込むスイッチ素子、このスイッチ素子を介して取り
込まれた映像信号の電圧を保持する容量素子、および一
対の電源線間において自己発光素子と直列に接続され容
量素子に保持された映像信号の電圧に応じて自己発光素
子に供給される駆動電流量を制御する電流駆動素子を含
み、電流駆動素子は自己発光素子の発光色毎に異なる電
流駆動能力を持つ表示装置が提供される。
【0007】この表示装置では、電流駆動素子の電流駆
動能力が自己発光素子の発光色毎に異なるように設定さ
れるため、発光色による発光効率の違いを補償すること
ができる。すなわち、従来のように映像信号の電圧範囲
を発光色毎に調整する必要が無くなるため、発光色数の
ドライバICを単一のドライバICに低減しても色バラ
ンスを良好に保つことができる。
動能力が自己発光素子の発光色毎に異なるように設定さ
れるため、発光色による発光効率の違いを補償すること
ができる。すなわち、従来のように映像信号の電圧範囲
を発光色毎に調整する必要が無くなるため、発光色数の
ドライバICを単一のドライバICに低減しても色バラ
ンスを良好に保つことができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
有機EL表示装置について図面を参照して説明する。
有機EL表示装置について図面を参照して説明する。
【0009】図1は有機EL表示装置の回路構成例を示
す。この有機EL表示装置は有機ELパネルPNLおよ
び外部駆動回路DRVを備える。
す。この有機EL表示装置は有機ELパネルPNLおよ
び外部駆動回路DRVを備える。
【0010】外部駆動回路DRVは、パーソナルコンピ
ュータ等の信号源から出力されたデータを受けとり、有
機ELパネルPNLを駆動するための制御信号の生成
や、映像信号の並び替え等のデジタル処理を行うコント
ローラ部1と、映像信号をデジタル/アナログ変換する
複数のドライバIC2と、コントローラ部1、ドライバ
IC2および有機ELパネルPNLを駆動する電源電圧
を生成するDC/DCコンバータ3により構成される。
一方、有機ELパネルPNLは、信号線駆動回路5、走
査線駆動回路6、および表示領域7により構成される。
ュータ等の信号源から出力されたデータを受けとり、有
機ELパネルPNLを駆動するための制御信号の生成
や、映像信号の並び替え等のデジタル処理を行うコント
ローラ部1と、映像信号をデジタル/アナログ変換する
複数のドライバIC2と、コントローラ部1、ドライバ
IC2および有機ELパネルPNLを駆動する電源電圧
を生成するDC/DCコンバータ3により構成される。
一方、有機ELパネルPNLは、信号線駆動回路5、走
査線駆動回路6、および表示領域7により構成される。
【0011】表示領域7では、複数の表示画素PXがマ
トリクス状に配置され、複数の信号線X(X1〜Xm)
が複数の表示画素PXの行に沿って配置され、複数の走
査線Y(Y1〜Yn)が複数の表示画素PXの列に沿っ
て配置される。行方向に隣接する3個の表示画素PXは
1個のカラー表示画素を構成し、それぞれ赤、緑、およ
び青色に対応する波長の光を発する。各表示画素PXは
対応信号線Xおよび対応走査線Yに割り当てられるスイ
ッチング用素子として例えばNチャネル型薄膜トランジ
スタN11、映像信号電圧保持用コンデンサC11、有機E
L素子駆動用素子として例えばPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11、および有機EL素子OLEDで構成される。有
機EL素子OLEDのカソード電極は接地され、アノード電
極は、Pチャネル型薄膜トランジスタP11のドレイン電
極に接続される。Pチャネル型薄膜トランジスタP11の
ゲート電極はNチャネル型薄膜トランジスタN11のドレ
イン電極に接続され、Pチャネル型薄膜トランジスタP
11のソース電極は有機EL電流供給線Vddに接続され
る。Nチャネル型薄膜トランジスタN11のソース電極は
信号線Xに接続され、ゲート電極は走査線Yに接続され
る。さらに、電流供給線VddとPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11のゲート電極およびNチャネル型薄膜トラン
ジスタN11のドレイン電極間に映像信号電圧保持用コン
デンサC11が形成される。
トリクス状に配置され、複数の信号線X(X1〜Xm)
が複数の表示画素PXの行に沿って配置され、複数の走
査線Y(Y1〜Yn)が複数の表示画素PXの列に沿っ
て配置される。行方向に隣接する3個の表示画素PXは
1個のカラー表示画素を構成し、それぞれ赤、緑、およ
び青色に対応する波長の光を発する。各表示画素PXは
対応信号線Xおよび対応走査線Yに割り当てられるスイ
ッチング用素子として例えばNチャネル型薄膜トランジ
スタN11、映像信号電圧保持用コンデンサC11、有機E
