JP2001284781A - 熱圧着用ヒーターチップ及びその製造方法 - Google Patents
熱圧着用ヒーターチップ及びその製造方法Info
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Abstract
着用ヒーターチップを提供する。 【構成】 熱圧着用ヒーターチップ30は熱電対11を
備えており、且つ抵抗発熱部2の圧着先端部3の近傍に
熱電対11の2本の素線11a、11bの位置を定める
係止手段として貫通孔17を備え、熱電対11の素線1
1a、11bは共に前記貫通孔17を通してその先の貫
通孔開口部にてアーク溶接にて接合点12がヒーターチ
ップ10に溶接された構成であり、接合点12の位置は
一義的に定まって取り付け位置の個体差が無く一様に極
めて精緻な温度制御が可能で、且つ素線11a、11b
が貫通孔17内に保持されているので捩れ応力や曲げ応
力を受けても断線が発生しにくい。
Description
リード線を熱圧着接続する際に用いる熱圧着用ヒーター
チップの構造とその製造方法に関する。
ード線を接続する手段として熱圧着法がある。電極とこ
れに当接する被覆リード線の接合する部分を熱と圧力の
物理力によって被覆を溶融しつつリード線を軟化させて
直接に電極と接合させる方法である。その熱と圧力を被
覆リード線に加える部材を熱圧着用ヒーターチップと称
し、例えば図11の斜視図に示されるような略V字形状
の熱圧着用ヒーターチップ10が利用されている。この
熱圧着用ヒーターチップ10自身が電気抵抗発熱体とな
っており、図示されない熱圧着装置本体へ取り付けて電
流印加するための通電電極となる装着部1、1と、圧着
先端部3を含む抵抗発熱部2とからなり、圧着先端部3
の幅wは0.5〜1.0mm、V字形状の縦横寸法は1
0mm程度と小さなものである。
度において十分な機械的強度と酸化に耐え得る素材とし
てタングステン系合金やモリブデン系合金が一般に使用
されている。また、図11に示されるように熱圧着の際
には被覆リード線6の被覆を予め除去することなく接合
部分7を薄膜電極5と瞬時に接合させるために、ヒータ
ーチップ10の圧着先端部3(抵抗発熱部2の他の部分
に比較して最も高温度になっている。)は常時500〜
700℃の高温に発熱させている。
電子部品の電極5と被覆リード線6の接合部分7との安
定な接合強度を得るためには安定した接合温度が欠かせ
ず、熱圧着用ヒーターチップ10の抵抗発熱部2の温度
制御が必要となる。特に、温度制御の観点からは実際に
圧力と熱を直接加える圧着先端部3またはその近傍での
温度変化(圧着時には熱が電極側に拡散して圧着先端部
3の温度が下がる。また、環境によって定常的な放熱量
も変化する。)をリアルタイムに検知して常に一定の温
度を維持させる等のフィードバック制御を行うことが望
ましい。
時の温度変化から印加電流をサイクル的に変えて発熱量
を変化させて所定温度範囲内に収めるようにしたり、赤
外線を利用した非接触温度センサー等で圧着先端部3の
温度を測って制御するといった温度制御方法が考えられ
ているが、何れも精密な温度制御は達成されていない。
ヒーターチップ10の圧着先端部3またはその近傍の温
度を直接にリアルタイムに測定することが望ましく、且
つその測定位置は同種熱圧着用ヒーターチップにおいて
は定位置にあることが好ましい。
熱圧着用ヒーターチップ及びその製造方法は実現されて
いない。
であり、熱圧着用ヒーターチップの圧着先端部またはそ
の近傍の発熱温度を適正温度範囲にリアルタイムにコン
トロールし、且つその信頼性を向上して圧着先端部の温
度制御を安定にすることを目的とする。
決するために、 (1)電子部品の電極に被圧着物を熱圧着して接続する
際に使用される熱圧着用ヒーターチップにおいて、前記
熱圧着用ヒーターチップの抵抗発熱部の圧着先端部また
はその近傍に素線の接合点が溶接されている熱電対を備
えることを特徴とする熱圧着用ヒーターチップを提供す
る。 (2)上記(1)に記載の熱圧着用ヒーターチップにお
いて、熱電対は前記熱圧着用ヒーターチップの抵抗発熱
部に直に溶接されていることを特徴とする熱圧着用ヒー
