JP2002023171A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002023171A JP2002023171A JP2000209706A JP2000209706A JP2002023171A JP 2002023171 A JP2002023171 A JP 2002023171A JP 2000209706 A JP2000209706 A JP 2000209706A JP 2000209706 A JP2000209706 A JP 2000209706A JP 2002023171 A JP2002023171 A JP 2002023171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- common electrode
- substrate
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 101000879758 Homo sapiens Sjoegren syndrome nuclear autoantigen 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100037330 Sjoegren syndrome nuclear autoantigen 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】データ線又はゲート電極の影響による応答の遅
延や低印加電圧領域でのパネル透過率の低下を防止し、
更に、開口率を大きくすることができる視角特性の良好
な液晶表示装置の提供。 【解決手段】ＴＦＴが形成される第１の透明基板にゲー
ト電極２及び共通電極３と、層間絶縁膜を介してＴＦ
Ｔ、データ線６及び画素電極７と、パッシベーション膜
８と形成し、互いに平行かつ交互に形成された画素電極
と共通電極との間に印加する電圧によって、第１の透明
基板と対向する第２の透明基板との間に狭持した液晶１
７を基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の液晶
表示装置において、パッシベーション膜上に共通電極と
相重なるように絶縁体からなる仕切り９ａを形成し、こ
の仕切りによって画素領域内の液晶とゲート電極又はデ
ータ線に印加されるＤＣ電圧によって異なる方向に配向
された液晶とを分断し、液晶の応答及び視角特性の改善
を図る。
延や低印加電圧領域でのパネル透過率の低下を防止し、
更に、開口率を大きくすることができる視角特性の良好
な液晶表示装置の提供。 【解決手段】ＴＦＴが形成される第１の透明基板にゲー
ト電極２及び共通電極３と、層間絶縁膜を介してＴＦ
Ｔ、データ線６及び画素電極７と、パッシベーション膜
８と形成し、互いに平行かつ交互に形成された画素電極
と共通電極との間に印加する電圧によって、第１の透明
基板と対向する第２の透明基板との間に狭持した液晶１
７を基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の液晶
表示装置において、パッシベーション膜上に共通電極と
相重なるように絶縁体からなる仕切り９ａを形成し、こ
の仕切りによって画素領域内の液晶とゲート電極又はデ
ータ線に印加されるＤＣ電圧によって異なる方向に配向
された液晶とを分断し、液晶の応答及び視角特性の改善
を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に、ＴＦＴ基板に形成した画素
電極と共通電極との間に印加する電圧によって基板に略
平行な面内で液晶を駆動するＩＰＳ（In-Plane Switchi
ng）方式の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
その製造方法に関し、特に、ＴＦＴ基板に形成した画素
電極と共通電極との間に印加する電圧によって基板に略
平行な面内で液晶を駆動するＩＰＳ（In-Plane Switchi
ng）方式の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記
する）を画素のスイッチング素子として用いるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、高品位の画質を有し、
省スペースのデスクトップコンピュータのモニター等と
して幅広く用いられている。一般に、液晶表示装置の動
作モードには、配向した液晶分子のダイレクタの方向を
透明基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド
・ネマティック（Twisted Nematic：ＴＮ）方式と、透
明基板に対して平行な方向に回転させるＩＰＳ方式とが
ある。
する）を画素のスイッチング素子として用いるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、高品位の画質を有し、
省スペースのデスクトップコンピュータのモニター等と
して幅広く用いられている。一般に、液晶表示装置の動
作モードには、配向した液晶分子のダイレクタの方向を
透明基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド
・ネマティック（Twisted Nematic：ＴＮ）方式と、透
明基板に対して平行な方向に回転させるＩＰＳ方式とが
ある。
【０００３】ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、ＴＦＴを形
成する第１の透明基板上に櫛歯が互いに平行な画素電極
と共通電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加
して基板面に平行な電界を形成することにより、液晶の
ダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を
制御するものである。従って、この表示方式ではダイレ
クタが基板面内で回転するため、ＴＮ方式の場合のよう
にダイレクタの方向から見たときと基板法線方向から見
込んだときで透過光量と印加電圧との関係が大きく異な
ってしまうといった問題は発生せず、非常に広い視角か
ら見て、良好な画像を得ることができる。
成する第１の透明基板上に櫛歯が互いに平行な画素電極
と共通電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加
して基板面に平行な電界を形成することにより、液晶の
ダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を
制御するものである。従って、この表示方式ではダイレ
クタが基板面内で回転するため、ＴＮ方式の場合のよう
にダイレクタの方向から見たときと基板法線方向から見
込んだときで透過光量と印加電圧との関係が大きく異な
ってしまうといった問題は発生せず、非常に広い視角か
ら見て、良好な画像を得ることができる。
【０００４】このようなＩＰＳ方式では、液晶層をホモ
ジニアス配向とし、互いに偏光軸が直交する２枚の偏光
板でこれをはさみ、一方の偏光軸を液晶分子の配向方向
に等しくとることにより、電圧無印加状態で黒表示と
し、画素電極と共通電極との間の電圧印加により液晶分
子を電界の向きにツイスト変形させて白表示とするもの
が一般的であり、この方法は黒表示時の輝度を安定して
低くすることができることから広く用いられている。
ジニアス配向とし、互いに偏光軸が直交する２枚の偏光
板でこれをはさみ、一方の偏光軸を液晶分子の配向方向
に等しくとることにより、電圧無印加状態で黒表示と
し、画素電極と共通電極との間の電圧印加により液晶分
子を電界の向きにツイスト変形させて白表示とするもの
が一般的であり、この方法は黒表示時の輝度を安定して
低くすることができることから広く用いられている。
【０００５】ここで、従来の液晶表示装置の構造につい
て、図２１を参照して説明する。図２１は、従来のIＰ
Ｓ液晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であ
る。従来の液晶表示装置は、ＴＦＴが形成される第１の
透明基板１とカラーフィルター（Color filter：ＣＦ）
が形成される第２の透明基板１１とその間に狭持される
液晶１７とで構成され、第１の透明基板１には、ゲート
電極２、データ線６が略直交して形成され、これらの交
差部にマトリクス状にＴＦＴ５が配置され、各画素には
互いに平行な画素電極７及び共通電極３が交互に形成さ
れている。また、第２の透明基板１１上には、余分な光
を遮光するためのブラックマトリクス１２とＲＧＢ３色
のカラー表示を行うための色層１３とこれらを覆う平坦
化膜１４とが形成されている。
て、図２１を参照して説明する。図２１は、従来のIＰ
Ｓ液晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であ
る。従来の液晶表示装置は、ＴＦＴが形成される第１の
透明基板１とカラーフィルター（Color filter：ＣＦ）
が形成される第２の透明基板１１とその間に狭持される
液晶１７とで構成され、第１の透明基板１には、ゲート
電極２、データ線６が略直交して形成され、これらの交
差部にマトリクス状にＴＦＴ５が配置され、各画素には
互いに平行な画素電極７及び共通電極３が交互に形成さ
れている。また、第２の透明基板１１上には、余分な光
を遮光するためのブラックマトリクス１２とＲＧＢ３色
のカラー表示を行うための色層１３とこれらを覆う平坦
化膜１４とが形成されている。
【０００６】そして、これらの第１の透明基板１及び第
２の透明基板１１の表面には配向膜１８が塗布され、両
基板の間には画素電極７の長手方向に所定の角度をもっ
てホモジニアス配向された液晶１７が狭持されている。
また、両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂが貼付
され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸
は液晶の配向方向に平行に設定される。そして、ＴＦＴ
５を介して画素電極７に電位を書き込み、画素電極７と
共通電極３との間に横電界を与えることにより、液晶１
７を基板に平行な面内でツイスト変形させて表示を制御
している。
２の透明基板１１の表面には配向膜１８が塗布され、両
基板の間には画素電極７の長手方向に所定の角度をもっ
てホモジニアス配向された液晶１７が狭持されている。
また、両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂが貼付
され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸
は液晶の配向方向に平行に設定される。そして、ＴＦＴ
５を介して画素電極７に電位を書き込み、画素電極７と
共通電極３との間に横電界を与えることにより、液晶１
７を基板に平行な面内でツイスト変形させて表示を制御
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の液
晶表示装置では、ゲート電極２及びデータ線６に大きな
電圧が印加されているために、液晶１７には画素電極７
と共通電極３との間の電界のみならず、ゲート線２と共
通電極３、及び、データ線６と共通電極３との間の電界
も作用してしまい、液晶１７の応答の遅延や配向方向の
乱れが生じてしまうという問題がある。
晶表示装置では、ゲート電極２及びデータ線６に大きな
電圧が印加されているために、液晶１７には画素電極７
と共通電極３との間の電界のみならず、ゲート線２と共
通電極３、及び、データ線６と共通電極３との間の電界
も作用してしまい、液晶１７の応答の遅延や配向方向の
乱れが生じてしまうという問題がある。
【０００８】この問題について、図２２乃至２５を参照
して説明する。図２２はゲート電極２、データ線６及び
共通電極３に印加される電圧を示すタイミングチャート
であり、図２３及び図２４は、データ線６又はゲート電
極２近傍の白表示における液晶１７の配向状態を示す図
である。また、図２５は、セルギャップ内の電位分布及
び液晶１７に作用する電界を示す図である。
して説明する。図２２はゲート電極２、データ線６及び
共通電極３に印加される電圧を示すタイミングチャート
であり、図２３及び図２４は、データ線６又はゲート電
極２近傍の白表示における液晶１７の配向状態を示す図
である。また、図２５は、セルギャップ内の電位分布及
び液晶１７に作用する電界を示す図である。
【０００９】まず、図２２に示すように、画素内の共通
電極３には、４．５Ｖ程度のＤＣ電圧（Ｖcom）が印加
されており、この電圧とデータ線６を介して画素電極７
に印加される電圧（Ｖd）との差によって液晶を電界の
方向に回転させているが、このデータ線６には共通電極
３の電位よりも高い６．５Ｖ程度のＤＣ電圧が常に印加
されている。また、ゲート電極２には所定の周期で−１
０Ｖ程度のｌｏｗレベルから２０Ｖ程度のｈｉｇｈレベ
ルに立ち上がるパルス電圧（Ｖg）が印加されている。
従って、共通電極３は、画素電極７の他に、データ線６
及びゲート電極２に印加される電圧、特にＤＣ電圧の影
響を常に受けることになる。
電極３には、４．５Ｖ程度のＤＣ電圧（Ｖcom）が印加
されており、この電圧とデータ線６を介して画素電極７
に印加される電圧（Ｖd）との差によって液晶を電界の
方向に回転させているが、このデータ線６には共通電極
３の電位よりも高い６．５Ｖ程度のＤＣ電圧が常に印加
されている。また、ゲート電極２には所定の周期で−１
０Ｖ程度のｌｏｗレベルから２０Ｖ程度のｈｉｇｈレベ
ルに立ち上がるパルス電圧（Ｖg）が印加されている。
従って、共通電極３は、画素電極７の他に、データ線６
及びゲート電極２に印加される電圧、特にＤＣ電圧の影
響を常に受けることになる。