L素子駆動用素子として例えばPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11、および有機EL素子OLEDで構成される。有
機EL素子OLEDのカソード電極は接地され、アノード電
極は、Pチャネル型薄膜トランジスタP11のドレイン電
極に接続される。Pチャネル型薄膜トランジスタP11の
ゲート電極はNチャネル型薄膜トランジスタN11のドレ
イン電極に接続され、Pチャネル型薄膜トランジスタP
11のソース電極は有機EL電流供給線Vddに接続され
る。Nチャネル型薄膜トランジスタN11のソース電極は
信号線Xに接続され、ゲート電極は走査線Yに接続され
る。さらに、電流供給線VddとPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11のゲート電極およびNチャネル型薄膜トラン
ジスタN11のドレイン電極間に映像信号電圧保持用コン
デンサC11が形成される。
【0012】図2は有機ELパネルの1カラー画素の平
面構造を示し、図3は図2に示すIII-III線に沿った断
面を示し、図4は図2に示すIV-IV線に沿った断面を示
す。
面構造を示し、図3は図2に示すIII-III線に沿った断
面を示し、図4は図2に示すIV-IV線に沿った断面を示
す。
【0013】図2に示すように、表示画素PXは走査線
Yと信号線Xとに囲まれた領域に形成され、Nチャネル
型薄膜トランジスタN11が走査線Yおよび信号線Xの交
差位置付近に配置される。Nチャネル型薄膜トランジス
タN11のソース電極Sは信号線Xに接続され、ゲート電
極Gは走査線Yに接続され、ドレイン電極Dは後述の有
機EL電流供給線Vddに容量結合して補助容量を構成す
る容量電極を兼ね、Pチャネル型薄膜トランジスタP11
のゲート電極Gに接続される。この補助容量はPチャネ
ル型薄膜トランジスタP11のゲート電極Gに印加される
電圧を保持するために設けられている。Pチャネル型薄
膜トランジスタP11のソース電極Sは有機EL素子OLED
を駆動する電流供給線Vddに接続され、他方のドレイン
電極Dは有機EL素子OLEDのアノード電極ADに接続さ
れる。
Yと信号線Xとに囲まれた領域に形成され、Nチャネル
型薄膜トランジスタN11が走査線Yおよび信号線Xの交
差位置付近に配置される。Nチャネル型薄膜トランジス
タN11のソース電極Sは信号線Xに接続され、ゲート電
極Gは走査線Yに接続され、ドレイン電極Dは後述の有
機EL電流供給線Vddに容量結合して補助容量を構成す
る容量電極を兼ね、Pチャネル型薄膜トランジスタP11
のゲート電極Gに接続される。この補助容量はPチャネ
ル型薄膜トランジスタP11のゲート電極Gに印加される
電圧を保持するために設けられている。Pチャネル型薄
膜トランジスタP11のソース電極Sは有機EL素子OLED
を駆動する電流供給線Vddに接続され、他方のドレイン
電極Dは有機EL素子OLEDのアノード電極ADに接続さ
れる。
【0014】図3および図4に示すように、有機ELパ
ネルPNLは、ガラス基板10上に、薄膜トランジスタ
P11,N11および有機EL素子OLEDを順に積層した構造
を持つ。ガラス基板10は例えば合成樹脂のようなの絶
縁材、導電材、または半導体等の基板に置き換えてもよ
いが、導電材または半導体を用いる場合には、基板10
をSiO2やSiNなどの絶縁膜で覆いこの絶縁膜上に
薄膜トランジスタP11,N11および有機EL素子OLEDを
形成する必要がある。Nチャネル型薄膜トランジスタN
11およびPチャネル型薄膜トランジスタP11の各々はゲ
ート電極Gを例えばポリシリコン(Poly-Silicon)薄膜
で構成される能動層の上方にゲート絶縁膜を介して設け
たトップゲート型である。有機EL素子OLEDはITO
(Indium Thin Oxide)等の透明電極材料から成るアノ
ード電極AD、アノード電極ADに対向配置されバリウ
ム・アルミ合金から成るカソード電極CD、これらアノ
ード電極AD、カソード電極CD間に保持されるアノー
ドバッファ層AB、発光素子層EMを積層した構造であ
る。有機EL素子OLEDでは、アノード電極ADから注入
されたホールと、カソード電極CDから注入された電子
とが発光層EMの内部で再結合したときに、発光層EM
を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。こ
の励起子が放射失活する過程で発光し、この光が発光層
EMから透明なアノード電極および透明絶縁基板を介し
て外部へ放出される。
ネルPNLは、ガラス基板10上に、薄膜トランジスタ
P11,N11および有機EL素子OLEDを順に積層した構造
を持つ。ガラス基板10は例えば合成樹脂のようなの絶
縁材、導電材、または半導体等の基板に置き換えてもよ
いが、導電材または半導体を用いる場合には、基板10
をSiO2やSiNなどの絶縁膜で覆いこの絶縁膜上に