ターチップを提供する。 (3)上記(1)に記載の熱圧着用ヒーターチップにお
いて、熱電対は前記熱圧着用ヒーターチップの抵抗発熱
部に接合補助部材を介して溶接されていることを特徴と
する熱圧着用ヒーターチップを提供する。 (4)上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の熱圧着
用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部に熱電対の素線
の係止手段を備えていることを特徴とする熱圧着用ヒー
ターチップを提供する。 (5)上記(1)乃至(4)のいずれかに記載の熱圧着
用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部における圧着先
端部またはその近傍に貫通孔が配設されるとともに、前
記貫通孔に素線を通して貫通孔開口部にて接合された熱
電対を備えることを特徴とする熱圧着用ヒーターチップ
を提供する。 (6)(1)乃至(4)のいずれかに記載の熱圧着用ヒ
ーターチップにおいて、抵抗発熱部における圧着先端部
の近傍に凹部が配設されるとともに、前記凹部内に素線
を通して凹部の角隅にて接合された熱電対を備えること
を特徴とする熱圧着用ヒーターチップを提供する。 (7)(1)乃至(4)のいずれかに記載の熱圧着用ヒ
ーターチップにおいて、抵抗発熱部における圧着先端部
の近傍に複数の凸部が配設されるとともに、前記凸部の
間に素線を通して接合された熱電対を備えることを特徴
とする熱圧着用ヒーターチップを提供する。 (8)第1に、熱圧着用ヒーターチップの抵抗発熱部に
熱電対の係止手段をヒーターチップの成型時または成型
後に設け、第2に、前記係止手段を介して熱電対の素線
を引き出し、第3に、前記熱電対の2本の素線の先端部
を溶接して接合しつつ抵抗発熱部の前記係止手段の箇所
に溶接することを特徴とする(1)乃至(7)に記載の
熱圧着用ヒーターチップの製造方法を提供する。
ップの実施の形態を図面に基いて説明する。なお、従来
の技術で説明した図11における部材と同等の部材は同
符号にて示す。
用ヒーターチップの斜視図である。
着用ヒーターチップ20は従来の熱圧着用ヒーターチッ
プ10と本体を同じくするが、温度センサーとして熱電
対11の2本の素線11a、11b(+脚と−脚)が溶
融して合金化した状態の接合点12をヒーターチップ1
0の抵抗発熱部2の圧着先端部3の近傍上で溶接と同時
に接合して取り付けた構造である。上記のように熱電対
11の接合点(=測定点)12がヒーターチップ20の
圧着先端部3またはその近傍上にアーク溶接等の方法に
よって溶接されているので、ヒーターチップ10の圧着
先端部3の温度制御がリアルタイム且つ高精度に実現で
き、例えば圧着先端部3の発熱温度を適正温度(例えば
550℃)±10℃といった温度範囲にフィードバック
制御可能となる。
着用ヒーターチップ20の使用温度範囲(概ね500〜
700℃)に適合するものである他は特に制限は無い
が、例えば+脚にNi−Cr合金、−脚にNi合金を用
いたK種熱電対(旧記号CAで呼称クロメル−アルメ
ル)が好適である。
の断面図に示されるように、ヒーターチップ10の抵抗
発熱部2に対して直に溶接してあってもよいし、図3及
び図4の断面図に示されるように、溶接を容易にするた
めに抵抗発熱部2に接合補助部材13(Ni、Cr、B
e等の接合金属)を介して溶接されていてもよい。
結果によれば、前記接合補助部材13を介した溶接の場
合は、(a)図3に示されるように、ヒーターチップの
抵抗発熱部2が500〜700℃という高温を発熱する
ために、接合金属13との接合部15が熱履歴にて剥離
し易く、一旦剥離してしまうと熱電対11による温度コ
ントロールが不能となってヒーターチップが温度暴走す
る恐れがある。また、(b)接合補助部材13を介した
アーク溶接の制御が困難で、図4に示されるように、多
数の小さな穴の鬆16が接合補助部材13の中に入り易
く、結果として温度コントロールが不安定になる、とい
った不具合点が明らかになった。
とヒーターチップ10を前記Ni等の接合補助部材13