【００１０】このデータ線６とゲート電極２のＤＣ電位
の影響について、液晶の配向状態を模式的に示す図２３
及び図２４を参照して説明すると、データ線６の基準電
位と共通電極３との間には前述したように２Ｖ程度の電
位差がある。ここで、電界強度は電圧に比例し、電極間
の距離に反比例するが、データ線６と共通電極３の間の
領域は表示に寄与しないブラックマトリクスで遮蔽され
た領域であるため、開口率を確保するためにはその間隔
は、画素電極７と共通電極３との間隔（５〜１０μｍ）
より狭く、通常２μｍ程度に設定されている。従って、
データ線６と共通電極３との間には、電圧は小さいが間
隔が小さいために大きな電界が発生することになる。
の影響について、液晶の配向状態を模式的に示す図２３
及び図２４を参照して説明すると、データ線６の基準電
位と共通電極３との間には前述したように２Ｖ程度の電
位差がある。ここで、電界強度は電圧に比例し、電極間
の距離に反比例するが、データ線６と共通電極３の間の
領域は表示に寄与しないブラックマトリクスで遮蔽され
た領域であるため、開口率を確保するためにはその間隔
は、画素電極７と共通電極３との間隔（５〜１０μｍ）
より狭く、通常２μｍ程度に設定されている。従って、
データ線６と共通電極３との間には、電圧は小さいが間
隔が小さいために大きな電界が発生することになる。
【００１１】この様子を、図２３で説明すると、データ
線６と共通電極３との間にある液晶は、常に両電極間に
生じる電界によって初期配向方向とは異なる方向に回転
しており、一方、画素内（共通電極３と画素電極７との
間）の液晶は、白表示状態において両電極間の電界方向
に回転するが、電圧がＯＦＦとなる黒表示状態において
は初期配向方向に戻るため、共通電極３を境にして図の
左右の領域で液晶が異なる方向に配向しようとする。
線６と共通電極３との間にある液晶は、常に両電極間に
生じる電界によって初期配向方向とは異なる方向に回転
しており、一方、画素内（共通電極３と画素電極７との
間）の液晶は、白表示状態において両電極間の電界方向
に回転するが、電圧がＯＦＦとなる黒表示状態において
は初期配向方向に戻るため、共通電極３を境にして図の
左右の領域で液晶が異なる方向に配向しようとする。
【００１２】ここで、一般的な液晶の動作について説明
すると、液晶は電圧のＯＮ又はＯＦＦ状態において、各
々の液晶分子が互いに独立して回転するものではなく、
互いの分子が弾性特性に基づいて影響を及ぼしあい、一
つの液晶分子の回転につられるように他の液晶分子が回
転して液晶分子の集団がツイスト変形するものである。
すなわち、電圧のＯＮ／ＯＦＦに際し、広がり、ねじ
れ、曲がりのそれぞれの歪みに対して弾性定数Ｋ１１、
Ｋ２２、Ｋ３３に応じた弾性力が作用して変形する。
すると、液晶は電圧のＯＮ又はＯＦＦ状態において、各
々の液晶分子が互いに独立して回転するものではなく、
互いの分子が弾性特性に基づいて影響を及ぼしあい、一
つの液晶分子の回転につられるように他の液晶分子が回
転して液晶分子の集団がツイスト変形するものである。
すなわち、電圧のＯＮ／ＯＦＦに際し、広がり、ねじ
れ、曲がりのそれぞれの歪みに対して弾性定数Ｋ１１、
Ｋ２２、Ｋ３３に応じた弾性力が作用して変形する。
【００１３】このような弾性特性のある液晶の動作を、
図２３のデータ線６近傍で考えるとデータ線６と共通電
極３間の液晶はＤＣ電圧によってその電界方向に回転
し、常に一定方向を向いているが、共通電極３と画素電
極７の間に電圧が印加される白表示状態において、これ
らの電極間の液晶は電界方向（図では時計回り方向）に
回転し、これらの電極間に電圧が印加されていない黒表
示状態に戻る際に、反時計回り方向に回転する。従っ
て、電圧ＯＮ／ＯＦＦのいずれの場合であっても、共通
電極３と画素電極７の間の液晶がデータ線６近傍の液晶
の向きと異なる方向に回転しようとすると、液晶の弾性
力によってその動きが阻害されて応答が遅くなってしま
う。この問題は、特に電圧ＯＦＦの黒表示において大き
く現れる。
図２３のデータ線６近傍で考えるとデータ線６と共通電
極３間の液晶はＤＣ電圧によってその電界方向に回転
し、常に一定方向を向いているが、共通電極３と画素電
極７の間に電圧が印加される白表示状態において、これ
らの電極間の液晶は電界方向（図では時計回り方向）に
回転し、これらの電極間に電圧が印加されていない黒表
示状態に戻る際に、反時計回り方向に回転する。従っ
て、電圧ＯＮ／ＯＦＦのいずれの場合であっても、共通
電極３と画素電極７の間の液晶がデータ線６近傍の液晶
の向きと異なる方向に回転しようとすると、液晶の弾性
力によってその動きが阻害されて応答が遅くなってしま
う。この問題は、特に電圧ＯＦＦの黒表示において大き
く現れる。
【００１４】同様に、ゲート電極２近傍について考察す
ると、ゲート電極２と共通電極３との間隔は、データ線
６の場合よりも大きい８μｍ程度に設定されているが、
ゲート電極２のｌｏｗレベルと共通電極３との間には、
前述したように１５Ｖ程度の大きな電位差があるため
に、ゲート電極２と共通電極３との間にある液晶は、大
きな電位差により生じる強い電界によって回転してしま
う。
ると、ゲート電極２と共通電極３との間隔は、データ線
６の場合よりも大きい８μｍ程度に設定されているが、
ゲート電極２のｌｏｗレベルと共通電極３との間には、
前述したように１５Ｖ程度の大きな電位差があるため
に、ゲート電極２と共通電極３との間にある液晶は、大
きな電位差により生じる強い電界によって回転してしま
う。
【００１５】この液晶の動作を、同様に図２４を参照し
て説明すると、ゲート電極２と共通電極３間の液晶はＤ
Ｃ電圧によって常にその電界方向（図の上下方向）に回
転しており、櫛歯電極間の電圧ＯＮ／ＯＦＦのいずれの
場合であっても、共通電極３と画素電極７の間の液晶が
ゲート電極２近傍の液晶の向きと異なる方向に回転しよ
うとすると、液晶の弾性力によって、その動きが阻害さ
れて応答が遅くなってしまう。
て説明すると、ゲート電極２と共通電極３間の液晶はＤ
Ｃ電圧によって常にその電界方向（図の上下方向）に回
転しており、櫛歯電極間の電圧ＯＮ／ＯＦＦのいずれの
場合であっても、共通電極３と画素電極７の間の液晶が
ゲート電極２近傍の液晶の向きと異なる方向に回転しよ
うとすると、液晶の弾性力によって、その動きが阻害さ
れて応答が遅くなってしまう。
【００１６】このようなデータ線６又はゲート電極２の
影響は、画素電極７と共通電極３との間の電界が弱い部
分において顕著に現れる。すなわち、図２５に示すよう
に、櫛歯電極間の電界は対向するＣＦ基板に近づくに従
って小さくなり、ＣＦ基板に近い液晶分子ほどデータ線
６又はゲート電極２の影響を受けて応答が遅くなり、ま
た、液晶の閾値電圧が大きくなって印加電圧が低い領域
のパネル透過率が低下してしまう。また、データ線６又
はゲート電極２と共通電極３との間の電界によって画素
周辺部の液晶の配向方向が乱れてしまい、黒表示に戻る
際の応答のみならず白表示時においても色づきが生じる
等の問題を引き起こしてしまう。
影響は、画素電極７と共通電極３との間の電界が弱い部
分において顕著に現れる。すなわち、図２５に示すよう
に、櫛歯電極間の電界は対向するＣＦ基板に近づくに従
って小さくなり、ＣＦ基板に近い液晶分子ほどデータ線
６又はゲート電極２の影響を受けて応答が遅くなり、ま
た、液晶の閾値電圧が大きくなって印加電圧が低い領域
のパネル透過率が低下してしまう。また、データ線６又
はゲート電極２と共通電極３との間の電界によって画素
周辺部の液晶の配向方向が乱れてしまい、黒表示に戻る
際の応答のみならず白表示時においても色づきが生じる
等の問題を引き起こしてしまう。
【００１７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、データ線又はゲート電
極の影響による応答の遅延や低印加電圧領域でのパネル
透過率の低下を防止し、更に、開口率を大きくすること
ができる視角特性の良好な液晶表示装置を提供すること
にある。
のであって、その主たる目的は、データ線又はゲート電
極の影響による応答の遅延や低印加電圧領域でのパネル
透過率の低下を防止し、更に、開口率を大きくすること
ができる視角特性の良好な液晶表示装置を提供すること
にある。
【００１８】
【問題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、一対の対向する基板と前記一対の基板間
に狭持された液晶とを有し、一側の基板には、互いに略
直交する複数のゲート線及び複数のデータ線と、前記ゲ
ート線と前記データ線との交点近傍に配設された薄膜ト
ランジスタと、前記ゲート線と前記データ線と囲まれた
領域に互いに平行かつ交互に配設されて画素領域を形成
する画素電極及び共通電極とを少なくとも備え、前記画
素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって、
前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ
方式の液晶表示装置において、前記一対の基板の少なく
とも一方に、前記画素領域の内外の前記液晶を少なくと
も一部において分断する仕切りが形成されているもので
ある。
め、本発明は、一対の対向する基板と前記一対の基板間
に狭持された液晶とを有し、一側の基板には、互いに略
直交する複数のゲート線及び複数のデータ線と、前記ゲ
ート線と前記データ線との交点近傍に配設された薄膜ト
ランジスタと、前記ゲート線と前記データ線と囲まれた
領域に互いに平行かつ交互に配設されて画素領域を形成
する画素電極及び共通電極とを少なくとも備え、前記画
素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって、
前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ
方式の液晶表示装置において、前記一対の基板の少なく
とも一方に、前記画素領域の内外の前記液晶を少なくと
も一部において分断する仕切りが形成されているもので
ある。
【００１９】本発明においては、前記基板の法線方向か
ら見て、前記仕切りが前記共通電極と重なるように形成
されていることが好ましい。
ら見て、前記仕切りが前記共通電極と重なるように形成
されていることが好ましい。
【００２０】また、本発明においては、前記仕切りが、
前記画素領域を取り囲むように連続して形成されている
構成とすることができる。
前記画素領域を取り囲むように連続して形成されている
構成とすることができる。
【００２１】本発明の製造方法は、一側の基板にゲート
電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート電極及
び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程と、前
記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線と画素
電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記画素電
極上に第２の絶縁膜を堆積する工程とを少なくとも有
し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧
によって、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持
した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ
方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第２の絶
縁膜の上に、前記基板の法線方向から見て、前記共通電
極と重なるように絶縁体からなる仕切りを形成する工程
を含むものである。
電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート電極及
び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程と、前
記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線と画素
電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記画素電
極上に第２の絶縁膜を堆積する工程とを少なくとも有
し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧
によって、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持
した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ
方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第２の絶
縁膜の上に、前記基板の法線方向から見て、前記共通電
極と重なるように絶縁体からなる仕切りを形成する工程
を含むものである。
【００２２】また、本発明の製造方法は、一側の基板に
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上にＲＧＢの色層を形成する工程と、前記色層
の上に平坦化膜を堆積する工程とを少なくとも有し、前
記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によっ
て、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持した液
晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の
液晶表示装置の製造方法において、前記色層の形成に際
し、前記ゲート電極と前記データ線とで囲まれる領域に
ＲＧＢのいずれか一色の前記色層を形成すると共に、前
記基板の法線方向から見て、前記共通電極と重なるよう