薄膜トランジスタP11,N11および有機EL素子OLEDを
形成する必要がある。Nチャネル型薄膜トランジスタN
11およびPチャネル型薄膜トランジスタP11の各々はゲ
ート電極Gを例えばポリシリコン(Poly-Silicon)薄膜
で構成される能動層の上方にゲート絶縁膜を介して設け
たトップゲート型である。有機EL素子OLEDはITO
(Indium Thin Oxide)等の透明電極材料から成るアノ
ード電極AD、アノード電極ADに対向配置されバリウ
ム・アルミ合金から成るカソード電極CD、これらアノ
ード電極AD、カソード電極CD間に保持されるアノー
ドバッファ層AB、発光素子層EMを積層した構造であ
る。有機EL素子OLEDでは、アノード電極ADから注入
されたホールと、カソード電極CDから注入された電子
とが発光層EMの内部で再結合したときに、発光層EM
を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。こ
の励起子が放射失活する過程で発光し、この光が発光層
EMから透明なアノード電極および透明絶縁基板を介し
て外部へ放出される。
【0015】ここで、アノード電極ADをPチャネル型
薄膜トランジスタP11のドレイン電極Dに接続し、カ
ソード電極CDを電流供給線Vddに接続する場合につ
いて説明したが、カソード電極CDをPチャネル型薄膜
トランジスタP11のドレイン電極Dに、アノード電極
ADを電流供給線Vddに接続してもよい。いずれの場
合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、
例えばカソード電極CDを光出射面側に配置する場合に
は、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する
程度に薄く形成することで達成できる。
薄膜トランジスタP11のドレイン電極Dに接続し、カ
ソード電極CDを電流供給線Vddに接続する場合につ
いて説明したが、カソード電極CDをPチャネル型薄膜
トランジスタP11のドレイン電極Dに、アノード電極
ADを電流供給線Vddに接続してもよい。いずれの場
合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、
例えばカソード電極CDを光出射面側に配置する場合に
は、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する
程度に薄く形成することで達成できる。
【0016】次に、各表示画素PXの駆動方法について
説明する。図5は表示画素PXの回路構成を示し、図6
はこの回路の動作波形を示す。有機EL素子OLEDを所望
の輝度に発光させるために必要な電圧は、外部駆動回路
DRVのドライバIC2から信号線Xを介して供給され
る。
説明する。図5は表示画素PXの回路構成を示し、図6
はこの回路の動作波形を示す。有機EL素子OLEDを所望
の輝度に発光させるために必要な電圧は、外部駆動回路
DRVのドライバIC2から信号線Xを介して供給され
る。
【0017】走査線Yの走査信号Vscanが高レベルの期
間は、Nチャネル型薄膜トランジスタN11がアクティブ
状態であるため、コンデンサC11の一端側電極に印加さ
れる信号線Xの映像信号電圧VsigがコンデンサC11の
一端側電極に印加され、このコンデンサC11を充電す
る。尚、コンデンサC11の一端側電極に最終的にホール
ドされる電圧は、走査線の走査信号Vscanが低レベルと
なった時に信号線Xに設定されている映像信号電圧Vsi
gである。コンデンサC11の一端側電極はさらにPチャ
ネル型薄膜トランジスタP11のゲート電極Gに接続さ
れ、他端側電極はPチャネル型薄膜トランジスタP11の
ソース電極Sに接続されているため、コンデンサC11に
充電された電圧は、Pチャネル型薄膜トランジスタP11
のゲート-ソース間電圧Vgsとなる。
間は、Nチャネル型薄膜トランジスタN11がアクティブ
状態であるため、コンデンサC11の一端側電極に印加さ
れる信号線Xの映像信号電圧VsigがコンデンサC11の
一端側電極に印加され、このコンデンサC11を充電す
る。尚、コンデンサC11の一端側電極に最終的にホール
ドされる電圧は、走査線の走査信号Vscanが低レベルと
なった時に信号線Xに設定されている映像信号電圧Vsi
gである。コンデンサC11の一端側電極はさらにPチャ
ネル型薄膜トランジスタP11のゲート電極Gに接続さ
れ、他端側電極はPチャネル型薄膜トランジスタP11の
ソース電極Sに接続されているため、コンデンサC11に
充電された電圧は、Pチャネル型薄膜トランジスタP11
のゲート-ソース間電圧Vgsとなる。
【0018】図7は、Pチャネル型薄膜トランジスタP
11のドレイン−ソース間電圧Vdsとドレイン−ソー
ス間電流Idsを、ゲート−ソース間電圧Vgsをパラ