を用いずに直接アーク溶接することによって、安定した
接合点12が形成され、且つ抵抗発熱部2との接合界面
で拡散層14(例としてタングステンとK種熱電対)が
形成されて強固に接合して剥離の恐れが殆どなく、且つ
溶融した接合点12の中には「鬆」は発生しないことが
判った。
を直にヒーターチップ10に溶接することが好適といえ
る。
プ20では、ヒーターチップ20が高速で上下に往復動
することからヒーターチップ自身に溶接された熱電対1
1も随伴して上下に振られるので、捩れ応力、曲げ応力
が繰り返し懸かってしまい、図2に示されるように、熱
電対11の2本の素線11a、11bが接合点12の根
元から断線する可能性が想起される。この対策としては
熱電対11の2本の素線11a、11bの接合点12の
根元部分が保持されるような保持手段を設けることが好
ましい。
は場所によって異なってくるので、抵抗発熱部2のどの
位置に熱電対11の接合点12を配置するかによって圧
着先端部3との温度差も異なってくる。その結果、個々
のヒーターチップで熱電対11の取り付け位置が違って
くると繰り返し温度精度も個々に変わってしまう。而し
て熱電対11の接合点12の配置は定まった位置にして
同じヒーターチップであれば同じ温度制御を行えるよう
にすることが好ましい。
に、本発明に係る熱圧着用ヒーターチップ30では、抵
抗発熱部2の圧着先端部3またはその近傍に熱電対11
の2本の素線11a、11bの位置を定める係止手段と
して貫通孔17(素線が挿入可能な程度の大きさ)を備
える構造になっており、熱電対11の素線11a、11
bは共に前記貫通孔17を通してその先の貫通孔開口部
17aにて接合点12が形成され、且つ溶接された構成
となっている。而して、前記貫通孔17によって熱電対
11の接合点12の位置は定まることになって、個々の
ヒーターチップで取り付け位置の個体差が無く、一様に
極めて精緻な温度制御が可能になる。
30に設けられた前記貫通孔17を通して熱電対11を
溶接した状態を示す拡大図であるが、本図から判るよう
に、素線11a、11bが捩れ応力や曲げ応力によって
2点鎖線のように曲ったとしても、貫通孔17の中に熱
電対11の接合点12(溶融体)と素線11a、11b
との境界部が保護されているので、換言すれば係止手段
の貫通孔17が熱電対11の保持手段にもなって素線1
1a、11bを貫通孔17の内に保持しているために、
素線11a、11bの根元からの断線が発生しにくい効
果を得ている。また、接合点12は貫通孔開口部17a
を塞ぐように溶接されたかぎ形接合形態で、熱電対とヒ
ーターチップの直接合による拡散層14の形成とも相俟
って剥離の恐れは一層解消される。
らず種々想定され得る。例えば、係止手段の他の実施の
形態として、図7の斜視図に示されるように、本発明に
係る熱圧着用ヒーターチップ40に設けられた船底形の
凹部18内に2本の素線11a、11bを通して凹部1
8の角隅にて接合点12を接合且つ溶接した構造でも接
合点12の位置は定まり、且つ素線11a、11bの根
元は凹部18の壁面にて保持される。
熱圧着用ヒーターチップ50は、圧着先端部3の近傍に
複数の凸部19a、19b、19c、19dが配設され
るとともに、前記凸部19a、19bの間に2本の素線
11a、11bを通して凸部19c、19dの狭間にて
接合点12が接合且つ溶接された構造になっている。上
記係止手段によっても熱電対11の素線11a、11b
は凸部19a、19bに挟まれてその根元部分は保持さ
れ、且つ接合点12の位置は凸部19c、19dの狭間
に定まる。
ヒーターチップ20は熱電対11を備える構造にて熱圧
着時の精度の高いリアルタイムの温度制御が可能にな
り、特に本発明に係る前記熱圧着用ヒーターチップ3
0、40、50では、単に熱電対11をヒーターチップ
に溶接したに留まらず、その位置を定め、また熱電対の
接合点12の根元の素線11a、11bを保持する構造
を備えていることによって、安定した信頼性の高い温度
制御が実現できるのである。
ヒーターチップの形状が略V字形状のものであったが、
本発明の対象となる熱圧着用ヒーターチップの形状には
制限はなく、例えば図9の斜視図に示されるようなスリ