に前記一色の色層と異なる色の色層材料を配設して仕切
りを形成する工程を含むものである。
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上にＲＧＢの色層を形成する工程と、前記色層
の上に平坦化膜を堆積する工程とを少なくとも有し、前
記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によっ
て、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持した液
晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の
液晶表示装置の製造方法において、前記色層の形成に際
し、前記ゲート電極と前記データ線とで囲まれる領域に
ＲＧＢのいずれか一色の前記色層を形成すると共に、前
記基板の法線方向から見て、前記共通電極と重なるよう
に前記一色の色層と異なる色の色層材料を配設して仕切
りを形成する工程を含むものである。
【００２３】また、本発明の製造方法は、一側の基板に
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上に第２の絶縁膜を堆積する工程とを少なくと
も有し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する
電圧によって、前記一側の基板と対向する基板との間に
狭持した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩ
ＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第２
の絶縁膜形成後、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と重なる領域に前記共通電極まで貫通する溝を形
成する工程と、前記溝の内部及び上部に導電体からなる
仕切りを形成する工程とを含むものである。
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第１の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上に第２の絶縁膜を堆積する工程とを少なくと
も有し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する
電圧によって、前記一側の基板と対向する基板との間に
狭持した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩ
ＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第２
の絶縁膜形成後、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と重なる領域に前記共通電極まで貫通する溝を形
成する工程と、前記溝の内部及び上部に導電体からなる
仕切りを形成する工程とを含むものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明に係る液晶表示装置は、そ
の好ましい一実施の形態において、ＴＦＴが形成される
第１の透明基板にゲート電極２及び共通電極３と、層間
絶縁膜を介してＴＦＴ、データ線６及び画素電極７と、
パッシベーション膜８と形成し、互いに平行かつ交互に
形成された画素電極と共通電極との間に印加する電圧に
よって、第１の透明基板と対向する第２の透明基板との
間に狭持した液晶１７を基板に略平行な面内で回転させ
るＩＰＳ方式の液晶表示装置において、パッシベーショ
ン膜上に共通電極と相重なるように絶縁体からなる仕切
り９ａを形成し、この仕切りによって画素領域内の液晶
とゲート電極又はデータ線に印加されるＤＣ電圧によっ
て異なる方向に配向された液晶とを分断し、液晶の応答
及び視角特性の改善を図る。
の好ましい一実施の形態において、ＴＦＴが形成される
第１の透明基板にゲート電極２及び共通電極３と、層間
絶縁膜を介してＴＦＴ、データ線６及び画素電極７と、
パッシベーション膜８と形成し、互いに平行かつ交互に
形成された画素電極と共通電極との間に印加する電圧に
よって、第１の透明基板と対向する第２の透明基板との
間に狭持した液晶１７を基板に略平行な面内で回転させ
るＩＰＳ方式の液晶表示装置において、パッシベーショ
ン膜上に共通電極と相重なるように絶縁体からなる仕切
り９ａを形成し、この仕切りによって画素領域内の液晶
とゲート電極又はデータ線に印加されるＤＣ電圧によっ
て異なる方向に配向された液晶とを分断し、液晶の応答
及び視角特性の改善を図る。
【００２５】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
【００２６】［実施例１］まず、本発明の第１の実施例
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１乃至図
９を参照して説明する。図１は、第１の実施例に係る液
晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図である。ま
た、図２乃至図７は、本実施例の液晶表示装置の製造方
法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線、ゲート端子及び
ドレイン端子における断面図である。又、図８及び図９
は、本実施例の効果を説明するための図であり、図８は
印加電圧とパネル透過率との相関を、図９は印加電圧と
応答との相関を示す図である。
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１乃至図
９を参照して説明する。図１は、第１の実施例に係る液
晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図である。ま
た、図２乃至図７は、本実施例の液晶表示装置の製造方
法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線、ゲート端子及び
ドレイン端子における断面図である。又、図８及び図９
は、本実施例の効果を説明するための図であり、図８は
印加電圧とパネル透過率との相関を、図９は印加電圧と
応答との相関を示す図である。
【００２７】図１を参照して、本実施例のＩＰＳ液晶表
示装置の構成について説明すると、本実施例の液晶表示
装置はＴＦＴを形成する第１の透明基板１とＣＦを形成
する第２の透明基板１１とその間に狭持される液晶１７
とから構成され、第１の透明基板１側には、ゲート電極
２、データ線６が略直交して形成され、これらの交差部
にマトリクス状にＴＦＴ５が配置され１画素が形成され
ている。また、各画素には互いに平行かつ交互に画素電
極７と共通電極３とが形成されており、画素電極７はＴ
ＦＴのソース電極に接続され、共通電極３はゲート電極
２に平行に延在する共通電極配線に接続されている。そ
して、これらの電極を覆うようにパッシベーション膜８
が形成され、更に画素周辺の共通電極３の上層には液晶
層を分断するための絶縁体からなる仕切り９ａが形成さ
れている。
示装置の構成について説明すると、本実施例の液晶表示
装置はＴＦＴを形成する第１の透明基板１とＣＦを形成
する第２の透明基板１１とその間に狭持される液晶１７
とから構成され、第１の透明基板１側には、ゲート電極
２、データ線６が略直交して形成され、これらの交差部
にマトリクス状にＴＦＴ５が配置され１画素が形成され
ている。また、各画素には互いに平行かつ交互に画素電
極７と共通電極３とが形成されており、画素電極７はＴ
ＦＴのソース電極に接続され、共通電極３はゲート電極
２に平行に延在する共通電極配線に接続されている。そ
して、これらの電極を覆うようにパッシベーション膜８
が形成され、更に画素周辺の共通電極３の上層には液晶
層を分断するための絶縁体からなる仕切り９ａが形成さ
れている。
【００２８】一方、第２の透明基板１１上には、ゲート
電極２、データ線６上およびこれらと画素表示部との間
の余分な光を遮光するためのブラックマトリクス１２、
ＲＧＢ３色のカラー表示を行うための色層１３、さらに
色層１３を覆うように平坦化膜１４が形成されている。
電極２、データ線６上およびこれらと画素表示部との間
の余分な光を遮光するためのブラックマトリクス１２、
ＲＧＢ３色のカラー表示を行うための色層１３、さらに
色層１３を覆うように平坦化膜１４が形成されている。
【００２９】そして、これらの第１の透明基板１及び第
２の透明基板１１の表面には配向膜１８が塗布され、両
基板の間にはデータ線６と所定の角度をなすようにホモ
ジニアス配向された液晶１７が狭持されている。また、
両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂが貼付され、
両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶
１７の配向方向に平行になるように設定される。そし
て、全ての共通電極３には、共通電極配線を通じて一定
の共通電位が供給されており、ＴＦＴ５を介して画素電
極７に電位を書き込み、画素電極７と共通電極３との間
に横電界を与えることにより、液晶１７を基板に平行な
面内でツイスト変形させて表示を制御している。
２の透明基板１１の表面には配向膜１８が塗布され、両
基板の間にはデータ線６と所定の角度をなすようにホモ
ジニアス配向された液晶１７が狭持されている。また、
両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂが貼付され、
両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶
１７の配向方向に平行になるように設定される。そし
て、全ての共通電極３には、共通電極配線を通じて一定
の共通電位が供給されており、ＴＦＴ５を介して画素電
極７に電位を書き込み、画素電極７と共通電極３との間
に横電界を与えることにより、液晶１７を基板に平行な
面内でツイスト変形させて表示を制御している。
【００３０】次に、このような液晶表示装置の仕切り９
ａが形成されるＴＦＴ側基板の製造方法について、図２
乃至図７を参照して説明する。まず、図２に示すよう
に、第１の透明基板１上にＣｒ等の金属をスパッタ法等
により堆積した後、レジストを塗布し、公知のフォトリ
ソグラフィー技術を用いて露光、現像を行い、所定の形
状のレジストパターンを形成する。そして、このレジス
トパターンをマスクとして露出したＣｒをウェットエッ
チングで除去し、ゲート電極２と共通電極３とを形成す
る。
ａが形成されるＴＦＴ側基板の製造方法について、図２
乃至図７を参照して説明する。まず、図２に示すよう
に、第１の透明基板１上にＣｒ等の金属をスパッタ法等
により堆積した後、レジストを塗布し、公知のフォトリ
ソグラフィー技術を用いて露光、現像を行い、所定の形
状のレジストパターンを形成する。そして、このレジス
トパターンをマスクとして露出したＣｒをウェットエッ
チングで除去し、ゲート電極２と共通電極３とを形成す
る。
【００３１】次に、図３に示すように、シリコン酸化膜
４ａ等の絶縁膜をＣＶＤ法等を用いて堆積した後、シリ
コン窒化膜４ｂ、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ５ａ）及び
ｎ型非晶質シリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ５ｂ）をプラズマＣ
ＶＤ法等を用いて連続して成膜し、その上に形成したレ
ジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去
してＴＦＴ５を形成する。
４ａ等の絶縁膜をＣＶＤ法等を用いて堆積した後、シリ
コン窒化膜４ｂ、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ５ａ）及び
ｎ型非晶質シリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ５ｂ）をプラズマＣ
ＶＤ法等を用いて連続して成膜し、その上に形成したレ
ジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去
してＴＦＴ５を形成する。
【００３２】次に、図４に示すように、Ｃｒ等の金属を
スパッタ法等を用いて堆積した後、所定の形状のレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクと
してウェット及びドライエッチングを行い、データ線
６、ソース／ドレイン電極、画素電極７を形成する。そ
の後、このＣｒからなるソース／ドレイン電極をマスク
としてチャネルドライエッチングを行い、ＴＦＴ５領域
の露出したｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去する。
スパッタ法等を用いて堆積した後、所定の形状のレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクと
してウェット及びドライエッチングを行い、データ線
６、ソース／ドレイン電極、画素電極７を形成する。そ
の後、このＣｒからなるソース／ドレイン電極をマスク
としてチャネルドライエッチングを行い、ＴＦＴ５領域
の露出したｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去する。
【００３３】次に、図５に示すように、シリコン窒化膜
等からなるパッシベーション膜８をプラズマＣＶＤ法等
を用いて堆積し、その上に形成したレジストパターンを
マスクとして、ゲート端子及びドレイン端子のパッシベ
ーション膜８、シリコン窒化膜４ｂ及びシリコン酸化膜
４ａをウェット又はドライエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の金属膜を露出させる。