メータとした時の特性例と、有機EL電流供給線Vddに
供給される電圧が5Vである場合の動作点を示す。この
ようにIdsはVgsによって増減し、Ids=IELであるか
ら、映像信号電圧Vsigによって有機EL素子OLEDに流れる
電流が変化し、所望の輝度で発光することができる。
11のドレイン−ソース間電圧Vdsとドレイン−ソー
ス間電流Idsを、ゲート−ソース間電圧Vgsをパラ
メータとした時の特性例と、有機EL電流供給線Vddに
供給される電圧が5Vである場合の動作点を示す。この
ようにIdsはVgsによって増減し、Ids=IELであるか
ら、映像信号電圧Vsigによって有機EL素子OLEDに流れる
電流が変化し、所望の輝度で発光することができる。
【0019】有機EL素子OLEDの発光層EMの材料によ
って発光効率が異なるため、カラー表示に際してはR,
G,Bの色毎に駆動電流量を制御する必要がある。
って発光効率が異なるため、カラー表示に際してはR,
G,Bの色毎に駆動電流量を制御する必要がある。
【0020】以下、電流駆動素子の駆動能力を色毎に設
定し、この駆動電流量を制御する方法について詳しく説
明する。
定し、この駆動電流量を制御する方法について詳しく説
明する。
【0021】つまり本実施形態の有機ELパネルPNL
では、R,G,Bの各色に対応する発光層EMの材料毎
に有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタ
のW/Lを適宜設定し、材料によって決まる発光効率を
補償する。例えば、図2に示すように、トランジスタの
ゲート長Lを一定の状態で、緑の有機EL素子駆動用の
Pチャネル型薄膜トランジスタP11のチャネル幅Wが、
赤および青の有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜ト
ランジスタP11のチャネル幅Wと異なる構成となってい
る。
では、R,G,Bの各色に対応する発光層EMの材料毎
に有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタ
のW/Lを適宜設定し、材料によって決まる発光効率を
補償する。例えば、図2に示すように、トランジスタの
ゲート長Lを一定の状態で、緑の有機EL素子駆動用の
Pチャネル型薄膜トランジスタP11のチャネル幅Wが、
赤および青の有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜ト
ランジスタP11のチャネル幅Wと異なる構成となってい
る。
【0022】図8は、図2に示す有機ELパネルの映像
信号電圧と有機EL素子OLEDに供給される電流の関係、
並びに映像信号電圧と発光輝度の関係を赤・緑・青の発
光色について示す。
信号電圧と有機EL素子OLEDに供給される電流の関係、
並びに映像信号電圧と発光輝度の関係を赤・緑・青の発
光色について示す。
【0023】有機EL素子OLEDを駆動するPチャネル型
薄膜トランジスタP11を飽和領域で動作させる場合、赤
・緑・青という発光色によって異なる有機EL素子の電
圧-電流特性にほとんど依存せず、Pチャネル型薄膜ト
ランジスタのゲート-ソース電圧Vgsのみで有機EL素
子OLEDに供給する電流量が決定する。
薄膜トランジスタP11を飽和領域で動作させる場合、赤
・緑・青という発光色によって異なる有機EL素子の電
圧-電流特性にほとんど依存せず、Pチャネル型薄膜ト
ランジスタのゲート-ソース電圧Vgsのみで有機EL素
子OLEDに供給する電流量が決定する。
【0024】ところで、有機ELパネルPNLに限らず
一般の表示装置においても、白色を表示する場合、赤・
緑・青の混合輝度比は1:1:1とはならず、1:3:
1というように赤・緑・青の混合輝度比が異なる。これ
は、輝度が人間の視感度に応じた単位量であるため、視
感度の高い緑の輝度がもっとも高くなるからである。ま
た、有機EL素子OLEDでは発光効率が赤・緑・青という
発光色毎に異なるので、有機EL表示装置で白色表示を
得るため、赤・緑・青の混合輝度比、かつ赤・緑・青の
発光効率の相違を考慮して有機EL素子OLEDに供給する
電流量IELが決定される。
一般の表示装置においても、白色を表示する場合、赤・
緑・青の混合輝度比は1:1:1とはならず、1:3:
1というように赤・緑・青の混合輝度比が異なる。これ
は、輝度が人間の視感度に応じた単位量であるため、視
感度の高い緑の輝度がもっとも高くなるからである。ま
た、有機EL素子OLEDでは発光効率が赤・緑・青という
発光色毎に異なるので、有機EL表示装置で白色表示を
得るため、赤・緑・青の混合輝度比、かつ赤・緑・青の
発光効率の相違を考慮して有機EL素子OLEDに供給する
電流量IELが決定される。
【0025】この有機ELパネルPNLでは、赤・緑・
青の混合輝度比を1:3:1、緑の発光効率が他の赤・
青と比較し7.5倍大きいと仮定している。この仮定の