ット31が入った略四角形状の抵抗発熱部32の先端に
設けられた凸状の圧着先端部33に係止手段(例えば貫
通孔17)を介して溶接した熱電対11を備えるヒータ
ーチップ形状でもよく、さらに図10の斜視図に示され
るような圧着先端部35が略四角形状の抵抗発熱部34
から延設された富士山型の熱圧着用ヒーターチップ70
の形状でもよい。
プの製造方法を図5、図6に示される前記熱圧着用ヒー
ターチップ30を例に説明する。
10の抵抗発熱部2の圧着先端部3の近傍(V字の谷底
の延長上)に熱電対11の係止手段として直径0.5m
m程の貫通孔17を設け(ヒーターチップ成型時に同時
に形成してもよい。)、第2に、前記貫通孔17に一方
から熱電対11の2本の素線11a、11bを通してそ
の先端を貫通孔開口部17aから4〜5mm突出させ、
第3に、前記熱電対11の2本の素線11a、11bの
突出した先端部をアーク溶接して接合点12を形成す
る。この際、前記素線の突出部分は溶融体となって貫通
孔17内と貫通孔開口部17aに亙って塞ぐように接合
点12が形成される。
圧着用ヒーターチップ40、50についても上記と同様
であり、熱電対11の素線11a、11bを係止手段の
凹部18または凸部19c、19dを介してそこから4
〜5mm先端部を突出させてアーク溶接して溶融体を係
止手段の凹部18または凸部19c、19dの狭間に溶
接することが肝要である。
びその製造方法は、上記のような構成のため、 (1)熱電対がその接合点をヒーターチップの抵抗発熱
部の圧着先端部またはその近傍に溶接にて取り付けられ
ているので、熱圧着温度の温度制御がリアルタイムに高
精度に行える。 (2)熱電対は直にヒーターチップに溶接されているた
めに熱電対とヒーターチップの接合は拡散層を形成して
いるので、高温発熱状態(500〜700℃)でもヒー
ターチップと熱電対は剥離することなくヒーターチップ
自身が消耗するまで温度コントロールが可能になるの
で、信頼性の高い温度制御が可能である。 (3)ニッケル等の媒介する金属を使用せず、熱電対を
直接にヒーターチップに接合させるので、「鬆」が入ら
ず、正確な温度コントロールが実現できる。 (4)熱電対の係止手段を備えているので、熱電対を接
合する位置が正確に(一義的に)決定でき、安定した信
頼性の高い温度制御が実現できる。 (5)係止手段として貫通孔または凹部または複数の凸
部を備えているので、素線が保持されて断線が生じにく
い。
チップの斜視図である。
を直にヒーターチップに溶接した接合部分を示す断面図
である。
を接合補助部材を介してヒーターチップに溶接した場合
の剥離の生じた状態を示す断面図である。
を接合補助部材を介してヒーターチップに溶接した場合
の鬆が入った状態を示す断面図である。
ターチップの例を示す斜視図である。
電対を溶接した状態を示す図である。
対を溶接した状態を示す斜視図である。
て熱電対を溶接した状態を示す斜視図である。
形状の熱圧着用ヒーターチップの形状例を示す斜視図で
ある。
ップの形状例を示す斜視図である。
への被覆リード線の熱圧着の様子を示す斜視図である。
用ヒーターチップ 11 熱電対 11a、11b 素線 12 接合点 13 接合補助部材 14 拡散層 16 鬆 17 貫通孔 17a 貫通孔開口部 18 凹部 19a、19b、19c、19d 凸部 31 スリット
Claims (8)
- 【請求項1】 電子部品の電極に被圧着物を熱圧着して
接続する際に使用される熱圧着用ヒーターチップにおい
て、前記熱圧着用ヒーターチップの抵抗発熱部の圧着先
端部またはその近傍に素線の接合点が溶接されている熱
電対を備えることを特徴とする熱圧着用ヒーターチッ
プ。 - 【請求項2】 請求項1に記載の熱圧着用ヒーターチッ
プにおいて、熱電対は前記熱圧着用ヒーターチップの抵
抗発熱部に直に溶接されていることを特徴とする熱圧着
用ヒーターチップ。 - 【請求項3】 請求項1に記載の熱圧着用ヒーターチッ
プにおいて、熱電対は前記熱圧着用ヒーターチップの抵
抗発熱部に接合補助部材を介して溶接されていることを
特徴とする熱圧着用ヒーターチップ。 - 【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