等からなるパッシベーション膜８をプラズマＣＶＤ法等
を用いて堆積し、その上に形成したレジストパターンを
マスクとして、ゲート端子及びドレイン端子のパッシベ
ーション膜８、シリコン窒化膜４ｂ及びシリコン酸化膜
４ａをウェット又はドライエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の金属膜を露出させる。
【００３４】そして、図６に示すように、ＩＴＯ（Indi
um Thin Oxide）をスパッタ法等を用いて堆積した後、
所定のレジストパターンを形成し、これをマスクとして
露出したＩＴＯをウェットエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の露出した金属膜上にＩＴＯ
からなる電極端子１０を形成する。その後、所定の条件
でアニールを行う。
um Thin Oxide）をスパッタ法等を用いて堆積した後、
所定のレジストパターンを形成し、これをマスクとして
露出したＩＴＯをウェットエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の露出した金属膜上にＩＴＯ
からなる電極端子１０を形成する。その後、所定の条件
でアニールを行う。
【００３５】従来のＴＦＴ基板の製造方法では、次に配
向膜１８を塗布するが、本実施例では、更に、液晶１７
を画素領域とゲート電極２及びデータ線６近傍の領域と
で分断する仕切り９ａを共通電極３に対応する位置に形
成することを特徴としている。すなわち、図７に示すよ
うに、レジスト、ポリイミド等の感光性の樹脂からなる
絶縁体を基板全面に所定の膜厚で堆積し、共通電極３の
所定の領域のみをフォトマスクによって遮光して露光、
現像を行い、共通電極３上層に仕切り９ａを形成する。
そして、この仕切り９ａを焼成により固化した後、ＴＦ
Ｔ側基板とＣＦ側基板に配向膜１８を塗布し、両基板を
張り合わせてその間隙に液晶１７を注入する。
向膜１８を塗布するが、本実施例では、更に、液晶１７
を画素領域とゲート電極２及びデータ線６近傍の領域と
で分断する仕切り９ａを共通電極３に対応する位置に形
成することを特徴としている。すなわち、図７に示すよ
うに、レジスト、ポリイミド等の感光性の樹脂からなる
絶縁体を基板全面に所定の膜厚で堆積し、共通電極３の
所定の領域のみをフォトマスクによって遮光して露光、
現像を行い、共通電極３上層に仕切り９ａを形成する。
そして、この仕切り９ａを焼成により固化した後、ＴＦ
Ｔ側基板とＣＦ側基板に配向膜１８を塗布し、両基板を
張り合わせてその間隙に液晶１７を注入する。
【００３６】ここで、ＴＦＴ基板に設ける仕切り９ａ
は、画素領域とゲート電極２及びデータ線６近傍の領域
とを分断するために設けるため、仕切り９ａの高さは両
基板間のセルギャップと等しく、すなわち、仕切り９ａ
に塗布した配向膜１８が第２の透明基板１１側の配向膜
１８に当接するように設定することが好ましい。また、
本実施例では、仕切り９ａ同士の間に隙間を形成してい
るが、この隙間は液晶１７を注入する際に画素内にも液
晶１７が入り込みやすくするためのものであり、その間
隔は液晶１７の粘度等に応じて適宜、最適な値に設定す
ることができる。
は、画素領域とゲート電極２及びデータ線６近傍の領域
とを分断するために設けるため、仕切り９ａの高さは両
基板間のセルギャップと等しく、すなわち、仕切り９ａ
に塗布した配向膜１８が第２の透明基板１１側の配向膜
１８に当接するように設定することが好ましい。また、
本実施例では、仕切り９ａ同士の間に隙間を形成してい
るが、この隙間は液晶１７を注入する際に画素内にも液
晶１７が入り込みやすくするためのものであり、その間
隔は液晶１７の粘度等に応じて適宜、最適な値に設定す
ることができる。
【００３７】このように、本実施例の液晶表示装置で
は、共通電極３上層に仕切り９ａが形成され、この仕切
り９ａによって画素領域内部の液晶１７と、データ線６
及びゲート電極２近傍の液晶１７とが分断されるため、
データ線６及びゲート電極２に印加されるＤＣ電圧と共
通電極３との間の電界によって、その領域の液晶が画素
内部の液晶と異なる方向に回転した場合であっても、画
素内部の液晶は共通電極３と画素電極７との間の電界の
みによって配向方向が制御される。
は、共通電極３上層に仕切り９ａが形成され、この仕切
り９ａによって画素領域内部の液晶１７と、データ線６
及びゲート電極２近傍の液晶１７とが分断されるため、
データ線６及びゲート電極２に印加されるＤＣ電圧と共
通電極３との間の電界によって、その領域の液晶が画素
内部の液晶と異なる方向に回転した場合であっても、画
素内部の液晶は共通電極３と画素電極７との間の電界の
みによって配向方向が制御される。
【００３８】すなわち、図２３及び図２４に示す従来構
造の液晶表示装置では、画素内の液晶が画素電極７と共
通電極３との間の電界によって回転しようとした場合
に、データ線６及びゲート電極２近傍の配向方向が異な
る液晶との間の弾性力によってその回転が阻害されてい
たが、本実施例では、共通電極３上層に仕切り９ａが形
成されているため、データ線６及びゲート電極２近傍の
液晶の弾性力が画素内の液晶に働くことがなく、画素内
の液晶を速やかに回転させることができる。
造の液晶表示装置では、画素内の液晶が画素電極７と共
通電極３との間の電界によって回転しようとした場合
に、データ線６及びゲート電極２近傍の配向方向が異な
る液晶との間の弾性力によってその回転が阻害されてい
たが、本実施例では、共通電極３上層に仕切り９ａが形
成されているため、データ線６及びゲート電極２近傍の
液晶の弾性力が画素内の液晶に働くことがなく、画素内
の液晶を速やかに回転させることができる。
【００３９】この効果を図８及び図９を参照して説明す
ると、パネル透過率に関しては、図８に示すように、従
来（図の実線及び白抜き四角）は液晶の回転が阻害され
るため、高い印加電圧でパネル透過率がピークとなって
いたが、本実施例の構成（図の一点鎖線及び黒四角）で
は、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶の配向方向
に画素領域の液晶が引きずられることがないため、液晶
の閾値電圧Ｖthを下げることができ、パネル透過率のピ
ークを低電圧側にシフトさせることができる。
ると、パネル透過率に関しては、図８に示すように、従
来（図の実線及び白抜き四角）は液晶の回転が阻害され
るため、高い印加電圧でパネル透過率がピークとなって
いたが、本実施例の構成（図の一点鎖線及び黒四角）で
は、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶の配向方向
に画素領域の液晶が引きずられることがないため、液晶
の閾値電圧Ｖthを下げることができ、パネル透過率のピ
ークを低電圧側にシフトさせることができる。
【００４０】また、応答時間に関しては、図９に示すよ
うに、従来（図の実線及び白抜き四角）は全体的に応答
時間が長く、特に低電圧側ではデータ線６及びゲート電
極２の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本
実施例の構成（図の一点鎖線黒四角）では、仕切り９ａ
によってデータ線６及びゲート電極２近傍の液晶の影響
を受けないため、全ての印加電圧領域において液晶を迅
速に回転させることができ、応答の改善を図ることがで
きる。
うに、従来（図の実線及び白抜き四角）は全体的に応答
時間が長く、特に低電圧側ではデータ線６及びゲート電
極２の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本
実施例の構成（図の一点鎖線黒四角）では、仕切り９ａ
によってデータ線６及びゲート電極２近傍の液晶の影響
を受けないため、全ての印加電圧領域において液晶を迅
速に回転させることができ、応答の改善を図ることがで
きる。
【００４１】また、従来はデータ線６及びゲート電極２
の影響を緩和するために、両電極と共通電極３との間
隔、及び、画素領域周囲の共通電極３の幅を大きくしな
ければならなかったが、本実施例では、仕切り９ａによ
ってデータ線６及びゲート電極２の影響が抑制されるた
め、データ線６及びゲート電極２と共通電極３との間
隔、及び、共通電極３の幅を狭くすることができ、遮光
領域を減らし開口率を向上させることができる。
の影響を緩和するために、両電極と共通電極３との間
隔、及び、画素領域周囲の共通電極３の幅を大きくしな
ければならなかったが、本実施例では、仕切り９ａによ
ってデータ線６及びゲート電極２の影響が抑制されるた
め、データ線６及びゲート電極２と共通電極３との間
隔、及び、共通電極３の幅を狭くすることができ、遮光
領域を減らし開口率を向上させることができる。
【００４２】また、仕切り９ａによって画素内部の液晶
１７はデータ線６及びゲート電極２と共通電極３との間
の電界方向に回転することはないため、共通電極３近傍
における液晶の配向方向の乱れを防止することができ、
白表示時に共通電極３近傍で色づきが生じる等の問題が
発生することもなく、視角特性の良好な液晶表示装置を
得ることができる。
１７はデータ線６及びゲート電極２と共通電極３との間
の電界方向に回転することはないため、共通電極３近傍
における液晶の配向方向の乱れを防止することができ、
白表示時に共通電極３近傍で色づきが生じる等の問題が
発生することもなく、視角特性の良好な液晶表示装置を
得ることができる。
【００４３】更に、仕切り９ａは均一な膜厚に塗布され
た樹脂により形成されているため、その高さは液晶表示
装置面内で均一であり、仕切り９ａが第２の透明基板に
当接するように両基板を張り合わせることによって基板
間のセルギャップを均一かつ正確に制御することができ
るという効果も得られる。
た樹脂により形成されているため、その高さは液晶表示
装置面内で均一であり、仕切り９ａが第２の透明基板に
当接するように両基板を張り合わせることによって基板
間のセルギャップを均一かつ正確に制御することができ
るという効果も得られる。
【００４４】なお、本実施例では、仕切り９ａを共通電
極３上に形成する例について記載したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、仕切り９ａは配向方
向の異なる液晶同士を分断するものであれば良く、例え
ば、データ線６又はゲート電極２と共通電極３との間の
領域、又は、画素内部の領域に形成しても良く、また、
仕切り９ａを第２の透明基板１１側に形成してもよい。
更に、例えば画素電極が屈曲点を有する形状をなし、画
素内で液晶１７を複数の方向に配向するマルチドメイン
構造では、仕切り９ａを画素内に設けることによってド
メイン間の配向方向を独立に制御することもできる。
極３上に形成する例について記載したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、仕切り９ａは配向方
向の異なる液晶同士を分断するものであれば良く、例え
ば、データ線６又はゲート電極２と共通電極３との間の
領域、又は、画素内部の領域に形成しても良く、また、
仕切り９ａを第２の透明基板１１側に形成してもよい。
更に、例えば画素電極が屈曲点を有する形状をなし、画
素内で液晶１７を複数の方向に配向するマルチドメイン
構造では、仕切り９ａを画素内に設けることによってド
メイン間の配向方向を独立に制御することもできる。
【００４５】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１０を参
照して説明する。図１０は、第２の実施例に係る液晶表
示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図である。なお、本
実施例は、仕切りの形状が前記した第１の実施例と相違
しているものであり、他の部分の構造等については第１
の実施例と同様である。
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１０を参
照して説明する。図１０は、第２の実施例に係る液晶表
示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図である。なお、本
実施例は、仕切りの形状が前記した第１の実施例と相違
しているものであり、他の部分の構造等については第１
の実施例と同様である。
【００４６】すなわち、前記した第１の実施例では、第
１の透明基板１に設ける仕切り９ａは、液晶１７の注入
を容易にするために所定の間隔で隙間ができるように形
成していたが、本実施例では、仕切り９ａを共通電極３
上層に一筆書きで連続して形成することを特徴としてい
る。このように仕切り９ａを連続して形成することによ
って、画素領域内部の液晶と、データ線６及びゲート電
極２近傍の液晶とが完全に分断されるため、データ線６
及びゲート電極２に印加されるＤＣ電圧と共通電極３と
の間の電界によってその領域の液晶が画素内部の液晶と
異なる方向に配向している場合であっても、画素内部の
液晶は画素電極７と共通電極３との間の電界のみによっ
て配向方向を制御することができる。
１の透明基板１に設ける仕切り９ａは、液晶１７の注入
を容易にするために所定の間隔で隙間ができるように形
成していたが、本実施例では、仕切り９ａを共通電極３
上層に一筆書きで連続して形成することを特徴としてい
る。このように仕切り９ａを連続して形成することによ
って、画素領域内部の液晶と、データ線６及びゲート電
極２近傍の液晶とが完全に分断されるため、データ線６
及びゲート電極２に印加されるＤＣ電圧と共通電極３と
の間の電界によってその領域の液晶が画素内部の液晶と
異なる方向に配向している場合であっても、画素内部の
液晶は画素電極７と共通電極３との間の電界のみによっ
て配向方向を制御することができる。
【００４７】特に、白表示状態から電極間に電圧が印加