下では、緑の有機EL素子に供給する電流量は他の赤・
青に供給する電流量の1/2.5となる。ここでは、赤
・緑・青有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11の電流駆動能力、すなわち素子寸法がこれら
有機EL素子OLEDの発光色に依存して決定され、図8に
示すように映像信号Vsigの電圧範囲を赤・緑・青の発
光色間で同一となるように設定される。
青の混合輝度比を1:3:1、緑の発光効率が他の赤・
青と比較し7.5倍大きいと仮定している。この仮定の
下では、緑の有機EL素子に供給する電流量は他の赤・
青に供給する電流量の1/2.5となる。ここでは、赤
・緑・青有機EL素子駆動用のPチャネル型薄膜トラン
ジスタP11の電流駆動能力、すなわち素子寸法がこれら
有機EL素子OLEDの発光色に依存して決定され、図8に
示すように映像信号Vsigの電圧範囲を赤・緑・青の発
光色間で同一となるように設定される。
【0026】例えば、ここではゲート長12μmに対し
て、緑の有機EL素子駆動用Pチャネル型薄膜トランジ
スタのゲート幅Wを3μm、赤および青の有機EL素子
駆動用Pチャネル型薄膜トランジスタのゲート幅Wを
7.5μmに設定して駆動電流量を制御している。
て、緑の有機EL素子駆動用Pチャネル型薄膜トランジ
スタのゲート幅Wを3μm、赤および青の有機EL素子
駆動用Pチャネル型薄膜トランジスタのゲート幅Wを
7.5μmに設定して駆動電流量を制御している。
【0027】このように本実施形態では、薄膜トランジ
スタP11の電流駆動能力が自己発光素子の発光色毎に異
なるように設定されるため、発光色による発光効率の違
いを補償することができる。すなわち、従来のように映
像信号の電圧範囲を発光色毎に調整する必要が無くなる
ため、階調電圧基準抵抗を赤・緑・青で共通化すること
が可能となる。そして、階調電圧基準抵抗を共通化する
ことで、映像信号作成用ドライバICを赤・緑・青の発
光色のそれぞれについて設けなくても色バランスを良好
に保つことができるため、大幅にコストを削減すること
ができる。
スタP11の電流駆動能力が自己発光素子の発光色毎に異
なるように設定されるため、発光色による発光効率の違
いを補償することができる。すなわち、従来のように映
像信号の電圧範囲を発光色毎に調整する必要が無くなる
ため、階調電圧基準抵抗を赤・緑・青で共通化すること
が可能となる。そして、階調電圧基準抵抗を共通化する
ことで、映像信号作成用ドライバICを赤・緑・青の発
光色のそれぞれについて設けなくても色バランスを良好
に保つことができるため、大幅にコストを削減すること
ができる。
【0028】ちなみに、本実施形態では、白色を実現す
る赤・青の混合輝度比、並びに、赤・青の発光効率を同
一のものと扱ったが、実際の有機EL素子は赤・青でも
異なるため、赤・青各色においても、緑と同様に有機E
L素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のW
/Lを調整する必要がある。
る赤・青の混合輝度比、並びに、赤・青の発光効率を同
一のものと扱ったが、実際の有機EL素子は赤・青でも
異なるため、赤・青各色においても、緑と同様に有機E
L素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のW
/Lを調整する必要がある。
【0029】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
【0030】例えば、上述の本実施形態では、有機EL
素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のチャ
ネル幅Wを調整する場合を説明したが、有機EL素子駆
動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のチャネル長
Lを調整することでも、同様の効果を得ることができ
る。また、これらチャネル幅Wおよびチャネル長Lを素
子寸法として併用してもよい。
素子駆動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のチャ
ネル幅Wを調整する場合を説明したが、有機EL素子駆
動用のPチャネル型薄膜トランジスタP11のチャネル長
Lを調整することでも、同様の効果を得ることができ
る。また、これらチャネル幅Wおよびチャネル長Lを素
子寸法として併用してもよい。
【0031】また、上述の実施形態では、Nチャネル型
薄膜トランジスタN11が映像信号を取り込むスイッチン
グのために設けられ、Pチャネル型薄膜トランジスタP
11が有機EL素子OLEDを駆動するために設けられてい
る。しかし、制御信号の論理と電源電圧を反転させれ
ば、映像信号を取り込むスイッチング用にPチャネル型