の熱圧着用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部に熱電
対の素線の係止手段を備えていることを特徴とする熱圧
着用ヒーターチップ。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の熱圧着用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部におけ
る圧着先端部またはその近傍に貫通孔が配設されるとと
もに、前記貫通孔に2本の素線を通して貫通孔開口部に
て接合された熱電対を備えることを特徴とする熱圧着用
ヒーターチップ。 - 【請求項6】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の熱圧着用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部におけ
る圧着先端部の近傍に凹部が配設されるとともに、前記
凹部内に2本の素線を通して凹部の角隅にて接合された
熱電対を備えることを特徴とする熱圧着用ヒーターチッ
プ。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の熱圧着用ヒーターチップにおいて、抵抗発熱部におけ
る圧着先端部の近傍に複数の凸部が配設されるととも
に、前記凸部の間に2本の素線を通して接合された熱電
対を備えることを特徴とする熱圧着用ヒーターチップ。 - 【請求項8】 第1に、熱圧着用ヒーターチップの抵抗
発熱部に熱電対の係止手段をヒーターチップの成型時ま
たは成型後に設け、第2に、前記係止手段を介して熱電
対の2本の素線を引き出し、第3に、前記熱電対の2本
の素線の先端部を溶接して接合しつつ抵抗発熱部の前記
係止手段の箇所に溶接することを特徴とする請求項1乃
至請求項7のいずれかに記載の熱圧着用ヒーターチップ
の製造方法。
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---|---|---|---|---|
WO2005018861A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Kobo Pda Co., Ltd. | 熱圧着用のヒーターチップ |
JP2010080592A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Nippon Avionics Co Ltd | 高温パルスヒート用ヒータチップおよび製造方法 |
WO2022097546A1 (ja) * | 2020-11-05 | 2022-05-12 | 株式会社アポロ技研 | ヒーターチップ、およびヒーターチップユニット |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018861A1 (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-03 | Kobo Pda Co., Ltd. | 熱圧着用のヒーターチップ |
JP2010080592A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Nippon Avionics Co Ltd | 高温パルスヒート用ヒータチップおよび製造方法 |
KR20220126795A (ko) | 2020-09-09 | 2022-09-16 | 가부시키가이샤 아폴로기켄 | 히터 칩 및 히터 칩 유닛 |
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CN115443202A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-12-06 | 株式会社阿波罗技研 | 加热嘴及加热嘴单元 |
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