されない黒表示状態に戻る場合には、データ線６及びゲ
ート電極２近傍の液晶との間の弾性力に影響されること
なく、速やかに配向方向を初期配向方向に回転させるこ
とができ、また、共通電極３近傍における液晶の配向方
向の乱れを防止することができるため、白表示時に共通
電極３近傍で色づきが生じることもなく、前記した第１
の実施例よりも更に応答が速く、視角特性の良好な液晶
表示装置を得ることができる。
されない黒表示状態に戻る場合には、データ線６及びゲ
ート電極２近傍の液晶との間の弾性力に影響されること
なく、速やかに配向方向を初期配向方向に回転させるこ
とができ、また、共通電極３近傍における液晶の配向方
向の乱れを防止することができるため、白表示時に共通
電極３近傍で色づきが生じることもなく、前記した第１
の実施例よりも更に応答が速く、視角特性の良好な液晶
表示装置を得ることができる。
【００４８】また、データ線６及びゲート電極２と共通
電極３との間隔、及び、共通電極３の幅を狭くすること
により開口率を向上させることができ、仕切り９ａを第
２の透明基板１１に当接するように張り合わせることに
よって基板間のセルギャップを均一かつ正確に制御する
ことができるのは、前記した第１の実施例と同様であ
る。
電極３との間隔、及び、共通電極３の幅を狭くすること
により開口率を向上させることができ、仕切り９ａを第
２の透明基板１１に当接するように張り合わせることに
よって基板間のセルギャップを均一かつ正確に制御する
ことができるのは、前記した第１の実施例と同様であ
る。
【００４９】なお、本実施例では、仕切り９ａを共通電
極３上層に連続して形成しているため、真空注入法を用
いて仕切り９ａの内部に液晶１７を注入することは困難
であるが、滴下注入法を用いることによって仕切り９ａ
の内外に均一に液晶１７を注入することができる。ま
た、上記効果は多少低減するが、仕切り９ａの高さをセ
ルギャップよりもやや低くすることによっても液晶の注
入を容易にすることができる。
極３上層に連続して形成しているため、真空注入法を用
いて仕切り９ａの内部に液晶１７を注入することは困難
であるが、滴下注入法を用いることによって仕切り９ａ
の内外に均一に液晶１７を注入することができる。ま
た、上記効果は多少低減するが、仕切り９ａの高さをセ
ルギャップよりもやや低くすることによっても液晶の注
入を容易にすることができる。
【００５０】［実施例３］次に、本発明の第３の実施例
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１１乃至
図１３を参照して説明する。図１１乃至図１３は、第３
の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す図であり、図
１１及び図１３の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線における断面図、また、図１２は図１１（ａ）
に隣接する画素の断面図である。なお、本実施例では、
前記した第１及び第２の実施例と異なり、第１の透明基
板側に色層を設け、この色層を用いて仕切りを形成する
ことを特徴としている。
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１１乃至
図１３を参照して説明する。図１１乃至図１３は、第３
の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す図であり、図
１１及び図１３の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線における断面図、また、図１２は図１１（ａ）
に隣接する画素の断面図である。なお、本実施例では、
前記した第１及び第２の実施例と異なり、第１の透明基
板側に色層を設け、この色層を用いて仕切りを形成する
ことを特徴としている。
【００５１】本実施例のＩＰＳ液晶表示装置の概略の製
造方法について説明すると、まず、前記した実施例と同
様に、第１の透明基板１上にゲート電極２と共通電極３
とを形成した後、層間絶縁膜４を介してデータ線６及び
画素電極７を形成する。次に、本実施例では、ＲＧＢ３
色の色層（Ｒ）１３ａ、色層（Ｇ）１３ｂ、色層（Ｂ）
１３ｃを隣り合う画素に順次形成していくが、その際、
各々の画素の色層と異なる色の色層を仕切り９ｂとして
形成していく。
造方法について説明すると、まず、前記した実施例と同
様に、第１の透明基板１上にゲート電極２と共通電極３
とを形成した後、層間絶縁膜４を介してデータ線６及び
画素電極７を形成する。次に、本実施例では、ＲＧＢ３
色の色層（Ｒ）１３ａ、色層（Ｇ）１３ｂ、色層（Ｂ）
１３ｃを隣り合う画素に順次形成していくが、その際、
各々の画素の色層と異なる色の色層を仕切り９ｂとして
形成していく。
【００５２】例えば、図１１（ｂ）には、ＲＧＢ３色の
色層のうち、色層（Ｒ）１３ａが形成される画素の断面
を記載しているが、この場合は、まず、色層（Ｒ）１３
ａをゲート電極２とデータ線６とで囲まれる領域に形成
し、次に、色層（Ｇ）１３ｂを隣接する画素に形成する
と共に、色層（Ｒ）１３ａ上の共通電極２に対応する部
分にも堆積する。その後、色層（Ｂ）１３ｃを反対側に
隣接する画素に形成すると共に、色層（Ｒ）１３ａ上の
色層（Ｇ）１３ｂを堆積した部分に更に堆積する。する
と、色層（Ｒ）１３ａ上には色層（Ｇ）１３ｂと色層
（Ｂ）１３ｃとからなる仕切り９ｂが形成される。
色層のうち、色層（Ｒ）１３ａが形成される画素の断面
を記載しているが、この場合は、まず、色層（Ｒ）１３
ａをゲート電極２とデータ線６とで囲まれる領域に形成
し、次に、色層（Ｇ）１３ｂを隣接する画素に形成する
と共に、色層（Ｒ）１３ａ上の共通電極２に対応する部
分にも堆積する。その後、色層（Ｂ）１３ｃを反対側に
隣接する画素に形成すると共に、色層（Ｒ）１３ａ上の
色層（Ｇ）１３ｂを堆積した部分に更に堆積する。する
と、色層（Ｒ）１３ａ上には色層（Ｇ）１３ｂと色層
（Ｂ）１３ｃとからなる仕切り９ｂが形成される。
【００５３】その後、色層１３と仕切り９ｂとを覆うよ
うに平坦化膜１４を堆積し、配向膜１８を塗布して第１
の透明基板１を形成する。一方、第２の透明基板１１側
には配向膜１８のみを形成し、両基板の間に液晶１７を
狭持する。なお、図１１乃至図１３にはブラックマトリ
クス１２を記載していないが、ブラックマトリクス１２
は第１の透明基板１又は第２の透明基板１１のどちらに
形成しても良く、第１の透明基板１に形成する場合は、
データ線６と色層１３との間の層に、第２の透明基板１
１に形成する場合は、配向膜１８の下層に形成すればよ
い。
うに平坦化膜１４を堆積し、配向膜１８を塗布して第１
の透明基板１を形成する。一方、第２の透明基板１１側
には配向膜１８のみを形成し、両基板の間に液晶１７を
狭持する。なお、図１１乃至図１３にはブラックマトリ
クス１２を記載していないが、ブラックマトリクス１２
は第１の透明基板１又は第２の透明基板１１のどちらに
形成しても良く、第１の透明基板１に形成する場合は、
データ線６と色層１３との間の層に、第２の透明基板１
１に形成する場合は、配向膜１８の下層に形成すればよ
い。
【００５４】このように、色層１３を第１の透明基板１
に形成する構造の液晶表示装置において、画素に形成す
る色層１３とは異なる色の色層を重ねて堆積し、それを
仕切り９ｂとして用いることによって、工程を新たに追
加することなく仕切り９ｃを形成することができ、第１
及び第２の実施例に比べて工程の削減を図ることができ
る。なお、色層（Ｇ）１３ｂが形成される画素は図１２
（ａ）に示すようになり、色層（Ｂ）１３ｃが形成され
る画素は図１２（ｂ）に示すような構造となる。
に形成する構造の液晶表示装置において、画素に形成す
る色層１３とは異なる色の色層を重ねて堆積し、それを
仕切り９ｂとして用いることによって、工程を新たに追
加することなく仕切り９ｃを形成することができ、第１
及び第２の実施例に比べて工程の削減を図ることができ
る。なお、色層（Ｇ）１３ｂが形成される画素は図１２
（ａ）に示すようになり、色層（Ｂ）１３ｃが形成され
る画素は図１２（ｂ）に示すような構造となる。
【００５５】更に、このような構造の液晶表示装置で
は、色層１３と共にブラックマトリクス１２を第１の透
明基板１側に形成することによって、色層１３及びブラ
ックマトリクス１２とゲート電極２、データ線６及び共
通電極３との位置関係をより正確に保つことができ、設
計マージンを小さくすることができるため、前記した第
１及び第２の実施例よりも、更に開口率をより大きくす
ることができる。
は、色層１３と共にブラックマトリクス１２を第１の透
明基板１側に形成することによって、色層１３及びブラ
ックマトリクス１２とゲート電極２、データ線６及び共
通電極３との位置関係をより正確に保つことができ、設
計マージンを小さくすることができるため、前記した第
１及び第２の実施例よりも、更に開口率をより大きくす
ることができる。
【００５６】また、図１３に示すように、色層１３の上
に平坦化膜１４を堆積し、その上に色層１３又はブラッ
クマトリクス１２を堆積して仕切り９ｂを形成すること
もでき、この場合は工程を削減することはできないが、
絶縁体の場合に比べて高い仕切りを容易に形成すること
ができる。なお、仕切り９ｂは、図に示すように所定の
間隔で断片的に形成しても第２の実施例のように連続し
て形成しても良く、また、仕切り９ｂの高さはセルギャ
ップと同程度でもそれより低くてもよいことは前記した
第１及び第２の実施例と同様である。
に平坦化膜１４を堆積し、その上に色層１３又はブラッ
クマトリクス１２を堆積して仕切り９ｂを形成すること
もでき、この場合は工程を削減することはできないが、
絶縁体の場合に比べて高い仕切りを容易に形成すること
ができる。なお、仕切り９ｂは、図に示すように所定の
間隔で断片的に形成しても第２の実施例のように連続し
て形成しても良く、また、仕切り９ｂの高さはセルギャ
ップと同程度でもそれより低くてもよいことは前記した
第１及び第２の実施例と同様である。
【００５７】［実施例４］次に、本発明の第４の実施例
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１４乃至
図２０を参照して説明する。図１４は、第４の実施例に
係る液晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であ
る。また、図１５乃至図２０は、本実施例の液晶表示装
置の製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＢ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線、ゲー
ト端子及びドレイン端子における断面図である。なお、
本実施例は、前記した第１乃至第３の実施例と異なり、
仕切りを導電体で形成することを特徴としている。
に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置について、図１４乃至
図２０を参照して説明する。図１４は、第４の実施例に
係る液晶表示装置の構造を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であ
る。また、図１５乃至図２０は、本実施例の液晶表示装
置の製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＢ−Ｂ′線、Ｃ−Ｃ′線、Ｄ−Ｄ′線、ゲー
ト端子及びドレイン端子における断面図である。なお、
本実施例は、前記した第１乃至第３の実施例と異なり、
仕切りを導電体で形成することを特徴としている。
【００５８】図１４を参照して、本実施例のＩＰＳ液晶
表示装置の構成について説明すると、この液晶表示装置
はＴＦＴを形成する第１の透明基板１とＣＦを形成する
第２の透明基板１１とその間に狭持される液晶１７とか
ら構成され、第１の透明基板１側には、ゲート電極２、
データ線６、ＴＦＴ５が配置されて１画素が形成され、
各画素には画素電極７及び共通電極３が形成されてい
る。そして、共通電極３上には導電体からなる仕切り９
ｃが形成されている。
表示装置の構成について説明すると、この液晶表示装置
はＴＦＴを形成する第１の透明基板１とＣＦを形成する
第２の透明基板１１とその間に狭持される液晶１７とか
ら構成され、第１の透明基板１側には、ゲート電極２、
データ線６、ＴＦＴ５が配置されて１画素が形成され、
各画素には画素電極７及び共通電極３が形成されてい
る。そして、共通電極３上には導電体からなる仕切り９
ｃが形成されている。
【００５９】一方、第２の透明基板１１上には、余分な
光を遮光するためのブラックマトリクス１２、色層１３
及び平坦化膜１４が形成され、また、両基板には配向膜
１８が塗布され、その間にデータ線６と所定の角度をな
すようにホモジニアス配向された液晶１７が狭持されて
いる。また、両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂ
が貼付され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の
偏光軸は液晶１７の配向方向に平行になるように設定さ
れる。
光を遮光するためのブラックマトリクス１２、色層１３
及び平坦化膜１４が形成され、また、両基板には配向膜
１８が塗布され、その間にデータ線６と所定の角度をな
すようにホモジニアス配向された液晶１７が狭持されて
いる。また、両基板の外側には、偏光板１６ａ、１６ｂ
が貼付され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の
偏光軸は液晶１７の配向方向に平行になるように設定さ
れる。
【００６０】次に、このような液晶表示装置のＴＦＴ側
基板の製造方法について、図１５乃至図２０を参照して
説明する。まず、前記した第１の実施例と同様に、第１
の透明基板１上にＣｒ等の金属をスパッタ法等により堆