薄膜トランジスタを設け、有機EL素子OLEDの駆動用に
Nチャネル型薄膜トランジスタを設けすることも可能で
あり、また、そのどちらかに限定されるものではなく、
併用することも可能である。
薄膜トランジスタN11が映像信号を取り込むスイッチン
グのために設けられ、Pチャネル型薄膜トランジスタP
11が有機EL素子OLEDを駆動するために設けられてい
る。しかし、制御信号の論理と電源電圧を反転させれ
ば、映像信号を取り込むスイッチング用にPチャネル型
薄膜トランジスタを設け、有機EL素子OLEDの駆動用に
Nチャネル型薄膜トランジスタを設けすることも可能で
あり、また、そのどちらかに限定されるものではなく、
併用することも可能である。
【0032】また、上述の実施形態では、表示画素PX
が2個の薄膜トランジスタN11およびP11を備えている
が、表示画素PXは電流駆動のためによりこれら以外の
薄膜トランジスタを備えてもよい。
が2個の薄膜トランジスタN11およびP11を備えている
が、表示画素PXは電流駆動のためによりこれら以外の
薄膜トランジスタを備えてもよい。
【0033】また、上述の実施形態においては、能動層
としてポリシリコン膜を用いたが、微結晶シリコン膜ま
たは非晶質シリコン膜を用いても良い。
としてポリシリコン膜を用いたが、微結晶シリコン膜ま
たは非晶質シリコン膜を用いても良い。
【0034】また、上述の実施形態においては、有機E
L駆動電源線Vddが走査線Yと平行に設定されている
が、信号線Xと平行に設定されても良い。
L駆動電源線Vddが走査線Yと平行に設定されている
が、信号線Xと平行に設定されても良い。
【0035】更に、上述の実施形態においては、有機E
L表示装置について説明したが、本発明は電流駆動型の
表示装置全般に適用することが可能であり、同様の効果
を得ることができる。
L表示装置について説明したが、本発明は電流駆動型の
表示装置全般に適用することが可能であり、同様の効果
を得ることができる。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、表示品質
を損なうことなく製造コストを低減できる表示装置を提
供できる。
を損なうことなく製造コストを低減できる表示装置を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の
構成例を示す回路図である。
構成例を示す回路図である。
【図2】図1に示す有機ELパネルの1カラー画素の平
面構造を示す平面図である。
面構造を示す平面図である。
【図3】図2に示すIII-III線に沿った断面構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図4】図2に示すIV-IV線に沿った断面構造を示す断
面図である。
面図である。
【図5】図2に示す各表示画素の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図6】図5に示す表示画素の動作波形を示す波形図で
ある。
ある。
【図7】図5に示す有機EL電流供給線が5Vである場
合の動作点を説明するための図である。
合の動作点を説明するための図である。
【図8】図2に示す有機ELパネルの映像信号電圧と駆
動電流との関係、並びに映像信号電圧と輝度の関係を赤
・緑・青の発光色について示す特性図である。
動電流との関係、並びに映像信号電圧と輝度の関係を赤
・緑・青の発光色について示す特性図である。
【図9】従来の有機EL表示装置の映像信号電圧と駆動
電流との関係並びに映像信号電圧と輝度との関係を赤・
緑・青の発光色について示す特性図である。
電流との関係並びに映像信号電圧と輝度との関係を赤・
緑・青の発光色について示す特性図である。
Y…走査線
X…信号線
PX…表示画素
OLED…有機EL素子
N11…スイッチ用薄膜トランジスタ
P11…駆動用薄膜トランジスタ
Vdd…電流供給線
C11…コンデンサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
G09G 3/30 G09G 3/30 J
H05B 33/14 H05B 33/14 A
Fターム(参考) 3K007 AB18 EB00 GA04
5C080 AA06 BB05 CC03 DD22 DD28
HH10 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05
JJ06 KK02 KK07 KK43
5C094 AA43 AA44 BA03 BA27 BA43
CA19
Claims (3)
- 【請求項1】 複数の走査線と、複数の信号線と、複
数の走査線および複数の信号線との交差位置近傍にそれ
ぞれ配置される複数の表示画素とを備え、各表示画素は
駆動電流に対応して発光する自己発光素子、前記走査線
の電圧レベルに応じて前記信号線上の映像信号を取り込
むスイッチ素子、前記スイッチ素子を介して取り込まれ
た映像信号の電圧を保持する容量素子、および一対の電
源線間において前記自己発光素子と直列に接続され前記
容量素子に保持された映像信号の電圧に応じて前記自己
発光素子に供給される駆動電流量を制御する電流駆動素
子を含み、前記電流駆動素子は前記自己発光素子の発光
色毎に異なる電流駆動能力を持つことを特徴とする表示
装置。 - 【請求項2】 前記電流駆動素子はチャネル幅が前記自
己発光素子の発光色に依存して決定される薄膜トランジ
スタであることを特徴とする請求項1に記載の表示装
置。 - 【請求項3】 前記電流駆動素子はチャネル長が前記自
己発光素子の発光色に依存して決定される薄膜トランジ
スタであることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001304743A JP2003108033A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001304743A JP2003108033A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003108033A true JP2003108033A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19124621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001304743A Pending JP2003108033A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003108033A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8063853B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
JP2013057921A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
JP2015200904A (ja) * | 2003-08-08 | 2015-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2023528701A (ja) * | 2020-05-15 | 2023-07-06 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示パネルおよび電子装置 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001304743A patent/JP2003108033A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015200904A (ja) * | 2003-08-08 | 2015-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8063853B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display |
US8274207B2 (en) | 2010-09-29 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8482010B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8558445B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | EL display panel, EL display apparatus, and method of manufacturing EL display panel |
US8895989B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus |
JP2013057921A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2023528701A (ja) * | 2020-05-15 | 2023-07-06 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示パネルおよび電子装置 |
JP7532423B2 (ja) | 2020-05-15 | 2024-08-13 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示パネルおよび電子装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070514 |