積した後、その上に形成したレジストパターンをマスク
としてウェットエッチングを行い、ゲート電極２及び共
通電極３を形成する（図１５参照）。
基板の製造方法について、図１５乃至図２０を参照して
説明する。まず、前記した第１の実施例と同様に、第１
の透明基板１上にＣｒ等の金属をスパッタ法等により堆
積した後、その上に形成したレジストパターンをマスク
としてウェットエッチングを行い、ゲート電極２及び共
通電極３を形成する（図１５参照）。
【００６１】次に、図１６に示すように、シリコン酸化
膜４ａ等のゲート絶縁膜をＣＶＤ法等を用いて堆積した
後、シリコン窒化膜４ｂ、ａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓ
ｉ５ｂをプラズマＣＶＤ法等を用いて連続して成膜し、
レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓｉ５ｂをエッ
チングしてＴＦＴ５を形成する。
膜４ａ等のゲート絶縁膜をＣＶＤ法等を用いて堆積した
後、シリコン窒化膜４ｂ、ａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓ
ｉ５ｂをプラズマＣＶＤ法等を用いて連続して成膜し、
レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したａ−Ｓｉ５ａ及びｎ+ａ−Ｓｉ５ｂをエッ
チングしてＴＦＴ５を形成する。
【００６２】その後、図１７に示すように、Ｃｒ等の金
属をスパッタ法等を用いて堆積した後、レジストパター
ンをマスクとしてウェット及びドライエッチングを行
い、データ線６、ソース／ドレイン電極、画素電極３を
形成する。その後、このＣｒからなるソース／ドレイン
電極をマスクとしてチャネルドライエッチングを行い、
ＴＦＴ５領域の露出したｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去する。
属をスパッタ法等を用いて堆積した後、レジストパター
ンをマスクとしてウェット及びドライエッチングを行
い、データ線６、ソース／ドレイン電極、画素電極３を
形成する。その後、このＣｒからなるソース／ドレイン
電極をマスクとしてチャネルドライエッチングを行い、
ＴＦＴ５領域の露出したｎ+ａ−Ｓｉ５ｂを除去する。
【００６３】次に、シリコン窒化膜等からなるパッシベ
ーション膜８をプラズマＣＶＤ法等を用いて堆積し、レ
ジストパターンをマスクとして、パッシベーション膜
８、シリコン窒化膜５ｂ及びシリコン酸化膜５ａをウェ
ット及びドライエッチングにより除去するが、本実施例
では、図１８に示すように、ゲート端子及びドレイン端
子に加えて、共通電極３上の仕切り９ｃを形成する領域
のパッシベーション膜８、シリコン窒化膜５ｂ及びシリ
コン酸化膜５ａも除去する。
ーション膜８をプラズマＣＶＤ法等を用いて堆積し、レ
ジストパターンをマスクとして、パッシベーション膜
８、シリコン窒化膜５ｂ及びシリコン酸化膜５ａをウェ
ット及びドライエッチングにより除去するが、本実施例
では、図１８に示すように、ゲート端子及びドレイン端
子に加えて、共通電極３上の仕切り９ｃを形成する領域
のパッシベーション膜８、シリコン窒化膜５ｂ及びシリ
コン酸化膜５ａも除去する。
【００６４】そして、図１９に示すように、ＩＴＯをス
パッタ法等を用いて堆積した後、レジストパターンをマ
スクとして露出したＩＴＯをウェットエッチングにより
除去し、ゲート端子及びドレイン端子の露出した金属膜
上にＩＴＯからなる電極端子１０を形成し、その後、所
定の条件でアニールを行う。
パッタ法等を用いて堆積した後、レジストパターンをマ
スクとして露出したＩＴＯをウェットエッチングにより
除去し、ゲート端子及びドレイン端子の露出した金属膜
上にＩＴＯからなる電極端子１０を形成し、その後、所
定の条件でアニールを行う。
【００６５】次に、本実施例では、Ｃｒ等の導電体を所
定の膜厚で基板全面に堆積し、レジストパターンをマス
クとして露出したＣｒをウェット又はドライエッチング
により除去することにより導電体からなる仕切り９ｃを
共通電極３上の所定の領域に形成する（図２０参照）。
そして、第１の透明基板１と第２の透明基板１１に配向
膜１８を塗布し、両基板を張り合わせてその間隙に液晶
１７を注入する。
定の膜厚で基板全面に堆積し、レジストパターンをマス
クとして露出したＣｒをウェット又はドライエッチング
により除去することにより導電体からなる仕切り９ｃを
共通電極３上の所定の領域に形成する（図２０参照）。
そして、第１の透明基板１と第２の透明基板１１に配向
膜１８を塗布し、両基板を張り合わせてその間隙に液晶
１７を注入する。
【００６６】このように、本実施例の液晶表示装置で
は、共通電極３上にＣｒ等の導電体からなる仕切り９ｃ
が形成され、この仕切り９ｃによって画素領域内部の液
晶と、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶とが分断
されるため、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶が
画素内部と異なる方向に配向されている場合であって
も、画素内部の液晶が影響を受けることはなく、かつ、
仕切り９ｃは共通電極３と同電位に保たれているため、
データ線６及びゲート電極２と共通電極３との間に生じ
る電界が画素内部に入り込むことを防止することがで
き、画素内部の液晶は画素電極７と共通電極３との間の
電界のみによって正確に制御することができる。
は、共通電極３上にＣｒ等の導電体からなる仕切り９ｃ
が形成され、この仕切り９ｃによって画素領域内部の液
晶と、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶とが分断
されるため、データ線６及びゲート電極２近傍の液晶が
画素内部と異なる方向に配向されている場合であって
も、画素内部の液晶が影響を受けることはなく、かつ、
仕切り９ｃは共通電極３と同電位に保たれているため、
データ線６及びゲート電極２と共通電極３との間に生じ
る電界が画素内部に入り込むことを防止することがで
き、画素内部の液晶は画素電極７と共通電極３との間の
電界のみによって正確に制御することができる。
【００６７】この効果を図８及び図９を参照して説明す
ると、パネル透過率に関しては、図８に示すように、従
来（図の実線及び白抜き四角）は６Ｖ程度の高い印加電
圧でパネル透過率がピークとなっていたが、本実施例の
構成（図の破線及び白抜き三角）では、データ線６及び
ゲート電極２近傍の液晶の配向方向に画素領域の液晶が
引きずられることがなく、かつ、データ線６及びゲート
電極２の電界の影響も受けないため、液晶の閾値電圧Ｖ
thを小さくすることができ、パネル透過率のピークを第
１の実施例よりも更に低電圧側にシフトさせることがで
きる。
ると、パネル透過率に関しては、図８に示すように、従
来（図の実線及び白抜き四角）は６Ｖ程度の高い印加電
圧でパネル透過率がピークとなっていたが、本実施例の
構成（図の破線及び白抜き三角）では、データ線６及び
ゲート電極２近傍の液晶の配向方向に画素領域の液晶が
引きずられることがなく、かつ、データ線６及びゲート
電極２の電界の影響も受けないため、液晶の閾値電圧Ｖ
thを小さくすることができ、パネル透過率のピークを第
１の実施例よりも更に低電圧側にシフトさせることがで
きる。
【００６８】また、応答時間に関しては、図９に示すよ
うに、従来（図の実線及び白抜き四角）は全体的に応答
が遅く、特に低電圧側ではデータ線６及びゲート電極２
の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本実施
例の構成（図の破線白抜き三角）では、低電圧領域から
高電圧領域に至る全ての印加電圧領域で液晶を迅速に回
転させることができ、第１の実施例よりも更に応答の改
善を図ることができる。
うに、従来（図の実線及び白抜き四角）は全体的に応答
が遅く、特に低電圧側ではデータ線６及びゲート電極２
の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本実施
例の構成（図の破線白抜き三角）では、低電圧領域から
高電圧領域に至る全ての印加電圧領域で液晶を迅速に回
転させることができ、第１の実施例よりも更に応答の改
善を図ることができる。
【００６９】この効果は、画素電極７と共通電極３の間
隔に比べてセルギャップが広い場合や、これらの電極間
に電圧が印加されない黒表示状態において顕著に現れ
る。すなわち、前記した第１乃至第３の実施例では、仕
切り９ａ、９ｂを形成することによって、画素領域とデ
ータ線６及びゲート電極２近傍の液晶を分断し、弾性特
性に基づく液晶の応答の遅延を改善することはできる
が、仕切り９ａ、９ｂが絶縁体で形成されているため、
電界が小さい第２の透明基板１１側や電圧が印加されな
い黒表示状態においては、データ線６及びゲート電極２
のＤＣ電圧による電界の影響を受けていた。しかしなが
ら、本実施例では、仕切り９ｃを導電体で形成すること
によって、このＤＣ電圧による電界を遮断することがで
きるため、応答や視角特性の改善を図ることができる。
隔に比べてセルギャップが広い場合や、これらの電極間
に電圧が印加されない黒表示状態において顕著に現れ
る。すなわち、前記した第１乃至第３の実施例では、仕
切り９ａ、９ｂを形成することによって、画素領域とデ
ータ線６及びゲート電極２近傍の液晶を分断し、弾性特
性に基づく液晶の応答の遅延を改善することはできる
が、仕切り９ａ、９ｂが絶縁体で形成されているため、
電界が小さい第２の透明基板１１側や電圧が印加されな
い黒表示状態においては、データ線６及びゲート電極２
のＤＣ電圧による電界の影響を受けていた。しかしなが
ら、本実施例では、仕切り９ｃを導電体で形成すること
によって、このＤＣ電圧による電界を遮断することがで
きるため、応答や視角特性の改善を図ることができる。
【００７０】また、導電体からなる仕切り９ｃを形成す
ることによって、ゲート電極２及びデータ線６と共通電
極３との間隔を一層狭くすることができるため、前記し
た第１乃至第３の実施例よりも開口率を大きくすること
もできる。更に、仕切り９ｃを遮光材として用いること
もでき、ブラックマトリクス１２と共に光の漏れを防止
することができる。
ることによって、ゲート電極２及びデータ線６と共通電
極３との間隔を一層狭くすることができるため、前記し
た第１乃至第３の実施例よりも開口率を大きくすること
もできる。更に、仕切り９ｃを遮光材として用いること
もでき、ブラックマトリクス１２と共に光の漏れを防止
することができる。
【００７１】なお、本実施例では、仕切り９ｃを第１の
透明基板１側にＣｒを用いて形成し、その仕切り９ｃを
共通電極３に接続する例について記載したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、例えば、仕切り
９ｃは、Ｔｉ、タングステン、ＩＴＯ等の他の金属を用
いて形成してもよい。また、仕切り９ｃは共通電極３に
接続しなくてもよく、その場合は第２の透明基板１１側
に形成することもできる。
透明基板１側にＣｒを用いて形成し、その仕切り９ｃを
共通電極３に接続する例について記載したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、例えば、仕切り
９ｃは、Ｔｉ、タングステン、ＩＴＯ等の他の金属を用
いて形成してもよい。また、仕切り９ｃは共通電極３に
接続しなくてもよく、その場合は第２の透明基板１１側
に形成することもできる。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＰＳ液
晶表示装置の構成によれば下記記載の効果を奏する。
晶表示装置の構成によれば下記記載の効果を奏する。
【００７３】本発明の第１の効果は、画素領域外周の共
通電極上層に絶縁体、色層又は導電体からなる仕切りを
設け、画素領域内外の液晶を分断することにより、ゲー
ト電極又はデータ線に印加されるＤＣ電圧によって画素
領域と異なる方向に配向された液晶の影響を抑制するこ
とができ、特に、ＴＦＴ形成基板側から離れた対向基板
側や印加電圧の低い領域においてもパネル透過率を大き
く、応答を速く、かつ、配向方向の乱れを防止すること
ができるということである。
通電極上層に絶縁体、色層又は導電体からなる仕切りを
設け、画素領域内外の液晶を分断することにより、ゲー
ト電極又はデータ線に印加されるＤＣ電圧によって画素
領域と異なる方向に配向された液晶の影響を抑制するこ
とができ、特に、ＴＦＴ形成基板側から離れた対向基板
側や印加電圧の低い領域においてもパネル透過率を大き
く、応答を速く、かつ、配向方向の乱れを防止すること
ができるということである。
【００７４】また、本発明の第２の効果は、ゲート電極
又はデータ線に印加されるＤＣ電圧の影響を受けにくい
ため、ゲート電極又はデータ線と共通電極との間隔、及
び、画素領域周辺の共通電極の幅を狭くすることがで
き、遮光領域を減らして開口率を大きくすることができ
るということである。
又はデータ線に印加されるＤＣ電圧の影響を受けにくい
ため、ゲート電極又はデータ線と共通電極との間隔、及
び、画素領域周辺の共通電極の幅を狭くすることがで
き、遮光領域を減らして開口率を大きくすることができ
るということである。
【００７５】また、本発明の第３の効果は、仕切りを導
電体で形成し共通電極に接続することによって、ゲート
電極又はデータ線と共通電極との間に生じる電界を遮蔽
し、画素領域内の液晶の配向方向を正確に制御すること
ができ、また、導電体で光を遮蔽することにより光の漏
れを防止することができるということである。
電体で形成し共通電極に接続することによって、ゲート
電極又はデータ線と共通電極との間に生じる電界を遮蔽
し、画素領域内の液晶の配向方向を正確に制御すること
ができ、また、導電体で光を遮蔽することにより光の漏
れを防止することができるということである。
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ′線における断面図である。
造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ′線における断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図７】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面
図である。
【図８】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の効
果を説明する図であり、印加電圧とパネル透過率との相
関を示す図である。
果を説明する図であり、印加電圧とパネル透過率との相
関を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の効
果を説明する図であり、印加電圧と応答時間との相関を
示す図である。
果を説明する図であり、印加電圧と応答時間との相関を
示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、図１１に隣接する画素の断面図で
ある。
構造を示す図であり、図１１に隣接する画素の断面図で
ある。
【図１３】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図１６】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図１７】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図１８】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図１９】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図２０】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。
【図２１】従来の液晶表示装置の構造を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における
断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線における
断面図である。
【図２２】液晶表示装置に各電極に印加される電圧を示
すタイミングチャートである。
すタイミングチャートである。
【図２３】従来の液晶表示装置のデータ線近傍における
液晶の配向状態を示す図である。
液晶の配向状態を示す図である。
【図２４】従来の液晶表示装置のゲート電極近傍におけ
る液晶の配向状態を示す図である。
る液晶の配向状態を示す図である。
【図２５】従来の液晶表示装置の等電位面及び電界方向
を示す図である。
を示す図である。
１ 第１の透明基板 ２ ゲート電極 ３ 共通電極 ４ 層間絶縁膜 ４ａ シリコン酸化膜 ４ｂ シリコン窒化膜 ５ ＴＦＴ ５ａ ａ−Ｓｉ ５ｂ ｎ+ａ−Ｓｉ ６ データ線 ７ 画素電極 ８ パッシベーション膜 ９ａ、９ｂ、９ｃ 仕切り １０ 端子電極 １１ 第２の透明基板 １２ ブラックマトリクス １３ 色層 １３ａ 色層（Ｒ） １３ｂ 色層（Ｇ） １３ｃ 色層（Ｂ） １４ 平坦化膜 １５ 導電膜 １６ａ、１６ｂ 偏光膜 １７ 液晶 １８ 配向膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA10 MA04X NA14 NA17 NA24 NA60 PA03 QA11 QA14 QA15 RA04 RA18 SA01 TA04 TA09 2H090 KA04 KA18 LA02 LA04 MA02 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB56 JB63 JB69 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA04 NA25 NA27 PA03 QA06 QA18 5C094 AA03 AA06 AA10 AA12 AA13 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 EC03 ED03 ED14 ED15 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 GB10
Claims (15)
- 【請求項１】一対の対向する基板と前記一対の基板間に
狭持された液晶とを有し、一側の基板には、互いに略直
交する複数のゲート線及び複数のデータ線と、前記ゲー
ト線と前記データ線との交点近傍に配設された薄膜トラ
ンジスタと、前記ゲート線と前記データ線と囲まれた領
域に互いに平行かつ交互に配設されて画素領域を形成す
る画素電極及び共通電極とを少なくとも備え、前記画素
電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって、前
記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるＩＰＳ方
式の液晶表示装置において、 前記一対の基板の少なくとも一方に、前記画素領域の内
外の前記液晶を少なくとも一部において分断する仕切り
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記基板の法線方向から見て、前記仕切り
が前記共通電極と重なるように形成されていることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記仕切りが、前記画素領域を取り囲むよ
うに連続して形成されていることを特徴とする請求項１
又は２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記仕切りが、前記一対の基板の双方に当
接するように形成されていることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか一に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記仕切りが、絶縁体からなることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】前記絶縁体がレジスト又は感光性ポリイミ
ドを含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装
置。 - 【請求項７】前記薄膜トランジスタが形成される前記一
側の基板に複数色の色層が配設され、前記仕切りが前記
色層上層に堆積した色層材料によって形成されているこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項８】前記仕切りを構成する前記色層材料が、複
数色の前記色層材料を含むことを特徴とする請求項７記
載の液晶表示装置。 - 【請求項９】前記仕切りが、導電体を含むことを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか一に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】前記仕切りが、前記一側の基板に配設さ
れ、かつ、前記共通電極に接続されていることを特徴と
する請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第１の絶縁膜を堆積する工程と、前記第１の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上に第２の絶縁膜
を堆積する工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前
記共通電極との間に印加する電圧によって、前記一側の
基板と対向する基板との間に狭持した液晶を前記基板に
略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第２の絶縁膜の上に、前記基板の法線方向から見
て、前記共通電極と重なるように絶縁体からなる仕切り
を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項１２】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第１の絶縁膜を堆積する工程と、前記第１の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上にＲＧＢの色層
を形成する工程と、前記色層の上に平坦化膜を堆積する
工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前記共通電極
との間に印加する電圧によって、前記一側の基板と対向
する基板との間に狭持した液晶を前記基板に略平行な面
内で回転させるＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記色層の形成に際し、前記ゲート電極と前記データ線
とで囲まれる領域にＲＧＢのいずれか一色の前記色層を
形成すると共に、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と重なるように前記一色の色層と異なる色の色層
材料を配設して仕切りを形成する工程を含むことを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第１の絶縁膜を堆積する工程と、前記第１の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上に第２の絶縁膜
を堆積する工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前
記共通電極との間に印加する電圧によって、前記一側の
基板と対向する基板との間に狭持した液晶を前記基板に
略平行な面内で回転させるＩＰＳ方式の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第２の絶縁膜形成後、前記基板の法線方向から見
て、前記共通電極と重なる領域に前記共通電極まで貫通
する溝を形成する工程と、前記溝の内部及び上部に導電
体からなる仕切りを形成する工程とを含むことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】前記仕切りを、所定の間隔で断続的に形
成して隙間を設け、前記隙間を通して画素領域内部に前
記液晶を注入することを特徴とする請求項１１乃至１３
のいずれか一に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】前記仕切りを、前記一側の基板と前記対
向する基板とのギャップと略等しい高さで形成すること
を特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一に記載の
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000209706A JP2002023171A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TW090116915A TWI293397B (en) | 2000-07-11 | 2001-07-10 | Liquid crystal display unit having pixel electrode encircled with partition wall and process for fabrication thereof |
| KR1020010041183A KR20020015002A (ko) | 2000-07-11 | 2001-07-10 | 격벽으로 둘러싸인 화소전극을 가진 액정표시장치 및 그의제조방법 |
| US09/901,034 US6657699B2 (en) | 2000-07-11 | 2001-07-10 | Liquid crystal display unit having pixel electrode encircled with partition wall and process for fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000209706A JP2002023171A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002023171A true JP2002023171A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18706071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000209706A Pending JP2002023171A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6657699B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002023171A (ja) |
| KR (1) | KR20020015002A (ja) |
| TW (1) | TWI293397B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004219707A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2007199744A (ja) * | 2002-05-17 | 2007-08-09 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2008039955A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| US7345731B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-03-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100833955B1 (ko) * | 2001-07-27 | 2008-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시장치용 어레이 기판 |
| KR100920923B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| TWI242095B (en) * | 2003-03-28 | 2005-10-21 | Innolux Display Corp | An active matrix liquid crystal display |
| TWI246623B (en) * | 2003-03-28 | 2006-01-01 | Innolux Display Corp | An active matrix liquid crystal display |
| KR100741890B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2007-07-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4108589B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2008-06-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100760940B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-09-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| GB2424851B (en) * | 2005-04-09 | 2010-09-15 | Hewlett Packard Development Co | Laminated article with flexible substrate |
| JP2006330470A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4929432B2 (ja) | 2005-07-29 | 2012-05-09 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR101212146B1 (ko) | 2005-12-14 | 2012-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
| US7825998B2 (en) * | 2007-04-06 | 2010-11-02 | Hannstar Display Corp. | Input display having particular photo sensor, color filter, and light-shielding element arrangement |
| JP2009180981A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
| CN106057818B (zh) * | 2016-05-26 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105974691B (zh) * | 2016-07-25 | 2019-05-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种ffs模式的阵列基板及其制备方法 |
| CN106773361A (zh) * | 2017-03-08 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及液晶显示器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06214244A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH08313923A (ja) * | 1994-09-17 | 1996-11-29 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JP2000019526A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2001330843A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3200552B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3949759B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2007-07-25 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | カラーフィルタ基板および液晶表示素子 |
| KR100218507B1 (ko) * | 1996-12-19 | 1999-09-01 | 윤종용 | 평면 구동 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US6133977A (en) * | 1997-10-21 | 2000-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays having common electrode overlap with one or more data lines |
| JP2000171808A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2001005007A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100736114B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2007-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100622396B1 (ko) * | 2000-09-21 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100433662B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2004-05-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 인플레인 스위칭 액정표시장치 |
-
2000
- 2000-07-11 JP JP2000209706A patent/JP2002023171A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-10 KR KR1020010041183A patent/KR20020015002A/ko not_active Ceased
- 2001-07-10 US US09/901,034 patent/US6657699B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-10 TW TW090116915A patent/TWI293397B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06214244A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH08313923A (ja) * | 1994-09-17 | 1996-11-29 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JP2000019526A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2001330843A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199744A (ja) * | 2002-05-17 | 2007-08-09 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| US7345731B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-03-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
| US7428034B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2004219707A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008039955A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020008829A1 (en) | 2002-01-24 |
| US6657699B2 (en) | 2003-12-02 |
| TWI293397B (en) | 2008-02-11 |
| KR20020015002A (ko) | 2002-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002023171A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| KR100482468B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 | |
| JP4414824B2 (ja) | マルチドメイン横電界モード液晶表示装置 | |
| JP2701698B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100587367B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP5224237B2 (ja) | 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JP3613573B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US9316851B2 (en) | Liquid crystal display device of lateral electric field type capable of reducing width of black matrix | |
| US9389464B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| KR20080071231A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| CN100414409C (zh) | 多区域液晶显示器 | |
| JP2000029072A (ja) | 高開口率及び高透過率液晶表示装置 | |
| KR950029830A (ko) | 액정 디스플레이 셀 | |
| KR101323412B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2007279634A (ja) | 横電界方式の液晶表示装置 | |
| KR20050058058A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101134932B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP4728513B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20120130582A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| JP2001330849A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US11231624B2 (en) | Pixel structure, display panel and display device | |
| KR20040047400A (ko) | 횡전계방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100929267B1 (ko) | Ｆｆｓ 모드형식의 액정표시장치 | |
| JPH11352512A (ja) | 広視野角液晶表示装置 | |
| KR100674236B1 (ko) | 프린지필드구동 액정표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070618 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100301 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100317 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100816 |